JPH10125832A - 熱伝導方法および装置 - Google Patents

熱伝導方法および装置

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JPH10125832A
JPH10125832A JP9269459A JP26945997A JPH10125832A JP H10125832 A JPH10125832 A JP H10125832A JP 9269459 A JP9269459 A JP 9269459A JP 26945997 A JP26945997 A JP 26945997A JP H10125832 A JPH10125832 A JP H10125832A
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heat
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microprocessor
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Dennis R Esterberg
デニス・アール・エスターバーグ
Mark A Smith
マーク・エー・スミス
Paul A Rubens
ポール・エー・ラベンス
Tracy A Lang
トレイシー・エー・ラング
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Hewlett Packard Co
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Abstract

(57)【要約】 【課題】集積回路装置等で発生された熱を外部に効率よ
く消散することのできる方法および装置を提供する。 【解決手段】本発明の一実施例によれば、熱伝導性基板
がプリント回路（ＰＣ）基板の貫通開口内に実装され
る。次に、集積回路が熱伝導性基板の一つの側面に装着
され、一方で、ヒートシンクが基板の他の側面に熱的に
接触して固定される。基板は、ＰＣ基板の下表面に装着
され、開口内でＰＣ基板から同心的に隔てられている。
開口内で基板とＰＣ基板との間に空隙が生じ、ＰＣ基板
への熱伝導が実質的に減じられる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に集積回路装置か
らの熱を消散するための方法および装置に関するもので
あり、更に詳細には、プリント回路基板のヒートシン
ク、および集積回路装置からの熱をこのようなヒートシ
ンクに伝えるための方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路（ＩＣ）、および特に、マイク
ロプロセッサはますます速い速度で動作するように設計
されているので、このような回路が消費する電力は更に
多くなり、発生する熱は更に多くなる。このような熱を
消散して集積回路および近辺の回路を定格動作温度範囲
内に維持する必要がある。通常、これはＩＣをヒートシ
ンクに結合し冷却ファンを使用して空気を吹き込むこと
により行われている。その他、ＰentiumTMマイクロプロ
セッサモデルの或るもののような、或る高速のマイクロ
プロセッサチップの最大許容温度は95℃にまで増大して
いる。このようなチップは増大した比較的高い動作温度
に耐えることができるが、隣接するＩＣは耐えることが
できない。隣接しているチップは約70℃の通常の最高動
作温度に制限されていることが非常に多い。マイクロプ
ロセッサがこれら許容度の少ない構成要素の非常に近く
にある場合、マイクロプロセッサの熱の幾らかはプリン
ト回路（ＰＣ）基板におよびこのような構成要素に流入
しがちである。心配なのは周囲構成要素の過熱である。
熱発生マイクロプロセッサの近くにある許容度の少ない
