JPH10173235A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
- Publication number
- JPH10173235A JPH10173235A JP32632996A JP32632996A JPH10173235A JP H10173235 A JPH10173235 A JP H10173235A JP 32632996 A JP32632996 A JP 32632996A JP 32632996 A JP32632996 A JP 32632996A JP H10173235 A JPH10173235 A JP H10173235A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- insulating substrate
- layer
- emitting device
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 86
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 69
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 21
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 abstract description 21
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 15
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHYQBXJRURFKIN-UHFFFAOYSA-N C1(C=CC=C1)[Mg] Chemical compound C1(C=CC=C1)[Mg] MHYQBXJRURFKIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体層とコンタクトを取るためにサファイ
ア基板に設けられる孔が、半導体層が完全に露出し、か
つ、半導体層をエッチングし過ぎないように精密に形成
され、しかも、電流が均一に広がりながら機械的強度も
充分に得られるように形成され得る半導体発光素子を提
供する。 【解決手段】 絶縁基板１と、該絶縁基板上に発光層を
形成すべく積層される半導体層２〜５と、該半導体層の
上面に形成される上部電極８と、前記絶縁基板の裏面側
に設けられ、該基板のコンタクト孔１ｃを介して前記積
層される半導体層の下層部に接続される下部電極９とか
らなる半導体発光素子であって、前記絶縁基板はその裏
面側に段差が設けられ、該段差により薄くされた前記絶
縁基板の肉薄部分に半導体層を露出させるコンタクト孔
１ｃが設けられている。
ア基板に設けられる孔が、半導体層が完全に露出し、か
つ、半導体層をエッチングし過ぎないように精密に形成
され、しかも、電流が均一に広がりながら機械的強度も
充分に得られるように形成され得る半導体発光素子を提
供する。 【解決手段】 絶縁基板１と、該絶縁基板上に発光層を
形成すべく積層される半導体層２〜５と、該半導体層の
上面に形成される上部電極８と、前記絶縁基板の裏面側
に設けられ、該基板のコンタクト孔１ｃを介して前記積
層される半導体層の下層部に接続される下部電極９とか
らなる半導体発光素子であって、前記絶縁基板はその裏
面側に段差が設けられ、該段差により薄くされた前記絶
縁基板の肉薄部分に半導体層を露出させるコンタクト孔
１ｃが設けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は絶縁基板上に半導体
層が積層されて発光層が形成される半導体発光素子に関
する。さらに詳しくは、積層される半導体層の下部の半
導体層に接続される電極が絶縁基板の裏面側に形成され
る半導体発光素子に関する。
層が積層されて発光層が形成される半導体発光素子に関
する。さらに詳しくは、積層される半導体層の下部の半
導体層に接続される電極が絶縁基板の裏面側に形成され
る半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体結晶層をエピタキシャル成長する
場合に、格子定数の関係から絶縁性の基板上に成長しな
ければならない場合がある。たとえば青色系発光素子用
のチッ化ガリウム系化合物半導体層は、チッ化ガリウム
系化合物半導体層を堆積するのに適当な半導体基板がな
く、サファイア（Ａｌ2 Ｏ3 単結晶）基板上にエピタキ
シャル成長される。このチッ化ガリウム系化合物半導体
結晶層を用いた青色系の半導体発光素子の基本構造は、
たとえば図５に示されるような構造になっている。すな
わち、サファイア基板２１上にたとえばｎ形のＧａＮか
らなる低温バッファ層２２と、高温でＧａＮがエピタキ
シャル成長されたｎ形層（クラッド層）２３と、バンド
ギャップエネルギーがクラッド層のそれよりも小さくな
る材料、たとえばＩｎＧａＮ系（ＩｎとＧａの比率が種
々変わり得ることを意味する、以下同じ）化合物半導体
からなる活性層２４と、ｐ形のＧａＮからなるｐ形層
（クラッド層）２５とからなり、その表面にｐ側（上
部）電極２８が設けられ、積層された半導体層の一部が
エッチングされて露出したｎ形層２３の表面にｎ側（下
部）電極２９が設けられることにより形成されている。
場合に、格子定数の関係から絶縁性の基板上に成長しな
ければならない場合がある。たとえば青色系発光素子用
のチッ化ガリウム系化合物半導体層は、チッ化ガリウム
系化合物半導体層を堆積するのに適当な半導体基板がな
く、サファイア（Ａｌ2 Ｏ3 単結晶）基板上にエピタキ
シャル成長される。このチッ化ガリウム系化合物半導体
結晶層を用いた青色系の半導体発光素子の基本構造は、
たとえば図５に示されるような構造になっている。すな
