JPH10225007A - 充電式電源装置 - Google Patents
充電式電源装置Info
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- JPH10225007A JPH10225007A JP9021676A JP2167697A JPH10225007A JP H10225007 A JPH10225007 A JP H10225007A JP 9021676 A JP9021676 A JP 9021676A JP 2167697 A JP2167697 A JP 2167697A JP H10225007 A JPH10225007 A JP H10225007A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/165—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values
- G01R19/16533—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values characterised by the application
- G01R19/16538—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values characterised by the application in AC or DC supplies
- G01R19/16542—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values characterised by the application in AC or DC supplies for batteries
Abstract
(57)【要約】
【課題】 充放電制御回路において、二次電池の電圧が
ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧以下の異常電圧で、
充電器が接続された場合、スイッチ回路をＯＦＦして、
充電電流を遮断し、異常な電池への充電を禁止する。 【解決手段】 二次電池１０１の電池電圧を監視し、該
二次電池１０１の充放電を制御する信号を出力する充放
電制御回路１０２と、該充放電制御回路１０２の出力信
号を受け、過充電状態または過放電状態のときにそれぞ
れ充電または放電を禁止するスイッチ回路１０３と、前
記充放電制御回路１０２の出力を受けるとともに、前記
少なくとも１つの二次電池１０１の電池電圧が前記過放
電状態を示す電圧値よりも低く、かつ予め設定された充
電してはならない電圧値であることを検出し、前記二次
電池１０１に充電することを禁止するように前記スイッ
チ回路１０３を制御する低電圧検出回路１０７とから構
成した。
ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧以下の異常電圧で、
充電器が接続された場合、スイッチ回路をＯＦＦして、
充電電流を遮断し、異常な電池への充電を禁止する。 【解決手段】 二次電池１０１の電池電圧を監視し、該
二次電池１０１の充放電を制御する信号を出力する充放
電制御回路１０２と、該充放電制御回路１０２の出力信
号を受け、過充電状態または過放電状態のときにそれぞ
れ充電または放電を禁止するスイッチ回路１０３と、前
記充放電制御回路１０２の出力を受けるとともに、前記
少なくとも１つの二次電池１０１の電池電圧が前記過放
電状態を示す電圧値よりも低く、かつ予め設定された充
電してはならない電圧値であることを検出し、前記二次
電池１０１に充電することを禁止するように前記スイッ
チ回路１０３を制御する低電圧検出回路１０７とから構
成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、二次電池の充放
電を制御することが出来る充放電制御回路と、その回路
を利用した充放電式電源装置に関する。
電を制御することが出来る充放電制御回路と、その回路
を利用した充放電式電源装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の二次電池からなる充電式電源装置
としては、図２に回路ブロック図を示すような電源装置
が知られていた。例えば、特開平４−７５４３０号「充
電式の電源装置」にこのような構造が開示されている。
即ち外部端子 −Ｖ０ ２０５又は ＋Ｖ０ ２０４にスイ
ッチ回路２０３を介して二次電池２０１が接続されてい
る。さらに、二次電池２０１に並列に充放電制御回路２
０２が接続されている。この充放電制御回路２０２は、
二次電池２０１の電圧を検出する機能を備えている。二
次電池２０１が過充電状態（電池が所定の電圧値より高
い状態）、または過放電状態（電池が所定の電圧値より
低い状態）のいずれかの場合は、スイッチ回路２０３が
ＯＦＦするように充放電制御回路２０２から信号が出力
される。外部端子 ＋Ｖ０ ２０４がある電圧に達した時
に放電をＳＴＯＰすることで、スイッチ回路２０３に流
れる電流を制限することが可能である。すなわち、過大
な電流が流れた時に放電を停止（過電流制御）すること
ができる。以降、この状態の事を過電流保護状態と呼
ぶ。
としては、図２に回路ブロック図を示すような電源装置
が知られていた。例えば、特開平４−７５４３０号「充
電式の電源装置」にこのような構造が開示されている。
即ち外部端子 −Ｖ０ ２０５又は ＋Ｖ０ ２０４にスイ
ッチ回路２０３を介して二次電池２０１が接続されてい
る。さらに、二次電池２０１に並列に充放電制御回路２
０２が接続されている。この充放電制御回路２０２は、
二次電池２０１の電圧を検出する機能を備えている。二
次電池２０１が過充電状態（電池が所定の電圧値より高
い状態）、または過放電状態（電池が所定の電圧値より
低い状態）のいずれかの場合は、スイッチ回路２０３が
ＯＦＦするように充放電制御回路２０２から信号が出力
される。外部端子 ＋Ｖ０ ２０４がある電圧に達した時
に放電をＳＴＯＰすることで、スイッチ回路２０３に流
れる電流を制限することが可能である。すなわち、過大
な電流が流れた時に放電を停止（過電流制御）すること
ができる。以降、この状態の事を過電流保護状態と呼
ぶ。
【０００３】従来の二次電池からなる充電式電源装置の
別の例としては、図３に回路ブロック図に示すような電
源装置も知られている。この回路は、図２に示されてい
たスイッチ回路３０３が二次電池３０１の負極３１１と
直列に接続されたものである。
別の例としては、図３に回路ブロック図に示すような電
源装置も知られている。この回路は、図２に示されてい
たスイッチ回路３０３が二次電池３０１の負極３１１と
直列に接続されたものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成された充放電制御回路では、電池電圧がＭＯＳ
トランジスタのしきい値電圧以下の異常状態になってい
て、充電器を接続したときに、次の様な欠点がある。
うに構成された充放電制御回路では、電池電圧がＭＯＳ
トランジスタのしきい値電圧以下の異常状態になってい
て、充電器を接続したときに、次の様な欠点がある。
【０００５】一般的にスイッチ回路３０３は、２個のＦ
ＥＴ(Field Effect Transistor)が使用される。このス
イッチ回路を使用した、他の実施例として図４の回路ブ
ロック図に示されるような電源装置も知られている。図
４の実施例において、スイッチ回路４０３は２個のＦＥ
Ｔで構成されている。
ＥＴ(Field Effect Transistor)が使用される。このス
イッチ回路を使用した、他の実施例として図４の回路ブ
ロック図に示されるような電源装置も知られている。図
４の実施例において、スイッチ回路４０３は２個のＦＥ
Ｔで構成されている。
【０００６】過放電状態ではＦＥＴ−Ａ４１２をＯＦＦ
する様に働き、過充電状態ではＦＥＴ−Ｂ４１３をＯＦ
Ｆする様に働く。そのため、スイッチ回路制御用の信号
線は４０７Ａと４０７Ｂの２つに分けられる。また、過
電流状態でもＦＥＴ−Ａ４１２をＯＦＦする様に働く。
する様に働き、過充電状態ではＦＥＴ−Ｂ４１３をＯＦ
Ｆする様に働く。そのため、スイッチ回路制御用の信号
線は４０７Ａと４０７Ｂの２つに分けられる。また、過
電流状態でもＦＥＴ−Ａ４１２をＯＦＦする様に働く。
【０００７】この様な回路で図４で示された様に電池電
圧が過放電状態の時に充電器４０８が接続されると、Ｆ
ＥＴ−Ａ４１２がＯＦＦ、ＦＥＴ−ＢがＯＮであるの
で、充電電流はＦＥＴ−Ａの寄生ダイオードを介して流
れ、二次電池４０１が充電される。正常な電池状態であ
ればこれは通常の回路動作である。しかし、電池電圧が
ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧以下であってもこの
回路が動作し充電電流が流れ、異常電池にもかかわら
ず、電池を充電しようとしてしまう。異常な電池に充電
しようとすると、電池が破壊してしまう可能性がある。
そこで、本発明の目的は、従来のこのような課題を解決
するため、電池電圧がＭＯＳトランジスタのしきい値電
圧以下になっていて充電器が接続された場合、その電池
