JPH10128332A - イオン水供給装置およびそれを用いた洗浄処理装置 - Google Patents
イオン水供給装置およびそれを用いた洗浄処理装置Info
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- JPH10128332A JPH10128332A JP8292833A JP29283396A JPH10128332A JP H10128332 A JPH10128332 A JP H10128332A JP 8292833 A JP8292833 A JP 8292833A JP 29283396 A JP29283396 A JP 29283396A JP H10128332 A JPH10128332 A JP H10128332A
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Abstract
給できるようにしたイオン水供給回路装置を提供するこ
とにある。 【解決手段】 被洗浄物11を洗浄処理するためのイオ
ン水を供給するイオン水供給回路装置において、電気分
解によって上記イオン水を発生させるイオン水発生器1
6と、このイオン水発生器で発生したイオン水を供給す
る供給管15a、15bと、この供給管に設けられ上記
イオン水の供給を制御する供給制御弁42a、42b
と、上記供給管の上記供給制御弁よりも上流側に一端を
接続して設けられ中途部に排出制御弁45a、45bが
設けられたバイパス管44a、44bと、上記供給制御
弁を閉に制御したときに上記イオン水発生器への通電を
停止させずに上記排出制御弁を開に制御する制御装置3
1とを具備したことを特徴とする。
Description
解することによってイオン水を発生させるためのイオン
水供給装置およびこのイオン水供給装置からのイオン水
を用いて被洗浄物を洗浄処理するための洗浄処理装置に
関する。
においては、液晶用ガラス基板や半導体ウエハなどの被
洗浄物に付着した微粒子を高い清浄度で洗浄除去するた
めの洗浄工程があり、その洗浄工程には被洗浄物を1枚
づつ処理するためのスピン処理装置が用いられることが
多い。
粒子の種類によって種々の処理液が用いられる。上記微
粒子が金属などのように酸化あるいは還元電位を持つも
のである場合には洗浄効果を高めるために上記処理液と
して電界イオン水が用いられる。電界イオン水にはカソ
−ド水とアノ−ド水とがあり、これらのイオン水は上記
被洗浄物に付着した微粒子の種類によって使い分けられ
ている。
器が用いられ、このイオン水発生器で得られたイオン水
は供給管を通じて上記スピン処理装置に供給されるよう
になっている。
を有する。この電解槽内はイオン交換膜によって中間
室、カソ−ド室、アノ−ド室に隔別されている。中間室
にはイオン交換樹脂が設けられ、カソ−ド室にはカソ−
ド電極、アノ−ド室にはアノ−ド電極が設けられてい
る。
ともに、上記一対の電極に直流電圧を印加することで、
上記純水が電気分解されてカソ−ド室にはカソ−ド水が
生成され、アノ−ド室にはアノ−ド水が生成される。
物の汚れに応じて上記カソ−ド水あるいはアノ−ド水の
いずれかを供給することで、被洗浄物に付着した微粒子
を高い清浄度で洗浄除去することができる。
る。そのため、洗浄された被洗浄物をスピン処理装置か
ら搬出して未洗浄の被洗浄物を搬入する間は上記イオン
水の供給が停止される。また、スピン処理装置の前工程
や後工程の故障、あるいはタクトタイムの違いなどを調
整するためにも上記イオン水の供給が停止されることが
ある。
は、上記イオン水発生器への通電および純水の供給を停
止するということが行われていた。イオン水発生器への
通電を停止すると、上記電解槽内のカソ−ド室およびア
ノ−ド室でそれぞれイオン化されて生成されたイオン水
がもとの純水に戻ってしまうということがある。
再開するために、上記イオン水発生器に通電しても、カ
ソ−ド室およびアノ−ド室に供給された純水を所定の電
位のイオン水に戻すためにはかなりの時間が掛かってし
まうため、そのときの時間のロスが処理能率に大きく影
響するということがあった。
オン水の使用が中断されるとき、イオン水発生器への通
電や純水の供給を停止していた。そのため、イオン水の
使用を再開するために上記イオン水発生器へ通電して