構成要素が損傷しないようにするのに、動作温度のピー
クが検出されるとマイクロプロセッサの速度を逆に減少
することが知られている。速度を減少するとマイクロプ
ロセッサの発生する熱は少なくなる。しかし、これは顧
客の製品が予想ほど速く動作しないということをも意味
する。したがって、隣接する構成要素を過度に過熱する
ことなく、またプロセッサの速度を犠牲にすることな
く、マイクロプロセッサから遠くに熱を伝える必要性が
常に存在する。
【０００３】通常の伝熱方法は、マイクロプロセッサか
らヒートシンクに熱を伝えるのにＰＣ基板に設けた銅張
りバイアを使用している。銅は熱の良導体である。マイ
クロプロセッサをＰＣ基板に取付けてマイクロプロセッ
サとバイアの銅壁との間に熱接触を設ける。ヒートシン
クを通常ＰＣ基板の下側に取付ける。マイクロプロセッ
サからの熱は銅壁に沿ってマイクロプロセッサからヒー
トシンクに導かれる。このような方法の欠点はバイアの
銅壁に沿って導かれる熱が、ヒートシンクにばかりでな
く、ＰＣ基板の幾つかの銅層にも進入するということで
ある。ＰＣ基板は通常ＰＣ基板上の多数のＩＣチップを
電気的に相互接続するための複数の銅層を備えている。
このような銅層は銅の裏張りでバイアと接している。し
たがって、マイクロプロセッサと近隣の装置との間に不
要な有効伝熱経路も生ずる。
【０００４】通常の伝熱解決法の他の欠点はマイクロプ
ロセッサの表面実装プロセスに関係している。マイクロ
プロセッサとＰＣ基板バイアとの間の熱伝導率を上げる
には、マイクロプロセッサを通常設置しようとする領域
をはんだで覆う。表面実装プロセス中、はんだは液体に
なる。それで、再固化すると、はんだはマイクロプロセ
ッサからＰＣ基板まで熱伝導ブリッジを形成する。残念
ながら、はんだは区域内で盛り上がり、非常に凸凹した
表面を生ずる。マイクロプロセッサとＰＣ基板との間の
非平面はんだ境界面はブリッジの伝熱効率を下げる。し
たがって、一層有効なチップ実装法および一層有効な熱
接触の必要性が存在する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、集積回路装
置等で発生された熱を外部に効率よく消散することので
きる方法および装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、熱伝導
性基板がプリント回路（ＰＣ）基板の貫通開口内に取付
けられている。次に集積回路を熱伝導性基板の一方の面
に取付け、一方で、ヒートシンクを他の面に熱接触させ
る。特に集積回路をＰＣ基板と熱接触して取付けない。
ＩＣとＰＣ基板との間に直接熱接触がない状態では、Ｉ
Ｃと隣接回路との間の伝熱経路は存在しない。本発明の
一局面によれば、基板はＰＣ基板の一つの外層に取付け
られ、ＰＣ基板の他の層から同心的に隔てられている。
こうして熱伝導性基板とＰＣ基板の殆どの層との間に空
隙が生ずる。これによりＰＣ基板の中間層への熱伝導率
が実質的に減少する。好適実施例では、熱伝導性基板は
ＰＣ基板の下面に取付けられているが、このような下面
はヒートシンクに最も近いＰＣ基板層である。或る実施
例では、ヒートシンクは基板の付近でこのような下面と
熱接触している。
【０００７】本発明の他の局面によれば、集積回路は基
板の一方の面に取付けられている。好適実施例では、こ
のような取付けに接着剤を使用して滑らかな共面接触を
与えている。共面接触はＩＣから基板までの連続する、
有効な伝熱ブリッジを与える。本発明の他の局面によれ
ば、ヒートシンクは基板の下面に熱接触している。
【０００８】本発明の他の局面によれば、第１集積回路
から遠くに熱を伝える装置がＰＣ基板に取付けられてい
る。ＰＣ基板には上面、底面、中間層があり、上面から
底面まで貫通開口を形成している。第１集積回路には第
１下表面域がある。装置は貫通開口内に設置された熱伝
導性基板を備えている。基板は面積が第１集積回路の第
