KR19980033226A - 전자사진 감광체 - Google Patents

전자사진 감광체 Download PDF

Info

Publication number
KR19980033226A
KR19980033226A KR1019970055508A KR19970055508A KR19980033226A KR 19980033226 A KR19980033226 A KR 19980033226A KR 1019970055508 A KR1019970055508 A KR 1019970055508A KR 19970055508 A KR19970055508 A KR 19970055508A KR 19980033226 A KR19980033226 A KR 19980033226A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
phthalocyanine
prepared
except
same manner
photoconductor
Prior art date
Application number
KR1019970055508A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100444364B1 (ko
Inventor
요이치 나까무라
가즈미 에고따
고지 가와구찌
요시마사 하또리
Original Assignee
야마구찌 이와오
후지덴기가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 야마구찌 이와오, 후지덴기가부시끼가이샤 filed Critical 야마구찌 이와오
Publication of KR19980033226A publication Critical patent/KR19980033226A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100444364B1 publication Critical patent/KR100444364B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
    • G03G15/02—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for laying down a uniform charge, e.g. for sensitising; Corona discharge devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664—Dyes
    • G03G5/0696—Phthalocyanines
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/07—Polymeric photoconductive materials
    • G03G5/075—Polymeric photoconductive materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • G03G5/076—Polymeric photoconductive materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds having a photoconductive moiety in the polymer backbone

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

전자사진 감광체에는 전도성 기판과 감광층이 있다. 감광층은 전도성 기판에 적층되며, 광전도성 재료로서 적어도 프탈로시아닌 화합물을 포함한다. 감광층에서 프탈로시아닌 화합물을 제외한 o-프탈로니트릴 중합체의 함량이 프탈로시아닌 화합물 1 몰에 대해 100 nmol 이상 200 mmol 이하이다. 따라서, 전자사진 감광체는 훌륭한 표면 전하 보유율을 갖는다.