も、所定の電位のイオン水となるまでに時間が掛かるか
ら、処理能率の低下を招くということがあった。
しても、所定の電位のイオン水を直ちに供給することが
できるようにしたイオン水供給装置およびそれを用いた
洗浄処理装置を提供することにある。
ン水を供給するイオン水供給装置において、純水などを
電気分解することによって上記イオン水を発生させるイ
オン水発生器と、このイオン水発生器で発生したイオン
水を供給する供給管と、この供給管に設けられ上記イオ
ン水の供給を制御する供給制御弁と、上記供給管の上記
供給制御弁よりも上流側に一端を接続して設けられ中途
部に排出制御弁が設けられたバイパス管と、上記供給制
御弁を閉に制御したときに上記イオン水発生器への通電
を停止させずに上記排出制御弁を開に制御する制御手段
とを具備したことを特徴とする。
洗浄処理する洗浄処理装置において、 純水などを電気
分解することによって上記イオン水を発生させるイオン
水発生器と、このイオン水発生器で発生したイオン水を
供給する供給管と、この供給管に設けられ上記イオン水
の供給を制御する供給制御弁と、上記供給管の上記供給
制御弁よりも上流側に一端を接続して設けられ中途部に
排出制御弁が設けられたバイパス管と、上記供給制御弁
を閉に制御したときに上記イオン水発生器への通電を停
止させずに上記排出制御弁を開に制御する制御手段と、
上記被洗浄物が保持される保持部と、上記供給管が接続
されるとともに上記保持部に対向して配設され上記供給
管からのイオン水を上記被洗浄物に向けて噴射するノズ
ル体とを具備したことを特徴とする。
2の発明において、上記バイパス管を流れるイオン水
は、上記供給管を流れるイオン水に比べて十分に少なく
設定されることを特徴とする。
2の発明において、上記制御手段は、供給制御弁を閉に
したときに、開のときに比べて上記イオン水発生器への
給電を減少させることを特徴とする。
管から供給されない不使用時には、イオン水発生器への
通電を停止させずにイオン水発生器で生成されたイオン
水をバイパス管へバイパスさせるため、イオン水発生器
で生成されるイオン水の電位をほぼ一定に維持すること
ができる。そのため、使用を再開する場合、直ちに所定
の電位のイオン水を供給することができる。
て被洗浄物を洗浄する場合、その洗浄を停止したのち再
開するときに、所定の電位のイオン水を迅速に供給する
ことができる。
用時にバイパス管へバイパスされるイオン水の流量は、
供給管を流れるイオン水の流量に比べて十分に少ないた
め、不使用時にイオン水をバイパスさせても、上記供給
管へ流し続ける場合に比べてそのイオン水の使用量を少
なくすることできる。請求項4の発明によれば、イオン
水の不使用時にイオン水発生器への給電が減少されるた
め、電力の使用量を少なくすることができる。
を参照して説明する。図1はこの発明の洗浄処理装置を
示し、この洗浄処理装置はスピン処理装置1を有する。
このスピン処理装置1は上面が開放した有底状のカップ
体2を備えている。このカップ体2の底部には通孔3が
穿設され、この通孔3には回転軸4が挿通されている。
この回転軸4の下端部は上記カップ体2の下方に配置さ
れた駆動モ−タ5の駆動軸6に連結され、カップ体2内
に突出した上端には回転体7が連結されている。
ば周方向に90度間隔で支持ピン8と、この支持ピン8
よりも径方向外方に係合ピン9とが立設されている。係
合ピン9は支持ピン8よりも背が高く設定されている。
そして、上記回転体7上には、下面周辺部を上記支持ピ
ン8に係合させ、周辺部を上記係合ピン9に係合させて
被洗浄物11が着脱自在に載置される。被洗浄物11と
しては液晶用ガラス基板や半導体ウエハなどである。
置されている。このノズル体12からは後述するように
上記被洗浄物11に向けてイオン水が噴射され、それに
よって上記被洗浄物11が洗浄処理されるようになって
いる。
a、15bの一端が接続されている。この供給管15
a、15bの他端はフィルタ43a、43bおよび供給
制御弁42a、42bを介してイオン水発生器16の後
述するアノ−ド室23およびカソ−ド室22にそれぞれ
連通する流出口33a、33bに接続されている。この
イオン発生器16には、同じく後述する一対の中間室2
1が隔別され、これら中間室21に連通する一対の流出
口33cはバイパス管44cを介してドレン槽36に接
続されている。
