JP4138061B2 - アリールアミンの調製プロセス - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は一般に光導電性作像体に用いるのに有用なアリールアミンの調製プロセスに関し、より特定的には、本発明は、N,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)−4−ビフェニルアミンの調製に関する。実施の形態において、本発明は、アリールアミン等の正孔輸送分子の調製のための改良されたプロセスであって、銅触媒が選択され、実施の形態においては低温で行われるプロセスに関する。本発明のプロセスのために選択される触媒は、配位結合された銅塩、より特定的には銅(I)塩を含み、配位子は、1,10−フェナントロリン、ピリジン等の単座第三級アミンおよび二座第三級アミンであることを特徴とする。本発明のプロセスで得られる、N,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)−4−ビフェニルアミン等の生成物は、光発生層、電荷輸送層、および支持基板を備えた層状の光導電性作像体に組み込むことができ、例えば米国特許第4,265,990号を参照されたい。この特許の開示はここにその全体が引用により援用される。上述の層状の光導電性作像体は、光発生層が電荷輸送層と基板との間に配置されるときには負に帯電でき、電荷輸送層が光発生層と支持基板との間に配置されるときには正に帯電できる。層状の光導電性作像体は、特に、負または正に帯電された画像が適切な電荷のトナー組成物で可視像にされるゼログラフィ作像およびプリントプロセスなどの電子写真作像プロセス等を含む既知の作像およびプリントプロセスならびにデジタル処理に用いることができる。一般に、作像体は約500ないし約850ナノメートルの波長帯において敏感であるため、光源としてダイオードレーザーを選択することができる。
【0002】
【従来の技術】
電荷輸送分子の調製プロセスは、いくつか知られており、例えば、米国特許第4,299,983号、第4,485,260号、第4,240,987号、第4,764,625号、第4,299,983号を参照されたい。上記各特許の開示はここにその全体を引用により援用する。上記のおよび他の従来技術は、高温、例えば160℃での3−メチルジフェニルアミンおよびジヨードビフェニルのウルマン縮合を例示しており(第4,764,625号特許を参照されたい)、配位結合されていない酸化銅(I)触媒が選択される。これらのプロセスでは、発生される粗製の電荷輸送分子が、本発明のプロセスで得られる電荷輸送分子よりも、品質が劣り、純度も低い。粗製の状態での純度が高くなると精製プロトコルの選択の幅もかなり広がる。また、高温での反応はやっかいな不純物を生みやすく、大がかりな精製を必要とする。このことは、層状の光導電性ゼログラフィ作像体における電荷輸送分子として用いる場合などの電子グレード純度の高い生成物が要求される場合には特に重要となる。米国特許第4,265,990号を参照されたい。この特許の開示はここにその全体を引用により援用する。さらに、より低温で行うことによって、エネルギの要求が小さくなることなどから、これらのプロセスのコスト面によい影響を与える。
【0003】
欧州特許公報EP0 617 005 A2は、アリールアミン、特に式(I)のトリアクリルアミンを開示している。このアリールアミンは、3,4−キシリデンをアセチル化し、その後アセチル化された生成物をハロゲン化されたアリール化合物と縮合させて、N−(3,4−ジメチルフェニル)−N−アリールアミンを形成し、次に式Ar2Xのハロゲン化されたアリール化合物とジアリールアミン化合物を縮合させることによって調製することができ(例えば、上記特許公報の4ページを参照されたい)、金属銅粉末、硫酸銅、酸化銅(I)、ヨウ化銅、硝酸銅の銅触媒が選択される(4ページ46行目以降を参照されたい)。この公報ではまた、縮合温度が200℃と高く、反応にはたとえば30時間というかなりの時間がかかり得ることが示唆されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記EPO特許公報に示されているプロセスでは、所望の生成物を得るために、明らかに、高温で長時間にわたる反応が必要とされている。対照的に、本発明ではその実施の形態において、ビス(3,4−ジメチルフェニル)−4−ビフェニルアミンをかなり緩やかな条件のもとで調製し、配位子触媒が選択されるプロセスが提供される。さらに、本発明では、その実施の形態において、選択された銅配位子触媒によってアミン生成物の合成の反応時間が短縮され、所望の生成物の純度が、たとえば純度95%と高く、この生成物を電子グレード(electronic grade)約99.7%以上にさらに精製することが容易に可能である。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的の例は、実施の形態において、以下のものを含む。