Description

전자사진 감광체
본 발명은 전자사진 방식의 프린터, 복사기, 팩시밀리 등에 사용되는 전자사진 감광체에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 감광체의 감광층에 개선된 광전도성 재료를 사용하여 우수한 표면 전하 보유율을 갖는 전자사진 감광체에 관한 것이다.
일반적으로 전자사진 감광체에 요구되는 기술적 특징은 암실에서 표면 전하를 유지하는 기능, 광을 수용하여 전하를 발생시키는 기능, 광 수용에 의해 전하를 수송하는 기능을 포함한다. 전자사진 감광체는 2개의 상이한 형태의 군으로 나뉠 수 있다. 하나는 단일층 형태이고 다른 하나는 소위 다중층 형태이다. 단층형의 감광체는 상기 능력들이 혼합된 단일층인 반면, 다중층은 제1층이 전하를 발생시키고 제2층이 암실에서 표면 전하를 유지하며 광을 수용하여 전하를 수송하는 기능이 분리된 적층 구조이다.
칼슨 (Carlson) 공정은 상기 전자사진 감광체 중 하나를 사용하는 전자사진법에 기초하여 화상 형성에 사용될 수 있다. 칼슨 공정은 광의 부재 하에 에어브렉다운(airbreakdown)으로 인한 코로나 방전에 의해 감광체의 표면을 균일하게 대전시키는 단계; 원고의 문자, 그림 등의 잠상(실상으로 전환될 정보를 반영하는 감광체 상의 전하 패턴)을 형성하는 단계; 감광체 상의 전하에 의해 생성된 전기장에 의하여 잠상에 토너 입자를 부착시켜서 잠상을 현상시키는 단계; 전하를 사용하여 토너 입자의 뒷면에 대향하는 종이의 뒷면을 코로나 충전시키고, 토너를 종이 표면으로 용융시켜서 화상을 종이에 영구적으로 정착시키는 감광체 상의 현상된 토너 입자를 종이로 수송하는 단계; 코로나, 램프, 브러쉬 및(또는) 스크레퍼 (scraper) 블레이드를 사용하여 과잉의 토너의 감광체를 방전 및 세정하고, 재활용될 감광체를 회수하는 단계를 포함한다.
지금까지, 하기 감광체 재료를 상기 전자사진 감광체에 사용하여 왔다. 광전도성 재료에는 셀렌, 셀렌 합금, 산화아연 또는 황화카드뮴과 같은 무기 광전도성 재료를 수지 결합제에 분산시켜서 제조된 화합물 및 폴리-N-비닐 카르바졸, 폴리비닐 안트라센, 프탈로시아닌 화합물 또는 비스 아조 화합물과 같은 유기 광전도성 재료를 수지 결합제에 분산시키거나 또는 분산 대신 진공 증착시켜서 제조된 화합물이 포함된다.
상기 유기 광전도성 재료 중 하나로서 프탈로시아닌 화합물의 정제 방법은 스노우 (A.W. Snow) 등의 문헌 [Macromolecules, 17(8), 1614(1984)]를 포함하는 많은 참고문헌에서 다양한 방법으로 연구되어 왔다. 이 참고 문헌에는 특히 프탈로시아닌 화합물을 제외한 o-프탈로니트릴의 중합 생성물(이하, 생성물은 프탈로니트릴 중합체로 약칭)로서 삼량체인 2,4,6-트리스(2'-시아노페닐)-1,3,5-트리아진 (이하, 트리아진으로 약칭)이 기재되어 있다.
상기된 바와 같이, 당업자들은 전자사진 감광체의 광전도성 재료로서 프탈로시아닌 화합물을 사용하는 것으로 공지되어 있다. 또한, 프탈로시아닌 화합물의 정제 방법이 다양한 방법으로 연구되어 왔다. 그러나, 이러한 상당한 연구에도 불구하고, o-프탈로시아닌 중합 생성물의 일부만이 전자 사진 감광체의 전자사진 특성에 기여하는 재료로서 정의될 수 있다. 그러나, 이러한 경우에도 이들은 현재까지는 만족할만한 정도로 정의되지 않는다. 즉, 프탈로시아닌 화합물에 관한 다양한 연구 및 프탈로시아닌 화합물의 정제 방법에 관한 다양한 준비가 있었음에도 불구하고, 프탈로시아닌 화합물의 제조 방법에 관련된 재료와 전자사진 특성, 특히 감광체의 표면 전하 보유율 간의 관계는 잘 정의되지 않았다.
본 발명의 목적은 전자사진 특성이 우수한, 특히 표면 전하 보유율이 우수한 전자사진 감광체를 제공하기 위하여 상기의 관계를 매우 분명히 하는 것이다.
도 1은 본 발명의 하나의 실시 태양으로서 전자사진 감광체의 단면도.
도 2는 전자사진 감광체에 사용되는 티타닐옥시프탈로시아닌 결정의 X-선 회절 스펙트럼 패턴.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1. 전도성 기판
2. 하부 도포층
3. 감광층
4. 전하 발생층
5. 전하 수송층
10. 전자사진 감광체
전도성 기판 및 감광층으로 이루어지며, 이 감광층이 전도성 기판에 적층되어 있고 광전도성 재료로서 적어도 프탈시아닌 화합물을 포함하며, 프탈시아닌 화합물 이외에 o-프탈로니트릴 중합체를 상기 프탈로시아닌 화합물 1 몰에 대해 100 nmol 내지 200 mmol의 범위로 포함하는 것을 특징으로 하는 전자사진 감광체가 제공된다.
여기서, 프탈로시아닌 화합물은 무금속 프탈로시아닌, 바람직하게는 x-형 무금속 프탈로시아닌일 수 있다.
프탈로시아닌 화합물은 티타닐옥시프탈로시아닌, 바람직하게는 X-선 회절법을 수행하여 얻은 X-선 회절 스펙트럼에서 적어도 27.3°± 0.2°의 브랙 각 (2θ)에서 관찰된 분명한 회절 강도의 피크를 갖는, 티타닐옥시프탈로시아닌과 이 티타닐옥시프탈로시아닌을 제외한 o-프탈로니트릴 중합체의 혼합물일 수 있다.
프탈로시아닌 화합물은 티타닐옥시프탈로시아닌, 바람직하게는 X-선 회절 스펙트럼에서 9.6°의 브랙 각 (2θ±0.2°)에서 관찰된 최대 회절 강도 및 각각 7.2°, 9.6°, 11.6°, 13.4°, 14.9°, 18.3°, 23.6°, 24.1°및 27.3°에서 관찰된 분명한 회절 강도의 피크를 갖는, 티타닐옥시프탈로시아닌과 이 티타닐옥시프탈로시아닌을 제외한 o-프탈로니트릴 중합체의 혼합물일 수 있다.
프탈로시아닌 화합물의 중심 금속은 지르코늄, 바나듐, 니오븀, 갈륨, 인듐, 게르마늄 및 주석의 군으로 부터 선택할 수 있다.
하부 도포층은 전도성 기판 및 감광층 사이에 배치될 수 있다.
감광층은 전하 발생층 및 전하 발생층 상에 적층된 전하 수송층으로 이루어질 수 있고, 프탈로시아닌 화합물은 전하 발생층에 포함될 수 있다.
본 발명의 상기 및 다른 목적, 효과, 특징 및 잇점들은 첨부된 도면과 함께 하기 본 발명의 실시 태양의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.
이하, 본 발명의 전자 사진 감광체를 첨부된 도 1을 참조하여 구체적으로 기재한다.
3가지 유형의 전자사진 감광체가 존재한다. 즉, 음전하 하전된 적층형, 양전하 하전된 적층형 및 양전하 하전된 단층형이다. 하기 상세한 설명에서, 이에 한정되지는 않으나, 음전하 하전된 적층형 감광체가 본 발명의 실시예로서 사용될 것이다. 프탈로니트릴 중합체와 관련된 것을 제외한 감광체의 제작 또는 제조 방법을 위한 성분, 방법 등은 공지된 성분, 방법 등으로부터 필요에 따라 적절히 선택할 수 있다.
도 1에 나타난 바와 같이, 전자사진 감광체 (10)은 음전하 하전된 적층 구조를 갖고, 전도성 기판 (1), 하부 도포층 (2) 및 감광층 (3)으로 이루어진다. 도면에 나타난 바와 같이, 층 (2) 및 (3)을 전도성 기판 (1) 상에 순서대로 적층시킨다. 이러한 경우에, 감광층 (3)은 전하 발생층 (4) 및 전하 수송층 (5)을 갖는 기능적으로 분리된 형태의 층으로 제공된다 (전하 수송층은 전자 발생층 상에 형성됨) .
전도성 기판 (1)은 감광체의 전극으로서 제공되는 것뿐만 아니라 상기 적층의 각 층을 지지하는 지지 부재로서 제공된다. 전도성 기판 (1)은 알루미늄, 스테인레스 스틸 또는 니켈, 또는 유리 재료와 같은 전기 절연 재료 또는 전도 재료가 사용된 수지로 이루어진 실린더형, 보드형, 막 등의 형태 일 수 있다.
하부 도포층 (2)은 알코올 가용성 폴리아미드, 용매 가용성 방향족 폴리아미드, 열경화성 우레탄 수지 등으로 부터 선택될 수 있다. 알코올 가용성 폴리아미드는 공중합성 화합물, 예를 들어 나일론-6, 나일론-8, 나일론-12, 나일론-66, 나일론-610 및 나일론-612, 및 알킬 변성되거나 또는 N-알콕시 알킬 변성된 나일론을 포함한다. 구체적으로 예를 든 화합물은 시판되는 AMILAN CM-8000 (도레이사, 6/66/610/12 공중합성 나일론), ELBAMIDE 9061 (듀퐁 제펜사, 6/66/612 공중합성 나일론) 및 DIAMIDE T-170 (다이셀 휼스사, 공중합성 나일론 기재 나일론 12).
또한, TiO2, 알루미나, 탄산칼슘, 규소 등의 무기 분말은 하부 도포층 (2)의 조성물에 추가로 포함될 수 있다.
전하 발생층 (4)은 광을 수용하여서 전하를 발생시키는데 기여한다. 층 (4)는 무기 감광체 재료의 진공 증착 또는 유기 광전도성 제료의 분말을 수지 결합제에 분산시켜서 제조된 재료의 코팅을 수행하여 형성될 수 있다. 전하 발생층 (4)의 중요한 특징은 높은 효율성의 전하 발생 및 생성된 전하의 전하 수송층으로의 주입능을 포함한다. 전하 발생층은 전기장에 거의 의존하지 않고, 더 낮은 전기장 하에서도 주입을 우수하게 수행한다.
본 발명의 전하 발생층에서, 전하 발생 물질로서 적어도 프탈로시아닌 화합물을 함유하는 것이 요구된다. 이들간의 배합물 또는 각각에서, 다양한 종류의 아조, 퀴논, 인디고, 시아닌, 스쿠알렌 및 아줄렌 화합물과 같은 안료 또는 염료의 군으로부터 선택된 다른 전하 발생 물질이 포함될 수 있다. 본 발명의 전하 발생층에서, 프탈로니트릴 중합체의 함량은 프탈로시아닌 화합물 1 몰 당 100 nmol 내지 200 mmol의 범위, 바람직하게는 200 nmol 내지 10 mmol의 범위이고, 표면 전하 보유율이 크게 증가된다. 증가의 기능 메카니즘은 완벽하게 밝혀지지는 않았으나, 하기의 고려가 참작될 수 있다.
표면 전하 보유율의 감소는 프탈로니트릴 중합체가 100 nmol 미만인 경우 프탈로시아닌 화합물의 정제의 결과로서, 프탈로시아닌 화합물의 분산 특성의 저하 또는 그의 결정의 과잉 성장에 기인할 수 있다. 한편, 함량이 200 mmol을 초과하는 경우, 표면 전하 보유율의 감소는 또한 프탈로시아닌 화합물의 불규칙한 결정 배열 또는 프탈로니트릴 중합체의 작용에 의해 기인될 수 있다.
모제 (F.H. Moser) 등의 문헌 [The Pthalocyanines, (1983) CRC Press]에 개시된 것과 같은 프탈로시아닌 화합물의 공지된 제조 방법이 본 발명에 사용될 수 있다. 프탈로시아닌 화합물은 감도 및 잔사 잠재능을 포함하여 개선된 전자사진 특성을 지닐 수 있다. 바람직하게는 이들은 무금속 프탈로시아닌, 더욱 바람직하게는 X-형 무금속 프탈로시아닌이다.
스펙트럼 감도로부터, 티타닐옥시프탈로사이닌을 프탈로시아닌으로 사용하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 티타닐옥시프탈로시아닌과 프탈로니트릴 중합체의 혼합물은 X-선 회절법에서 얻은 X-선 회절 스펙트럼에서 9.6°의 브랙 각 (2θ±0.2°)에서 관찰된 최대 회절 강도 및 각각 7.2°, 9.6°, 11.6°, 13.4°, 14.9°, 18.3°, 23.6°, 24.1°및 27.3°에서 관찰된 분명한 회절 강도의 피크를 갖는다. 이 스펙트럼 패턴은 1995년 11월 22일자로 출원된 미국 특허 출원 제08/562348호의 연속 출원인 1996년 5월 13일자로 출원된 미국 특허 출원 제08/645322호에 개시된 티타닐옥시프탈로시아닌 결정의 X-선 회절 스펙트럼 패턴과 공통점을 지닌다. 이 연속 출원의 전체 설명은 본 발명의 상세한 설명의 일부로서 본 명세서에 인용된다. 티타닐옥시프탈로시아닌 결정의 X-선 회절 스펙트럼 패턴은 도 2에 나타나 있다. 도면에서 볼 수 있듯이, 분명한 회절 강도의 피크는 각각 7.22°±0.2°, 9.60°±0.2°, 11.60°±0.2°, 13.40°±0.3°, 14.88°±0.2°, 18.34°±0.2°, 23.62°±0.2°, 24.1°±0.2°및 27.32°±0.2°에서 관찰된다. 또한, X-선을 사용하는 구조 분석의 결과 상기된 티타닐옥시프탈로시아닌 결정은 ±1%의 오차를 갖는 격자 상수가 a=26.3058Å, b=23.078 Å, c=8.7155Å, α=101.352Å, β=23.078 Å 및 γ=117.530Å인 삼사 결정으로 분류됨을 나타낸다.
본 발명에 따른 티타닐옥시프탈로시아닌의 구조는 화학식 1로 표시된다.
(상기 식 중, X1, X2, X3및 X4는 Cl 또는 Br이고, n, m, l 및 k는 0 내지 4의 정수임)
본 발명에서, 상기 프탈로시아닌 화합물의 중심 금속은 지르코늄, 바나듐, 니오븀, 갈륨, 인듐, 게르마늄 및 주석으로부터 선택할 수 있다. 전하 발생층의 프탈로시아닌 화합물의 전하 수송층으로의 전하 주입 특성에 있어서, 각 프탈로시아닌 화합물은 전하 수송층의 전하 수송 물질와의 혼화성을 고려하여 선택한다.
다양한 프탈로니트릴 중합체가 본 발명에 사용될 수 있다. 프탈로니트릴 중합체는 삼량체, 오량체, 칠량체, 구량체, 십일량체 등을 포함한다. 삼량체는 상기 참고문헌에 기재된 방법으로 제조할 수 있다. 질량 분광 분석법은 삼량체를 포함한 이 중합체가 프탈로시아닌 화합물 제조 시에 부산물로서 생성됨을 나타낸다. 부산물은 시클로헥산에 용해되어서 부산물이 승화 또는 시클로헥산 정제법에 의해 제거될 수 있다. 또한, 합성 시에 부산물로서 생성된 프탈로니트릴 중합체는 임의의 변형없이 사용될 수 있다.
전하 수송층 (5)는 전하 발생층 (4) 상에 적층되어서 전하 발생층 (4)의 두께가 전하 발생 물질의 흡광 계수에 의해 결정된다. 일반적으로, 5 ㎛ 미만, 바람직하게는 1 ㎛ 미만이다. 전하 발생층 (4)를 또한 전하 발생 물질을 포함하여 추가의 전하 수송 물질 및 다른 물질과 함께 사용할 수 있다.
전하 발생층의 수지 결합제는 높은 전기 절연막을 형성하는 소수성 고분자 중합체 또는 공중합체의 군으로 부터 선택될 수 있다. 더욱 구체적으로, 결합제는 페놀 수지, 폴리에스테르 수지, 비닐 아세테이트 수지, 폴리카르보네이트 수지, 폴리펩티드 수지, 셀룰로오스 수지, 폴리비닐 피롤리돈, 산화폴리에틸렌, 염화폴리비닐 수지, 염화폴리비닐리덴 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리비닐아세테이트, 스티렌부타디엔 공중합체, 염화비닐리덴-아크릴로니트릴 공중합체, 염화비닐-비닐아테세이트 공중합체, 염화비닐-비닐아세테이트-말레산 무수 공중합체, 실리콘-알키드 수지, 페놀-포름알데히드 수지, 스티렌-알키드 수지, 폴리비닐알코올, 아크릴산 공중합체 수지, 메타크릴 공중합체 수지, 실리콘 수지, 메타크릴로니트릴 공중합체 수지, 폴리비닐부티랄, 염화폴리비닐리덴 수지 등을 포함하는 화합물로부터 선택된 하나 또는 하나 이상의 혼합물이다. 일반적으로, 전하 발생 물질의 함량은 수지 결합제 100 중량부에 대해 10 내지 5000 중량부, 바람직하게는 50 내지 1000 중량부이다.
전하 수송층 (5)는 다양한 종류의 히드라존 화합물, 스티릴 화합물, 아민 화합물 및 이들의 유도체 또는 혼합물을 분산시켜 제조된 재료로 이루어진 코팅막이다. 전하 수송층 (5)는 암실에서 감광성층의 전하를 유지하는 절연막으로 제공되고, 또한 광 수용시에 전하 발생층으로부터 주입될 전하의 수송능을 지닌 것으로 제공된다. 전하 수송층에 대한 결합제 수지는 폴리카르보네이트, 폴리에스테르, 폴리스티렌 및 메타크릴레이트 에스테르 중합체와 공중합체로부터 선택될 수 있다. 그러나, 이러한 경우에 기계적, 화학적 및 물리적 안정성, 전도성 및 하전 수송 물질와의 혼화성을 고려하여 화합물을 선택하는 것이 매우 중요하다. 전하 수송 물질의 함량은 수지 결합제 100 중량부에 대해 20 내지 500 중량부, 바람직하게는 30 내지 300 중량부이다. 전하 수송층의 두께는 바람직하게는 3 내지 50 ㎛, 더욱 바람직하게는 15 내지 40 ㎛이다.