には充電電流を流さず充電できない状態にする信頼性が
高く安全な充放電制御回路を得ることである。
圧が過放電状態の時に充電器４０８が接続されると、Ｆ
ＥＴ−Ａ４１２がＯＦＦ、ＦＥＴ−ＢがＯＮであるの
で、充電電流はＦＥＴ−Ａの寄生ダイオードを介して流
れ、二次電池４０１が充電される。正常な電池状態であ
ればこれは通常の回路動作である。しかし、電池電圧が
ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧以下であってもこの
回路が動作し充電電流が流れ、異常電池にもかかわら
ず、電池を充電しようとしてしまう。異常な電池に充電
しようとすると、電池が破壊してしまう可能性がある。
そこで、本発明の目的は、従来のこのような課題を解決
するため、電池電圧がＭＯＳトランジスタのしきい値電
圧以下になっていて充電器が接続された場合、その電池
には充電電流を流さず充電できない状態にする信頼性が
高く安全な充放電制御回路を得ることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は充放電制御回路において、二次電池がＭＯ
Ｓトランジスタのしきい値電圧以下の電圧になり、その
時に充電器が接続された場合、スイッチ回路をＯＦＦし
充電電流が流れない様な回路構成にすることで、異常状
態の電池に対しては充電出来ない様にし、電池の破壊な
どを防ぐ様にした。
に、本発明は充放電制御回路において、二次電池がＭＯ
Ｓトランジスタのしきい値電圧以下の電圧になり、その
時に充電器が接続された場合、スイッチ回路をＯＦＦし
充電電流が流れない様な回路構成にすることで、異常状
態の電池に対しては充電出来ない様にし、電池の破壊な
どを防ぐ様にした。
【０００９】上記の様に構成された充放電制御回路にお
いては、電池電圧がＭＯＳトランジスタのしきい値電圧
以下の異常時に充電器が接続された場合、充電電流を遮
断し、二次電池に充電出来ない様になるので、二次電池
の破壊を防ぐ様に動作して機器全体の信頼性を高め、安
全性も向上する事になる。
いては、電池電圧がＭＯＳトランジスタのしきい値電圧
以下の異常時に充電器が接続された場合、充電電流を遮
断し、二次電池に充電出来ない様になるので、二次電池
の破壊を防ぐ様に動作して機器全体の信頼性を高め、安
全性も向上する事になる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下にこの発明の実施例を図１に
基づいて説明する。図１は、本発明の充放電制御回路の
回路ブロック図である。外部端子＋Ｖｏ１０４と−Ｖｏ
１０５にスイッチ回路１０３を介して二次電池１０１が
接続されている。スイッチ回路１０３は２個のＮ−ｃｈ
ＦＥＴで構成されている。二次電池１０１の電圧は充
放電制御回路１０２と低電圧検出回路１０７により監視
されている。充放電制御回路１０２は信号線１１４Ａで
ＦＥＴ−Ａ１１０に接続され、ＦＥＴ−Ａ１１０のＯＮ
／ＯＦＦを制御し、さらに信号線１１４Ｂで低電圧検出
回路１０７を介してＦＥＴ−Ｂ１１１に接続され、ＦＥ
Ｔ−Ｂ１１１のＯＮ／ＯＦＦを制御する。また低電圧検
出回路１０７は充電器と並列に＋Ｖｏ１０４、−Ｖｏ１
０５間に過電流検出端子１１３を介して接続され、その
電圧を電源として動作する。
基づいて説明する。図１は、本発明の充放電制御回路の
回路ブロック図である。外部端子＋Ｖｏ１０４と−Ｖｏ
１０５にスイッチ回路１０３を介して二次電池１０１が
接続されている。スイッチ回路１０３は２個のＮ−ｃｈ
ＦＥＴで構成されている。二次電池１０１の電圧は充
放電制御回路１０２と低電圧検出回路１０７により監視
されている。充放電制御回路１０２は信号線１１４Ａで
ＦＥＴ−Ａ１１０に接続され、ＦＥＴ−Ａ１１０のＯＮ
／ＯＦＦを制御し、さらに信号線１１４Ｂで低電圧検出
回路１０７を介してＦＥＴ−Ｂ１１１に接続され、ＦＥ
Ｔ−Ｂ１１１のＯＮ／ＯＦＦを制御する。また低電圧検
出回路１０７は充電器と並列に＋Ｖｏ１０４、−Ｖｏ１
０５間に過電流検出端子１１３を介して接続され、その
電圧を電源として動作する。
【００１１】二次電池１０１への充電を行うための充電
器１０８や二次電池で駆動出来る機器（二次電池から見
て負荷）は外部端子＋Ｖｏ１０４と−Ｖｏ１０５の間に
接続される。外部端子−Ｖｏ１０５または、＋Ｖｏ１０
４にＦＥＴ−Ａ１１０とＦＥＴ−Ｂ１１１が直列に接続
される。本実施例では、外部端子−Ｖｏ１０５にＦＥＴ
−Ａ１１０とＦＥＴ−Ｂ１１１が直列に接続されてい
る。
器１０８や二次電池で駆動出来る機器（二次電池から見
て負荷）は外部端子＋Ｖｏ１０４と−Ｖｏ１０５の間に
接続される。外部端子−Ｖｏ１０５または、＋Ｖｏ１０
４にＦＥＴ−Ａ１１０とＦＥＴ−Ｂ１１１が直列に接続
される。本実施例では、外部端子−Ｖｏ１０５にＦＥＴ
−Ａ１１０とＦＥＴ−Ｂ１１１が直列に接続されてい
る。
【００１２】まず、低電圧検出回路１０７の構成を図１
に基づいて説明する。充放電制御回路１０２からの信号
はレベルシフタ回路５０１に入力される。そのレベルシ
フタ回路５０１の出力は波形整形インバータ５０２に入
力される。そのインバータ５０２の出力はPチャネルＭ
ＯＳトランジスタ５０３のゲートとNチャネルＭＯＳト
ランジスタ５０５のゲートに接続される。PチャネルＭ
ＯＳトランジスタ５０３のソースは外部端子＋Ｖｏ１０
４に接続され、ドレインはPチャネルＭＯＳトランジス
タ５０４のソースに接続される。PチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ５０４のソースはPチャネルＭＯＳトランジス
タ５０３のドレインに接続され、ゲートは二次電池１０
１の負電源端子に接続され、ドレインはNチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ５０５のドレインと、プルダウン素子５
０６の片端子に接続され、更に、過充電信号出力端子１
１２Bから信号線１１４Bを介してスイッチ回路１０３内
のＦＥＴ−Ｂ１１１のゲートに接続される。Nチャネル
ＭＯＳトランジスタ５０５のソースは外部端子−Ｖｏ１
０５に信号線１０６により過電流検出端子１１３を介し
て接続され、ゲートは波形整形インバータ５０２の出力
と接続され、ドレインはPチャネルＭＯＳトランジスタ
５０４のドレインと、プルダウン素子５０６の片端子に
接続され、更に、過充電信号出力端子１１２Bから信号
線１１４Bを介してスイッチ回路１０３内のＦＥＴ−Ｂ
１１１のゲートに接続される。低電圧検出回路１０７を
構成する各素子、すなわちレベルシフタ回路５０１、波
形整形インバータ５０２、PチャネルＭＯＳトランジス
タ５０３、５０４、NチャネルＭＯＳトランジスタ５０
５、プルダウン素子５０６の電源は外部端子＋ＶＯ１０
４、−ＶＯ１０５より供給される。
に基づいて説明する。充放電制御回路１０２からの信号
はレベルシフタ回路５０１に入力される。そのレベルシ
フタ回路５０１の出力は波形整形インバータ５０２に入
力される。そのインバータ５０２の出力はPチャネルＭ
ＯＳトランジスタ５０３のゲートとNチャネルＭＯＳト
ランジスタ５０５のゲートに接続される。PチャネルＭ
ＯＳトランジスタ５０３のソースは外部端子＋Ｖｏ１０
４に接続され、ドレインはPチャネルＭＯＳトランジス
タ５０４のソースに接続される。PチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ５０４のソースはPチャネルＭＯＳトランジス
タ５０３のドレインに接続され、ゲートは二次電池１０
１の負電源端子に接続され、ドレインはNチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ５０５のドレインと、プルダウン素子５
０６の片端子に接続され、更に、過充電信号出力端子１
１２Bから信号線１１４Bを介してスイッチ回路１０３内
のＦＥＴ−Ｂ１１１のゲートに接続される。Nチャネル
ＭＯＳトランジスタ５０５のソースは外部端子−Ｖｏ１
０５に信号線１０６により過電流検出端子１１３を介し
て接続され、ゲートは波形整形インバータ５０２の出力
と接続され、ドレインはPチャネルＭＯＳトランジスタ
５０４のドレインと、プルダウン素子５０６の片端子に
接続され、更に、過充電信号出力端子１１２Bから信号
線１１４Bを介してスイッチ回路１０３内のＦＥＴ−Ｂ
１１１のゲートに接続される。低電圧検出回路１０７を
構成する各素子、すなわちレベルシフタ回路５０１、波
形整形インバータ５０２、PチャネルＭＯＳトランジス
タ５０３、５０４、NチャネルＭＯＳトランジスタ５０
５、プルダウン素子５０６の電源は外部端子＋ＶＯ１０
４、−ＶＯ１０５より供給される。
【００１３】次に低電圧検出回路１０７の動作を図１に
基づいて説明する。レベルシフタ回路５０１は入力信
号、すなわち充放電制御回路１０２の出力信号がハイレ
ベルのとき、出力は外部端子＋ＶＯ１０４の電圧（以下
“H”）を出力し、充放電制御回路１０２の出力がロー
レベルの時には、外部端子−ＶＯ１０５の電圧（以下
“L”）を出力する。そのレベルシフタ回路５０１の出
力を波形整形インバータ５０２でより矩型波にし、レベ
ルシフタ回路５０１の出力が“H”のとき波形整形イン
バータ５０２は“L”を出力し、レベルシフタ回路５０
１の出力が“L”のとき波形整形インバータ５０２は