わち、サファイア基板２１上にたとえばｎ形のＧａＮか
らなる低温バッファ層２２と、高温でＧａＮがエピタキ
シャル成長されたｎ形層（クラッド層）２３と、バンド
ギャップエネルギーがクラッド層のそれよりも小さくな
る材料、たとえばＩｎＧａＮ系（ＩｎとＧａの比率が種
々変わり得ることを意味する、以下同じ）化合物半導体
からなる活性層２４と、ｐ形のＧａＮからなるｐ形層
（クラッド層）２５とからなり、その表面にｐ側（上
部）電極２８が設けられ、積層された半導体層の一部が
エッチングされて露出したｎ形層２３の表面にｎ側（下
部）電極２９が設けられることにより形成されている。
【０００３】この構造では、下部電極２９を設けるため
積層された半導体層の一部をエッチングして除去しなけ
ればならない。また、組立工程でボンディングパッドや
基板上にボンディングする場合でもサファイア基板２１
の裏面は絶縁性であり、ボンディングパッドと下部電極
２９との間で金線などによりワイヤボンディングをしな
ければならない。このような不都合を解消するため、図
６（ａ）〜（ｂ）に断面図が示されるように、サファイ
ア基板２１の裏面からｎ形の低温バッファ層２２が露出
するようにコンタクト孔を設け、その孔内に電極用金属
を蒸着することによりサファイア基板２１の裏面側に下
部（ｎ側）電極２９を設ける構造のものも知られてい
る。図６（ａ）はコンタクト孔の直径がチップの一辺の
長さ（たとえば０.２〜１ｍｍ程度）の７０〜８０％程
度（たとえば１５０〜７５０μｍ程度）の大きな穴が設
けられる例で、図６（ｂ）は穴の直径がチップの一辺の
長さの１／１００程度（たとえば２〜１０μｍ程度）と
小さい穴が設けられる例を示している。
積層された半導体層の一部をエッチングして除去しなけ
ればならない。また、組立工程でボンディングパッドや
基板上にボンディングする場合でもサファイア基板２１
の裏面は絶縁性であり、ボンディングパッドと下部電極
２９との間で金線などによりワイヤボンディングをしな
ければならない。このような不都合を解消するため、図
６（ａ）〜（ｂ）に断面図が示されるように、サファイ
ア基板２１の裏面からｎ形の低温バッファ層２２が露出
するようにコンタクト孔を設け、その孔内に電極用金属
を蒸着することによりサファイア基板２１の裏面側に下
部（ｎ側）電極２９を設ける構造のものも知られてい
る。図６（ａ）はコンタクト孔の直径がチップの一辺の
長さ（たとえば０.２〜１ｍｍ程度）の７０〜８０％程
度（たとえば１５０〜７５０μｍ程度）の大きな穴が設
けられる例で、図６（ｂ）は穴の直径がチップの一辺の
長さの１／１００程度（たとえば２〜１０μｍ程度）と
小さい穴が設けられる例を示している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述のサファイア基板
にコンタクト孔を形成する場合、塩素ガスを用いてドラ
イエッチングにより行われるが、サファイアは非常に堅
くエッチングされにくい。このサファイア基板は素子の
強度を保つため、５０〜１００μｍ程度と厚く、この厚
いサファイア基板にその厚さの１／１０程度以下の直径
のコンタクト孔を設けることは非常に難しい。しかも、
半導体層はサファイア基板よりエッチングレートが非常
に大きく、サファイア基板が残存せず丁度半導体層が露
出するように制御することが難しい。そのため、サファ
イアの一部が残ったり、半導体層までエッチングをし過
ぎるという問題がある。また、厚いサファイア基板に小
さいコンタクト孔をたくさん形成するのは困難で、孔の
数が少ないと、電流が孔の近くに集中してしまい、均一
に光らないという問題がある。
にコンタクト孔を形成する場合、塩素ガスを用いてドラ
イエッチングにより行われるが、サファイアは非常に堅
くエッチングされにくい。このサファイア基板は素子の
強度を保つため、５０〜１００μｍ程度と厚く、この厚
いサファイア基板にその厚さの１／１０程度以下の直径
のコンタクト孔を設けることは非常に難しい。しかも、
半導体層はサファイア基板よりエッチングレートが非常
に大きく、サファイア基板が残存せず丁度半導体層が露
出するように制御することが難しい。そのため、サファ
イアの一部が残ったり、半導体層までエッチングをし過
ぎるという問題がある。また、厚いサファイア基板に小
さいコンタクト孔をたくさん形成するのは困難で、孔の
数が少ないと、電流が孔の近くに集中してしまい、均一
に光らないという問題がある。
【０００５】一方、前述の大きなコンタクト孔がサファ
イア基板に設けられると、サファイア基板の大部分がな
くなることになり、積層される半導体層の厚さは全部で
１〜５μｍ程度であるため、素子の機械的強度が非常に
弱くなり、ウェハから各チップに切断する際や、組立工
程の際に素子を破損するという問題がある。
イア基板に設けられると、サファイア基板の大部分がな
くなることになり、積層される半導体層の厚さは全部で
１〜５μｍ程度であるため、素子の機械的強度が非常に
弱くなり、ウェハから各チップに切断する際や、組立工
程の際に素子を破損するという問題がある。
【０００６】本発明はこのような問題を解決するために
なされたもので、半導体層とコンタクトを取るために絶
縁基板に設けられる孔が、半導体層が完全に露出し、か
つ、半導体層をエッチングし過ぎないように精密に形成
され、しかも、電流が均一に広がりながら機械的強度も
充分に得られるように形成され得る半導体発光素子を提
供することを目的とする。
なされたもので、半導体層とコンタクトを取るために絶
縁基板に設けられる孔が、半導体層が完全に露出し、か
つ、半導体層をエッチングし過ぎないように精密に形成
され、しかも、電流が均一に広がりながら機械的強度も
充分に得られるように形成され得る半導体発光素子を提
供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体発光
素子は、絶縁基板と、該絶縁基板上に発光層を形成すべ