지금부터는 본 발명에 따른 구체적인 실시예를 기술할 것이나, 본 발명이 이 실시예로 제한될 수 없다.
실시예 1 내지 10 및 비교 실시예 1 내지 4
실시예 1
하부 도포층 제조 방법
폴리아미드 수지 (도레이사 (Toray Co., Ltd)가 공급하는, AMILAN CM-8000) 70 중량부와 메탄올 (와코 퓨어 케미칼 인더스트리즈사 (Waco Pure Chemical Industries Co., Ltd.)) 930 중량부를 혼합하여 하부 도포층의 코팅용 액체를 제조하는 단계 및 침지 코팅법을 사용하여 알루미늄 기재상에 하부 도포용 액체를 코팅하는 단계를 포함하는 과정으로 하부 도포층을 제조하여 건조 후의 두께가 0.5 μm인 하부 도막층을 수득하였다.
전하 발생층 제조 방법
상기한 참고문헌에 의해 제조된 무금속 프탈로시아닌을 시클로헥산 (Wako Pure Chemical Industries Co., Ltd 제품)으로 정제한 후, 진공 승화시켜 정제한 다음 시클로헥산으로 두번째 정제하고 마지막으로 건조시켰다. 참고문헌에 따라 제조된 트리아진을 무금속 프탈로시아닌에 트리아진 : 프탈로시아닌의 비율이 100 nmol : 1 몰이 되도록 첨가했다. 얻은 화합물을 추가로 볼 밀법으로 처리하여 무금속 프탈로시아닌을 참고문헌에 따른 X-형의 무금속 프탈로시아닌으로 변화시켰다. 이어서, X-형 무금속 프탈로시아닌 10 중량부, 비닐 클로라이드 수지 [MR-100, 니뽄 제온사 (NIPPON ZEON Co., Ltd. 제품)] 10 중량부, 디클로로메탄 (와코 퓨어 케미칼 인더스트리즈사 제품) 686 중량부 및 1,2-디클로로에탄 (와코 퓨어 케미칼 인더스트리즈사 제품) 294 중량부를 혼련하여 혼합물을 제조했다. 혼합물을 추가로 초음파 분산시켜 전하 발생층을 위한 용액을 제조했다. 그 다음, 용액을 하부 도포층에 침지 코팅하여 건조한 후 0.2 ㎛ 두께의 전하 발생층을 형성했다.
전하 수송층 형성
4-(디페닐아미노) 벤즈알데히드 페닐 (2-티에닐메틸) 히드라존 100 중량부 (시험 화합물로서 제공됨), 폴리카르보네이트 (PANLITE K-1300, 데이진 케미칼스사) 100 중량부, 디클로로메탄 800 중량부, 및 실란 커플링제 (신에쯔 케미칼스사, KP-340) 1 중량부를 함께 혼합시켜 전하 수송층을 위한 코팅용 액체를 제조하였다. 이어서 수득된 코팅용 액체를 침지 코팅법을 사용하여 전하 발생층상에 도포하였다. 건조 후, 두께가 20 ㎛인 전하 수송층이 형성되어 최종 생성물로서 감광체를 수득하였다.
실시예 2
트리아진의 함량을 무금속 프탈로시아닌 1 몰 당 10 μmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 1과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 3
트리아진의 함량을 무금속 프탈로시아닌 1 몰 당 1 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 1과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 4
트리아진의 함량을 무금속 프탈로시아닌 1 몰 당 100 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 1과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 5
트리아진의 함량을 무금속 프탈로시아닌 1 몰 당 200 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 1과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 6
트리아진을 첨가한 후 96 % 황산 (간또 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 (Kanto Kagaku Kogyo Co., Ltd.) 제품)을 사용하여 산 페이스팅 처리를 수행한 다음 물로 세척하고 건조하는 것을 제외하면 실시예 1과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 7
트리아진의 함량을 무금속 프탈로시아닌 1 몰 당 10 μmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 6과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 8
트리아진의 함량을 무금속 프탈로시아닌 1 몰 당 1 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 6과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 9
트리아진의 함량을 무금속 프탈로시아닌 1 몰 당 100 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 6과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 10
트리아진의 함량을 무금속 프탈로시아닌 1 몰 당 200 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 6과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
비교 실시예 1
트리아진의 함량을 무금속 프탈로시아닌 1 몰 당 50 nmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 1과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
비교 실시예 2
트리아진의 함량을 무금속 프탈로시아닌 1 몰 당 300 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 1과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
비교 실시예 3
트리아진의 함량을 무금속 프탈로시아닌 1 몰 당 50 nmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 6과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
비교 실시예 4
트리아진의 함량을 무금속 프탈로시아닌 1 몰 당 300 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 6의 방법과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
가와구치 일렉트릭 웍스사에서 제조한 정전 기록 페이퍼 시험 장치 EPA 8100을 사용하여 이렇게 얻어진 실시예 1 내지 9 및 비교 실시예 1 내지 4의 감광체의 전기적 특성을 평가했다.
암실에서 코로트론 시스템의 코로나 방전으로 감광체의 표면을 대전시켰다. 이 경우, 방전 전압을 조절하여 -600 V의 대전 전위에서 감광체의 표면이 대전되도록 하였다. 이어서 코로나 방전을 멈추고 암실에 감광체를 5초간 더 두었다. 이 기간 동안, 표면 전하 보유율 (%)을 측정하여 표 1에 나타내었다.
실시예 또는 비교 실시예 표면 전하 보유율 (%)
실시예 1 97.3
실시예 2 96.1
실시예 3 96.9
실시예 4 96.2
실시예 5 97.1
실시예 6 96.9
실시예 7 96.4
실시예 8 96.1
실시예 9 97.4
실시예 10 97.2
비교 실시예 1 90.3
비교 실시예 2 88.1
비교 실시예 3 90.7
비교 실시예 4 89.5
표 1에 나타냈듯이, 실시예 1 내지 10의 각각의 감광체는 우수한 표면 전하 보유율을 나타낸다. 반면, 비교 실시예 1 내지 4의 각각의 표면 전하 보유율은 실시예보다 더 낮다.
실시예 11 내지 20 및 비교 실시예 5 내지 8
실시예 11
하부 도포층 형성
폴리아미드 수지 (도레이사 (Toray Co., Ltd)의 AMILAN) 70 중량부와 메탄올 (와코 퓨어 케미칼 인더스트리즈사 제품) 930 중량부를 혼합하여 하부 도포층의 코팅용 액체를 제조하는 단계 및 침지 코팅법을 사용하여 알루미늄 기재상에 하부 도포용 액체를 코팅하는 단계를 포함하는 과정으로 하부 도포층을 제조하여 건조 후의 두께가 0.5 ㎛인 하부 도포층을 수득하였다.
전하 발생층 형성
o-프탈로디니트릴 (도꾜 가세이 고교사 (Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.)) 800 g을 반응기에서 교반하면서 퀴놀린 (간또 가가끼사 (Kanto Kagaki Co., Ltd.)) 1.8 리터와 혼합시켰다. 이어서 사염화 티탄 (기시다 가가꾸사 (Kishida Kagaku Co., Ltd.))을 질소 대기하에서 교반하면서 혼합물에 적가했다. 적가 후, 180 ℃에서 15 시간 동안 가열하는 조건에서 혼합물을 더 교반하였다.
반응 혼합물을 자연적으로 130℃까지 냉각시켰으며 이어서 여과하였다. 수득된 침전물을 N-메틸-2-피롤리논 (간또 가가꾸사 (Kanto Kagaku Co., Ltd.)) 3 리터로 세척하였다. 질소 대기하에서, N-메틸-2-피롤리논 1.8 리터에 160 ℃에서 1시간 동안 교반하면서 습윤 케이크를 현탁시켰다. 이어서, 혼합물을 냉각시키고 여과시켰다. 수득된 침전물을 N-메틸-2-피롤리논 3 리터, 아세톤 (간또 가가꾸사) 2 리터, 메탄올 (간또 가가꾸사) 2 리터, 및 온수 4 리터로 상기 순서대로 세척하였다. 이와 같이 수득된 티타닐옥시프탈로시아닌 습윤 케이크를 물 4 리터와 36 % 염산 360 ml의 혼합물로서 제공되는 묽은 염산에 추가로 현탁하였으며 80 ℃에서 1시간 동안 교반하면서 가열하였다. 이어서, 혼합물을 냉각시켰으며, 여과하였고, 온수 4리터로 세척시켜, 건조시켰다.
시클로헥산 (와꼬 퓨어 케미칼 인더스트리즈사 제품)을 사용하여 혼합물을 정제한 후 진공 승화로 추가 정제하였고 이어서 시클로헥산으로 생성물을 재정제한 후 수득된 생성물을 건조시켰다.
건조 생성물 200 g을 -5 ℃ 이하로 냉각된 96 % 황산 (간또 가가꾸사 제품)에 교반시키면서 첨가했다. 이어서 혼합물을 -5 ℃에서 1 시간 동안 계속 교반시켰다. 그 후, 1 시간 동안 교반하면서 얼음 5 kg에서 물 35 리터에 수득된 황산 용액을 첨가하여 상기 용액을 10 ℃ 이하의 온도에 놓아두었다. 수득된 용액을 여과시켰으며 온수 10 리터로 세척하였다.
또한, 물 10 리터와 36 % 염산 770 ml의 혼합물에 침전물을 80℃에서 1시간 동안 교반하면서 현탁시켰다. 이어서, 생성된 용액을 냉각시키고 여과시켰다. 온수 물 10 리터로 세척시킨 후, 생성된 생성물을 건조시켰다.
이어서, 티타닐옥시프탈로시아닌 1 몰 당 트리아진 100 nmol을 얻어진 생성물에 첨가했다.
직경이 8 mm인 지르코니아 볼 6.6 kg을 갖는 볼 밀 장치에 수득된 생성물, 물 0.5 리터, 및 o-디클로로벤젠 (간또 가가꾸사) 1.5 ml를 넣고 24시간 동안 분쇄를 실시하였다. 분쇄 후, 아세톤 1.5 리터와 메탄올 1.5 리터를 사용하여 수득된 생성물을 회수했다. 회수된 생성물을 여과한 후 물 1.5 리터로 세척 후, 건조시켰다.
트리아진을 함유하는 티타닐옥시프탈로시아닌 화합물에 X-선 회절 장치 [맥사이언스 (MacScience) 제품, MXP18VA]를 적용하여 X-선 회절 스펙트럼을 측정하였다. 결과적으로, X-선 회절법을 수행하여 얻은 X-선 회절 스펙트럼에서, 적어도 분명한 회절 강도의 피크가 각각, 7.2°, 9.6°, 11.6°, 13.1°, 14.9°, 18.3°, 23.6°, 24.1°, 및 27.3° (9.6°에서 최대)의 브랙 각 (2θ±0.2°)에서 관찰되었다.
트리아진을 함유하는 티타닐옥시프탈로시아닌 10 중량부, 비닐 클로라이드 수지 (니뽄 제온사, MR-110) 10 중량부, 디클로로메탄 686 중량부, 및 1,2-디클로로에탄 294 중량부를 혼합하였으며 초음파로 분산시켜 전하 발생층의 코팅용 액체를 제조하였다. 수득된 코팅용 액체를 침지 코팅법으로 하부 도포층의 표면에 도포하였다. 결과적으로, 두께가 0.2 ㎛인 전하 발생층을 건조 후에 수득하였다.
전하 수송층 형성
4-(디페닐아미노) 벤즈알데히드 페닐 (2-티에닐메틸) 히드라존 (시험 화합물로서 제공됨) 100 중량부, 폴리카르보네이트 (테이진 케미칼스사 (Taijin Chemicals Co., Ltd)의 PANLITE) 100 중량부, 디클로로메탄 800 중량부, 및 실란 커플링제 (신에쯔 케미칼스사 제품)의 KP-340) 1 중량부를 함께 혼합하여 전하 수송층의 코팅용 액체를 제조하였다. 이어서 수득된 코팅용 액체를 침지 코팅법을 사용하여 전하 발생층상에 도포하였다. 건조 후, 두께가 20 ㎛인 전하 수송층이 형성되었으며, 최종 생성물로서 감광체가 수득되었다.
〈실시예 12〉
트리아진의 함량을 티타닐옥시프탈로시아닌 1 몰 당 10 μmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 11과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 13〉
트리아진의 함량을 티타닐옥시프탈로시아닌 1 몰 당 1 mmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 11과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 14〉
트리아진의 함량을 티타닐옥시프탈로시아닌 1 몰 당 100 mmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 11과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 15〉
트리아진의 함량을 티타닐옥시프탈로시아닌 1 몰 당 200 mmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 16〉
하부 도포층 형성
폴리아미드 수지 (도레이사가 공급하는, AMILAN CM-8000) 70 중량부와 메탄올 (와코 퓨어 케미칼 인더스트리즈사 제품) 930 중량부를 혼합하여 하부 도포층의 코팅용 액체를 제조하는 단계 및 침지 코팅법을 사용하여 알루미늄 기재상에 하부 도포용 액체를 코팅하는 단계를 포함하는 과정으로 하부 도포층을 제조하여 건조 후의 두께가 0.5 ㎛인 하부 도포층을 수득하였다.
전하 발생층 형성
o-프탈로디니트릴 (도꾜 가세이 고교사 제품) 800 g을 반응기에서 교반하면서 퀴놀린 (간또 가가끼사 제품) 1.8 리터와 혼합시켰다. 이어서 사염화 티탄 (기시다 가가꾸사 제품)을 질소 대기하에서 교반하면서 혼합물에 적가했다. 적가 후, 180 ℃에서 15 시간 동안 가열하는 조건에서 혼합물을 더 교반하였다.
