JPH1022163A - セラミック電子部品 - Google Patents
セラミック電子部品Info
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- JPH1022163A JPH1022163A JP8195545A JP19554596A JPH1022163A JP H1022163 A JPH1022163 A JP H1022163A JP 8195545 A JP8195545 A JP 8195545A JP 19554596 A JP19554596 A JP 19554596A JP H1022163 A JPH1022163 A JP H1022163A
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01G4/002—Details
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空吸引式の吸着ノズルにより確実に吸着す
ることが可能で、しかも、吸着ノズルによりクラックや
割れなどを生じることのない信頼性の高いセラミック電
子部品を提供する。 【解決手段】 長さ(L)≦1.0mm 高さ(H)≦0.5mm 幅(W) ≦0.5mm のセラミック素子の長手方向両端側の端面から周囲面に
回り込むように外部電極を形成してなるセラミック電子
部品の、前記周囲面に回り込んだ部分の外部電極の厚み
(t)を t≦10μm t≦H/30 とする。
ることが可能で、しかも、吸着ノズルによりクラックや
割れなどを生じることのない信頼性の高いセラミック電
子部品を提供する。 【解決手段】 長さ(L)≦1.0mm 高さ(H)≦0.5mm 幅(W) ≦0.5mm のセラミック素子の長手方向両端側の端面から周囲面に
回り込むように外部電極を形成してなるセラミック電子
部品の、前記周囲面に回り込んだ部分の外部電極の厚み
(t)を t≦10μm t≦H/30 とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック電子部
品に関し、詳しくは、小型で、両端側に外部電極を備え
た表面実装型のセラミック電子部品に関する。
品に関し、詳しくは、小型で、両端側に外部電極を備え
た表面実装型のセラミック電子部品に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】表面実
装型のセラミック電子部品(例えば、積層セラミックコ
ンデンサやセラミック圧電部品など)の一つに、例え
ば、図5及び図6に示すように、直方体形状のセラミッ
ク素子21の両端側に、端面22から周囲面23に回り
込むように外部電極24が配設された構造を有するセラ
ミック電子部品25がある。
装型のセラミック電子部品(例えば、積層セラミックコ
ンデンサやセラミック圧電部品など)の一つに、例え
ば、図5及び図6に示すように、直方体形状のセラミッ
ク素子21の両端側に、端面22から周囲面23に回り
込むように外部電極24が配設された構造を有するセラ
ミック電子部品25がある。
【0003】そして、このようなセラミック電子部品に
おいては、小型化が進行し、セラミック素子21の長さ
(L)が1.0mm以下、高さ(H)及び幅(W)が0.
5mm以下というようなきわめて小型のセラミック電子部
品が要望されてきている。
おいては、小型化が進行し、セラミック素子21の長さ
(L)が1.0mm以下、高さ(H)及び幅(W)が0.
5mm以下というようなきわめて小型のセラミック電子部
品が要望されてきている。
【0004】しかし、上記のような小型のセラミック電
子部品の場合、例えば、実装工程で用いられる自動実装
機の吸着ノズルによる吸着信頼性が低いという問題点が
ある。すなわち、図7に示すように、いわゆる反射式の
画像認識方法でセラミック電子部品の位置などの検出を
行なう自動実装機に用いられる、先端部の幅の広い真空
吸引式の吸着ノズルAによりセラミック電子部品25を
吸着する場合、外部電極24の、セラミック素子21の
端面22から周囲面23に回り込んだ部分24aの厚み
(t)が大きく、吸着ノズルAの下端面A1が接するこ
とになるセラミック素子21の上面23a(吸着面)の
外部電極24が形成されている部分と形成されていない
部分の境界部に大きな段差が形成されるとともに、セラ
ミック素子21の平面面積が小さくて、大きな吸着面積
を確保することができないため、真空吸引による吸着信
頼性が低下する。
子部品の場合、例えば、実装工程で用いられる自動実装
機の吸着ノズルによる吸着信頼性が低いという問題点が
ある。すなわち、図7に示すように、いわゆる反射式の
画像認識方法でセラミック電子部品の位置などの検出を
行なう自動実装機に用いられる、先端部の幅の広い真空
吸引式の吸着ノズルAによりセラミック電子部品25を