く積層される半導体層と、該半導体層の上面に形成され
る上部電極と、前記絶縁基板に設けられるコンタクト孔
を介して該絶縁基板の裏面側に設けられる下部電極とか
らなる半導体発光素子であって、前記絶縁基板はその裏
面側に段差が設けられ、該段差により薄くされた前記絶
縁基板の肉薄部分に半導体層を露出させるコンタクト孔
が設けられている。この構造にすることにより、薄くな
った基板部にコンタクト孔を形成することができるた
め、小さい径のコンタクト孔を精密に設けることができ
る。そのため、絶縁基板を広い範囲に亘って除去する大
きな形状のコンタクト孔にする必要がなく、機械的強度
が充分に得られると共に、発光特性も高く維持すること
ができる。
素子は、絶縁基板と、該絶縁基板上に発光層を形成すべ
く積層される半導体層と、該半導体層の上面に形成され
る上部電極と、前記絶縁基板に設けられるコンタクト孔
を介して該絶縁基板の裏面側に設けられる下部電極とか
らなる半導体発光素子であって、前記絶縁基板はその裏
面側に段差が設けられ、該段差により薄くされた前記絶
縁基板の肉薄部分に半導体層を露出させるコンタクト孔
が設けられている。この構造にすることにより、薄くな
った基板部にコンタクト孔を形成することができるた
め、小さい径のコンタクト孔を精密に設けることができ
る。そのため、絶縁基板を広い範囲に亘って除去する大
きな形状のコンタクト孔にする必要がなく、機械的強度
が充分に得られると共に、発光特性も高く維持すること
ができる。
【０００８】前記肉薄部分が前記半導体発光素子のチッ
プの中心部側に設けられ、前記コンタクト孔が複数個設
けられることにより、チップの周囲で機械的強度を充分
に保ちながらコンタクト孔を広い範囲でたくさん形成す
ることができ、電流の一点集中を避けることができる。
プの中心部側に設けられ、前記コンタクト孔が複数個設
けられることにより、チップの周囲で機械的強度を充分
に保ちながらコンタクト孔を広い範囲でたくさん形成す
ることができ、電流の一点集中を避けることができる。
【０００９】前記上部電極が前記半導体発光素子のチッ
プの外周部側に設けられ、かつ、下部電極がチップの中
心部に設けられたり、前記肉薄部が前記半導体発光素子
のチップの外周部側に設けられ、かつ、前記上部電極が
前記チップの中心部側に設けられることにより、電流が
チップ全体に広がりやすく発光効率を向上させることが
できる。
プの外周部側に設けられ、かつ、下部電極がチップの中
心部に設けられたり、前記肉薄部が前記半導体発光素子
のチップの外周部側に設けられ、かつ、前記上部電極が
前記チップの中心部側に設けられることにより、電流が
チップ全体に広がりやすく発光効率を向上させることが
できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】つぎに、図面を参照しながら本発
明の半導体発光素子について説明をする。図１には、た
とえば青色系発光に適したチッ化ガリウム系化合物半導
体層がサファイア基板上に積層される本発明の半導体発
光素子の一実施形態の断面説明図およびその底面図が示
されている。
明の半導体発光素子について説明をする。図１には、た
とえば青色系発光に適したチッ化ガリウム系化合物半導
体層がサファイア基板上に積層される本発明の半導体発
光素子の一実施形態の断面説明図およびその底面図が示
されている。
【００１１】ここにチッ化ガリウム系化合物半導体と
は、III 族元素のＧａとＶ族元素のＮとの化合物または
III 族元素のＧａの一部がＡｌ、Ｉｎなどの他のIII 族
元素と置換したものおよび／またはＶ族元素のＮの一部
がＰ、Ａｓなどの他のＶ族元素と置換した化合物からな
る半導体をいう。
は、III 族元素のＧａとＶ族元素のＮとの化合物または
III 族元素のＧａの一部がＡｌ、Ｉｎなどの他のIII 族
元素と置換したものおよび／またはＶ族元素のＮの一部
がＰ、Ａｓなどの他のＶ族元素と置換した化合物からな
る半導体をいう。
【００１２】本発明の半導体発光素子は、図１に示され
るように、たとえばサファイア（Ａｌ2 Ｏ3 単結晶）な
どからなる絶縁基板１の表面に発光層を形成する半導体
層２〜５が積層されて、その表面側の半導体層には拡散
メタル層７を介して上部電極（ｐ側電極）８が形成され
ている。また、絶縁基板１には、その裏面から大きな径
の凹部から段階的に小さな径の凹部がエッチングにより
順次形成されて段差が設けられており、その段差による
絶縁基板１の肉薄部分に半導体層を露出させるコンタク
ト孔１ｃが設けられている。そして、階段状に設けられ
た凹部内に金属膜が設けられることにより、小さな径の
コンタクト孔１ｃで露出した半導体層と電気的に接続す
る下部電極（ｎ側電極）９が設けられている。この径の
小さいコンタクト孔１ｃは、図１（ｂ）に示されるよう
に、複数個設けられることにより、下部電極９が半導体
層と接触する面積を大きくしている。
るように、たとえばサファイア（Ａｌ2 Ｏ3 単結晶）な
どからなる絶縁基板１の表面に発光層を形成する半導体
層２〜５が積層されて、その表面側の半導体層には拡散
メタル層７を介して上部電極（ｐ側電極）８が形成され
ている。また、絶縁基板１には、その裏面から大きな径
の凹部から段階的に小さな径の凹部がエッチングにより
順次形成されて段差が設けられており、その段差による
絶縁基板１の肉薄部分に半導体層を露出させるコンタク
ト孔１ｃが設けられている。そして、階段状に設けられ
た凹部内に金属膜が設けられることにより、小さな径の
コンタクト孔１ｃで露出した半導体層と電気的に接続す
る下部電極（ｎ側電極）９が設けられている。この径の
小さいコンタクト孔１ｃは、図１（ｂ）に示されるよう
に、複数個設けられることにより、下部電極９が半導体
層と接触する面積を大きくしている。
【００１３】絶縁基板１上に積層される半導体層は、た
とえばＧａＮからなる低温バッファ層２が０.０１〜０.
