JPH06256680A - バナジルフタロシアニン化合物及びそれを用いた電子写真感光体 - Google Patents
バナジルフタロシアニン化合物及びそれを用いた電子写真感光体Info
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- JPH06256680A JPH06256680A JP6596093A JP6596093A JPH06256680A JP H06256680 A JPH06256680 A JP H06256680A JP 6596093 A JP6596093 A JP 6596093A JP 6596093 A JP6596093 A JP 6596093A JP H06256680 A JPH06256680 A JP H06256680A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 感光層に特定のバナジルフタロシアニンを用
いることにより、高感度で高耐久性を有する電子写真感
光体を得る。 【構成】 ＣｕＫαのＸ線回折におけるブラッグ角（２
θ±０．２°）が、２７．２°に最大のピーク強度を有
し、２６．２°のピーク強度は、ピーク強度比が２７．
２°の５〜７０％であることを特徴とするバナジルフタ
ロシアニン化合物及びそれを用いた電子写真感光体。 【効果】 優れた感度と繰返し使用による電位安定性に
優れた電子写真感光体が得られる。
いることにより、高感度で高耐久性を有する電子写真感
光体を得る。 【構成】 ＣｕＫαのＸ線回折におけるブラッグ角（２
θ±０．２°）が、２７．２°に最大のピーク強度を有
し、２６．２°のピーク強度は、ピーク強度比が２７．
２°の５〜７０％であることを特徴とするバナジルフタ
ロシアニン化合物及びそれを用いた電子写真感光体。 【効果】 優れた感度と繰返し使用による電位安定性に
優れた電子写真感光体が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、バナジルフタロシアニ
ン化合物及びそれを用いた電子写真用感光体に関するも
のである。
ン化合物及びそれを用いた電子写真用感光体に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子写真感光体には、セレン、酸
化亜鉛、硫化カドミウムなどの無機光導電体が主に使用
されてきた。しかし、これら無機感光体は、感度、耐久
性、耐湿性など電子写真感光体として要求される特性に
ついて必ずしも満足できるものではなかった。近年、感
度、繰返し使用時の耐久性等に優れた二層構造の有機感
光体が開発された。これは、電荷を発生する電荷発生層
と、帯電を保持する電荷輸送層とに機能を分離してお
り、材料の選択性が広がって、各々の目的に応じて使用
されている。
化亜鉛、硫化カドミウムなどの無機光導電体が主に使用
されてきた。しかし、これら無機感光体は、感度、耐久
性、耐湿性など電子写真感光体として要求される特性に
ついて必ずしも満足できるものではなかった。近年、感
度、繰返し使用時の耐久性等に優れた二層構造の有機感
光体が開発された。これは、電荷を発生する電荷発生層
と、帯電を保持する電荷輸送層とに機能を分離してお
り、材料の選択性が広がって、各々の目的に応じて使用
されている。
【０００３】複写機やレーザプリンタの分野では、小型
で高信頼性などの観点から、光源に半導体レーザが多数
使用されるようになってきた。従って、電荷発生層に使
用される電荷発生材料としては、長波長領域で優れた感
度を示す材料が注目されている。中でも、フタロシアニ
ン化合物は、中心金属及び結晶型により電子写真特性が
大きく異なることが知られており、例えば、特開昭５８
−１８６３９号公報記載のτ型及びη型無金属フタロシ
アニン、特開昭６４−１７０６６号公報記載のチタニル
フタロシアニン等が開示されている。
で高信頼性などの観点から、光源に半導体レーザが多数
使用されるようになってきた。従って、電荷発生層に使
用される電荷発生材料としては、長波長領域で優れた感
度を示す材料が注目されている。中でも、フタロシアニ
ン化合物は、中心金属及び結晶型により電子写真特性が
大きく異なることが知られており、例えば、特開昭５８
−１８６３９号公報記載のτ型及びη型無金属フタロシ
アニン、特開昭６４−１７０６６号公報記載のチタニル
フタロシアニン等が開示されている。
【０００４】一方、より高感度が得られる電荷発生材料
としてバナジルフタロシアニンが注目されており、特定