【0006】
本発明の一目的は、電荷輸送アリールアミンの調製プロセスであって、ここで例示する多くの利点を有し、かつ結果として得られる電荷輸送、特に正孔輸送成分が層状の光導電性作像体に用いるために選択できるプロセスを提供することである。
【0007】
本発明の別の目的は、電荷輸送成分、特に、N,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)−4−ビフェニルアミンの調製のための低温のプロセスを提供することである。
【0008】
本発明のさらに別の目的は、ウルマン縮合反応によって電荷輸送成分を調製し、銅の有機配位子が触媒アジュバントまたは触媒促進剤として選択されるプロセスにある。
【0009】
本発明のさらに別の目的は、市販の原料から、かなり緩やかな条件の下でビス(3,4−ジメチルフェニル)−4−ビフェニルアミンを1ステップで合成することである。
【0010】
さらに、本発明の一目的は、必要に応じて電子グレード純度の高いものとするためのさらなる精製が容易に可能となるように純度の高い状態の生成物を提供することである。
【0011】
さらに、本発明の別の目的は、アリールアミン、特に、N,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)−4−ビフェニルアミンを高い純度で、かつ優れた収率をもたらすように調製するための経済的にコストを削減できるプロセスを提供することである。
【0012】
本発明のさらに別の目的は、摂氏約100℃ないし約150℃、好ましくは約120℃ないし約130℃の低温を選択することができ、銅の有機配位子が触媒促進剤として選択され、得られる粗製の生成物が優れた純度を示し、この生成物を、濾過、蒸留、カラムクロマトグラフィ、真空蒸留等の既知の方法でさらに精製できるプロセスに関する。
【0013】
本発明のさらに別の目的は、ここで例示されるプロセスによって得られるN,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)−4−ビフェニルアミンを含有する正孔輸送成分を含むアリールアミン正孔輸送層と光発生層とを備えた光応答性(photoresponsive)作像体を提供することにある。
【0014】
本発明のさらに別の目的は、以下のような正孔輸送分子の調製プロセスを提供することであって、すなわち、反応温度が、市販の正孔輸送アリールアミンの調製で現在用いられている約160ないし約220℃を下回る温度であり、より特定的には、本発明の反応は実施の形態においては、たとえば200℃よりも75℃低い温度で、さらに特定的には125℃で達成でき、1,10−フェナントロリンキレート化剤や、塩化銅(I)等の生成物などの新規な触媒が選択されるプロセスを提供することである。上述のように、温度がより低く、反応条件がより緩やかになることによって、プロセスがより簡単なものとなり、純粋な、すなわち、例えば電子グレードの高い、N,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)−4−ビフェニルアミンのアリールアミンの調製プロトコルがより効率の良いものとなると考えられる。
【0015】
さらに、本発明の別の目的は、その実施の形態において、オリゴマー、ポリマー、中間体等の調製プロセスが可能になると考えられることである。
【0016】
本発明は、アリールアミンの調製プロセスに関し、より具体的には、N,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)−4−ビフェニルアミンの調製プロセスに関し、上記アミンを層状の光導電性作像体における電荷輸送分子として選択することができる。米国特許第4,764,625号を参照されたい。この特許の開示はその全体がここに引用により援用される。本発明の実施の形態におけるプロセスは、4−アミノビフェニル等の適切なアミンとヨードベンゼン、特に4−ヨード−オルト−キシレンとを配位結合された銅触媒の存在下で反応させることを含み、配位子は、単座第三級アミンと二座第三級アミンとからなる群から選択される。