반응 혼합물을 자연적으로 130 ℃까지 냉각시켰으며 이어서 여과하였다. 수득된 침전물을 N-메틸-2-피롤리논 (간또 가가꾸사 제품) 3 리터로 세척하였다. 질소 대기하에서, N-메틸-2-피롤리논 1.8 리터에 160 ℃에서 1 시간 동안 교반하면서 습윤 케이크를 현탁시켰다. 이어서, 혼합물을 냉각시키고 여과시켰다. 수득된 침전물을 N-메틸-2-피롤리논 3 리터, 아세톤 (간또 가가꾸사) 2 리터, 메탄올 (간또 가가꾸사) 2 리터, 및 온수 4 리터로 상기 순서대로 세척하였다. 이와 같이 수득된 티타닐옥시프탈로시아닌 습윤 케이크를 물 4 리터와 36 % 염산 360 ml의 혼합물로서 제공되는 묽은 염산에 추가로 현탁하였으며 80 ℃에서 1 시간 동안 교반하면서 가열하였다. 이어서, 혼합물을 냉각시켰으며, 여과하였고, 온수 4 리터로 세척시켜, 건조시켰다.
시클로헥산 (와꼬 퓨어 케미칼 인더스트리즈사 제품)을 사용하여 혼합물을 정제한 후 진공 승화로 추가 정제하였고 이어서 시클로헥산으로 생성물을 재정제한 후 수득된 생성물을 건조시켰다.
이어서, 티타닐옥시프탈로시아닌 1 몰 당 트리아진 100 nmol을 상기 생성물에 첨가하였다.
트리아진 함유 건조 생성물 200 g을 -5 ℃ 이하로 냉각된 96 % 황산 (간또 가가꾸사 제품)에 교반시키면서 첨가했다. 이어서 혼합물을 -5 ℃에서 1 시간 동안 계속 교반시켰다. 그 후, 1 시간 동안 교반하면서 얼음 5 kg에서 물 35 리터에 수득된 황산 용액을 첨가하여 상기 용액을 10 ℃ 이하의 온도에 놓아두었다. 수득된 용액을 여과시켰으며 온수 10 리터로 세척하였다.
또한, 물 10 리터와 36 % 염산 770 ml의 혼합물에 침전물을 80 ℃에서 1시간 동안 교반하면서 현탁시켰다. 이어서, 생성된 용액을 냉각시키고 여과시켰다. 온수 물 10 리터로 세척시킨 후, 생성된 생성물을 건조시켰다.
직경이 8 mm인 지르코니아 볼 6.6 kg을 갖는 볼 밀 장치에 수득된 생성물, 물 0.5 리터, 및 o-디클로로벤젠 (간또 가가꾸사) 1.5 ml를 넣고 24 시간 동안 분쇄를 실시하였다. 분쇄 후, 아세톤 1.5 리터와 메탄올 1.5 리터를 사용하여 수득된 생성물을 회수했다. 회수된 생성물을 여과한 후 물 1.5 리터로 세척 후, 건조시켰다.
트리아진을 함유하는 티타닐옥시프탈로시아닌 화합물에 X-선 회절 장치 [맥사이언스 제품, MXP18VA]를 적용하여 X-선 회절 스펙트럼을 측정하였다. 결과적으로, X-선 회절법을 수행하여 얻은 X-선 회절 스펙트럼에서, 적어도 분명한 회절 강도의 피크가 각각, 7.2°, 9.6°, 11.6°, 13.1°, 14.9°, 18.3°, 23.6°, 24.1°, 및 27.3° (9.6°에서 최대)의 브랙 각 (2θ ± 0.2°)에서 관찰되었다.
트리아진을 함유하는 티타닐옥시프탈로시아닌 10 중량부, 비닐 클로라이드 수지 (니뽄 제온사, MR-110) 10 중량부, 디클로로메탄 686 중량부, 및 1,2-디클로로에탄 294 중량부를 혼합하였으며 초음파로 분산시켜 전하 발생층의 코팅용 액체를 제조하였다. 수득된 코팅용 액체를 침지 코팅법으로 하부 도포층의 표면에 도포하였다. 결과적으로, 두께가 0.2 ㎛인 전하 발생층을 건조 후에 수득하였다.
전하 수송층 형성
4-(디페닐아미노) 벤즈알데히드 페닐 (2-티에닐메틸) 히드라존 100 중량부 (시험 화합물로서 제공됨), 폴리카르보네이트 (PANLITE, 데이진 케미칼스사) 100 중량부, 디클로로메탄 800 중량부, 및 실란 커플링제 (신에쯔 가가꾸 고교, KP-340) 1 중량부를 함께 혼합시켜 전하 수송층을 위한 코팅용 액체를 제조하였다. 이어서 수득된 코팅용 액체를 침지 코팅법을 사용하여 전하 발생층상에 도포하였다. 건조 후, 두께가 20 ㎛인 전하 수송층이 형성되어 최종 생성물로서 감광체를 수득하였다.
〈실시예 17〉
트리아진의 함량을 티타닐옥시프탈로시아닌 1 몰 당 10 μmol로 변화시킨 것을 제외하고, 실시예 16과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 18〉
트리아진의 함량을 티타닐옥시프탈로시아닌 1 몰 당 1 mmol로 변화시킨 것을 제외하고, 실시예 16과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 19〉
트리아진의 함량을 티타닐옥시프탈로시아닌 1 몰 당 100 mmol로 변화시킨 것을 제외하고, 실시예 16과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 20〉
트리아진의 함량을 티타닐옥시프탈로시아닌 1 몰 당 200 mmol로 변화시킨 것을 제외하고, 실시예 16과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈비교 실시예 5〉
트리아진의 함량을 티타닐옥시프탈로시아닌 1 몰 당 50 nmol로 변화시킨 것을 제외하고, 실시예 11과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈비교 실시예 6〉
트리아진의 함량을 티타닐옥시프탈로시아닌 1 몰 당 300 mmol로 변화시킨 것을 제외하고, 실시예 11과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈비교 실시예 7〉
트리아진의 함량을 티타닐옥시프탈로시아닌 1 몰 당 50 nmol로 변화시킨 것을 제외하고, 실시예 16과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈비교 실시예 8〉
트리아진의 함량을 티타닐옥시프탈로시아닌 1 몰 당 50 nmol로 변화시킨 것을 제외하고, 실시예 16과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
가와구찌 일렉트릭 웍스사 (Kawaguchi Electric Works Co., Ltd.)가 제조한 정전 기록 페이퍼 시험 장치 EPA-8100을 사용하여 감광체의 전기적 특성을 평가하였다.
암실에서 코로트론 시스템의 코로나 방전으로 감광체의 표면을 대전시켰다. 이 경우, 방전 전압을 조절하여 -600 V의 대전 전위에서 감광체의 표면이 대전되도록 하였다. 이어서 코로나 방전을 스위치로 껐으며 암실에 감광체를 5초간 더 두었다. 이 기간 동안, 표면 전하 보유율 (%)을 측정하여 표 2에 나타내었다.
실시예 또는 비교 실시예 표면 전하 보유율 (%)
실시예 11 98.1
실시예 12 97.0
실시예 13 97.7
실시예 14 97.6
실시예 15 97.3
실시예 16 97.8
실시예 17 97.7
실시예 18 97.2
실시예 19 97.6
실시예 20 98.0
비교 실시예 5 91.1
비교 실시예 6 89.5
비교 실시예 7 91.4
비교 실시예 8 89.9
표 2에 나타냈듯이, 실시예 11 내지 20의 각각의 감광체는 우수한 표면 전하 보유율을 나타낸다. 반면, 비교 실시예 5 내지 8의 각각의 표면 전하 보유율은 실시예의 것보다 더 낮다.
실시예 21 내지 30 및 비교 실시예 9 내지 12
실시예 21
하부 도포층 형성
폴리아미드 수지 (AMILAN CM-8000, 도레이사 제품) 70 중량부와 메탄올 (와꼬 퓨어 케미칼 인더스트리즈사 제품) 930 중량부를 혼합하여 코팅용 액체를 수득하였다. 수득된 액체를 침지 코팅법으로 알루미늄 기재상에 도포하여, 건조 후의 두께가 0.5 ㎛인 하부 도포층을 수득하였다.
전하 발생층 형성
종래의 방법으로 제조된 지르코늄 프탈로시아닌을 시클로헥산을 사용하여 정제하였다. 그 후 진공 승화 및 이어서 시클로헥산으로 지르코늄 프탈로시아닌을 더 정제하였다. 정제된 화합물을 건조시켰다.
트리아진을 트리아진 : 지르코늄 프탈로시아닌의 비율이 100 nmol : 1 몰이 되도록 정제된 지르코늄 프탈로시아닌에 첨가하였다. 트리아진을 함유하는 지르코늄 프탈로시아닌 화합물 10 중량부, 비닐 클로라이드 수지 (MR-110, 니뽄 제온사) 10 중량부, 디클로로메탄 686 중량부, 및 1,2-디클로로에탄 294 중량부를 혼합하였으며 초음파로 분산시켜 전하 발생층의 코팅용 액체를 제조하였다. 수득된 코팅용 액체를 침지 코팅법으로 하부 도포층의 표면상에 도포하였다. 결과적으로, 건조 후 두께가 0.2 ㎛인 전하 발생층을 얻었다.
전하 수송층 형성
4-(디페닐아미노) 벤즈알데히드 페닐 (2-티에닐메틸) 히드라존 (시험 화합물로서 제공됨) 100 중량부, 폴리카르보네이트 (PANLITE K-1300, 테이진 케미칼스 K-1300) 100 중량부, 디클로로메탄 800 중량부, 및 실란 커플링제 (KP-340, 신에쯔 케미칼스사) 1 중량부를 함께 혼합하여 전하 수송층의 코팅용 액체를 제조하였다. 이어서 수득된 코팅용 액체를 침지 코팅법을 사용하여 전하 발생층상에 도포하였다. 건조 후, 두께가 20 ㎛인 전하 수송층이 형성되었으며, 최종 생성물로서 감광체가 수득되었다.
〈실시예 22〉
트리아진의 함량을 지르코늄 프탈로시아닌 1 몰 당 10 μmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 21과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 23〉
트리아진의 함량을 지르코늄 프탈로시아닌 1 몰 당 1 mmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 21과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 24〉
트리아진의 함량을 지르코늄 프탈로시아닌 1 몰 당 100 mmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 21과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 25〉
트리아진의 함량을 지르코늄 프탈로시아닌 1 몰 당 200 mmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 21과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 26〉
트리아진을 첨가한 후 96% 황산을 사용하여 산 페이스팅 처리를 수행하고, 이어서 물로 세척시키고 건조시킨 것을 제외하고, 실시예 21과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 27〉
트리아진의 함량을 지르코늄 프탈로시아닌 1 몰 당 10 μmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 26과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 28〉
트리아진의 함량을 지르코늄 프탈로시아닌 1 몰 당 100 mmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 26과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 29〉
트리아진의 함량을 지르코늄 프탈로시아닌 1 몰 당 100 mmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 26과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 30〉
트리아진의 함량을 지르코늄 프탈로시아닌 1 몰 당 200 mmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 26과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈비교 실시예 9〉
트리아진의 함량을 지르코늄 프탈로시아닌 1 몰 당 50 nmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 21과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈비교 실시예 10〉
트리아진의 함량을 지르코늄 프탈로시아닌 1 몰 당 300 mmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 21과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈비교 실시예 11〉
트리아진의 함량을 지르코늄 프탈로시아닌 1 몰 당 50 nmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 26과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈비교 실시예 12〉
트리아진의 함량을 지르코늄 프탈로시아닌 1 몰 당 300 mmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 26과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
가와구찌 일렉트릭 웍스사가 제조한 정전 기록 페이퍼 시험 장치 EPA-8100을 사용하여 감광체의 전기적 특성을 평가하였다.
암실에서 코로트론 시스템의 코로나 방전으로 감광체의 표면을 대전시켰다. 이 경우, 방전 전압을 조절하여 -600 V의 대전 전위에서 감광체의 표면이 대전되도록 하였다. 이어서 코로나 방전을 멈추고 암실에 감광체를 5초간 더 두었다. 이 기간 동안, 표면 전하 보유율 (%)을 측정하여 표 3에 나타내었다.
실시예 또는 비교 실시예 표면 전하 보유율 (%)
실시예 21 96.1
실시예 22 95.3
실시예 23 95.4
실시예 24 96.1
실시예 25 95.8
실시예 26 95.4
실시예 27 95.8
실시예 28 95.2
실시예 29 96.3
실시예 30 96.5
비교 실시예 9 88.8
비교 실시예 10 89.4
비교 실시예 11 89.5
비교 실시예 12 88.3
표 3에 나타냈듯이, 실시예 21 내지 30의 각각의 감광체는 우수한 표면 전하 보유율을 나타낸다. 반면, 비교 실시예 9 내지 12의 각각의 표면 전하 보유율은 실시예의 것보다 더 낮다.
실시예 31 내지 40 및 비교 실시예 13 내지 16
〈실시예 31〉
종래의 방법으로 제조된 바나듐 프탈로시아닌을 실시예 21의 지르코늄 프탈로시아닌 대신에 사용하였다는 것을 제외하고 실시예 21과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 32〉
트리아진의 함량을 바나듐 프탈로시아닌 1 몰 당 10 μmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 31과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 33〉
트리아진의 함량을 바나듐 프탈로시아닌 1 몰 당 1 mmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 31과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 34〉
트리아진의 함량을 바나듐 프탈로시아닌 1 몰 당 100 mmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 21과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 35〉
트리아진의 함량을 바나듐 프탈로시아닌 1 몰 당 200 mmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 31과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 36〉
트리아진을 첨가한 후 96% 황산을 사용하여 산 페이스팅 처리를 수행하고, 이어서 물로 세척시키고 건조시킨 것을 제외하고, 실시예 31과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 37〉