6は電解槽17を有する。この電解槽17の内部は3枚
のイオン交換膜18によって一対の上記中間室21、カ
ソ−ド室22およびアノ−ド室23に隔別されている。
一対の中間室21にはイオン交換樹脂24が設けられ、
カソ−ド室22には陰極25、アノ−ド室23には陽極
26が設けられている。これら陰極25と陽極26には
制御装置31を介して直流電圧が印加される。
2a〜32dが形成されている。各室には、上記流入口
32a〜32dには、純水製造装置37からそれぞれ純
水供給制御弁40a〜40cを介して分岐接続された純
水供給管38によって純水が供給される。また、カソ−
ド室22に純水を供給する純水供給管38にはアルカリ
水タンク46がポンプ47を介して接続されており、ま
たアノ−ド室23に純水を供給する純水供給管38には
酸水タンク48がポンプ49を介して接続されている。
上記イオン水発生器16に純水を供給して一対の電極2
5、26に直流電圧を印加すれば、その純水が電気分解
され、カソ−ド室22にはカソ−ド水が生成され、アノ
−ド室23にはアノ−ド水が生成される。
水発生器16と供給制御弁42a、42bとの間の部分
にそれぞれバイパス管44a、44bの一端が接続され
ている。このバイパス管44a,44bの他端は排出制
御弁45a、45bの一端に接続されている。この排出
制御弁45a、45bの他端は上記ドレン槽36に接続
されている。
管15a、15bに比べて細径となっている。たとえ
ば、上記供給制御弁42a、43bが閉じられ、排出制
御弁45a、45bが開放されたときに、上記バイパス
管44a、44bに流れるアノ−ド水、カソ−ド水の流
量は、上記流出管15a、15bを流れる流量の1〜
0.5%程度になるよう設定されている。
アノ−ド水、カソ−ド水の流量の制御は、その管径だけ
によらず、排出制御弁45a、45bの開度によって設
定するようにしてもよい。
御弁45a、45bは上記制御装置31によって開閉制
御されるようになっている。すなわち、イオン水発生器
16のカソ−ド室22で生成されたカソ−ド水は、供給
制御弁42bが開放され、排出制御弁45bが閉じられ
ているときには、供給管15bを流れてノズル体12か
ら被洗浄物11に向けて噴射される。上記供給制御弁4
2bが閉じられ、排出制御弁45bが開放されていると
きにはバイパス管44bを介してドレン槽16へ流れる
ようになっている。
ド水は、供給制御弁42aが開放され、排出制御弁45
aが閉じられているときに、上記ノズル体12へ供給さ
れ、上記供給制御弁42aが閉じられ、排出制御弁45
aが開放されているときにはドレン槽16へ排出される
ようになっている。
れ、排出制御弁45a、45bが開放されたとき、上記
制御装置31は上記イオン発生器16の陰極25と陽極
26とに印加する電圧を通常の値の数十%程度に低下さ
せるようになっている。
御弁40a,40b、40cおよびポンプ47、49の
制御と、上記イオン水発生器16をつぎの3つのモ−ド
に制御する。第1はイオン水を発生させて被洗浄物11
を洗浄するための洗浄モ−ド、第2はイオン水発生器1
6を停止させないが、イオン水の発生を抑制するととも
に生成されるドレン水などをドレン槽36に排出する待
機モ−ド、第3はイオン水発生器16の運転を停止する
停止モ−ドである。
スピン処理装置1の回転体7に保持された被洗浄物11
をイオン水で洗浄する場合について説明する。まず、カ
ソ−ド水を利用する場合には、上記スピン処理装置1の
駆動モ−タ5を作動させて被洗浄物11を保持した回転
体7を低速回転させるとともに、制御装置31によって
純水供給制御弁40a〜40cを開放し、洗浄モ−ドの
うちのカソ−ド水の利用モ−ドを選択する。それによっ
て、排出制御弁45bと供給制御弁42aが閉じられ、
排出制御弁45aと供給制御弁42bが開放されるか
ら、イオン水発生器16のカソ−ド室22で生成された
カソ−ド水が供給管15bへ供給される。したがって、
このカソ−ド水は供給管15bの先端に接続されたノズ
ル体12から回転する被洗浄物11に向けて噴射される
から、被洗浄物11がカソ−ド水によって洗浄されるこ
とになる。
する必要がある場合は、制御装置31によってポンプ4
7を作動させてアルカリ水を添加する。なお、アノ−ド
水はバイパス管44aを介して排出される。