１下表面域と少なくとも同じ程大きい第１面を備えてい
る。第１集積回路は熱伝導性基板の第１面に取付けられ
ている。基板はＰＣ基板の中間層から同心的に隔てられ
ている。貫通開口内に基板と中間層との間に空隙が生じ
ている。好適実施例では基板は銅から形成されている。
第１集積回路と熱伝導性基板との間に滑らかな共面熱接
触を与えるには、第１集積回路を熱伝導性基板に接着剤
で取付ける。ヒートシンクを基板に熱接触させて取付
け、または他の場合固定する。或る実施例では、基板は
ヒートシンクと一体の部品である。
【０００９】本発明の他の局面によれば、第１集積回路
とヒートシンクとの間の伝熱経路は、熱伝導性基板をＰ
Ｃ基板の貫通開口内に取付けるステップ、および第１集
積回路基板と熱接触して取付けるステップを含む方法に
より形成される。第１集積回路はその下面で基板の第１
表面域に固定されている。基板の第１表面域は第１集積
回路の第１下表面域と少なくとも同じ程の大きさで第１
集積回路とＰＣ基板との間の直接接触を防止している。
基板をヒートシンクと熱接触させておく。
【００１０】本発明の一つの長所は、高速マイクロプロ
セッサのような所定の集積回路と隣接回路との間の熱伝
導率が減少するということである。他の長所は所定の集
積回路とヒートシンクとの間に有効な伝熱経路が確立さ
れるということである。他の長所は所定の集積回路パッ
ケージと基板との間に有効な熱接触が確保されるという
ことである。他の長所は熱伝導性基板とＰＣ基板中間層
との間に生ずる伝熱経路は良くないということである。
本発明のこれらのおよび他の局面および長所は付図に関
連して行う下記詳細説明を参照することにより更に良く
理解されるであろう。
【００１１】
【実施例】図１および図２は高速マイクロプロセッサ集
積回路12から遠くに熱を伝えるための通常の熱消散構造
10を示す。マイクロプロセッサ12は、通常は熱装着テー
プ15により、または他の表面実装法により、多層ＰＣ基
板14に取付けられている。マイクロプロセッサは、他の
集積回路、装置、および信号経路に電気的に接続できる
ようにするための接点16を備えている。通常ポリアミド
構造18がマイクロプロセッサ12とＰＣ基板の線路との間
の接点接続を計画する。ポリアミド構造18はマイクロプ
ロセッサ接点16に圧縮装着された内部リード20およびＰ
Ｃ基板の線路にはんだ付けされた外部リード22を備えて
いる。ポリアミド構造18は所定の内部リード20（および
したがって所要マイクロプロセッサ接点16）と所定の外
部リード22（およびしたがって所要ＰＣ基板線路）との
間に所要経路接続を設けるように計画される内部回路経
路を備えている。ポリアミド構造に隣接する表面でカプ
セル封止材19が通常マイクロプロセッサ12に加えられ
る。
【００１２】ＰＣ基板はマイクロプロセッサ12およびＰ
Ｃ基板14に取付けられた他の集積回路を相互接続するた
めのＰＣ信号経路線を形成する多数の層24を備えてい
る。ＰＣ基板14はマイクロプロセッサが取付けられる区
域に多数のバイア26を備えている（図３を参照のこ
と）。バイア26は例示の目的で直径を誇張して図示して
ある。通常のバイアの直径は約14ミル（0.014インチ）
である。わずか４×４のバイア26の配列29を図示してあ
るが、通常は、各方向に0.5インチの長さでマイクロプ
ロセッサ下面の下に約100個存在している。バイアは伝
熱導体として役立つ銅張り壁28（図１および図２を参
照）を備えている。ヒートシンク30がバイア26の領域で
ＰＣ基板14の下面32に保持されている。通常、ヒートシ
ンク30をＰＣ基板14に保持するには取付けねじ34を使用
する。熱はマイクロプロセッサ12から遠くに銅壁28に沿
ってヒートシンク30に伝えられる。しかし、このような
銅壁28もＰＣ基板層24と親密に熱接触している。ＰＣ基
板層24の内部に形成されている導電信号経路も銅または
他の有効な熱導体から形成されている。したがって、マ
