DE3328342C3 - Verfahren zum Einlöten von Chipbauelementen auf Leiterplatten - Google Patents
Verfahren zum Einlöten von Chipbauelementen auf LeiterplattenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Einlöten
von Chipbauelementen auf Leiterplatten. Es ist bekannt,
die für eine Schaltung notwendigen Chipbauelemente
zunächst auf die Lötseite der Leiterplatte zu kleben, den
Kleber dann aushärten zu lassen und danach die Chip
bauelemente durch Schwall-, Schlepp- oder Tauchlöten
zu kontaktieren. Dieses Verfahren hat jedoch den Nach
teil, daß bereits bei einer nur einseitigen Bestückung
zwei Prozeßschritte, nämlich das Kleben mit Aushärten
sowie das Löten, notwendig sind und daß sich bei den
drei genannten Lötverfahren mit entsprechend ausge
statteten Lötbädern bzw. Lötanlagen Abstände zwi
schen den Leiterbahnendbereichen von nur 0,3 ...
0,4 mm erreichen lassen, was die Packungsdichte der
Schaltung begrenzt.
Es ist weiter bekannt, auf die Kontaktflächen der Lei
terbahnen für die Chipbauelemente Lotpaste durch
Siebdrucken aufzubringen, was vorzugsweise in der
Dickschichttechnik zum Bau von Hybridschaltungen
benutzt wird. Die Chipbauelemente werden auf die ge
druckten pastösen Lotpolster, die eine breiartige Mi
schung aus Lotmetallpulver, Lösungs- und Flußmittel
darstellt, aufgesetzt, durch den breiartigen Zustand fi
xiert und durch anschließendes Reflowlöten eingelötet.
Dieses Verfahren hat den Nachteil, daß ein zusätzli
cher Siebdruckprozeß mit der Lotpaste erforderlich ist.
Bei zweiseitiger Bestückung der Platten wird dieser
Weg sehr kompliziert. Ferner dürfen die Lotpolster
nicht zu dünn sein und verlangen daher beim Drucken
das Vermeiden engmaschiger Siebe, wodurch die Ver
wirklichung feiner Kontaktflächenstrukturen schwierig
wird. Schließlich kommt es beim Aufschmelzen der Lot
polster leicht zum Spratzen, wobei auf der Schaltung
vagabundierende Lotkugeln entstehen, die zur Ausbil
dung von elektrischen Neben- oder Kurzschlüssen füh
ren können.
Schließlich ist es bekannt, die Kontaktflächen der Lei
terbahnen für die Chipbauelemente auf den Schaltplati
nen (wie konventionelle Leiterplatten, Dickschicht-
oder Dünnfilmschaltungen) zunächst in einer ersten
Stufe durch Schwall-, Schlepp- oder Tauchlöten mit
Lotpolstern zu belegen, danach die Chipbauelemente
mit ihren Kontaktflächen auf die Leiterbahnendberei
che aufzusetzen und mittels dickflüssiger Kolophonium
lösung zu fixieren und dann mit einer anschließenden
zweiten Wärmebehandlung, z. B. in einem Durchlauf
ofen, als zweite Stufe die Chipbauelemente in die Schal
tungen einzulöten. Ein derartiges Verfahren, wonach
zunächst die Schaltplatinen hergestellt und danach im
Tauch- oder Schwallbadverfahren verzinnt werden, wo
bei sich Lotkuppen ausbilden, die als Lotreservoir für
einen späteren Reflow-Soldering-Prozeß dienen, ist z. B.
aus G. Krüger: "Entwicklung und Anwendung von Tan
tal-Dünnschicht-Hybridbausteinen" in: Funkschau 1976,
Heft 20, Seiten 853-856 bekannt. Nachteilig an diesem
Verfahren ist es, daß zwei Wärmeprozesse erforderlich
sind, daß die aufgebrachten Lotpolster gekrümmt und
ballige Oberflächen aufweisen, wodurch die Chipbau
elemente beim Aufsetzen zum seitlichen Wegrutschen
neigen, und daß die Dicke der Lotpolster und damit die
Menge des beim Reflowlöten vorhandenen Lotes einer
gewissen Streubreite unterliegt, die nur schwer in den
Griff zu bekommen ist. Des weiteren ist aus der GB
15 36 772 ein Verfahren zur Platinenherstellung be
kannt, wobei eine Lotschicht galvanisch aufgebracht
und anschließend umgeschmolzen wird.
