JPH10212267A - アリールアミンの調製プロセス - Google Patents
アリールアミンの調製プロセスInfo
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- JPH10212267A JPH10212267A JP10010306A JP1030698A JPH10212267A JP H10212267 A JPH10212267 A JP H10212267A JP 10010306 A JP10010306 A JP 10010306A JP 1030698 A JP1030698 A JP 1030698A JP H10212267 A JPH10212267 A JP H10212267A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C209/00—Preparation of compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
- C07C209/04—Preparation of compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton by substitution of functional groups by amino groups
- C07C209/06—Preparation of compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton by substitution of functional groups by amino groups by substitution of halogen atoms
- C07C209/10—Preparation of compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton by substitution of functional groups by amino groups by substitution of halogen atoms with formation of amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings or from amines having nitrogen atoms bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）
−４−ビフェニルアミンの調製プロセスを提供する。 【解決手段】 この調製プロセスは、Ｎ，Ｎ−ビス
（３，４−ジメチルフェニル）アミンとヨードビフェニ
ルとを配位子銅触媒の存在下で反応させることを含み、
配位子は、単座第三級アミンと二座第三級アミンからな
る群から選択され、反応は、約１２０℃ないし約１５０
℃の温度で行われる。
−４−ビフェニルアミンの調製プロセスを提供する。 【解決手段】 この調製プロセスは、Ｎ，Ｎ−ビス
（３，４−ジメチルフェニル）アミンとヨードビフェニ
ルとを配位子銅触媒の存在下で反応させることを含み、
配位子は、単座第三級アミンと二座第三級アミンからな
る群から選択され、反応は、約１２０℃ないし約１５０
℃の温度で行われる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般に光導電性作像
体に用いるのに有用なアリールアミンの調製プロセスに
関し、より特定的には、本発明は、Ｎ，Ｎ−ビス（３，
４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニルアミンの調製
に関する。実施の形態において、本発明は、アリールア
ミン等の正孔輸送分子の調製のための改良されたプロセ
スであって、銅触媒が選択され、実施の形態においては
低温で行われるプロセスに関する。本発明のプロセスの
ために選択される触媒は、配位結合された銅塩、より特
定的には銅（Ｉ）塩を含み、配位子は、１，１０−フェ
ナントロリン、ピリジン等の単座第三級アミンおよび二
座第三級アミンであることを特徴とする。本発明のプロ
セスで得られる、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェ
ニル）−４−ビフェニルアミン等の生成物は、光発生
層、電荷輸送層、および支持基板を備えた層状の光導電
性作像体に正孔輸送分子として組み込むことができ、例
えば米国特許第４，２６５，９９０号を参照されたい。
上述の層状の光導電性作像体は、光発生層が電荷輸送層
と基板との間に配置されるときには負に帯電でき、電荷
輸送層が光発生層と支持基板との間に配置されるときに
は正に帯電できる。層状の光導電性作像体は、特に、負
または正に帯電された画像が適切な電荷のトナー組成物
で可視像にされるゼログラフィ作像およびプリントプロ
セスなどの電子写真作像プロセス等を含む既知の作像お
よびプリントプロセスならびにデジタル処理に用いるこ
とができる。一般に、作像体は約５００ないし約８５０
ナノメートルの波長帯において敏感であるため、光源と
してダイオードレーザーを選択することができる。
体に用いるのに有用なアリールアミンの調製プロセスに
関し、より特定的には、本発明は、Ｎ，Ｎ−ビス（３，
４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニルアミンの調製
に関する。実施の形態において、本発明は、アリールア
ミン等の正孔輸送分子の調製のための改良されたプロセ
スであって、銅触媒が選択され、実施の形態においては
低温で行われるプロセスに関する。本発明のプロセスの
ために選択される触媒は、配位結合された銅塩、より特
定的には銅（Ｉ）塩を含み、配位子は、１，１０−フェ
ナントロリン、ピリジン等の単座第三級アミンおよび二
座第三級アミンであることを特徴とする。本発明のプロ
セスで得られる、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェ
ニル）−４−ビフェニルアミン等の生成物は、光発生
層、電荷輸送層、および支持基板を備えた層状の光導電
性作像体に正孔輸送分子として組み込むことができ、例
えば米国特許第４，２６５，９９０号を参照されたい。
上述の層状の光導電性作像体は、光発生層が電荷輸送層
と基板との間に配置されるときには負に帯電でき、電荷
輸送層が光発生層と支持基板との間に配置されるときに
は正に帯電できる。層状の光導電性作像体は、特に、負
または正に帯電された画像が適切な電荷のトナー組成物
で可視像にされるゼログラフィ作像およびプリントプロ
セスなどの電子写真作像プロセス等を含む既知の作像お
よびプリントプロセスならびにデジタル処理に用いるこ
とができる。一般に、作像体は約５００ないし約８５０