イクロプロセッサの熱をマイクロプロセッサの付近にあ
る他の集積回路の方に導く伝熱経路も存在する。これ
は、これら他の集積回路が通常マイクロプロセッサほど
上昇動作温度に寛容ではなく、また近隣の熱連絡にはヒ
ートシンクが備えられていないので、望ましくない。
【００１３】熱消散構造の実施例 図４は、本発明の一実施例による高速マイクロプロセッ
サ集積回路から遠くに熱を伝えるための熱消散構造35を
示す。二つの区画31、33を有するヒートシンク30'はマ
イクロプロセッサ12を間に挾んで熱をマイクロプロセッ
サ12から遠くに伝える。下部区画31はマイクロプロセッ
サの下面と熱接触し、上部区画33はマイクロプロセッサ
の上面と熱接触している。マイクロプロセッサ12用のＰ
Ｃ基板14はヒートシンク区画31の一部37が突入している
開口36を備えている。ヒートシンク部分37は開口36に完
全に入っている。マイクロプロセッサ12は熱取付けテー
プにより下部ヒートシンク区画31に取付けられている。
ヒートシンク上部区画33には脚38がある。上部区画33は
ＰＣ基板14を貫いて脚38の中に入りこんでいる取付けね
じ34によりヒートシンク下部区画31に固定されている。
【００１４】構造35を組立るには、マイクロプロセッサ
12をリード22の付いたポリアミド構造によりＰＣ基板14
に取付ける。次に、熱装着テープを施し、ヒートシンク
30'の下部区画31を接触テープによりマイクロプロセッ
サ12に接触させて挿入する。最後に、上部区画33を下部
区画31に固定する。
【００１５】図５および図６は本発明の他の実施例によ
る、熱を集積回路（ＩＣ）42から遠くに伝えるための熱
消散構成40を示す。ＩＣ42はマイクロプロセッサまたは
他の熱発生ＩＣである。図示してあるのは突起テープ自
動化ボンディング（ＴＡＢ）接点44を有するＩＣ42であ
る。他のリード構成または特殊パッケージ・エンクロー
ジャを有するＩＣも本発明の熱消散機構に包含される。
ポリアミド構造18はマイクロプロセッサ42とＰＣ基板線
路との間の接触接続を計画している。ポリアミド構造18
はマイクロプロセッサ接点44に圧縮装着された内部リー
ド20およびＰＣ基板線路にはんだづけされた外部リード
22を備えている。ポリアミド構造18は所定の内部リード
20（およびしたがって所要マイクロプロセッサ接点44）
と所定の外部リード22（およびしたがって所要ＰＣ基板
線路）との間に所要経路接続を与えるよう計画されてい
る内部回路経路を備えている。ポリアミド構造18に隣接
する表面でマイクロプロセッサ12にカプセル封止材45を
加える。
【００１６】ＩＣ42はその下面82で熱装着テープ65によ
り熱伝導性基板50に取付けられている。好適実施例で
は、基板50は銅または銀から作られている。基板50は多
層プリント回路（ＰＣ）基板52に取付けられている。Ｐ
Ｃ基板は上層54、下層56、および一つ以上の中間層58を
備えている。通常各層54-58はその中に種々の導電性信
号経路が形成されている電気絶縁層である。ＰＣ基板52
は基板の厚さ全体を貫通する開口60を形成している。基
板50はＰＣ基板52に装着され、または他の場合付着され
て開口60の中に入りこんでいる。好適実施例では、基板
50はその周辺にリップ部分62を形成している。リップ部
分62は基板50の周囲の周りに広がっている。基板50には
上面64、下面66、および側面68がある。基板50を設置す
るには、基板上面64をＰＣ基板52の下面70から開口60を
通して挿入する。基板上面64はＰＣ基板の上面72と同一
面を成すように広がっている。図５に示すように、はん
だ74は表面70の下で開口60の周辺に沿ってＰＣ基板52に
置かれている。基板リップ62ははんだ74に押しつけられ
ている。このとき基板50をはんだ74が液化する温度まで
加熱する。次にはんだ74をリップ62をＰＣ基板52に保持