“H”を出力する。PチャネルＭＯＳトランジスタ５０４
は二次電池１０１の電圧を監視し、二次電池１０１の電
圧がPチャネルＭＯＳトランジスタ５０４のしきい値電
圧よりも大きい電圧のときにはPチャネルＭＯＳトラン
ジスタ５０４はＯＮし、二次電池１０１の電圧がPチャ
ネルトランジスタ５０４のしきい値電圧よりも小さい電
圧のときにはPチャネルＭＯＳトランジスタ５０４はＯ
ＦＦする。PチャネルＭＯＳトランジスタ５０３、５０
４、NチャネルＭＯＳトランジスタ５０５で構成された
最終出力段は、PチャネルＭＯＳトランジスタ５０４が
ＯＮしている場合、波形整形インバータ５０２の出力が
“L”ならPチャネルＭＯＳトランジスタ５０３がＯＮ
し、NチャネルＭＯＳトランジスタ５０５がＯＦＦする
ので出力端子１１２Bには“H”が出力される。波形整形
インバータ５０２の出力が“H”ならPチャネルＭＯＳト
ランジスタ５０３がＯＦＦし、NチャネルＭＯＳトラン
ジスタ５０５がＯＮするので出力端子１１２Bには“L”
が出力される。つまり二次電池１０１の電圧がPチャネ
ルＭＯＳトランジスタ５０４のしきい値電圧よりも高け
れば充放電制御回路１０２の出力信号に応じて出力端子
１１２Bの電圧を“H”か“L”に出来る。
基づいて説明する。レベルシフタ回路５０１は入力信
号、すなわち充放電制御回路１０２の出力信号がハイレ
ベルのとき、出力は外部端子＋ＶＯ１０４の電圧（以下
“H”）を出力し、充放電制御回路１０２の出力がロー
レベルの時には、外部端子−ＶＯ１０５の電圧（以下
“L”）を出力する。そのレベルシフタ回路５０１の出
力を波形整形インバータ５０２でより矩型波にし、レベ
ルシフタ回路５０１の出力が“H”のとき波形整形イン
バータ５０２は“L”を出力し、レベルシフタ回路５０
１の出力が“L”のとき波形整形インバータ５０２は
“H”を出力する。PチャネルＭＯＳトランジスタ５０４
は二次電池１０１の電圧を監視し、二次電池１０１の電
圧がPチャネルＭＯＳトランジスタ５０４のしきい値電
圧よりも大きい電圧のときにはPチャネルＭＯＳトラン
ジスタ５０４はＯＮし、二次電池１０１の電圧がPチャ
ネルトランジスタ５０４のしきい値電圧よりも小さい電
圧のときにはPチャネルＭＯＳトランジスタ５０４はＯ
ＦＦする。PチャネルＭＯＳトランジスタ５０３、５０
４、NチャネルＭＯＳトランジスタ５０５で構成された
最終出力段は、PチャネルＭＯＳトランジスタ５０４が
ＯＮしている場合、波形整形インバータ５０２の出力が
“L”ならPチャネルＭＯＳトランジスタ５０３がＯＮ
し、NチャネルＭＯＳトランジスタ５０５がＯＦＦする
ので出力端子１１２Bには“H”が出力される。波形整形
インバータ５０２の出力が“H”ならPチャネルＭＯＳト
ランジスタ５０３がＯＦＦし、NチャネルＭＯＳトラン
ジスタ５０５がＯＮするので出力端子１１２Bには“L”
が出力される。つまり二次電池１０１の電圧がPチャネ
ルＭＯＳトランジスタ５０４のしきい値電圧よりも高け
れば充放電制御回路１０２の出力信号に応じて出力端子
１１２Bの電圧を“H”か“L”に出来る。
【００１４】それに対して、PチャネルＭＯＳトランジ
スタ５０４がＯＦＦの場合は、波形整形インバータ５０
２の出力が“H”ならNチャネルＭＯＳトランジスタ５０
５がＯＮしPチャネルＭＯＳトランジスタ５０３がＯＦ
Ｆするので出力端子１１２Bには“L”が出力される。波
形整形インバータ５０２の出力が“L”ならNチャネルＭ
ＯＳトランジスタ５０５がＯＦＦし、PチャネルＭＯＳ
トランジスタがＯＮするが、PチャネルＭＯＳトランジ
スタ５０４がＯＦＦしていてプルダウン素子５０６が接
続されているので、出力端子１１２Bには“L”が出力さ
れる。従って二次電池１０１の電圧がPチャネルＭＯＳ
トランジスタ５０４のしきい値電圧より低い電圧の場合
には充放電制御回路１０２の出力のレベルに関係なく強
制的に“L”を出力する。
スタ５０４がＯＦＦの場合は、波形整形インバータ５０
２の出力が“H”ならNチャネルＭＯＳトランジスタ５０
５がＯＮしPチャネルＭＯＳトランジスタ５０３がＯＦ
Ｆするので出力端子１１２Bには“L”が出力される。波
形整形インバータ５０２の出力が“L”ならNチャネルＭ
ＯＳトランジスタ５０５がＯＦＦし、PチャネルＭＯＳ
トランジスタがＯＮするが、PチャネルＭＯＳトランジ
スタ５０４がＯＦＦしていてプルダウン素子５０６が接
続されているので、出力端子１１２Bには“L”が出力さ
れる。従って二次電池１０１の電圧がPチャネルＭＯＳ
トランジスタ５０４のしきい値電圧より低い電圧の場合
には充放電制御回路１０２の出力のレベルに関係なく強
制的に“L”を出力する。
【００１５】次に全体の回路動作について説明する。P
チャネルＭＯＳトランジスタ５０４のしきい値電圧を過
放電電圧よりも低く、かつ二次電池１０１が充電されて
はいけない電圧の上限に設定しておく。充放電制御回路
１０２は二次電池１０１の電圧を監視しており、二次電
池１０１の電池電圧が過充電状態時はＦＥＴ−Ａ１１０
をＯＮする様、Ｈｉｇｈの信号を出力し、低電圧検出回
路１０７にＬｏｗの信号を出力する。二次電池１０１が
過充電状態であるので当然その電池電圧はPチャネルＭ
ＯＳトランジスタ５０４のしきい値電圧よりも高い電圧
である。したがってPチャネルＭＯＳトランジスタ５０
４はＯＮしており、低電圧検出回路１０７は充放電制御
回路１０２からの過充電信号をスイッチ回路１０３内の
ＦＥＴ−Ｂ１１１のゲートに“L”を出力する。ＦＥＴ
−Ｂ１１１のゲート、ソース間の電圧が０Vになるので
ＦＥＴ−Ｂ１１１はＯＦＦする。従って充電器１０８か
らの充電電流が遮断され二次電池１０１への充電がＳＴ
ＯＰする。
チャネルＭＯＳトランジスタ５０４のしきい値電圧を過
放電電圧よりも低く、かつ二次電池１０１が充電されて
はいけない電圧の上限に設定しておく。充放電制御回路
１０２は二次電池１０１の電圧を監視しており、二次電
池１０１の電池電圧が過充電状態時はＦＥＴ−Ａ１１０
をＯＮする様、Ｈｉｇｈの信号を出力し、低電圧検出回
路１０７にＬｏｗの信号を出力する。二次電池１０１が
過充電状態であるので当然その電池電圧はPチャネルＭ
ＯＳトランジスタ５０４のしきい値電圧よりも高い電圧
である。したがってPチャネルＭＯＳトランジスタ５０
４はＯＮしており、低電圧検出回路１０７は充放電制御
回路１０２からの過充電信号をスイッチ回路１０３内の
ＦＥＴ−Ｂ１１１のゲートに“L”を出力する。ＦＥＴ
−Ｂ１１１のゲート、ソース間の電圧が０Vになるので
ＦＥＴ−Ｂ１１１はＯＦＦする。従って充電器１０８か
らの充電電流が遮断され二次電池１０１への充電がＳＴ
ＯＰする。
【００１６】二次電池１０１の電圧が過放電状態の場合
には充放電制御回路１０２はＦＥＴ−Ａ１１０をＯＦＦ
するように出力端子１１２ＡにＬｏｗを出力し、更に低
電圧検出回路１０７にＨｉｇｈを出力する。二次電池１
０１の電圧は過放電状態になったばかりでPチャネルＭ
ＯＳトランジスタ５０４のしきい値電圧よりも高いので
PチャネルＭＯＳトランジスタ５０４はＯＮしている。
従って、充放電制御回路１０２の信号により低電圧検出
回路１０７は出力端子１１２Bに“H”を出力し、ＦＥＴ
−Ｂ１１１をＯNにする。この動作により負荷１０９へ
の放電電流が遮断され二次電池１０１の放電がＳＴＯＰ
する。この状態で負荷１０９をはずし、充電器１０８を
接続すればＦＥＴ−B１１１がＯＮしていてＦＥＴ−Ａ
１１０の寄生ダイオードは順方向になり充電器１０８か
ら二次電池１０１への充電電流の経路がつながり充電が
開始される。つまり従来の保護回路の動作は保証されて
いる。この過放電状態の二次電池１０１の電圧が自己放
電等でPチャネルＭＯＳトランジスタのしきい値電圧を
下回ったときには充放電制御回路１０２は過放電の信
号、すなわち出力端子１１２ＡにＬｏｗを、低電圧検出
回路１０７にＨｉｇｈを出力するが低電圧検出回路１０
７は充放電制御回路１０２の出力に関係なく“L”を出
力端子１１２Bに出力するのでスイッチ回路１０３内の
ＦＥＴ−Ｂ１１１のゲート、ソース間の電圧が０Vにな
り、ＦＥＴ−Ｂ１１１はＯＦＦする。この状態で充電器
１０８が＋ＶＯ１０４、−Ｖｏ１０５に接続されてもＦ
ＥＴ−Ａ１１０の寄生ダイオードは順方向であるがＦＥ
Ｔ−Ｂ１１１はＯＦＦしていてかつ寄生ダイオードは逆
方向なので二次電池１０１への充電電流は遮断されてお
り、二次電池１０１は充電されない。
には充放電制御回路１０２はＦＥＴ−Ａ１１０をＯＦＦ
するように出力端子１１２ＡにＬｏｗを出力し、更に低
電圧検出回路１０７にＨｉｇｈを出力する。二次電池１
０１の電圧は過放電状態になったばかりでPチャネルＭ
ＯＳトランジスタ５０４のしきい値電圧よりも高いので
PチャネルＭＯＳトランジスタ５０４はＯＮしている。
従って、充放電制御回路１０２の信号により低電圧検出
回路１０７は出力端子１１２Bに“H”を出力し、ＦＥＴ
−Ｂ１１１をＯNにする。この動作により負荷１０９へ
の放電電流が遮断され二次電池１０１の放電がＳＴＯＰ
する。この状態で負荷１０９をはずし、充電器１０８を
接続すればＦＥＴ−B１１１がＯＮしていてＦＥＴ−Ａ
１１０の寄生ダイオードは順方向になり充電器１０８か
ら二次電池１０１への充電電流の経路がつながり充電が
開始される。つまり従来の保護回路の動作は保証されて
いる。この過放電状態の二次電池１０１の電圧が自己放