트리아진의 함량을 바나듐 프탈로시아닌 1 몰 당 10 μmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 36과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 38〉
트리아진의 함량을 바나듐 프탈로시아닌 1 몰 당 1 mmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 36과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 39〉
트리아진의 함량을 바나듐 프탈로시아닌 1 몰 당 100 mmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 36과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 40〉
트리아진의 함량을 바나듐 프탈로시아닌 1 몰 당 200 mmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 36과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈비교 실시예 13〉
트리아진의 함량을 바나듐 프탈로시아닌 1 몰 당 50 nmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 31과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈비교 실시예 14〉
트리아진의 함량을 바나듐 프탈로시아닌 1 몰 당 300 mmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 31과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈비교 실시예 15〉
트리아진의 함량을 바나듐 프탈로시아닌 1 몰 당 50 nmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 36과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈비교 실시예 16〉
트리아진의 함량을 바나듐 프탈로시아닌 1 몰 당 300 mmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 36과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
가와구찌 일렉트릭 웍스사가 제조한 정전 기록 페이퍼 시험 장치 EPA-8100을 사용하여 감광체의 전기적 특성을 평가하였다.
암실에서 코로트론 시스템의 코로나 방전으로 감광체의 표면을 대전시켰다. 이 경우, 방전 전압을 조절하여 -600 V의 대전 전위에서 감광체의 표면이 대전되도록 하였다. 이어서 코로나 방전을 멈추고 암실에 감광체를 5초간 더 두었다. 이 기간 동안, 표면 전하 보유율 (%)을 측정하여 표 4에 나타내었다.
실시예 또는 비교 실시예 표면 전하 보유율 (%)
실시예 31 96.3
실시예 32 95.2
실시예 33 95.9
실시예 34 95.8
실시예 35 95.6
실시예 36 95.2
실시예 37 95.4
실시예 38 94.9
실시예 39 95.9
실시예 40 96.0
비교 실시예 13 88.6
비교 실시예 14 89.1
비교 실시예 15 88.9
비교 실시예 16 87.8
표 4에 나타냈듯이, 실시예 31 내지 40의 각각의 감광체는 우수한 표면 전하 보유율을 나타낸다. 반면, 비교 실시예 13 내지 16의 각각의 표면 전하 보유율은 실시예의 것보다 더 낮다.
실시예 41 내지 50 및 비교 실시예 17 내지 20
〈실시예 41〉
종래의 방법으로 제조된 니오븀 프탈로시아닌을 실시예 21의 지르코늄 프탈로시아닌 대신에 사용하였다는 것을 제외하고 실시예 21과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 42〉
트리아진의 함량을 니오븀 프탈로시아닌 1 몰 당 10 μmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 41과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 43〉
트리아진의 함량을 니오븀 프탈로시아닌 1 몰 당 1 mmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 41과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 44〉
트리아진의 함량을 니오븀 프탈로시아닌 1 몰 당 100 mmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 41과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 45〉
트리아진의 함량을 니오븀 프탈로시아닌 1 몰 당 200 mmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 41과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 46〉
트리아진을 첨가한 후 96% 황산을 사용하여 산 페이스팅 처리를 수행하고, 이어서 물로 세척시키고 건조시킨 것을 제외하고, 실시예 41과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 47〉
트리아진의 함량을 니오븀 프탈로시아닌 1 몰 당 10 μmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 46과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 48〉
트리아진의 함량을 니오븀 프탈로시아닌 1 몰 당 1 mmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 46과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 49〉
트리아진의 함량을 니오븀 프탈로시아닌 1 몰 당 100 mmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 46과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈실시예 50〉
트리아진의 함량을 니오븀 프탈로시아닌 1 몰 당 200 mmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 46과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈비교 실시예 17〉
트리아진의 함량을 니오븀 프탈로시아닌 1 몰 당 50 nmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 41과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈비교 실시예 18〉
트리아진의 함량을 니오븀 프탈로시아닌 1 몰 당 300 mmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 41과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈비교 실시예 19〉
트리아진의 함량을 니오븀 프탈로시아닌 1 몰 당 50 nmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 46과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
〈비교 실시예 20〉
트리아진의 함량을 니오븀 프탈로시아닌 1 몰 당 300 mmol로 변화시킨 것을 제외하고 실시예 46과 동일한 방식으로 감광체를 제조하였다.
가와구찌 일렉트릭 웍스사가 제조한 정전 기록 페이퍼 시험 장치 EPA-8100을 사용하여 감광체의 전기적 특성을 평가하였다.
암실에서 코로트론 시스템의 코로나 방전으로 감광체의 표면을 대전시켰다. 이 경우, 방전 전압을 조절하여 -600 V의 대전 전위에서 감광체의 표면이 대전되도록 하였다. 이어서 코로나 방전을 멈추고 암실에 감광체를 5초간 더 두었다. 이 기간 동안, 표면 전하 보유율 (%)을 측정하여 표 5에 나타내었다.
실시예 또는 비교 실시예 표면 전하 보유율 (%)
실시예 41 96.1
실시예 42 95.5
실시예 43 95.8
실시예 44 96.2
실시예 45 95.4
실시예 46 95.5
실시예 47 95.0
실시예 48 94.7
실시예 49 96.2
실시예 50 95.6
비교 실시예 17 88.1
비교 실시예 18 89.5
비교 실시예 19 88.7
비교 실시예 20 87.6
표 5에 나타냈듯이, 실시예 41 내지 50의 각각의 감광체는 우수한 표면 전하 보유율을 나타낸다. 반면, 비교 실시예 17 내지 20의 각각의 표면 전하 보유율은 실시예의 것보다 더 낮다.
실시예 51 내지 60 및 비교 실시예 21 내지 24
실시예 51
종래의 방법으로 제조된 갈륨 프탈로시아닌을 실시예 21의 지르코늄 프탈로시아닌 대신 사용하는 것을 제외하면, 실시예 21과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 52
트리아진의 함량을 갈륨 프탈로시아닌 1 몰 당 10 μmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 51과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 53
트리아진의 함량을 갈륨 프탈로시아닌 1 몰 당 1 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 51과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 54
트리아진의 함량을 갈륨 프탈로시아닌 1 몰 당 100 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 51과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 55
트리아진의 함량을 갈륨 프탈로시아닌 1 몰 당 200 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 51과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 56
트리아진을 첨가한 후 96 % 황산을 사용하여 산 페이스팅 처리를 수행한 다음 물로 세척하고 건조하는 것을 제외하면 실시예 51과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 57
트리아진의 함량을 갈륨 프탈로시아닌 1 몰 당 10 μmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 56과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 58
트리아진의 함량을 갈륨 프탈로시아닌 1 몰 당 1 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 56과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 59
트리아진의 함량을 갈륨 프탈로시아닌 1 몰 당 100 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 56과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 60
트리아진의 함량을 갈륨 프탈로시아닌 1 몰 당 200 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 56과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
비교 실시예 21
트리아진의 함량을 갈륨 프탈로시아닌 1 몰 당 50 nmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 51과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
비교 실시예 22
트리아진의 함량을 갈륨 프탈로시아닌 1 몰 당 300 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 51과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
비교 실시예 23
트리아진의 함량을 갈륨 프탈로시아닌 1 몰 당 50 nmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 56과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
비교 실시예 24
트리아진의 함량을 갈륨 프탈로시아닌 1 몰 당 300 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 56의 방법과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
가와구치 일렉트릭 웍스사에서 제조한 정전 기록 페이퍼 시험 장치 EPA 8100을 사용하여 감광체의 전기적 특성을 평가했다.
암실에서 코로트론 시스템의 코로나 방전으로 감광체의 표면을 대전시켰다. 이 경우, 방전 전압을 조절하여 -600 V의 대전 전위에서 감광체의 표면이 대전되도록 하였다. 이어서 코로나 방전을 멈추고 암실에 감광체를 5초간 더 두었다. 이 기간 동안, 표면 전하 보유율 (%)을 측정하여 표 6에 나타내었다.
실시예 또는 비교 실시예 표면 전하 보유율 (%)
실시예 51 96.3
실시예 52 95.9
실시예 53 95.6
실시예 54 95.8
실시예 55 95.6
실시예 56 95.6
실시예 57 94.9
실시예 58 94.6
실시예 59 96.0
실시예 60 95.5
비교 실시예 21 88.4
비교 실시예 22 89.6
비교 실시예 23 88.2
비교 실시예 24 87.4
표 6에 나타냈듯이, 실시예 51 내지 60의 각각의 감광체는 우수한 표면 전하 보유율을 나타낸다. 반면, 비교 실시예 21 내지 24의 각각의 표면 전하 보유율은 실시예보다 더 낮다.
실시예 61 내지 70 및 비교 실시예 25 내지 28
실시예 61
종래의 방법으로 제조된 인듐 프탈로시아닌을 실시예 21의 지르코늄 프탈로시아닌 대신 사용한다는 것을 제외하면, 실시예 21과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 62
트리아진의 함량을 인듐 프탈로시아닌 1 몰 당 10 μmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 61과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 63
트리아진의 함량을 인듐 프탈로시아닌 1 몰 당 1 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 61과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 64
트리아진의 함량을 인듐 프탈로시아닌 1 몰 당 100 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 61과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 65