しながら冷却する。これにより基板50がＰＣ基板開口60
の中に永続的に固定される。他の取付け法が代わりの実
施例で使用されている。たとえば熱伝導率の低い接着剤
が代わりの実施例で使用されている。
【００１７】厚さ46ミルのＰＣ基板52に対する例示実施
例では、基板50の厚さは60ミルである。リップ62は厚さ
が20ミルであるが、各側壁の残りの部分はさらに40ミル
突出している。開口60は各辺の長さが1.27cmの正方形状
を成している。基板50は対応して正方形状を成してい
る。開口に嵌まる基板の部分は各辺の長さが約1.25cmで
ある。開口60の下の基板の部分は更に広く各辺の長さが
約1.4cmである。
【００１８】好適実施例によれば、基板50はＰＣ基板52
の下面70と構造的に直接接触しているだけである。図６
に示すように、基板50と開口60の壁との間に空隙80があ
る。一実施例では、空隙の長さは10ミルである。したが
って、基板50は下層56以外ＰＣ基板52のどの層54、58と
も構造的に接触していない。
【００１９】図７は熱伝導性基板50'に対する代わりの
実施例を示す。このような基板50'には基板50のリップ
部分62が無い。代わりの基板50'はＰＣ基板52にその側
面68に沿って熱絶縁結合材料92により保持されている。
したがって、結合材料92は開口60内部にあって空隙80の
全部または一部を満たしている。このような取付け方法
は図５および図６の基板50に対する代わりの、または別
の取付け方法としても役立つ。例示材料92は、ミシガン
州Ｅast Ｌansingのチバ・ガイギー社の調製材料群から
選定された硬化材付きＲＰ6403-1樹脂（ＲＥＮ：Ｃ：Ｏ
-ＴＨＡＮＥTM）のようなポリウレタン・エラストマで
ある。
【００２０】図８は熱伝導性基板50"に対する他の代わ
りの実施例を示す。このような基板50"は基板50のリッ
プ62の代わりに各隅に取付けタブ94を備えている。基板
50"ははんだ取付け法または接着剤結合法を使用して基
板50または50'と同じように取付けられる。はんだ付け
法の場合はんだ74は開口60の各隅に取付けタブ94と整列
して置かれる。基板50"をはんだと接触させながら加熱
し、はんだを液化させ、基板50"を取付けタブ94の場所
でＰＣ基板に取付ける。
【００２１】好適実施例によれば、ＩＣ42は、ＩＣ42と
基板50との間に接着材料を介して親密な共面熱接触が得
られるように、熱装着テープ65を使用して取付けられ
る。代わりに、ＩＣ42は通常の表面実装法または他の技
法を使用して基板50に取付けられる。基板50にはＩＣ42
の下面82の表面積と少なくとも同じ程大きい上部表面域
64がある。好適には、基板の上面64の面積はＩＣの下面
82の面積より大きい。ＩＣ42から遠くへの熱伝導率を極
大にするには更に大きい面積が望ましい。
【００２２】一実施例ではヒートシンク90が基板50/50'
/50"に取付けられている。基板にはヒートシンクを基板
に保持するねじ96を受けるねじ穴がある。ヒートシンク
90は基板より大きい面積にわたり広がっている。或る実
施例ではヒートシンク90はＰＣ基板52の下面70にも保持
されている。その結果基板50を通して下面70に伝えられ
る熱の大部分はＩＣ42の付近にある他のＩＣまで伝わる
代わりにヒートシンク90により吸収される。代わりの実
施例では、ヒートシンクはＰＣ基板52に取付けられ、基
板50と構造的に接触して保持されている。
【００２３】本発明の好適実施例を図解し説明してきた
が、種々の代案、修正案、および同等案を使用すること
ができる。したがって、前述の説明を本発明の範囲を限
定するものと取るべきではない。
【００２４】基板50/50'/50"は熱をＩＣ42からヒートシ
ンク90に伝える有効な伝熱経路として役立つ。ＩＣ42は
基板に取付けられているので、ＩＣ42からＰＣ基板52へ
の直接熱伝導は存在しない。基板はＰＣ基板開口60の側