電等でPチャネルＭＯＳトランジスタのしきい値電圧を
下回ったときには充放電制御回路１０２は過放電の信
号、すなわち出力端子１１２ＡにＬｏｗを、低電圧検出
回路１０７にＨｉｇｈを出力するが低電圧検出回路１０
７は充放電制御回路１０２の出力に関係なく“L”を出
力端子１１２Bに出力するのでスイッチ回路１０３内の
ＦＥＴ−Ｂ１１１のゲート、ソース間の電圧が０Vにな
り、ＦＥＴ−Ｂ１１１はＯＦＦする。この状態で充電器
１０８が＋ＶＯ１０４、−Ｖｏ１０５に接続されてもＦ
ＥＴ−Ａ１１０の寄生ダイオードは順方向であるがＦＥ
Ｔ−Ｂ１１１はＯＦＦしていてかつ寄生ダイオードは逆
方向なので二次電池１０１への充電電流は遮断されてお
り、二次電池１０１は充電されない。
【００１７】したがって二次電池１０１が過放電電圧を
下回り、かつ、PチャネルＭＯＳトランジスタのしきい
値電圧以下の異常な状態では充電の禁止が可能になる。
以上の動作は低電圧回路１０７が図１、及び図１の低電
圧検出回路１０７を取り出した図５の場合であるが、低
電圧検出回路が図６の構成である場合でも同一の動作を
する。すなわち直列に接続された図１のPチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ５０３、５０４の配置を逆に接続し図６
のPチャネルＭＯＳトランジスタ６０３、６０４の様に
接続してもこの動作は実現できる。
下回り、かつ、PチャネルＭＯＳトランジスタのしきい
値電圧以下の異常な状態では充電の禁止が可能になる。
以上の動作は低電圧回路１０７が図１、及び図１の低電
圧検出回路１０７を取り出した図５の場合であるが、低
電圧検出回路が図６の構成である場合でも同一の動作を
する。すなわち直列に接続された図１のPチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ５０３、５０４の配置を逆に接続し図６
のPチャネルＭＯＳトランジスタ６０３、６０４の様に
接続してもこの動作は実現できる。
【００１８】またPチャネルＭＯＳトランジスタのしき
い値は不純物の濃度をかえることによって調整が可能で
あるため、充電禁止電圧の設定は容易に行える。またプ
ルダウン素子５０６はＦＥＴ−Ｂ１１１のゲート、ソー
ス間の電圧を固定するための素子であるため、低電圧検
出回路１０７内でなく、−Ｖｏ１０５と出力端子１１２
Ｂの間に挿入されていても同様の動作が可能である。
い値は不純物の濃度をかえることによって調整が可能で
あるため、充電禁止電圧の設定は容易に行える。またプ
ルダウン素子５０６はＦＥＴ−Ｂ１１１のゲート、ソー
ス間の電圧を固定するための素子であるため、低電圧検
出回路１０７内でなく、−Ｖｏ１０５と出力端子１１２
Ｂの間に挿入されていても同様の動作が可能である。
【００１９】本発明の他の実施例を図７に基づいて説明
する。図１との相違点はスイッチ回路がＮｃｈ−ＦＥＴ
ではなく、Ｐｃｈ−ＦＥＴで構成されていることであ
る。外部端子＋Ｖｏ７０４と−Ｖｏ７０５にスイッチ回
路７０３を介して二次電池７０１が接続されている。ス
イッチ回路７０３は２個のＰ−ｃｈ ＦＥＴで構成され
ている。二次電池７０１の電圧は充放電制御回路７０２
と低電圧検出回路７０７により監視されている。充放電
制御回路７０２は信号線７１４ＡでＦＥＴ−Ａ７１０に
接続され、ＦＥＴ−Ａ７１０のＯＮ／ＯＦＦを制御し、
さらに信号線７１４Ｂで低電圧検出回路７０７を介して
ＦＥＴ−Ｂ７１１に接続されＦＥＴ−Ｂ７１１のＯＮ／
ＯＦＦを制御する。また低電圧検出回路７０７は充電器
と並列に＋Ｖｏ７０４、−Ｖｏ７０５間に過電流検出端
子７１３を介して接続され、その電圧を電源として動作
する。
する。図１との相違点はスイッチ回路がＮｃｈ−ＦＥＴ
ではなく、Ｐｃｈ−ＦＥＴで構成されていることであ
る。外部端子＋Ｖｏ７０４と−Ｖｏ７０５にスイッチ回
路７０３を介して二次電池７０１が接続されている。ス
イッチ回路７０３は２個のＰ−ｃｈ ＦＥＴで構成され
ている。二次電池７０１の電圧は充放電制御回路７０２
と低電圧検出回路７０７により監視されている。充放電
制御回路７０２は信号線７１４ＡでＦＥＴ−Ａ７１０に
接続され、ＦＥＴ−Ａ７１０のＯＮ／ＯＦＦを制御し、
さらに信号線７１４Ｂで低電圧検出回路７０７を介して
ＦＥＴ−Ｂ７１１に接続されＦＥＴ−Ｂ７１１のＯＮ／
ＯＦＦを制御する。また低電圧検出回路７０７は充電器
と並列に＋Ｖｏ７０４、−Ｖｏ７０５間に過電流検出端
子７１３を介して接続され、その電圧を電源として動作
する。
【００２０】二次電池７０１への充電を行うための充電
器７０８や二次電池で駆動出来る機器（二次電池から見
て負荷）は外部端子＋Ｖｏ７０４と−Ｖｏ７０５の間に
接続される。外部端子−Ｖｏ７０５または、＋Ｖｏ７０
４にＦＥＴ−Ａ７１０とＦＥＴ−Ｂ７１１が直列に接続
される。本実施例では、外部端子＋Ｖｏ７０４にＦＥＴ
−Ａ７１０とＦＥＴ−Ｂ７１１が直列に接続されてい
る。
器７０８や二次電池で駆動出来る機器（二次電池から見
て負荷）は外部端子＋Ｖｏ７０４と−Ｖｏ７０５の間に
接続される。外部端子−Ｖｏ７０５または、＋Ｖｏ７０
４にＦＥＴ−Ａ７１０とＦＥＴ−Ｂ７１１が直列に接続
される。本実施例では、外部端子＋Ｖｏ７０４にＦＥＴ
−Ａ７１０とＦＥＴ−Ｂ７１１が直列に接続されてい
る。
【００２１】そして、低電圧検出回路７０７の構成を図
７に基づいて説明する。充放電制御回路７０２からの信
号はレベルシフタ回路５０１に入力される。そのレベル
シフタ回路５０１の出力は波形整形インバータ５０２に
入力される。そのインバータ５０２の出力はPチャネル
ＭＯＳトランジスタ５０３のゲートとNチャネルＭＯＳ
トランジスタ５０５のゲートに接続される。Pチャネル
ＭＯＳトランジスタ５０３のソースは外部端子＋Ｖｏ７
０４に接続され、ドレインはＮチャネルＭＯＳトランジ
スタ５１２のドレインとプルアップ素子５１３の片端子
に接続され、さらに、充電信号出力端子７１２Ｂから信
号線７１４Ｂを介してスイッチ回路７０３内のＦＥＴ−
Ｂ７１１のゲートに接続される。ＮチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ５１２のソースはＮチャネルＭＯＳトランジス
タ５０５のドレインに接続され、ゲートは二次電池７０
１の正電源端子に接続され、ドレインはＰチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ５０３のドレインと、プルアップ素子５
１３の片端子に接続され、更に、過充電信号出力端子７
１２Bから信号線７１４Bを介してスイッチ回路７０３内
のＦＥＴ−Ｂ７１１のゲートに接続される。Nチャネル
ＭＯＳトランジスタ５０５のソースは外部端子−Ｖｏ７
０５に接続され、ゲートは波形整形インバータ５０２の
出力と接続され、ドレインはＮチャネルＭＯＳトランジ
スタ５１２のソースに接続される。低電圧検出回路７０
７を構成する各素子、すなわちレベルシフタ回路５０
１、波形整形インバータ５０２、PチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ５０３、NチャネルＭＯＳトランジスタ５０
５、５１２、プルアップ素子５１３の電源は外部端子＋
ＶＯ７０４、−ＶＯ７０５より供給される。
７に基づいて説明する。充放電制御回路７０２からの信
号はレベルシフタ回路５０１に入力される。そのレベル
シフタ回路５０１の出力は波形整形インバータ５０２に
入力される。そのインバータ５０２の出力はPチャネル
ＭＯＳトランジスタ５０３のゲートとNチャネルＭＯＳ
トランジスタ５０５のゲートに接続される。Pチャネル
ＭＯＳトランジスタ５０３のソースは外部端子＋Ｖｏ７
０４に接続され、ドレインはＮチャネルＭＯＳトランジ
スタ５１２のドレインとプルアップ素子５１３の片端子
に接続され、さらに、充電信号出力端子７１２Ｂから信
号線７１４Ｂを介してスイッチ回路７０３内のＦＥＴ−
Ｂ７１１のゲートに接続される。ＮチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ５１２のソースはＮチャネルＭＯＳトランジス
タ５０５のドレインに接続され、ゲートは二次電池７０
１の正電源端子に接続され、ドレインはＰチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ５０３のドレインと、プルアップ素子５
１３の片端子に接続され、更に、過充電信号出力端子７
１２Bから信号線７１４Bを介してスイッチ回路７０３内
のＦＥＴ−Ｂ７１１のゲートに接続される。Nチャネル
ＭＯＳトランジスタ５０５のソースは外部端子−Ｖｏ７
０５に接続され、ゲートは波形整形インバータ５０２の
出力と接続され、ドレインはＮチャネルＭＯＳトランジ
スタ５１２のソースに接続される。低電圧検出回路７０
７を構成する各素子、すなわちレベルシフタ回路５０
１、波形整形インバータ５０２、PチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ５０３、NチャネルＭＯＳトランジスタ５０
５、５１２、プルアップ素子５１３の電源は外部端子＋
ＶＯ７０４、−ＶＯ７０５より供給される。
【００２２】次に低電圧検出回路７０７の動作を図７に
基づいて説明する。レベルシフタ回路５０１は入力信
号、すなわち充放電制御回路７０２の出力信号がハイレ