트리아진의 함량을 인듐 프탈로시아닌 1 몰 당 200 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 61과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 66
트리아진을 첨가한 후 96 % 황산을 사용하여 산 페이스팅 처리를 수행한 다음 물로 세척하고 건조하는 것을 제외하면 실시예 61과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 67
트리아진의 함량을 인듐 프탈로시아닌 1 몰 당 10 μmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 66과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 68
트리아진의 함량을 인듐 프탈로시아닌 1 몰 당 1 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 66과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 69
트리아진의 함량을 인듐 프탈로시아닌 1 몰 당 100 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 66과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 70
트리아진의 함량을 인듐 프탈로시아닌 1 몰 당 200 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 66과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
비교 실시예 25
트리아진의 함량을 인듐 프탈로시아닌 1 몰 당 50 nmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 61과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
비교 실시예 26
트리아진의 함량을 인듐 프탈로시아닌 1 몰 당 300 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 61과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
비교 실시예 27
트리아진의 함량을 인듐 프탈로시아닌 1 몰 당 50 nmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 66과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
비교 실시예 28
트리아진의 함량을 인듐 프탈로시아닌 1 몰 당 300 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 66의 방법과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
가와구치 일렉트릭 웍스사에서 제조한 정전 기록 페이퍼 시험 장치 EPA 8100을 사용하여 감광체의 전기적 특성을 평가했다.
암실에서 코로트론 시스템의 코로나 방전으로 감광체의 표면을 대전시켰다. 이 경우, 방전 전압을 조절하여 -600 V의 대전 전위에서 감광체의 표면이 대전되도록 하였다. 이어서 코로나 방전을 멈추고 암실에 감광체를 5초간 더 두었다. 이 기간 동안, 표면 전하 보유율 (%)을 측정하여 표 7에 나타내었다.
실시예 또는 비교 실시예 표면 전하 보유율 (%)
실시예 61 96.4
실시예 62 95.7
실시예 63 95.8
실시예 64 95.6
실시예 65 95.7
실시예 66 95.8
실시예 67 95.2
실시예 68 94.9
실시예 69 95.8
실시예 70 95.4
비교 실시예 25 89.3
비교 실시예 26 88.9
비교 실시예 27 87.9
비교 실시예 28 88.3
표 7에 나타냈듯이, 실시예 61 내지 70의 각각의 감광체는 우수한 표면 전하 보유율을 나타낸다. 반면, 비교 실시예 25 내지 28의 각각의 표면 전하 보유율은 실시예보다 더 낮다.
실시예 71 내지 80 및 비교 실시예 29 내지 32
실시예 71
종래의 방법으로 제조된 게르마늄 프탈로시아닌을 실시예 21의 지르코늄 프탈로시아닌 대신 사용한다는 것을 제외하면, 실시예 21과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 72
트리아진의 함량을 게르마늄 프탈로시아닌 1 몰 당 10 μmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 71과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 73
트리아진의 함량을 게르마늄 프탈로시아닌 1 몰 당 1 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 71과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 74
트리아진의 함량을 게르마늄 프탈로시아닌 1 몰 당 100 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 71과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 75
트리아진의 함량을 게르마늄 프탈로시아닌 1 몰 당 200 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 71과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 76
트리아진을 첨가한 후 96 % 황산을 사용하여 산 페이스팅 처리를 수행한 다음 물로 세척하고 건조하는 것을 제외하면 실시예 71과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 77
트리아진의 함량을 게르마늄 프탈로시아닌 1 몰 당 10 μmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 76과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 78
트리아진의 함량을 게르마늄 프탈로시아닌 1 몰 당 1 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 76과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 79
트리아진의 함량을 게르마늄 프탈로시아닌 1 몰 당 100 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 76과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 80
트리아진의 함량을 게르마늄 프탈로시아닌 1 몰 당 200 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 76과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
비교 실시예 29
트리아진의 함량을 게르마늄 프탈로시아닌 1 몰 당 50 nmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 71과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
비교 실시예 30
트리아진의 함량을 게르마늄 프탈로시아닌 1 몰 당 300 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 71과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
비교 실시예 31
트리아진의 함량을 게르마늄 프탈로시아닌 1 몰 당 50 nmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 76과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
비교 실시예 32
트리아진의 함량을 게르마늄 프탈로시아닌 1 몰 당 300 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 76의 방법과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
가와구치 일렉트릭 웍스사에서 제조한 정전 기록 페이퍼 시험 장치 EPA 8100을 사용하여 감광체의 전기적 특성을 평가했다.
암실에서 코로트론 시스템의 코로나 방전으로 감광체의 표면을 대전시켰다. 이 경우, 방전 전압을 조절하여 -600 V의 대전 전위에서 감광체의 표면이 대전되도록 하였다. 이어서 코로나 방전을 멈추고 암실에 감광체를 5초간 더 두었다. 이 기간 동안, 표면 전하 보유율 (%)을 측정하여 표 8에 나타내었다.
실시예 또는 비교 실시예 표면 전하 보유율 (%)
실시예 71 95.7
실시예 72 96.1
실시예 73 95.7
실시예 74 95.1
실시예 75 96.2
실시예 76 95.7
실시예 77 95.5
실시예 78 94.9
실시예 79 95.4
실시예 80 95.6
비교 실시예 29 89.7
비교 실시예 30 89.2
비교 실시예 31 88.4
비교 실시예 32 87.9
표 8에 나타냈듯이, 실시예 71 내지 80의 각각의 감광체는 우수한 표면 전하 보유율을 나타낸다. 반면, 비교 실시예 29 내지 32의 각각의 표면 전하 보유율은 실시예보다 더 낮다.
실시예 81 내지 90 및 비교 실시예 33 내지 36
실시예 81
종래의 방법으로 제조된 주석 프탈로시아닌을 실시예 21의 지르코늄 프탈로시아닌 대신 사용한다는 것을 제외하면, 실시예 21과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 82
트리아진의 함량을 주석 프탈로시아닌 1 몰 당 10 μmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 81과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 83
트리아진의 함량을 주석 프탈로시아닌 1 몰 당 1 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 81과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 84
트리아진의 함량을 주석 프탈로시아닌 1 몰 당 100 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 81과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 85
트리아진의 함량을 주석 프탈로시아닌 1 몰 당 200 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 81과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 86
트리아진을 첨가한 후 96 % 황산을 사용하여 산 페이스팅 처리를 수행한 다음 물로 세척하고 건조하는 것을 제외하면 실시예 81과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 87
트리아진의 함량을 주석 프탈로시아닌 1 몰 당 10 μmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 86과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 88
트리아진의 함량을 주석 프탈로시아닌 1 몰 당 1 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 86과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 89
트리아진의 함량을 주석 프탈로시아닌 1 몰 당 100 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 86과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
실시예 90
트리아진의 함량을 주석 프탈로시아닌 1 몰 당 200 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 86과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
비교 실시예 33
트리아진의 함량을 주석 프탈로시아닌 1 몰 당 50 nmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 81과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
비교 실시예 34
트리아진의 함량을 주석 프탈로시아닌 1 몰 당 300 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 81과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
비교 실시예 35
트리아진의 함량을 주석 프탈로시아닌 1 몰 당 50 nmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 86과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
비교 실시예 36
트리아진의 함량을 주석 프탈로시아닌 1 몰 당 300 mmol로 변화시킨 것을 제외하면 실시예 86의 방법과 동일한 방식으로 감광체를 제조했다.
가와구치 일렉트릭 웍스사에서 제조한 정전 기록 페이퍼 시험 장치 EPA 8100을 사용하여 감광체의 전기적 특성을 평가했다.
암실에서 코로트론 시스템의 코로나 방전으로 감광체의 표면을 대전시켰다. 이 경우, 방전 전압을 조절하여 -600 V의 대전 전위에서 감광체의 표면이 대전되도록 하였다. 이어서 코로나 방전을 멈추고 암실에 감광체를 5초간 더 두었다. 이 기간 동안, 표면 전하 보유율 (%)을 측정하여 표 9에 나타내었다.
실시예 또는 비교 실시예 표면 전하 보유율 (%)
실시예 81 96.4
실시예 82 96.0
실시예 83 95.5
실시예 84 95.6
실시예 85 96.2
실시예 86 96.1
실시예 87 95.8
실시예 88 95.5
실시예 89 95.7
실시예 90 95.4
비교 실시예 33 88.1
비교 실시예 34 88.3
비교 실시예 35 88.7
비교 실시예 36 89.1
표 9에 나타냈듯이, 실시예 81 내지 90의 각각의 감광체는 우수한 표면 전하 보유율을 나타낸다. 반면, 비교 실시예 33 내지 36의 각각의 표면 전하 보유율은 실시예보다 더 낮다.
감광층의 광전도성 재료로서 적어도 프탈로시아닌 화합물을 함유하는 전자사진 감광체에 있어서, 감광층에서 프탈로니트릴 중합체의 함량이 프탈로시아닌 화합물 1 몰에 대해 100 nmol 내지 200 mmol의 범위인 경우, 표면 전하 보유율이 우수한 전자사진 감광체를 얻을 수 있음이 상기한 실시예에서 증명된다. 감광층은 단층형 또는 적층형일 수 있으나 이런 형태중 어느 하나로 제한되는 것은 아니다.
본 발명은 바람직한 실시태양과 관련하여 상세하게 기재되었으며, 본 발명에서 벗어나지 않고도 발명의 보다 넓은 측면에서 변화나 변형이 가능할 것이라는 점을 상기한 바로부터 당분야의 숙련가에게 분명히 이해될 것이며, 따라서 본 발명의 참된 진의내에 속하는 모든 그러한 변화나 변형을 포괄하는 것은 첨부된 특허청구의 범위의 발명이다.