２μｍ程度堆積され、ついでｎ形のクラッド層となるｎ
形層３が１〜５μｍ程度堆積され、さらに、バンドギャ
ップエネルギーがクラッド層のそれよりも小さくなる材
料、たとえばＩｎＧａＮ系化合物半導体からなる活性層
４が０.０５〜０.３μｍ程度、ｐ形のＡｌＧａＮ系（Ａ
ｌとＧａの比率が種々変わり得ることを意味する、以下
同じ）化合物半導体層５ａおよびＧａＮ層５ｂからなる
ｐ形層（クラッド層）５が０.２〜１μｍ程度、それぞ
れ順次積層されることにより構成されている。なお、ｐ
形層５はＡｌＧａＮ系化合物半導体層５ａとＧａＮ層５
ｂとの複層になっているが、キャリアの閉じ込め効果の
点からＡｌを含む層が設けられることが好ましいため
で、ＧａＮ層だけでもよい。また、ｎ形層３にもＡｌＧ
ａＮ系化合物半導体層を設けて複層にしてもよく、また
これらを他のチッ化ガリウム系化合物半導体層で形成す
ることもできる。さらに、この例では、ｎ形層とｐ形層
とで活性層が挟持されたダブルヘテロ接合構造である
が、ｎ形層とｐ形層とが直接接合するｐｎ接合構造のも
のでもよい。
とえばＧａＮからなる低温バッファ層２が０.０１〜０.
２μｍ程度堆積され、ついでｎ形のクラッド層となるｎ
形層３が１〜５μｍ程度堆積され、さらに、バンドギャ
ップエネルギーがクラッド層のそれよりも小さくなる材
料、たとえばＩｎＧａＮ系化合物半導体からなる活性層
４が０.０５〜０.３μｍ程度、ｐ形のＡｌＧａＮ系（Ａ
ｌとＧａの比率が種々変わり得ることを意味する、以下
同じ）化合物半導体層５ａおよびＧａＮ層５ｂからなる
ｐ形層（クラッド層）５が０.２〜１μｍ程度、それぞ
れ順次積層されることにより構成されている。なお、ｐ
形層５はＡｌＧａＮ系化合物半導体層５ａとＧａＮ層５
ｂとの複層になっているが、キャリアの閉じ込め効果の
点からＡｌを含む層が設けられることが好ましいため
で、ＧａＮ層だけでもよい。また、ｎ形層３にもＡｌＧ
ａＮ系化合物半導体層を設けて複層にしてもよく、また
これらを他のチッ化ガリウム系化合物半導体層で形成す
ることもできる。さらに、この例では、ｎ形層とｐ形層
とで活性層が挟持されたダブルヘテロ接合構造である
が、ｎ形層とｐ形層とが直接接合するｐｎ接合構造のも
のでもよい。
【００１４】絶縁基板１は、その厚さは１００μｍ程度
にされてからエッチングが施され、最初に設けられる一
番大きな凹部１ａの直径Ｂは、チップの一辺の大きさＡ
が０.２〜１ｍｍに対して１５０〜７５０μｍ程度で、
その深さＦが７０μｍ程度に形成される。また、２番目
の凹部１ｂは、その直径Ｃが１００〜５００μｍ程度
で、１段目の穴の底からの深さＧが２０μｍ程度に形成
されている。そして、一番小さく形成されるコンタクト
孔１ｃはその直径Ｄが２〜１０μｍ程度で、その深さＨ
は絶縁性基板１の残存している厚さで１０μｍ程度であ
る。すなわち、凹部１ａ、１ｂまたはコンタクト孔１ｃ
の径に対するエッチングの深さが極端に大きくならない
ように、凹部による段差が形成されて、薄くされた絶縁
基板１の肉薄部にコンタクト孔１ｃが形成されている。
にされてからエッチングが施され、最初に設けられる一
番大きな凹部１ａの直径Ｂは、チップの一辺の大きさＡ
が０.２〜１ｍｍに対して１５０〜７５０μｍ程度で、
その深さＦが７０μｍ程度に形成される。また、２番目
の凹部１ｂは、その直径Ｃが１００〜５００μｍ程度
で、１段目の穴の底からの深さＧが２０μｍ程度に形成
されている。そして、一番小さく形成されるコンタクト
孔１ｃはその直径Ｄが２〜１０μｍ程度で、その深さＨ
は絶縁性基板１の残存している厚さで１０μｍ程度であ
る。すなわち、凹部１ａ、１ｂまたはコンタクト孔１ｃ
の径に対するエッチングの深さが極端に大きくならない
ように、凹部による段差が形成されて、薄くされた絶縁
基板１の肉薄部にコンタクト孔１ｃが形成されている。
【００１５】本発明の半導体発光素子は、このように、
絶縁基板１の裏面側に下部電極９が設けられる場合に、
段々と小さくなる凹部による段差が形成され、薄くなっ
た絶縁基板１の肉薄部に径の小さいコンタクト孔１ｃが
設けられている。そのため、エッチングされる深さとそ
のエッチング部の直径とが比較的近く、エッチングの制
御が容易となる。その結果、エッチングのし難い絶縁基
板１をエッチングしながら、エッチングに対して弱い半
導体層にダメージを与えることなくその表面を露出させ
ることができる。
絶縁基板１の裏面側に下部電極９が設けられる場合に、
段々と小さくなる凹部による段差が形成され、薄くなっ
た絶縁基板１の肉薄部に径の小さいコンタクト孔１ｃが
設けられている。そのため、エッチングされる深さとそ
のエッチング部の直径とが比較的近く、エッチングの制
御が容易となる。その結果、エッチングのし難い絶縁基
板１をエッチングしながら、エッチングに対して弱い半
導体層にダメージを与えることなくその表面を露出させ
ることができる。
【００１６】また、図１（ｂ）に示されるように、コン
タクト孔１ｃが多数個設けられることにより、電流が一
部に集中しないで全体に広がりやすいため、均一な発光
が得られる。また、小さい径のコンタクト孔１ｃを多数
個設けることにより、半導体層が連続した大きな面積で
露出しないで絶縁基板１により保持されているため、ウ
ェハからの各チップへの切断時や組立工程での取扱時に
破損することがなく、また取扱が非常に容易となる。
タクト孔１ｃが多数個設けられることにより、電流が一
部に集中しないで全体に広がりやすいため、均一な発光
が得られる。また、小さい径のコンタクト孔１ｃを多数
個設けることにより、半導体層が連続した大きな面積で
露出しないで絶縁基板１により保持されているため、ウ
ェハからの各チップへの切断時や組立工程での取扱時に
破損することがなく、また取扱が非常に容易となる。
【００１７】つぎに、図１に示される半導体発光素子の
製法の具体例について図２を参照しながら説明をする。
製法の具体例について図２を参照しながら説明をする。
【００１８】まず、図２（ａ）に示されるように、サフ
ァイアからなる絶縁基板１上に、有機金属化学気相成長
法（ＭＯＣＶＤ法）により、キャリアガスのＨ2 と共に
トリメチリガリウム（ＴＭＧ）、アンモニア（ＮＨ3 ）
などの成長ガスおよびｎ形にする場合のドーパントガス
としてのＳｉＨ4 などを供給して、ＧａＮ層からなる低