ベルのとき、出力は外部端子＋ＶＯ７０４の電圧（以下
“H”）を出力し、充放電制御回路７０２の出力がロー
レベルの時には、外部端子−ＶＯ７０５の電圧（以下
“L”）を出力する。そのレベルシフタ回路５０１の出
力を波形整形インバータ５０２でより矩型波にし、レベ
ルシフタ回路５０１の出力が“H”のとき波形整形イン
バータ５０２は“L”を出力し、レベルシフタ回路５０
１の出力が“L”のとき波形整形インバータ５０２は
“H”を出力する。ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５１
２は二次電池７０１の電圧を監視し、二次電池７０１の
電圧がＮチャネルＭＯＳトランジスタ５１２のしきい値
電圧よりも大きい電圧のときにはＮチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ５１２はＯＮし、二次電池７０１の電圧がＮチ
ャネルトランジスタ５１２のしきい値電圧よりも小さい
電圧のときにはＮチャネルＭＯＳトランジスタ５１２は
ＯＦＦする。ＰチャネルＭＯＳトランジスタ５０３、N
チャネルＭＯＳトランジスタ５０５、５１２で構成され
た最終出力段は、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５１２
がＯＮしている場合、波形整形インバータ５０２の出力
が“L”ならPチャネルＭＯＳトランジスタ５０３がＯＮ
し、NチャネルＭＯＳトランジスタ５０５がＯＦＦする
ので出力端子７１２Bには“H”が出力される。波形整形
インバータ５０２の出力が“H”ならPチャネルＭＯＳト
ランジスタ５０３がＯＦＦし、NチャネルＭＯＳトラン
ジスタ５０５がＯＮするので出力端子７１２Bには“L”
が出力される。つまり二次電池７０１の電圧がＮチャネ
ルＭＯＳトランジスタ５１２のしきい値電圧よりも高け
れば充放電制御回路７０２の出力信号に応じて出力端子
７１２Bの電圧を“H”か“L”に出来る。それに対し
て、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５１２がＯＦＦの場
合は、波形整形インバータ５０２の出力が“Ｌ”ならN
チャネルＭＯＳトランジスタ５０５がＯＦＦしPチャネ
ルＭＯＳトランジスタ５０３がＯＮするので出力端子７
１２Bには“Ｈ”が出力される。波形整形インバータ５
０２の出力が“Ｈ”ならNチャネルＭＯＳトランジスタ
５０５がＯＮし、PチャネルＭＯＳトランジスタ５０３
がＯＦＦするが、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５１２
がＯＦＦしていてプルアップ素子５１３が接続されてい
るので、出力端子７１２Bには“Ｈ”が出力される。従
って二次電池７０１の電圧がＮチャネルＭＯＳトランジ
スタ５１２のしきい値電圧より低い電圧の場合には充放
電制御回路７０２の出力のレベルに関係なく強制的に
“Ｈ”を出力する。
基づいて説明する。レベルシフタ回路５０１は入力信
号、すなわち充放電制御回路７０２の出力信号がハイレ
ベルのとき、出力は外部端子＋ＶＯ７０４の電圧（以下
“H”）を出力し、充放電制御回路７０２の出力がロー
レベルの時には、外部端子−ＶＯ７０５の電圧（以下
“L”）を出力する。そのレベルシフタ回路５０１の出
力を波形整形インバータ５０２でより矩型波にし、レベ
ルシフタ回路５０１の出力が“H”のとき波形整形イン
バータ５０２は“L”を出力し、レベルシフタ回路５０
１の出力が“L”のとき波形整形インバータ５０２は
“H”を出力する。ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５１
２は二次電池７０１の電圧を監視し、二次電池７０１の
電圧がＮチャネルＭＯＳトランジスタ５１２のしきい値
電圧よりも大きい電圧のときにはＮチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ５１２はＯＮし、二次電池７０１の電圧がＮチ
ャネルトランジスタ５１２のしきい値電圧よりも小さい
電圧のときにはＮチャネルＭＯＳトランジスタ５１２は
ＯＦＦする。ＰチャネルＭＯＳトランジスタ５０３、N
チャネルＭＯＳトランジスタ５０５、５１２で構成され
た最終出力段は、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５１２
がＯＮしている場合、波形整形インバータ５０２の出力
が“L”ならPチャネルＭＯＳトランジスタ５０３がＯＮ
し、NチャネルＭＯＳトランジスタ５０５がＯＦＦする
ので出力端子７１２Bには“H”が出力される。波形整形
インバータ５０２の出力が“H”ならPチャネルＭＯＳト
ランジスタ５０３がＯＦＦし、NチャネルＭＯＳトラン
ジスタ５０５がＯＮするので出力端子７１２Bには“L”
が出力される。つまり二次電池７０１の電圧がＮチャネ
ルＭＯＳトランジスタ５１２のしきい値電圧よりも高け
れば充放電制御回路７０２の出力信号に応じて出力端子
７１２Bの電圧を“H”か“L”に出来る。それに対し
て、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５１２がＯＦＦの場
合は、波形整形インバータ５０２の出力が“Ｌ”ならN
チャネルＭＯＳトランジスタ５０５がＯＦＦしPチャネ
ルＭＯＳトランジスタ５０３がＯＮするので出力端子７
１２Bには“Ｈ”が出力される。波形整形インバータ５
０２の出力が“Ｈ”ならNチャネルＭＯＳトランジスタ
５０５がＯＮし、PチャネルＭＯＳトランジスタ５０３
がＯＦＦするが、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５１２
がＯＦＦしていてプルアップ素子５１３が接続されてい
るので、出力端子７１２Bには“Ｈ”が出力される。従
って二次電池７０１の電圧がＮチャネルＭＯＳトランジ
スタ５１２のしきい値電圧より低い電圧の場合には充放
電制御回路７０２の出力のレベルに関係なく強制的に
“Ｈ”を出力する。
【００２３】次に図７の全体の回路動作について説明す
る。ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５１２のしきい値電
圧を過放電電圧よりも低く、かつ二次電池７０１が充電
されてはいけない電圧の上限に設定しておく。充放電制
御回路７０２は二次電池７０１の電圧を監視しており、
二次電池７０１の電池電圧が過充電状態時はＦＥＴ−Ａ
７１０をＯＮする様、Ｌｏｗの信号を出力し、低電圧検
出回路７０７にＨｉｇｈの信号を出力する。二次電池７
０１が過充電状態であるので当然その電池電圧はＮチャ
ネルＭＯＳトランジスタ５１２のしきい値電圧よりも高
い電圧である。したがってＮチャネルＭＯＳトランジス
タ５１２はＯＮしており、低電圧検出回路７０７は充放
電制御回路７０２からの過充電信号をスイッチ回路７０
３内のＦＥＴ−Ｂ７１１のゲートに“Ｈ”を出力する。
ＦＥＴ−Ｂ７１１のゲート、ソース間の電圧が０Vにな
るのでＦＥＴ−Ｂ７１１はＯＦＦする。従って充電器７
０８からの充電電流が遮断され二次電池７０１への充電
がＳＴＯＰする。
る。ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５１２のしきい値電
圧を過放電電圧よりも低く、かつ二次電池７０１が充電
されてはいけない電圧の上限に設定しておく。充放電制
御回路７０２は二次電池７０１の電圧を監視しており、
二次電池７０１の電池電圧が過充電状態時はＦＥＴ−Ａ
７１０をＯＮする様、Ｌｏｗの信号を出力し、低電圧検
出回路７０７にＨｉｇｈの信号を出力する。二次電池７
０１が過充電状態であるので当然その電池電圧はＮチャ
ネルＭＯＳトランジスタ５１２のしきい値電圧よりも高
い電圧である。したがってＮチャネルＭＯＳトランジス
タ５１２はＯＮしており、低電圧検出回路７０７は充放
電制御回路７０２からの過充電信号をスイッチ回路７０
３内のＦＥＴ−Ｂ７１１のゲートに“Ｈ”を出力する。
ＦＥＴ−Ｂ７１１のゲート、ソース間の電圧が０Vにな
るのでＦＥＴ−Ｂ７１１はＯＦＦする。従って充電器７
０８からの充電電流が遮断され二次電池７０１への充電
がＳＴＯＰする。
【００２４】二次電池７０１の電圧が過放電状態の場合
には充放電制御回路７０２はＦＥＴ−Ａ７１０をＯＦＦ
するように出力端子７１２ＡにＨｉｇｈを出力し、更に
低電圧検出回路７０７にＬｏｗを出力する。二次電池７
０１の電圧は過放電状態になったばかりでＮチャネルＭ
ＯＳトランジスタ５１２のしきい値電圧よりも高いので
ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５１２はＯＮしている。
従って、充放電制御回路７０２の信号により低電圧検出
回路７０７は出力端子１１２Bに“Ｌ”を出力し、ＦＥ
Ｔ−Ｂ７１１をＯNにする。この動作により負荷７０９
への放電電流が遮断され二次電池７０１の放電がＳＴＯ
Ｐする。この状態で負荷７０９をはずし、充電器７０８
を接続すればＦＥＴ−B７１１がＯＮしていてＦＥＴ−
Ａ７１０の寄生ダイオードは順方向になり充電器７０８
から二次電池７０１への充電電流の経路がつながり充電
が開始される。つまり従来の保護回路の動作は保証され
ている。この過放電状態の二次電池７０１の電圧が自己