【0017】
N,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)−4−ビフェニルアミンの調製プロセスが開示され、このプロセスは、配位結合された銅触媒の存在下でのアミノビフェニルとヨードキシレンとの反応を含み、配位子は、単座第三級アミンと二座第三級アミンとからなる群から選択され、この反応は約120℃ないし約150℃の温度で行われる。ここで、アミノビフェニルは4−アミノビフェニルであり、ヨードキシレンは、4−ヨード−オルト−キシレンであり、加熱後冷却を行って、N,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)−4−ビフェニルアミン生成物が単離される。反応温度は好ましくは約120℃ないし約140℃であり、至適には温度は約120℃である。約0.01ないし約0.1当量の配位結合された銅触媒が選択され、選択される4−アミノビフェニルの量は、約1等量であり、選択される4−ヨード−オルト−キシレンの量は、約2ないし約3当量である。ここで、反応は、トリデカン、トルエン、キシレン等の既知の炭化水素溶媒の存在下で行われ、銅は銅(I)である。配位子は、1,10−フェナントロリンピリジンとピリジンからなる群から選択される。4−アミノビフェニルの式は以下の通りである。
【0018】
【化1】
ここで、N,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)−N−(4−ビフェニル)アミンの式は以下の通りである。
【0019】
【化2】
ここで、4−ヨード−オルト−キシレンの式は以下の通りである。
【0020】
【化3】
ここで、温度は約120℃ないし約130℃であり、加熱後、急速冷却が行われ、N,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)−4−ビフェニルアミン生成物が単離される。このように、本発明は、N,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)−N−(4−ビフェニル)アミンの調製プロセスを提供し、このプロセスは、配位子銅触媒の存在下での4−アミノビフェニルと4−ヨード−オルト−キシレンの反応を含み、配位子は、単座第三級アミンと二座第三級アミンとからなる群から選択され、反応は約120℃ないし約150℃で行われた後、冷却され、N,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)−N−(4−ビフェニル)アミン生成物を単離する。このプロセスにおいて、触媒は、1,10−フェナントロレート銅(I)(一価)クロライドと、ジピリジノ銅(I)クロライドと、1,10−フェナントロレート銅(I)ブロマイドと、ジピリジノ銅(I)ブロマイドと、1,10−フェナントロレート銅(I)クロライドとからなる群から選択され、触媒は、以下のいずれかの式で表される。
【0021】
【化4】
ここで、X−は、ハロゲン化物である。さらに、触媒の式は以下のいずれかで表される。
【0022】
【化5】
ここで、4−アミノビフェニルと4−ヨード−オルト−キシレンの反応はウルマン縮合によって行われ、反応時間は約3時間ないし約6時間である。これに加えて、またはこれに代わって、本発明は、N,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)−4−ビフェニルアミンの調製プロセスを提供し、このプロセスは、配位子銅触媒の存在下でのアミノビフェニルとヨードキシレンの反応を含み、配位子は、単座第三級アミンと二座第三級アミンとからなる群から選択される。
【0023】
