JP2590521B2 - チップキャリア - Google Patents
チップキャリアInfo
- Publication number
- JP2590521B2 JP2590521B2 JP63077140A JP7714088A JP2590521B2 JP 2590521 B2 JP2590521 B2 JP 2590521B2 JP 63077140 A JP63077140 A JP 63077140A JP 7714088 A JP7714088 A JP 7714088A JP 2590521 B2 JP2590521 B2 JP 2590521B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- chip carrier
- tab
- wiring board
- thermal conductivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子装置等に使用される配線基板にICを実
装するために用いるチップキャリアに関する。
装するために用いるチップキャリアに関する。
従来、この種のチップキャリアは、ICのダイとキャッ
プとの接着につかう接着剤に放熱性を良くするため導電
性の接着剤（例えばAg入りエポキシ）を使うことが多
く、その場合、金属製のキャップを使うと、ICと冷却モ
ジュールが絶縁されていなかった（例えばU.S.Patent46
52970,あるいは、特許出願59−69759）。
プとの接着につかう接着剤に放熱性を良くするため導電
性の接着剤（例えばAg入りエポキシ）を使うことが多
く、その場合、金属製のキャップを使うと、ICと冷却モ
ジュールが絶縁されていなかった（例えばU.S.Patent46
52970,あるいは、特許出願59−69759）。
上述した従来のチップキャリアは金属製のキャップを
使用するとICと冷却モジュールが電気的に絶縁されてい
ないため、ICと冷却モジュール等が電気的にショートす
る危険がある。また、絶縁性材料（例えばSiC,A Ｎ）
のキャップを使用すると、絶縁性材料はもろいため、厚
くする必要があり、放熱性が悪くなるという欠点があ
る。
使用するとICと冷却モジュールが電気的に絶縁されてい
ないため、ICと冷却モジュール等が電気的にショートす
る危険がある。また、絶縁性材料（例えばSiC,A Ｎ）
のキャップを使用すると、絶縁性材料はもろいため、厚
くする必要があり、放熱性が悪くなるという欠点があ
る。
本発明のチップキャリアは、配線基板と該配線基板に
フェイスダウンで実装されるTAB ICのダイに接着さ
れ、かつ、該配線基板とで該TAB ICを密封する熱伝導
率の良好な金属（例えばCu/W）からできたキャップとか
らなり、冷却モジュールが接続される該キャップの上面
に無機絶縁ペースト（例えばガラスペイント）あるい
は、有機絶縁ペースト（例えば、ポリイミド，エポキ
シ）により絶縁コートが施されている。
フェイスダウンで実装されるTAB ICのダイに接着さ
れ、かつ、該配線基板とで該TAB ICを密封する熱伝導
率の良好な金属（例えばCu/W）からできたキャップとか
らなり、冷却モジュールが接続される該キャップの上面
に無機絶縁ペースト（例えばガラスペイント）あるい
は、有機絶縁ペースト（例えば、ポリイミド，エポキ
シ）により絶縁コートが施されている。
本発明のチップキャリアは、配線基板と、該配線基板
にフェイスダウンで実装されるTAB ICと、該TAB ICの
ダイと接着され、かつ、該配線基板とで該TAB ICを密
封する熱伝導率の良好な金属からできたキャップとから
なり、該キャップの上面に冷却モジュールが接続される
チップキャリアにおいて、前記キャップ上面に絶縁コー
トを有することを特徴とするチップキャリアであり、前
記絶縁コートが、無機絶縁ペーストを塗布し硬化させて
形成されることを特徴とするチップキャリアであり、あ
るいは、前記絶縁コートが、有機絶縁ペーストを塗布し
硬化させて形成されることを特徴とするチップキャリア
である。
にフェイスダウンで実装されるTAB ICと、該TAB ICの
ダイと接着され、かつ、該配線基板とで該TAB ICを密
封する熱伝導率の良好な金属からできたキャップとから
なり、該キャップの上面に冷却モジュールが接続される
チップキャリアにおいて、前記キャップ上面に絶縁コー
トを有することを特徴とするチップキャリアであり、前
記絶縁コートが、無機絶縁ペーストを塗布し硬化させて
形成されることを特徴とするチップキャリアであり、あ
るいは、前記絶縁コートが、有機絶縁ペーストを塗布し
硬化させて形成されることを特徴とするチップキャリア
である。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の模式的な縦断面図であ
る。配線基板１は表面にリード用パッド2,裏面に入出力
用パッド３が形成されており、リード用パッド２と入出
力用パッド３は内部配線４により接続されている。ま
た、キャップ５は熱伝導率の良好な金属（例えばCu/W）
でできており、上面には、無機絶縁ペースト（例えばガ
ラスペースト）あるいは、有機絶縁ペースト（例えばポ
リイミド、エポキシ）により絶縁コート６が薄く（10〜
30μ）施されいる。TAB IC7は、基板１の表面にフェイ
スダウンで実装されTAB IC7のリード８はリード用パッ
ド２に接続される。TAB IC7のダイはキャップ５と熱伝
導率の良好な接着剤（例えばAg入りエポキシ）９によっ
て接着される。次に、キャップ５と基板１が接着剤10に
より接着され、TAB IC7は密封される。そして最後にキ
ャップ５上面にヒートシンク11が熱伝導率の良好な接着
剤12（例えばAg入りエポキシ）により接着される。
る。配線基板１は表面にリード用パッド2,裏面に入出力
用パッド３が形成されており、リード用パッド２と入出
力用パッド３は内部配線４により接続されている。ま
た、キャップ５は熱伝導率の良好な金属（例えばCu/W）
でできており、上面には、無機絶縁ペースト（例えばガ
ラスペースト）あるいは、有機絶縁ペースト（例えばポ
リイミド、エポキシ）により絶縁コート６が薄く（10〜
30μ）施されいる。TAB IC7は、基板１の表面にフェイ
スダウンで実装されTAB IC7のリード８はリード用パッ
ド２に接続される。TAB IC7のダイはキャップ５と熱伝
導率の良好な接着剤（例えばAg入りエポキシ）９によっ
て接着される。次に、キャップ５と基板１が接着剤10に
より接着され、TAB IC7は密封される。そして最後にキ
ャップ５上面にヒートシンク11が熱伝導率の良好な接着
剤12（例えばAg入りエポキシ）により接着される。
ICが発生する熱は、熱伝導率の良好な接着剤９を通し
て熱伝導率の良好な金属でできたキャップ５に伝わる。
そして、絶縁コート６はペーストを塗布し硬化させて形
成されるため大変薄く（10〜30μ）形成することができ
る。そのため、熱抵抗を増加させることなく、キャップ