Claims (7)

  1. 전도성 기판 및 감광층으로 이루어지며, 이 감광층이 전도성 기판에 적층되어 있고 광전도성 재료로서 적어도 프탈시아닌 화합물을 포함하며, 프탈시아닌 화합물 이외에 o-프탈로니트릴 중합체를 상기 프탈로시아닌 화합물 1 몰에 대해 100 nmol 내지 200 mmol의 범위로 포함하는 것을 특징으로 하는 전자사진 감광체.
  2. 제1항에 있어서, 프탈로시아닌 화합물이 무금속 프탈로시아닌, 바람직하게는 x-형 무금속 프탈로시아닌인 전자사진 감광체.
  3. 제1항에 있어서, 프탈로시아닌 화합물이 티타닐 옥시프탈로시아닌, 바람직하게는 X-선 회절법을 수행하여 얻은 X-선 회절 스펙트럼에서 적어도 27.3° ± 0.2°의 브랙 각 (2θ)에서 관찰된 회절 강도의 분명한 피크를 갖는, 티타닐 옥시프탈로시아닌과 이 티타닐 옥시프탈로시아닌을 제외한 o-프탈로니트릴 중합체의 혼합물인 전자사진 감광체.
  4. 제1항에 있어서, 프탈로시아닌 화합물이 티타닐 옥시프탈로시아닌, 바람직하게는, X-선 회절 스펙트럼에서 9.6°의 브랙 각 (2θ ± 0.2°) 에서 관찰된 최대 회절 강도 및 각각 7.2°, 9.6°, 11.6°, 13.4°, 14.9°, 18.3°, 23.6°, 24.1° 및 27.3°에서 관찰된 회절 강도의 분명한 피크를 갖는, 티타닐 옥시프탈로시아닌과 이 티타닐 옥시프탈로시아닌을 제외한 o-프탈로니트릴 중합체의 혼합물인 전자사진 감광체.
  5. 제1항에 있어서, 프탈로시아닌 화합물의 중심 금속이 지르코늄, 바나듐, 니오븀, 갈륨, 인듐, 게르마늄 및 주석으로 이루어진 군으로부터 선택된 것인 전자사진 감광체.
  6. 제1항에 있어서, 전도성 기판 및 감광층 사이에 하부 도포층이 있는 전자사진 감광체.
  7. 제1항에 있어서, 감광층이 전하 발생층 및 전하 발생층 위에 적층된 전하 수송층으로 이루어지며, 프탈로시아닌 화합물이 상기 전하 발생층에 포함된 전자사진 감광체.
KR1019970055508A 1996-10-28 1997-10-28 전자사진감광체 KR100444364B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8285020A JPH10133402A (ja) 1996-10-28 1996-10-28 電子写真用感光体
JP96-285020 1996-10-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980033226A true KR19980033226A (ko) 1998-07-25
KR100444364B1 KR100444364B1 (ko) 2005-01-17

