JPH07128888A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPH07128888A JPH07128888A JP29385893A JP29385893A JPH07128888A JP H07128888 A JPH07128888 A JP H07128888A JP 29385893 A JP29385893 A JP 29385893A JP 29385893 A JP29385893 A JP 29385893A JP H07128888 A JPH07128888 A JP H07128888A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 光感度、耐久性、環境安定性に優れた可視光
領域から近赤外領域に幅広く良好な光感度を有する感光
体をを提供する。 【構成】 本発明の電子写真感光体は、ガリウムフタロ
シアニン化合物と下記一般式（１）、（２）、（３）ま
たは（４）で示されるアゾ化合物とをキャリア発生物質
として感光層に含有する。 （Ａは２価の芳香族炭化水素基または複素環基、Ａｒは
芳香族炭化水素基または複素環基を表し、ｎは１〜３の
整数である） （Ａ1 、Ａ1 ′は芳香族性のカップラー、Ｂは水素、ハ
ロゲン、低級アルキル基または低級アルコキシ基を表
す） （Ａ2 、Ａ2 ′は芳香族性のカップラーを表す） （Ｘ、Ｘ′は水素またはハロゲン、Ｒ1 、Ｒ1 ′は置換
基を有していてもよいアルキル基またはアリール基、Ｒ
2 、Ｒ2 ′は水素、ハロゲン、アルキル基、アリール
基、アルコキシ基、ニトロ基またはアシル基を表す）
領域から近赤外領域に幅広く良好な光感度を有する感光
体をを提供する。 【構成】 本発明の電子写真感光体は、ガリウムフタロ
シアニン化合物と下記一般式（１）、（２）、（３）ま
たは（４）で示されるアゾ化合物とをキャリア発生物質
として感光層に含有する。 （Ａは２価の芳香族炭化水素基または複素環基、Ａｒは
芳香族炭化水素基または複素環基を表し、ｎは１〜３の
整数である） （Ａ1 、Ａ1 ′は芳香族性のカップラー、Ｂは水素、ハ
ロゲン、低級アルキル基または低級アルコキシ基を表
す） （Ａ2 、Ａ2 ′は芳香族性のカップラーを表す） （Ｘ、Ｘ′は水素またはハロゲン、Ｒ1 、Ｒ1 ′は置換
基を有していてもよいアルキル基またはアリール基、Ｒ
2 、Ｒ2 ′は水素、ハロゲン、アルキル基、アリール
基、アルコキシ基、ニトロ基またはアシル基を表す）
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光導電材料としてガリ
ウムフタロシアニン化合物を用いた電子写真感光体に関
するものである。
ウムフタロシアニン化合物を用いた電子写真感光体に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】フタロシアニン化合物は、塗料、印刷イ
ンキ、触媒あるいは電子材料として有用な材料であり、
特に近年は電子写真感光体用材料、光記録用材料および
光電変換材料として広範に検討がなされている。電子写
真感光体についてみると、近年、従来提案された有機光
導電材料の感光波長域を、近赤外線の半導体レーザーの
波長（７８０〜８３０ｎｍ）にまで伸ばし、レーザープ
リンター等のデジタル記録用の感光体として使用するこ
との要求が高まっており、この観点から、スクエアリウ
ム化合物（特開昭４９−１０５５３６号および同５８−
２１４１６号公報）、トリフェニルアミン系トリスアゾ
化合物（特開昭６１−１５１６５９号公報）、フタロシ
アニン化合物（特開昭４８−３４１８９号および同５７
−１４８７４５号公報）等が、半導体レーザー用の光導
電材料として提案されている。特にフタロシアニンを用
いた電子写真感光体に関しては、多くの化合物が知られ
ており、ｘ型Ｈ２Ｐｃ（米国特許第３，８１６，１１８
号明細書）、ＣｌＩｎＰｃ（特開昭５９−４４０５４号
公報）、α型ＴｉＯＰｃ（特開昭６２−１３４６５１号
公報）、β型ＴｉＯＰｃ（特開昭６３−２１８７６８号
公報）、Ｙ型ＴｉＯＰｃ（特開昭６４−１７０６６号公
報）等があり、ガリウムフタロシアニンについては、あ
る特定の結晶型のものを用いる感光体が特開平１−２２
１４５９号公報に、ＣｌＧａＰｃについては、蒸着して
用いる感光体が特開昭５９−４４０５３号公報に提案さ
れている。
ンキ、触媒あるいは電子材料として有用な材料であり、
特に近年は電子写真感光体用材料、光記録用材料および
光電変換材料として広範に検討がなされている。電子写
真感光体についてみると、近年、従来提案された有機光
導電材料の感光波長域を、近赤外線の半導体レーザーの
波長（７８０〜８３０ｎｍ）にまで伸ばし、レーザープ
リンター等のデジタル記録用の感光体として使用するこ
との要求が高まっており、この観点から、スクエアリウ
ム化合物（特開昭４９−１０５５３６号および同５８−
２１４１６号公報）、トリフェニルアミン系トリスアゾ
化合物（特開昭６１−１５１６５９号公報）、フタロシ
アニン化合物（特開昭４８−３４１８９号および同５７
−１４８７４５号公報）等が、半導体レーザー用の光導
電材料として提案されている。特にフタロシアニンを用
いた電子写真感光体に関しては、多くの化合物が知られ
ており、ｘ型Ｈ２Ｐｃ（米国特許第３，８１６，１１８
号明細書）、ＣｌＩｎＰｃ（特開昭５９−４４０５４号
公報）、α型ＴｉＯＰｃ（特開昭６２−１３４６５１号
公報）、β型ＴｉＯＰｃ（特開昭６３−２１８７６８号
公報）、Ｙ型ＴｉＯＰｃ（特開昭６４−１７０６６号公
報）等があり、ガリウムフタロシアニンについては、あ
る特定の結晶型のものを用いる感光体が特開平１−２２
１４５９号公報に、ＣｌＧａＰｃについては、蒸着して
用いる感光体が特開昭５９−４４０５３号公報に提案さ
れている。
【０００３】ところで、近赤外線の半導体レーザーを用
いたプリンターに、白色光を用いた複写機の機能を備え
付けた装置の開発も進められている。この場合、用いる
感光体は、可視光領域から近赤外領域に幅広く良好な光
感度を有することが必要である。しかしながら、フタロ
シアニン化合物は、近赤外領域に良好な光感度を有する
ものの、可視光領域での光感度が十分でない。そのた
め、可視光領域から近赤外領域に幅広く良好な光感度を
有する感光体には適用することができない。一方、可視
光領域から近赤外領域に幅広く良好な光感度を有する感
光体を得るために、フタロシアニン化合物と可視光領域
に良好な光感度を有する別の光導電材料を混ぜ合わせて
用いることが次の公報に提案されている。例えば、特開
昭５９−１５１１５８号公報、特開平１−２７００６０
号公報には、フタロシアニンと特定のビスアゾ顔料を用
いる感光体が、また特開平１−２４６５５７号公報に
は、フタロシアニンと多環キノン系化合物を用いる感光
体が提案されている。また、目的は異なるが、特開昭６
２−５４２６６号公報には、フタロシアニンとペリノン
化合物を用いる感光体が提案されている。
いたプリンターに、白色光を用いた複写機の機能を備え
付けた装置の開発も進められている。この場合、用いる
感光体は、可視光領域から近赤外領域に幅広く良好な光
感度を有することが必要である。しかしながら、フタロ
シアニン化合物は、近赤外領域に良好な光感度を有する
ものの、可視光領域での光感度が十分でない。そのた
め、可視光領域から近赤外領域に幅広く良好な光感度を
有する感光体には適用することができない。一方、可視
光領域から近赤外領域に幅広く良好な光感度を有する感
光体を得るために、フタロシアニン化合物と可視光領域
に良好な光感度を有する別の光導電材料を混ぜ合わせて
用いることが次の公報に提案されている。例えば、特開
昭５９−１５１１５８号公報、特開平１−２７００６０
号公報には、フタロシアニンと特定のビスアゾ顔料を用
いる感光体が、また特開平１−２４６５５７号公報に
は、フタロシアニンと多環キノン系化合物を用いる感光
体が提案されている。また、目的は異なるが、特開昭６
２−５４２６６号公報には、フタロシアニンとペリノン
化合物を用いる感光体が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たような従来提案されている感光体は、装置の高速化、
小型化を図る際に、光感度、耐久性、環境安定性の面で
未だ十分とはいえない。本発明は、上記のような事情に
鑑みてなされたものであって、その目的は、光感度、耐
久性、環境安定性に優れた可視光領域から近赤外領域に
幅広く良好な光感度を有する感光体を提供しようとする
ものである。