ナノメートルの波長帯において敏感であるため、光源と
してダイオードレーザーを選択することができる。
【０００２】
【従来の技術】電荷輸送分子の調製プロセスは、いくつ
か知られており、例えば、米国特許第４，２９９，９８
３号、第４，４８５，２６０号、第４，２４０，９８７
号、第４，７６４，６２５号、第４，２９９，９８３号
を参照されたい。上記のおよび他の従来技術は、高温、
例えば１６０℃での３−メチルジフェニルアミンおよび
ジヨードビフェニルのウルマン縮合を例示しており（第
４，７６４，６２５号特許を参照されたい）、酸化銅
（Ｉ）触媒等の銅触媒が選択される。これらのプロセス
では、発生される粗製の電荷輸送分子が、本発明のプロ
セスで得られる電荷輸送分子よりも、品質が劣り、純度
も低い。粗製の状態での純度が高くなると精製プロトコ
ルの選択の幅もかなり広がる。一般に、高温での反応は
やっかいな不純物を生みやすく、大がかりな精製を必要
とする。このことは、層状の光導電性ゼログラフィ作像
体における電荷輸送分子として用いる場合などの電子グ
レード純度の高い生成物が要求される場合には特に重要
となる。米国特許第４，２６５，９９０号を参照された
い。
か知られており、例えば、米国特許第４，２９９，９８
３号、第４，４８５，２６０号、第４，２４０，９８７
号、第４，７６４，６２５号、第４，２９９，９８３号
を参照されたい。上記のおよび他の従来技術は、高温、
例えば１６０℃での３−メチルジフェニルアミンおよび
ジヨードビフェニルのウルマン縮合を例示しており（第
４，７６４，６２５号特許を参照されたい）、酸化銅
（Ｉ）触媒等の銅触媒が選択される。これらのプロセス
では、発生される粗製の電荷輸送分子が、本発明のプロ
セスで得られる電荷輸送分子よりも、品質が劣り、純度
も低い。粗製の状態での純度が高くなると精製プロトコ
ルの選択の幅もかなり広がる。一般に、高温での反応は
やっかいな不純物を生みやすく、大がかりな精製を必要
とする。このことは、層状の光導電性ゼログラフィ作像
体における電荷輸送分子として用いる場合などの電子グ
レード純度の高い生成物が要求される場合には特に重要
となる。米国特許第４，２６５，９９０号を参照された
い。
【０００３】欧州特許公報ＥＰ０ ６１７ ００５ Ａ
２は、アリールアミン、特に式（Ｉ）のトリアクリルア
ミンを開示している。このアリールアミンは、３，４−
キシリデンをアセチル化し、その後アセチル化された生
成物をハロゲン化されたアリール化合物と縮合させて、
Ｎ−（３，４−ジメチルフェニル）−Ｎ−アリールアミ
ンを形成し、次に式Ａｒ2Ｘのハロゲン化されたアリー
ル化合物とジアリールアミン化合物を縮合させることに
よって調製することができ、金属銅粉末、硫酸銅、酸化
銅（Ｉ）、ヨウ化銅、硝酸銅の銅触媒が選択される。こ
の公報ではまた、縮合温度は２００℃と高く、反応には
たとえば３０時間というかなりの時間がかかり得ること
が示唆されている。
２は、アリールアミン、特に式（Ｉ）のトリアクリルア
ミンを開示している。このアリールアミンは、３，４−
キシリデンをアセチル化し、その後アセチル化された生
成物をハロゲン化されたアリール化合物と縮合させて、
Ｎ−（３，４−ジメチルフェニル）−Ｎ−アリールアミ
ンを形成し、次に式Ａｒ2Ｘのハロゲン化されたアリー
ル化合物とジアリールアミン化合物を縮合させることに
よって調製することができ、金属銅粉末、硫酸銅、酸化
銅（Ｉ）、ヨウ化銅、硝酸銅の銅触媒が選択される。こ
の公報ではまた、縮合温度は２００℃と高く、反応には
たとえば３０時間というかなりの時間がかかり得ること
が示唆されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】対照的に、本発明では
その実施の形態において、市販の原料からビス（３，４
−ジメチルフェニル）−４−ビフェニルアミンをかなり
緩やかな条件のもとで調製するプロセスが提供され、こ
のプロセスにおいては配位子触媒が選択されるが、この
触媒は上記特許公報では例示されていないと思われる。
さらに、本発明においては、その実施の形態において、
選択された銅配位子触媒によってアミン生成物の合成の
反応時間が短縮され、所望の生成物の純度が、たとえば
純度９５％と高く、この生成物を電子グレード（electr
onic grade）約９９．７％以上にさらに精製することが
容易に可能である。
その実施の形態において、市販の原料からビス（３，４
−ジメチルフェニル）−４−ビフェニルアミンをかなり
緩やかな条件のもとで調製するプロセスが提供され、こ
のプロセスにおいては配位子触媒が選択されるが、この
触媒は上記特許公報では例示されていないと思われる。
さらに、本発明においては、その実施の形態において、
選択された銅配位子触媒によってアミン生成物の合成の
反応時間が短縮され、所望の生成物の純度が、たとえば
純度９５％と高く、この生成物を電子グレード（electr
onic grade）約９９．７％以上にさらに精製することが
容易に可能である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、ウルマ
ン縮合反応によって電荷輸送成分を調製し、銅の有機配
位子が触媒アジュバントまたは触媒促進剤として選択さ
れるプロセスにある。
ン縮合反応によって電荷輸送成分を調製し、銅の有機配
位子が触媒アジュバントまたは触媒促進剤として選択さ
れるプロセスにある。
【０００６】本発明の別の目的は、アリールアミン、特
に、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−４−
ビフェニルアミンを迅速に、高い純度で、かつ優れた収
率をもたらすように調製するための経済的にコストを削
減できるプロセスを提供することである。
に、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−４−
ビフェニルアミンを迅速に、高い純度で、かつ優れた収
率をもたらすように調製するための経済的にコストを削
減できるプロセスを提供することである。
【０００７】さらに、本発明のさらに別の目的は、以下
のような正孔輸送分子の調製プロセスを提供することで
あって、すなわち、反応温度が、市販の正孔輸送アリー
ルアミンの調製で現在用いられている約１６０ないし約
２２０℃を下回る温度であり、より特定的には、本発明
の反応は実施の形態においては、たとえば２００℃より
も８０℃低い温度で、さらに特定的には１２５℃で達成
でき、１，１０−フェナントロリンキレート化剤や、塩
化銅（Ｉ）等の生成物などの新規な触媒が触媒として選
択されるプロセスを提供することである。上述のよう
に、温度がより低く、反応条件がより緩やかに、かつ、
反応時間がより短くなることによって、プロセスがより
簡単なものとなり、純粋な、すなわち、例えば電子グレ