Aus der US-PS 4 135 630 ist ferner bekannt, vor dem Bestücken
eines Substrats mit Chipbauelementen das Substrat mit einem
Flußmittel zu beschichten, wobei die gesamte Oberfläche mit dem
Flußmittel benetzt wird. Die Chipbauelemente werden danach in
den Flußmittelfilm eingedrückt. Durch das Eindrücken in den
Flußmittelfilm haftet das Chipbauelement am Substrat. Das
eingesetzte Flußmittel wirkt somit nicht mittels eines
Trocknungsschrittes als Haftmittel. Das Eindrücken in den
Flußmittelfilm erfordert überdies eine ballige Lotoberfläche am
Chipbauelement.
Es ist Aufgabe der Erfindung, die Herstellung ge
druckter Schaltungen in Chipbauweise wesentlich zu
vereinfachen und eine stärkere Miniaturisierung zu er
möglichen sowie eine verbesserte Bestückungssicher
heit zu erreichen, die insbesondere beim Aufbringen
von Bauelementen mit planaren Anschlußflächen auf
Leiterplatten mit feinen Anschlußgeometrien zum Tra
gen kommt.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den
Merkmalen des Hauptanspruchs gelöst. Erfindungsge
mäß werden auf die galvanisch aufgebrachte Lotschicht
die Chipbauelemente mit planaren Anschlußflächen
aufgesetzt und anschließend durch Reflowlöten kontak
tiert, dadurch, daß der Reflow-Prozeß erst nach dem
Aufsetzen der Chipbauelemente erfolgt, bleiben die
Lotoberflächen eben, das Entstehen von balligen und
gekrümmten Lotoberflächen wird verhindert und es
wird somit eine präzise und rutschsichere Bestückung
der Leiterplatten mit Chipbauelementen gewährleistet.
Das erfindungsgemäße Verfahren hat den Vorteil,
daß es die Herstellung gedruckter Schaltungen in Chip
bauweise wesentlich vereinfacht und daß es eine stärke
re Miniaturisierung möglich macht, weil mit diesem Ver
fahren Abstände der Kontaktflächen der Leiterbahnen
für die Chipbauelemente und der Leiterbahnen selbst
bis hinab zu 0,1 ... 0,2 mm ohne Schwierigkeiten reali
siert werden können, ohne daß Lötschwierigkeiten auf
treten. Dies führt naturgemäß zu einer großen Pac
kungsdichte der Bauteile.
Die Abscheidung einer galvanischen Lotschicht ist
beim üblichen Herstellungsgang von beidseitig be
schichteten Leiterplatten mit durchkontaktierten Lö
chern nach dem semiaditiven bzw. additiven Verfahren
an sich bekannt. Sie dient hier als Maske beim Ausätzen
des Leiterbahnbildes (Strukturätzen der Leiterplatte)
und ist etwa 7-15 µm dick. Wird diese galvanische Lot
schicht entsprechend dem erfindungsgemäßen Verfah
ren zusätzlich auch noch als Lotquelle zur Reflowlöten
beim Einlöten der Bauelemente genutzt, so muß ihre
Dicke auf ca. 10 ... 100 µm verstärkt werden, um beide
Funktionen - Ätzschutz und Lotquelle - gleichzeitig
erfüllen zu können.