壁と構造的に接触しないので、基板を介してＰＣ基板52
に入る熱伝導は殆ど存在しない。ヒートシンク90はＰＣ
基板の下面70と熱接触して保持されているので、基板か
ら伝導により熱を受けるＰＣ基板の部分だけがヒートシ
ンク90と熱接触している。ＩＣ42を基板に取付けること
により、ＩＣからＰＣ基板への通常の伝熱経路一つが省
略される。基板50とＰＣ基板52の層54、58との間に空隙
80を形成することにより、他の可能性のある伝熱経路が
生じない。
【００２５】本発明の一つの長所は、高速マイクロプロ
セッサのような所定の集積回路と近隣回路との間の熱伝
導率が減少するということである。他の長所は、所定の
集積回路とヒートシンクとの間に有効な伝熱経路が確立
されるということである。他の長所は、所定の集積回路
と基板との間に有効な熱接触が確保されるということで
ある。他の長所は、伝熱基板とＰＣ基板との間に生ずる
伝熱経路は具合の良くないものだけであるということで
ある。
【００２６】本発明の他の長所は、基板50/50'/50"を簡
単なはんだ付けにより（たとえば、基板50/50"）または
ボンディングプロセスにより（基板50/50'/50"）ＰＣＢ
に直接取付けることができるということである。図４の
熱構造に関するねじ込みと比較して、はんだ付けおよび
ボンディングプロセスはＰＣ基板に対する移動を防止す
る。これによりポリアミド構造18の内部および外部リー
ド20、22が運動応力から保護される。ＩＣを所定位置に
保持する別のファスナは不要である。
【００２７】以上、本発明の実施例について詳述した
が、以下、本発明の各実施態様の例を示す。
【００２８】[実施態様１]集積回路（42）とヒートシン
ク（90）との間に伝熱経路を形成する方法であって、熱
伝導性基板（50）をＰＣ基板（52）の貫通開口（60）の
内部に取付けるステップと、下表面域（82）を有する集
積回路を、該集積回路の下表面域と少なくとも同じ程大
きい、前記熱伝導性基板の第１表面域（64）に熱接触し
て固定するステップと、ヒートシンク（90）を、該ヒー
トシンクと前記ＰＣ基板との間に直接熱接触を形成せず
に前記熱伝導性基板と熱接触して取付けるステップと、
を備えて成る方法。
【００２９】[実施態様２]前記取付けるステップが、前
記熱伝導性基板を前記ＰＣ基板の貫通開口に挿入し、挿
入された前記熱伝導性基板の第２表面域（62）は前記開
口に隣接する前記ＰＣ基板の外面に沿って延びていて、
前記熱伝導性基板の第２表面域と前記ＰＣ基板の外面と
の間にはんだ（74）を配置するステップと、前記熱伝導
性基板を加熱してはんだを液化し、前記熱伝導性基板を
前記ＰＣ基板に取付けるステップと、を備えて成ること
を特徴とする実施態様１記載の方法。
【００３０】[実施態様３]前記取付けるステップが、前
記熱伝導性基板を前記ＰＣ基板の貫通開口に挿入するス
テップと、前記熱伝導性基板を前記貫通開口を画定する
壁に接着するステップと、を備えて成ることを特徴とす
る実施態様１記載の方法。
【００３１】[実施態様４]前記熱伝導性基板と前記貫通
開口を画定する前記ＰＣ基板の壁との間に空隙（80）が
存在することを特徴とする実施態様１記載の方法。
【００３２】[実施態様５]下表面域（82）を画定してい
る集積回路（42）から遠くに熱を伝えるための装置であ
って、前記ＰＣ基板の厚さにわたり第１領域を有する貫
通開口（60）を画定する前記ＰＣ基板（52）と、面積が
前記集積回路の下表面域と少なくとも同じ程大きい第１
表面（64）を有し、前記貫通開口内に永続的に取付けら
れる熱伝導性基板（50）と、を備えて成り、前記集積回
路が該集積回路の下表面域で前記熱伝導性基板の第１表
面と熱接触して固定されていることを特徴とする装置。
【００３３】[実施態様６]前記熱伝導性基板が前記貫通
開口（60）に隣接している前記ＰＣ基板の第１表面に取
付けられて前記貫通開口から外方に第１の長さ延びてい