ードの高い、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニ
ル）−４−ビフェニルアミンのアリールアミンの調製プ
ロトコルがより効率の良いものとなると考えられる。
のような正孔輸送分子の調製プロセスを提供することで
あって、すなわち、反応温度が、市販の正孔輸送アリー
ルアミンの調製で現在用いられている約１６０ないし約
２２０℃を下回る温度であり、より特定的には、本発明
の反応は実施の形態においては、たとえば２００℃より
も８０℃低い温度で、さらに特定的には１２５℃で達成
でき、１，１０−フェナントロリンキレート化剤や、塩
化銅（Ｉ）等の生成物などの新規な触媒が触媒として選
択されるプロセスを提供することである。上述のよう
に、温度がより低く、反応条件がより緩やかに、かつ、
反応時間がより短くなることによって、プロセスがより
簡単なものとなり、純粋な、すなわち、例えば電子グレ
ードの高い、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニ
ル）−４−ビフェニルアミンのアリールアミンの調製プ
ロトコルがより効率の良いものとなると考えられる。
【０００８】本発明は、その実施の形態において、アリ
ールアミンの調製プロセスに関し、より具体的には、
Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフ
ェニルアミンの調製プロセスに関し、上記アミンを層状
の光導電性作像体における電荷輸送分子として選択する
ことができる。米国特許第４，７６４，６２５号を参照
されたい。本発明の実施の形態におけるプロセスは、ビ
ス（３，４−ジメチルフェニル）アミン等の適切なアミ
ンとヨードビフェニル、特に４−ヨードビフェニルとを
配位結合された銅触媒の存在下で反応させることを含
み、配位子は、単座第三級アミンと二座第三級アミンと
からなる群から選択される。Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジ
メチルフェニル）アミン等の適切なアミンは、E.I.DuPo
nt 社等のいくつかの化学系企業から入手できるととも
に、既知のゴールドバーグアリール化反応によって調製
することもできる。
ールアミンの調製プロセスに関し、より具体的には、
Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフ
ェニルアミンの調製プロセスに関し、上記アミンを層状
の光導電性作像体における電荷輸送分子として選択する
ことができる。米国特許第４，７６４，６２５号を参照
されたい。本発明の実施の形態におけるプロセスは、ビ
ス（３，４−ジメチルフェニル）アミン等の適切なアミ
ンとヨードビフェニル、特に４−ヨードビフェニルとを
配位結合された銅触媒の存在下で反応させることを含
み、配位子は、単座第三級アミンと二座第三級アミンと
からなる群から選択される。Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジ
メチルフェニル）アミン等の適切なアミンは、E.I.DuPo
nt 社等のいくつかの化学系企業から入手できるととも
に、既知のゴールドバーグアリール化反応によって調製
することもできる。
【０００９】本発明の実施の形態は、例えば、アリール
アミンの調製プロセスを含み、より特定的には、Ｎ，Ｎ
−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニル
アミンの調製プロセスを含み、このプロセスは、ビス
（３，４−ジメチルフェニル）アミンとジアルキル、好
ましくはジメチル、ヨードベンゼンとの反応を含み、こ
の反応は配位結合された銅触媒の存在下で行われ、配位
子は、単座第三級アミンと二座第三級アミンとからなる
群から選択される。好ましくは、このビス（３，４−ジ
メチルフェニル）アミン反応物は、ジアルキルベンゼ
ン、好ましくは４−ヨード−ｏ−キシレンと、ジアルキ
ル、好ましくは３，４−ジメチルベンゼンアセトアミド
との反応によって調製される。反応は、例えば摂氏約１
２０℃ないし約１５０℃、好ましくは約１２０℃ないし
約１４０℃、より好ましくは約１２５℃の低温で行うこ
とができ、触媒は、１，１０−フェナントロレート（ph
enanthrolato）銅（Ｉ）（一価）クロライド、ジピリジ
ノ銅（Ｉ）クロライド、１，１０−フェナントロレート
銅（Ｉ）ブロマイド、ジピリジノ銅（Ｉ）ブロマイド、
１，１０−フェナントロレート銅（Ｉ）クロライド、
１，１０−フェナントロレート銅（Ｉ）ブロマイド、ま
たはジピリジノ銅（Ｉ）ブロマイドである。選択される
触媒は重要であり、実施の形態においては、有機配位子
を含む銅を含み、配位子は、ここで示されるような単座
第三級アミンと二座第三級アミンからなる群から選択さ
れ、より具体的には、（１，１０−フェナントロレー
ト）Ｃｕ（Ｘ）およびビス（ピリジナート(pyridinat
o)）Ｃｕ（Ｘ）等の銅触媒または化合物であって、ここ
でＸはクロライド（塩化物）等のハロゲン化物である。
銅塩の配位結合は、触媒の効率を大幅に向上させ、これ
によって反応が起こるのが非常に速くなり、一般により
低温で、数時間で起こることとなる。
アミンの調製プロセスを含み、より特定的には、Ｎ，Ｎ
−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニル
アミンの調製プロセスを含み、このプロセスは、ビス
（３，４−ジメチルフェニル）アミンとジアルキル、好
ましくはジメチル、ヨードベンゼンとの反応を含み、こ
の反応は配位結合された銅触媒の存在下で行われ、配位
子は、単座第三級アミンと二座第三級アミンとからなる
群から選択される。好ましくは、このビス（３，４−ジ
メチルフェニル）アミン反応物は、ジアルキルベンゼ
ン、好ましくは４−ヨード−ｏ−キシレンと、ジアルキ
ル、好ましくは３，４−ジメチルベンゼンアセトアミド
との反応によって調製される。反応は、例えば摂氏約１
２０℃ないし約１５０℃、好ましくは約１２０℃ないし
約１４０℃、より好ましくは約１２５℃の低温で行うこ
とができ、触媒は、１，１０−フェナントロレート（ph
enanthrolato）銅（Ｉ）（一価）クロライド、ジピリジ
ノ銅（Ｉ）クロライド、１，１０−フェナントロレート
銅（Ｉ）ブロマイド、ジピリジノ銅（Ｉ）ブロマイド、
１，１０−フェナントロレート銅（Ｉ）クロライド、
１，１０−フェナントロレート銅（Ｉ）ブロマイド、ま
たはジピリジノ銅（Ｉ）ブロマイドである。選択される
触媒は重要であり、実施の形態においては、有機配位子
を含む銅を含み、配位子は、ここで示されるような単座
第三級アミンと二座第三級アミンからなる群から選択さ
れ、より具体的には、（１，１０−フェナントロレー
ト）Ｃｕ（Ｘ）およびビス（ピリジナート(pyridinat