Zur Herstellung einer mit Bauelementen in Chipform
bestückten Leiterplatte wird zunächst die Schaltung
nach dem semiadditiven oder additiven Verfahren auf
gebaut. Die so vorbereitete Leiterplatten-Schaltung
wird dann in an sich bekannter Weise in einem galvani
schen Bad mit einer Blei-Zinn-Schicht versehen, die eine
Dicke von etwa 10 ... 100 µm aufweist und gleichzeitig
als Maske beim Ausätzen des Leiterbahnbildes und als
Lotquelle dient. Nach dem Ausätzen des Leiterbahnbil
des werden die Leiterplatten, vorzugsweise aber die
Kontaktflächen der Leiterbahnen für die Chipbauele
mente ganzflächig mit einer dickflüssigen Kolophoni
umlösung beschichtet, die gleichzeitig als Haftmittel
zum Festhalten der Bauelemente nach dem Aufsetzen
und später beim Einlöten als Flußmittel dient. Dann
werden die Chipbauelemente auf die vorgesehenen
Kontaktflächen der Leiterbahnen für die Chipbauele
mente aufgesetzt, bei ca. 100°C an Luft kurz angetrock
net und danach durch Reflowlöten, z. B. durch Einbrin
gen in einen Durchlaufofen, bei einer Temperatur ober
halb des Schmelzpunktes der PbSn-Legierung mecha
nisch und elektrisch kontaktiert. - Die galvanische Lot
schicht ergibt auf den Kontaktflächen der Leiterbahnen
für die Chipbauelemente die zum Einlöten der Bauele
mente erforderlichen Lotpolster. Durch die galvanische
Abscheidung bleibt die Ebenheit weitgehend erhalten.
Die Lotpolster sind an ihrer Oberseite ebenfalls glatt
und eben, wodurch das Aufsetzen der planaren Chip
bauelemente mit ihren ebenen Kontaktflächen erleich
tert wird. - Zum Erreichen einer besonders guten Löt
qualität ist es vorteilhaft, daß Reflowlöten in einer sau
erstofffreien Atmosphäre aus einem inerten oder akti
vierten Schutzgas durchzuführen.
Bei der doppelseitigen Chipbestückung der Leiter
platten mit anschließender Reflowlötung, was nach die
sem Verfahren ebenfalls ohne die Verwendung zusätzli
chen Lots möglich ist, muß dafür gesorgt werden, daß
die Chipbauelemente der Unterseite während der Be
stückung der Oberseite nicht wieder abfallen. Hierzu
reicht der oben beschriebene gleichzeitig als Haft- und
Flußmittel benutzte dickflüssige Kolophoniumfilm aus,
da die üblichen Chipbauelemente relativ klein und sehr
leicht sind und nach dem Eintrocknen des Kolopho
niums bei ca. 100°C so fest haften, daß die zunächst
einseitig bestückte Leiterplatte ohne weiteres umge
dreht und dann auf der noch leeren Rückseite in der
gleichen Weise bestückt werden kann. Danach wird
wieder bei ca. 100°C kurz getrocknet und das Kolopho
nium eingedickt und verfestigt. In diesem Zustand ist die
bestückte Leiterplatte so stabil, daß sie bis zum Re
flowlöten auch einige Zeit gelagert werden kann. Beim
Reflowlöten werden dann die Chipbauelemente auf der
Ober- und Unterseite gleichzeitig eingelötet.
Werden in Sonderfällen relativ große und schwere
Bauelemente benutzt, bei denen die Haftung mit dem
Kolophonium nicht ausreicht, so können diese in be
kannter Weise beim Bestücken zunächst mit einem ge
eigneten Kleber auf die trockene und saubere Leiter
platte aufgeklebt werden (die gleiche Technik wie beim
eingangs erwähnten Schwallöten von Chipbauelemen
ten). Nach dem Verfestigen (Aushärten) des Klebers
kommt dann der Auftrag des dickflüssigen Kolophoni
umfilms (auch über die zuvor aufgeklebten Bauelemen
te hinweg, er wird dort als Flußmittel benötigt) und das
Bestücken mit den üblichen leichten Chipbauelementen
in der zuvor beschriebenen Weise.
