JP2013197350A - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体発光素子は、発光部と電流阻止層とパッド電極とを備える。発光部は、基板の上に設けられ、発光層がn型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層とで挟まれてなる。電流阻止層は、発光部の上に設けられ、発光部の上面上において複数の領域に分割されている。パッド電極は、電流阻止層の上に設けられている。
【選択図】図2
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体発光素子の断面図である。
第2の実施形態では、分割された電流阻止層5の断面形状が台形形状である。以下では、上記第1の実施形態とは異なる点を中心に本実施形態に係る半導体発光素子の構成を示す。図10は、本実施形態に係る半導体発光素子の要部断面図である。
第3の実施形態では、凹凸加工が基板1の上面に施されている。以下では、上記第1の実施形態とは異なる点を中心に本実施形態に係る半導体発光素子の構成を示す。図11は、本実施形態に係る半導体発光素子の要部断面図である。
Claims (10)
- 基板の上に設けられ、発光層がn型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層とで挟まれてなる発光部と、
前記発光部の上に設けられた電流阻止層と、
前記電流阻止層の上に設けられたパッド電極とを備え、
前記電流阻止層は、前記発光部の上面上において、複数の領域に分割されている半導体発光素子。 - 前記パッド電極は、分割された電流阻止層の少なくとも2つ以上に跨って設けられている請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記分割された電流阻止層の断面形状は、前記発光部から前記パッド電極へ向かうにつれて先細りの台形形状である請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 前記分割された電流阻止層は、前記基板に生じた欠陥の上方には形成されていない、請求項1〜3のいずれかに記載の半導体発光素子。
- 前記電流阻止層は、同一平面上において、複数の領域に分割されている請求項1〜4のいずれかに記載の半導体発光素子。
- 前記電流阻止層は、前記n型窒化物半導体層の上面上において、複数の領域に分割されている請求項5に記載の半導体発光素子。
- 前記電流阻止層は、前記p型窒化物半導体層の上面上において、複数の領域に分割されている請求項5に記載の半導体発光素子。
- 前記電流阻止層を覆うように前記発光部の上面上に設けられた透明導電膜をさらに備える請求項1〜7のいずれかに記載の半導体発光素子。
- 基板の上に、発光層がn型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層とで挟まれてなる発光部を形成する工程と、
前記発光部の上に、電流阻止層を形成する工程と、
前記電流阻止層の上に、パッド電極を形成する工程とを備え、
前記電流阻止層を形成する工程は、
前記発光部の上に、電流阻止層形成用層を形成する工程と、
前記電流阻止層形成用層をエッチングすることにより当該電流阻止層形成用層を複数の領域に分割する工程とを含む半導体発光素子の製造方法。 - 前記電流阻止層の形成工程の後であって前記パッド電極の形成工程の前に、前記電流阻止層が形成された基板に対してフッ酸系の薬液を用いた前処理を行なう工程をさらに備える請求項9に記載の半導体発光素子の製造方法。
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