５に伝わった熱を熱伝導率の良好な接着剤12を通してヒ
ートシンク11に伝え放出することができる。また、TAB
IC7とヒートシンク11は絶縁コート６により完全に絶
縁されショートすることはない。また、キャップ５が金
属でできているため薄く（10.5mm以下）作られており、
熱の放出が効率よく行なえる。
て熱伝導率の良好な金属でできたキャップ５に伝わる。
そして、絶縁コート６はペーストを塗布し硬化させて形
成されるため大変薄く（10〜30μ）形成することができ
る。そのため、熱抵抗を増加させることなく、キャップ
５に伝わった熱を熱伝導率の良好な接着剤12を通してヒ
ートシンク11に伝え放出することができる。また、TAB
IC7とヒートシンク11は絶縁コート６により完全に絶
縁されショートすることはない。また、キャップ５が金
属でできているため薄く（10.5mm以下）作られており、
熱の放出が効率よく行なえる。
以上説明したように本発明は熱伝導率の良好な金属性
のキャップを使い、キャップ上面に絶縁コートを施すこ
とにより、TAB ICの発生する熱を効率良く放出するこ
とができ、また、TAB ICと冷却モジュール等の電気的
ショートを防ぐことができる。
のキャップを使い、キャップ上面に絶縁コートを施すこ
とにより、TAB ICの発生する熱を効率良く放出するこ
とができ、また、TAB ICと冷却モジュール等の電気的
ショートを防ぐことができる。
第１図は本発明のチップキャリアの一実施例の模式的な
縦断面図、第２図は従来のチップキャリアの模式的な縦
断面図である。 １……配線基板、２……リード用パッド、３……入出力
用パッド、４……内部配線、５……キャップ、６……絶
縁コート、７……TAB IC、８……リード、9,10,12……
接着剤、11……ヒートシンク。
縦断面図、第２図は従来のチップキャリアの模式的な縦
断面図である。 １……配線基板、２……リード用パッド、３……入出力
用パッド、４……内部配線、５……キャップ、６……絶
縁コート、７……TAB IC、８……リード、9,10,12……
接着剤、11……ヒートシンク。
Claims (1)
- 【請求項１】配線基板と、該配線基板にフェイスダウン
で実装されるTAB ICと、該TAB ICのダイと接着され、
かつ、該配線基板とで該TAB ICを密封する熱伝導率の
良好な金属からできたキャップとからなり、該キャップ
の上面に冷却モジュールが接続されるチップキャリアに
おいて、前記キャップ上面に絶縁コートを有することを
特徴とするチップキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63077140A JP2590521B2 (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | チップキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63077140A JP2590521B2 (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | チップキャリア |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01248543A JPH01248543A (ja) | 1989-10-04 |
| JP2590521B2 true JP2590521B2 (ja) | 1997-03-12 |
Family
ID=13625499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63077140A Expired - Lifetime JP2590521B2 (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | チップキャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2590521B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001008221A1 (fr) * | 1999-07-26 | 2001-02-01 | Tdk Corporation | Module haute frequence |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2570880B2 (ja) * | 1990-02-22 | 1997-01-16 | 日本電気株式会社 | チップキャリア |
| US5825625A (en) * | 1996-05-20 | 1998-10-20 | Hewlett-Packard Company | Heat conductive substrate mounted in PC board for transferring heat from IC to heat sink |
| US5966290A (en) * | 1997-09-03 | 1999-10-12 | Internatioinal Business Machines Corporation | Electronic packages and a method to improve thermal performance of electronic packages |
| US5960535A (en) * | 1997-10-28 | 1999-10-05 | Hewlett-Packard Company | Heat conductive substrate press-mounted in PC board hole for transferring heat from IC to heat sink |
| US6979894B1 (en) * | 2001-09-27 | 2005-12-27 | Marvell International Ltd. | Integrated chip package having intermediate substrate |
| JP2010171030A (ja) * | 2008-12-22 | 2010-08-05 | Kaneka Corp | 放熱構造体 |
-
1988
- 1988-03-29 JP JP63077140A patent/JP2590521B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001008221A1 (fr) * | 1999-07-26 | 2001-02-01 | Tdk Corporation | Module haute frequence |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01248543A (ja) | 1989-10-04 |
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