温バッファ層２を０.０１〜０.２μｍ程度、同じ組成で
ｎ形のｎ形層（クラッド層）３を１〜５μｍ程度成膜す
る。さらにドーパントガスをとめ、トリメチルインジウ
ム（以下、ＴＭＩｎという）を供給してＩｎＧａＮ系化
合物半導体からなる活性層４を０.０５〜０.３μｍ程度
成膜する。ついで、反応ガスをＴＭＩｎからトリメチル
アルミニウム（以下、ＴＭＡという）にし、ドーパント
ガスとしてシクロペンタジエニルマグネシウム（以下、
Ｃｐ2 Ｍｇという）またはジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）を
導入して、ｐ形のＡｌＧａＮ系化合物半導体層５ａを
０.１〜０.５μｍ程度、さらに再度ＴＭＡを遮断してｐ
形のＧａＮ層５ｂを０.１〜０.５μｍ程度成膜し、ｐ形
層５を形成する。
ァイアからなる絶縁基板１上に、有機金属化学気相成長
法（ＭＯＣＶＤ法）により、キャリアガスのＨ2 と共に
トリメチリガリウム（ＴＭＧ）、アンモニア（ＮＨ3 ）
などの成長ガスおよびｎ形にする場合のドーパントガス
としてのＳｉＨ4 などを供給して、ＧａＮ層からなる低
温バッファ層２を０.０１〜０.２μｍ程度、同じ組成で
ｎ形のｎ形層（クラッド層）３を１〜５μｍ程度成膜す
る。さらにドーパントガスをとめ、トリメチルインジウ
ム（以下、ＴＭＩｎという）を供給してＩｎＧａＮ系化
合物半導体からなる活性層４を０.０５〜０.３μｍ程度
成膜する。ついで、反応ガスをＴＭＩｎからトリメチル
アルミニウム（以下、ＴＭＡという）にし、ドーパント
ガスとしてシクロペンタジエニルマグネシウム（以下、
Ｃｐ2 Ｍｇという）またはジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）を
導入して、ｐ形のＡｌＧａＮ系化合物半導体層５ａを
０.１〜０.５μｍ程度、さらに再度ＴＭＡを遮断してｐ
形のＧａＮ層５ｂを０.１〜０.５μｍ程度成膜し、ｐ形
層５を形成する。
【００１９】つぎに、図２（ｂ）に示されるように、絶
縁基板１を裏向きにしてレジスト膜（図示せず）を設
け、各チップ（一辺の長さが３５０μｍ程度）の中心部
に直径が２５０μｍ程度の開口部となるようにパターニ
ングをする。そして、アルゴンなどの不活性ガスに塩素
ガスなどの反応ガスを混入して反応性イオンエッチング
により７０μｍ程度の深さだけエッチングをする。この
エッチングは、１００μｍ程度の厚さの絶縁基板１の７
０％程度をエッチングするもので、しかもエッチング深
さの精度はそれ程厳密ではないため、加速電圧を高くし
てエッチングスピードを早くして行うことができ、３０
〜３００時間程度で行うことができる。その結果、凹部
１ａがチップの中心部に形成される。
縁基板１を裏向きにしてレジスト膜（図示せず）を設
け、各チップ（一辺の長さが３５０μｍ程度）の中心部
に直径が２５０μｍ程度の開口部となるようにパターニ
ングをする。そして、アルゴンなどの不活性ガスに塩素
ガスなどの反応ガスを混入して反応性イオンエッチング
により７０μｍ程度の深さだけエッチングをする。この
エッチングは、１００μｍ程度の厚さの絶縁基板１の７
０％程度をエッチングするもので、しかもエッチング深
さの精度はそれ程厳密ではないため、加速電圧を高くし
てエッチングスピードを早くして行うことができ、３０
〜３００時間程度で行うことができる。その結果、凹部
１ａがチップの中心部に形成される。
【００２０】つぎに、絶縁基板１の裏面に再度レジスト
膜（図示せず）を設け、第１の凹部１ａの中心部に直径
が２００μｍ程度の開口部となるようにパターニングを
し、同様の反応性イオンエッチングを行うことにより、
図２（ｃ）に示されるように、第２の凹部１ｂを２０μ
ｍ程度の深さ（図１のＧ）に形成する。この場合のエッ
チングもその深さはそれ程厳密ではないため、エッチン
グスピードを速くして行う。
膜（図示せず）を設け、第１の凹部１ａの中心部に直径
が２００μｍ程度の開口部となるようにパターニングを
し、同様の反応性イオンエッチングを行うことにより、
図２（ｃ）に示されるように、第２の凹部１ｂを２０μ
ｍ程度の深さ（図１のＧ）に形成する。この場合のエッ
チングもその深さはそれ程厳密ではないため、エッチン
グスピードを速くして行う。
【００２１】その後、絶縁基板１の裏面に再度レジスト
膜（図示せず）を設け、第２の凹部１ｂの底面に５μｍ
程度の直径の開口部が均等に設けられるようにパターニ
ングをし、第２の凹部１ｂの底に１０μｍ程度の厚さに
残った絶縁基板１に同様の反応性イオンエッチングを行
うことにより、図２（ｄ）に示されるように、低温バッ
ファ層２が露出するコンタクト孔１ｃを形成する。この
エッチングの場合は、絶縁基板１であるサファイアがな
くなりＧａＮからなる半導体層が露出すると、半導体層
が急速にエッチングされやすいため、加速電圧を低くし
てたとえば０.０１μｍ／分程度のレートでエッチング
を行う。
膜（図示せず）を設け、第２の凹部１ｂの底面に５μｍ
程度の直径の開口部が均等に設けられるようにパターニ
ングをし、第２の凹部１ｂの底に１０μｍ程度の厚さに
残った絶縁基板１に同様の反応性イオンエッチングを行
うことにより、図２（ｄ）に示されるように、低温バッ
ファ層２が露出するコンタクト孔１ｃを形成する。この
エッチングの場合は、絶縁基板１であるサファイアがな
くなりＧａＮからなる半導体層が露出すると、半導体層
が急速にエッチングされやすいため、加速電圧を低くし
てたとえば０.０１μｍ／分程度のレートでエッチング
を行う。
【００２２】その後、図１に示されるように、積層され
た半導体層の表面にＮｉおよびＡｕを蒸着して厚さが２
〜１００ｎｍ程度の拡散メタル層７を設け、さらにＴｉ
およびＡｕを蒸着してパターニングをすることにより上
部電極８を形成し、さらに絶縁基板１の裏面にＴｉおよ
びＡｕを蒸着して下部電極９を形成する。ついで、各チ
ップにブレークすることにより、半導体発光素子のチッ
プが形成される。
た半導体層の表面にＮｉおよびＡｕを蒸着して厚さが２
〜１００ｎｍ程度の拡散メタル層７を設け、さらにＴｉ
およびＡｕを蒸着してパターニングをすることにより上
部電極８を形成し、さらに絶縁基板１の裏面にＴｉおよ
びＡｕを蒸着して下部電極９を形成する。ついで、各チ
ップにブレークすることにより、半導体発光素子のチッ