のブラッグ角度を有するバナジルフタロシアニン結晶及
び電子写真特性が記載されている。特開平３−２６９０
６３号公報には、ブラッグ角度（２θ±０．２°）に少
なくとも１４．３°、１８．０°、２４．１°及び２
７．３°に回折ピークを示すバナジルフタロシアニン結
晶、特開平１−２６８７６３号公報には、２７．２°に
回折ピークを示すバナジルフタロシアニン化合物を用い
た感光体が記載されているが、これらはいずれも、高感
度が得られるものの、繰返し使用による感度特性、電位
安定性について必ずしも満足できるものとはいえない。
としてバナジルフタロシアニンが注目されており、特定
のブラッグ角度を有するバナジルフタロシアニン結晶及
び電子写真特性が記載されている。特開平３−２６９０
６３号公報には、ブラッグ角度（２θ±０．２°）に少
なくとも１４．３°、１８．０°、２４．１°及び２
７．３°に回折ピークを示すバナジルフタロシアニン結
晶、特開平１−２６８７６３号公報には、２７．２°に
回折ピークを示すバナジルフタロシアニン化合物を用い
た感光体が記載されているが、これらはいずれも、高感
度が得られるものの、繰返し使用による感度特性、電位
安定性について必ずしも満足できるものとはいえない。
【０００５】また、特開平１−２０４９６８号公報に
は、９．３°、１０．７°、１３．１°、１５．１°、
１５．７°、１６．１°、２０．７°、２３．３°、２
６．２°及び２７．１°に強い回折ピークを示し、か
つ、９．０°以下に強い回折ピークを示さないバナジル
フタロシアニン化合物が記載されているが、帯電性には
優れているものの、感度については、満足できるものと
はいえない。
は、９．３°、１０．７°、１３．１°、１５．１°、
１５．７°、１６．１°、２０．７°、２３．３°、２
６．２°及び２７．１°に強い回折ピークを示し、か
つ、９．０°以下に強い回折ピークを示さないバナジル
フタロシアニン化合物が記載されているが、帯電性には
優れているものの、感度については、満足できるものと
はいえない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の第１の目的
は、バナジルフタロシアニンの新規な結晶を提供するこ
とにある。本発明の第２の目的は、バナジルフタロシア
ニンの新規な結晶を用いた電子写真感光体において、半
導体レーザー発振領域で高感度であり、繰返し特性に優
れた電子写真感光体を提供することにある。
は、バナジルフタロシアニンの新規な結晶を提供するこ
とにある。本発明の第２の目的は、バナジルフタロシア
ニンの新規な結晶を用いた電子写真感光体において、半
導体レーザー発振領域で高感度であり、繰返し特性に優
れた電子写真感光体を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、ＣｕＫαのＸ線回折におけるブラッグ角
（２θ±０．２°）の２７．２°に最大強度のピークを
有し、２６．２°のピーク強度が、２７．２°のピーク
の５〜７０％であることを特徴とするバナジルフタロシ
アニン化合物としたものであり、また、この化合物が優
れた光導電性を有し、電子写真用感光体に好適なことを
見出した。特に、電荷輸送物質にトリフェニルアミン構
造上に最高被占軌道の電子が８０％以上存在する下記化
１で表されるトリフェニルアミン化合物を使用すること
で、上記目的が達成できる電子写真感光体を提供するこ
とができる。
達成するため、ＣｕＫαのＸ線回折におけるブラッグ角
（２θ±０．２°）の２７．２°に最大強度のピークを
有し、２６．２°のピーク強度が、２７．２°のピーク
の５〜７０％であることを特徴とするバナジルフタロシ
アニン化合物としたものであり、また、この化合物が優
れた光導電性を有し、電子写真用感光体に好適なことを
見出した。特に、電荷輸送物質にトリフェニルアミン構
造上に最高被占軌道の電子が８０％以上存在する下記化
１で表されるトリフェニルアミン化合物を使用すること
で、上記目的が達成できる電子写真感光体を提供するこ
とができる。
【０００８】
【化１】 （式中、Ｘ：窒素を含む複素環で、置換基を有していて
も良い。Ｘの置換基としては、Ｃ1-5 のアルキル基、Ｃ
1-6 のアルコキシ基又は置換基を有していても良いＣ
6-10のアリール基である。Ｙ：単結合又は−ＣＨ＝ＣＨ
−である。Ｚ1 ，Ｚ2 及びＺ3 ：水素、Ｃ1-5 のアルキ
ル基、Ｃ1-6 のアルコキシ基又は置換基を有していても
良いＣ6-10のアリール基又はジアルキルアミノ基であ
る。）
も良い。Ｘの置換基としては、Ｃ1-5 のアルキル基、Ｃ