吸着する場合、外部電極24の、セラミック素子21の
端面22から周囲面23に回り込んだ部分24aの厚み
(t)が大きく、吸着ノズルAの下端面A1が接するこ
とになるセラミック素子21の上面23a(吸着面)の
外部電極24が形成されている部分と形成されていない
部分の境界部に大きな段差が形成されるとともに、セラ
ミック素子21の平面面積が小さくて、大きな吸着面積
を確保することができないため、真空吸引による吸着信
頼性が低下する。
【0005】また、図8に示すように、先端部の幅の狭
い吸着ノズル(いわゆる透過式の画像認識方法でセラミ
ック電子部品の位置などの検出を行なう自動実装機に用
いられる、先端部の幅の狭い吸着ノズル)Bを用いるよ
うにした場合、外部電極24のセラミック素子21の端
面22から周囲面23に回り込んだ部分24aの厚み
(t)が大きいため、セラミック素子21の下面23b
と実装基板(あるいはテーブルなど)との間に大きな隙
間Gが形成され、吸着ノズルBをセラミック電子部品2
5に押し付けて吸着したりする際に、セラミック素子2
1が大きく撓んでクラック27が生じたり、場合によっ
てはセラミック素子21が割れたりするという問題点が
ある。
い吸着ノズル(いわゆる透過式の画像認識方法でセラミ
ック電子部品の位置などの検出を行なう自動実装機に用
いられる、先端部の幅の狭い吸着ノズル)Bを用いるよ
うにした場合、外部電極24のセラミック素子21の端
面22から周囲面23に回り込んだ部分24aの厚み
(t)が大きいため、セラミック素子21の下面23b
と実装基板(あるいはテーブルなど)との間に大きな隙
間Gが形成され、吸着ノズルBをセラミック電子部品2
5に押し付けて吸着したりする際に、セラミック素子2
1が大きく撓んでクラック27が生じたり、場合によっ
てはセラミック素子21が割れたりするという問題点が
ある。
【0006】本発明は、上記問題点を解決するものであ
り、真空吸引式の吸着ノズルにより確実に吸着すること
が可能で、しかも、吸着ノズルによりクラックや割れな
どを生じることのない信頼性の高いセラミック電子部品
を提供することを目的とする。
り、真空吸引式の吸着ノズルにより確実に吸着すること
が可能で、しかも、吸着ノズルによりクラックや割れな
どを生じることのない信頼性の高いセラミック電子部品
を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のセラミック電子部品は、セラミック素子の
長さ(L)、高さ(H)及び幅(W)がそれぞれ、 L≦1.0mm H≦0.5mm W≦0.5mm であって、前記セラミック素子の長手方向両端側の端面
から周囲面に回り込むように外部電極が形成されたセラ
ミック電子部品において、セラミック素子の端面から周
囲面に回り込んだ部分における外部電極の厚み(t)が t≦10μm t≦H/30 の条件を満たしていることを特徴としている。
に、本発明のセラミック電子部品は、セラミック素子の
長さ(L)、高さ(H)及び幅(W)がそれぞれ、 L≦1.0mm H≦0.5mm W≦0.5mm であって、前記セラミック素子の長手方向両端側の端面
から周囲面に回り込むように外部電極が形成されたセラ
ミック電子部品において、セラミック素子の端面から周
囲面に回り込んだ部分における外部電極の厚み(t)が t≦10μm t≦H/30 の条件を満たしていることを特徴としている。
【0008】上記のような寸法の小型のセラミック電子
部品においても、端面から周囲面に回り込んだ部分にお
ける外部電極の厚み(t)を10μm以下にするととも
に、セラミック素子の高さ(H)の1/30以下にする
ことにより、吸着ノズルが接することになるセラミック
素子の上面の外部電極が形成されている部分と形成され
ていない部分との境界部に大きな段差が形成されること
が防止される。したがって、真空吸引による吸着信頼性
を向上させることが可能になる。
部品においても、端面から周囲面に回り込んだ部分にお
ける外部電極の厚み(t)を10μm以下にするととも
に、セラミック素子の高さ(H)の1/30以下にする
ことにより、吸着ノズルが接することになるセラミック
素子の上面の外部電極が形成されている部分と形成され
ていない部分との境界部に大きな段差が形成されること
が防止される。したがって、真空吸引による吸着信頼性
を向上させることが可能になる。
【0009】また、端面から周囲面に回り込んだ部分に
おける外部電極の厚みを上記の範囲とすることにより、
セラミック素子の下面と実装基板(やテーブル)の間に
大きな隙間が形成されることが防止される。したがっ
て、吸着ノズルを押し付けたときにセラミック素子が大
きく変形することを防止して、クラックや割れの発生を
阻止することができるようになる。
おける外部電極の厚みを上記の範囲とすることにより、
セラミック素子の下面と実装基板(やテーブル)の間に
大きな隙間が形成されることが防止される。したがっ