実施の形態において、本発明は、アリールアミンの調製プロセスに関し、より特定的には、アミノビフェニル、特に4−アミノビフェニルとヨードキシレン、特に4−ヨード−o−キシレンとの反応によるN,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)−4−ビフェニルアミンの調製プロセスに関し、この反応は、配位結合された銅触媒の存在下で行われ、配位子は、単座第三級アミンと二座第三級アミンとからなる群から選択される。上記反応は、たとえば摂氏約120℃ないし約150℃の温度で行われ、好ましくは約120℃ないし約140℃であり、至適には温度は約125℃である。触媒は、1,10−フェナントロレート銅(I)(一価)クロライド、ジピリジノ銅(I)クロライド、1,10−フェナントロレート銅(I)ブロマイド、ジピリジノ銅(I)ブロマイド、1,10−フェナントロレート銅(I)クロライド、1,10−フェナントロレート銅(I)ブロマイド、またはジピリジノ銅(I)ブロマイドである。
【0024】
選択される触媒は重要であり、実施の形態においては、有機配位子を含む銅(I)を含み、配位子は、ここで示されるような単座第三級アミンと二座第三級アミンからなる群から選択され、より具体的には、式(1,10−フェナントロレート)Cu(X)およびビス(ピリジナート)Cu(X)等の銅触媒または化合物であって、ここでXはクロライド等のハロゲン化物である。
【0025】
本発明のプロセスのために選択される触媒はここで例示されるようなものであり、実施の形態においては、クロライド(塩化物)、ブロマイド(臭化物)、ヨウ化物、およびフッ化物等のハロゲン化物の塩を含む配位結合された銅塩、特に銅(I)を含み、配位子は、1,10−フェナントロリンまたはピリジン等の単座第三級アミンまたは二座第三級アミンである。選択される触媒の量は様々であってもよく、一般的には、触媒はその有効量が用いられ、たとえば、反応物の約1ないし約20モルパーセント、好ましくは制限反応物の約3ないし約10モルパーセントが用いられる。銅触媒に求められる構造式の例は、ここで言及した同時係属中の出願に例示されるようなものであり、以下を含む。
【0026】
【化6】
実施の形態においては、触媒は1,10−フェナントロレート銅(I)クロライド、ジピリジノ銅(I)クロライド、1,10−フェナントロレート銅(I)ブロマイド、またはジピリジノ銅(I)ブロマイド等である。上記式において、ClをXに代えてもよく、ここでXは、クロライド、ブロマイド、ヨウ化物、フッ化物等のハロゲン化物である。
【0027】
触媒はここで例示するように、かつここで言及した同時係属中の出願に例示するように調製することができ、より具体的には、1,10−フェナントロリン等の適切な配位子と塩化銅(I)等の銅塩の反応によって調製することができ、この反応は、たとえば約70℃から約125℃の加熱で達成される。反応混合物は冷却され、生成触媒は、濾過などによって分離されてもよいと考えられる。好ましくは、触媒は、ここで例示するようにインシトゥ(in situ)で調製される。
【0028】
本発明の実施形態は、以下のようなN,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)−4−ビフェニルアミンの合成を含む。機械攪拌子、不活性ガスパージング装置、ディーン・スターク(Dean-Stark)トラップ、および還流冷却器を取り付けた適切な反応フラスコに以下の順に物質を入れる。すなわち、約1モルの4−アミノビフェニルと、約1ないし約1.5モル、好ましくは1.25モルの4−ヨード−オルト−キシレンと、約0.01ないし約0.1モル、好ましくは約0.05モルの塩化銅(I)と、約0.01ないし0.1、好ましくは約0.05モルの1,10−フェナントロリンと、約6ないし10モル、好ましくは約8モルの薄片(フレーク)状の水酸化アルカリ、たとえば水酸化カリウムと、約600ミリリットルのトルエン溶媒とを入れる。結果として得られる反応混合物を急速に加熱し、還流させ、クロマトグラフィ分析によって反応が完了したことが明らかになるまで130℃に保つ。これには通常4ないし5時間の還流を要する。共沸蒸留によって、反応水を継続的に除去する。完了後、反応混合物を室温まで冷却し、2リットルのトルエンと1.5リットルの脱イオン水とに分配させる。結果として得られる層を分離し、有機相を水の共沸蒸留によって乾燥させることができる。その後、トルエン溶液を約150グラムの酸洗浄クレー「Filtrol-24」(登録商標)および約240グラムの「Alcoa CG-20」アルミナで処理し、おおむね脱色することができる。溶媒の濾過および蒸発によって所望の生成物を優れた収率で得ることができる。
【0029】