プが形成される。
【００２３】図３に示される例は、図１の変形例で、上
部電極８がチップの中心部ではなくて、外周部に設けら
れている。図１に示されるように、上部電極８および下
部電極９が共にチップの中心部に設けられると、発光層
となる活性層４部の電流通路が中心部に集中し、周囲に
電流が流れ難く、チップ全面での発光をし難い。しか
し、図３に示されるように、上部電極８がチップの外周
に沿って設けられ、下部電極９がチップの中心部に設け
られることにより、電流がチップ全体に広がりやすく発
光効率が向上する。
部電極８がチップの中心部ではなくて、外周部に設けら
れている。図１に示されるように、上部電極８および下
部電極９が共にチップの中心部に設けられると、発光層
となる活性層４部の電流通路が中心部に集中し、周囲に
電流が流れ難く、チップ全面での発光をし難い。しか
し、図３に示されるように、上部電極８がチップの外周
に沿って設けられ、下部電極９がチップの中心部に設け
られることにより、電流がチップ全体に広がりやすく発
光効率が向上する。
【００２４】図４は、図３と同様に電流通路をチップ全
体に広げる他の構造例で、上部電極８をチップの中心部
に設け、下部電極９をチップの外周部に設けたものであ
る。すなわち、チップの外周部の絶縁基板１をエッチン
グすることにより段差を形成し、その外周部の肉薄部に
コンタクト孔１ｃが設けられたものである。この構造に
しても図３の例と同様に、電流がチップをクロスする方
向に流れるため広がり、チップ全体で発光しやすい。こ
の場合、外周部に設けられるコンタクト孔１ｃは、図１
に示されるような小さい径のものを多数個均等に設ける
こともできるし、チップの周囲に細い幅でリング状に設
けることもできる。ウェハから各チップに切断分離する
場合、絶縁基板１の裏面をスライシングし（ダイヤモン
ドペンで線を入れる）て割る方法により行われるため、
この例のように、チップの外周部で絶縁基板１が薄くな
っていると、ウェハから各チップに分離する作業が容易
になる。
体に広げる他の構造例で、上部電極８をチップの中心部
に設け、下部電極９をチップの外周部に設けたものであ
る。すなわち、チップの外周部の絶縁基板１をエッチン
グすることにより段差を形成し、その外周部の肉薄部に
コンタクト孔１ｃが設けられたものである。この構造に
しても図３の例と同様に、電流がチップをクロスする方
向に流れるため広がり、チップ全体で発光しやすい。こ
の場合、外周部に設けられるコンタクト孔１ｃは、図１
に示されるような小さい径のものを多数個均等に設ける
こともできるし、チップの周囲に細い幅でリング状に設
けることもできる。ウェハから各チップに切断分離する
場合、絶縁基板１の裏面をスライシングし（ダイヤモン
ドペンで線を入れる）て割る方法により行われるため、
この例のように、チップの外周部で絶縁基板１が薄くな
っていると、ウェハから各チップに分離する作業が容易
になる。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、サファイア基板のよう
な硬い絶縁基板上に半導体層が積層される半導体発光素
子でも、基板強度を弱めることなく、かつ、発光の均一
性を損なうことなく、裏面側に一方の電極を設けること
ができる。そのため、リードフレームなどの基板上に直
接ボンディングをすることができ、組立工程が非常に簡
略化されながら、特性の優れた半導体発光素子が得られ
る。
な硬い絶縁基板上に半導体層が積層される半導体発光素
子でも、基板強度を弱めることなく、かつ、発光の均一
性を損なうことなく、裏面側に一方の電極を設けること
ができる。そのため、リードフレームなどの基板上に直
接ボンディングをすることができ、組立工程が非常に簡
略化されながら、特性の優れた半導体発光素子が得られ
る。
【図１】本発明の半導体発光素子の一実施形態の説明図
である。
である。
【図２】図１の半導体発光素子の製造工程を示す図であ
る。
る。
【図３】図１の半導体発光素子の変形例を示す図であ
る。
る。
【図４】図１の半導体発光素子の他の変形例を示す図で
ある。
ある。
【図５】従来の半導体発光素子の一例の斜視説明図であ
る。
る。
【図６】従来の半導体発光素子の他の例の説明図であ
る。
る。
１ 絶縁基板 １ａ 第１の凹部 １ｂ 第２の凹部 １ｃ コンタクト孔 ７ 上部電極 ８ 下部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 筒井 毅 京都市右京区西院溝崎町21番地 ローム株 式会社内 (72)発明者 伊藤 範和 京都市右京区西院溝崎町21番地 ローム株 式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁基板と、該絶縁基板上に発光層を形
成すべく積層される半導体層と、該半導体層の上面に形
成される上部電極と、前記絶縁基板の裏面側に設けら
れ、該基板のコンタクト孔を介して前記積層される半導
体層の下層部に接続される下部電極とからなる半導体発
光素子であって、前記絶縁基板はその裏面側に段差が設
けられ、該段差により薄くされた前記絶縁基板の肉薄部
分に半導体層を露出させるコンタクト孔が設けられてな
る半導体発光素子。 - 【請求項２】 前記肉薄部分が前記半導体発光素子のチ
ップの中心部側に設けられ、前記コンタクト孔が複数個
設けられてなる請求項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項３】 前記上部電極が前記半導体発光素子のチ
ップの外周部側に設けられてなる請求項２記載の半導体
発光素子。 - 【請求項４】 前記肉薄部が前記半導体発光素子のチッ
プの外周部側に設けられ、かつ、前記上部電極が前記チ
ップの中心部側に設けられてなる請求項１記載の半導体
発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32632996A JP3706448B2 (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32632996A JP3706448B2 (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10173235A true JPH10173235A (ja) | 1998-06-26 |