て、吸着ノズルを押し付けたときにセラミック素子が大
きく変形することを防止して、クラックや割れの発生を
阻止することができるようになる。
【0010】また、本発明のセラミック電子部品は、さ
らに、上記セラミック電子部品の、端面から周囲面に回
り込んだ部分における外部電極の厚み(t)が、 t≦W/30 の条件を満たしていることを特徴としている。
らに、上記セラミック電子部品の、端面から周囲面に回
り込んだ部分における外部電極の厚み(t)が、 t≦W/30 の条件を満たしていることを特徴としている。
【0011】このように、上記セラミック電子部品の、
セラミック素子の端面から周囲面に回り込んだ部分にお
ける外部電極の厚み(t)を、セラミック素子の幅
(W)の1/30以下とした場合、セラミック素子の周
囲面のいずれの面を下向きにするかを問わずに実装でき
るように構成されたセラミック電子部品(すなわち方向
性をなくしたセラミック電子部品)にも対応することが
できるようになり、吸着信頼性の向上とクラックや割れ
の発生防止を図ることが可能になる。また、この場合に
は、チップマウント装置によりバルク状態で取り扱う際
の、種々の方向から加わる機械的衝撃によるセラミック
素子の割れや外部電極の剥がれなどを阻止することが可
能になる。
セラミック素子の端面から周囲面に回り込んだ部分にお
ける外部電極の厚み(t)を、セラミック素子の幅
(W)の1/30以下とした場合、セラミック素子の周
囲面のいずれの面を下向きにするかを問わずに実装でき
るように構成されたセラミック電子部品(すなわち方向
性をなくしたセラミック電子部品)にも対応することが
できるようになり、吸着信頼性の向上とクラックや割れ
の発生防止を図ることが可能になる。また、この場合に
は、チップマウント装置によりバルク状態で取り扱う際
の、種々の方向から加わる機械的衝撃によるセラミック
素子の割れや外部電極の剥がれなどを阻止することが可
能になる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を示して
その特徴とするところをさらに詳しく説明する。なお、
この実施形態では、表面実装型の積層セラミックコンデ
ンサを例にとって説明する。
その特徴とするところをさらに詳しく説明する。なお、
この実施形態では、表面実装型の積層セラミックコンデ
ンサを例にとって説明する。
【0013】図1は本発明の一実施形態にかかる積層セ
ラミックコンデンサ(セラミック電子部品)を示す斜視
図、図2は本発明の一実施形態にかかる積層セラミック
コンデンサの要部を示す図である。
ラミックコンデンサ(セラミック電子部品)を示す斜視
図、図2は本発明の一実施形態にかかる積層セラミック
コンデンサの要部を示す図である。
【0014】この実施形態の積層セラミックコンデンサ
5は、図1及び図2に示すように、内部に容量形成用の
電極(図示せず)が配設された直方体形状のセラミック
素子1の両端側に、端面2から周囲面(端面2と接する
上下両面及び両側面)3に回り込むように外部電極4が
配設された構造を有している。
5は、図1及び図2に示すように、内部に容量形成用の
電極(図示せず)が配設された直方体形状のセラミック
素子1の両端側に、端面2から周囲面(端面2と接する
上下両面及び両側面)3に回り込むように外部電極4が
配設された構造を有している。
【0015】また、積層セラミックコンデンサ5を構成
するセラミック素子1の各部の寸法は、次の通りであ
る。 長さ(L)=0.6mm 高さ(H)=0.3mm 幅(W) =0.3mm
するセラミック素子1の各部の寸法は、次の通りであ
る。 長さ(L)=0.6mm 高さ(H)=0.3mm 幅(W) =0.3mm
【0016】そして、この積層セラミックコンデンサ5
においては、外部電極4の、セラミック素子1の端面2
から周囲面3に回り込んだ部分4aにおける厚み(t)
が、2〜5μmとセラミック素子1の高さ(H)及び幅
(W)の約1/200〜1/50となっている。
においては、外部電極4の、セラミック素子1の端面2
から周囲面3に回り込んだ部分4aにおける厚み(t)
が、2〜5μmとセラミック素子1の高さ(H)及び幅
(W)の約1/200〜1/50となっている。
【0017】なお、外部電極4の厚み(t)を調整する
方法としては、 電極形成用の導電ペーストの比重や粘度を調整する方
法、 導電ペーストにセラミック素子を浸漬する際のセラミ
ック素子の浸漬速度や浸漬時間を調整する方法 などが例示される。ただし、調整方法はこれに限られる
ものではなく、さらにその他の方法を適用することも可
能である。
方法としては、 電極形成用の導電ペーストの比重や粘度を調整する方
法、 導電ペーストにセラミック素子を浸漬する際のセラミ
ック素子の浸漬速度や浸漬時間を調整する方法 などが例示される。ただし、調整方法はこれに限られる