高性能液体クロマトグラフィ等の分析法によって識別できる生成物は、ここで示すように実施の形態において高い純度、具体的にはHPLC(高性能液体クロマトグラフィ)で約97ないし約99パーセントの純度を示した。
【0030】
本発明のプロセスで生成される電荷輸送アミンを含有した層状の光応答性作像体は、様々な形態で提供することが可能である。実施の形態において、層状の光応答性作像体は、支持基板と、本発明のプロセスで得られるアリールアミン正孔輸送成分または分子を含有する電荷輸送層と、その間に配置される光発生層とを含み、光発生層の例としては、フタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン(特にタイプV)、チタニルフタロシアニン、ペリレン(特にBZP)、セレン(特に三方晶系セレン)、セレン合金や、他の有効な既知の光発生顔料を含むものなどが挙げられる。さらに、支持基板と、電荷輸送層、特にアリールアミン正孔輸送層と、上層のオーバーコート層としての光発生層とを含む、正に帯電される層状の光応答性または光導電性作像体が開示されている。さらに、支持基板と、薄い接着層と、ポリマー樹脂結合剤に分散される光発生層と、ポリマー樹脂結合剤に分散される上層のアリールアミン正孔輸送分子とを含む、負に帯電される光応答性作像体が開示され、上記アリールアミン分子は本発明のプロセスで得ることができる。
【0031】
光応答性作像体は、様々な既知の方法およびプロセスパラメータを用いて調製でき、層を塗布する順序は所望される成分に依存する。正帯電に適した作像体は、光発生層と正孔輸送層の堆積順を逆にすることによって調製できる。作像体の光発生層および電荷輸送層は、スプレーコーター、ディップコーター、押出しコーター、ローラーコーター、ワイヤーバーコーター、スロットコーター、ドクターブレードコーター、グラビアコーター等を用いて選択的な基板の上に溶液または分散体として塗布することができ、約40℃ないし約200℃で約10分から数時間、より特定的には約5時間にわたって定常状態で、または空気流中で乾燥させる。塗布は、乾燥後の塗布した最終の厚さが0.01ないし約30ミクロンになるように行われる。任意の層の製造条件は、最終装置において最適な性能およびコストを得るように調整してもよい。作像体は、たとえば、顔料がチタニルフタロシアニン顔料の場合、約600ナノメートルないし約900ナノメートルの波長の光を吸収するため、このようなゼログラフィ作像プロセスにおいて有用である。これらの既知のプロセスにおいては、まず静電潜像が作像体上に形成され、その後現像して、像を適切な基板、例えば紙に転写し、定着させる。さらに、作像体は、典型的には660ないし約830ナノメートルの波長で機能するヒ化ガリウム発光ダイオード(LED)アレイを用いた電子プリントプロセスに使用するためにも選択することができる。
【0032】
作像体のために選択される基板層は、不透明であっても良いし、または実質的に透明であっても良く、必要とされる機械的特性を有していればいかなる適切な材料を含んでも良い。従って、基板は、市販のポリマーである「MYLAR」(登録商標)、チタン含有「MYLAR」等の無機または有機ポリマー材料を含む絶縁材料層、酸化インジウムスズ(ITO)等の半導体表面層またはその上に塗布されたアルミニウムを有する有機または無機材料層、または、アルミニウム、クロム、ニッケル、真鍮等の導電材料層を含んでも良い。基板は、可撓性のあるものであっても、シームレス(継ぎ目のないもの)であっても、また剛性のものであっても良く、その形状は、例えば、板状、円筒状のドラム、スクロール(巻物状)、可撓性エンドレスベルト等、様々であってよい。一実施形態においては、基板はシームレスの可撓性ベルトの形態である。基板が可撓性の有機ポリマー材料、市販の「MAKROLON」(登録商標)等のポリカーボネート材料等のカーリング防止層などである場合には特に、基板の裏面をコーティングすることが望ましい場合もあるであろう。
【0033】
基板層の厚さは、経済面での問題などの多くの要因に依存し、そのため、この層は、例えば3000ミクロン以上とかなりの厚さであってもよいし、または、システムに悪影響を与えることのない最小の厚さであってもよい。一実施形態においては、この層の厚さは約75ミクロンないし約300ミクロンである。
【0034】