Family

ID=17686122

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970055508A KR100444364B1 (ko) 1996-10-28 1997-10-28 전자사진감광체

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5876889A (ko)
JP (1) JPH10133402A (ko)
KR (1) KR100444364B1 (ko)
CN (1) CN1163799C (ko)
DE (1) DE19747556B4 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100389765B1 (ko) * 1998-06-15 2003-11-14 제일모직주식회사 프탈로시아닌 조성물 및 이것을 포함하는 전자사진방식의 감광체
KR100506438B1 (ko) * 2001-04-12 2005-08-11 캐논 가부시끼가이샤 포르피린 화합물, 및 이 화합물을 이용한 전자사진감광체, 프로세스-카트리지 및 장치
KR100609566B1 (ko) * 2000-05-31 2006-08-04 후지 덴키 가조우 디바이스 가부시키가이샤 전자사진용 감광체 및 그 제조방법

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6245472B1 (en) 1997-09-12 2001-06-12 Canon Kabushiki Kaisha Phthalocyanine compounds, process for production thereof and electrophotographic photosensitive member using the compounds
JP3453330B2 (ja) 1999-09-01 2003-10-06 シャープ株式会社 電子写真感光体
JP4178698B2 (ja) * 1999-11-24 2008-11-12 富士電機デバイステクノロジー株式会社 電子写真用感光体およびその製造方法
US6593046B2 (en) 2000-05-19 2003-07-15 Heidelberger Druckmaschinen Ag Photoconductive elements having a polymeric barrier layer
US6866977B2 (en) 2000-05-19 2005-03-15 Eastman Kodak Company Photoconductive elements having a polymeric barrier layer
JP3941720B2 (ja) * 2002-04-11 2007-07-04 富士電機デバイステクノロジー株式会社 電子写真用感光体およびその製造方法
US20080187850A1 (en) * 2007-02-06 2008-08-07 Xerox Corporation Tunable electrophotographic imaging member and method of making same
AU2007224400B2 (en) * 2007-10-12 2014-10-02 The University Of Southern California Organic photosenstive optoelectronic devices containing tetra-azaporphyrins
CN103207193A (zh) * 2013-04-23 2013-07-17 武汉科技大学 双层复合材料的上层材料x射线衍射谱的获取方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3926629A (en) * 1970-03-11 1975-12-16 Xerox Corp Electrophotographic method and plate employing a phthaldcyanine polymer
JPH06236056A (ja) * 1993-02-10 1994-08-23 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
US5369203A (en) * 1993-04-21 1994-11-29 Hay; Allan S. Polymeric phthalocyanines and precursors therefor

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100389765B1 (ko) * 1998-06-15 2003-11-14 제일모직주식회사 프탈로시아닌 조성물 및 이것을 포함하는 전자사진방식의 감광체
KR100609566B1 (ko) * 2000-05-31 2006-08-04 후지 덴키 가조우 디바이스 가부시키가이샤 전자사진용 감광체 및 그 제조방법
KR100506438B1 (ko) * 2001-04-12 2005-08-11 캐논 가부시끼가이샤 포르피린 화합물, 및 이 화합물을 이용한 전자사진감광체, 프로세스-카트리지 및 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR100444364B1 (ko) 2005-01-17
CN1184956A (zh) 1998-06-17
US5876889A (en) 1999-03-02
JPH10133402A (ja) 1998-05-22
CN1163799C (zh) 2004-08-25
DE19747556A1 (de) 1998-04-30
DE19747556B4 (de) 2007-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100233633B1 (ko) 히드록시갈륨 프탈로시아닌 화합물, 그의 제조 방법 및 그를 사용한 전자사진 감광 부재
KR100444364B1 (ko) 전자사진감광체
EP0584754B1 (en) Process for producing hydroxygallium phthalocyanine
JPH02214867A (ja) 電子写真用感光体
US5948580A (en) Electrophotographic photoconductor and method of manufacturing the same
US6613488B1 (en) Electrophotographic photosensitive material, electrophotographic photoconductor, and method for manufacturing same
US5420268A (en) Oxytitanium phthalocyanine imaging members and processes thereof
KR100983758B1 (ko) 유기 전자 사진의 광-수용체
JP3780544B2 (ja) 新規フタロシアニン化合物及びそれを用いた電子写真感光体
JP3350834B2 (ja) 電子写真感光体
JP4178698B2 (ja) 電子写真用感光体およびその製造方法
JP3765324B2 (ja) 電子写真感光体
JP3033585B2 (ja) 電子写真用感光体
JPH02289658A (ja) オキシチタニウムフタロシアニン結晶を製造する方法
KR100476504B1 (ko) 전자사진용감광체및그제조방법
JPH0693203A (ja) ハロゲン含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶およびそれを用いた電子写真感光体
JP3576939B2 (ja) 電子写真感光体
JP3985209B2 (ja) 電子写真用感光体およびその製造方法
JP3060427B2 (ja) 電子写真感光体
KR100355290B1 (ko) 프탈로시아닌계 혼정조성물 및 이를 사용한 전자사진용감광체
JP3855032B2 (ja) 電子写真感光体
JP2001242654A (ja) 電子写真用感光体およびその製造方法
JPH06256680A (ja) バナジルフタロシアニン化合物及びそれを用いた電子写真感光体
JPS62177069A (ja) 新規なフタロシアニン結晶およびこれを用いた電子写真用感光体
JPH0337665A (ja) 電子写真感光体

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120724

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130719

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140721

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150716

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160630

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170719

Year of fee payment: 14

EXPY Expiration of term