ものではなく、さらにその他の方法を適用することも可
能である。
【0018】上記の積層セラミックコンデンサ5におい
ては、図1及び図2に示すように、外部電極4の、セラ
ミック素子1の端面2から周囲面3に回り込んだ部分4
aの厚み(t)を2〜5μm(セラミック素子1の高さ
(H)及び幅(W)の約1/200〜1/50)として
いるので、セラミック素子1の上面(吸着面)3aの外
部電極4が形成されている部分と形成されていない部分
との境界部に大きな段差が形成されることがなくなる。
その結果、図3に示すように、いわゆる反射式の画像認
識方法でセラミック電子部品の位置などの検出を行なう
自動実装機に用いられる、先端部の幅の広い吸着ノズル
Aにより吸着する場合にも、積層セラミックコンデンサ
5を確実に吸着することが可能になる。
ては、図1及び図2に示すように、外部電極4の、セラ
ミック素子1の端面2から周囲面3に回り込んだ部分4
aの厚み(t)を2〜5μm(セラミック素子1の高さ
(H)及び幅(W)の約1/200〜1/50)として
いるので、セラミック素子1の上面(吸着面)3aの外
部電極4が形成されている部分と形成されていない部分
との境界部に大きな段差が形成されることがなくなる。
その結果、図3に示すように、いわゆる反射式の画像認
識方法でセラミック電子部品の位置などの検出を行なう
自動実装機に用いられる、先端部の幅の広い吸着ノズル
Aにより吸着する場合にも、積層セラミックコンデンサ
5を確実に吸着することが可能になる。
【0019】また、セラミック素子1の端面から周囲面
2に回り込んだ部分における外部電極4の厚み(t)を
2〜5μm(セラミック素子1の高さ(H)及び幅
(W)の約1/200〜1/50)としているので、セ
ラミック素子1の下面3bと実装基板(あるいはテーブ
ルなど)6の間に大きな隙間が形成されなくなる。した
がって、図4に示すように、いわゆる透過式の画像認識
方法でセラミック電子部品の位置などの検出を行なう自
動実装機に用いられる、先端部の幅の狭い吸着ノズルB
を用いて吸着する場合にも、吸着ノズルBを積層セラミ
ックコンデンサ5に押し付けて吸着する際に、セラミッ
ク素子1にクラックが生じたり、割れたりすることを防
止することが可能になる。
2に回り込んだ部分における外部電極4の厚み(t)を
2〜5μm(セラミック素子1の高さ(H)及び幅
(W)の約1/200〜1/50)としているので、セ
ラミック素子1の下面3bと実装基板(あるいはテーブ
ルなど)6の間に大きな隙間が形成されなくなる。した
がって、図4に示すように、いわゆる透過式の画像認識
方法でセラミック電子部品の位置などの検出を行なう自
動実装機に用いられる、先端部の幅の狭い吸着ノズルB
を用いて吸着する場合にも、吸着ノズルBを積層セラミ
ックコンデンサ5に押し付けて吸着する際に、セラミッ
ク素子1にクラックが生じたり、割れたりすることを防
止することが可能になる。
【0020】また、外部電極4のセラミック素子1の周
囲面に回り込んだ部分4aの厚みが小さく、セラミック
素子1の周囲面からの突出の程度が小さいので、実装工
程においてチップマウント装置によりバルク状態で取り
扱った場合における、種々の方向からセラミック電子部
品に加わる機械的衝撃による割れや外部電極4の剥がれ
などを防止することが可能になる。
囲面に回り込んだ部分4aの厚みが小さく、セラミック
素子1の周囲面からの突出の程度が小さいので、実装工
程においてチップマウント装置によりバルク状態で取り
扱った場合における、種々の方向からセラミック電子部
品に加わる機械的衝撃による割れや外部電極4の剥がれ
などを防止することが可能になる。
【0021】表1に、本発明の積層セラミックコンデン
サ及び比較例の積層セラミックコンデンサについて調べ
た、セラミック素子の周囲面側に回り込んだ外部電極の
厚みと、吸着不良発生率、クラック発生率、及び機械的
衝撃による割れの発生率の関係を示す。なお、表1の吸
着不良発生率、クラック発生率、及び機械的衝撃による
割れの発生率はそれぞれ、上記吸着ノズルA(図3)で
吸着した場合の吸着不良発生率、上記吸着ノズルB(図
4)で吸着した場合のクラック発生率、及びチップマウ
ント装置によりバルク状態で取り扱った場合の機械的衝
撃による割れの発生率を示す。
サ及び比較例の積層セラミックコンデンサについて調べ
た、セラミック素子の周囲面側に回り込んだ外部電極の
厚みと、吸着不良発生率、クラック発生率、及び機械的
衝撃による割れの発生率の関係を示す。なお、表1の吸
着不良発生率、クラック発生率、及び機械的衝撃による
割れの発生率はそれぞれ、上記吸着ノズルA(図3)で
吸着した場合の吸着不良発生率、上記吸着ノズルB(図
4)で吸着した場合のクラック発生率、及びチップマウ
ント装置によりバルク状態で取り扱った場合の機械的衝
撃による割れの発生率を示す。
【0022】
【表1】