一般に、光発生層の厚さは、他の層の厚さや、この層に含まれる光発生材料の量等のいくつかの要因に依存する。従って、この層は、光発生組成層が約5体積パーセントないし約100体積パーセントの量で存在する場合には、約0.05ミクロンないし約10ミクロンの厚さであろう。一実施形態において、この層の厚さは、光発生組成物がこの層において30ないし75体積パーセントの量で存在する場合には約0.25ミクロンないし約1ミクロンである。一実施形態においてこの層の最大の厚さは、主に、感光度、電気的特性、機械的な考慮点などの要因に依存する。電荷発生層は、適切な溶媒と光発生顔料および結合剤樹脂の分散コーティングによって得ることができるが、結合剤は含まれなくてもよい。分散体は、ペイントシェーカー、ボールミル、サンドミル、アトライター等の装置内で光発生顔料を混合および/または粉砕することによって調製できる。この装置において、ガラスビーズ、スチールボール、またはセラミックビーズ等の一般的な研削媒体を用いてもよい。結合剤樹脂は、ポリ(ビニルブチラール)、ポリ(ビニルカルバゾール)、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリ(塩化ビニル)、ポリアクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、塩化ビニルと酢酸ビニルのコポリマー、フェノキシ樹脂、ポリウレタン、ポリ(ビニルアルコール)、ポリアクリロニトリル、ポリスチレン等のいくつかの既知のポリマーを含む。これらの結合剤または樹脂を溶解する溶媒はその特定の樹脂に依存する。実施の形態においては、装置の他のコート層に影響を及ぼさない溶媒を選択することが望ましい。有用な溶媒の例としては、ケトン、アルコール、芳香族炭化水素、ハロゲン化脂肪族炭化水素、エーテル、アミン、アミド、エステル等が挙げられる。溶媒の具体例としては、シクロヘキサノン、アセトン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、ブタノール、アミルアルコール、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、四塩化炭素、クロロホルム、塩化メチレン、トリクロロエチレン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、酢酸ブチル、酢酸エチル、メトキシエチルアセタート等が挙げられる。
【0035】
光発生顔料分散体のコーティングは、40℃ないし150℃で5分ないし90分乾燥させた後で電荷発生層の最終の乾燥した厚さが0.01ないし30ミクロン、好ましくは0.1ないし15ミクロンとなるように、スプレーコーティング、ディップコーティング、またはワイヤーバーコーティング法で行うことができる。
【0036】
光発生顔料層に使用するために選択できるポリマー結合剤樹脂材料の例はここで例示されるようなものであるとともに、米国特許第3,121,006号に開示されるようなポリマーを含み、この特許の開示の全体をここに引用により援用する。
【0037】
通常、接着層は支持基板と接するため、ポリエステル、ポリアミド、ポリ(ビニルブチラール)、ポリ(ビニルアルコール)、ポリウレタン、およびポリアクリロニトリルを含む様々な既知の物質を選択することができる。この層は、約0.05ミクロンないし約1ミクロンの厚さである。必要に応じて、この層は、酸化亜鉛、二酸化チタン、窒化シリコン、カーボンブラック等の導電性および非導電性粒子を含んでもよく、それによって、例えば、本発明の実施の形態においては、望ましい電気的および光学的特性を与えるようにしてもよい。
【0038】
アミン電荷輸送層のために選択される絶縁性が高く、かつ透明で非活性の樹脂結合剤は、米国特許第3,121,006号に記載されるような成分を含み、その開示全体をここに引用により援用する。有機樹脂材料の具体例としては、ポリカーボネート、アクリル酸ポリマー、ビニルポリマー、セルロースポリマー、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミド、ポリウレタン、およびエポキシや、そのブロック、ランダム、または交互共重合体(コポリマー)等を含む。電気的に非活性の結合剤で好ましいのは、約20,000ないし約100,000の分子量を有するポリカーボネート樹脂を含み、約50,000ないし約100,000の分子量を有するものが特に好ましい。一般に、樹脂結合剤は、活性の電荷輸送材料を約10ないし約75重量パーセント含み、好ましくは、この材料を約35パーセントないし約50パーセント含む。