放電等でＮチャネルＭＯＳトランジスタのしきい値電圧
を下回ったときには充放電制御回路７０２は過放電の信
号、すなわち出力端子７１２ＡにＨｉｇｈを、低電圧検
出回路１０７にＬｏｗを出力するが低電圧検出回路７０
７は充放電制御回路７０２の出力に関係なく“Ｈ”を出
力端子７１２Bに出力するのでスイッチ回路７０３内の
ＦＥＴ−Ｂ７１１のゲート、ソース間の電圧が０Vにな
り、ＦＥＴ−Ｂ７１１はＯＦＦする。この状態で充電器
７０８が＋ＶＯ７０４、−Ｖｏ７０５に接続されてもＦ
ＥＴ−Ａ７１０の寄生ダイオードは順方向であるがＦＥ
Ｔ−Ｂ７１１はＯＦＦしていてかつ寄生ダイオードは逆
方向なので二次電池７０１への充電電流は遮断されてお
り、二次電池７０１は充電されない。
には充放電制御回路７０２はＦＥＴ−Ａ７１０をＯＦＦ
するように出力端子７１２ＡにＨｉｇｈを出力し、更に
低電圧検出回路７０７にＬｏｗを出力する。二次電池７
０１の電圧は過放電状態になったばかりでＮチャネルＭ
ＯＳトランジスタ５１２のしきい値電圧よりも高いので
ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５１２はＯＮしている。
従って、充放電制御回路７０２の信号により低電圧検出
回路７０７は出力端子１１２Bに“Ｌ”を出力し、ＦＥ
Ｔ−Ｂ７１１をＯNにする。この動作により負荷７０９
への放電電流が遮断され二次電池７０１の放電がＳＴＯ
Ｐする。この状態で負荷７０９をはずし、充電器７０８
を接続すればＦＥＴ−B７１１がＯＮしていてＦＥＴ−
Ａ７１０の寄生ダイオードは順方向になり充電器７０８
から二次電池７０１への充電電流の経路がつながり充電
が開始される。つまり従来の保護回路の動作は保証され
ている。この過放電状態の二次電池７０１の電圧が自己
放電等でＮチャネルＭＯＳトランジスタのしきい値電圧
を下回ったときには充放電制御回路７０２は過放電の信
号、すなわち出力端子７１２ＡにＨｉｇｈを、低電圧検
出回路１０７にＬｏｗを出力するが低電圧検出回路７０
７は充放電制御回路７０２の出力に関係なく“Ｈ”を出
力端子７１２Bに出力するのでスイッチ回路７０３内の
ＦＥＴ−Ｂ７１１のゲート、ソース間の電圧が０Vにな
り、ＦＥＴ−Ｂ７１１はＯＦＦする。この状態で充電器
７０８が＋ＶＯ７０４、−Ｖｏ７０５に接続されてもＦ
ＥＴ−Ａ７１０の寄生ダイオードは順方向であるがＦＥ
Ｔ−Ｂ７１１はＯＦＦしていてかつ寄生ダイオードは逆
方向なので二次電池７０１への充電電流は遮断されてお
り、二次電池７０１は充電されない。
【００２５】したがって二次電池７０１が過放電電圧を
下回り、かつ、ＮチャネルＭＯＳトランジスタのしきい
値電圧以下の異常な状態では充電の禁止が可能になる。
以上の動作は低電圧回路７０７が図７、及び図７の低電
圧検出回路７０７を取り出した図８の場合であるが、低
電圧検出回路が図９の場合でも同一の動作をする。すな
わち直列に接続された図７のＮチャネルＭＯＳトランジ
スタ５１２、５０５の配置を逆に接続し図９のＮチャネ
ルＭＯＳトランジスタ６１２、６０５の様に接続しても
この動作は実現できる。
下回り、かつ、ＮチャネルＭＯＳトランジスタのしきい
値電圧以下の異常な状態では充電の禁止が可能になる。
以上の動作は低電圧回路７０７が図７、及び図７の低電
圧検出回路７０７を取り出した図８の場合であるが、低
電圧検出回路が図９の場合でも同一の動作をする。すな
わち直列に接続された図７のＮチャネルＭＯＳトランジ
スタ５１２、５０５の配置を逆に接続し図９のＮチャネ
ルＭＯＳトランジスタ６１２、６０５の様に接続しても
この動作は実現できる。
【００２６】またＮチャネルＭＯＳトランジスタのしき
い値は不純物の濃度をかえることによって調整が可能で
あるため、充電禁止電圧の設定は容易に行える。またプ
ルアップ素子５１３はＦＥＴ−Ｂ７１１のゲート、ソー
ス間の電圧を固定するための素子であるため、低電圧検
出回路７０７内でなく、＋Ｖｏ７０４と出力端子７１２
Ｂの間に挿入されていても同様の動作が可能である。上
記説明はすべて二次電池が一つの場合の説明であるが、
図１１で示した様に直列に二つ以上の二次電池が接続さ
れ、その合計の電池電圧をＭＯＳトランジスタのしきい
値で監視し、二次電池の合計の電圧がＭＯＳトランジス
タのしきい値電圧以下の時にも同様の回路で同様の動作
が可能である。
い値は不純物の濃度をかえることによって調整が可能で
あるため、充電禁止電圧の設定は容易に行える。またプ
ルアップ素子５１３はＦＥＴ−Ｂ７１１のゲート、ソー
ス間の電圧を固定するための素子であるため、低電圧検
出回路７０７内でなく、＋Ｖｏ７０４と出力端子７１２
Ｂの間に挿入されていても同様の動作が可能である。上
記説明はすべて二次電池が一つの場合の説明であるが、
図１１で示した様に直列に二つ以上の二次電池が接続さ
れ、その合計の電池電圧をＭＯＳトランジスタのしきい
値で監視し、二次電池の合計の電圧がＭＯＳトランジス
タのしきい値電圧以下の時にも同様の回路で同様の動作
が可能である。
【００２７】また二次電池が直列に接続されており、か
つ、それぞれの電池電圧をＭＯＳトランジスタのしきい
値電圧を利用して監視することも可能である。その回路
の説明を図１０に基づいて以下に説明する。Ｐチャネル
ＭＯＳトランジスタ１１６とＮチャネルＭＯＳトランジ
スタ１１８のしきい値電圧は過放電電圧よりも低く、か
つ二次電池１０１、１１５が充電されてはいけない電圧
の上限に設定しておく。ＰチャネルＭＯＳトランジスタ
１１６のソースは二次電池１０１の正電源端子に接続さ
れ、ドレインはプルダウン素子１１７の片端子に接続さ
れ、更に論理和発生回路１２０に入力され、ゲートは二
次電池１０１の負電源端子に接続される。プルダウン素
子１１７のもう一方の端子は二次電池１１５の負電源端
子に接続される。ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１１８
のソースは二次電池１１５の負電源端子に接続され、ド
レインはプルアップ素子１１９の片端子に接続され、さ
らに論理和発生回路１２０に入力され、ゲートは二次電
池１１５の正電源端子に接続される。論理和発生回路１
２０の出力はＰチャネルＭＯＳトランジスタ５０４のゲ
ートに接続される。他の回路の接続は上記図１の説明で
示された接続と同じである。
つ、それぞれの電池電圧をＭＯＳトランジスタのしきい
値電圧を利用して監視することも可能である。その回路
の説明を図１０に基づいて以下に説明する。Ｐチャネル
ＭＯＳトランジスタ１１６とＮチャネルＭＯＳトランジ
スタ１１８のしきい値電圧は過放電電圧よりも低く、か
つ二次電池１０１、１１５が充電されてはいけない電圧
の上限に設定しておく。ＰチャネルＭＯＳトランジスタ
１１６のソースは二次電池１０１の正電源端子に接続さ
れ、ドレインはプルダウン素子１１７の片端子に接続さ
れ、更に論理和発生回路１２０に入力され、ゲートは二
次電池１０１の負電源端子に接続される。プルダウン素
子１１７のもう一方の端子は二次電池１１５の負電源端
子に接続される。ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１１８
のソースは二次電池１１５の負電源端子に接続され、ド
レインはプルアップ素子１１９の片端子に接続され、さ
らに論理和発生回路１２０に入力され、ゲートは二次電
池１１５の正電源端子に接続される。論理和発生回路１
２０の出力はＰチャネルＭＯＳトランジスタ５０４のゲ
ートに接続される。他の回路の接続は上記図１の説明で
示された接続と同じである。
【００２８】ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１６とプ
ルダウン素子１１７で構成された回路は二次電池１０１
の電圧を監視し、二次電池１０１の電池電圧がＰチャネ
ルＭＯＳトランジスタ１１６のしきい値電圧以下の時、
ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１６はＯＦＦし、プル
ダウン素子１１７によってＬｏｗが論理和発生回路１２
０に入力される。二次電池１０１の電池電圧がＰチャネ
ルＭＯＳトランジスタ１１６のしきい値電圧以上である
ときは、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１６がＯＮし
て論理和発生回路１２０にＨｉｇｈが入力される。ま
た、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１１８とプルアップ
素子１１９で構成された回路は二次電池１１５の電池電
圧を監視し、二次電池１１５の電池電圧がＮチャネルＭ
ＯＳトランジスタ１１８のしきい値電圧以下の時、Ｎチ
ャネルＭＯＳトランジスタ１１８はＯＦＦし、プルアッ
プ素子１１９によってＨｉｇｈが論理和発生回路１２０
に入力される。二次電池１１５の電池電圧がＮチャネル
ＭＯＳトランジスタ１１８のしきい値電圧以上であると
きは、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１１８がＯＮして
論理和発生回路１２０にＬｏｗが入力される。論理和発
生回路１２０はＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１６と