【0023】表1より、セラミック素子の寸法が本発明
の範囲より大きい試料番号8,9,10,11の積層セ
ラミックコンデンサの場合には、外部電極の厚みがセラ
ミック素子の高さ(H)の1/15(試料番号11)で
あるような場合にも、吸着不良の発生、クラックの発
生、チップマウント装置での機械的衝撃による割れの発
生などは認められないが、セラミック素子の寸法が小さ
くなると、外部電極の厚みが本発明の条件を満たさない
比較例(試料番号3,6,7)の積層セラミックコンデ
ンサの場合、吸着不良やクラック、チップマウント装置
での機械的衝撃による割れなどが発生することがわか
る。これに対して、セラミック素子の周囲面側に回り込
んだ外部電極の厚みが10μm以下で、セラミック素子
の高さ(H)の1/30以下という条件を満たす本発明
の実施形態の試料(試料番号1,2,4,5)の場合に
は、吸着不良、クラック、及びチップマウント装置での
機械的衝撃による割れの発生は認められなかった。
の範囲より大きい試料番号8,9,10,11の積層セ
ラミックコンデンサの場合には、外部電極の厚みがセラ
ミック素子の高さ(H)の1/15(試料番号11)で
あるような場合にも、吸着不良の発生、クラックの発
生、チップマウント装置での機械的衝撃による割れの発
生などは認められないが、セラミック素子の寸法が小さ
くなると、外部電極の厚みが本発明の条件を満たさない
比較例(試料番号3,6,7)の積層セラミックコンデ
ンサの場合、吸着不良やクラック、チップマウント装置
での機械的衝撃による割れなどが発生することがわか
る。これに対して、セラミック素子の周囲面側に回り込
んだ外部電極の厚みが10μm以下で、セラミック素子
の高さ(H)の1/30以下という条件を満たす本発明
の実施形態の試料(試料番号1,2,4,5)の場合に
は、吸着不良、クラック、及びチップマウント装置での
機械的衝撃による割れの発生は認められなかった。
【0024】なお、上記実施形態では、積層セラミック
コンデンサを例にとって説明したが、本発明は積層セラ
ミックコンデンサに限られるものではなく、セラミック
素子の両端側に外部電極を備えた構造を有する種々のセ
ラミック電子部品に適用することが可能であり、その場
合にも上記実施形態の場合と同様の効果を得ることが可
能である。
コンデンサを例にとって説明したが、本発明は積層セラ
ミックコンデンサに限られるものではなく、セラミック
素子の両端側に外部電極を備えた構造を有する種々のセ
ラミック電子部品に適用することが可能であり、その場
合にも上記実施形態の場合と同様の効果を得ることが可
能である。
【0025】本発明はさらにその他の点においても上記
実施形態に限定されるものではなく、セラミック素子の
具体的な寸法、形状、外部電極のパターンなどに関し、
発明の要旨の範囲内において、種々の応用、変形を加え
ることが可能である。
実施形態に限定されるものではなく、セラミック素子の
具体的な寸法、形状、外部電極のパターンなどに関し、
発明の要旨の範囲内において、種々の応用、変形を加え
ることが可能である。
【0026】
【発明の効果】上述のように、本発明のセラミック電子
部品は、外部電極の、端面から周囲面に回り込んだ部分
の厚み(t)を、10μm以下で、かつ、セラミック素
子の高さ(H)の1/30以下とするようにしているの
で、セラミック電子部品が、長さ(L)≦1.0mm、高
さ(H)≦0.5mm、幅(W)≦0.5mmというような
小型のセラミック電子部品である場合にも、吸着ノズル
が接することになるセラミック素子の上面の外部電極が
形成されている部分と形成されていない部分との境界部
に大きな段差が形成されることを防止して、真空吸引に
よる吸着信頼性を向上させることができる。
部品は、外部電極の、端面から周囲面に回り込んだ部分
の厚み(t)を、10μm以下で、かつ、セラミック素
子の高さ(H)の1/30以下とするようにしているの
で、セラミック電子部品が、長さ(L)≦1.0mm、高
さ(H)≦0.5mm、幅(W)≦0.5mmというような
小型のセラミック電子部品である場合にも、吸着ノズル
が接することになるセラミック素子の上面の外部電極が
形成されている部分と形成されていない部分との境界部
に大きな段差が形成されることを防止して、真空吸引に
よる吸着信頼性を向上させることができる。
【0027】また、セラミック素子の端面から周囲面に
回り込んだ部分における外部電極の厚みを上記の範囲と
することにより、セラミック素子の下面と実装基板(や
テーブル)の間に大きな隙間が形成されることを防止し
て、吸着ノズルを押し付けたときにセラミック素子にク
ラックが生じたり、割れたりすることを防止することが
できる。
回り込んだ部分における外部電極の厚みを上記の範囲と
することにより、セラミック素子の下面と実装基板(や
テーブル)の間に大きな隙間が形成されることを防止し
て、吸着ノズルを押し付けたときにセラミック素子にク