【0039】
さらに、ここで例示される光応答性(photoresponsive)装置を用いた作像およびプリント方法が開示される。これらの方法は、一般に、作像体上に静電潜像を形成し、その後、その像をトナー組成物で現像することを含む。米国特許第4,560,635号、第4,298,697号、および第4,338,390号を参照されたい。なお、この開示はその全体がここに引用によって援用される。次に、その像を適切な基板に転写し、永久的に定着させる。装置がプリントモードで使用されるような環境においては、作像方法は、露光ステップをレーザー装置または画像バーで行うことができることを除いては、同じステップを含む。
【0040】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
N,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)−4−ビフェニルアミンの合成
機械攪拌子、ディーン・スタークトラップ、および還流冷却器を取り付けた250ミリリットルの丸底フラスコに、8.46グラム(0.05モル)の4−アミノビフェニルと、25.53グラム(0.11モル)の4−ヨード−オルト−キシレンと、0.25グラム(0.0025モル)の塩化銅(I)と、0.45グラム(0.0025モル)の1,10−フェナントロリンと、22.4グラム(0.4モル)の薄片(フレーク)状の水酸化カリウムと、30ミリリットルのトルエン溶媒とを入れた。反応物を急速に還流温度130℃まで加熱し、この温度に4時間保った後、クロマトグラフィ分析で反応が完了したことを確認した。反応混合物を室温、約25℃にし、200ミリリットルのトルエンと150ミリリットルの脱イオン水に分配させた。結果として得られる有機層を分離し、ディーン・スタークトラップをつけた状態で水の共沸蒸留によって水を除去した。生成物をスラリーによって脱色し、36グラムの酸洗浄クレー「Filtrol-24」(登録商標)および24グラムの「Alcoa CG-20」アルミナでトルエン溶液を処理した。還流で3時間攪拌した後、溶液を室温まで冷却し、濾過した。N,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)−4−ビフェニルアミン生成物を溶媒の蒸発によって濾過して回収した。40ミリリットルの酢酸エチル−イソプロパノール1:1混合物の結晶化によって、13.2グラム(70パーセント)の上記生成物を得た。高性能液体クロマトグラフィによるクロマトグラフィ分析によって、生成物の純度は99.8パーセントと高く、かつ示差走査熱量分析により融解温度が113.21℃であることが確認された。
【0041】
上述の実施の形態のプロセスを、例示したものとは異なる配位子触媒を含む様々な反応物を用いて繰り返すことによって、様々な正孔輸送トリアリールアミン化合物を本発明に従って調製することができ、例えば、純度や収率に関してもほぼ類似した結果が得られると考えられる。
Claims (3)
- N,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)−4−ビフェニルアミンの調製プロセスであって、アミノビフェニルとヨードキシレンとを配位子銅触媒の存在下で反応させるステップを含み、配位子が、単座第三級アミンと二座第三級アミンとからなる群から選択され、反応が、約120℃ないし約150℃の温度で行われることを特徴とする調製プロセス。
- 請求項1に記載の調製プロセスであって、触媒が、1,10−フェナントロレート銅(I)(一価)クロライドと、ジピリジノ銅(I)クロライドと、1,10−フェナントロレート銅(I)ブロマイドと、ジピリジノ銅(I)ブロマイドと、1,10−フェナントロレート銅(I)クロライドとからなる群から選択されることを特徴とする調製プロセス。
- N,N−ビス(3,4−ジメチルフェニル)−4−ビフェニルアミンの調製プロセスであって、アミノビフェニルとヨードキシレンを配位子銅触媒の存在下で反応させるステップを含み、配位子が単座第三級アミンと二座第三級アミンとからなる群から選択されることを特徴とする調製プロセス。
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