o)）Ｃｕ（Ｘ）等の銅触媒または化合物であって、ここ
でＸはクロライド（塩化物）等のハロゲン化物である。
銅塩の配位結合は、触媒の効率を大幅に向上させ、これ
によって反応が起こるのが非常に速くなり、一般により
低温で、数時間で起こることとなる。
【００１０】本発明のプロセスのために選択される重要
な触媒はここで例示されるようなものであり、実施の形
態においては、クロライド、ブロマイド（臭化物）、ヨ
ウ化物、およびフッ化物等のハロゲン化物の塩を含む配
位結合された銅塩、特に銅（Ｉ）を含み、配位子は、
１，１０−フェナントロリンまたはピリジン等の単座第
三級アミン、または二座第三級アミンである。選択され
る触媒の量は様々であってもよく、一般的には、触媒は
その有効量が用いられ、たとえば、反応物の約１ないし
約２０モルパーセント、好ましくは制限反応物の約５な
いし約１２モルパーセントが用いられる。配位子銅触媒
に求められる構造式の例は同時係属中の出願に例示され
るようなものであり、以下を含む。
な触媒はここで例示されるようなものであり、実施の形
態においては、クロライド、ブロマイド（臭化物）、ヨ
ウ化物、およびフッ化物等のハロゲン化物の塩を含む配
位結合された銅塩、特に銅（Ｉ）を含み、配位子は、
１，１０−フェナントロリンまたはピリジン等の単座第
三級アミン、または二座第三級アミンである。選択され
る触媒の量は様々であってもよく、一般的には、触媒は
その有効量が用いられ、たとえば、反応物の約１ないし
約２０モルパーセント、好ましくは制限反応物の約５な
いし約１２モルパーセントが用いられる。配位子銅触媒
に求められる構造式の例は同時係属中の出願に例示され
るようなものであり、以下を含む。
【００１１】
【化１】 実施の形態においては、触媒は１，１０−フェナントロ
レート銅（Ｉ）クロライド、ジピリジノ銅（Ｉ）クロラ
イド、１，１０−フェナントロレート銅（Ｉ）ブロマイ
ド、ジピリジノ銅（Ｉ）ブロマイド等を含む。
レート銅（Ｉ）クロライド、ジピリジノ銅（Ｉ）クロラ
イド、１，１０−フェナントロレート銅（Ｉ）ブロマイ
ド、ジピリジノ銅（Ｉ）ブロマイド等を含む。
【００１２】触媒はここで例示するように調製すること
ができ、より具体的には、１，１０−フェナントロリン
等の適切な配位子とハロゲン化物（たとえば塩化銅
（Ｉ））等の銅塩の反応によって調製することができ、
この反応は、たとえば約７０℃から約１２５℃の加熱で
達成される。反応混合物は冷却され、生成された触媒
は、濾過などによって分離されてもよいと考えられる。
好ましくは、触媒は、インシトゥ（in situ）で調製、
または生成される。
ができ、より具体的には、１，１０−フェナントロリン
等の適切な配位子とハロゲン化物（たとえば塩化銅
（Ｉ））等の銅塩の反応によって調製することができ、
この反応は、たとえば約７０℃から約１２５℃の加熱で
達成される。反応混合物は冷却され、生成された触媒
は、濾過などによって分離されてもよいと考えられる。
好ましくは、触媒は、インシトゥ（in situ）で調製、
または生成される。
【００１３】実施の形態において、本発明はアリールア
ミンの調製プロセスに関し、より具体的には、配位子銅
触媒の存在下でのＮ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェ
ニル）アミンとヨードビフェニルの反応を含む、Ｎ，Ｎ
−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニル
アミンの調製プロセスに関し、配位子は、単座第三級ア
ミンと二座第三級アミンとからなる群から選択され、反
応は、好ましくは約１２０℃ないし約１５０℃の温度で
加熱して行われる。ヨードビフェニルは、４−ヨードビ
フェニルであり、加熱後、冷却して、Ｎ，Ｎ−ビス
（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニルアミン
生成物が単離される。ここで、温度は約１２０℃ないし
約１４０℃であり、至適には約１２５℃である。配位結
合される銅触媒の約０．０１ないし約０．１モル当量が
選択され、ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミンの
量は、約０．９５ないし約１．１モル当量であり、ヨー
ドビフェニルの量は１モル当量である。ここで、反応
は、３００ないし４００ミリリットルのトルエンまたは
キシレン等の不活性炭化水素溶媒の存在下で行われ、触
媒は、１，１０−フェナントロレート銅（Ｉ）（一価）
クロライドと、ジピリジノ銅（Ｉ）クロライドと、１，
１０−フェナントロレート銅（Ｉ）ブロマイドと、ジピ
リジノ銅（Ｉ）ブロマイドと、１，１０−フェナントロ
レート銅（Ｉ）クロライドとからなる群から選択され
る。このように、本発明は、配位子銅触媒の存在下での
Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミンとヨ
ードビフェニルの反応を含む、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−
ジメチルフェニル）−４−ビフェニルアミンの調製プロ
セスであって、配位子が単座第三級アミンと二座第三級
アミンとからなる群から選択されるプロセスを提供す
る。
ミンの調製プロセスに関し、より具体的には、配位子銅
触媒の存在下でのＮ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェ
ニル）アミンとヨードビフェニルの反応を含む、Ｎ，Ｎ
−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニル
アミンの調製プロセスに関し、配位子は、単座第三級ア
ミンと二座第三級アミンとからなる群から選択され、反
応は、好ましくは約１２０℃ないし約１５０℃の温度で
加熱して行われる。ヨードビフェニルは、４−ヨードビ
フェニルであり、加熱後、冷却して、Ｎ，Ｎ−ビス
（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニルアミン
生成物が単離される。ここで、温度は約１２０℃ないし
約１４０℃であり、至適には約１２５℃である。配位結
合される銅触媒の約０．０１ないし約０．１モル当量が
選択され、ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミンの
量は、約０．９５ないし約１．１モル当量であり、ヨー
ドビフェニルの量は１モル当量である。ここで、反応
は、３００ないし４００ミリリットルのトルエンまたは
キシレン等の不活性炭化水素溶媒の存在下で行われ、触
媒は、１，１０−フェナントロレート銅（Ｉ）（一価）
クロライドと、ジピリジノ銅（Ｉ）クロライドと、１，