ラックが生じたり、割れたりすることを防止することが
できる。
【0028】また、上記セラミック電子部品の、セラミ
ック素子の端面から周囲面に回り込んだ部分における外
部電極の厚み(t)を、セラミック素子の幅(W)の1
/30以下とすることにより、セラミック素子の周囲面
のいずれの面を下向きにするかを問わずに実装できるよ
うに構成されたセラミック電子部品(すなわち方向性を
なくしたセラミック電子部品)の場合にも、吸着信頼性
の向上と、クラックや割れの発生防止を図ることが可能
になる。また、この場合には、チップマウント装置によ
りバルク状態で取り扱う際の、種々の方向から加わる機
械的衝撃によるセラミック素子の割れや外部電極の剥が
れなどを防止して、生産性を向上させることが可能にな
る。
ック素子の端面から周囲面に回り込んだ部分における外
部電極の厚み(t)を、セラミック素子の幅(W)の1
/30以下とすることにより、セラミック素子の周囲面
のいずれの面を下向きにするかを問わずに実装できるよ
うに構成されたセラミック電子部品(すなわち方向性を
なくしたセラミック電子部品)の場合にも、吸着信頼性
の向上と、クラックや割れの発生防止を図ることが可能
になる。また、この場合には、チップマウント装置によ
りバルク状態で取り扱う際の、種々の方向から加わる機
械的衝撃によるセラミック素子の割れや外部電極の剥が
れなどを防止して、生産性を向上させることが可能にな
る。
【図1】本発明の一実施形態にかかる積層セラミックコ
ンデンサ(セラミック電子部品)を示す斜視図である。
ンデンサ(セラミック電子部品)を示す斜視図である。
【図2】本発明の一実施形態にかかる積層セラミックコ
ンデンサの要部を示す図である。
ンデンサの要部を示す図である。
【図3】本発明の一実施形態にかかる積層セラミックコ
ンデンサを吸着ノズルにより吸着している状態を示す図
である。
ンデンサを吸着ノズルにより吸着している状態を示す図
である。
【図4】本発明の一実施形態にかかる積層セラミックコ
ンデンサを他の吸着ノズルにより吸着している状態を示
す図である。
ンデンサを他の吸着ノズルにより吸着している状態を示
す図である。
【図5】従来のセラミック電子部品を示す斜視図であ
る。
る。
【図6】従来のセラミック電子部品の要部を示す図であ
る。
る。
【図7】従来のセラミック電子部品を吸着ノズルにより
吸着している状態を示す図である。
吸着している状態を示す図である。
【図8】従来のセラミック電子部品を他の吸着ノズルに
より吸着している状態を示す図である。
より吸着している状態を示す図である。
1 セラミック素子 2 セラミック素子の端面 3 セラミック素子の周囲面 3a セラミック素子の上面 3b セラミック素子の下面 4 外部電極 4a 外部電極のセラミック素子の周囲面
に回り込んだ部分 5 積層セラミックコンデンサ(セラミ
ック電子部品) 6 実装基板
に回り込んだ部分 5 積層セラミックコンデンサ(セラミ
ック電子部品) 6 実装基板
Claims (2)
- 【請求項1】セラミック素子の長さ(L)、高さ(H)
及び幅(W)がそれぞれ、 L≦1.0mm H≦0.5mm W≦0.5mm であって、前記セラミック素子の長手方向両端側の端面
から周囲面に回り込むように外部電極が形成されたセラ
ミック電子部品において、 セラミック素子の端面から周囲面に回り込んだ部分にお
ける外部電極の厚み(t)が t≦10μm t≦H/30 の条件を満たしていることを特徴とするセラミック電子
部品。 - 【請求項2】請求項1記載のセラミック電子部品であっ
て、セラミック素子の端面から周囲面に回り込んだ部分
における外部電極の厚み(t)が、 t≦W/30 の条件を満たしていることを特徴とするセラミック電子
部品。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19554596A JP3340625B2 (ja) | 1996-07-04 | 1996-07-04 | 表面実装型セラミック電子部品 |
SG1997001926A SG46780A1 (en) | 1996-07-04 | 1997-06-05 | Ceramic electronic part |
US08/888,368 US5883780A (en) | 1996-07-04 | 1997-07-03 | Ceramic electronic part |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19554596A JP3340625B2 (ja) | 1996-07-04 | 1996-07-04 | 表面実装型セラミック電子部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1022163A true JPH1022163A (ja) | 1998-01-23 |