Der hier benutzte Begriff Leiterplatte ist im weitesten
Sinne für alle Substrate zu verstehen, die einen Schicht
aufbau und eine Strukturierung in der beschriebenen
Weise ermöglichen und als Platinen für elektronische
Schaltungen in Frage kommen. Dazu gehören nicht nur
die konventionellen kupferbeschichteten Platten aus
Phenol- und Epoxid-Hartpapier sowie aus Epoxid-Glas
hartgewebe (wie z. B. FR2- FR3- und FR4-Materialien),
sondern beispielsweise auch Multilayer, flexible Schal
tungen, Platten aus Keramik oder Glas sowie isolierte
Metallkernplatten, die erst ganzflächig mit einer geeig
neten Haft- und Leitschicht, dann mit einer Struktur
maske und anschließend nacheinander mit Kupfer und
Lot beschichtet und danach strukturgeätzt werden. An
stelle von Kupfer kann auch ein anderes geeignetes Lei
termetall, wie z. B. Nickel, verwendet werden. - Da der
Substrate-Sektor zur Zeit in Bewegung ist, sind hier in
den nächsten Jahren einige anwendungstechnische
Neuerungen zu erwarten.
Die hier beschriebene galvanische Lotschicht besteht
vorzugsweise aus Blei und Zinn, entsprechend dem der
zeitigen galvanotechnischen Standard. Die Lotschicht
kann als Legierung, aber auch als eine Kombination aus
einer Legierungs- und einer Zinn- und/oder Bleischicht
abgeschieden werden. Auch reine Zinn- oder Bleischich
ten allein sind möglich. In allen Fällen entstehen daraus
Lotschichten, die im Sinne der beschriebenen Anmel
dung zu benutzen sind.
Mit der Weiterentwicklung der Galvanotechnik ist zu
erwarten, daß auch andere Metalle, wie z. B. Indium,
Silber, Cadmium, Antimon und ähnliche in unterschied
licher Menge in die Lotschicht mit eingebaut werden
können und dadurch Lotschichten entstehen, die zum
Reflowlöten von elektronischen Schaltungen noch bes
ser geeignet sind und vorteilhafter benutzt werden kön
nen als das jetzt verfügbare PbSn-Lot. Auch diese erst
später zu erwartenden Lotschichten sind im Sinne der
Anmeldung zu benutzen und sollen in diese mit einge
schlossen werden.
Claims (3)
1. Verfahren zum Einlöten von Chipbauelementen auf Leiterplatten,
wobei
- 1. zunächst auf die mit einer Leiterbahnmetallisierung, wie Kupfer, belegte Leiterplatte mit Kontaktflächen der Leiterbahnen für die Chipbauelemente eine Lotschicht galvanisch in einer Dicke von ca. 10 bis 100 µm aufgebracht wird,
- 2. anschließend die Leiterplatte mit einer Kolophoniumlösung beschichtet,
- 3. die Chipbauelemente mit ebenen Kontaktierflächen auf die Kontaktflächen der Leiterbahnen aufgesetzt,
- 4. bei ca. 100°C an Luft angetrocknet, so daß die Chipbauelemente an den Kontaktflächen der Leiterbahnen haften,
- 5. und danach in einem Ofen durch Reflowlöten kontaktiert werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß ausschließlich die Kontaktflächen der
Leiterbahnen für die Chipbauelemente mit der Ko
lophoniumlösung beschichtet werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Leiterplatten doppelseitig
mit Chipbauteilen bestückt werden.
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DE3328342A DE3328342C3 (de) | 1983-07-01 | 1983-08-05 | Verfahren zum Einlöten von Chipbauelementen auf Leiterplatten |
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1983
- 1983-08-05 DE DE3328342A patent/DE3328342C3/de not_active Expired - Fee Related
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Title |
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Also Published As
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