１０−フェナントロレート銅（Ｉ）ブロマイドと、ジピ
リジノ銅（Ｉ）ブロマイドと、１，１０−フェナントロ
レート銅（Ｉ）クロライドとからなる群から選択され
る。このように、本発明は、配位子銅触媒の存在下での
Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミンとヨ
ードビフェニルの反応を含む、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−
ジメチルフェニル）−４−ビフェニルアミンの調製プロ
セスであって、配位子が単座第三級アミンと二座第三級
アミンとからなる群から選択されるプロセスを提供す
る。
【００１４】本発明の実施の形態は、Ｎ，Ｎ−ビス
（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニルアミン
の調製プロセスに関し、このプロセスは、配位子銅触媒
の存在下でのＮ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニ
ル）アミンとヨードビフェニルの反応を含み、配位子
は、単座第三級アミンと二座第三級アミンとからなる群
から選択され、この反応は、約１２０℃ないし約１５０
℃の温度で行われる。ここで、ヨードビフェニルは４−
ヨードビフェニルであり、加熱後、冷却を行って、Ｎ，
Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニ
ルアミン生成物が高い収率かつ優れた純度で単離され、
温度は好ましくは約１２０℃ないし約１４０℃であり、
至適には、温度は約１２５℃である。約０．０１ないし
約０．１モル当量の配位結合された銅触媒が選択され、
選択されるビス（３，４−ジメチルフェニル）アミンの
量は、約０．９５ないし約１．１モル当量であり、選択
されるヨードビフェニルの量は、約１モル当量であり、
反応は、トルエンまたはキシレンの有機溶媒等の炭化水
素溶媒の存在下で行われる。銅は銅（Ｉ）であり、配位
子は、１，１０−フェナントロリンピリジンとピリジン
からなる群から選択される。ここで、Ｎ，Ｎ−ビス
（３，４−ジメチルフェニル）アミンの式は以下の通り
である。
（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニルアミン
の調製プロセスに関し、このプロセスは、配位子銅触媒
の存在下でのＮ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニ
ル）アミンとヨードビフェニルの反応を含み、配位子
は、単座第三級アミンと二座第三級アミンとからなる群
から選択され、この反応は、約１２０℃ないし約１５０
℃の温度で行われる。ここで、ヨードビフェニルは４−
ヨードビフェニルであり、加熱後、冷却を行って、Ｎ，
Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニ
ルアミン生成物が高い収率かつ優れた純度で単離され、
温度は好ましくは約１２０℃ないし約１４０℃であり、
至適には、温度は約１２５℃である。約０．０１ないし
約０．１モル当量の配位結合された銅触媒が選択され、
選択されるビス（３，４−ジメチルフェニル）アミンの
量は、約０．９５ないし約１．１モル当量であり、選択
されるヨードビフェニルの量は、約１モル当量であり、
反応は、トルエンまたはキシレンの有機溶媒等の炭化水
素溶媒の存在下で行われる。銅は銅（Ｉ）であり、配位
子は、１，１０−フェナントロリンピリジンとピリジン
からなる群から選択される。ここで、Ｎ，Ｎ−ビス
（３，４−ジメチルフェニル）アミンの式は以下の通り
である。
【００１５】
【化２】 さらに、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−
４−ビフェニルアミン生成物の式は以下の通りである。
４−ビフェニルアミン生成物の式は以下の通りである。
【００１６】
【化３】 さらに、ヨードビフェニルの式は以下の通りである。
【００１７】
【化４】 より好ましくは、温度は約１２０℃ないし約１３０℃で
あり、加熱後、冷却が行われ、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−
ジメチルフェニル）−４−ビフェニルアミン生成物が単
離される。このように、本発明は、Ｎ，Ｎ−ビス（３，
４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニルアミンの調製
プロセスを提供し、このプロセスは、配位子銅触媒の存
在下でのビス（３，４−ジメチルフェニル）アミンと４
−ヨードビフェニルの反応を含み、配位子は、単座第三
級アミンと二座第三級アミンとからなる群から選択さ
れ、反応は有効温度で行われた後、冷却され、Ｎ，Ｎ−
ビス（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニルア
ミン生成物を単離する。このプロセスにおいて、温度は
約１２０℃ないし約１３０℃であり、触媒は、１，１０
−フェナントロレート銅（Ｉ）（一価）クロライドと、
ジピリジノ銅（Ｉ）クロライドと、１，１０−フェナン
トロレート銅（Ｉ）ブロマイドと、ジピリジノ銅（Ｉ）
ブロマイドと、１，１０−フェナントロレート銅（Ｉ）
クロライドとからなる群から選択され、以下の式のいず
れかを有する。
あり、加熱後、冷却が行われ、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−
ジメチルフェニル）−４−ビフェニルアミン生成物が単
離される。このように、本発明は、Ｎ，Ｎ−ビス（３，
４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニルアミンの調製
プロセスを提供し、このプロセスは、配位子銅触媒の存
在下でのビス（３，４−ジメチルフェニル）アミンと４
−ヨードビフェニルの反応を含み、配位子は、単座第三
級アミンと二座第三級アミンとからなる群から選択さ
れ、反応は有効温度で行われた後、冷却され、Ｎ，Ｎ−
ビス（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニルア
ミン生成物を単離する。このプロセスにおいて、温度は
約１２０℃ないし約１３０℃であり、触媒は、１，１０
−フェナントロレート銅（Ｉ）（一価）クロライドと、
ジピリジノ銅（Ｉ）クロライドと、１，１０−フェナン
トロレート銅（Ｉ）ブロマイドと、ジピリジノ銅（Ｉ）
ブロマイドと、１，１０−フェナントロレート銅（Ｉ）
クロライドとからなる群から選択され、以下の式のいず
れかを有する。
【００１８】
【化５】 ここで、Ｘは、クロライド、ブロマイド、ヨウ化物、ま
たはフッ化物等のハロゲン化物、好ましくはクロライド