1-6 のアルコキシ基又は置換基を有していても良いＣ
6-10のアリール基である。Ｙ：単結合又は−ＣＨ＝ＣＨ
−である。Ｚ1 ，Ｚ2 及びＺ3 ：水素、Ｃ1-5 のアルキ
ル基、Ｃ1-6 のアルコキシ基又は置換基を有していても
良いＣ6-10のアリール基又はジアルキルアミノ基であ
る。）
【０００９】上記化合物の最高被占軌道の電子の分布
は、汎用の分子軌道プログラムを用いることができる
が、計算時間や信頼性の点からＭＮＤＯ（ Modified Ne
glet ofDiatomic Orbital )法が好ましい。ＭＮＤＯ法
のプログラムは、ＱＣＰＥ（ Quantum Chemistry Progr
am Exchange ) 、ＪＣＰＥ（日本化学プログラム交換機
構）等様々な機関より入手できる。本発明においては、
最高被占軌道の電子の分布は、ＭＯＰＡＣ ver. ４（Ｑ
ＣＰＥ Ｎｏ．４５５）中のＭＮＤＯ法のプログラムを
使用して計算したものと定義する。
は、汎用の分子軌道プログラムを用いることができる
が、計算時間や信頼性の点からＭＮＤＯ（ Modified Ne
glet ofDiatomic Orbital )法が好ましい。ＭＮＤＯ法
のプログラムは、ＱＣＰＥ（ Quantum Chemistry Progr
am Exchange ) 、ＪＣＰＥ（日本化学プログラム交換機
構）等様々な機関より入手できる。本発明においては、
最高被占軌道の電子の分布は、ＭＯＰＡＣ ver. ４（Ｑ
ＣＰＥ Ｎｏ．４５５）中のＭＮＤＯ法のプログラムを
使用して計算したものと定義する。
【００１０】以下、本発明のバナジルフタロシアニン及
び電子写真感光体の製造方法を示す。バナジルフタロシ
アニンは、五酸化バナジウムとフタロジニトリルとをα
−クロロナフタレン、スルホラン等の不活性高沸点溶媒
中、１５０〜３００℃の温度範囲で加熱攪拌して合成す
ることにより、バナジルフタロシアニン（ａ）を得るこ
とができる。このバナジルフタロシアニン（ａ）を機械
的磨砕方法によって、低結晶性バナジルフタロシアニン
（ｂ）とするが、低結晶性バナジルフタロシアニン
（ｂ）としては、特に、１０．５°、１２．６°、１
５．０°、２６．５°にピークを有するものが好まし
い。
び電子写真感光体の製造方法を示す。バナジルフタロシ
アニンは、五酸化バナジウムとフタロジニトリルとをα
−クロロナフタレン、スルホラン等の不活性高沸点溶媒
中、１５０〜３００℃の温度範囲で加熱攪拌して合成す
ることにより、バナジルフタロシアニン（ａ）を得るこ
とができる。このバナジルフタロシアニン（ａ）を機械
的磨砕方法によって、低結晶性バナジルフタロシアニン
（ｂ）とするが、低結晶性バナジルフタロシアニン
（ｂ）としては、特に、１０．５°、１２．６°、１
５．０°、２６．５°にピークを有するものが好まし
い。
【００１１】その後、この低結晶性バナジルフタロシア
ニン（ｂ）を有機溶媒と水との混合溶媒で処理し、濾
過、乾燥することにより、本発明のバナジルフタロシア
ニン（ｃ）を得ることができる。機械的磨砕時に使用さ
れる装置としては、サンドミル、ボールミル、ロールミ
ル、アトライター、ペイントシェーカー等あるがこれら
に限定されるものではない。本発明では、有機溶媒と水
との混合溶媒によって処理を行うが、有機溶剤として
は、例えば、クロロベンゼン、オルトジクロロベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の芳香族有機溶媒、１，２−
ジクロロエタン、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩
化炭素、ヘキサン、酢酸エチル、酢酸ブチル等の脂肪族
有機溶媒が使用できる。
ニン（ｂ）を有機溶媒と水との混合溶媒で処理し、濾
過、乾燥することにより、本発明のバナジルフタロシア
ニン（ｃ）を得ることができる。機械的磨砕時に使用さ
れる装置としては、サンドミル、ボールミル、ロールミ
ル、アトライター、ペイントシェーカー等あるがこれら
に限定されるものではない。本発明では、有機溶媒と水
との混合溶媒によって処理を行うが、有機溶剤として
は、例えば、クロロベンゼン、オルトジクロロベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の芳香族有機溶媒、１，２−
ジクロロエタン、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩
化炭素、ヘキサン、酢酸エチル、酢酸ブチル等の脂肪族
有機溶媒が使用できる。