たような従来提案されている感光体は、装置の高速化、
小型化を図る際に、光感度、耐久性、環境安定性の面で
未だ十分とはいえない。本発明は、上記のような事情に
鑑みてなされたものであって、その目的は、光感度、耐
久性、環境安定性に優れた可視光領域から近赤外領域に
幅広く良好な光感度を有する感光体を提供しようとする
ものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記特性
に優れた光導電材料を鋭意探索してきた結果、ガリウム
フタロシアニン化合物と下記一般式（１）〜（４）で示
されるアゾ化合物のいずれかを合わせ用いることで、光
感度、耐久性、環境安定性に優れた可視光領域から近赤
外領域に幅広く良好な光感度を有する感光体が得られる
ことを見出し、本発明を完成するに至った。特にこの組
み合せにおいては、感光層用塗布液の分散安定性が増
し、さらにガリウムフタロシアニン化合物単独の場合と
比べて、可視光領域の光感度が高くなるという効果がみ
られる。すなわち、本発明の電子写真感光体は、ガリウ
ムフタロシアニン化合物と、下記一般式（１）、一般式
（２）、一般式（３）または一般式（４）で示されるア
ゾ化合物とを、キャリア発生物質として感光層に含有す
ることを特徴とする。
に優れた光導電材料を鋭意探索してきた結果、ガリウム
フタロシアニン化合物と下記一般式（１）〜（４）で示
されるアゾ化合物のいずれかを合わせ用いることで、光
感度、耐久性、環境安定性に優れた可視光領域から近赤
外領域に幅広く良好な光感度を有する感光体が得られる
ことを見出し、本発明を完成するに至った。特にこの組
み合せにおいては、感光層用塗布液の分散安定性が増
し、さらにガリウムフタロシアニン化合物単独の場合と
比べて、可視光領域の光感度が高くなるという効果がみ
られる。すなわち、本発明の電子写真感光体は、ガリウ
ムフタロシアニン化合物と、下記一般式（１）、一般式
（２）、一般式（３）または一般式（４）で示されるア
ゾ化合物とを、キャリア発生物質として感光層に含有す
ることを特徴とする。
【０００６】
【化５】 （式中、Ａは、２価の芳香族炭化水素基または環内に窒
素原子を含む２価の複素環基を表し、Ａｒは、結合基を
介して結合していてもよい芳香族炭化水素基または複素
環基を表し、ｎは１〜３の整数を意味する。）
素原子を含む２価の複素環基を表し、Ａｒは、結合基を
介して結合していてもよい芳香族炭化水素基または複素
環基を表し、ｎは１〜３の整数を意味する。）
【０００７】
【化６】 （式中、Ａ1 およびＡ1 ′は、同一でも異なっていても
よく、芳香族性のカップラーを表し、Ｂは、水素原子、
ハロゲン原子、低級アルキル基または低級アルコキシ基
を表す。）
よく、芳香族性のカップラーを表し、Ｂは、水素原子、
ハロゲン原子、低級アルキル基または低級アルコキシ基
を表す。）
【０００８】
【化７】 （式中、Ａ2 およびＡ2 ′は、同一でも異なっていても
よく、芳香族性のカップラーを表す。）
よく、芳香族性のカップラーを表す。）
【０００９】
【化８】 （式中、ＸおよびＸ′は、同一でも異なっていてもよ
く、水素原子またはハロゲン原子を表し、Ｒ1 およびＲ
1 ′は、同一でも異なっていてもよく、置換基を有して
いてもよいアルキル基または置換基を有していてもよい
アリール基を表し、Ｒ2 およびＲ2 ′は、同一でも異な
っていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基またはアシル
基を表す。また、Ｒ1 とＲ2 およびＲ1 ′とＲ2 ′は、
同一または異なって、互いに結合して、置換基を有する
ことのある単環または多環炭化水素環を形成してもよ
い。）
く、水素原子またはハロゲン原子を表し、Ｒ1 およびＲ
1 ′は、同一でも異なっていてもよく、置換基を有して
いてもよいアルキル基または置換基を有していてもよい
アリール基を表し、Ｒ2 およびＲ2 ′は、同一でも異な
っていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基またはアシル
基を表す。また、Ｒ1 とＲ2 およびＲ1 ′とＲ2 ′は、
同一または異なって、互いに結合して、置換基を有する
ことのある単環または多環炭化水素環を形成してもよ
い。）
【００１０】以下、本発明を詳細に説明する。本発明に
おいて、ガリウムフタロシアニン化合物は、好ましくは
“クロロガリウムフタロシアニン”（以下、ＣｌＧａＰ
ｃと略記する）または“ヒドロキシガリウムフタロシア
ニン”（以下、ＨＯＧａＰｃと略記する）が電荷発生材
料として使用される。これらの中でも、ＣｕＫα特性Ｘ
線回折スペクトルにおけるブラッグ角度（２θ±０．２
°）が、 ｉ）７．４°、１６．６°、２５．５°および２８．３
°に強い回折ピークを有するＣｌＧａＰｃ結晶、 ii）７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１
８．６°、２５．１°および２８．３°に強い回折ピー
クを有するＨＯＧａＰｃ結晶、 iii)７．７°、１６．５°、２５．１°および２６．６
°に強い回折ピークを有するＨＯＧａＰｃ結晶、 iv）７．９°、１６．５°、２４．４°および２７．６
°に強い回折ピークを有するＨＯＧａＰｃ結晶、 ｖ）６．８°、１２．８°、１５．８°および２６．０
°に強い回折ピークを有するＨＯＧａＰｃ結晶、は特に
好ましく使用することができる。
おいて、ガリウムフタロシアニン化合物は、好ましくは
“クロロガリウムフタロシアニン”（以下、ＣｌＧａＰ
ｃと略記する）または“ヒドロキシガリウムフタロシア
ニン”（以下、ＨＯＧａＰｃと略記する）が電荷発生材
料として使用される。これらの中でも、ＣｕＫα特性Ｘ
線回折スペクトルにおけるブラッグ角度（２θ±０．２
°）が、 ｉ）７．４°、１６．６°、２５．５°および２８．３
°に強い回折ピークを有するＣｌＧａＰｃ結晶、 ii）７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１
８．６°、２５．１°および２８．３°に強い回折ピー
クを有するＨＯＧａＰｃ結晶、 iii)７．７°、１６．５°、２５．１°および２６．６
°に強い回折ピークを有するＨＯＧａＰｃ結晶、 iv）７．９°、１６．５°、２４．４°および２７．６
°に強い回折ピークを有するＨＯＧａＰｃ結晶、 ｖ）６．８°、１２．８°、１５．８°および２６．０
°に強い回折ピークを有するＨＯＧａＰｃ結晶、は特に
好ましく使用することができる。
【００１１】これらの結晶は、公知の方法で合成された
ＣｌＧａＰｃを結晶変換するか、あるいは更に加水分解
して得られるＨＯＧａＰｃを結晶変換することにより得
られる。具体的には、 ｉ）ＣｌＧａＰｃ結晶は、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１
９，３１３１（１９８０）等に記載の方法で合成された
ＣｌＧａＰｃを乾式粉砕によって非晶化し、次いでベン
ジルアルコール等の芳香族アルコール系溶剤で処理して
得られる。 ii）ＨＯＧａＰｃ結晶は、ＣｌＧａＰｃをＢｕｌｌ．Ｓ
ｏｃ．Ｃｈｉｍ．Ｆｒａｎｃｅ，２３（１９６２）等に
記載の方法で加水分解してＨＯＧａＰｃを合成した後、
ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等のアミド系溶剤、酢
酸ブチル等の酢酸エステル系溶剤で結晶変換処理して得
られる。 iii)ＨＯＧａＰｃ結晶は、上記文献に記載の方法で合成
されたＨＯＧａＰｃをメタノール等のアルコール系溶剤
で結晶変換処理して得られる。 iv）ＨＯＧａＰｃ結晶は、上記と同様にして合成された
ＨＯＧａＰｃをＤＭＦ等のアミド系溶剤またはピリジ
ン、ピペリジン等の有機アミン系溶剤で結晶変換処理し
て得られる。 ｖ）ＨＯＧａＰｃ結晶は、上記と同様にして合成された
ＨＯＧａＰｃをエチレングリコール等のグリコール系溶
剤で結晶変換処理して得られる。
ＣｌＧａＰｃを結晶変換するか、あるいは更に加水分解
して得られるＨＯＧａＰｃを結晶変換することにより得
られる。具体的には、 ｉ）ＣｌＧａＰｃ結晶は、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１
９，３１３１（１９８０）等に記載の方法で合成された
ＣｌＧａＰｃを乾式粉砕によって非晶化し、次いでベン
ジルアルコール等の芳香族アルコール系溶剤で処理して
得られる。 ii）ＨＯＧａＰｃ結晶は、ＣｌＧａＰｃをＢｕｌｌ．Ｓ
ｏｃ．Ｃｈｉｍ．Ｆｒａｎｃｅ，２３（１９６２）等に