である。このように、本発明は、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４
−ジメチルフェニル）−４−ビフェニルアミンの調製プ
ロセスを提供し、このプロセスは、配位子銅触媒の存在
下でのＮ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミ
ンとヨードビフェニルとの反応によるものであり、配位
子は、単座第三級アミンと二座第三級アミンとからなる
群から選択される。
たはフッ化物等のハロゲン化物、好ましくはクロライド
である。このように、本発明は、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４
−ジメチルフェニル）−４−ビフェニルアミンの調製プ
ロセスを提供し、このプロセスは、配位子銅触媒の存在
下でのＮ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミ
ンとヨードビフェニルとの反応によるものであり、配位
子は、単座第三級アミンと二座第三級アミンとからなる
群から選択される。
【００１９】本発明の一実施形態は、以下のようなＮ，
Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニ
ルアミンの合成を含む。機械攪拌子、不活性ガスパージ
ング装置、ディーン・スターク（Dean-Stark）トラッ
プ、および還流冷却器を取り付けた適切な反応フラスコ
に以下の順に物質を入れる。すなわち、約０．０５モル
の４−ヨードビフェニルと、約０．４５ないし約０．０
６モル、好ましくは０．５５モルのＮ，Ｎ−ビス−
（３，４−ジメチルフェニル）アミンと、約０．００１
ないし約０．００５モル、好ましくは０．００２５モル
の塩化銅（Ｉ）と、約０．００１ないし約０．００５、
好ましくは０．００２５モルの１，１０−フェナントロ
リンと、約０．３ないし約０．６モル、好ましくは約
０．４モルの薄片状の水酸化カリウムと、約２０ミリリ
ットルのトルエン溶媒とを入れる。反応混合物を急速に
加熱し、還流させ、クロマトグラフィ分析によって反応
が完了したことが明らかになるまで１２０℃に保つ。共
沸蒸留によって、反応水を回収する。典型的には、反応
が完了するまでには３ないし４時間を要する。室温まで
冷却した後、反応混合物を、約２００ミリリットルのト
ルエンと１５０ミリリットルの脱イオン水とに分配させ
る。結果として得られる層を分離し、有機相を水の共沸
蒸留によって乾燥させる。その後、トルエン溶液を約１
０グラムの酸洗浄クレー「Filtrol-24」（登録商標）、
約１０グラムの「Alcoa CG-20」アルミナで処理し、お
おむね脱色する。トルエン溶液を濾過し、溶媒の蒸発、
および生成物の再結晶化によって生成物を回収すること
ができる。高性能液体クロマトグラフィ等の分析法によ
って識別できる生成物は、ここで示すように実施の形態
において高い純度、具体的にはＨＰＬＣ（高性能液体ク
ロマトグラフィ）で約９７ないし約９９パーセントの純
度を示した。
Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフェニ
ルアミンの合成を含む。機械攪拌子、不活性ガスパージ
ング装置、ディーン・スターク（Dean-Stark）トラッ
プ、および還流冷却器を取り付けた適切な反応フラスコ
に以下の順に物質を入れる。すなわち、約０．０５モル
の４−ヨードビフェニルと、約０．４５ないし約０．０
６モル、好ましくは０．５５モルのＮ，Ｎ−ビス−
（３，４−ジメチルフェニル）アミンと、約０．００１
ないし約０．００５モル、好ましくは０．００２５モル
の塩化銅（Ｉ）と、約０．００１ないし約０．００５、
好ましくは０．００２５モルの１，１０−フェナントロ
リンと、約０．３ないし約０．６モル、好ましくは約
０．４モルの薄片状の水酸化カリウムと、約２０ミリリ
ットルのトルエン溶媒とを入れる。反応混合物を急速に
加熱し、還流させ、クロマトグラフィ分析によって反応
が完了したことが明らかになるまで１２０℃に保つ。共
沸蒸留によって、反応水を回収する。典型的には、反応
が完了するまでには３ないし４時間を要する。室温まで
冷却した後、反応混合物を、約２００ミリリットルのト
ルエンと１５０ミリリットルの脱イオン水とに分配させ
る。結果として得られる層を分離し、有機相を水の共沸
蒸留によって乾燥させる。その後、トルエン溶液を約１
０グラムの酸洗浄クレー「Filtrol-24」（登録商標）、
約１０グラムの「Alcoa CG-20」アルミナで処理し、お
おむね脱色する。トルエン溶液を濾過し、溶媒の蒸発、
および生成物の再結晶化によって生成物を回収すること
ができる。高性能液体クロマトグラフィ等の分析法によ
って識別できる生成物は、ここで示すように実施の形態
において高い純度、具体的にはＨＰＬＣ（高性能液体ク
ロマトグラフィ）で約９７ないし約９９パーセントの純
度を示した。
【００２０】本発明のプロセスで生成される電荷輸送ア
ミンを含有した層状の光応答性（photoresponsive）作
像体は、様々な形態で提供することが可能である。実施
の形態において、層状の光応答性作像体は、支持基板
と、特に本発明のプロセスで得られるアリールアミン正
孔輸送を含む電荷輸送層と、その間に配置される光発生
層とを含み、光発生層の例としては、フタロシアニン、
ヒドロキシガリウムフタロシアニン（特にタイプＶ）、
チタニルフタロシアニン、ペリレン（特にＢＺＰ）、セ
レン（特に三方晶系セレン）、セレン合金や、他の有効
な既知の光発生顔料を含むものなどが挙げられる。さら
に、支持基板と、電荷輸送層、特にアリールアミン正孔
輸送層と、上層のオーバーコート層としての光発生層と
を含む、正に帯電される層状の光応答性または光導電性
作像体が開示される。さらに、支持基板と、薄い接着層
と、ポリマー樹脂結合剤に分散される光発生層と、ポリ
マー樹脂結合剤に分散される上層のアリールアミン正孔
輸送分子とを含む、負に帯電される光応答性作像体が提
供され、上記アリールアミン分子は本発明のプロセスで
得ることができる。
ミンを含有した層状の光応答性（photoresponsive）作
像体は、様々な形態で提供することが可能である。実施
の形態において、層状の光応答性作像体は、支持基板
と、特に本発明のプロセスで得られるアリールアミン正
孔輸送を含む電荷輸送層と、その間に配置される光発生
層とを含み、光発生層の例としては、フタロシアニン、
ヒドロキシガリウムフタロシアニン（特にタイプＶ）、
チタニルフタロシアニン、ペリレン（特にＢＺＰ）、セ
レン（特に三方晶系セレン）、セレン合金や、他の有効
な既知の光発生顔料を含むものなどが挙げられる。さら
に、支持基板と、電荷輸送層、特にアリールアミン正孔
輸送層と、上層のオーバーコート層としての光発生層と