【００１２】本発明の感光体の構成は、公知の形態で使
用できるが、好ましくは、機能分離型感光体とするのが
よい。この場合、導電性支持体上に、電荷発生層を形成
し、電荷輸送層を積層した構成が知られているが、電荷
発生層と電荷輸送層を逆にした構成、導電性支持体と感
光層との間に中間層を設けた構成、さらに、表面層上に
保護層を設けた構成にも使用できる。
用できるが、好ましくは、機能分離型感光体とするのが
よい。この場合、導電性支持体上に、電荷発生層を形成
し、電荷輸送層を積層した構成が知られているが、電荷
発生層と電荷輸送層を逆にした構成、導電性支持体と感
光層との間に中間層を設けた構成、さらに、表面層上に
保護層を設けた構成にも使用できる。
【００１３】電荷発生層には、本発明のバナジルフタロ
シアニン（ｃ）以外の電荷発生物質も併用できる。併用
する電荷発生物質の種類、結晶型、含有量には、本発明
の効果を損なわない限り、特に制限はない。併用できる
電荷発生物質としては、例えば金属フタロシアニン及び
無金属フタロシアニン等のフタロシアニン顔料、アント
ラキノン顔料、インジゴ顔料、キナクリドン顔料、ペリ
レン顔料、スクアリン顔料、モノアゾ及びジスアゾ顔
料、スクアリン酸誘導体等の公知の材料を挙げることが
できる。また、電荷発生層には必要に応じて、周知の結
着剤樹脂が使用される。
シアニン（ｃ）以外の電荷発生物質も併用できる。併用
する電荷発生物質の種類、結晶型、含有量には、本発明
の効果を損なわない限り、特に制限はない。併用できる
電荷発生物質としては、例えば金属フタロシアニン及び
無金属フタロシアニン等のフタロシアニン顔料、アント
ラキノン顔料、インジゴ顔料、キナクリドン顔料、ペリ
レン顔料、スクアリン顔料、モノアゾ及びジスアゾ顔
料、スクアリン酸誘導体等の公知の材料を挙げることが
できる。また、電荷発生層には必要に応じて、周知の結
着剤樹脂が使用される。
【００１４】一方、電荷輸送層に用いる電荷輸送物質と
しては、公知の材料例えば、オキサゾール、オキサジア
ゾール、トリアゾール、イミダゾロン、ピラゾリン、イ
ミダゾール、イミダゾリジン、ベンゾチアゾール、トリ
フェニルアミン、カルバゾール、ヒドラゾン、スチリル
及びそれら物質の誘導体等を挙げることができる。これ
らの中で、特に好ましくはトリフェニルアミン化合物で
あり、トリフェニルアミン構造上に最高被占軌道の電子
が８０％以上存在する前記化１で表さられる化合物が好
ましい。具体的には、特開平４−１１８６５７号公報記
載のトリフェニルアミン化合物であり、例えば、下記化
２〜６で表さられる化合物が挙げられる。これら電荷輸
送物質は単独あるいは２種類以上を併用することもでき
る。また、電荷輸送層に用いる結着剤樹脂は、特に限定
されないが、電荷輸送物質と分散あるいは相溶性が良い
公知の材料が適宜使用される。
しては、公知の材料例えば、オキサゾール、オキサジア
ゾール、トリアゾール、イミダゾロン、ピラゾリン、イ
ミダゾール、イミダゾリジン、ベンゾチアゾール、トリ
フェニルアミン、カルバゾール、ヒドラゾン、スチリル
及びそれら物質の誘導体等を挙げることができる。これ
らの中で、特に好ましくはトリフェニルアミン化合物で
あり、トリフェニルアミン構造上に最高被占軌道の電子
が８０％以上存在する前記化１で表さられる化合物が好
ましい。具体的には、特開平４−１１８６５７号公報記
載のトリフェニルアミン化合物であり、例えば、下記化
２〜６で表さられる化合物が挙げられる。これら電荷輸
送物質は単独あるいは２種類以上を併用することもでき
る。また、電荷輸送層に用いる結着剤樹脂は、特に限定
されないが、電荷輸送物質と分散あるいは相溶性が良い
公知の材料が適宜使用される。
【００１５】
【化２】
【化３】
【化４】
【化５】
【化６】
【００１６】
【作用】本発明のバナジルフタロシアニン化合物を用い
た電子写真感光体は、繰返し使用した場合の帯電性、感
度特性及び残留電位等の変動が少ない特徴を有するが、
この理由について明確にはわからないのが実状である。
一般にフタロシアニン化合物は多くの結晶型が知られて
おり、それぞれの目的に合った結晶型が使用されてい
る。中でもバナジルフタロシアニン化合物は、長波長領
域で高い感度を有する電子写真用感光体の電荷発生物質
として知られており、特に２７．２°に最大のピーク強
度を有する場合に、高感度が得られることが知られてい
る。しかしながら、高感度である反面、繰返し使用時に
徐々に帯電性が低下し、この理由として、余剰キャリヤ
（露光で発生した電荷の一部）が感光体内部に残存し、