る接触域を画定しており、前記第１の長さは前記ＰＣ基
板の厚さより短く、前記熱伝導性基板と前記ＰＣ基板と
の間の熱的連絡を極小にしていることを特徴とする実施
態様５記載の装置。
【００３４】[実施態様７]前記熱伝導性基板（50'）の
第１表面（64）の面積は第１の面積（60）より小さく、
前記熱伝導性基板の第１表面に対向する第２表面（66）
の面積は前記第１の面積より小さく、前記熱伝導性基板
が前記ＰＣ基板から熱絶縁接着剤（92）により隔てられ
ていることを特徴とする実施態様５記載の装置。
【００３５】[実施態様８］ヒートシンクと前記ＰＣ基
板との間に直接熱接触を形成することなく前記熱伝導性
基板と熱接触して着脱可能に取付けられている前記ヒー
トシンク（９０）をさらに備えて成ることを特徴とする
実施態様５記載の装置。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明を用いるこ
とにより、集積回路装置等で発生された熱を外部に効率
よく消散することができるとともに、その周囲に存在す
る他の半導体装置に対し過度の熱による悪影響を及ぼす
こともなくなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】集積回路とヒートシンクとの間で通常の伝熱方
法を実施するよう構成されたＰＣ基板、集積回路、およ
びヒートシンクの分解断面図である。
【図２】図１のＰＣ基板、集積回路、およびヒートシン
クの断面図である。
【図３】図１のＰＣ基板の下面の部分図である。
【図４】本発明の一実施例により集積回路とヒートシン
クとの間で伝熱方法を実施するよう構成されたＰＣ基
板、集積回路、および２部品ヒートシンクの断面図であ
る。
【図５】本発明の一実施例により伝熱を実施するよう構
成されたＰＣ基板、集積回路、熱伝導性基板、およびヒ
ートシンクの部分分解図である。
【図６】図５のＰＣ基板、集積回路、熱伝導性基板、お
よびヒートシンクの断面図である。
【図７】ＰＣ基板に結合された代わりの熱伝導性ウェー
ハの実施例を示す部分断面図である。
【図８】他の代わりの熱伝導性ウェーハの実施例の斜視
図である。
【符号の説明】
10：通常の熱消散構造 12：マイクロプロセッサ 14：多層ＰＣ基板 16：接点 20：内部リード 22：外部リード 26：バイア 30：ヒートシンク 42：マイクロプロセッサ 50：基板 52：ＰＣ基板 60：開口 62：下表面域 64：上面 66：下面 74：はんだ 80：空隙 90：ヒートシンク 92：熱絶縁接着剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ポール・エー・ラベンス アメリカ合衆国オレゴン州セーラム スプ リングウッド・アベニュー・サウスイース ト 5628 (72)発明者 トレイシー・エー・ラング アメリカ合衆国オレゴン州コーバリス ノ ースウエスト・アッシュウッド・ドライブ 3005

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】集積回路とヒートシンクとの間に伝熱経路
    を形成する方法であって、 熱伝導性基板をＰＣ基板の貫通開口の内部に取付けるス
    テップと、 下表面域を有する集積回路を、該集積回路の下表面域と
    少なくとも同じ程大きい、前記熱伝導性基板の第１表面
    域に熱接触して固定するステップと、 ヒートシンクを、該ヒートシンクと前記ＰＣ基板との間
    に直接熱接触を形成せずに前記熱伝導性基板と熱接触し
    て取付けるステップと、 を備えて成る方法。
JP9269459A 1996-10-09 1997-10-02 熱伝導方法および装置 Pending JPH10125832A (ja)

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