を含む、正に帯電される層状の光応答性または光導電性
作像体が開示される。さらに、支持基板と、薄い接着層
と、ポリマー樹脂結合剤に分散される光発生層と、ポリ
マー樹脂結合剤に分散される上層のアリールアミン正孔
輸送分子とを含む、負に帯電される光応答性作像体が提
供され、上記アリールアミン分子は本発明のプロセスで
得ることができる。
【００２１】作像体のために選択される基板層は、不透
明であっても良いし、または実質的に透明であっても良
く、必要とされる機械的特性を有していればいかなる適
切な材料を含んでも良い。従って、基板は、市販のポリ
マーである「ＭＹＬＡＲ」（登録商標）、チタン含有
「ＭＹＬＡＲ」等の無機または有機ポリマー材料を含む
絶縁材料層、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の半導体
表面層またはその上に塗布されたアルミニウムを有する
有機または無機材料層、または、アルミニウム、クロ
ム、ニッケル、真鍮等の導電材料層を含んでも良い。
明であっても良いし、または実質的に透明であっても良
く、必要とされる機械的特性を有していればいかなる適
切な材料を含んでも良い。従って、基板は、市販のポリ
マーである「ＭＹＬＡＲ」（登録商標）、チタン含有
「ＭＹＬＡＲ」等の無機または有機ポリマー材料を含む
絶縁材料層、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の半導体
表面層またはその上に塗布されたアルミニウムを有する
有機または無機材料層、または、アルミニウム、クロ
ム、ニッケル、真鍮等の導電材料層を含んでも良い。
【００２２】一般に、光発生層の厚さは、他の層の厚さ
や、その層に含まれる光発生材料の量等のいくつかの要
因に依存する。従って、この層は、光発生組成層が約５
体積パーセントないし約１００体積パーセントの量で存
在する場合には、約０．０５ミクロンないし約１０ミク
ロンの厚さであろう。光発生結合樹脂は、ポリ（ビニル
ブチラール）、ポリ（ビニルカルバゾール）、ポリエス
テル、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリアクリ
ル酸エステル、メタクリル酸エステル、塩化ビニルと酢
酸ビニルのコポリマー、フェノキシ樹脂、ポリウレタ
ン、ポリビニルアルコール、ポリアクリロニトリル、ポ
リスチレン等のいくつかの既知のポリマーから選択され
ても良い。これらの結合剤または樹脂を溶解する溶媒は
その特定の樹脂に依存する。実施の形態においては、装
置の他のコート層に影響を及ぼさない溶媒を選択するこ
とが望ましい。有用な溶媒の例としては、ケトン、アル
コール、芳香族炭化水素、ハロゲン化脂肪族炭化水素、
エーテル、アミン、アミド、エステル等が挙げられる。
や、その層に含まれる光発生材料の量等のいくつかの要
因に依存する。従って、この層は、光発生組成層が約５
体積パーセントないし約１００体積パーセントの量で存
在する場合には、約０．０５ミクロンないし約１０ミク
ロンの厚さであろう。光発生結合樹脂は、ポリ（ビニル
ブチラール）、ポリ（ビニルカルバゾール）、ポリエス
テル、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリアクリ
ル酸エステル、メタクリル酸エステル、塩化ビニルと酢
酸ビニルのコポリマー、フェノキシ樹脂、ポリウレタ
ン、ポリビニルアルコール、ポリアクリロニトリル、ポ
リスチレン等のいくつかの既知のポリマーから選択され
ても良い。これらの結合剤または樹脂を溶解する溶媒は
その特定の樹脂に依存する。実施の形態においては、装
置の他のコート層に影響を及ぼさない溶媒を選択するこ
とが望ましい。有用な溶媒の例としては、ケトン、アル
コール、芳香族炭化水素、ハロゲン化脂肪族炭化水素、
エーテル、アミン、アミド、エステル等が挙げられる。
【００２３】光発生顔料分散体のコーティングは、約４
０℃ないし約１５０℃で約５分ないし約９０分乾燥させ
た後で電荷発生層の最終の乾燥した厚さが約０．０１な
いし約３０ミクロン、好ましくは約０．１ないし約１５
ミクロンとなるように、スプレーコーティング、ディッ
プコーティング、ワイヤーバーコーティング法で行うこ
とができる。
０℃ないし約１５０℃で約５分ないし約９０分乾燥させ
た後で電荷発生層の最終の乾燥した厚さが約０．０１な
いし約３０ミクロン、好ましくは約０．１ないし約１５
ミクロンとなるように、スプレーコーティング、ディッ
プコーティング、ワイヤーバーコーティング法で行うこ
とができる。
【００２４】通常、接着層は支持基板と接するため、ポ
リエステル、ポリアミド、ポリ（ビニルブチラール）、
ポリ（ビニルアルコール）、ポリウレタン、およびポリ
アクリロニトリルを含む様々な既知の物質を選択するこ
とができる。この層は、約０．０５ミクロンないし約１
ミクロンの厚さである。必要に応じて、この層は、酸化
亜鉛、二酸化チタン、窒化シリコン、カーボンブラック
等の導電性および非導電性粒子を含んでもよく、それに
よって、本発明の実施の形態においては、例えば、望ま
しい電気的および光学的特性を与えるようにしてもよ
い。
リエステル、ポリアミド、ポリ（ビニルブチラール）、
ポリ（ビニルアルコール）、ポリウレタン、およびポリ
アクリロニトリルを含む様々な既知の物質を選択するこ
とができる。この層は、約０．０５ミクロンないし約１
ミクロンの厚さである。必要に応じて、この層は、酸化
亜鉛、二酸化チタン、窒化シリコン、カーボンブラック
等の導電性および非導電性粒子を含んでもよく、それに
よって、本発明の実施の形態においては、例えば、望ま
しい電気的および光学的特性を与えるようにしてもよ
い。
【００２５】電荷輸送層のために選択される絶縁性が高
く、かつ透明の樹脂材料または非活性の結合剤は、米国
特許第３，１２１，００６号に記載されるような結合剤
を含む。
く、かつ透明の樹脂材料または非活性の結合剤は、米国
特許第３，１２１，００６号に記載されるような結合剤
を含む。
【００２６】
【発明の実施の形態】実施の形態１． Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフ
ェニルアミンの合成 機械攪拌子、ディーン・スタークトラップ、および還流
冷却器を取り付けた５００ミリリットルの丸底フラスコ
に、１２．３９グラム（０．０５５モル）のビス（３，
４−ジメチルフェニル）アミンと、１４グラム（０．０
５０モル）の４−ヨードビフェニルと、０．２５グラム
（０．００２５モル）の塩化銅（Ｉ）と、０．４５グラ
ム（０．００２５モル）の１，１０−フェナントロリン
と、２２．４４グラム（０．４モル）の薄片（フレー
ク）状の水酸化カリウムと、２０ミリリットルのトルエ
ン溶媒とを入れた。反応物を急速に還流温度１２０℃ま
で加熱し、この温度に４時間保った後、クロマトグラフ