このキャリヤの影響で帯電電位が低下して行くものと推
察される。
た電子写真感光体は、繰返し使用した場合の帯電性、感
度特性及び残留電位等の変動が少ない特徴を有するが、
この理由について明確にはわからないのが実状である。
一般にフタロシアニン化合物は多くの結晶型が知られて
おり、それぞれの目的に合った結晶型が使用されてい
る。中でもバナジルフタロシアニン化合物は、長波長領
域で高い感度を有する電子写真用感光体の電荷発生物質
として知られており、特に２７．２°に最大のピーク強
度を有する場合に、高感度が得られることが知られてい
る。しかしながら、高感度である反面、繰返し使用時に
徐々に帯電性が低下し、この理由として、余剰キャリヤ
（露光で発生した電荷の一部）が感光体内部に残存し、
このキャリヤの影響で帯電電位が低下して行くものと推
察される。
【００１７】一方、２６．２°に最大のピーク強度を有
する場合には、２７．２°に最大のピーク強度を有する
場合に比べ感度が劣るものの、繰返し使用による帯電性
の低下は見られない。したがって、本発明に示す２７．
２°と２６．２°に特定割合のピーク強度比を有するバ
ナジルフタロシアニン化合物は、両者の結晶型の特徴を
損なうことなく良好に調和されている。この両者の性質
が良好に調和される理由は、これら特定割合のピーク強
度比が同時に作製されるために結晶粒子同士による何ら
かの相互作用により、単に２７．２°に最大のピーク強
度を有するバナジルフタロシアニンと２６．２°に最大
のピーク強度を有するバナジルフタロシアニンとを単に
混合させただけでは得られない効果が得られたものであ
る。
する場合には、２７．２°に最大のピーク強度を有する
場合に比べ感度が劣るものの、繰返し使用による帯電性
の低下は見られない。したがって、本発明に示す２７．
２°と２６．２°に特定割合のピーク強度比を有するバ
ナジルフタロシアニン化合物は、両者の結晶型の特徴を
損なうことなく良好に調和されている。この両者の性質
が良好に調和される理由は、これら特定割合のピーク強
度比が同時に作製されるために結晶粒子同士による何ら
かの相互作用により、単に２７．２°に最大のピーク強
度を有するバナジルフタロシアニンと２６．２°に最大
のピーク強度を有するバナジルフタロシアニンとを単に
混合させただけでは得られない効果が得られたものであ
る。
【００１８】また、機能分離型の電子写真感光体は、電
荷発生物質（電荷発生層）と電荷輸送物質（電荷輸送
層）とのエネルギー準位の整合性によって、電子写真特
性が大きく左右されることが知られている。したがっ
て、本発明に示すバナジルフタロシアニン化合物とトリ
フェニルアミン化合物から構成される電子写真感光体
は、エネルギー準位の整合性が良好で、バナジルフタロ
シアニン化合物による高感度とトリフェニルアミン化合
物の高移動度、高耐久性の各々の特徴を十分発揮されて
いる。
荷発生物質（電荷発生層）と電荷輸送物質（電荷輸送
層）とのエネルギー準位の整合性によって、電子写真特
性が大きく左右されることが知られている。したがっ
て、本発明に示すバナジルフタロシアニン化合物とトリ
フェニルアミン化合物から構成される電子写真感光体
は、エネルギー準位の整合性が良好で、バナジルフタロ
シアニン化合物による高感度とトリフェニルアミン化合
物の高移動度、高耐久性の各々の特徴を十分発揮されて
いる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
る。 実施例１ （ａ）バナジルフタロシアニン（以下ＶＯＰｃという）
（ａ）の合成 フタロジニトリル６５重量部と五酸化バナジウム２５重
量部をα−クロロナフタレン５００重量部中、２００℃
で３時間攪拌し、反応させた。反応終了後、熱時濾過
し、α−クロロナフタレンで洗浄した。次いで、アセト
ンで洗浄し、ＶＯＰｃ（ａ）を得た。このＶＯＰｃ
（ａ）は、図１に示すＸ線回折パターンを示した。
る。 実施例１ （ａ）バナジルフタロシアニン（以下ＶＯＰｃという）
（ａ）の合成 フタロジニトリル６５重量部と五酸化バナジウム２５重
量部をα−クロロナフタレン５００重量部中、２００℃
で３時間攪拌し、反応させた。反応終了後、熱時濾過
し、α−クロロナフタレンで洗浄した。次いで、アセト
ンで洗浄し、ＶＯＰｃ（ａ）を得た。このＶＯＰｃ
（ａ）は、図１に示すＸ線回折パターンを示した。
【００２０】（ｂ）ＶＯＰｃ（ｃ）の合成 上記で得たＶＯＰｃ（ａ）２重量部をボールミルで２０
時間粉砕した。その後、メタノールで洗浄し、乾燥して
図２に示す１０．５°、１２．６°、１５．０°、２
６．５°にピークを有する低結晶性ＶＯＰｃ（ｂ）を得
た。この低結晶性ＶＯＰｃ（ｂ）の１重量部をイオン交
換水２０重量部とオルトジクロロベンゼン２重量部の混
合溶媒中で１時間攪拌し、メタノールで洗浄した。その
後、濾過、乾燥して、図３に示すＸ線回折パターンをも
つＶＯＰｃ（ｃ）を得た。このＶＯＰｃ（ｃ）は、２
６．２°のピーク強度比が、２７．２°の３８％であっ
た。
時間粉砕した。その後、メタノールで洗浄し、乾燥して
図２に示す１０．５°、１２．６°、１５．０°、２
６．５°にピークを有する低結晶性ＶＯＰｃ（ｂ）を得
た。この低結晶性ＶＯＰｃ（ｂ）の１重量部をイオン交
換水２０重量部とオルトジクロロベンゼン２重量部の混
合溶媒中で１時間攪拌し、メタノールで洗浄した。その
後、濾過、乾燥して、図３に示すＸ線回折パターンをも
つＶＯＰｃ（ｃ）を得た。このＶＯＰｃ（ｃ）は、２
６．２°のピーク強度比が、２７．２°の３８％であっ
た。
【００２１】実施例２ 実施例１において、（ｂ）ＶＯＰｃ（ｃ）の合成でオル
トジクロロベンゼンの代わりに、クロロベンゼンを用い
た以外は、実施例１と同様にしてＶＯＰｃ(d)を作製し
た。このＶＯＰｃ（ｄ）は、図４に示すように、２６．
２°のピーク強度比が、２７．２°の５％であった。
トジクロロベンゼンの代わりに、クロロベンゼンを用い
た以外は、実施例１と同様にしてＶＯＰｃ(d)を作製し
た。このＶＯＰｃ（ｄ）は、図４に示すように、２６．
２°のピーク強度比が、２７．２°の５％であった。
【００２２】実施例３ 実施例１において、（ｂ）ＶＯＰｃ（ｃ）の合成でオル
トジクロロベンゼンの代わりに、１，２−ジクロロエタ
ンを用いた以外は、実施例１と同様にしてＶＯＰｃ
（ｅ）を作製した。このＶＯＰｃ（ｅ）は、図５に示す
ように、２６．２°のピーク強度比が、２７．２°の６
７％であった。
トジクロロベンゼンの代わりに、１，２−ジクロロエタ
ンを用いた以外は、実施例１と同様にしてＶＯＰｃ
（ｅ）を作製した。このＶＯＰｃ（ｅ）は、図５に示す
ように、２６．２°のピーク強度比が、２７．２°の６
７％であった。
【００２３】比較例１ 実施例１において、（ｂ）ＶＯＰｃ（ｃ）の合成で混合
溶剤中で８０℃で１時間加熱攪拌した以外は、実施例１
と同様にしてＶＯＰｃ（ｘ）を作製した。このＶＯＰｃ
（ｘ）は、図６に示すように、２６．２°のピーク強度
比が、２７．２°の７３％であった。
溶剤中で８０℃で１時間加熱攪拌した以外は、実施例１
と同様にしてＶＯＰｃ（ｘ）を作製した。このＶＯＰｃ
（ｘ）は、図６に示すように、２６．２°のピーク強度
比が、２７．２°の７３％であった。
【００２４】比較例２ 実施例１において、（ａ）ＶＯＰｃ（ａ）の合成で得た
ＶＯＰｃ（ａ）５重量部を硫酸に６０℃で溶解後、氷冷
したメタノール３０００重量部中に注ぎ、濾過、乾燥し
た。このＶＯＰｃ（ｙ）１重量部をトルエン１０重量部
中で４時間、室温で攪拌した。得られた結晶は、図７に
示すように、２６．２°にはピークは見られなかった。
ＶＯＰｃ（ａ）５重量部を硫酸に６０℃で溶解後、氷冷
したメタノール３０００重量部中に注ぎ、濾過、乾燥し
た。このＶＯＰｃ（ｙ）１重量部をトルエン１０重量部
中で４時間、室温で攪拌した。得られた結晶は、図７に
示すように、２６．２°にはピークは見られなかった。
【００２５】実施例４〜６及び比較例３〜４ 実施例１〜３と比較例１〜２で得られたＶＯＰｃを用い
て以下のように電子写真感光体を作製し、特性を評価し
た。電荷発生層として電荷発生物質に上記の方法で得ら
れたＶＯＰｃ２．５重量部をプロパノール９５重量部、
ポリビニルブチラール（商品名：電化ブチラール＃３０
００Ｋ、電気化学製）２．５重量部の溶液に添加し、超
音波洗浄機を用いて８時間分散した。得られた分散液を
アルミ基板上にポリアミド樹脂（商品名：Ｍ−１２７
６、日本リルサン株式会社製）１重量部、メラミン樹脂
（商品名：メラン２０００、日立化成工業株式会社製）
１重量部とからなる下引き層を有する支持体上に塗工
し、電荷発生層を形成した。
て以下のように電子写真感光体を作製し、特性を評価し
た。電荷発生層として電荷発生物質に上記の方法で得ら
れたＶＯＰｃ２．５重量部をプロパノール９５重量部、
ポリビニルブチラール（商品名：電化ブチラール＃３０
００Ｋ、電気化学製）２．５重量部の溶液に添加し、超
音波洗浄機を用いて８時間分散した。得られた分散液を
アルミ基板上にポリアミド樹脂（商品名：Ｍ−１２７
６、日本リルサン株式会社製）１重量部、メラミン樹脂
（商品名：メラン２０００、日立化成工業株式会社製）