記載の方法で加水分解してＨＯＧａＰｃを合成した後、
ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等のアミド系溶剤、酢
酸ブチル等の酢酸エステル系溶剤で結晶変換処理して得
られる。 iii)ＨＯＧａＰｃ結晶は、上記文献に記載の方法で合成
されたＨＯＧａＰｃをメタノール等のアルコール系溶剤
で結晶変換処理して得られる。 iv）ＨＯＧａＰｃ結晶は、上記と同様にして合成された
ＨＯＧａＰｃをＤＭＦ等のアミド系溶剤またはピリジ
ン、ピペリジン等の有機アミン系溶剤で結晶変換処理し
て得られる。 ｖ）ＨＯＧａＰｃ結晶は、上記と同様にして合成された
ＨＯＧａＰｃをエチレングリコール等のグリコール系溶
剤で結晶変換処理して得られる。
【００１２】これら結晶変換処理は、使用する溶剤で洗
浄するか、溶剤中で撹拌するか、またはボールミル、サ
ンドミル等で湿式粉砕処理をしながら行ってもよい。使
用する溶剤の量は、ガリウムフタロシアニン化合物に対
して１〜２００重量部、好ましくは１０〜１００重量部
の範囲で用いる。処理温度は、０〜１５０℃、好ましく
は室温〜１００℃の範囲で行う。得られたガリウムフタ
ロシアニン結晶は、波長６００〜８００ｎｍの光に対し
て吸収性があり、良好な光感度特性、耐久性、環境安定
性を与える。
浄するか、溶剤中で撹拌するか、またはボールミル、サ
ンドミル等で湿式粉砕処理をしながら行ってもよい。使
用する溶剤の量は、ガリウムフタロシアニン化合物に対
して１〜２００重量部、好ましくは１０〜１００重量部
の範囲で用いる。処理温度は、０〜１５０℃、好ましく
は室温〜１００℃の範囲で行う。得られたガリウムフタ
ロシアニン結晶は、波長６００〜８００ｎｍの光に対し
て吸収性があり、良好な光感度特性、耐久性、環境安定
性を与える。
【００１３】次に、本発明において、上記ガリウムフタ
ロシアニン化合物と共に電荷発生材料として使用される
前記一般式（１）〜（４）で示されるアゾ化合物につい
て説明する。一般式（１）で示されるアゾ化合物は、式
（１）中の符号Ａ、Ａｒおよびその合成法が特開昭５７
−１７６０５５号公報に詳細に記載されている。同式
（１）において、２価の芳香族炭化水素基または環内に
窒素原子を含む２価の複素環基を表すＡとしては、例え
ば、ｏ−フェニレン基、ｏ−ナフチレン基、peri−ナフ
チレン基、１，２−アントラキノニレン基、９，１０−
フェナントリレン基等の芳香族炭化水素基、ピラゾール
−３，４−ジイル基、ピリジン−２，３−ジイル基、ピ
リミジン−４，５−ジイル基、インダゾール−６，７−
ジイル基、ベンズイミダゾール−５，６−ジイル基、キ
ノリン−６，７−ジイル基等の含窒素複素環基が挙げら
れる。これらの芳香族炭化水素基および複素環基は置換
基を有していてもよく、置換基としては、例えば、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基等
のアルキル基、弗素原子、塩素原子、臭素原子等のハロ
ゲン原子、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブ
トキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基等のアリーロ
キシ基、ベンジロキシ基等のアリールアルコキシ基、ヒ
ドロキシ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、エト
キシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、フェニ
ロキシカルボニル基等のアリーロキシカルボニル基、カ
ルバモイル基などが挙げられる。
ロシアニン化合物と共に電荷発生材料として使用される
前記一般式（１）〜（４）で示されるアゾ化合物につい
て説明する。一般式（１）で示されるアゾ化合物は、式
（１）中の符号Ａ、Ａｒおよびその合成法が特開昭５７
−１７６０５５号公報に詳細に記載されている。同式
（１）において、２価の芳香族炭化水素基または環内に
窒素原子を含む２価の複素環基を表すＡとしては、例え
ば、ｏ−フェニレン基、ｏ−ナフチレン基、peri−ナフ
チレン基、１，２−アントラキノニレン基、９，１０−
フェナントリレン基等の芳香族炭化水素基、ピラゾール
−３，４−ジイル基、ピリジン−２，３−ジイル基、ピ
リミジン−４，５−ジイル基、インダゾール−６，７−
ジイル基、ベンズイミダゾール−５，６−ジイル基、キ
ノリン−６，７−ジイル基等の含窒素複素環基が挙げら
れる。これらの芳香族炭化水素基および複素環基は置換
基を有していてもよく、置換基としては、例えば、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基等
のアルキル基、弗素原子、塩素原子、臭素原子等のハロ
ゲン原子、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブ
トキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基等のアリーロ
キシ基、ベンジロキシ基等のアリールアルコキシ基、ヒ
ドロキシ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、エト
キシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、フェニ
ロキシカルボニル基等のアリーロキシカルボニル基、カ
ルバモイル基などが挙げられる。
【００１４】ｎが１〜３の整数を意味し、芳香族炭化水
素基または複素環基を表すＡｒ、すなわち１〜３価の芳
香族炭化水素基または複素環基を表すＡｒとしては、例
えば、フェニル基、ナフチル基、１−ピレニル基、２−
アントリル基、５−アセナフテニル基等の１価の芳香族
炭化水素基、フェニレン基、ビフェニレン基、１，３−
または１，４−ナフチレン基、２，６−アントラキノニ
レン基、２，７−フルオレニレン基、ピレニレン基等の
２価の芳香族炭化水素基、ベンズイミダゾリル基、ナフ
トイレンベンズイミダゾリル基、ベンズオキサゾリル
基、カルバゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノリル基
等の１価の複素環基、カルバゾールジイル基、ベンゾチ
オフェンジイル基、ジベンゾチオフェンジイル基、ベン
ゾチオフェンオキサイドジイル基等の２価の複素環基、
Ｎ−フェニルカルバゾールトリイル基等の３価の複素環
基などが挙げられる。また、結合基を介して結合する１
〜３価の芳香族炭化水素基または複素環基としては、下
記一般式（１ａ）で示されるビスフェニレン基等の２価
の基、さらにトリフェニルアミン、トリフェニルメタ
ン、９−フェニルフルオレノン等の３価の残基などが挙
げられる。
素基または複素環基を表すＡｒ、すなわち１〜３価の芳
香族炭化水素基または複素環基を表すＡｒとしては、例
えば、フェニル基、ナフチル基、１−ピレニル基、２−
アントリル基、５−アセナフテニル基等の１価の芳香族
炭化水素基、フェニレン基、ビフェニレン基、１，３−
または１，４−ナフチレン基、２，６−アントラキノニ
レン基、２，７−フルオレニレン基、ピレニレン基等の
２価の芳香族炭化水素基、ベンズイミダゾリル基、ナフ
トイレンベンズイミダゾリル基、ベンズオキサゾリル
基、カルバゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノリル基
等の１価の複素環基、カルバゾールジイル基、ベンゾチ
オフェンジイル基、ジベンゾチオフェンジイル基、ベン
ゾチオフェンオキサイドジイル基等の２価の複素環基、
Ｎ−フェニルカルバゾールトリイル基等の３価の複素環
基などが挙げられる。また、結合基を介して結合する１
〜３価の芳香族炭化水素基または複素環基としては、下
記一般式（１ａ）で示されるビスフェニレン基等の２価
の基、さらにトリフェニルアミン、トリフェニルメタ
ン、９−フェニルフルオレノン等の３価の残基などが挙
げられる。
【化９】 これらの芳香族炭化水素基および複素環基は置換基を有
していてもよく、置換基としては、上記のアルキル基、
ハロゲン原子、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ア
リーロキシ基の他に、フェニル基等のアリール基、アニ
リノ基等のアリールアミノ基、スチリル基等のアリール
ビニル基などが挙げられる。
していてもよく、置換基としては、上記のアルキル基、
ハロゲン原子、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ア
リーロキシ基の他に、フェニル基等のアリール基、アニ
リノ基等のアリールアミノ基、スチリル基等のアリール
ビニル基などが挙げられる。
【００１５】アゾ顔料（１）の中でも、下記式で示され
る化合物が好ましく、特に化合物（Ａ）が好ましく使用
できる。
る化合物が好ましく、特に化合物（Ａ）が好ましく使用
できる。
【化１０】
【化１１】
【００１６】一般式（２）で示されるアゾ化合物は、式
（２）中の符号Ａ1 、Ａ1 ′、Ｂおよびその合成法が特
開昭５６−１１６０３９号公報に詳細に記載されてい
る。同式（２）において、芳香族性のカップラーを表す
Ａ1 、Ａ1 ′としては、例えば、一般式（２ａ）、（２
ｂ）または（２ｃ）で示される芳香族炭化水素基または
芳香族複素環基が挙げられる。
（２）中の符号Ａ1 、Ａ1 ′、Ｂおよびその合成法が特
開昭５６−１１６０３９号公報に詳細に記載されてい
る。同式（２）において、芳香族性のカップラーを表す
Ａ1 、Ａ1 ′としては、例えば、一般式（２ａ）、（２
ｂ）または（２ｃ）で示される芳香族炭化水素基または
芳香族複素環基が挙げられる。
【化１２】 （各式において、Ｒ3 は、−ＣＯＮＲ4 Ｒ5 または−Ｃ
ＯＯＲ6 を表し、ここで、Ｒ4 は、水素原子、置換基を
有していてもよいアルキル基またはフェニル基を表し、
Ｒ5 、Ｒ6 は、置換基を有していてもよいアルキル基、
フェニル基またはナフチル基を表す。また、Ｚは、ベン
ゼン環と縮合してナフタレン環、アントラセン環、カル
バゾール環またはジベンゾフラン環を形成する残基を表
し、Ｒ7 、Ｒ7 ′は、置換基を有していてもよいアルキ
ル基またはフェニル基を表す。）
ＯＯＲ6 を表し、ここで、Ｒ4 は、水素原子、置換基を
有していてもよいアルキル基またはフェニル基を表し、
Ｒ5 、Ｒ6 は、置換基を有していてもよいアルキル基、
フェニル基またはナフチル基を表す。また、Ｚは、ベン
ゼン環と縮合してナフタレン環、アントラセン環、カル
バゾール環またはジベンゾフラン環を形成する残基を表
し、Ｒ7 、Ｒ7 ′は、置換基を有していてもよいアルキ
ル基またはフェニル基を表す。）
【００１７】上記置換基としては、例えば、メチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル基、弗素
原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、ハロゲン
化アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基等のアルコキシ基、ヒドロキシメチル
基、ヒドロキシエチル基等のヒドロキシアルキル基、メ
トキシメチル基、エトキシメチル基、エトキシエチル基
等のアルコキシアルキル基、シアノアルキル基、アミノ
アルキル基、Ｎ−アルキルアミノアルキル基、Ｎ，Ｎ−
ジアルキルアミノアルキル基、フェニル基等のアリール
基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基、アセ
チル基、ベンゾイル基等のアシル基、ニトロ基、シアノ
基、メチルチオ基、エチルチオ基等のアルキルチオ基、
エチルアミノ基、ジメチルアミノ基等の第二級および第
三級アミノ基などが挙げられる。また、式（２）中のＢ
は、前記した通り、水素原子の他、上記に例示したよう
なハロゲン原子、低級アルキル基または低級アルコキシ
基を表す。
エチル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル基、弗素
原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、ハロゲン
化アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基等のアルコキシ基、ヒドロキシメチル
基、ヒドロキシエチル基等のヒドロキシアルキル基、メ
トキシメチル基、エトキシメチル基、エトキシエチル基
等のアルコキシアルキル基、シアノアルキル基、アミノ
アルキル基、Ｎ−アルキルアミノアルキル基、Ｎ，Ｎ−
ジアルキルアミノアルキル基、フェニル基等のアリール
基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基、アセ
チル基、ベンゾイル基等のアシル基、ニトロ基、シアノ
基、メチルチオ基、エチルチオ基等のアルキルチオ基、
エチルアミノ基、ジメチルアミノ基等の第二級および第
三級アミノ基などが挙げられる。また、式（２）中のＢ
は、前記した通り、水素原子の他、上記に例示したよう
なハロゲン原子、低級アルキル基または低級アルコキシ
基を表す。
【００１８】アゾ顔料（２）の中でも、下記式で示され
る化合物が好ましく、特に化合物（Ｂ）が好ましく使用
できる。
る化合物が好ましく、特に化合物（Ｂ）が好ましく使用
できる。
【化１３】
【００１９】一般式（３）で示されるアゾ化合物は、そ
の合成法が特開昭５６−１６７７５９号公報に詳細に記
載されており、同式（３）において、芳香族性のカップ
ラーを表す符号Ａ2 、Ａ2 ′としては前記式（２）中の
Ａ1 、Ａ1 ′と同様のものが挙げられる。これらのアゾ
顔料（３）の中でも、下記化学式で示される化合物
（Ｃ）が特に好ましく使用できる。
の合成法が特開昭５６−１６７７５９号公報に詳細に記
載されており、同式（３）において、芳香族性のカップ
ラーを表す符号Ａ2 、Ａ2 ′としては前記式（２）中の
Ａ1 、Ａ1 ′と同様のものが挙げられる。これらのアゾ
顔料（３）の中でも、下記化学式で示される化合物
（Ｃ）が特に好ましく使用できる。
【化１４】
【００２０】一般式（４）で示されるアゾ化合物は、式
（４）中の符号Ｘ、Ｘ′、Ｒ1 、Ｒ1 ′、Ｒ2 、Ｒ2 ′
およびその合成法が特開平４−９８５６号公報に詳細に
記載されている。同式（４）において、前記した通り、
Ｘ、Ｘ′は、水素原子の他、上記に例示したようなハロ
ゲン原子を表す。置換基を有していてもよいアルキル基
または置換基を有していてもよいアリール基を表す
Ｒ1 、Ｒ1 ′としては、例えば、メチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基等のアルキル基、ハロゲン化アル
キル基、アルコキシアルキル基、Ｎ−アルキルアミノア
ルキル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノアルキル基などの
置換アルキル基の他に、フェニル基、ナフチル基、ビフ
ェニル基等のアリール基、さらにアルキル基、ハロゲン
原子、アルコキシ基などが１または２個置換した上記ア
リール基が挙げられる。Ｒ2 、Ｒ2 ′は、前記した通
り、水素原子、先に例示したようなハロゲン原子、アル
キル基、アリール基、アルコキシ基、アシル基や、ニト
ロ基を表す。また、互いに結合して置換基を有する単環
または多環炭化水素環を形成するＲ1 とＲ2 、Ｒ1 ′と
Ｒ2 ′としては、これらが結合するカルボニル基および
ベンゼン環と一緒になって、アントラキノン環、フルオ
レノン環の２価の残基が挙げられる。
（４）中の符号Ｘ、Ｘ′、Ｒ1 、Ｒ1 ′、Ｒ2 、Ｒ2 ′
およびその合成法が特開平４−９８５６号公報に詳細に
記載されている。同式（４）において、前記した通り、
Ｘ、Ｘ′は、水素原子の他、上記に例示したようなハロ
ゲン原子を表す。置換基を有していてもよいアルキル基
または置換基を有していてもよいアリール基を表す
Ｒ1 、Ｒ1 ′としては、例えば、メチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基等のアルキル基、ハロゲン化アル
キル基、アルコキシアルキル基、Ｎ−アルキルアミノア
ルキル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノアルキル基などの
置換アルキル基の他に、フェニル基、ナフチル基、ビフ
ェニル基等のアリール基、さらにアルキル基、ハロゲン
原子、アルコキシ基などが１または２個置換した上記ア
リール基が挙げられる。Ｒ2 、Ｒ2 ′は、前記した通
り、水素原子、先に例示したようなハロゲン原子、アル
キル基、アリール基、アルコキシ基、アシル基や、ニト
ロ基を表す。また、互いに結合して置換基を有する単環
または多環炭化水素環を形成するＲ1 とＲ2 、Ｒ1 ′と
Ｒ2 ′としては、これらが結合するカルボニル基および
ベンゼン環と一緒になって、アントラキノン環、フルオ
レノン環の２価の残基が挙げられる。
【００２１】アゾ顔料（４）の中でも、下記式（Ｘ，
Ｘ′＝Ｈ，Ｃｌ，Ｂｒ）で示される化合物が好ましく、
これらのうち特に化合物（Ｄ）が好ましく使用できる。
なお、式中の番号はベンズイミダゾール環の置換位置を
示す。
Ｘ′＝Ｈ，Ｃｌ，Ｂｒ）で示される化合物が好ましく、
これらのうち特に化合物（Ｄ）が好ましく使用できる。
なお、式中の番号はベンズイミダゾール環の置換位置を
示す。
【化１５】 これらの一般式（１）〜（４）で示されるアゾ化合物
は、波長４５０〜６００ｎｍの光に対して吸収性があ
り、良好な感度特性を与える。
は、波長４５０〜６００ｎｍの光に対して吸収性があ
り、良好な感度特性を与える。
【００２２】本発明においては、前記ガリウムフタロシ
アニン結晶とアゾ化合物を含有する感光層を導電性支持
体上に設けることによって、可視光領域から近赤外領域
まで幅広く良好な光感度を有する感光体を提供すること
ができる。本発明の電子写真感光体は、感光層が単層構
造のものであっても、電荷発生層と電荷輸送層とに機能
分離された積層構造のものであってもよい。また、単層
構造の感光層または電荷発生層は、ガリウムフタロシア
ニン化合物とアゾ化合物の混合した単層でもよいし、そ
れぞれ独立した層を積層してもよい。さらに、導電性支
持体と感光層の間に下引層を設けてもよい。導電性支持
体としては、アルミニウム等の金属類、アルミニウム酸
化錫、酸化インジウム、ＩＴＯ等の薄膜を被覆したプラ
スチックフィルム等、電子写真感光体の支持体として使
用可能なものならいかなるものでもよい。また、感光層
の帯電時に導電性支持体から感光層への電荷の注入を阻
止するために、下引層を設けてもよい。下引層は、ポリ
アミド樹脂、ジルコニウムキレート化合物、チタニルキ
レート化合物等、公知の材料を用いることができる。
アニン結晶とアゾ化合物を含有する感光層を導電性支持
体上に設けることによって、可視光領域から近赤外領域
まで幅広く良好な光感度を有する感光体を提供すること
ができる。本発明の電子写真感光体は、感光層が単層構
造のものであっても、電荷発生層と電荷輸送層とに機能
分離された積層構造のものであってもよい。また、単層
構造の感光層または電荷発生層は、ガリウムフタロシア
ニン化合物とアゾ化合物の混合した単層でもよいし、そ
れぞれ独立した層を積層してもよい。さらに、導電性支
持体と感光層の間に下引層を設けてもよい。導電性支持
体としては、アルミニウム等の金属類、アルミニウム酸
化錫、酸化インジウム、ＩＴＯ等の薄膜を被覆したプラ
スチックフィルム等、電子写真感光体の支持体として使
用可能なものならいかなるものでもよい。また、感光層
の帯電時に導電性支持体から感光層への電荷の注入を阻
止するために、下引層を設けてもよい。下引層は、ポリ
アミド樹脂、ジルコニウムキレート化合物、チタニルキ
レート化合物等、公知の材料を用いることができる。
【００２３】感光層が積層構造からなり、電荷発生層と
してガリウムフタロシアニン化合物とアゾ化合物がそれ
ぞれ独立した層を積層する場合は、キャリア注入の関係
で、アゾ顔料の方にエレクトロンが、ガリウムフタロシ
アニン顔料の方にホールが移動するように積層するのが
望ましい。感光層中のガリウムフタロシアニン化合物と
アゾ化合物の配合比は、重量比で１０：１〜１：１０の
範囲が適当であり、好ましくは２：１〜１：２の間で使
用される。結着樹脂を用いる場合、顔料と樹脂の配合比
は１０：１〜１：２０の範囲が適当であり、好ましくは
３：１〜１：１０の間で使用される。使用される結着樹
脂は、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマー
ル樹脂等の広範な樹脂から選択される。また、結着樹脂
を溶解する溶剤は、必要に応じて設けられる下引層を溶
解しないものから選択される。顔料の分散は、ボールミ
ル分散法、アトライター分散法、サンドミル分散法等の
通常の方法を採用することができる。塗布液の塗布は、
ブレードコーティング法、ワイヤーバーコーティング
法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビ
ードコーティング法、エアナイフコーティング法、カー
テンコーティング法等の通常の方法を採用することがで
きる。電荷発生層の膜厚は０．０５〜５μｍ程度が適当
である。
してガリウムフタロシアニン化合物とアゾ化合物がそれ
ぞれ独立した層を積層する場合は、キャリア注入の関係
で、アゾ顔料の方にエレクトロンが、ガリウムフタロシ
アニン顔料の方にホールが移動するように積層するのが
望ましい。感光層中のガリウムフタロシアニン化合物と
アゾ化合物の配合比は、重量比で１０：１〜１：１０の
範囲が適当であり、好ましくは２：１〜１：２の間で使
用される。結着樹脂を用いる場合、顔料と樹脂の配合比
は１０：１〜１：２０の範囲が適当であり、好ましくは
３：１〜１：１０の間で使用される。使用される結着樹
脂は、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマー
ル樹脂等の広範な樹脂から選択される。また、結着樹脂
を溶解する溶剤は、必要に応じて設けられる下引層を溶
解しないものから選択される。顔料の分散は、ボールミ
ル分散法、アトライター分散法、サンドミル分散法等の
通常の方法を採用することができる。塗布液の塗布は、
ブレードコーティング法、ワイヤーバーコーティング
法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビ
ードコーティング法、エアナイフコーティング法、カー
テンコーティング法等の通常の方法を採用することがで
きる。電荷発生層の膜厚は０．０５〜５μｍ程度が適当
である。
【００２４】同じく感光層が積層構造からなる場合、電
荷輸送層は、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス−
（ｍ−トリル）ベンジジン、４−ジエチルアミノベンズ
アルデヒド２，２−ジフェニルヒドラゾン、ｐ−（２，
２−ジフェニルビニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン
等の電荷輸送材料を適当な結着樹脂中に含有させて形成
される。電荷輸送層の形成に用いる結着樹脂は、ポリカ
ーボネート樹脂、ポリエステル樹脂等の公知の樹脂が挙
げられるが、これらに限定されるものではない。電荷輸
送材料と結着樹脂の配合比は、重量比で１０：１〜１：
５が好ましい。電荷輸送層の膜厚は、一般的には５〜５
０μｍ、好ましくは１０〜３０μｍが適当である。
荷輸送層は、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス−
（ｍ−トリル）ベンジジン、４−ジエチルアミノベンズ
アルデヒド２，２−ジフェニルヒドラゾン、ｐ−（２，
２−ジフェニルビニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン
等の電荷輸送材料を適当な結着樹脂中に含有させて形成
される。電荷輸送層の形成に用いる結着樹脂は、ポリカ
ーボネート樹脂、ポリエステル樹脂等の公知の樹脂が挙
げられるが、これらに限定されるものではない。電荷輸
送材料と結着樹脂の配合比は、重量比で１０：１〜１：
５が好ましい。電荷輸送層の膜厚は、一般的には５〜５
０μｍ、好ましくは１０〜３０μｍが適当である。
【００２５】感光層が単層構造からなる場合には、感光
層は、前記ガリウムフタロシアニン化合物、アゾ化合
物、電荷輸送材料および結着樹脂よりなる。電荷輸送材
料と結着樹脂は、積層構造からなる場合と同様のものが
使用できる。この場合、電荷輸送材料と結着樹脂の配合
比は、重量比で５：１〜１：２０の範囲、顔料と電荷輸
送材料の配合比は１０：１〜１：１０の範囲が適当であ
る。感光層がこのように単層構造の場合は、ガリウムフ
タロシアニン化合物単独の場合と比べて、残留電位が低
減されるという効果が生じる。さらに、本発明の電子写
真感光体は、必要に応じて感光層の表面に保護層を設け
てもよい。
層は、前記ガリウムフタロシアニン化合物、アゾ化合
物、電荷輸送材料および結着樹脂よりなる。電荷輸送材
料と結着樹脂は、積層構造からなる場合と同様のものが
使用できる。この場合、電荷輸送材料と結着樹脂の配合
比は、重量比で５：１〜１：２０の範囲、顔料と電荷輸
送材料の配合比は１０：１〜１：１０の範囲が適当であ
る。感光層がこのように単層構造の場合は、ガリウムフ
タロシアニン化合物単独の場合と比べて、残留電位が低
減されるという効果が生じる。さらに、本発明の電子写
真感光体は、必要に応じて感光層の表面に保護層を設け
てもよい。
【００２６】
【実施例】以下に実施例をもって本発明をより具体的に
説明する。なお、実施例および比較例において「部」は
「重量部」を意味する。 製造例１ １，３−ジイミノイソインドリン３０部および三塩化ガ
リウム９．１部をキノリン２３０部中に添加し、２００
℃において３時間反応させた後、生成物を濾別し、アセ
トン、メタノールで洗浄し、次いで、湿ケーキを乾燥
後、ＣｌＧａＰｃ結晶を２８部得た。得られたＣｌＧａ
Ｐｃ結晶３部を自動乳鉢で２４時間粉砕した。粉砕した
ＣｌＧａＰｃ１部およびベンジルアルコール１５部をガ
ラスビーズと共に室温で２４時間ボールミリングした
後、結晶をメタノールで洗浄し、ＣｌＧａＰｃ結晶を
０．９部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図（ＸＲ
Ｄ）を図１に示す。この結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折
スペクトルにおいて、ブラッグ角度（２θ±０．２°）
が７．４°、１６．６°、２５．５°および２８．３°
に強い回折ピークを有していた。
説明する。なお、実施例および比較例において「部」は
「重量部」を意味する。 製造例１ １，３−ジイミノイソインドリン３０部および三塩化ガ
リウム９．１部をキノリン２３０部中に添加し、２００
℃において３時間反応させた後、生成物を濾別し、アセ
トン、メタノールで洗浄し、次いで、湿ケーキを乾燥
後、ＣｌＧａＰｃ結晶を２８部得た。得られたＣｌＧａ
Ｐｃ結晶３部を自動乳鉢で２４時間粉砕した。粉砕した
ＣｌＧａＰｃ１部およびベンジルアルコール１５部をガ
ラスビーズと共に室温で２４時間ボールミリングした
後、結晶をメタノールで洗浄し、ＣｌＧａＰｃ結晶を
０．９部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図（ＸＲ
Ｄ）を図１に示す。この結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折
スペクトルにおいて、ブラッグ角度（２θ±０．２°）
が７．４°、１６．６°、２５．５°および２８．３°
に強い回折ピークを有していた。
【００２７】製造例２ α−クロロナフタレン１００部に三塩化ガリウム１０部
およびフタロニトリル２９．１部を加え、窒素気流下に
２００℃で２４時間反応させた後、生成したＣｌＧａＰ
ｃ結晶を濾別した。この湿ケーキをＤＭＦ１００部に分
散させ、１５０℃で３０分加熱撹拌した後、濾別した。
次いで、メタノールで十分洗浄した後、乾燥してＣｌＧ
ａＰｃ結晶を２８．９部（８２．５％）得た。上記の方
法で合成されたＣｌＧａＰｃ２部を濃硫酸５０部に溶解
し、２時間撹拌した後、氷冷しておいた蒸留水１７０部
および濃アンモニア水６６部の混合溶液に滴下して結晶
を析出させた。析出した結晶を蒸留水で十分に洗浄し、
乾燥してＨＯＧａＰｃ結晶を１．８部得た。このＨＯＧ
ａＰｃ結晶１部およびＤＭＦ１５部をガラスビーズと共
に室温で２４時間ボールミリングした後、結晶を酢酸ｎ
−ブチルで洗浄してＨＯＧａＰｃ結晶を０．９部得た。
得られた結晶のＸＲＤを図２に示す。この結晶は、Ｃｕ
Ｋα特性Ｘ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度
（２θ±０．２°）が７．５°、９．９°、１２．５
°、１６．３°、１８．６°、２５．１°および２８．
３°に強い回折ピークを有していた。
およびフタロニトリル２９．１部を加え、窒素気流下に
２００℃で２４時間反応させた後、生成したＣｌＧａＰ
ｃ結晶を濾別した。この湿ケーキをＤＭＦ１００部に分
散させ、１５０℃で３０分加熱撹拌した後、濾別した。
次いで、メタノールで十分洗浄した後、乾燥してＣｌＧ
ａＰｃ結晶を２８．９部（８２．５％）得た。上記の方
法で合成されたＣｌＧａＰｃ２部を濃硫酸５０部に溶解
し、２時間撹拌した後、氷冷しておいた蒸留水１７０部
および濃アンモニア水６６部の混合溶液に滴下して結晶
を析出させた。析出した結晶を蒸留水で十分に洗浄し、
乾燥してＨＯＧａＰｃ結晶を１．８部得た。このＨＯＧ
ａＰｃ結晶１部およびＤＭＦ１５部をガラスビーズと共
に室温で２４時間ボールミリングした後、結晶を酢酸ｎ
−ブチルで洗浄してＨＯＧａＰｃ結晶を０．９部得た。
得られた結晶のＸＲＤを図２に示す。この結晶は、Ｃｕ
Ｋα特性Ｘ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度
（２θ±０．２°）が７．５°、９．９°、１２．５
°、１６．３°、１８．６°、２５．１°および２８．
３°に強い回折ピークを有していた。
【００２８】製造例３ 製造例１で得られた環化反応生成物のＣｌＧａＰｃ結晶
３部を濃硫酸６０部に０℃で溶解した後、５℃の蒸留水
４５０部に滴下し、結晶を析出させた。蒸留水、希アン
モニア水等で洗浄後、乾燥してＨＯＧａＰｃ結晶を２．
５部得た。このＨＯＧａＰｃ結晶１部およびメタノール
１５部をガラスビーズと共に室温で２４時間ボールミリ
ングした後、結晶をメタノールで洗浄してＨＯＧａＰｃ
結晶を０．９部得た。得られた結晶のＸＲＤを図３に示
す。この結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルにお
いて、ブラッグ角度（２θ±０．２°）が７．７°、１
６．５°、２５．１°および２６．６°に強い回折ピー
クを有していた。
３部を濃硫酸６０部に０℃で溶解した後、５℃の蒸留水
４５０部に滴下し、結晶を析出させた。蒸留水、希アン
モニア水等で洗浄後、乾燥してＨＯＧａＰｃ結晶を２．
５部得た。このＨＯＧａＰｃ結晶１部およびメタノール
１５部をガラスビーズと共に室温で２４時間ボールミリ
ングした後、結晶をメタノールで洗浄してＨＯＧａＰｃ
結晶を０．９部得た。得られた結晶のＸＲＤを図３に示
す。この結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルにお
いて、ブラッグ角度（２θ±０．２°）が７．７°、１
６．５°、２５．１°および２６．６°に強い回折ピー
クを有していた。
【００２９】製造例４ 製造例３で得られた濃硫酸処理後のＨＯＧａＰｃ結晶１
部およびピペリジン１５部をガラスビーズと共に室温で
２４時間ボールミリングした後、結晶をメタノールで洗
浄してＨＯＧａＰｃ結晶を０．９部得た。得られた結晶
のＸＲＤを図４に示す。この結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線
回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度（２θ±０．２
°）が７．９°、１６．５°、２４．４°および２７．
６°に強い回折ピークを有していた。 製造例５ 製造例３で得られた濃硫酸処理後のＨＯＧａＰｃ結晶１
部およびエチレングリコール１５部を１００℃で２４時
間攪拌した後、結晶をメタノールで洗浄してＨＯＧａＰ
ｃ結晶を０．９部得た。得られた結晶のＸＲＤを図５に
示す。この結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルに
おいて、ブラッグ角度（２θ±０．２°）が６．８°、
１２．８°、１５．８°および２６．０°に強い回折ピ
ークを有していた。
部およびピペリジン１５部をガラスビーズと共に室温で
２４時間ボールミリングした後、結晶をメタノールで洗
浄してＨＯＧａＰｃ結晶を０．９部得た。得られた結晶
のＸＲＤを図４に示す。この結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線
回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度（２θ±０．２
°）が７．９°、１６．５°、２４．４°および２７．
６°に強い回折ピークを有していた。 製造例５ 製造例３で得られた濃硫酸処理後のＨＯＧａＰｃ結晶１
部およびエチレングリコール１５部を１００℃で２４時
間攪拌した後、結晶をメタノールで洗浄してＨＯＧａＰ
ｃ結晶を０．９部得た。得られた結晶のＸＲＤを図５に
示す。この結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルに
おいて、ブラッグ角度（２θ±０．２°）が６．８°、
１２．８°、１５．８°および２６．０°に強い回折ピ
ークを有していた。
【００３０】製造例６ 特開昭５７−１７６０５５号公報に記載の方法により、
前記アゾ化合物（Ａ）を合成した。 製造例７ 特開昭５６−１１６０３９号公報に記載の方法により、
前記アゾ化合物（Ｂ）を合成した。 製造例８ 特開昭５６−１６７７５９号公報に記載の方法により、
前記アゾ化合物（Ｃ）を合成した。 製造例９ 特開平４−９８５６号公報に記載の方法により、前記ア
ゾ化合物（Ｄ）を合成した。
前記アゾ化合物（Ａ）を合成した。 製造例７ 特開昭５６−１１６０３９号公報に記載の方法により、
前記アゾ化合物（Ｂ）を合成した。 製造例８ 特開昭５６−１６７７５９号公報に記載の方法により、
前記アゾ化合物（Ｃ）を合成した。 製造例９ 特開平４−９８５６号公報に記載の方法により、前記ア
ゾ化合物（Ｄ）を合成した。
【００３１】実施例１〜８ ジルコニウム化合物（商品名：オルガチックスＺＣ５４
０、マツモト製薬社製）１０部およびシラン化合物（商
品名：Ａ１１１０、日本ユニカー社製）１部とｉ−プロ
パノール４０部およびブタノール２０部からなる溶液
を、アルミニウム基板上に浸漬コーティング法でに塗布
し、１５０℃において１０分間加熱乾燥して膜厚０．２
μｍの下引層を形成した。次いで、製造例１〜９で得ら
れた電荷発生材料（ＣＧＭ）を後記の表１に示すように
混合したもの１部を、ポリビニルブチラール樹脂（商品
名：エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学社製）１部およびシ
クロヘキサノン１００部と混合し、ガラスビーズと共に
ペイントシェーカーで１時間処理して分散した後、得ら
れた塗布液を上記下引層上に浸漬コーティング法で塗布
し、１００℃において１０分間加熱乾燥して０．２μｍ
の電荷発生層を形成した。次に、下記構造式（Ｉ）で示
される電荷輸送材料２部および構造式（II）で示される
ポリカーボネート樹脂３部をモノクロロベンゼン２０部
に溶解し、得られた塗布液を電荷発生層が形成されたア
ルミニウム基板上に浸漬コーティング法で塗布し、１２
０℃において１時間加熱乾燥して膜厚２０μｍの電荷輸
送層を形成した。
０、マツモト製薬社製）１０部およびシラン化合物（商
品名：Ａ１１１０、日本ユニカー社製）１部とｉ−プロ
パノール４０部およびブタノール２０部からなる溶液
を、アルミニウム基板上に浸漬コーティング法でに塗布
し、１５０℃において１０分間加熱乾燥して膜厚０．２
μｍの下引層を形成した。次いで、製造例１〜９で得ら
れた電荷発生材料（ＣＧＭ）を後記の表１に示すように
混合したもの１部を、ポリビニルブチラール樹脂（商品
名：エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学社製）１部およびシ
クロヘキサノン１００部と混合し、ガラスビーズと共に
ペイントシェーカーで１時間処理して分散した後、得ら
れた塗布液を上記下引層上に浸漬コーティング法で塗布
し、１００℃において１０分間加熱乾燥して０．２μｍ
の電荷発生層を形成した。次に、下記構造式（Ｉ）で示
される電荷輸送材料２部および構造式（II）で示される
ポリカーボネート樹脂３部をモノクロロベンゼン２０部
に溶解し、得られた塗布液を電荷発生層が形成されたア
ルミニウム基板上に浸漬コーティング法で塗布し、１２
０℃において１時間加熱乾燥して膜厚２０μｍの電荷輸
送層を形成した。
【００３２】
【化１６】
【００３３】このようにして作製した各電子写真感光体
の電子写真特性について、静電複写紙試験装置（エレク
トロスタティックアナライザーＥＰＡ８１００、川口電
機社製）を用い、常温常湿（２０℃、４０％ＲＨ）の環
境下に−６ＫＶのコロナ放電を行って帯電させ、照度５
ｌｕｘの白色光で露光して、その表面電位が初期電位の
１／２になる露光量Ｅ1/2 （ｌｕｘ・ｓｅｃ）、および
モノクロメーターを用いて７８０ｎｍの単色光に分光し
た１μＷ／ｃｍ2 のタングステンランプの光で露光し
て、その表面電位が初期電位の１／２になる露光量Ｅ
1/2 （ｍＪ／ｍ2 ）をそれぞれ測定した。その結果を表
１に示す。
の電子写真特性について、静電複写紙試験装置（エレク
トロスタティックアナライザーＥＰＡ８１００、川口電
機社製）を用い、常温常湿（２０℃、４０％ＲＨ）の環
境下に−６ＫＶのコロナ放電を行って帯電させ、照度５
ｌｕｘの白色光で露光して、その表面電位が初期電位の
１／２になる露光量Ｅ1/2 （ｌｕｘ・ｓｅｃ）、および
モノクロメーターを用いて７８０ｎｍの単色光に分光し
た１μＷ／ｃｍ2 のタングステンランプの光で露光し
て、その表面電位が初期電位の１／２になる露光量Ｅ
1/2 （ｍＪ／ｍ2 ）をそれぞれ測定した。その結果を表
１に示す。
【００３４】比較例１〜４ 電荷発生材料として、製造例６〜９で合成したアゾ化合
物をそれぞれ単独で用いた以外は、実施例１と同様にし
て、電子写真感光体を作製し、その電子写真特性を測定
した。その結果を表１に示す。
物をそれぞれ単独で用いた以外は、実施例１と同様にし
て、電子写真感光体を作製し、その電子写真特性を測定
した。その結果を表１に示す。
【００３５】
【表１】
【００３６】
【発明の効果】本発明の電子写真感光体は、近赤外領域
に高い光感度を有するガリウムフタロシアニン化合物と
特定のアゾ化合物を併用したことにより、感光層用塗布
液の分散安定性が増し、さらに可視光領域の光感度が高
くなり、光感度、耐久性、環境安定性の優れた可視光領
域から近赤外領域に幅広く良好な光感度を有する。
に高い光感度を有するガリウムフタロシアニン化合物と
特定のアゾ化合物を併用したことにより、感光層用塗布
液の分散安定性が増し、さらに可視光領域の光感度が高
くなり、光感度、耐久性、環境安定性の優れた可視光領
域から近赤外領域に幅広く良好な光感度を有する。
【図１】 製造例１で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
アニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
【図２】 製造例２で得られたヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
【図３】 製造例３で得られたヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
【図４】 製造例４で得られたヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
【図５】 製造例５で得られたヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
Claims (11)
- 【請求項１】 ガリウムフタロシアニン化合物および下
記一般式（１）で示されるアゾ化合物をキャリア発生物
質として感光層に含有することを特徴とする電子写真感
光体。 【化１】 （式中、Ａは、２価の芳香族炭化水素基または環内に窒
素原子を含む２価の複素環基を表し、Ａｒは、結合基を
介して結合していてもよい芳香族炭化水素基または複素
環基を表し、ｎは１〜３の整数を意味する。） - 【請求項２】 ガリウムフタロシアニン化合物および下
記一般式（２）で示されるアゾ化合物をキャリア発生物
質として感光層に含有することを特徴とする電子写真感
光体。 【化２】 （式中、Ａ1 およびＡ1 ′は、同一でも異なっていても
よく、芳香族性のカップラーを表し、Ｂは、水素原子、
ハロゲン原子、低級アルキル基または低級アルコキシ基
を表す。） - 【請求項３】 ガリウムフタロシアニン化合物および下
記一般式（３）で示されるアゾ化合物をキャリア発生物
質として感光層に含有することを特徴とする電子写真感
光体。 【化３】 （式中、Ａ2 およびＡ2 ′は、同一でも異なっていても
よく、芳香族性のカップラーを表す。） - 【請求項４】 ガリウムフタロシアニン化合物および下
記一般式（４）で示されるアゾ化合物をキャリア発生物
質として感光層に含有することを特徴とする電子写真感
光体。 【化４】 （式中、ＸおよびＸ′は、同一でも異なっていてもよ
く、水素原子またはハロゲン原子を表し、Ｒ1 およびＲ
1 ′は、同一でも異なっていてもよく、置換基を有して
いてもよいアルキル基または置換基を有していてもよい
アリール基を表し、Ｒ2 およびＲ2 ′は、同一でも異な
っていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基またはアシル
基を表す。また、Ｒ1 とＲ2 およびＲ1 ′とＲ2 ′は、
同一または異なって、互いに結合して、置換基を有する
ことのある単環または多環炭化水素環を形成してもよ
い。） - 【請求項５】 ガリウムフタロシアニン化合物がクロロ
ガリウムフタロシアニンである請求項１〜４のいずれか
に記載の電子写真感光体。 - 【請求項６】 ガリウムフタロシアニン化合物がヒドロ
キシガリウムフタロシアニンである請求項１〜４のいず
れかに記載の電子写真感光体。 - 【請求項７】 クロロガリウムフタロシアニンが、Ｃｕ
Ｋα特性Ｘ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度
（２θ±０．２°）が７．４°、１６．６°、２５．５
°および２８．３°に強い回折ピークを有するクロロガ
リウムフタロシアニン結晶である請求項５記載の電子写
真感光体。 - 【請求項８】 ヒドロキシガリウムフタロシアニンが、
ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角
度（２θ±０．２°）が７．５°、９．９°、１２．５
°、１６．３°、１８．６°、２５．１°および２８．
３°に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶である請求項６記載の電子写真感光体。 - 【請求項９】 ヒドロキシガリウムフタロシアニンが、
ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角
度（２θ±０．２°）が７．７°、１６．５°、２５．
１°および２６．６°に強い回折ピークを有するヒドロ
キシガリウムフタロシアニン結晶である請求項６記載の
電子写真感光体。 - 【請求項１０】 ヒドロキシガリウムフタロシアニン
が、ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルにおいて、ブラッ
グ角度（２θ±０．２°）が７．９°、１６．５°、２
４．４°および２７．６°に強い回折ピークを有するヒ
ドロキシガリウムフタロシアニン結晶である請求項６記
載の電子写真感光体。 - 【請求項１１】 ヒドロキシガリウムフタロシアニン
が、ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルにおいて、ブラッ
グ角度（２θ±０．２°）が６．８°、１２．８°、１
５．８°および２６．０°に強い回折ピークを有するヒ
ドロキシガリウムフタロシアニン結晶である請求項６記
載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29385893A JPH07128888A (ja) | 1993-11-01 | 1993-11-01 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29385893A JPH07128888A (ja) | 1993-11-01 | 1993-11-01 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07128888A true JPH07128888A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17800071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29385893A Pending JPH07128888A (ja) | 1993-11-01 | 1993-11-01 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07128888A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6218063B1 (en) | 1998-08-26 | 2001-04-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
| US6270936B1 (en) | 1998-08-25 | 2001-08-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
| US6465143B2 (en) | 2000-01-31 | 2002-10-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus |
| US6773856B2 (en) | 2001-11-09 | 2004-08-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
| JP2013014677A (ja) * | 2011-07-04 | 2013-01-24 | Ricoh Co Ltd | 複合顔料およびそれを用いた電子写真感光体、画像形成装置、画像形成装置用プロセスカートリッジ |
| JP2013028698A (ja) * | 2011-07-28 | 2013-02-07 | Ricoh Co Ltd | 複合顔料、並びにそれを用いた電子写真感光体、及び画像形成装置 |
| US8530124B2 (en) | 2009-12-28 | 2013-09-10 | Ricoh Company, Ltd. | Hydroxygallium phthalocyanine composite pigment, electrophotographic photoconductor containing the same, and image forming device and process cartridge for image forming device using the same |
| JP2014119561A (ja) * | 2012-12-14 | 2014-06-30 | Canon Inc | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
-
1993
- 1993-11-01 JP JP29385893A patent/JPH07128888A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6270936B1 (en) | 1998-08-25 | 2001-08-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
| US6218063B1 (en) | 1998-08-26 | 2001-04-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
| US6465143B2 (en) | 2000-01-31 | 2002-10-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus |
| US6773856B2 (en) | 2001-11-09 | 2004-08-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
| US8530124B2 (en) | 2009-12-28 | 2013-09-10 | Ricoh Company, Ltd. | Hydroxygallium phthalocyanine composite pigment, electrophotographic photoconductor containing the same, and image forming device and process cartridge for image forming device using the same |
| JP2013014677A (ja) * | 2011-07-04 | 2013-01-24 | Ricoh Co Ltd | 複合顔料およびそれを用いた電子写真感光体、画像形成装置、画像形成装置用プロセスカートリッジ |
| JP2013028698A (ja) * | 2011-07-28 | 2013-02-07 | Ricoh Co Ltd | 複合顔料、並びにそれを用いた電子写真感光体、及び画像形成装置 |
| JP2014119561A (ja) * | 2012-12-14 | 2014-06-30 | Canon Inc | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
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