ィ分析で反応が完了したことを確認した。反応物を室
温、約２５℃まで冷却し、２００ミリリットルのトルエ
ンと１５０ミリリットルの脱イオン水に分配させた。結
果として得られる有機層を分離し、ディーン・スターク
トラップをつけた状態で溶媒の共沸蒸留によって水を除
去した。生成物をスラリーによって脱色し、トルエン溶
液を１０グラムの酸洗浄クレー「Filtrol-24」（登録商
標）、および１０グラムの「Alcoa CG-20」アルミナで
処理した。還流で３時間攪拌した後、溶液を保温漏斗に
かけてクレーとアルミナを除去し、室温まで冷却した。
溶液の蒸発とオクタンにより再結晶化させ、上述の生成
化合物を収率１０．２グラム（７６パーセント）で得た
とともに、この生成物は１１３．８℃で融解した。この
Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフ
ェニルアミンの生成物は、従来の手段によりさらに精製
するのに適しており、約９９パーセントの電子グレード
純度を示した。上記の反応の所要時間は計４時間と、短
縮された。
ェニルアミンの合成 機械攪拌子、ディーン・スタークトラップ、および還流
冷却器を取り付けた５００ミリリットルの丸底フラスコ
に、１２．３９グラム（０．０５５モル）のビス（３，
４−ジメチルフェニル）アミンと、１４グラム（０．０
５０モル）の４−ヨードビフェニルと、０．２５グラム
（０．００２５モル）の塩化銅（Ｉ）と、０．４５グラ
ム（０．００２５モル）の１，１０−フェナントロリン
と、２２．４４グラム（０．４モル）の薄片（フレー
ク）状の水酸化カリウムと、２０ミリリットルのトルエ
ン溶媒とを入れた。反応物を急速に還流温度１２０℃ま
で加熱し、この温度に４時間保った後、クロマトグラフ
ィ分析で反応が完了したことを確認した。反応物を室
温、約２５℃まで冷却し、２００ミリリットルのトルエ
ンと１５０ミリリットルの脱イオン水に分配させた。結
果として得られる有機層を分離し、ディーン・スターク
トラップをつけた状態で溶媒の共沸蒸留によって水を除
去した。生成物をスラリーによって脱色し、トルエン溶
液を１０グラムの酸洗浄クレー「Filtrol-24」（登録商
標）、および１０グラムの「Alcoa CG-20」アルミナで
処理した。還流で３時間攪拌した後、溶液を保温漏斗に
かけてクレーとアルミナを除去し、室温まで冷却した。
溶液の蒸発とオクタンにより再結晶化させ、上述の生成
化合物を収率１０．２グラム（７６パーセント）で得た
とともに、この生成物は１１３．８℃で融解した。この
Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−４−ビフ
ェニルアミンの生成物は、従来の手段によりさらに精製
するのに適しており、約９９パーセントの電子グレード
純度を示した。上記の反応の所要時間は計４時間と、短
縮された。
【００２７】上述の合成は、銅配位子触媒や反応物の量
が異なっても、または上記のものよりわずかに高いまた
は低い温度で行っても、繰り返しほぼ同じ結果を得るこ
とができると考えられ、生成物の純度は例えば９５ない
し９９パーセントと高く、関連の従来技術で２００℃で
あった温度が８０℃低い、例えば１２０℃から１５０℃
の温度を選択できると考えられる。
が異なっても、または上記のものよりわずかに高いまた
は低い温度で行っても、繰り返しほぼ同じ結果を得るこ
とができると考えられ、生成物の純度は例えば９５ない
し９９パーセントと高く、関連の従来技術で２００℃で
あった温度が８０℃低い、例えば１２０℃から１５０℃
の温度を選択できると考えられる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ベング エス オング カナダ オンタリオ州 ミシソーガ ハー ビー クレセント 2947
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニ
ル）−４−ビフェニルアミンの調製プロセスであって、
Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミンとヨ
ードビフェニルとを配位子銅触媒の存在下で反応させる
ステップを含み、配位子が、単座第三級アミンと二座第
三級アミンとからなる群から選択され、反応が、約１２
０℃ないし約１５０℃の温度で行われることを特徴とす
る調製プロセス。 - 【請求項２】 請求項１に記載の調製プロセスであっ
て、触媒が、１，１０−フェナントロレート銅（Ｉ）
（一価）クロライドと、ジピリジノ銅（Ｉ）クロライド
と、１，１０−フェナントロレート銅（Ｉ）ブロマイド
と、ジピリジノ銅（Ｉ）ブロマイドと、１，１０−フェ
ナントロレート銅（Ｉ）クロライドとからなる群から選
択されることを特徴とする調製プロセス。 - 【請求項３】 Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニ
ル）−４−ビフェニルアミンの調製プロセスであって、
Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）アミンとヨ
ードビフェニルを配位子銅触媒の存在下で反応させるス
テップを含み、配位子が単座第三級アミンと二座第三級
アミンとからなる群から選択されることを特徴とする調
製プロセス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/791,694 US5723669A (en) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | Arylamine processes |
| US08/791,694 | 1997-01-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10212267A true JPH10212267A (ja) | 1998-08-11 |
| JP4163274B2 JP4163274B2 (ja) | 2008-10-08 |
Family
ID=25154508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01030698A Expired - Fee Related JP4163274B2 (ja) | 1997-01-30 | 1998-01-22 | アリールアミンの調製方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5723669A (ja) |
| EP (1) | EP0856508A1 (ja) |
| JP (1) | JP4163274B2 (ja) |
Cited By (1)
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