１重量部とからなる下引き層を有する支持体上に塗工
し、電荷発生層を形成した。
【００２６】次に、電荷輸送層として電荷輸送物質に前
記化２に示すトリフェニルアミン化合物（日本感光色素
研究所、商品名：ＮＫ−１２０３）５重量部を、ポリカ
ーボネート樹脂（ＧＥ製）１０重量部、シランカップリ
ング剤（商品名：ＫＰ−３２３、信越化学工業）０．０
２重量部、塩化メチレンと１，１，２−トリクロロエタ
ン４：６の混合溶媒８５重量部に完全に溶解させ、電荷
輸送層塗液を作製した。この塗液に、前記電荷発生層を
浸漬後、一定速度で引き上げて、電荷輸送層を塗工し
た。塗工後１２０℃で１時間乾燥し、膜厚２０μｍの電
荷輸送層を形成した。この様にして作製した電子写真感
光体は、繰返し試験前後の電子写真特性で評価した。
記化２に示すトリフェニルアミン化合物（日本感光色素
研究所、商品名：ＮＫ−１２０３）５重量部を、ポリカ
ーボネート樹脂（ＧＥ製）１０重量部、シランカップリ
ング剤（商品名：ＫＰ−３２３、信越化学工業）０．０
２重量部、塩化メチレンと１，１，２−トリクロロエタ
ン４：６の混合溶媒８５重量部に完全に溶解させ、電荷
輸送層塗液を作製した。この塗液に、前記電荷発生層を
浸漬後、一定速度で引き上げて、電荷輸送層を塗工し
た。塗工後１２０℃で１時間乾燥し、膜厚２０μｍの電
荷輸送層を形成した。この様にして作製した電子写真感
光体は、繰返し試験前後の電子写真特性で評価した。
【００２７】電子写真特性の測定は、静電気帯電試験装
置ＥＰＡ−８１００（川口電気製）を用い、−５ｋＶで
１０秒間帯電し、１０秒間暗所放置後、５ｌｕｘの白色
光を３０秒間照射して、帯電電位（Ｖ0 ）、半減露光量
感度（Ｅ50）、残留電位（ＶR ）を比べた。また、繰返
し試験は、周速約１９０ｃｍ／分で回転するドラムにサ
ンプルを貼り付けて、ドラム近傍に設置されているコロ
ナ帯電器に−５．２ｋＶの電圧を印加してサンプルを帯
電させた。次に、コロナ帯電器と１８０度対向した方向
に設置されたタングステンランプで露光（照度５０ｌｕ
ｘ）する工程を５時間行った。結果を表１に示す。な
お、電荷輸送物質として使用した化２のトリフェニルア
ミン化合物のトリフェニルアミン骨格上における最高被
占軌道の電子の割合を計算した結果、８２％であった。
置ＥＰＡ−８１００（川口電気製）を用い、−５ｋＶで
１０秒間帯電し、１０秒間暗所放置後、５ｌｕｘの白色
光を３０秒間照射して、帯電電位（Ｖ0 ）、半減露光量
感度（Ｅ50）、残留電位（ＶR ）を比べた。また、繰返
し試験は、周速約１９０ｃｍ／分で回転するドラムにサ
ンプルを貼り付けて、ドラム近傍に設置されているコロ
ナ帯電器に−５．２ｋＶの電圧を印加してサンプルを帯
電させた。次に、コロナ帯電器と１８０度対向した方向
に設置されたタングステンランプで露光（照度５０ｌｕ
ｘ）する工程を５時間行った。結果を表１に示す。な
お、電荷輸送物質として使用した化２のトリフェニルア
ミン化合物のトリフェニルアミン骨格上における最高被
占軌道の電子の割合を計算した結果、８２％であった。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【発明の効果】以上のように本発明のバナジルフタロシ
アニンを用いることにより、優れた感度特性、耐久性を
有する電子写真感光体が得られる。
アニンを用いることにより、優れた感度特性、耐久性を
有する電子写真感光体が得られる。
【図１】本発明の実施例１におけるＶＯＰｃ（ａ）のＸ
線回折図
線回折図
【図２】本発明の実施例１における低結晶性ＶＯＰｃ
（ｂ）のＸ線回折図
（ｂ）のＸ線回折図
【図３】本発明の実施例１におけるＶＯＰｃ（ｃ）のＸ
線回折図
線回折図
【図４】本発明の実施例２におけるＶＯＰｃ（ｄ）のＸ
線回折図
線回折図
【図５】本発明の実施例３におけるＶＯＰｃ（ｅ）のＸ
線回折図
線回折図
【図６】本発明の比較例１におけるＶＯＰｃ（ｘ）のＸ
線回折図
線回折図
【図７】本発明の比較例２におけるＶＯＰｃ（ｙ）のＸ
線回折図
線回折図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斎藤 俊郎 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 岩柳 隆夫 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 勝谷 康夫 茨城県日立市東町４丁目13番地１号 日立 化成工業株式会社山崎工場内
Claims (3)
- 【請求項１】 ＣｕＫαのＸ線回折におけるブラッグ角