プルダウン素子１１７で構成された回路の出力がＬｏ
ｗ、あるいはＮチャネルＭＯＳトランジスタ１１８とプ
ルアップ素子１１９で構成された回路の出力がＨｉｇｈ
のいずれかの場合、出力に“Ｈ”を出力する。論理和発
生回路１２０の出力が“Ｈ”の場合に限り、Ｐチャネル
ＭＯＳトランジスタ５０４がＯＦＦする。低電圧検出回
路の動作は図１での説明と同様である。
ルダウン素子１１７で構成された回路は二次電池１０１
の電圧を監視し、二次電池１０１の電池電圧がＰチャネ
ルＭＯＳトランジスタ１１６のしきい値電圧以下の時、
ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１６はＯＦＦし、プル
ダウン素子１１７によってＬｏｗが論理和発生回路１２
０に入力される。二次電池１０１の電池電圧がＰチャネ
ルＭＯＳトランジスタ１１６のしきい値電圧以上である
ときは、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１６がＯＮし
て論理和発生回路１２０にＨｉｇｈが入力される。ま
た、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１１８とプルアップ
素子１１９で構成された回路は二次電池１１５の電池電
圧を監視し、二次電池１１５の電池電圧がＮチャネルＭ
ＯＳトランジスタ１１８のしきい値電圧以下の時、Ｎチ
ャネルＭＯＳトランジスタ１１８はＯＦＦし、プルアッ
プ素子１１９によってＨｉｇｈが論理和発生回路１２０
に入力される。二次電池１１５の電池電圧がＮチャネル
ＭＯＳトランジスタ１１８のしきい値電圧以上であると
きは、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１１８がＯＮして
論理和発生回路１２０にＬｏｗが入力される。論理和発
生回路１２０はＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１６と
プルダウン素子１１７で構成された回路の出力がＬｏ
ｗ、あるいはＮチャネルＭＯＳトランジスタ１１８とプ
ルアップ素子１１９で構成された回路の出力がＨｉｇｈ
のいずれかの場合、出力に“Ｈ”を出力する。論理和発
生回路１２０の出力が“Ｈ”の場合に限り、Ｐチャネル
ＭＯＳトランジスタ５０４がＯＦＦする。低電圧検出回
路の動作は図１での説明と同様である。
【００２９】従って、二次電池１０１、１１５の電池電
圧のどちらか一方がＭＯＳトランジスタ１１６、１１８
のしきい値電圧以下の場合、低電圧検出回路１０７は出
力端子１１２Ｂに“Ｌ”を出力し、スイッチ回路１０３
内のＦＥＴ−Ｂ１１１をＯＦＦさせ、充電器１０８から
二次電池１０１、１１５への充電電流を遮断し、充電を
禁止出来る。
圧のどちらか一方がＭＯＳトランジスタ１１６、１１８
のしきい値電圧以下の場合、低電圧検出回路１０７は出
力端子１１２Ｂに“Ｌ”を出力し、スイッチ回路１０３
内のＦＥＴ−Ｂ１１１をＯＦＦさせ、充電器１０８から
二次電池１０１、１１５への充電電流を遮断し、充電を
禁止出来る。
【００３０】また、上記図１０に基づいた説明はスイッ
チ回路１０３がＮｃｈ−ＦＥＴ２個で構成されたもので
あるが、二次電池の直列接続の個数を増やし、それぞれ
の電池電圧を監視するために図１の実施例から増やした
回路はＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１６、Ｎチャネ
ルＭＯＳトランジスタ１１８、プルダウン素子１１７、
プルアップ素子１１９、論理和発生回路１２０だけであ
り、低電圧検出回路１０７の電源、入力、出力の関係は
図１の説明からは変わっていない。従って、スイッチ回
路１０３がＰｃｈ−ＦＥＴ２個で構成された場合は上記
５素子（ ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１６、Ｎチ
ャネルＭＯＳトランジスタ１１８、プルダウン素子１１
７、プルアップ素子１１９、論理和発生回路１２０）を
図７に付属し図７のＮチャネルトランジスタ５１２のゲ
ートを論理和発生回路の出力にすれば同様の動作が可能
になる。さらに図１０の説明は二次電池二つを直列に接
続した場合であるが三つ以上の場合はそれぞれの二次電
池の電池電圧をＭＯＳトランジスタのしきい値電圧で監
視するようにし、その出力を論理和発生回路に入力し、
その出力を低電圧検出回路の被検出端子に接続すること
で実現可能である。
チ回路１０３がＮｃｈ−ＦＥＴ２個で構成されたもので
あるが、二次電池の直列接続の個数を増やし、それぞれ
の電池電圧を監視するために図１の実施例から増やした
回路はＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１６、Ｎチャネ
ルＭＯＳトランジスタ１１８、プルダウン素子１１７、
プルアップ素子１１９、論理和発生回路１２０だけであ
り、低電圧検出回路１０７の電源、入力、出力の関係は
図１の説明からは変わっていない。従って、スイッチ回
路１０３がＰｃｈ−ＦＥＴ２個で構成された場合は上記
５素子（ ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１１６、Ｎチ
ャネルＭＯＳトランジスタ１１８、プルダウン素子１１
７、プルアップ素子１１９、論理和発生回路１２０）を
図７に付属し図７のＮチャネルトランジスタ５１２のゲ
ートを論理和発生回路の出力にすれば同様の動作が可能
になる。さらに図１０の説明は二次電池二つを直列に接
続した場合であるが三つ以上の場合はそれぞれの二次電
池の電池電圧をＭＯＳトランジスタのしきい値電圧で監
視するようにし、その出力を論理和発生回路に入力し、
その出力を低電圧検出回路の被検出端子に接続すること
で実現可能である。
【００３１】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように簡単な回
路を追加するだけで、二次電池電圧がＭＯＳトランジス
タのしきい値電圧以下の電圧になった状態で、充電器が
接続された場合、スイッチ回路をＯＦＦして充電電流を
遮断し、異常な電池への充電を禁止するように働くた
め、二次電池を破壊を防ぎ、機器全体の信頼性を高め、
安全性を向上させるという効果がある。
路を追加するだけで、二次電池電圧がＭＯＳトランジス
タのしきい値電圧以下の電圧になった状態で、充電器が
接続された場合、スイッチ回路をＯＦＦして充電電流を
遮断し、異常な電池への充電を禁止するように働くた
め、二次電池を破壊を防ぎ、機器全体の信頼性を高め、
安全性を向上させるという効果がある。
【図１】本発明の充電式電源装置の回路ブロックを示し
た説明図である。
た説明図である。
【図２】従来の充電式電源装置の回路ブロックを示した
説明図である。
説明図である。
【図３】従来の充電式電源装置の他の例を示す回路ブロ
ック図である。
ック図である。
【図４】従来の充電式電源装置の他の例を示す回路ブロ
ック図である。
ック図である。
【図５】本発明の充電式電源装置の回路の一部の回路ブ
ロック図である。
ロック図である。
【図６】本発明の充電式電源装置の回路の一部の他の例
を示す回路ブロック図である。
を示す回路ブロック図である。
【図７】本発明の充電式電源装置の他の例を示す回路ブ
ロック図である。
ロック図である。
【図８】本発明の充電式電源装置の他の例の回路の一部
の回路ブロック図である。
の回路ブロック図である。
【図９】本発明の充電式電源装置の回路の一部の他の例
を示す回路ブロック図である。
を示す回路ブロック図である。
【図１０】本発明の充電式電源装置の回路の一部の他の
例を示す回路ブロック図である。
例を示す回路ブロック図である。
【図１１】本発明の充電式電源装置の回路の一部の他の
例を示す回路ブロック図である。
例を示す回路ブロック図である。
１０１、２０１、１１５、３０１、４０１、７０１ 二
次電池 １０２、２０２、３０２、４０２、７０２ 充放電制御
回路 １０３、２０３、３０３、４０３、７０３ スイッチ回
路 １０４、２０４、３０４、４０４、７０４ 外部端子＋
ＶＯ １０５、２０５、３０５、４０５、７０５ 外部端子−
ＶＯ １０６，１１４Ａ，１１４Ｂ、２０６、２０７、３０
６、３０７、４０６、４０６Ａ、４０６B、７０６、７
１４Ａ、７１４Ｂ 信号線 １０７、７０７ 低電圧検出回路 １０８、２０８、３０８、４０８、７０８ 充電器 １０９、２０９、３０９、４０９、７０９ 負荷 １１０、１１１、４１２、４１３、７１０ Nチャネル
ＦＥＴ １１２Ａ、１１２B、１１３、７１２Ａ、７１２Ｂ、７
１３ 出力端子 ２１０、３１０、４１０ 二次電池の正極 ２１１、３１１、４１１ 二次電池の負極 ５０１、６０１ レベルシフタ回路 ５０２、６０２ 波形整形インバータ １１６、５０３、５０４、６０３、６０４ Pチャネル
ＭＯＳトランジスタ １１８、５０５、５１２、６０５、６１２ Nチャネル
ＭＯＳトランジスタ １１７、５０６、６０６、１１８、５１３、６１３・・
・プルアップ素子 １２０ 論理和発生回路 ５０７、６０７ 力端子 ５０８、６０８ 正電源端子 ５０９、６０９ 負電源端子 ５１０、６１０ 出力端子 ５１１、６１１ 被検出端子
次電池 １０２、２０２、３０２、４０２、７０２ 充放電制御
回路 １０３、２０３、３０３、４０３、７０３ スイッチ回