被洗浄物11が回転体7に搬入されるまでの間あるいは
洗浄を一時的に停止するような場合には、上記制御装置
31によって待機モ−ドを選択する。待機モ−ドが選択
されると、供給制御弁42a、42bが閉じられ、排出
制御弁45a、45bが開放されることで、イオン水発
生器16からのカソ−ド水は供給管15bへは流れず
に、バイパス管44bを介して排出されることになる。
このとき、イオン水発生器16から供給されるカソ−ド
水は洗浄モ−ドのときの数%になる。また、イオン水発
生器16の陰極25と陽極26へ印加される電圧は洗浄
モ−ドのときの数十%になる。
ン水発生器16の機能を全面的に停止させず、陰極25
と陽極26に低電圧を印加するとともに、少量のカソ−
ド水を生成するようにしたことで、カソ−ド室22のカ
ソ−ド水の酸化還元電位を洗浄モ−ドのときとほぼ同じ
に維持することができる。
ドを再開する場合、直ちに所定の酸化還元電位のカソ−
ド水をノズル体12へ供給することができるから、再開
時における被洗浄物11の洗浄作業を迅速に行うことが
できる。つまり、洗浄作業の能率向上を図ることができ
る。
に停止し、洗浄再開時に立ち上げるようにすると、カソ
−ド室22で生成されたカソ−ド水が所定の酸化還元電
位、たとえば−600Vになるまでに約30分かかっ
た。
ドを設定することで、カソ−ド室22で生成されるカソ
−ド水の酸化還元電位を−600Vに維持することがで
きたので、待機モ−ドから直ちに洗浄モ−ドに移行する
ことが可能となった。
給管15bに流さずに、バイパス管44bを介して排出
すようにした。このとき、バイパス管44bに流れるカ
ソ−ド水の流量は供給管15bに流れる流量に比べてわ
ずかであるから、経済的であり、しかもそのとき陰極2
5と陽極26に印加する電圧を低くしているから、電力
の消費量もわずかですむ。
御装置31によってアノ−ド水の利用モ−ドを選択す
る。それによって、排出制御弁45aと供給制御弁42
bが閉じられ、排出制御弁45bと供給制御弁42aが
開放されるから、イオン水発生器16のアノ−ド室23
で生成されたカソ−ド水が供給管15aへ供給される。
したがって、このアソ−ド水は供給管15aの先端に接
続されたノズル体12から回転する被洗浄物11に向け
て噴射されるから、被洗浄物11がアノ−ド水によって
洗浄されることになる。
要がある場合は、制御装置31によってポンプ49を作
動させて酸水を添加する。なお、カソ−ド水はバイパス
管44bを介して排出される。
合には、制御装置31によって待機モ−ドを選択すれ
ば、アノ−ド水は供給管15aへは流れずに、バイパス
管44aを介してわずかに排出されることになる。ま
た、イオン水発生器16の陰極25と陽極26へ印加さ
れる電圧は洗浄モ−ドのときの数十%に低減される。
利用する場合と同様、アノ−ド室23のアノ−ド水の酸
化還元電位を洗浄モ−ドのときとほぼ同じに維持するこ
とができるから、洗浄モ−ドを迅速に再開することが可
能となる。
使用時には、イオン水発生器への通電を停止させず、イ
オン水発生器で生成されるイオン水をバイパス管を介し
て排出するようにした。
オン水の電位をほぼ一定に維持することができるため、
使用を再開する場合、所定の電位のイオン水の供給を迅
速に行うことができる。
を停止する場合に、イオン水発生器への通電を遮断せず
に、そのイオン水発生器で生成されたイオン水をバイパ
ス管を介して排出すようにした。
持することができるから、洗浄の再開を直ちに行うこと
ができる。請求項3の発明によれば、請求項1と請求項
2の発明において、イオン水を不使用時にバイパス管を
介してバイパスさせるとともに、バイパスさせるイオン
水の流量を、供給管へ流す流量に比べて十分に少なくな
るようにした。
させても、上記供給管へ流し続ける場合に比べてそのイ
オン水の使用量を少なくすることできる。請求項4の発
明によれば、請求こ1と請求項2の発明において、イオ
ン水の不使用時にイオン水発生器への印加電圧を減少さ
せるようにしたので、イオン水の不使用時に所定の電位
を維持するための電力の使用量を少なくすることができ
る。
図。
Claims (4)
- 【請求項1】 イオン水を供給するためのイオン水供給
装置において、 純水などを電気分解することによって上記イオン水を発
生させるイオン水発生器と、 このイオン水発生器で発生したイオン水を供給する供給