JP3340625B2 JP3340625B2 (ja) | 2002-11-05 |
Family
ID=16342890
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19554596A Ceased JP3340625B2 (ja) | 1996-07-04 | 1996-07-04 | 表面実装型セラミック電子部品 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5883780A (ja) |
JP (1) | JP3340625B2 (ja) |
SG (1) | SG46780A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100900673B1 (ko) * | 2007-01-31 | 2009-06-01 | 삼성전기주식회사 | 적층형 칩 커패시터 |
CN103903855A (zh) * | 2012-12-27 | 2014-07-02 | 三星电机株式会社 | 多层陶瓷电容器及其制造方法 |
JPWO2015045625A1 (ja) * | 2013-09-24 | 2017-03-09 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
JP2020167236A (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 株式会社村田製作所 | 3端子型積層セラミックコンデンサおよび3端子型積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69942400D1 (de) * | 1998-12-28 | 2010-07-01 | Murata Manufacturing Co | Monolithische elektronische Keramikkomponente |
JP2002025852A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-01-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品 |
JP4415744B2 (ja) * | 2003-12-11 | 2010-02-17 | パナソニック株式会社 | 電子部品 |
WO2005062318A1 (ja) * | 2003-12-18 | 2005-07-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 電子部品 |
JP4086812B2 (ja) * | 2004-05-31 | 2008-05-14 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサ |
JP2006013380A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Tdk Corp | 積層コンデンサ |
JP4433909B2 (ja) | 2004-07-07 | 2010-03-17 | Tdk株式会社 | 表面実装型電子部品 |
US7133274B2 (en) * | 2005-01-20 | 2006-11-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multilayer capacitor and mold capacitor |
US20070137744A1 (en) * | 2005-12-20 | 2007-06-21 | Kiyoshi Ueyoko | Radial aircraft tire and method of manufacture |
KR101489816B1 (ko) * | 2013-07-22 | 2015-02-04 | 삼성전기주식회사 | 기판 내장용 적층 세라믹 전자부품 및 적층 세라믹 전자부품 내장형 인쇄회로기판 |
KR102076151B1 (ko) * | 2013-08-26 | 2020-02-11 | 삼성전기주식회사 | 기판 내장용 적층 세라믹 전자부품 및 적층 세라믹 전자부품 내장형 인쇄회로기판 |
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US4771520A (en) * | 1985-04-25 | 1988-09-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of producing laminated ceramic capacitors |