（２θ±０．２°）が、２７．２°に最大のピーク強度
を有し、２６．２°のピーク強度は、ピーク強度比が２
７．２°の５〜７０％であることを特徴とするバナジル
フタロシアニン化合物。 - 【請求項２】 導電性支持体上に、感光層を設けた電子
写真感光体において、前記感光層にＣｕＫαのＸ線回折
におけるブラッグ角（２θ±０．２°）が、２７．２°
に最大のピーク強度を有し、２６．２°のピーク強度
は、ピーク強度比が２７．２°の５〜７０％であるバナ
ジルフタロシアニン化合物を含有することを特徴とする
電子写真感光体。 - 【請求項３】 請求項２に記載の電子写真用感光体にお
いて、電荷輸送物質としてトリフェニルアミン構造上に
最高被占軌道の電子が８０％以上存在する下記化１で表
されるトリフェニルアミン化合物を含有させることを特
徴とする電子写真感光体。 【化１】 （式中、Ｘ：窒素を含む複素環で、置換基を有していて
も良い。Ｘの置換基としては、Ｃ1-5 のアルキル基、Ｃ
1-6 のアルコキシ基又は置換基を有していても良いＣ
6-10のアリール基である。Ｙ：単結合又は−ＣＨ＝ＣＨ
−である。Ｚ1 ，Ｚ2 及びＺ3 ：水素、Ｃ1-5 のアルキ
ル基、Ｃ1-6 のアルコキシ基又は置換基を有していても
良いＣ6-10のアリール基又はジアルキルアミノ基であ
る。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6596093A JPH06256680A (ja) | 1993-03-03 | 1993-03-03 | バナジルフタロシアニン化合物及びそれを用いた電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6596093A JPH06256680A (ja) | 1993-03-03 | 1993-03-03 | バナジルフタロシアニン化合物及びそれを用いた電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06256680A true JPH06256680A (ja) | 1994-09-13 |
Family
ID=13302070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6596093A Pending JPH06256680A (ja) | 1993-03-03 | 1993-03-03 | バナジルフタロシアニン化合物及びそれを用いた電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06256680A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6034236A (en) * | 1997-06-05 | 2000-03-07 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Method for producing of phthalocyanine compound |
| US7473777B2 (en) | 2004-03-15 | 2009-01-06 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Method for production of halogen-containing phthalocyanine compound |
-
1993
- 1993-03-03 JP JP6596093A patent/JPH06256680A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6034236A (en) * | 1997-06-05 | 2000-03-07 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Method for producing of phthalocyanine compound |
| US7473777B2 (en) | 2004-03-15 | 2009-01-06 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Method for production of halogen-containing phthalocyanine compound |
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