路 １０４、２０４、３０４、４０４、７０４ 外部端子＋
ＶＯ １０５、２０５、３０５、４０５、７０５ 外部端子−
ＶＯ １０６，１１４Ａ，１１４Ｂ、２０６、２０７、３０
６、３０７、４０６、４０６Ａ、４０６B、７０６、７
１４Ａ、７１４Ｂ 信号線 １０７、７０７ 低電圧検出回路 １０８、２０８、３０８、４０８、７０８ 充電器 １０９、２０９、３０９、４０９、７０９ 負荷 １１０、１１１、４１２、４１３、７１０ Nチャネル
ＦＥＴ １１２Ａ、１１２B、１１３、７１２Ａ、７１２Ｂ、７
１３ 出力端子 ２１０、３１０、４１０ 二次電池の正極 ２１１、３１１、４１１ 二次電池の負極 ５０１、６０１ レベルシフタ回路 ５０２、６０２ 波形整形インバータ １１６、５０３、５０４、６０３、６０４ Pチャネル
ＭＯＳトランジスタ １１８、５０５、５１２、６０５、６１２ Nチャネル
ＭＯＳトランジスタ １１７、５０６、６０６、１１８、５１３、６１３・・
・プルアップ素子 １２０ 論理和発生回路 ５０７、６０７ 力端子 ５０８、６０８ 正電源端子 ５０９、６０９ 負電源端子 ５１０、６１０ 出力端子 ５１１、６１１ 被検出端子
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年５月１５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 充電式電源装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
Claims (5)
- 【請求項１】 少なくとも１つの二次電池の電圧をＭＯ
Ｓトランジスタのしきい値電圧を利用して監視し、該電
池への充電可能、禁止を制御する信号を出力することを
特徴とする充放電制御回路。 - 【請求項２】 前記充放電制御回路において、前記電池
電圧がＭＯＳトランジスタのしきい値電圧以下の電圧時
に充電を禁止することが出来ることを特徴とする特許請
求項１に記載の充放電制御回路。 - 【請求項３】 前記充放電制御回路において、信号出力
端子にプルダウンあるいはプルアップ素子を伴うことを
特徴とする特許請求項１に記載する充放電制御回路。 - 【請求項４】 少なくとも１つの二次電池の電池電圧を
監視し、該二次電池の充放電を制御する信号を出力する
充放電制御回路と、該充放電制御回路の出力信号を受
け、過充電状態または過放電状態のときにそれぞれ充電
または放電を禁止するスイッチ回路と、前記充放電制御
回路の出力を受けるとともに、前記少なくとも１つの二
次電池の電池電圧が前記過放電状態を示す電圧値よりも
低く、かつ予め設定された充電してはならない電圧値で
あることを検出し、前記二次電池に充電することを禁止
するように前記スイッチ回路を制御する低電圧検出回路
とから構成されることを特徴とする充放電制御回路。 - 【請求項５】 前記低電圧検出回路は、前記二次電池の
電池電圧がＭＯＳトランジスタのしきい値電圧以下の電
圧値であるときに充電を禁止する請求項４に記載の充放
電制御回路。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02167697A JP3157121B2 (ja) | 1997-02-04 | 1997-02-04 | 充電式電源装置 |
| US09/018,073 US5959436A (en) | 1997-02-04 | 1998-02-03 | Charge and discharge control circuit having low voltage detecting means for preventing charging of an abnormal cell |
| CNB981070566A CN1153325C (zh) | 1997-02-04 | 1998-02-03 | 充电及放电控制电路 |
| TW087101387A TW423194B (en) | 1997-02-04 | 1998-02-04 | Charge and discharge control circuit |
| KR1019980003153A KR100332959B1 (ko) | 1997-02-04 | 1998-02-04 | 충방전제어회로 |
| HK99102511A HK1017511A1 (en) | 1997-02-04 | 1999-06-09 | Charge and discharge control circuit. |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02167697A JP3157121B2 (ja) | 1997-02-04 | 1997-02-04 | 充電式電源装置 |
| US09/018,073 US5959436A (en) | 1997-02-04 | 1998-02-03 | Charge and discharge control circuit having low voltage detecting means for preventing charging of an abnormal cell |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10225007A true JPH10225007A (ja) | 1998-08-21 |
| JP3157121B2 JP3157121B2 (ja) | 2001-04-16 |
Family
ID=40521889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02167697A Expired - Lifetime JP3157121B2 (ja) | 1997-02-04 | 1997-02-04 | 充電式電源装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5959436A (ja) |
| JP (1) | JP3157121B2 (ja) |
| CN (1) | CN1153325C (ja) |
| HK (1) | HK1017511A1 (ja) |
| TW (1) | TW423194B (ja) |
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR20030078289A (ko) * | 2002-03-29 | 2003-10-08 | 주식회사 프로파워 | 리튬이온 배터리 보호회로 |
| KR100884842B1 (ko) | 2006-02-28 | 2009-02-20 | 가부시키가이샤 리코 | 충전 제어용 반도체 집적 회로, 그 충전 제어용 반도체집적 회로를 사용한 충전 장치 및 2차 전지 접속 검출 방법 |
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| US7675267B2 (en) | 2006-03-30 | 2010-03-09 | Fujitsu Microelectronics Limited | Control circuit of power supply and control method of the power supply |
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| CN102044895A (zh) * | 2009-10-20 | 2011-05-04 | 精工电子有限公司 | 电池状态监视电路及电池装置 |
| JP2011125165A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-23 | Seiko Instruments Inc | バッテリ状態監視回路及びバッテリ装置 |
| CN102201688A (zh) * | 2010-03-26 | 2011-09-28 | 精工电子有限公司 | 电池状态监视电路及电池装置 |
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| JP2012060764A (ja) * | 2010-09-08 | 2012-03-22 | Seiko Instruments Inc | 充放電制御回路及びバッテリ装置 |
| JP2012060762A (ja) * | 2010-09-08 | 2012-03-22 | Seiko Instruments Inc | 充放電制御回路及びバッテリ装置 |
| CN102738876A (zh) * | 2012-06-08 | 2012-10-17 | 江苏新日电动车股份有限公司 | 一种电动车用智能输出控制充电器 |
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| JP2013153613A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Mitsumi Electric Co Ltd | 保護機能付き充電制御装置および電池パック |
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