US4811162A (en) * | 1987-04-27 | 1989-03-07 | Engelhard Corporation | Capacitor end termination composition and method of terminating |
DE3725454A1 (de) * | 1987-07-31 | 1989-02-09 | Siemens Ag | Elektrisches vielschichtbauelement mit einem gesinterten, monolithischen keramikkoerper und verfahren zur herstellung des elektrischen vielschichtbauelementes |
JP2833242B2 (ja) * | 1991-03-12 | 1998-12-09 | 株式会社村田製作所 | Ntcサーミスタ素子 |
US5335139A (en) * | 1992-07-13 | 1994-08-02 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic chip capacitor |
JP2993301B2 (ja) * | 1992-11-26 | 1999-12-20 | 松下電器産業株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
-
1996
- 1996-07-04 JP JP19554596A patent/JP3340625B2/ja not_active Ceased
-
1997
- 1997-06-05 SG SG1997001926A patent/SG46780A1/en unknown
- 1997-07-03 US US08/888,368 patent/US5883780A/en not_active Expired - Lifetime
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KR100900673B1 (ko) * | 2007-01-31 | 2009-06-01 | 삼성전기주식회사 | 적층형 칩 커패시터 |
CN103903855A (zh) * | 2012-12-27 | 2014-07-02 | 三星电机株式会社 | 多层陶瓷电容器及其制造方法 |
JP2014130999A (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-10 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 |
US8953300B2 (en) | 2012-12-27 | 2015-02-10 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and method of manufacturing the same |
JP2015173292A (ja) * | 2012-12-27 | 2015-10-01 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 |
JPWO2015045625A1 (ja) * | 2013-09-24 | 2017-03-09 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
US9978519B2 (en) | 2013-09-24 | 2018-05-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component |
JP2020167236A (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 株式会社村田製作所 | 3端子型積層セラミックコンデンサおよび3端子型積層セラミックコンデンサの製造方法 |
US11482378B2 (en) | 2019-03-28 | 2022-10-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Three-terminal multilayer ceramic capacitor and method for manufacturing three-terminal multilayer ceramic capacitor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG46780A1 (en) | 1998-02-20 |
JP3340625B2 (ja) | 2002-11-05 |
US5883780A (en) | 1999-03-16 |
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