管と、 この供給管に設けられ上記イオン水の供給を制御する供
給制御弁と、 上記供給管の上記供給制御弁よりも上流側に一端を接続
して設けられ中途部に排出制御弁が設けられたバイパス
管と、 上記供給制御弁を閉に制御したときに上記イオン水発生
器への通電を停止させずに上記排出制御弁を開に制御す
る制御手段とを具備したことを特徴とするイオン水供給
装置。 - 【請求項2】 被洗浄物をイオン水で洗浄処理する洗浄
処理装置において、 純水などを電気分解することによって上記イオン水を発
生させるイオン水発生器と、 このイオン水発生器で発生したイオン水を供給する供給
管と、 この供給管に設けられ上記イオン水の供給を制御する供
給制御弁と、 上記供給管の上記供給制御弁よりも上流側に一端を接続
して設けられ中途部に排出制御弁が設けられたバイパス
管と、 上記供給制御弁を閉に制御したときに上記イオン水発生
器への通電を停止させずに上記排出制御弁を開に制御す
る制御手段と、 上記被洗浄物が保持される保持部と、 上記供給管に接続されるとともに上記保持部に対向して
配設され上記供給管からイオン水を上記被洗浄物に向け
て噴射するノズル体とを具備したことを特徴とする洗浄
処理装置。 - 【請求項3】 上記バイパス管を流れるイオン水は、上
記供給管を流れるイオン水に比べて十分に少なく設定さ
れることを特徴とする請求項1または請求項2記載のイ
オン水供給装置または洗浄処理装置。 - 【請求項4】 上記制御手段は、供給制御弁を閉にした
ときに、開のときに比べて上記イオン水発生器への給電
を減少させることを特徴とする請求項1または請求項2
記載のイオン水供給装置または洗浄処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29283396A JP3889094B2 (ja) | 1996-11-05 | 1996-11-05 | イオン水供給装置およびそれを用いた洗浄処理装置、被洗浄物の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
JP29283396A JP3889094B2 (ja) | 1996-11-05 | 1996-11-05 | イオン水供給装置およびそれを用いた洗浄処理装置、被洗浄物の洗浄方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10128332A true JPH10128332A (ja) | 1998-05-19 |
JP3889094B2 JP3889094B2 (ja) | 2007-03-07 |
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ID=17786952
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29283396A Expired - Lifetime JP3889094B2 (ja) | 1996-11-05 | 1996-11-05 | イオン水供給装置およびそれを用いた洗浄処理装置、被洗浄物の洗浄方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3889094B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPH0880486A (ja) * | 1994-09-12 | 1996-03-26 | Toshiba Corp | 超純水の電解水、その生成装置、その生成方法、洗浄装置及び洗浄方法 |
-
1996
- 1996-11-05 JP JP29283396A patent/JP3889094B2/ja not_active Expired - Lifetime
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KR20140076271A (ko) * | 2012-12-12 | 2014-06-20 | 세메스 주식회사 | 전해조, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
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