| JP3706448B2 JP3706448B2 (ja) | 2005-10-12 |
Family
ID=18186565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32632996A Expired - Fee Related JP3706448B2 (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3706448B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003044872A1 (en) * | 2001-11-19 | 2003-05-30 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Compound semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
| JP2004047988A (ja) * | 2002-06-13 | 2004-02-12 | Lumileds Lighting Us Llc | 大面積及び小面積半導体発光フリップチップ装置のための接触方式 |
| DE10244986A1 (de) * | 2002-09-26 | 2004-04-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement |
| JP2004343139A (ja) * | 2001-11-19 | 2004-12-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 化合物半導体発光素子 |
| JP2005005727A (ja) * | 2001-11-19 | 2005-01-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 化合物半導体発光素子 |
| JP2010103498A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-05-06 | Canon Inc | 面発光レーザ、およびその製造方法 |
| JP2010283124A (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | 発光ダイオード |
| JP2010283123A (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | 発光ダイオード |
| WO2012160880A1 (ja) | 2011-05-23 | 2012-11-29 | 並木精密宝石株式会社 | 発光素子の製造方法および発光素子 |
| JP2013197350A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Sharp Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
-
1996
- 1996-12-06 JP JP32632996A patent/JP3706448B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003044872A1 (en) * | 2001-11-19 | 2003-05-30 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Compound semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
| JP2004343139A (ja) * | 2001-11-19 | 2004-12-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 化合物半導体発光素子 |
| JP2005005727A (ja) * | 2001-11-19 | 2005-01-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 化合物半導体発光素子 |
| JPWO2003044872A1 (ja) * | 2001-11-19 | 2005-03-24 | 三洋電機株式会社 | 化合物半導体発光素子 |
| US7276742B2 (en) | 2001-11-19 | 2007-10-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Compound semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
| JP2004047988A (ja) * | 2002-06-13 | 2004-02-12 | Lumileds Lighting Us Llc | 大面積及び小面積半導体発光フリップチップ装置のための接触方式 |
| JP4564726B2 (ja) * | 2002-06-13 | 2010-10-20 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | 大面積及び小面積半導体発光フリップチップ装置のための接触方式 |
| US7446341B2 (en) | 2002-09-26 | 2008-11-04 | Osram Gmbh | Radiation-emitting semiconductor element |
| DE10244986B4 (de) * | 2002-09-26 | 2008-02-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement |
| DE10244986A1 (de) * | 2002-09-26 | 2004-04-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement |
| JP2010103498A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-05-06 | Canon Inc | 面発光レーザ、およびその製造方法 |
| JP2010283124A (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | 発光ダイオード |
| JP2010283123A (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | 発光ダイオード |
| WO2012160880A1 (ja) | 2011-05-23 | 2012-11-29 | 並木精密宝石株式会社 | 発光素子の製造方法および発光素子 |
| US9065032B2 (en) | 2011-05-23 | 2015-06-23 | Namiki Seimitsu Houseki Kabushikikaisha | Method for manufacturing light-emitting element, and light-emitting element |
| JP2013197350A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Sharp Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3706448B2 (ja) | 2005-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI228323B (en) | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method, integrated semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof, image display device and its manufacturing method, illumination device and manufacturing method thereof | |
| US6156584A (en) | Method of manufacturing a semiconductor light emitting device | |
| KR100867541B1 (ko) | 수직형 발광 소자의 제조 방법 | |
| US6033927A (en) | Method for separating a substrate of a group III nitride semiconductor light-emitting device | |
| JP2011061127A (ja) | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 | |
| JPH10107316A (ja) | ３族窒化物半導体発光素子 | |
| JPH1131842A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH08255926A (ja) | 半導体発光素子およびその製法 | |
| JP3706448B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH10209496A (ja) | 半導体発光素子 | |
| KR20100064052A (ko) | 반도체 발광소자 | |
| JPH11354841A (ja) | 半導体発光素子の製法 | |
| JP3713124B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製法 | |
| EP1065733A2 (en) | Light emitting diode and manufacturing method thereof | |
| JP3776538B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製法 | |
| JPH0864912A (ja) | 半導体発光素子およびその製法 | |
| JP4341623B2 (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
| JPH08306643A (ja) | ３−５族化合物半導体用電極および発光素子 | |
| JP5379703B2 (ja) | 紫外半導体発光素子 | |
| JPH10275935A (ja) | 半導体発光素子 | |
| US7538361B2 (en) | Ohmic electrode structure, compound semiconductor light emitting device having the same, and LED lamp | |
| JPH1065214A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| WO2022011635A1 (zh) | 半导体结构及其制作方法 | |
| JPH11214750A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 | |
| JP3881470B2 (ja) | 半導体発光素子の製法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040512 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050329 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050530 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050726 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050729 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110805 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |