JPH0995537A - ポリシラン化合物、その製造方法およびその原料 - Google Patents
ポリシラン化合物、その製造方法およびその原料Info
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- JPH0995537A JPH0995537A JP8043726A JP4372696A JPH0995537A JP H0995537 A JPH0995537 A JP H0995537A JP 8043726 A JP8043726 A JP 8043726A JP 4372696 A JP4372696 A JP 4372696A JP H0995537 A JPH0995537 A JP H0995537A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高分子材料としての優れた成形性を有し、かつ
高い正孔ドリフト移動度を有した高分子材料単独からな
る正孔輸送材料を提供することにある。 【解決手段】主鎖骨格が下記一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ1 は、置換されていてもよいアルキル基を示
す。Ｘは、一般式（２） 【化２】 （式中、Ｒ2 は置換されていてもよいアリール基を示
す。）で表される窒素原子を含む基を示し、Ａｒ1 は置
換されていてもよいアリーレン基を示す。Ａｒ2 は置換
されていてもよいアリール基を示す。）で表される繰り
返し構造単位を有することを特徴とするポリシラン化合
物、その製造方法およびその原料であるジハロシラン。
高い正孔ドリフト移動度を有した高分子材料単独からな
る正孔輸送材料を提供することにある。 【解決手段】主鎖骨格が下記一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ1 は、置換されていてもよいアルキル基を示
す。Ｘは、一般式（２） 【化２】 （式中、Ｒ2 は置換されていてもよいアリール基を示
す。）で表される窒素原子を含む基を示し、Ａｒ1 は置
換されていてもよいアリーレン基を示す。Ａｒ2 は置換
されていてもよいアリール基を示す。）で表される繰り
返し構造単位を有することを特徴とするポリシラン化合
物、その製造方法およびその原料であるジハロシラン。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光導電性材料や非線
形光学材料、また耐熱性に優れた非酸化物セラミックの
前駆体物質等として有用なポリシラン化合物、さらに詳
しくは正孔ドリフト移動度を高めたポリシラン化合物、
ならびにその製造方法およびその原料に関する。
形光学材料、また耐熱性に優れた非酸化物セラミックの
前駆体物質等として有用なポリシラン化合物、さらに詳
しくは正孔ドリフト移動度を高めたポリシラン化合物、
ならびにその製造方法およびその原料に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子写真感光体等に用いられる正
孔輸送材料または電子輸送材料としては、その正孔ドリ
フト移動度または電子ドリフト移動度の大きさおよび耐
久性の面から非晶質セレン等の無機化合物が主として用
いられてきた。しかしながら、これらは有害物質を含有
している場合が多く、その廃棄や公害対策が間題となっ
ている。また、正孔ドリフト移動度の高い非晶質セレン
を用いる場合、真空蒸着法等により薄膜を形成する必要
があり、生産性が劣ることから生産コスト増加の原因と
なっている。
孔輸送材料または電子輸送材料としては、その正孔ドリ
フト移動度または電子ドリフト移動度の大きさおよび耐
久性の面から非晶質セレン等の無機化合物が主として用
いられてきた。しかしながら、これらは有害物質を含有
している場合が多く、その廃棄や公害対策が間題となっ
ている。また、正孔ドリフト移動度の高い非晶質セレン
を用いる場合、真空蒸着法等により薄膜を形成する必要
があり、生産性が劣ることから生産コスト増加の原因と
なっている。
【０００３】近年、無機化合物で無公害性の正孔輸送材
料または電子輸送材料として、非晶質ケイ素が注目され
ている。しかしながら、非晶質ケイ素は正孔ドリフト移
動度または電子ドリフト移動度においては優れている
が、薄膜形成時において、主にプラズマＣＶＤ法を用い
るため、その生産性に問題があった。
料または電子輸送材料として、非晶質ケイ素が注目され
ている。しかしながら、非晶質ケイ素は正孔ドリフト移
動度または電子ドリフト移動度においては優れている
が、薄膜形成時において、主にプラズマＣＶＤ法を用い
るため、その生産性に問題があった。
【０００４】一方、正孔のみを輸送するものが殆どであ
る有機材料は、無公害の利点を有しており、塗工により
薄膜形成が可能で大量生産が容易である。そのため、生
産コストが大幅に低減でき、また、用途に応じて様々な
形状に加工することができるという長所を有している。
しかしながら、従来の有機正孔輸送材料は、その正孔ド
リフト移動度が低いという問題があり、高い正孔ドリフ
ト移動度を有した有機の正孔輸送材料の出現が強く望ま
れ、有機の正孔輸送材料の正孔ドリフト移動度を向上さ
せる研究が種々行われてきた。
る有機材料は、無公害の利点を有しており、塗工により
薄膜形成が可能で大量生産が容易である。そのため、生
産コストが大幅に低減でき、また、用途に応じて様々な
形状に加工することができるという長所を有している。
しかしながら、従来の有機正孔輸送材料は、その正孔ド
リフト移動度が低いという問題があり、高い正孔ドリフ
ト移動度を有した有機の正孔輸送材料の出現が強く望ま
れ、有機の正孔輸送材料の正孔ドリフト移動度を向上さ
せる研究が種々行われてきた。
【０００５】有機正孔輸送材料の正孔の伝導機構は、正
孔のホッピング伝導であることが知られいる。その正孔
ドリフト移動度を向上させるためには、正孔がサイトか
らサイトへの跳び移る確率を高めることが本質的に重要
である。具体的には、ホッピングサイトの数を増加さ
せ、サイト間の距離を短くすること、また、ホッピング
サイト間のエネルギーレベルをできるだけ一致させ、正
孔が捕獲され次のサイトヘ跳び移りにくくなるような正
孔の捕獲準位の形成がないようにすることが必要であ
る。
孔のホッピング伝導であることが知られいる。その正孔
ドリフト移動度を向上させるためには、正孔がサイトか
らサイトへの跳び移る確率を高めることが本質的に重要
である。具体的には、ホッピングサイトの数を増加さ
せ、サイト間の距離を短くすること、また、ホッピング
サイト間のエネルギーレベルをできるだけ一致させ、正
孔が捕獲され次のサイトヘ跳び移りにくくなるような正
孔の捕獲準位の形成がないようにすることが必要であ
る。
【０００６】有機正孔輸送材料としては、炭素系光導電
性高分子材料および低分子正孔輸送剤を樹脂に分散させ
た材料が公知である。例えば、炭素系光導電性高分子材
料としてはポリビニルカルバゾールが、低分子正孔輸送
剤を樹脂に分散させた材料としては、アリールアミン誘
導体やヒドラゾン誘導体等をポリカーボネイト等の樹脂
に分散したものが知られている。
性高分子材料および低分子正孔輸送剤を樹脂に分散させ
た材料が公知である。例えば、炭素系光導電性高分子材
料としてはポリビニルカルバゾールが、低分子正孔輸送
剤を樹脂に分散させた材料としては、アリールアミン誘
導体やヒドラゾン誘導体等をポリカーボネイト等の樹脂
に分散したものが知られている。
【０００７】ポリビニルカルバゾールは、ホッピングサ
イトとなるカルバゾール環を側鎖に並ベ、その側鎖上を
ホッピング伝導させる。しかしながら、側鎖に並べた場
合、部分的に隣同士のカルバゾール環が異常に接近して
正孔を捕獲する捕獲準位を形成するため、その正孔ドリ
フト移動度は、室温（約２５℃）において約１０-7ｃｍ
2 ／Ｖｓｅｃと著しく低い。
イトとなるカルバゾール環を側鎖に並ベ、その側鎖上を
ホッピング伝導させる。しかしながら、側鎖に並べた場
合、部分的に隣同士のカルバゾール環が異常に接近して
正孔を捕獲する捕獲準位を形成するため、その正孔ドリ
フト移動度は、室温（約２５℃）において約１０-7ｃｍ
2 ／Ｖｓｅｃと著しく低い。
【０００８】この炭素系光導電性高分子材料に代わる材
料として、ホッピングサイトを有した低分子正孔輸送剤
を、樹脂中に均一に分散した材料が用いられるようにな
った。
料として、ホッピングサイトを有した低分子正孔輸送剤
を、樹脂中に均一に分散した材料が用いられるようにな
った。
【０００９】低分子正孔輸送剤の正孔ドリフト移動度の
向上について、例えば、横山らは一連のアリールアミン
誘導体の樹脂分散系における正孔ドリフト移動度につい
て検討を加え、正孔ドリフト移動度向上のための分子設
計指針として、正孔ホッピングサイトの最小単位をアミ
ノフェニル基（＞Ｎ−フェニル基）とし、分子内にこの
最小単位を多く合ませること、分子内のπ電子をできる
かぎり非局在化させることを提案している（高橋他, 電
子写真学会誌, Vol. 25 (1986) p236 ）。
向上について、例えば、横山らは一連のアリールアミン
誘導体の樹脂分散系における正孔ドリフト移動度につい
て検討を加え、正孔ドリフト移動度向上のための分子設
計指針として、正孔ホッピングサイトの最小単位をアミ
ノフェニル基（＞Ｎ−フェニル基）とし、分子内にこの
最小単位を多く合ませること、分子内のπ電子をできる
かぎり非局在化させることを提案している（高橋他, 電
子写真学会誌, Vol. 25 (1986) p236 ）。
【００１０】また、ビフェニルジアミン化合物とポリカ
ーボネイトの混合物について、ビフェニルジアミン化合
物の濃度が約５０重量％の場合、室温（約２５℃）にお
いて、正孔ドリフト移動度は約１０-5ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃ
であるが、ビフェニルジアミン化合物の濃度が約８０重
量％では約１０-4ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃに、ビフェニルジア
ミン化合物単独では約１０-3ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃまで増大
することが開示されている〔M. Stolka et al., J. Phy
s. Chem., Vol. 88 (1984) p4707〕。
ーボネイトの混合物について、ビフェニルジアミン化合
物の濃度が約５０重量％の場合、室温（約２５℃）にお
いて、正孔ドリフト移動度は約１０-5ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃ
であるが、ビフェニルジアミン化合物の濃度が約８０重
量％では約１０-4ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃに、ビフェニルジア
ミン化合物単独では約１０-3ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃまで増大
することが開示されている〔M. Stolka et al., J. Phy
s. Chem., Vol. 88 (1984) p4707〕。
【００１１】しかしながら、低分子正孔輸送剤を樹脂に
分散した材料の欠点として、低分子正孔輸送剤の濃度が
高くなると、分子の結晶化が起こり易く成形性が著しく
悪くなることが挙げられる。
分散した材料の欠点として、低分子正孔輸送剤の濃度が
高くなると、分子の結晶化が起こり易く成形性が著しく
悪くなることが挙げられる。
【００１２】一方、上述した従来の炭素を主骨格とする
有機正孔輸送材料に代わる材料として、ケイ素を主骨格
とするポリシラン化合物が注目されてきた。ポリシラン
化合物は、有機溶媒可溶性でフィルム形成能に優れてい
るだけでなく、主鎖のケイ素−ケイ素結合を通して非局
在化した電子が移動することによって正孔が伝導する半
導体としての特性を持つことから有機電子材料として期
待されるようになった（R.G. Kepler et al., Phys. Re
v. B, Vol. 35 (1987) p2818）。
有機正孔輸送材料に代わる材料として、ケイ素を主骨格
とするポリシラン化合物が注目されてきた。ポリシラン
化合物は、有機溶媒可溶性でフィルム形成能に優れてい
るだけでなく、主鎖のケイ素−ケイ素結合を通して非局
在化した電子が移動することによって正孔が伝導する半
導体としての特性を持つことから有機電子材料として期
待されるようになった（R.G. Kepler et al., Phys. Re
v. B, Vol. 35 (1987) p2818）。
【００１３】特に、ポリメチルフェニルシラン化合物に
おいては、正孔ドリフト移動度が高分子単独材料として
は最も高く、室温（約２５℃）において約１０-4ｃｍ2
／Ｖｓｅｃに達することが知られている。この高い正孔
ドリフト移動度に着目し、ポリシラン化合物を電子写真
用感光体の正孔輸送層用材料に用いること（U.S. Pat.
No. 4,618,551 ）、有機エレクトロルミネッセンス素子
の正孔輸送層用材料として用いること（特開平2-204996
号公報）、また、イメージセンサの光導電体層用の正孔
輸送材料として用いること（特開平2-155270号公報）が
提案されている。
おいては、正孔ドリフト移動度が高分子単独材料として
は最も高く、室温（約２５℃）において約１０-4ｃｍ2
／Ｖｓｅｃに達することが知られている。この高い正孔
ドリフト移動度に着目し、ポリシラン化合物を電子写真
用感光体の正孔輸送層用材料に用いること（U.S. Pat.
No. 4,618,551 ）、有機エレクトロルミネッセンス素子
の正孔輸送層用材料として用いること（特開平2-204996
号公報）、また、イメージセンサの光導電体層用の正孔
輸送材料として用いること（特開平2-155270号公報）が
提案されている。
【００１４】一方、ポリシラン化合物の高分子としての
成形性および正孔ドリフト移動度の高さに注目し、低分
子正孔輸送剤を樹脂に分散させた材料に用いられている
ポリカーボネイト等の不活性バインダー樹脂に代わる活
性バインダーとしてポリシラン化合物を用いることが提
案されている。
成形性および正孔ドリフト移動度の高さに注目し、低分
子正孔輸送剤を樹脂に分散させた材料に用いられている
ポリカーボネイト等の不活性バインダー樹脂に代わる活
性バインダーとしてポリシラン化合物を用いることが提
案されている。
【００１５】例えば、活性バインダーとしてのポリメチ
ルフェニルシラン化合物中に、低分子正孔輸送剤として
フェニレンジアミン誘導体を約５０重量％の濃度で添加
し分散させることにより、室温（約２５℃）において約
１０-3ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃと、ポリメチルフェニルシラン
化合物単独の時より約１桁高い正孔ドリフト移動度が得
られている〔K. Yokoyama et al., J. Chem. Soc.: Che
m. Commun. (1990) p805〕。
ルフェニルシラン化合物中に、低分子正孔輸送剤として
フェニレンジアミン誘導体を約５０重量％の濃度で添加
し分散させることにより、室温（約２５℃）において約
１０-3ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃと、ポリメチルフェニルシラン
化合物単独の時より約１桁高い正孔ドリフト移動度が得
られている〔K. Yokoyama et al., J. Chem. Soc.: Che
m. Commun. (1990) p805〕。
【００１６】しかしながら、ポリシラン化合物に低分子
正孔輸送剤を分散した系では、高濃度に低分子正孔輸送
剤を分散した場合の結晶化による成形性の低下は免れな
い。
正孔輸送剤を分散した系では、高濃度に低分子正孔輸送
剤を分散した場合の結晶化による成形性の低下は免れな
い。
【００１７】また、ポリシラン化合物の正孔ドリフト移
動度は、ポリシラン化合物の主鎖間を正孔が跳び移るホ
ッピング伝導によって律速されていることが知られてい
る。
動度は、ポリシラン化合物の主鎖間を正孔が跳び移るホ
ッピング伝導によって律速されていることが知られてい
る。
【００１８】ポリシラン化合物のホッピング伝導機構と
しては、平面ジグザグ構造にＳｉ原子が１０〜３０個つ
ながった領域にσ電子が局在してホッピングサイトを形
成し、そのホッピングサイト間を正孔が跳び移ると考え
られている（M. Abkowitz &M. Stolka, Philos. Mag. L
ett. Vol. 58 (1988) p239）。
しては、平面ジグザグ構造にＳｉ原子が１０〜３０個つ
ながった領域にσ電子が局在してホッピングサイトを形
成し、そのホッピングサイト間を正孔が跳び移ると考え
られている（M. Abkowitz &M. Stolka, Philos. Mag. L
ett. Vol. 58 (1988) p239）。
【００１９】一方、平面ジグザグ構造にＳｉ原子が１０
〜３０個つながった領域が安定に形成されるためには、
ポリシラン化合物一分子中に5 ０個以上のＳｉ原子が必
要であると考えられている（R.D. Miller & J. Michl,
Chem. Rev., Vol. 89 (1989)p1359）。しかるに、ホッ
ピングサイトを増加させて、正孔ドリフト移動度を向上
させるには、ポリシラン化合物一分子中のＳｉ原子の
数、すなわち重合度を高くすることが本質的に重要であ
る。また、重合度の高いポリシラン化合物は成膜性にも
優れている。
〜３０個つながった領域が安定に形成されるためには、
ポリシラン化合物一分子中に5 ０個以上のＳｉ原子が必
要であると考えられている（R.D. Miller & J. Michl,
Chem. Rev., Vol. 89 (1989)p1359）。しかるに、ホッ
ピングサイトを増加させて、正孔ドリフト移動度を向上
させるには、ポリシラン化合物一分子中のＳｉ原子の
数、すなわち重合度を高くすることが本質的に重要であ
る。また、重合度の高いポリシラン化合物は成膜性にも
優れている。
【００２０】一般に、ポリマーの重合度を表すパラメー
タとして、重量平均分子量、数平均分子量、あるいは重
量平均分子量と数平均分子量の比が用いられている。ポ
リシラン化合物においても、重量平均分子量、数平均分
子量がよく用いられる。たとえば、特開平2-133416号公
報には、ポリシラン化合物よりなる重合体ブロックの数
平均重合度が１０〜５０，０００であることと記載さ
れ、特開平2-294654号公報には、ポリシラン化合物の重
量平均分子量が６，０００〜２００，０００であること
が記載されている。
タとして、重量平均分子量、数平均分子量、あるいは重
量平均分子量と数平均分子量の比が用いられている。ポ
リシラン化合物においても、重量平均分子量、数平均分
子量がよく用いられる。たとえば、特開平2-133416号公
報には、ポリシラン化合物よりなる重合体ブロックの数
平均重合度が１０〜５０，０００であることと記載さ
れ、特開平2-294654号公報には、ポリシラン化合物の重
量平均分子量が６，０００〜２００，０００であること
が記載されている。
【００２１】また、特開平7-64311 号公報には、ポリシ
ラン化合物の重量平均分子量が５０，０００〜２，５０
０，０００であり、かつ数平均分子量に比べて１０以下
の比率であれば、正孔ドリフト移動度と膜強度が向上す
るとしている。
ラン化合物の重量平均分子量が５０，０００〜２，５０
０，０００であり、かつ数平均分子量に比べて１０以下
の比率であれば、正孔ドリフト移動度と膜強度が向上す
るとしている。
【００２２】しかしながら、重量平均分子量、数平均分
子量、あるいは重量平均分子量と数平均分子量の比は、
ポリシラン化合物の繰り返し構造単位の分子量、すなわ
ち繰り返し構造単位中の側鎖分子の大きさに大きく依存
し、ポリシラン化合物一分子中のＳｉ原子の数を十分反
映していない。
子量、あるいは重量平均分子量と数平均分子量の比は、
ポリシラン化合物の繰り返し構造単位の分子量、すなわ
ち繰り返し構造単位中の側鎖分子の大きさに大きく依存
し、ポリシラン化合物一分子中のＳｉ原子の数を十分反
映していない。
【００２３】従来、ポリシラン化合物の製法として、次
の方法が知られている。 (1) ジハロシランのアルカリ金属による脱塩縮合反応
（Ｋｉｐｐｉｎｇ法） (2) ヒドロシランの脱水素縮合（C. Aitken et al., J.
Organomet. Chem., Vol. 279 (1985) pC11） (3) 環状化合物の開環重合（H. Sakurai et al., J. A
m. Chem. Soc., Vol. 111(1989) p7641 / K. Matyjasze
wski et al., ACS Symp. Ser. 360 (1988) p78） (4) リチオシランとハロシランの縮合（T.C. Williams
et al., J. Polym. Sci., Vol. 19 (1981) p65）を利用
した脱塩縮合 (5) 電気化学的重合（C. Biran et al., J. Organomet.
Chem., Vol. 382 (1990) pC17/ 特開平3-104893号公
報）
の方法が知られている。 (1) ジハロシランのアルカリ金属による脱塩縮合反応
（Ｋｉｐｐｉｎｇ法） (2) ヒドロシランの脱水素縮合（C. Aitken et al., J.
Organomet. Chem., Vol. 279 (1985) pC11） (3) 環状化合物の開環重合（H. Sakurai et al., J. A
m. Chem. Soc., Vol. 111(1989) p7641 / K. Matyjasze
wski et al., ACS Symp. Ser. 360 (1988) p78） (4) リチオシランとハロシランの縮合（T.C. Williams
et al., J. Polym. Sci., Vol. 19 (1981) p65）を利用
した脱塩縮合 (5) 電気化学的重合（C. Biran et al., J. Organomet.
Chem., Vol. 382 (1990) pC17/ 特開平3-104893号公
報）
【００２４】しかしながら、(2) や(5) の方法では高分
子量のポリマーが得られにくいこと、(3) や(4) の方法
ではモノマー合成が難しいこと等の問題がある。このた
め、ポリシラン化合物の合成法としては現在のところ
(1) のＫｉｐｐｉｎｇ法が唯一の実用的な合成法であ
る。
子量のポリマーが得られにくいこと、(3) や(4) の方法
ではモノマー合成が難しいこと等の問題がある。このた
め、ポリシラン化合物の合成法としては現在のところ
(1) のＫｉｐｐｉｎｇ法が唯一の実用的な合成法であ
る。
【００２５】Ｋｉｐｐｉｎｇ法によれば比較的高分子量
のポリマーが得られるが、ポリシラン化合物として十分
な特性を発揮できる水準の分子量のポリマー、具体的に
は、重量平均分子量（Ｍｗ）として約５，０００以上
（ポリスチレン換算）のポリマーの収率は通常５〜２５
％程度に過ぎず、主として環状体からなる低分子量成分
が多量に生成するという問題があり、収率が高いポリシ
ラン化合物の合成法が求められている。
のポリマーが得られるが、ポリシラン化合物として十分
な特性を発揮できる水準の分子量のポリマー、具体的に
は、重量平均分子量（Ｍｗ）として約５，０００以上
（ポリスチレン換算）のポリマーの収率は通常５〜２５
％程度に過ぎず、主として環状体からなる低分子量成分
が多量に生成するという問題があり、収率が高いポリシ
ラン化合物の合成法が求められている。
【００２６】また、Ｋｉｐｐｉｎｇ法では金属ナトリウ
ムなどのアルカリ金属の存在下、高温で長時間の反応を
行なうため、通常、合成可能なポリシラン化合物の側鎖
はアルキル基、アリール基に限られ、これ以外にはジエ
チルアミノ基、シロキシ基を置換したフェニル基が一部
にあるに過ぎない。
ムなどのアルカリ金属の存在下、高温で長時間の反応を
行なうため、通常、合成可能なポリシラン化合物の側鎖
はアルキル基、アリール基に限られ、これ以外にはジエ
チルアミノ基、シロキシ基を置換したフェニル基が一部
にあるに過ぎない。
【００２７】さらに、Ｋｉｐｐｉｎｇ法は側鎖の立体障
害の影響を受け易く、これまで、ナフチル基より立体的
に嵩高い、例えば、トリフェニルアミン、アンスラセ
ン、フェニルカルバゾールなどの光学的に興味のある機
能を有する側鎖を有した高分子量のポリシラン化合物は
報告されていない。
害の影響を受け易く、これまで、ナフチル基より立体的
に嵩高い、例えば、トリフェニルアミン、アンスラセ
ン、フェニルカルバゾールなどの光学的に興味のある機
能を有する側鎖を有した高分子量のポリシラン化合物は
報告されていない。
【００２８】これに対し、合成可能なポリシラン化合物
に機能性の側鎖を導入する方法も試みられており、ポリ
メチルフェニルシランの側鎖のフェニル基の一部をトリ
フルオロメタンスルフォン酸で置換し、さらに、有機リ
チウム化合物やアルコールを作用させ、Ｋｉｐｐｉｎｇ
法では得られない側鎖を含むポリシラン化合物が合成さ
れている（W.Uhlig, J. Organomet. Chem., Vol. 402
(1991) pC45 / K. Matyjaszewski et al., Silicon Bas
ed Polymer Science, Advance in Chem. Ser. 224 ACS
(1988) p285）。
に機能性の側鎖を導入する方法も試みられており、ポリ
メチルフェニルシランの側鎖のフェニル基の一部をトリ
フルオロメタンスルフォン酸で置換し、さらに、有機リ
チウム化合物やアルコールを作用させ、Ｋｉｐｐｉｎｇ
法では得られない側鎖を含むポリシラン化合物が合成さ
れている（W.Uhlig, J. Organomet. Chem., Vol. 402
(1991) pC45 / K. Matyjaszewski et al., Silicon Bas
ed Polymer Science, Advance in Chem. Ser. 224 ACS
(1988) p285）。
【００２９】しかし、ポリシラン化合物の側鎖を置換す
る方法では、強い酸や有機リチウム化合物を用いるため
主鎖のケイ素−ケイ素結合が切断される問題があり、特
に３０％以上の側鎖を置換する反応では分子量の低下が
顕著となる。また、ポリマーの反応であるため、側鎖の
分布が制御できない、低分子化合物間の反応のようにポ
リシラン化合物に一旦置換されたトリフレート基を安定
な側鎖に完全に再置換することが難しい等の問題があ
る。
る方法では、強い酸や有機リチウム化合物を用いるため
主鎖のケイ素−ケイ素結合が切断される問題があり、特
に３０％以上の側鎖を置換する反応では分子量の低下が
顕著となる。また、ポリマーの反応であるため、側鎖の
分布が制御できない、低分子化合物間の反応のようにポ
リシラン化合物に一旦置換されたトリフレート基を安定
な側鎖に完全に再置換することが難しい等の問題があ
る。
【００３０】これら従来の技術は、炭素系光導電性高分
子材料においては、成形性には優れるが正孔ドリフト移
動度が低い、また、低分子正孔輸送剤を樹脂に分散させ
た材料においては、正孔ドリフト移動度を高くするため
低分子正孔輸送剤の濃度を高めると成形性が劣るという
問題点がある。また、高い正孔ドリフト移動度を有し、
かつ成形性に優れた材料としてポリシラン化合物が挙げ
られるが、従来のアルキル基、アリール基を側鎖に持っ
たポリシラン化合物では、正孔ドリフト移動度が約１０
-4ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃと不十分である。
子材料においては、成形性には優れるが正孔ドリフト移
動度が低い、また、低分子正孔輸送剤を樹脂に分散させ
た材料においては、正孔ドリフト移動度を高くするため
低分子正孔輸送剤の濃度を高めると成形性が劣るという
問題点がある。また、高い正孔ドリフト移動度を有し、
かつ成形性に優れた材料としてポリシラン化合物が挙げ
られるが、従来のアルキル基、アリール基を側鎖に持っ
たポリシラン化合物では、正孔ドリフト移動度が約１０
-4ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃと不十分である。
【００３１】一方、ポリシラン化合物の重合度を表すパ
ラメータとして、重量平均分子量、数平均分子量、ある
いは重量平均分子量と数平均分子量の比が用いられてい
るが、重量平均分子量や数平均分子量は、それらがポリ
シラン化合物の繰り返し構造単位中の側鎖分子の大きさ
に大きく依存することから、ポリシラン化合物の正孔ド
リフト移動度および成膜性を向上させるために重要な、
ポリシラン化合物一分子中のＳｉ原子の数を表すパラメ
ータとしては必ずしも十分ではない。
ラメータとして、重量平均分子量、数平均分子量、ある
いは重量平均分子量と数平均分子量の比が用いられてい
るが、重量平均分子量や数平均分子量は、それらがポリ
シラン化合物の繰り返し構造単位中の側鎖分子の大きさ
に大きく依存することから、ポリシラン化合物の正孔ド
リフト移動度および成膜性を向上させるために重要な、
ポリシラン化合物一分子中のＳｉ原子の数を表すパラメ
ータとしては必ずしも十分ではない。
【００３２】また、ポリシラン化合物を合成する方法に
おいては、Ｋｉｐｐｉｎｇ法が唯一実用的な方法である
が、側鎖の立体障害の影響を受け易く、嵩高い側鎖を有
する高分子量のポリシラン化合物は未だ合成されていな
い。公知の高分子量のポリシラン化合物の側鎖を置換し
て嵩高い側鎖を有する高分子量のポリシラン化合物を合
成する方法では、主鎖のケイ素−ケイ素結合が切断さ
れ、分子量が低下してしまう。
おいては、Ｋｉｐｐｉｎｇ法が唯一実用的な方法である
が、側鎖の立体障害の影響を受け易く、嵩高い側鎖を有
する高分子量のポリシラン化合物は未だ合成されていな
い。公知の高分子量のポリシラン化合物の側鎖を置換し
て嵩高い側鎖を有する高分子量のポリシラン化合物を合
成する方法では、主鎖のケイ素−ケイ素結合が切断さ
れ、分子量が低下してしまう。
【００３３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高分
子材料としての優れた成形性を発揮できる高分子量を有
し、かつ高い正孔ドリフト移動度を有するポリシラン化
合物、その製造方法および該ポリシラン化合物の原料の
ジハロシランを提供することにある。
子材料としての優れた成形性を発揮できる高分子量を有
し、かつ高い正孔ドリフト移動度を有するポリシラン化
合物、その製造方法および該ポリシラン化合物の原料の
ジハロシランを提供することにある。
【００３４】
【課題を解決するための手段】上記の従来の技術の問題
点に鑑み、本発明者等は、ポリシラン化合物の正孔ドリ
フト移動度を向上させる方法および成形性に優れた高分
子量のポリシラン化合物を合成する方法について鋭意研
究を続けた結果、特定の置換基を側鎖に有するジハロシ
ランを特定の反応方法を用いて重合することにより、高
分子量で高い正孔ドリフト移動度を持つポリシラン化合
物を製造することができることを見いだし、本発明を完
成させるに至った。
点に鑑み、本発明者等は、ポリシラン化合物の正孔ドリ
フト移動度を向上させる方法および成形性に優れた高分
子量のポリシラン化合物を合成する方法について鋭意研
究を続けた結果、特定の置換基を側鎖に有するジハロシ
ランを特定の反応方法を用いて重合することにより、高
分子量で高い正孔ドリフト移動度を持つポリシラン化合
物を製造することができることを見いだし、本発明を完
成させるに至った。
【００３５】本発明は、主鎖骨格が下記一般式（１）
【化９】 （式中、Ｒ1 は置換されていてもよいアルキル基、シク
ロアルキル基、アリール基またはアラルキル基を示す。
Ｘは不対電子を有する原子または不対電子を有する原子
を含む基で、酸素原子、硫黄原子または一般式（２）
ロアルキル基、アリール基またはアラルキル基を示す。
Ｘは不対電子を有する原子または不対電子を有する原子
を含む基で、酸素原子、硫黄原子または一般式（２）
【００３６】
【化１０】 （式中、Ｒ2 は置換されていてもよいアルキル基、シク
ロアルキル基、アリール基またはアラルキル基を示
す。）で表される窒素原子を含む基を示し、Ａｒ1 は置
換されていてもよいアリーレン基を示す。Ａｒ2 は置換
されていてもよいアリール基、下記一般式（３）
ロアルキル基、アリール基またはアラルキル基を示
す。）で表される窒素原子を含む基を示し、Ａｒ1 は置
換されていてもよいアリーレン基を示す。Ａｒ2 は置換
されていてもよいアリール基、下記一般式（３）
【００３７】
【化１１】 （式中、Ａｒ3 は置換されていてもよいアリーレン基、
Ｒ3 およびＲ4 はそれぞれ独立に置換されていてもよい
アルキル基、シクロアルキル基、アリール基またはアラ
ルキル基を示す。）で表される芳香族アミン骨格を有す
る基、または、下記一般式（４）
Ｒ3 およびＲ4 はそれぞれ独立に置換されていてもよい
アルキル基、シクロアルキル基、アリール基またはアラ
ルキル基を示す。）で表される芳香族アミン骨格を有す
る基、または、下記一般式（４）
【００３８】
【化１２】 （式中、Ａｒ4 は置換されていてもよいアリーレン基、
Ｒ5 およびＲ6 はそれぞれ独立に、水素原子あるいは置
換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、ア
リール基またはアラルキル基、Ａｒ5 は置換されていて
もよいアリール基を示す。）で表される芳香族エテニレ
ン骨格を有する基を示す。また、Ａｒ1 とＡｒ2 の間、
または、Ｘを一般式（２）で表したとき、Ａｒ1 とＲ2
の間、あるいはＲ2 とＡｒ2 の間に環を形成していても
よい。）で表される繰り返し構造単位と、下記一般式
（５）
Ｒ5 およびＲ6 はそれぞれ独立に、水素原子あるいは置
換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、ア
リール基またはアラルキル基、Ａｒ5 は置換されていて
もよいアリール基を示す。）で表される芳香族エテニレ
ン骨格を有する基を示す。また、Ａｒ1 とＡｒ2 の間、
または、Ｘを一般式（２）で表したとき、Ａｒ1 とＲ2
の間、あるいはＲ2 とＡｒ2 の間に環を形成していても
よい。）で表される繰り返し構造単位と、下記一般式
（５）
【００３９】
【化１３】 （式中、Ｒ7 およびＲ8 はそれぞれ独立に、置換されて
いてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アリール基
またはアラルキル基を示す。）で表される繰り返し構造
単位とからなり、繰り返し構造単位（１）と繰り返し構
造単位（５）の総単位数に対する繰り返し構造単位
（１）および繰り返し構造単位（５）の単位数の比をそ
れぞれｚおよび１−ｚとしたとき、０．２≦ｚ≦１であ
るポリシラン化合物に係るものである。
いてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アリール基
またはアラルキル基を示す。）で表される繰り返し構造
単位とからなり、繰り返し構造単位（１）と繰り返し構
造単位（５）の総単位数に対する繰り返し構造単位
（１）および繰り返し構造単位（５）の単位数の比をそ
れぞれｚおよび１−ｚとしたとき、０．２≦ｚ≦１であ
るポリシラン化合物に係るものである。
【００４０】また、本発明は、下記一般式（７）
【化１４】 （式中、Ｙは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表
し、Ｒ1 は置換されていてもよいアルキル基、シクロア
ルキル基、アリール基またはアラルキル基を示す。Ｘは
不対電子を有する原子または不対電子を有する原子を含
む基であり、酸素原子、硫黄原子または前記一般式
（２）で表される窒素原子を含む基を示す。Ａｒ1 は置
換されていてもよいアリーレン基を示す。Ａｒ2 は置換
されていてもよいアリール基、前記一般式（３）で表さ
れる芳香族アミン骨格を有する基、または、前記一般式
（４）で表される芳香族エテニレン骨格を有する基を示
す。また、Ａｒ1 とＡｒ2 の間、または、Ｘを一般式
（２）で表したとき、Ａｒ1 とＲ2の間、あるいはＲ2
とＡｒ2 の間に環を形成していてもよい。）で表される
ことを特徴とするジハロシランに係るものである。
し、Ｒ1 は置換されていてもよいアルキル基、シクロア
ルキル基、アリール基またはアラルキル基を示す。Ｘは
不対電子を有する原子または不対電子を有する原子を含
む基であり、酸素原子、硫黄原子または前記一般式
（２）で表される窒素原子を含む基を示す。Ａｒ1 は置
換されていてもよいアリーレン基を示す。Ａｒ2 は置換
されていてもよいアリール基、前記一般式（３）で表さ
れる芳香族アミン骨格を有する基、または、前記一般式
（４）で表される芳香族エテニレン骨格を有する基を示
す。また、Ａｒ1 とＡｒ2 の間、または、Ｘを一般式
（２）で表したとき、Ａｒ1 とＲ2の間、あるいはＲ2
とＡｒ2 の間に環を形成していてもよい。）で表される
ことを特徴とするジハロシランに係るものである。
【００４１】また、本発明は、一般式（７）で表わされ
るジハロシラン、または一般式（６）で表わされるジハ
ロシランと一般式（８）
るジハロシラン、または一般式（６）で表わされるジハ
ロシランと一般式（８）
【化１５】 （式中、Ｙは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表
し、Ｒ7 およびＲ8 は前記一般式（５）におけるものを
表す。）で表わされるジハロシランの混合物を、不活性
溶媒中でアルカリ金属により縮重合反応させることを特
徴とするポリシラン化合物の製造方法に係るものであ
る。
し、Ｒ7 およびＲ8 は前記一般式（５）におけるものを
表す。）で表わされるジハロシランの混合物を、不活性
溶媒中でアルカリ金属により縮重合反応させることを特
徴とするポリシラン化合物の製造方法に係るものであ
る。
【００４２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明のポリシラン化合物は、主鎖骨格に一般式（１）
で示される繰り返し構造単位を有することを特徴とす
る。また、本発明のジハロシランは、一般式（６）で示
されることを特徴とする。
本発明のポリシラン化合物は、主鎖骨格に一般式（１）
で示される繰り返し構造単位を有することを特徴とす
る。また、本発明のジハロシランは、一般式（６）で示
されることを特徴とする。
【００４３】一般式（１）で示される繰り返し構造単位
および一般式（６）で示されるジハロシランにおいて、
Ｒ1 は好ましくは置換されていてもよい１〜１０個の炭
素原子を有する直鎖状、分岐状のアルキル基または環状
のシクロアルキル基、６〜２４個の炭素原子を有するア
リール基、７〜２６個の炭素原子を有するアラルキル基
である。
および一般式（６）で示されるジハロシランにおいて、
Ｒ1 は好ましくは置換されていてもよい１〜１０個の炭
素原子を有する直鎖状、分岐状のアルキル基または環状
のシクロアルキル基、６〜２４個の炭素原子を有するア
リール基、７〜２６個の炭素原子を有するアラルキル基
である。
【００４４】具体的には、アルキル基として、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペ
ンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基等を、
シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基等を、ア
リール基としては、フェニル基、ナフチル基、アンスリ
ル基、ビフェニル基等を、アラルキル基としては、ベン
ジル基、フェネチル基、ｐ−メチルベンジル基等を例示
することができる。
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペ
ンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基等を、
シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基等を、ア
リール基としては、フェニル基、ナフチル基、アンスリ
ル基、ビフェニル基等を、アラルキル基としては、ベン
ジル基、フェネチル基、ｐ−メチルベンジル基等を例示
することができる。
【００４５】ここで、置換されていてもよいアルキル
基、シクロアルキル基、アリール基およびアラルキル基
の置換基としては、１〜６個の炭素原子を有する直鎖
状、分岐状のアルキル基または環状のシクロアルキル
基、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イ
ソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅ
ｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキ
シル基等が挙げられる。
基、シクロアルキル基、アリール基およびアラルキル基
の置換基としては、１〜６個の炭素原子を有する直鎖
状、分岐状のアルキル基または環状のシクロアルキル
基、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イ
ソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅ
ｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキ
シル基等が挙げられる。
【００４６】一般式（１）で示される繰り返し構造単位
および一般式（６）で示されるジハロシランにおいて、
置換されていてもよいアリーレン基Ａｒ1 は、好ましく
は、置換されていてもよい６〜２４個の炭素原子を有す
るアリーレン基である。具体的には、置換されていても
よいフェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ビ
フェニレン基等が例示されるが、特に好ましくは、置換
されていてもよいフェニレン基である。
および一般式（６）で示されるジハロシランにおいて、
置換されていてもよいアリーレン基Ａｒ1 は、好ましく
は、置換されていてもよい６〜２４個の炭素原子を有す
るアリーレン基である。具体的には、置換されていても
よいフェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ビ
フェニレン基等が例示されるが、特に好ましくは、置換
されていてもよいフェニレン基である。
【００４７】不対電子を有する原子または不対電子を有
する原子を含む基Ｘは、酸素原子、硫黄原子または一般
式（２）で表される窒素原子を含む基であるが、好まし
くは、一般式（２）で表される不対電子を有する原子と
して窒素原子を含む基である。
する原子を含む基Ｘは、酸素原子、硫黄原子または一般
式（２）で表される窒素原子を含む基であるが、好まし
くは、一般式（２）で表される不対電子を有する原子と
して窒素原子を含む基である。
【００４８】一般式（２）において、窒素原子に結合し
た基Ｒ2 は、好ましくは、置換されていてもよい１〜１
０個の炭素原子を有する直鎖状、分岐状のアルキル基ま
たは環状のシクロアルキル基、６〜２４個の炭素原子を
有するアリール基、７〜２６個の炭素原子を有するアラ
ルキル基であるが、さらに好ましくは、置換されていて
もよい６〜２４個の炭素原子を有するアリール基であ
る。
た基Ｒ2 は、好ましくは、置換されていてもよい１〜１
０個の炭素原子を有する直鎖状、分岐状のアルキル基ま
たは環状のシクロアルキル基、６〜２４個の炭素原子を
有するアリール基、７〜２６個の炭素原子を有するアラ
ルキル基であるが、さらに好ましくは、置換されていて
もよい６〜２４個の炭素原子を有するアリール基であ
る。
【００４９】具体的には、アルキル基としては、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペ
ンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基等を、
シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基等を、ア
リール基としては、フェニル基、ナフチル基、アンスリ
ル基、ビフェニル基等を、アラルキル基としては、ベン
ジル基、フェネチル基、ｐ−メチルベンジル基等を例示
することができる。Ｒ2 は、特に好ましくは、置換され
ていてもよいフェニル基である。
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペ
ンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基等を、
シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基等を、ア
リール基としては、フェニル基、ナフチル基、アンスリ
ル基、ビフェニル基等を、アラルキル基としては、ベン
ジル基、フェネチル基、ｐ−メチルベンジル基等を例示
することができる。Ｒ2 は、特に好ましくは、置換され
ていてもよいフェニル基である。
【００５０】ここで、置換されていてもよいアリーレン
基、アリール基、アルキル基、シクロアルキル基および
アラルキル基の置換基としては、１〜６個の炭素原子を
有する直鎖状、分枝状のアルキル基または環状のシクロ
アルキル基、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル
基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シ
クロヘキシル基等が挙げられる。
基、アリール基、アルキル基、シクロアルキル基および
アラルキル基の置換基としては、１〜６個の炭素原子を
有する直鎖状、分枝状のアルキル基または環状のシクロ
アルキル基、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル
基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シ
クロヘキシル基等が挙げられる。
【００５１】一般式（１）および一般式（６）のＸに結
合したＡｒ2 において、置換されていてもよいアリール
基としては、好ましくは、６〜２４個の炭素原子を有す
るものであり、 フェニル基、 ナフチル基、アンスリル
基、ビフェニル基等が例示されるが、特に好ましくは、
置換されていてもよいフェニル基である。
合したＡｒ2 において、置換されていてもよいアリール
基としては、好ましくは、６〜２４個の炭素原子を有す
るものであり、 フェニル基、 ナフチル基、アンスリル
基、ビフェニル基等が例示されるが、特に好ましくは、
置換されていてもよいフェニル基である。
【００５２】また、一般式（３）で表される芳香族アミ
ン骨格を有する基における、置換されていてもよいアリ
ーレン基Ａｒ3 は、好ましくは、置換されていてもよい
６〜２４個の炭素原子を有するアリーレン基であり、フ
ェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ビフェニ
レン基等が例示されるが、特に好ましくは、置換されて
いてもよいフェニレン基、ビフェニレン基である。
ン骨格を有する基における、置換されていてもよいアリ
ーレン基Ａｒ3 は、好ましくは、置換されていてもよい
６〜２４個の炭素原子を有するアリーレン基であり、フ
ェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ビフェニ
レン基等が例示されるが、特に好ましくは、置換されて
いてもよいフェニレン基、ビフェニレン基である。
【００５３】また、 一般式（３）で表される芳香族アミ
ン骨格を有する基における、Ｒ3 およびＲ4 としては、
好ましくは、置換されていてもよい１〜１０個の炭素原
子を有する直鎖状、分岐状のアルキル基または環状のシ
クロアルキル基、６〜２４個の炭素原子を有するアリー
ル基、７〜２６個の炭素原子を有するアラルキル基を示
すが、さらに好ましくは、置換されていてもよい６〜２
４個の炭素原子を有するアリール基であり、特に好まし
くは置換されていてもよいフェニル基である。
ン骨格を有する基における、Ｒ3 およびＲ4 としては、
好ましくは、置換されていてもよい１〜１０個の炭素原
子を有する直鎖状、分岐状のアルキル基または環状のシ
クロアルキル基、６〜２４個の炭素原子を有するアリー
ル基、７〜２６個の炭素原子を有するアラルキル基を示
すが、さらに好ましくは、置換されていてもよい６〜２
４個の炭素原子を有するアリール基であり、特に好まし
くは置換されていてもよいフェニル基である。
【００５４】また、一般式（４）で表される芳香族エテ
ニレン骨格を有する基における、置換されていてもよい
アリーレン基Ａｒ4 は、好ましくは、置換されていても
よい６〜２４個の炭素原子を有するアリーレン基であ
り、フェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ビ
フェニレン基等が例示されるが、特に好ましくは、置換
されていてもよいフェニレン基である。また、置換され
ていてもよいアリール基Ａｒ5 としては、好ましくは、
６〜２４個の炭素原子を有するアリール基であり、フェ
ニル基、ナフチル基、アンスリル基、ビフェニル基等が
例示されるが、特に好ましくは、置換されていてもよい
フェニル基である。
ニレン骨格を有する基における、置換されていてもよい
アリーレン基Ａｒ4 は、好ましくは、置換されていても
よい６〜２４個の炭素原子を有するアリーレン基であ
り、フェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ビ
フェニレン基等が例示されるが、特に好ましくは、置換
されていてもよいフェニレン基である。また、置換され
ていてもよいアリール基Ａｒ5 としては、好ましくは、
６〜２４個の炭素原子を有するアリール基であり、フェ
ニル基、ナフチル基、アンスリル基、ビフェニル基等が
例示されるが、特に好ましくは、置換されていてもよい
フェニル基である。
【００５５】また、 一般式（４）で表される芳香族エテ
ニレン骨格を有する基におけるＲ5およびＲ6 の水素原
子以外の基は、好ましくは、置換されていてもよい１〜
１０個の炭素原子を有する直鎖状、分岐状のアルキル基
または環状のシクロアルキル基、６〜２４個の炭素原子
を有するアリール基、７〜２６個の炭素原子を有するア
ラルキル基であるが、さらに好ましくは、置換されてい
てもよい６〜２４個の炭素原子を有するアリール基であ
り、特に好ましくは置換されていてもよいフェニル基で
ある。
ニレン骨格を有する基におけるＲ5およびＲ6 の水素原
子以外の基は、好ましくは、置換されていてもよい１〜
１０個の炭素原子を有する直鎖状、分岐状のアルキル基
または環状のシクロアルキル基、６〜２４個の炭素原子
を有するアリール基、７〜２６個の炭素原子を有するア
ラルキル基であるが、さらに好ましくは、置換されてい
てもよい６〜２４個の炭素原子を有するアリール基であ
り、特に好ましくは置換されていてもよいフェニル基で
ある。
【００５６】本発明のポリシラン化合物の特徴である、
一般式（１）で表される繰り返し構造単位中の側鎖Ａｒ
2 −Ｘ−Ａｒ1 −基として、該側鎖基をＳｉ原子から切
り離し、下記一般式（６）
一般式（１）で表される繰り返し構造単位中の側鎖Ａｒ
2 −Ｘ−Ａｒ1 −基として、該側鎖基をＳｉ原子から切
り離し、下記一般式（６）
【化１６】 （式中、Ｈは水素原子を表し、Ａｒ1 、Ｘ、Ａｒ2 は前
記一般式（１）におけるものを表す。）で表される分子
にしたとき、該分子のイオン化ポテンシャル（以下、Ｉ
ｐと記すことがある。）が、６．０ｅＶ以下であるよう
な側鎖Ａｒ2 −Ｘ−Ａｒ1 −基を選ぶことが好ましい。
イオン化ポテンシャルは、分子内のπ電子が非局在化し
広がっている程度の目安となることから、π電子の広が
りの大きい、イオン化ポテンシャルの小さい分子を側鎖
につけたポリシラン化合物ほど、ホッピングサイトが側
鎖まで広がり、正孔がホッピングサイト間を跳び移る確
率が高くなることから好ましい。イオン化ポテンシャル
が６．０ｅＶより高いと、ホッピングサイトの側鎖への
広がりが十分でなく、正孔がホッピングサイト間を跳び
移る確率が高くならず、正孔ドリフト移動度が向上し難
い。本発明のポリシラン化合物およびジハロシランの特
徴である、一般式（１）で表される繰り返し構造単位お
よび一般式（６）で表されるジハロシラン中の側鎖Ａｒ
2 −Ｘ−Ａｒ1 −基の具体例をつぎに記すが、これらの
基に限定されるものではない。式中、Ｗは酸素原子
（Ｏ）または硫黄原子（Ｓ）を表し、Ｒ1 〜Ｒ9はそれ
ぞれ独立にメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソ
プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒ
ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシ
ル基等を表わす。また、ｍは０または１の整数、ｎは０
から２までの整数、ｏは０から３までの整数、ｐは０か
ら４までの整数、ｑは０から５までの整数を表わす。
記一般式（１）におけるものを表す。）で表される分子
にしたとき、該分子のイオン化ポテンシャル（以下、Ｉ
ｐと記すことがある。）が、６．０ｅＶ以下であるよう
な側鎖Ａｒ2 −Ｘ−Ａｒ1 −基を選ぶことが好ましい。
イオン化ポテンシャルは、分子内のπ電子が非局在化し
広がっている程度の目安となることから、π電子の広が
りの大きい、イオン化ポテンシャルの小さい分子を側鎖
につけたポリシラン化合物ほど、ホッピングサイトが側
鎖まで広がり、正孔がホッピングサイト間を跳び移る確
率が高くなることから好ましい。イオン化ポテンシャル
が６．０ｅＶより高いと、ホッピングサイトの側鎖への
広がりが十分でなく、正孔がホッピングサイト間を跳び
移る確率が高くならず、正孔ドリフト移動度が向上し難
い。本発明のポリシラン化合物およびジハロシランの特
徴である、一般式（１）で表される繰り返し構造単位お
よび一般式（６）で表されるジハロシラン中の側鎖Ａｒ
2 −Ｘ−Ａｒ1 −基の具体例をつぎに記すが、これらの
基に限定されるものではない。式中、Ｗは酸素原子
（Ｏ）または硫黄原子（Ｓ）を表し、Ｒ1 〜Ｒ9はそれ
ぞれ独立にメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソ
プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒ
ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシ
ル基等を表わす。また、ｍは０または１の整数、ｎは０
から２までの整数、ｏは０から３までの整数、ｐは０か
ら４までの整数、ｑは０から５までの整数を表わす。
【００５７】
【化１７】
【００５８】
【化１８】
【００５９】
【化１９】
【００６０】
【化２０】
【００６１】
【化２１】
【００６２】
【化２２】
【００６３】本発明のポリシラン化合物の一般式（５）
で示される繰り返し構造単位および本発明の一般式
（７）で示されるジハロシラン中のＲ7 およびＲ8 はそ
れぞれ独立に、好ましくは、置換されていてもよい１〜
１０個の炭素原子を有する直鎖状、分岐状のアルキル基
または環状のシクロアルキル基、６〜２４個の炭素原子
を有するアリール基、７〜２６個の炭素原子を有するア
ラルキル基を示す。
で示される繰り返し構造単位および本発明の一般式
（７）で示されるジハロシラン中のＲ7 およびＲ8 はそ
れぞれ独立に、好ましくは、置換されていてもよい１〜
１０個の炭素原子を有する直鎖状、分岐状のアルキル基
または環状のシクロアルキル基、６〜２４個の炭素原子
を有するアリール基、７〜２６個の炭素原子を有するア
ラルキル基を示す。
【００６４】具体例としては、例えば、アルキル基とし
て、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブ
チル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシ
ル基等が、シクロアルキル基としては、シクロヘキシル
基等が、アリール基としては、フェニル基、ナフチル
基、アンスリル基、ビフェニル基等が、アラルキル基と
しては、ベンジル基、フェネチル基、ｐ−メチルベンジ
ル基等が挙げられる。
て、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブ
チル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシ
ル基等が、シクロアルキル基としては、シクロヘキシル
基等が、アリール基としては、フェニル基、ナフチル
基、アンスリル基、ビフェニル基等が、アラルキル基と
しては、ベンジル基、フェネチル基、ｐ−メチルベンジ
ル基等が挙げられる。
【００６５】置換されていてもよいアルキル基、シクロ
アルキル基、アリール基およびアラルキル基の置換基と
しては、好ましくは、１〜６個の炭素原子を有する直鎖
状、分岐状のアルキル基または環状のシクロアルキル基
で、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イ
ソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅ
ｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキ
シル基等を挙げることができる。
アルキル基、アリール基およびアラルキル基の置換基と
しては、好ましくは、１〜６個の炭素原子を有する直鎖
状、分岐状のアルキル基または環状のシクロアルキル基
で、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イ
ソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅ
ｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキ
シル基等を挙げることができる。
【００６６】本発明のポリシラン化合物の一般式（１）
で示される繰り返し構造単位および本発明の一般式
（６）で示されるジハロシランにおいて、Ｘは一般式
（２）で表わされる窒素原子を含む基であることが好ま
しく、かつ、Ｒ2 は置換されていてもよいフェニル基、
Ａｒ1 が置換されていてもよいフェニレン基、Ａｒ2 が
置換されていてもよいフェニル基であることが好まし
い。
で示される繰り返し構造単位および本発明の一般式
（６）で示されるジハロシランにおいて、Ｘは一般式
（２）で表わされる窒素原子を含む基であることが好ま
しく、かつ、Ｒ2 は置換されていてもよいフェニル基、
Ａｒ1 が置換されていてもよいフェニレン基、Ａｒ2 が
置換されていてもよいフェニル基であることが好まし
い。
【００６７】また、Ｘが一般式（２）である本発明のポ
リシラン化合物およびジハロシランにおいて、Ｒ2 は置
換されていてもよいフェニル基、Ａｒ1 が置換されてい
てもよいフェニレン基、Ａｒ2 が一般式（３）で表わさ
れるポリシラン化合物であり、かつ、一般式（３）にお
いて、Ａｒ3 が置換されていてもよいフェニレン基、ま
たはビフェニレン基、Ｒ3 およびＲ4 がそれぞれ独立に
置換されていてもよいフェニル基であることが好まし
い。
リシラン化合物およびジハロシランにおいて、Ｒ2 は置
換されていてもよいフェニル基、Ａｒ1 が置換されてい
てもよいフェニレン基、Ａｒ2 が一般式（３）で表わさ
れるポリシラン化合物であり、かつ、一般式（３）にお
いて、Ａｒ3 が置換されていてもよいフェニレン基、ま
たはビフェニレン基、Ｒ3 およびＲ4 がそれぞれ独立に
置換されていてもよいフェニル基であることが好まし
い。
【００６８】また、Ｘが一般式（２）である本発明のポ
リシラン化合物およびジハロシランにおいて、Ｒ2 は置
換されていてもよいフェニル基、Ａｒ1 が置換されてい
てもよいフェニレン基、Ａｒ2 が一般式（４）で表わさ
れるポリシラン化合物であり、かつ、一般式（４）にお
いて、Ａｒ4 が置換されていてもよいフェニレン基、Ａ
ｒ5 が置換されていてもよいフェニル基であることが好
ましい。
リシラン化合物およびジハロシランにおいて、Ｒ2 は置
換されていてもよいフェニル基、Ａｒ1 が置換されてい
てもよいフェニレン基、Ａｒ2 が一般式（４）で表わさ
れるポリシラン化合物であり、かつ、一般式（４）にお
いて、Ａｒ4 が置換されていてもよいフェニレン基、Ａ
ｒ5 が置換されていてもよいフェニル基であることが好
ましい。
【００６９】また、本発明のポリシラン化合物の一般式
（１）で示される繰り返し構造単位および本発明の一般
式（６）で示されるジハロシランにおいて、Ｘが酸素原
子または硫黄原子である場合、Ａｒ1 が置換されていて
もよいフェニレン基、Ａｒ2が置換されていてもよいフ
ェニル基であることが好ましい。
（１）で示される繰り返し構造単位および本発明の一般
式（６）で示されるジハロシランにおいて、Ｘが酸素原
子または硫黄原子である場合、Ａｒ1 が置換されていて
もよいフェニレン基、Ａｒ2が置換されていてもよいフ
ェニル基であることが好ましい。
【００７０】本発明のポリシラン化合物の繰り返し構造
単位（１）と繰り返し構造単位（５）の総単位数に対す
る繰り返し構造単位（１）および繰り返し構造単位
（５）の単位数の比をそれぞれｚおよび１−ｚとしたと
き、ｚは０．２≦ｚ≦１、好ましくは、０．５≦ｚ≦１
の範囲、特に好ましくは、ｚ＝１のものである。ｚが
０．２未満の場合は、繰り返し構造単位（１）の側鎖の
アリーレン基、Ｘおよびアリール基の奏する効果が小さ
くなり、正孔ドリフト移動度の向上がみられないことか
ら好ましくない。
単位（１）と繰り返し構造単位（５）の総単位数に対す
る繰り返し構造単位（１）および繰り返し構造単位
（５）の単位数の比をそれぞれｚおよび１−ｚとしたと
き、ｚは０．２≦ｚ≦１、好ましくは、０．５≦ｚ≦１
の範囲、特に好ましくは、ｚ＝１のものである。ｚが
０．２未満の場合は、繰り返し構造単位（１）の側鎖の
アリーレン基、Ｘおよびアリール基の奏する効果が小さ
くなり、正孔ドリフト移動度の向上がみられないことか
ら好ましくない。
【００７１】本発明のポリシラン化合物は、一分子中の
平均繰り返し構造単位数を、下記数式（１）
平均繰り返し構造単位数を、下記数式（１）
【数２】 （式中、ｉ、ｋは一分子中の繰り返し構造単位数、ｆi
はｉ個の繰り返し構造単位を持つ分子の度数を表す）を
満たすｋ（以下、ＤＰ50と記すことがある）としたと
き、ｋは、好ましくは７０以上、より好ましくは１００
以上、最も好ましくは５００以上である。７０未満の場
合は、ホッピングサイトとなる平面ジグザグ構造にＳｉ
原子がつながった領域が安定に存在できないため、正孔
ドリフト移動度の向上がみられないことから好ましくな
い。また、高分子の特徴である成形性が著しく低下する
ことからも好ましくない。
はｉ個の繰り返し構造単位を持つ分子の度数を表す）を
満たすｋ（以下、ＤＰ50と記すことがある）としたと
き、ｋは、好ましくは７０以上、より好ましくは１００
以上、最も好ましくは５００以上である。７０未満の場
合は、ホッピングサイトとなる平面ジグザグ構造にＳｉ
原子がつながった領域が安定に存在できないため、正孔
ドリフト移動度の向上がみられないことから好ましくな
い。また、高分子の特徴である成形性が著しく低下する
ことからも好ましくない。
【００７２】上記のような本発明のポリシラン化合物
は、１０-4〜１０-1ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃの正孔ドリフト移
動度を有する。また、Ｘが一般式（２）で表され、ｋが
７０以上である本発明のポリシラン化合物は、１０-3〜
１０-1ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃの従来にない高いレベルの正孔
ドリフト移動度を達成することができるので特に好まし
い。
は、１０-4〜１０-1ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃの正孔ドリフト移
動度を有する。また、Ｘが一般式（２）で表され、ｋが
７０以上である本発明のポリシラン化合物は、１０-3〜
１０-1ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃの従来にない高いレベルの正孔
ドリフト移動度を達成することができるので特に好まし
い。
【００７３】本発明のポリシラン化合物は、酸素および
水分を除去した高純度の不活性化雰囲気下、例えば、高
純度アルゴンガス雰囲気下で、前記一般式（６）で表さ
れる本発明のジハロシラン、または前記一般式（６）で
表される本発明のジハロシランおよび前記一般式（７）
で表されるジハロシランの混合物を、不活性溶媒中でア
ルカリ金属に接触させて縮重合反応させることにより得
られる。
水分を除去した高純度の不活性化雰囲気下、例えば、高
純度アルゴンガス雰囲気下で、前記一般式（６）で表さ
れる本発明のジハロシラン、または前記一般式（６）で
表される本発明のジハロシランおよび前記一般式（７）
で表されるジハロシランの混合物を、不活性溶媒中でア
ルカリ金属に接触させて縮重合反応させることにより得
られる。
【００７４】ジハロシランの混合物を不活性溶媒中でア
ルカリ金属に接触させて縮重合反応させる方法として
は、不活性溶媒に該アルカリ金属を分散させた懸濁液中
に、該ジハロシランを不活性溶媒に溶解した溶液を滴下
することにより、ジハロシランを縮重合反応させる方
法、ジハロシランを不活性溶媒に溶解した溶液中に、該
アルカリ金属の懸濁液を滴下することにより、ジハロシ
ランを縮重合反応させる方法のいずれも用いることがで
きるが、高い正孔ドリフト移動度を有する高分子量のポ
リシラン化合物を合成するには、ジハロシランの不活性
溶媒溶液中にアルカリ金属の懸濁液を滴下することによ
り、ジハロシランを縮重合反応させる方法が好ましい。
ルカリ金属に接触させて縮重合反応させる方法として
は、不活性溶媒に該アルカリ金属を分散させた懸濁液中
に、該ジハロシランを不活性溶媒に溶解した溶液を滴下
することにより、ジハロシランを縮重合反応させる方
法、ジハロシランを不活性溶媒に溶解した溶液中に、該
アルカリ金属の懸濁液を滴下することにより、ジハロシ
ランを縮重合反応させる方法のいずれも用いることがで
きるが、高い正孔ドリフト移動度を有する高分子量のポ
リシラン化合物を合成するには、ジハロシランの不活性
溶媒溶液中にアルカリ金属の懸濁液を滴下することによ
り、ジハロシランを縮重合反応させる方法が好ましい。
【００７５】ジハロシランの不活性溶媒溶液中にアルカ
リ金属の懸濁液を滴下させてジハロシランを縮重合反応
させることにより、低分子量成分の生成が抑えられ高分
子量のポリシラン化合物を得ることができる。
リ金属の懸濁液を滴下させてジハロシランを縮重合反応
させることにより、低分子量成分の生成が抑えられ高分
子量のポリシラン化合物を得ることができる。
【００７６】ここで、本発明のジハロシランのハロゲン
原子としては、最も一般的に用いられる塩素原子の他
に、臭素原子やヨウ素原子を用いることもできる。
原子としては、最も一般的に用いられる塩素原子の他
に、臭素原子やヨウ素原子を用いることもできる。
【００７７】本発明で用いられるアルカリ金属として
は、リチウム、ナトリウム、カリウムおよびこれらの合
金を挙げることができる。これらのアルカリ金属は、好
ましくは微粒子、さらに好ましくは平均粒径１００μｍ
以下の微粒子、特に好ましくは平均粒径５０μｍ以下の
微粒子に分散させて用いる。
は、リチウム、ナトリウム、カリウムおよびこれらの合
金を挙げることができる。これらのアルカリ金属は、好
ましくは微粒子、さらに好ましくは平均粒径１００μｍ
以下の微粒子、特に好ましくは平均粒径５０μｍ以下の
微粒子に分散させて用いる。
【００７８】アルカリ金属を、微粒子または好ましくは
平均粒径１００μｍ以下の微粒子に分散させて用いるこ
とにより、立体的に大きな側鎖を有する高分子量のポリ
シラン化合物を得ることができる。
平均粒径１００μｍ以下の微粒子に分散させて用いるこ
とにより、立体的に大きな側鎖を有する高分子量のポリ
シラン化合物を得ることができる。
【００７９】アルカリ金属を、微粒子または好ましくは
平均粒径１００μｍ以下の微粒子に分散させる方法は特
に限定されず、不活性溶媒中でアルカリ金属を溶融させ
機械撹拌する方法、または不活性溶媒中でアルカリ金属
を溶融させ超音波を照射する方法等が挙げられるが、平
均粒径１００μｍ以下の微粒子に分散させるには、不活
性溶媒中でアルカリ金属を溶融させ超音波を照射する方
法が好ましい。
平均粒径１００μｍ以下の微粒子に分散させる方法は特
に限定されず、不活性溶媒中でアルカリ金属を溶融させ
機械撹拌する方法、または不活性溶媒中でアルカリ金属
を溶融させ超音波を照射する方法等が挙げられるが、平
均粒径１００μｍ以下の微粒子に分散させるには、不活
性溶媒中でアルカリ金属を溶融させ超音波を照射する方
法が好ましい。
【００８０】また、溶媒は、ジハロシランモノマーを溶
解することが可能であり、アルカリ金属とジハロシラン
モノマーに対して不活性な溶媒であれば特に限定され
ず、例えば、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族
炭化水素類、ドデカン、ヘプタン、ヘキサン、シクロヘ
キサン等の脂肪族炭化水素類、ジエチルエーテル、テト
ラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル、ジオキサン等のエーテル系溶
媒が使用可能である。
解することが可能であり、アルカリ金属とジハロシラン
モノマーに対して不活性な溶媒であれば特に限定され
ず、例えば、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族
炭化水素類、ドデカン、ヘプタン、ヘキサン、シクロヘ
キサン等の脂肪族炭化水素類、ジエチルエーテル、テト
ラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル、ジオキサン等のエーテル系溶
媒が使用可能である。
【００８１】縮合反応は室温から溶媒の沸点の間の温度
で行なうことが可能であり、反応時間は１５分から１０
０時間と特に制限はない。
で行なうことが可能であり、反応時間は１５分から１０
０時間と特に制限はない。
【００８２】Ｋｉｐｐｉｎｇ法に供することのできる、
種々の置換基を有する本発明のジハロシランモノマーは
公知の合成法に基づいて合成することができる。すなわ
ち、いわゆる直接法によって工業的に生産されるアルキ
ルトリクロロシランやテトラクロロシランと有機化合物
のグリニャール試剤やリチウム試剤を用いたメタセシス
反応やヒドロシランとオレフィンやアセチレン化合物の
ヒドロシリル化反応により得ることができる。
種々の置換基を有する本発明のジハロシランモノマーは
公知の合成法に基づいて合成することができる。すなわ
ち、いわゆる直接法によって工業的に生産されるアルキ
ルトリクロロシランやテトラクロロシランと有機化合物
のグリニャール試剤やリチウム試剤を用いたメタセシス
反応やヒドロシランとオレフィンやアセチレン化合物の
ヒドロシリル化反応により得ることができる。
【００８３】
【実施例】以下、実施例により本発明をより詳しく説明
するが、本発明は本実施例に制限されるものではない。
するが、本発明は本実施例に制限されるものではない。
【００８４】ポリマーの分子量は ゲルパーミエーショ
ンクロマトグラフ（Ｗａｔｅｒｓ社、Ｍａｘｉｍａ−８
２０、カラム Ｕｌｔｒａｓｔｙｒａｇｅｌ Ｌｉｎｅ
ａｒ：移動相テトラヒドロフラン、以下、ＧＰＣと記す
ることがある）を用いて測定した。構造解析は 1Ｈ−Ｎ
ＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ（Ｂｒｕｋｅｒ社モデルＡＣ２００
Ｐ）を用いて行なった。
ンクロマトグラフ（Ｗａｔｅｒｓ社、Ｍａｘｉｍａ−８
２０、カラム Ｕｌｔｒａｓｔｙｒａｇｅｌ Ｌｉｎｅ
ａｒ：移動相テトラヒドロフラン、以下、ＧＰＣと記す
ることがある）を用いて測定した。構造解析は 1Ｈ−Ｎ
ＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ（Ｂｒｕｋｅｒ社モデルＡＣ２００
Ｐ）を用いて行なった。
【００８５】正孔ドリフト移動度は、既知の方法、例え
ば、スタンダードタイムオブフライト法により測定する
ことができる（ F.K. Dolezalek, Photoconductivity
andRelated Phenomena, Eds. J. Mort & D.M. Pai (New
York) Chap. 2 (1976)p27 ）。イオン化ポテンシャル
は測定した酸化電位（Ｅｏｘ）から下記式より求めた。 Ｉｐ（ｅＶ）＝Ｅｏｘ＋Ａｇ／ＡｇＣｌ参照電極電位
（０．１９６）＋標準水素電極電位（４．５） 酸化電位は、被測定材料０．１ｍｍｏｌのジクロロメタ
ン溶液（支持電解質：０．１ｍｏｌテトラフルオロほう
酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム）のサイクリックボ
ルタンメトリー（株式会社東方技研製自動評価システ
ム：POTENTIOSTAT/GALVANOSTAT 2000、FUNCTION GENERA
TOR FG−02、作用電極、対抗電極：白金、参照電極：Ａ
ｇ／ＡｇＣｌ電極、掃引速度：５０ｍＶ／ｓｅｃ）によ
り、ボルタモグラムの半波電位から求めた。
ば、スタンダードタイムオブフライト法により測定する
ことができる（ F.K. Dolezalek, Photoconductivity
andRelated Phenomena, Eds. J. Mort & D.M. Pai (New
York) Chap. 2 (1976)p27 ）。イオン化ポテンシャル
は測定した酸化電位（Ｅｏｘ）から下記式より求めた。 Ｉｐ（ｅＶ）＝Ｅｏｘ＋Ａｇ／ＡｇＣｌ参照電極電位
（０．１９６）＋標準水素電極電位（４．５） 酸化電位は、被測定材料０．１ｍｍｏｌのジクロロメタ
ン溶液（支持電解質：０．１ｍｏｌテトラフルオロほう
酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム）のサイクリックボ
ルタンメトリー（株式会社東方技研製自動評価システ
ム：POTENTIOSTAT/GALVANOSTAT 2000、FUNCTION GENERA
TOR FG−02、作用電極、対抗電極：白金、参照電極：Ａ
ｇ／ＡｇＣｌ電極、掃引速度：５０ｍＶ／ｓｅｃ）によ
り、ボルタモグラムの半波電位から求めた。
【００８６】実施例１ メチル（４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル）
ジクロロシランの合成 特に記載しない場合、反応は通常言われるシュレンク法
に基づいて乾燥アルゴン雰囲気下で行なうものとする。
２００℃で乾燥し熱いうちに組み上げ、ラバーセプタ
ム、ガス導入管を装着した。真空引きと乾燥アルゴン充
填を繰り返しながら冷却し、乾燥アルゴンを満たした１
００ｍｌの二つ口フラスコに、４．７ｇの４−（Ｎ，Ｎ
−ジフェニルアミノ）ブロモベンゼンを入れ、真空下で
溶融乾燥した。これに直前に金属ナトリウム上で蒸留し
た乾燥テトラヒドロフラン２０ｍｌをガスタイトシリン
ジを用いて加え４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）ブロ
モベンゼンを溶解した後、−７８℃でｎ−ブチルリチウ
ム（Ａｌｄｒｉｃｈ社製、１．６Ｎ ヘキサン溶液）
９．４ｍｌを滴下し１時間反応させて、４−（Ｎ，Ｎ−
ジフェニルアミノ）フェニルリチウムを生成した。
ジクロロシランの合成 特に記載しない場合、反応は通常言われるシュレンク法
に基づいて乾燥アルゴン雰囲気下で行なうものとする。
２００℃で乾燥し熱いうちに組み上げ、ラバーセプタ
ム、ガス導入管を装着した。真空引きと乾燥アルゴン充
填を繰り返しながら冷却し、乾燥アルゴンを満たした１
００ｍｌの二つ口フラスコに、４．７ｇの４−（Ｎ，Ｎ
−ジフェニルアミノ）ブロモベンゼンを入れ、真空下で
溶融乾燥した。これに直前に金属ナトリウム上で蒸留し
た乾燥テトラヒドロフラン２０ｍｌをガスタイトシリン
ジを用いて加え４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）ブロ
モベンゼンを溶解した後、−７８℃でｎ−ブチルリチウ
ム（Ａｌｄｒｉｃｈ社製、１．６Ｎ ヘキサン溶液）
９．４ｍｌを滴下し１時間反応させて、４−（Ｎ，Ｎ−
ジフェニルアミノ）フェニルリチウムを生成した。
【００８７】同様に乾燥した１００ｍｌの二つ口フラス
コに直前に水素化カルシウム上で蒸留したメチルトリク
ロロシラン（信越化学製、ＬＳ−４０）３．８ｇと乾燥
テトラヒドロフラン１０ｍｌを入れ、−７８℃に冷却し
たのち前記の４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニ
ルリチウムをテフロン製カニューラを用いて滴下した。
滴下後、一晩反応を行なった後、過剰のメチルトリクロ
ロシランと溶媒を留去し、Ｋｕｇｅｌｒｏｈｒを用いて
減圧蒸留（２２０℃／０．３ｍｍＨｇ）して、２．１ｇ
（収率：４５％）の無色透明で粘稠な液体を得た。核磁
気共鳴吸収スペクトル（ＮＭＲ）ならびにマススペクト
ル（ＧＣ−ＭＳ）の結果から、この液体はメチル（４−
（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル）ジクロロシラ
ンであることを確認した。
コに直前に水素化カルシウム上で蒸留したメチルトリク
ロロシラン（信越化学製、ＬＳ−４０）３．８ｇと乾燥
テトラヒドロフラン１０ｍｌを入れ、−７８℃に冷却し
たのち前記の４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニ
ルリチウムをテフロン製カニューラを用いて滴下した。
滴下後、一晩反応を行なった後、過剰のメチルトリクロ
ロシランと溶媒を留去し、Ｋｕｇｅｌｒｏｈｒを用いて
減圧蒸留（２２０℃／０．３ｍｍＨｇ）して、２．１ｇ
（収率：４５％）の無色透明で粘稠な液体を得た。核磁
気共鳴吸収スペクトル（ＮＭＲ）ならびにマススペクト
ル（ＧＣ−ＭＳ）の結果から、この液体はメチル（４−
（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル）ジクロロシラ
ンであることを確認した。
【００８８】構造解析データ（ＮＭＲ）1 Ｈ−ＮＭＲ ０．８５ｐｐｍ（１本：３Ｈ） ＣＨ3 −Ｓｉ ６．９〜７．４ｐｐｍ（１１本：１４Ｈ） （Ｃ6 Ｈ5 ）Ｎ（Ｃ6 Ｈ4 ）−Ｓｉ （ジオキサン３．５７ｐｐｍ基準）13 Ｃ−ＮＭＲ ５．７ｐｐｍ（１本） ＣＨ3 −Ｓｉ １２１〜１５１ｐｐｍ（８本） （Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｎ（Ｃ6 Ｈ4 ）−Ｓｉ （重クロロホルム７７．１ｐｐｍ基準）
【００８９】構造解析データ（ＧＣ−ＭＳ） ＧＣ−ＭＳ ｍ／ｅ：Ｍ+ （ピーク強度）３４９（１）
３３４（０．４） ２４５（０．３） １６７（０．５） Ｍｅ（ＭｅＯ）2 Ｓｉ（Ｃ6 Ｈ4 ）Ｎ（Ｃ6 Ｈ5 ）2 に
転換後測定した。
３３４（０．４） ２４５（０．３） １６７（０．５） Ｍｅ（ＭｅＯ）2 Ｓｉ（Ｃ6 Ｈ4 ）Ｎ（Ｃ6 Ｈ5 ）2 に
転換後測定した。
【００９０】実施例２ ポリ（メチル（４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェ
ニル）シラン）の合成 実施例１と同じ操作で乾燥した５０ｍｌの三つ口フラス
コに乾燥窒素雰囲気下で金属ナトリウム０．５５ｇを入
れ、金属ナトリウム上で乾燥し直前に蒸留したトルエン
１５ｍｌを加えた。このフラスコを乾燥アルゴン流通
下、超音波分散器（Ｂｒａｎｓｏｎ社製４５０型）にセ
ットし、９８℃〜１０５℃に加熱しながら超音波を照射
し、金属ナトリウムを平均粒径で５０μｍに分散した。
分散後、トルエンを留去し、新たに乾燥トルエン３ｍｌ
を加え、金属ナトリウム懸濁液とした。
ニル）シラン）の合成 実施例１と同じ操作で乾燥した５０ｍｌの三つ口フラス
コに乾燥窒素雰囲気下で金属ナトリウム０．５５ｇを入
れ、金属ナトリウム上で乾燥し直前に蒸留したトルエン
１５ｍｌを加えた。このフラスコを乾燥アルゴン流通
下、超音波分散器（Ｂｒａｎｓｏｎ社製４５０型）にセ
ットし、９８℃〜１０５℃に加熱しながら超音波を照射
し、金属ナトリウムを平均粒径で５０μｍに分散した。
分散後、トルエンを留去し、新たに乾燥トルエン３ｍｌ
を加え、金属ナトリウム懸濁液とした。
【００９１】上記の金属ナトリウム懸濁液の入ったフラ
スコに、磁気撹拌子、熱電対、ラバーセプタムを装着
し、６５℃に昇温した。フラスコの内温が安定すると同
時に、実施例１で合成したメチル（４−（Ｎ，Ｎ−ジフ
ェニルアミノ）フェニル）ジクロロシラン３．３ｇの乾
燥トルエン溶液６ｍｌをガスタイトシリンジを用い約１
６分間かけて滴下した。滴下後、反応熱でフラスコ内の
温度は一時的に１０９℃まで上昇した。滴下終了後６５
℃で４時間反応させ、その後フラスコを８０℃に昇温
し、２２時間反応を行なった。
スコに、磁気撹拌子、熱電対、ラバーセプタムを装着
し、６５℃に昇温した。フラスコの内温が安定すると同
時に、実施例１で合成したメチル（４−（Ｎ，Ｎ−ジフ
ェニルアミノ）フェニル）ジクロロシラン３．３ｇの乾
燥トルエン溶液６ｍｌをガスタイトシリンジを用い約１
６分間かけて滴下した。滴下後、反応熱でフラスコ内の
温度は一時的に１０９℃まで上昇した。滴下終了後６５
℃で４時間反応させ、その後フラスコを８０℃に昇温
し、２２時間反応を行なった。
【００９２】反応終了後、アルゴン流通下で２０ｍｌの
トルエンと３ｍｌのイソプロピルアルコールをフラスコ
に加え過剰の金属ナトリウムを失活させた。沈殿物を遠
心分離操作で分離、トルエンで２回洗浄し可溶物をトル
エン溶液として回収した。トルエン溶液を水洗し無水硫
酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去し透明の樹脂
状物質２．８６ｇを得た。
トルエンと３ｍｌのイソプロピルアルコールをフラスコ
に加え過剰の金属ナトリウムを失活させた。沈殿物を遠
心分離操作で分離、トルエンで２回洗浄し可溶物をトル
エン溶液として回収した。トルエン溶液を水洗し無水硫
酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去し透明の樹脂
状物質２．８６ｇを得た。
【００９３】得られた樹脂状物質をテトラヒドロフラン
に溶解、イソプロピルアルコールで再沈する操作を繰り
返し、精製ポリマー０．５２ｇを得た。ポリマーの分子
量分布をＧＰＣを用いて測定した結果、高分子量のポリ
シラン化合物が得られたことが確認できた。ＮＭＲの結
果は、ポリ（メチル（４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミ
ノ）フェニル）シラン）に対応するものであった。
に溶解、イソプロピルアルコールで再沈する操作を繰り
返し、精製ポリマー０．５２ｇを得た。ポリマーの分子
量分布をＧＰＣを用いて測定した結果、高分子量のポリ
シラン化合物が得られたことが確認できた。ＮＭＲの結
果は、ポリ（メチル（４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミ
ノ）フェニル）シラン）に対応するものであった。
【００９４】構造解析データ1 Ｈ−ＮＭＲ −０．８〜０．６ｐｐｍ（３Ｈ） ＣＨ3 −Ｓｉ ６．２〜７．４ｐｐｍ（１４Ｈ） （Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｎ（Ｃ6 Ｈ4 ）−Ｓｉ 積分比 芳香族／ＣＨ3 ＝１４．１／３．０ （ジオキサン３．５７ｐｐｍ基準）
【００９５】分子量 重量平均分子量（Ｍｗ）＝３．９×１０5 数平均分子量（Ｍｎ）＝４．０×１０3 Ｍｗ／Ｍｎ＝９８ ＤＰ50＝１８ 収率 ２０％（０．５２ｇ）
【００９６】上記のようにして合成したポリシラン化合
物０．１ｇを脱水トルエン１．９ｇに溶解し５重量％の
トルエン溶液にした。このトルエン溶液を０．２μｍの
メンブランフィルターで濾過し塗布液とした。この塗布
液を、透明導電膜（ＩＴＯ）を堆積したガラス基板上
に、真空蒸着法により金属セレンを膜厚０．２μｍに蒸
着して電荷発生層を形成し、その上に上記塗布液をスピ
ンコート法により膜厚４．２μｍに塗布してポリシラン
化合物正孔輸送層を形成した。さらに、ポリシラン化合
物正孔輸送層の上に真空蒸着法により金電極を蒸着し、
タイムオブフライト測定用の試料とした。
物０．１ｇを脱水トルエン１．９ｇに溶解し５重量％の
トルエン溶液にした。このトルエン溶液を０．２μｍの
メンブランフィルターで濾過し塗布液とした。この塗布
液を、透明導電膜（ＩＴＯ）を堆積したガラス基板上
に、真空蒸着法により金属セレンを膜厚０．２μｍに蒸
着して電荷発生層を形成し、その上に上記塗布液をスピ
ンコート法により膜厚４．２μｍに塗布してポリシラン
化合物正孔輸送層を形成した。さらに、ポリシラン化合
物正孔輸送層の上に真空蒸着法により金電極を蒸着し、
タイムオブフライト測定用の試料とした。
【００９７】この試料に透明電極側から、窒素レーザー
励起式色素レーザー（レーザーフォトニクス社製、窒素
レーザー励起色素レーザー、モデルＬＮ１０００／ＬＮ
１０２）を用いてフラッシュ光（波長：４８１ｎｍ、フ
ラッシュ時問：１ｎｓｅｃ）を当て、通常のタイムオブ
フライト法により正孔ドリフト移動度を測定した。光電
流の測定には、ヒューレットパッカード社製ディジタイ
ジングオシロスコープ、モデル５４７１０Ａ／５４７１
３Ａを用いた。その結果、室温（２５℃）、印加電圧２
１０Ｖ（電界強度：０．５ＭＶ／ｃｍ）において、正孔
ドリフト移動度１×１０-4ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃが得られ
た。
励起式色素レーザー（レーザーフォトニクス社製、窒素
レーザー励起色素レーザー、モデルＬＮ１０００／ＬＮ
１０２）を用いてフラッシュ光（波長：４８１ｎｍ、フ
ラッシュ時問：１ｎｓｅｃ）を当て、通常のタイムオブ
フライト法により正孔ドリフト移動度を測定した。光電
流の測定には、ヒューレットパッカード社製ディジタイ
ジングオシロスコープ、モデル５４７１０Ａ／５４７１
３Ａを用いた。その結果、室温（２５℃）、印加電圧２
１０Ｖ（電界強度：０．５ＭＶ／ｃｍ）において、正孔
ドリフト移動度１×１０-4ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃが得られ
た。
【００９８】実施例３ ポリ（メチル（４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェ
ニル）シラン）の合成 実施例１と同様にして乾燥した５０ｍｌの三つ口フラス
コに乾燥窒素雰囲気下で金属ナトリウム０．６ｇを入
れ、金属ナトリウム上で乾燥し直前に蒸留したトルエン
１０ｍｌを加えた。このフラスコを乾燥アルゴン流通
下、超音波分散器にセットし、９８℃〜１０５℃に加熱
しながら超音波を照射し、金属ナトリウムを平均粒径で
５０μｍに分散し金属ナトリウム懸濁液とした。
ニル）シラン）の合成 実施例１と同様にして乾燥した５０ｍｌの三つ口フラス
コに乾燥窒素雰囲気下で金属ナトリウム０．６ｇを入
れ、金属ナトリウム上で乾燥し直前に蒸留したトルエン
１０ｍｌを加えた。このフラスコを乾燥アルゴン流通
下、超音波分散器にセットし、９８℃〜１０５℃に加熱
しながら超音波を照射し、金属ナトリウムを平均粒径で
５０μｍに分散し金属ナトリウム懸濁液とした。
【００９９】上記の金属ナトリウム懸濁液の入ったフラ
スコに、磁気撹拌子、熱電対、ラバーセプタムを装着
し、６２℃に昇温した。フラスコの内温が安定すると同
時に、実施例１と同様にして合成し、直前に蒸留したメ
チル（４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル）ジ
クロロシラン２．１ｇの乾燥トルエン溶液９ｍｌをガス
タイトシリンジを用い約１０分間かけて滴下した。滴下
後、反応熱でフラスコ内の温度は一時的に９０℃まで上
昇した。滴下終了とともにフラスコを８５℃に昇温し、
１０時間反応を行なった。
スコに、磁気撹拌子、熱電対、ラバーセプタムを装着
し、６２℃に昇温した。フラスコの内温が安定すると同
時に、実施例１と同様にして合成し、直前に蒸留したメ
チル（４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル）ジ
クロロシラン２．１ｇの乾燥トルエン溶液９ｍｌをガス
タイトシリンジを用い約１０分間かけて滴下した。滴下
後、反応熱でフラスコ内の温度は一時的に９０℃まで上
昇した。滴下終了とともにフラスコを８５℃に昇温し、
１０時間反応を行なった。
【０１００】反応終了後、アルゴン流通下でトルエンと
イソプロピルアルコールをフラスコに加え過剰の金属ナ
トリウムを失活させ、さらに蒸留水を加えて紫色の沈殿
を溶解した。トルエン相を分離し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥した後、溶媒を留去し、透明の樹脂状物質１．
６５ｇを得た。得られた樹脂状物質をテトラヒドロフラ
ンに溶解、イソプロピルアルコールで再沈する操作を繰
り返し、精製ポリマー０．２５ｇを得た。ポリマーの分
子量分布をＧＰＣを用いて測定した結果、高分子量のポ
リシラン化合物が得られたことが確認できた。ＮＭＲな
らびに元素分析の結果は、ポリ（メチル（４−（Ｎ，Ｎ
−ジフェニルアミノ）フェニル）シラン）に対応するも
のであった。
イソプロピルアルコールをフラスコに加え過剰の金属ナ
トリウムを失活させ、さらに蒸留水を加えて紫色の沈殿
を溶解した。トルエン相を分離し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥した後、溶媒を留去し、透明の樹脂状物質１．
６５ｇを得た。得られた樹脂状物質をテトラヒドロフラ
ンに溶解、イソプロピルアルコールで再沈する操作を繰
り返し、精製ポリマー０．２５ｇを得た。ポリマーの分
子量分布をＧＰＣを用いて測定した結果、高分子量のポ
リシラン化合物が得られたことが確認できた。ＮＭＲな
らびに元素分析の結果は、ポリ（メチル（４−（Ｎ，Ｎ
−ジフェニルアミノ）フェニル）シラン）に対応するも
のであった。
【０１０１】構造解析データ1 Ｈ−ＮＭＲ −０．８〜０．８ｐｐｍ（３Ｈ） ＣＨ3 −Ｓｉ ６．９〜７．４ｐｐｍ（１４Ｈ） （Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｎ（Ｃ6 Ｈ4 ）−Ｓｉ 積分比 芳香族／ＣＨ3 ＝１３．７／３．０ （ジオキサン３．５７ｐｐｍ基準） 元素分析（重量％） Ｓｉ Ｃ Ｈ Ｎ 実測値 ８．７ ７９．０ ６．０ ４．８ 予想値 ９．８ ７９．０ ６．０ ５．０
【０１０２】分子量 Ｍｗ＝１．７×１０6 、Ｍｎ＝９．２×１０3 Ｍｗ／Ｍｎ＝１８５ ＤＰ50＝２２００ 収率 １３％（０．２５ｇ）
【０１０３】上記で合成したポリシラン化合物を用い
て、実施例２と同様にして、膜厚４．７μｍのタイムオ
ブフライト測定用試料を作成した。実施例２と同様の方
法により室温（２５℃）、印加電圧２３５Ｖ（電界強
度：０．５ＭＶ／ｃｍ）において、正孔ドリフト移動度
１×１０-3ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃが得られた。
て、実施例２と同様にして、膜厚４．７μｍのタイムオ
ブフライト測定用試料を作成した。実施例２と同様の方
法により室温（２５℃）、印加電圧２３５Ｖ（電界強
度：０．５ＭＶ／ｃｍ）において、正孔ドリフト移動度
１×１０-3ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃが得られた。
【０１０４】比較例１ ポリ（メチル（４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェ
ニル）シラン）の合成 実施例１と同じ操作で乾燥した５０ｍｌの三つ口フラス
コに乾燥窒素雰囲気下で金属ナトリウム０．４７ｇを入
れ、金属ナトリウム上で乾燥し直前に蒸留したトルエン
１５ｍｌを加えた。このフラスコを９８℃〜１０５℃に
加熱しながら超音波を照射し、金属ナトリウムを平均粒
径で５０μｍに分散した。分散後、トルエンを留去し、
新たに乾燥トルエン３ｍｌを加え、金属ナトリウム懸濁
液とした。
ニル）シラン）の合成 実施例１と同じ操作で乾燥した５０ｍｌの三つ口フラス
コに乾燥窒素雰囲気下で金属ナトリウム０．４７ｇを入
れ、金属ナトリウム上で乾燥し直前に蒸留したトルエン
１５ｍｌを加えた。このフラスコを９８℃〜１０５℃に
加熱しながら超音波を照射し、金属ナトリウムを平均粒
径で５０μｍに分散した。分散後、トルエンを留去し、
新たに乾燥トルエン３ｍｌを加え、金属ナトリウム懸濁
液とした。
【０１０５】上記の金属ナトリウム懸濁液の入ったフラ
スコに、磁気撹拌子、熱電対、ラバーセプタムを装着
し、６２℃に昇温した。フラスコの内温が安定すると同
時に、実施例１と同様にして合成したメチル（４−
（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル）ジクロロシラ
ン２．１ｇの乾燥トルエン溶液１０ｍｌをガスタイトシ
リンジを用い約１０分間かけて滴下した。滴下後、反応
熱でフラスコ内の温度は一時的に１０９℃まで上昇し
た。滴下終了後６５℃で４時間反応を行なった。
スコに、磁気撹拌子、熱電対、ラバーセプタムを装着
し、６２℃に昇温した。フラスコの内温が安定すると同
時に、実施例１と同様にして合成したメチル（４−
（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル）ジクロロシラ
ン２．１ｇの乾燥トルエン溶液１０ｍｌをガスタイトシ
リンジを用い約１０分間かけて滴下した。滴下後、反応
熱でフラスコ内の温度は一時的に１０９℃まで上昇し
た。滴下終了後６５℃で４時間反応を行なった。
【０１０６】反応終了後、アルゴン流通下で２０ｍｌの
トルエンと３ｍｌのイソプロピルアルコールをフラスコ
に加え過剰の金属ナトリウムを失活させた。沈殿物を遠
心分離操作で分離、トルエンで２回洗浄し可溶物をトル
エン溶液として回収した。トルエン溶液を水洗し無水硫
酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去し透明の樹脂
状物質１．２２ｇを得た。得られた樹脂状物質をテトラ
ヒドロフランに溶解、イソプロピルアルコールで再沈す
る操作を繰り返し、精製ポリマー０．８５ｇを得た。Ｎ
ＭＲならびに元素分析の結果は、ポリ（メチル（４−
（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル）シラン）に対
応するものであった。
トルエンと３ｍｌのイソプロピルアルコールをフラスコ
に加え過剰の金属ナトリウムを失活させた。沈殿物を遠
心分離操作で分離、トルエンで２回洗浄し可溶物をトル
エン溶液として回収した。トルエン溶液を水洗し無水硫
酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去し透明の樹脂
状物質１．２２ｇを得た。得られた樹脂状物質をテトラ
ヒドロフランに溶解、イソプロピルアルコールで再沈す
る操作を繰り返し、精製ポリマー０．８５ｇを得た。Ｎ
ＭＲならびに元素分析の結果は、ポリ（メチル（４−
（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル）シラン）に対
応するものであった。
【０１０７】構造解析データ1 Ｈ−ＮＭＲ −０．６〜０．８ｐｐｍ（３Ｈ） ＣＨ3 −Ｓｉ ６．３〜７．４ｐｐｍ（１４Ｈ） （Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｎ（Ｃ6 Ｈ4 ）−Ｓｉ 積分比 芳香族／ＣＨ3 ＝１４．３／３．０ （ジオキサン３．５７ｐｐｍ基準）
【０１０８】 元素分析（重量％） Ｓｉ Ｃ Ｈ Ｎ 実測値 ８．７ ７８．７ ６．０ ４．８ 予想値 ９．８ ７９．０ ６．０ ５．０ 分子量 Ｍｗ＝１．２×１０4 、Ｍｎ＝２．５×１０3 Ｍｗ／Ｍｎ＝４．８ ＤＰ50＝７ 収率 ５３％（０．８５ｇ）
【０１０９】上記で合成したポリシラン化合物を用い
て、実施例２と同様にして、膜厚４．０μｍのタイムオ
ブフライト測定用試料を作成した。実施例２と同様の方
法により室温（２５℃）、印加電圧２００Ｖ（電界強
度：０．５ＭＶ／ｃｍ）において、正孔ドリフト移動度
７×１０-5ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃが得られた。
て、実施例２と同様にして、膜厚４．０μｍのタイムオ
ブフライト測定用試料を作成した。実施例２と同様の方
法により室温（２５℃）、印加電圧２００Ｖ（電界強
度：０．５ＭＶ／ｃｍ）において、正孔ドリフト移動度
７×１０-5ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃが得られた。
【０１１０】実施例４ エチル（４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル）
ジクロロシランの合成 実施例１と同じ操作で乾燥した５０ｍｌの三つ口フラス
コに、５．０ｇの４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）ブ
ロモベンゼンを入れ、真空下で溶融乾燥した。これに直
前に金属ナトリウム上で蒸留した乾燥テトラヒドロフラ
ン１４ｍｌをガスタイトシリンジを用いて加え４−
（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）ブロモベンゼンを溶解し
た後、−７８℃でｎ−ブチルリチウム（Ａｌｄｒｉｃｈ
社製、１．６Ｎ ヘキサン溶液）９．６ｍｌを滴下し
２．５時間反応させて、４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミ
ノ）フェニルリチウムを生成した。
ジクロロシランの合成 実施例１と同じ操作で乾燥した５０ｍｌの三つ口フラス
コに、５．０ｇの４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）ブ
ロモベンゼンを入れ、真空下で溶融乾燥した。これに直
前に金属ナトリウム上で蒸留した乾燥テトラヒドロフラ
ン１４ｍｌをガスタイトシリンジを用いて加え４−
（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）ブロモベンゼンを溶解し
た後、−７８℃でｎ−ブチルリチウム（Ａｌｄｒｉｃｈ
社製、１．６Ｎ ヘキサン溶液）９．６ｍｌを滴下し
２．５時間反応させて、４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミ
ノ）フェニルリチウムを生成した。
【０１１１】同様に乾燥した１００ｍｌの二つ口フラス
コに直前に水素化カルシウム上で蒸留したエチルトリク
ロロシラン（信越化学製、ＬＳ−１２０）３．４ｇと乾
燥テトラヒドロフラン１５ｍｌを入れ、−７８℃に冷却
したのち前記の４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェ
ニルリチウムをテフロン製カニューラを用いて滴下し
た。滴下後、一晩反応を行なった後、過剰のエチルトリ
クロロシランと溶媒を留去し、Ｋｕｇｅｌｒｏｈｒを用
いて減圧蒸留（２１０℃／０．３ｍｍＨｇ）して、２．
８ｇ（収率：５０％）の無色透明で粘稠な液体を得た。
核磁気共鳴吸収スペクトル（ＮＭＲ）の結果から、この
液体はエチル（４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェ
ニル）ジクロロシランであることを確認した。
コに直前に水素化カルシウム上で蒸留したエチルトリク
ロロシラン（信越化学製、ＬＳ−１２０）３．４ｇと乾
燥テトラヒドロフラン１５ｍｌを入れ、−７８℃に冷却
したのち前記の４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェ
ニルリチウムをテフロン製カニューラを用いて滴下し
た。滴下後、一晩反応を行なった後、過剰のエチルトリ
クロロシランと溶媒を留去し、Ｋｕｇｅｌｒｏｈｒを用
いて減圧蒸留（２１０℃／０．３ｍｍＨｇ）して、２．
８ｇ（収率：５０％）の無色透明で粘稠な液体を得た。
核磁気共鳴吸収スペクトル（ＮＭＲ）の結果から、この
液体はエチル（４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェ
ニル）ジクロロシランであることを確認した。
【０１１２】構造解析データ（ＮＭＲ）1 Ｈ−ＮＭＲ ０．９７〜１．０６ｐｐｍ（３Ｈ） ＣＨ3 ＣＨ2 −Ｓ
ｉ １．１２〜１．２５ｐｐｍ（２Ｈ） ＣＨ3 ＣＨ2 −Ｓ
ｉ ６．９０〜７．４０ｐｐｍ（１２本：１４Ｈ） （Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｎ（Ｃ6 Ｈ4 ）−Ｓｉ （ジオキサン３．５７ｐｐｍ基準）13 Ｃ−ＮＭＲ ６．４ｐｐｍ ＣＨ3 ＣＨ2 −Ｓｉ １３．３ｐｐｍ ＣＨ3 ＣＨ2 −Ｓｉ １２１〜１５１ｐｐｍ（８本） （Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｎ（Ｃ6 Ｈ4 ）−Ｓｉ （重クロロホルム７７．１ｐｐｍ基準）
ｉ １．１２〜１．２５ｐｐｍ（２Ｈ） ＣＨ3 ＣＨ2 −Ｓ
ｉ ６．９０〜７．４０ｐｐｍ（１２本：１４Ｈ） （Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｎ（Ｃ6 Ｈ4 ）−Ｓｉ （ジオキサン３．５７ｐｐｍ基準）13 Ｃ−ＮＭＲ ６．４ｐｐｍ ＣＨ3 ＣＨ2 −Ｓｉ １３．３ｐｐｍ ＣＨ3 ＣＨ2 −Ｓｉ １２１〜１５１ｐｐｍ（８本） （Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｎ（Ｃ6 Ｈ4 ）−Ｓｉ （重クロロホルム７７．１ｐｐｍ基準）
【０１１３】実施例５ ポリ（エチル（４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェ
ニル）シラン）の合成 実施例２のメチル（４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）
フェニル）ジクロロシランの替わりに、実施例４と同様
にして合成したエチル（４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミ
ノ）フェニル）ジクロロシラン４．３ｇを用い、実施例
２と同様にして合成、精製を行い、精製ポリマー０．３
９ｇを得た。ポリマーの分子量分布をＧＰＣを用いて測
定した結果、高分子量のポリシラン化合物が得られたこ
とが確認できた。ＮＭＲならびに元素分析の結果は、ポ
リ（エチル（４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニ
ル）シラン）に対応するものであった。
ニル）シラン）の合成 実施例２のメチル（４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）
フェニル）ジクロロシランの替わりに、実施例４と同様
にして合成したエチル（４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミ
ノ）フェニル）ジクロロシラン４．３ｇを用い、実施例
２と同様にして合成、精製を行い、精製ポリマー０．３
９ｇを得た。ポリマーの分子量分布をＧＰＣを用いて測
定した結果、高分子量のポリシラン化合物が得られたこ
とが確認できた。ＮＭＲならびに元素分析の結果は、ポ
リ（エチル（４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニ
ル）シラン）に対応するものであった。
【０１１４】構造解析データ1 Ｈ−ＮＭＲ −０．１〜１．５ｐｐｍ（５Ｈ） Ｃ2 Ｈ5 −Ｓｉ ６．２〜７．４ｐｐｍ（１４Ｈ） （Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｎ（Ｃ6 Ｈ4 ）−Ｓｉ 積分比 芳香族／Ｃ2 Ｈ5 ＝１４．１／５．０ （ジオキサン３．５７ｐｐｍ基準） 元素分析（重量％） Ｓｉ Ｃ Ｈ Ｎ 実測値 ８．７ ７９．７ ６．４ ４．７ 予想値 ９．３ ７９．７ ６．４ ４．６
【０１１５】分子量 Ｍｗ＝２．７×１０4 、Ｍｎ＝３．９×１０3 Ｍｗ／Ｍｎ＝６．９ ＤＰ50＝１５ 収率 １６％（０．３９ｇ）
【０１１６】上記で合成したポリシラン化合物を用い
て、実施例２と同様にして、膜厚２．３μｍのタイムオ
ブフライト測定用試料を作成した。実施例２と同様の方
法により室温（２５℃）、印加電圧１１５Ｖ（電界強
度：０．５ＭＶ／ｃｍ）において、正孔ドリフト移動度
７×１０-4ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃが得られた。
て、実施例２と同様にして、膜厚２．３μｍのタイムオ
ブフライト測定用試料を作成した。実施例２と同様の方
法により室温（２５℃）、印加電圧１１５Ｖ（電界強
度：０．５ＭＶ／ｃｍ）において、正孔ドリフト移動度
７×１０-4ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃが得られた。
【０１１７】実施例６ ポリ（エチル（４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェ
ニル）シラン）の合成 実施例１と同じ操作で乾燥した５０ｍｌの三つ口フラス
コに乾燥窒素雰囲気下で切り出した金属ナトリウム０．
７ｇと、乾燥トルエン１６ｍｌを加えた。このフラスコ
を超音波分散器にセットし、１００〜１０５℃で金属ナ
トリウムを平均粒径で３０μｍに分散させた。分散後、
フラスコを静置し、上澄みの過剰のトルエン１２ｍｌを
シリンジで除いて金属ナトリウム懸濁液とした。
ニル）シラン）の合成 実施例１と同じ操作で乾燥した５０ｍｌの三つ口フラス
コに乾燥窒素雰囲気下で切り出した金属ナトリウム０．
７ｇと、乾燥トルエン１６ｍｌを加えた。このフラスコ
を超音波分散器にセットし、１００〜１０５℃で金属ナ
トリウムを平均粒径で３０μｍに分散させた。分散後、
フラスコを静置し、上澄みの過剰のトルエン１２ｍｌを
シリンジで除いて金属ナトリウム懸濁液とした。
【０１１８】同様に乾燥した５０ｍｌの三つ口フラスコ
に磁気撹拌子、熱電対、ラバーセプタムを装着し、実施
例４と同様にして合成したエチル（４−（Ｎ，Ｎ−ジフ
ェニルアミノ）フェニル）ジクロロシラン４．９ｇと乾
燥トルエン４ｍｌを加え溶液とした。このフラスコを８
０℃に昇温した後、前記の金属ナトリウム懸濁液をテフ
ロン製カニューラを用い約１０分間かけて滴下した。滴
下によってフラスコ内の温度は一時的に１２０℃まで上
昇した。滴下開始後４時間反応を行ない、トルエンとイ
ソプロピルアルコールを加え、反応を停止するとともに
過剰の金属ナトリウムを失活させた。
に磁気撹拌子、熱電対、ラバーセプタムを装着し、実施
例４と同様にして合成したエチル（４−（Ｎ，Ｎ−ジフ
ェニルアミノ）フェニル）ジクロロシラン４．９ｇと乾
燥トルエン４ｍｌを加え溶液とした。このフラスコを８
０℃に昇温した後、前記の金属ナトリウム懸濁液をテフ
ロン製カニューラを用い約１０分間かけて滴下した。滴
下によってフラスコ内の温度は一時的に１２０℃まで上
昇した。滴下開始後４時間反応を行ない、トルエンとイ
ソプロピルアルコールを加え、反応を停止するとともに
過剰の金属ナトリウムを失活させた。
【０１１９】沈殿物を遠心分離操作で分離、トルエンで
２回洗浄し可溶物をトルエン溶液として回収した。トル
エン溶液を水洗し無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、
溶媒を留去し樹脂状の物質を得た。この樹脂状物質をテ
トラヒドロフラン溶液としイソプロピルアルコールで再
沈、精製を繰り返し、精製ポリマー０．２４ｇを得た。
ポリマーの分子量分布をＧＰＣを用いて測定した結果、
高分子量のポリシラン化合物が得られたことが確認でき
た。ＮＭＲならびに元素分析の結果は、ポリ（エチル
（４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル）シラ
ン）に対応するものであった。
２回洗浄し可溶物をトルエン溶液として回収した。トル
エン溶液を水洗し無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、
溶媒を留去し樹脂状の物質を得た。この樹脂状物質をテ
トラヒドロフラン溶液としイソプロピルアルコールで再
沈、精製を繰り返し、精製ポリマー０．２４ｇを得た。
ポリマーの分子量分布をＧＰＣを用いて測定した結果、
高分子量のポリシラン化合物が得られたことが確認でき
た。ＮＭＲならびに元素分析の結果は、ポリ（エチル
（４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル）シラ
ン）に対応するものであった。
【０１２０】構造解析データ1 Ｈ−ＮＭＲ −０．６〜０．６ｐｐｍ（５Ｈ） Ｃ2 Ｈ5 −Ｓｉ ６．６〜７．２ｐｐｍ（１４Ｈ） （Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｎ（Ｃ6 Ｈ4 ）−Ｓｉ 積分比 芳香族／Ｃ2 Ｈ5 ＝１４．１／５．０ （ジオキサン３．５７ｐｐｍ基準） 元素分析（重量％） Ｓｉ Ｃ Ｈ Ｎ 実測値 ８．２ ８０．０ ６．４ ４．７ 予想値 ９．３ ７９．７ ６．４ ４．６
【０１２１】分子量 Ｍｗ＝１．１×１０6 、Ｍｎ＝７．３×１０3 Ｍｗ／Ｍｎ＝１５１ ＤＰ50＝１８００ 収率 ６％（０．２４ｇ）
【０１２２】上記で合成したポリシラン化合物を用い
て、実施例２と同様にして、膜厚５．８μｍのタイムオ
ブフライト測定用試料を作成した。実施例２と同様の方
法により、室温（２５℃）、印加電圧２９０Ｖ（電界強
度：０．５ＭＶ／ｃｍ）において、正孔ドリフト移動度
３×１０-3ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃが得られた。
て、実施例２と同様にして、膜厚５．８μｍのタイムオ
ブフライト測定用試料を作成した。実施例２と同様の方
法により、室温（２５℃）、印加電圧２９０Ｖ（電界強
度：０．５ＭＶ／ｃｍ）において、正孔ドリフト移動度
３×１０-3ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃが得られた。
【０１２３】実施例７ エチル（４−（Ｎ−（４’−メチルフェニル）−Ｎ−フ
ェニルアミノ）フェニル）ジクロロシランの合成 実施例１と同じ操作で乾燥した５０ｍｌの三つ口フラス
コに、４．８ｇの４−（Ｎ−（４’−メチルフェニル）
−Ｎ−フェニルアミノ）ブロモベンゼンを入れ、真空下
で溶融乾燥した。これに直前に金属ナトリウム上で蒸留
した乾燥テトラヒドロフラン１４ｍｌをガスタイトシリ
ンジを用いて加え４−（Ｎ−（４’−メチルフェニル）
−Ｎ−フェニルアミノ）ブロモベンゼンを溶解した後、
−７８℃でｎ−ブチルリチウム（Ａｌｄｒｉｃｈ社製、
１．６Ｎ ヘキサン溶液）９．７ｍｌを滴下し２．５時
間反応させて、４−（Ｎ−（４’−メチルフェニル）−
Ｎ−フェニルアミノ）フェニルリチウムを生成した。
ェニルアミノ）フェニル）ジクロロシランの合成 実施例１と同じ操作で乾燥した５０ｍｌの三つ口フラス
コに、４．８ｇの４−（Ｎ−（４’−メチルフェニル）
−Ｎ−フェニルアミノ）ブロモベンゼンを入れ、真空下
で溶融乾燥した。これに直前に金属ナトリウム上で蒸留
した乾燥テトラヒドロフラン１４ｍｌをガスタイトシリ
ンジを用いて加え４−（Ｎ−（４’−メチルフェニル）
−Ｎ−フェニルアミノ）ブロモベンゼンを溶解した後、
−７８℃でｎ−ブチルリチウム（Ａｌｄｒｉｃｈ社製、
１．６Ｎ ヘキサン溶液）９．７ｍｌを滴下し２．５時
間反応させて、４−（Ｎ−（４’−メチルフェニル）−
Ｎ−フェニルアミノ）フェニルリチウムを生成した。
【０１２４】同様に乾燥した１００ｍｌの二つ口フラス
コに直前に水素化カルシウム上で蒸留したエチルトリク
ロロシラン（信越化学製、ＬＳ−１２０）３．４ｇと乾
燥テトラヒドロフラン１４ｍｌを入れ、−７８℃に冷却
したのち前記の４−（Ｎ−（４’−メチルフェニル）−
Ｎ−フェニルアミノ）フェニルリチウムをテフロン製カ
ニューラを用いて滴下した。滴下後、一晩反応を行なっ
た後、過剰のエチルトリクロロシランと溶媒を留去し、
Ｋｕｇｅｌｒｏｈｒを用いて減圧蒸留（２２０℃／０．
１５ｍｍＨｇ）して、２．８ｇ（収率：５１％）の淡黄
色透明で粘稠な液体を得た。核磁気共鳴吸収スペクトル
（ＮＭＲ）の結果から、この液体はエチル（４−（Ｎ−
（４’−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）フェ
ニル）ジクロロシランであることを確認した。
コに直前に水素化カルシウム上で蒸留したエチルトリク
ロロシラン（信越化学製、ＬＳ−１２０）３．４ｇと乾
燥テトラヒドロフラン１４ｍｌを入れ、−７８℃に冷却
したのち前記の４−（Ｎ−（４’−メチルフェニル）−
Ｎ−フェニルアミノ）フェニルリチウムをテフロン製カ
ニューラを用いて滴下した。滴下後、一晩反応を行なっ
た後、過剰のエチルトリクロロシランと溶媒を留去し、
Ｋｕｇｅｌｒｏｈｒを用いて減圧蒸留（２２０℃／０．
１５ｍｍＨｇ）して、２．８ｇ（収率：５１％）の淡黄
色透明で粘稠な液体を得た。核磁気共鳴吸収スペクトル
（ＮＭＲ）の結果から、この液体はエチル（４−（Ｎ−
（４’−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）フェ
ニル）ジクロロシランであることを確認した。
【０１２５】構造解析データ（ＮＭＲ）1 Ｈ−ＮＭＲ ０．９〜１．３ｐｐｍ（５Ｈ） Ｃ2 Ｈ5 −Ｓｉ ２．２ｐｐｍ（１本：３Ｈ） （ＣＨ3 −Ｃ6 Ｈ4 ）−
Ｎ ６．７〜７．５ｐｐｍ（１３Ｈ） （ＣＨ3 −Ｃ6 Ｈ4 ）（Ｃ6 Ｈ5 ）Ｎ（Ｃ6 Ｈ4 ）−Ｓ
ｉ （ジオキサン３．５７ｐｐｍ基準）13 Ｃ−ＮＭＲ ６〜１４ｐｐｍ（２本） Ｃ2 Ｈ5 −Ｓｉ ２１ｐｐｍ（１本） （ＣＨ3 −Ｃ6 Ｈ4 ）−Ｎ １２０〜１５０ｐｐｍ（１２本） （ＣＨ3 −Ｃ6 Ｈ4 ）（Ｃ6 Ｈ5 ）Ｎ（Ｃ6 Ｈ4 ）−Ｓ
ｉ （重クロロホルム７７．１ｐｐｍ基準）
Ｎ ６．７〜７．５ｐｐｍ（１３Ｈ） （ＣＨ3 −Ｃ6 Ｈ4 ）（Ｃ6 Ｈ5 ）Ｎ（Ｃ6 Ｈ4 ）−Ｓ
ｉ （ジオキサン３．５７ｐｐｍ基準）13 Ｃ−ＮＭＲ ６〜１４ｐｐｍ（２本） Ｃ2 Ｈ5 −Ｓｉ ２１ｐｐｍ（１本） （ＣＨ3 −Ｃ6 Ｈ4 ）−Ｎ １２０〜１５０ｐｐｍ（１２本） （ＣＨ3 −Ｃ6 Ｈ4 ）（Ｃ6 Ｈ5 ）Ｎ（Ｃ6 Ｈ4 ）−Ｓ
ｉ （重クロロホルム７７．１ｐｐｍ基準）
【０１２６】実施例８ ポリ（エチル（４−（Ｎ−（４’−メチルフェニル）−
Ｎ−フェニルアミノ）フェニル）シラン）の合成 実施例５のエチル（４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）
フェニル）ジクロロシランの替わりに、実施例７で合成
し、直前に蒸留したエチル（４−（Ｎ−（４’−メチル
フェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）フェニル）ジクロロ
シラン２．７５ｇを用いて、実施例５と同様にして反
応、精製を行い、精製ポリマー０．１３ｇを得た。ポリ
マーの分子量分布をＧＰＣを用いて測定した結果、高分
子量のポリシラン化合物が得られたことが確認できた。
ＮＭＲならびに元素分析の結果は、ポリ（エチル（４−
（Ｎ−（４’−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミ
ノ）フェニル）シラン）に対応するものであった。
Ｎ−フェニルアミノ）フェニル）シラン）の合成 実施例５のエチル（４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）
フェニル）ジクロロシランの替わりに、実施例７で合成
し、直前に蒸留したエチル（４−（Ｎ−（４’−メチル
フェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）フェニル）ジクロロ
シラン２．７５ｇを用いて、実施例５と同様にして反
応、精製を行い、精製ポリマー０．１３ｇを得た。ポリ
マーの分子量分布をＧＰＣを用いて測定した結果、高分
子量のポリシラン化合物が得られたことが確認できた。
ＮＭＲならびに元素分析の結果は、ポリ（エチル（４−
（Ｎ−（４’−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミ
ノ）フェニル）シラン）に対応するものであった。
【０１２７】構造解析データ1 Ｈ−ＮＭＲ −０．２〜１．６ｐｐｍ（５Ｈ） Ｃ2 Ｈ5 −Ｓｉ １．８〜２．４ｐｐｍ（３Ｈ） （ＣＨ3 −Ｃ6 Ｈ4 ）
−Ｎ ６．０〜７．８ｐｐｍ（１３Ｈ） （ＣＨ3 −Ｃ6 Ｈ4 ）（Ｃ6 Ｈ5 ）Ｎ（Ｃ6 Ｈ4 ）−Ｓ
ｉ 積分比 芳香族／ＣＨ3 ／Ｃ2 Ｈ5 ＝１４．２／３．２
／５．０ （ジオキサン３．５７ｐｐｍ基準） 元素分析（重量％） Ｓｉ Ｃ Ｈ Ｎ 実測値 ８．９ ７７．６ ６．７ ４．２ 予想値 ８．９ ７９．９ ６．７ ４．４
−Ｎ ６．０〜７．８ｐｐｍ（１３Ｈ） （ＣＨ3 −Ｃ6 Ｈ4 ）（Ｃ6 Ｈ5 ）Ｎ（Ｃ6 Ｈ4 ）−Ｓ
ｉ 積分比 芳香族／ＣＨ3 ／Ｃ2 Ｈ5 ＝１４．２／３．２
／５．０ （ジオキサン３．５７ｐｐｍ基準） 元素分析（重量％） Ｓｉ Ｃ Ｈ Ｎ 実測値 ８．９ ７７．６ ６．７ ４．２ 予想値 ８．９ ７９．９ ６．７ ４．４
【０１２８】分子量 Ｍｗ＝１．７×１０6 、Ｍｎ＝２．５×１０4 Ｍｗ／Ｍｎ＝６８ ＤＰ50＝３２００ 収率 ６％（０．１３ｇ）
【０１２９】上記で合成したポリシラン化合物を用い
て、実施例２と同様にして、膜厚７．９μｍのタイムオ
ブフライト測定用試料を作成した。実施例２と同様の方
法により、室温（２５℃）、印加電圧３９５Ｖ（電界強
度：０．５ＭＶ／ｃｍ）において、正孔ドリフト移動度
５×１０-3ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃが得られた。
て、実施例２と同様にして、膜厚７．９μｍのタイムオ
ブフライト測定用試料を作成した。実施例２と同様の方
法により、室温（２５℃）、印加電圧３９５Ｖ（電界強
度：０．５ＭＶ／ｃｍ）において、正孔ドリフト移動度
５×１０-3ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃが得られた。
【０１３０】実施例９ エチル（４−（Ｎ，Ｎ−ビス（４’−メチルフェニル）
アミノ）フェニル）ジクロロシランの合成 実施例１と同じ操作で乾燥した５０ｍｌの三つ口フラス
コに、５．０ｇの４−（Ｎ，Ｎ−ビス（４’−メチルフ
ェニル）アミノ）ブロモベンゼンを入れ、真空下で溶融
乾燥した。これに直前に金属ナトリウム上で蒸留した乾
燥テトラヒドロフラン１４ｍｌをガスタイトシリンジを
用いて加え４−（Ｎ，Ｎ−ビス（４’−メチルフェニ
ル）アミノ）ブロモベンゼンを溶解した後、−７８℃で
ｎ−ブチルリチウム（Ａｌｄｒｉｃｈ社製、１．６Ｎ
ヘキサン溶液）９．６ｍｌを滴下し２．５時間反応させ
て、４−（Ｎ，Ｎ−ビス（４’−メチルフェニル）アミ
ノ）フェニルリチウムを生成した。
アミノ）フェニル）ジクロロシランの合成 実施例１と同じ操作で乾燥した５０ｍｌの三つ口フラス
コに、５．０ｇの４−（Ｎ，Ｎ−ビス（４’−メチルフ
ェニル）アミノ）ブロモベンゼンを入れ、真空下で溶融
乾燥した。これに直前に金属ナトリウム上で蒸留した乾
燥テトラヒドロフラン１４ｍｌをガスタイトシリンジを
用いて加え４−（Ｎ，Ｎ−ビス（４’−メチルフェニ
ル）アミノ）ブロモベンゼンを溶解した後、−７８℃で
ｎ−ブチルリチウム（Ａｌｄｒｉｃｈ社製、１．６Ｎ
ヘキサン溶液）９．６ｍｌを滴下し２．５時間反応させ
て、４−（Ｎ，Ｎ−ビス（４’−メチルフェニル）アミ
ノ）フェニルリチウムを生成した。
【０１３１】同様に乾燥した１００ｍｌの二つ口フラス
コに直前に水素化カルシウム上で蒸留したエチルトリク
ロロシラン（信越化学製、ＬＳ−１２０）３．３ｇと乾
燥テトラヒドロフラン１４ｍｌを入れ、−７８℃に冷却
したのち前記の４−（Ｎ，Ｎ−ビス（４’−メチルフェ
ニル）アミノ）フェニルリチウムをテフロン製カニュー
ラを用いて滴下した。滴下後、一晩反応を行なった後、
過剰のエチルトリクロロシランと溶媒を留去し、Ｋｕｇ
ｅｌｒｏｈｒを用いて減圧蒸留（２３０℃／０．１５ｍ
ｍＨｇ）し、３．３ｇ（収率：５７％）の淡黄色透明で
粘稠な液体を得た。核磁気共鳴吸収スペクトル（ＮＭ
Ｒ）の結果から、この液体はエチル（４−（Ｎ，Ｎ−ビ
ス（４’−メチルフェニル）アミノ）フェニル）ジクロ
ロシランであることを確認した。
コに直前に水素化カルシウム上で蒸留したエチルトリク
ロロシラン（信越化学製、ＬＳ−１２０）３．３ｇと乾
燥テトラヒドロフラン１４ｍｌを入れ、−７８℃に冷却
したのち前記の４−（Ｎ，Ｎ−ビス（４’−メチルフェ
ニル）アミノ）フェニルリチウムをテフロン製カニュー
ラを用いて滴下した。滴下後、一晩反応を行なった後、
過剰のエチルトリクロロシランと溶媒を留去し、Ｋｕｇ
ｅｌｒｏｈｒを用いて減圧蒸留（２３０℃／０．１５ｍ
ｍＨｇ）し、３．３ｇ（収率：５７％）の淡黄色透明で
粘稠な液体を得た。核磁気共鳴吸収スペクトル（ＮＭ
Ｒ）の結果から、この液体はエチル（４−（Ｎ，Ｎ−ビ
ス（４’−メチルフェニル）アミノ）フェニル）ジクロ
ロシランであることを確認した。
【０１３２】構造解析データ（ＮＭＲ）1 Ｈ−ＮＭＲ ０．９〜１．３ｐｐｍ（５Ｈ） Ｃ2 Ｈ5 −Ｓｉ ２．２ｐｐｍ（１本：６Ｈ） （ＣＨ3 −Ｃ6 Ｈ4 ）2
−Ｎ ６．７〜７．５ｐｐｍ（１２Ｈ） （ＣＨ3 −Ｃ6 Ｈ4 ）2 Ｎ（Ｃ6 Ｈ4 ）−Ｓｉ （ジオキサン３．５７ｐｐｍ基準）13 Ｃ−ＮＭＲ ６〜１４ｐｐｍ（２本） Ｃ2 Ｈ5 −Ｓｉ ２１ｐｐｍ（１本） （ＣＨ3 −Ｃ6 Ｈ4 ）2 −Ｎ １１９〜１５２ｐｐｍ（８本） （ＣＨ3 −Ｃ6 Ｈ4 ）2 Ｎ（Ｃ6 Ｈ4 ）−Ｓｉ （重クロロホルム７７．１ｐｐｍ基準）
−Ｎ ６．７〜７．５ｐｐｍ（１２Ｈ） （ＣＨ3 −Ｃ6 Ｈ4 ）2 Ｎ（Ｃ6 Ｈ4 ）−Ｓｉ （ジオキサン３．５７ｐｐｍ基準）13 Ｃ−ＮＭＲ ６〜１４ｐｐｍ（２本） Ｃ2 Ｈ5 −Ｓｉ ２１ｐｐｍ（１本） （ＣＨ3 −Ｃ6 Ｈ4 ）2 −Ｎ １１９〜１５２ｐｐｍ（８本） （ＣＨ3 −Ｃ6 Ｈ4 ）2 Ｎ（Ｃ6 Ｈ4 ）−Ｓｉ （重クロロホルム７７．１ｐｐｍ基準）
【０１３３】実施例１０ ポリ（エチル（４−（Ｎ，Ｎ−ビス（４’−メチルフェ
ニル）アミノ）フェニル）シラン）の合成 実施例５のエチル（４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）
フェニル）ジクロロシランの替わりに、実施例９で合成
し、直前に蒸留したエチル（４−（Ｎ，Ｎ−ビス（４’
−メチルフェニル）アミノ）フェニル）ジクロロシラン
３．２６ｇを用いて、実施例５と同様にして反応、精製
を行い、精製ポリマー０．１８ｇを得た。ポリマーの分
子量分布をＧＰＣを用いて測定した結果、高分子量のポ
リシラン化合物が得られたことが確認できた。ＮＭＲな
らびに元素分析の結果は、ポリ（エチル（４−（Ｎ，Ｎ
−ビス（４’−メチルフェニル）アミノ）フェニル）シ
ラン）に対応するものであった。
ニル）アミノ）フェニル）シラン）の合成 実施例５のエチル（４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）
フェニル）ジクロロシランの替わりに、実施例９で合成
し、直前に蒸留したエチル（４−（Ｎ，Ｎ−ビス（４’
−メチルフェニル）アミノ）フェニル）ジクロロシラン
３．２６ｇを用いて、実施例５と同様にして反応、精製
を行い、精製ポリマー０．１８ｇを得た。ポリマーの分
子量分布をＧＰＣを用いて測定した結果、高分子量のポ
リシラン化合物が得られたことが確認できた。ＮＭＲな
らびに元素分析の結果は、ポリ（エチル（４−（Ｎ，Ｎ
−ビス（４’−メチルフェニル）アミノ）フェニル）シ
ラン）に対応するものであった。
【０１３４】構造解析データ1 Ｈ−ＮＭＲ −０．２〜１．６ｐｐｍ（５Ｈ） Ｃ2 Ｈ5 −Ｓｉ １．８〜２．６ｐｐｍ（６Ｈ） （ＣＨ3 −Ｃ6 Ｈ4 ）
2 −Ｎ ６．０〜７．８ｐｐｍ（１２Ｈ） （ＣＨ3 −Ｃ6 Ｈ4 ）2 Ｎ（Ｃ6 Ｈ4 ）−Ｓｉ 積分比 芳香族／ＣＨ3 ／Ｃ2 Ｈ5 ＝１３．３／６．４
／５．０ （ジオキサン３．５７ｐｐｍ基準） 元素分析（重量％） Ｓｉ Ｃ Ｈ Ｎ 実測値 ８．５ ７８．８ ７．０ ４．２ 予想値 ８．５ ８０．２ ７．０ ４．３ 分子量 Ｍｗ＝１．６×１０6 、Ｍｎ＝１．２×１０4 Ｍｗ／Ｍｎ＝１３３ ＤＰ50＝２６００ 収率 ７％（０．１８ｇ）
2 −Ｎ ６．０〜７．８ｐｐｍ（１２Ｈ） （ＣＨ3 −Ｃ6 Ｈ4 ）2 Ｎ（Ｃ6 Ｈ4 ）−Ｓｉ 積分比 芳香族／ＣＨ3 ／Ｃ2 Ｈ5 ＝１３．３／６．４
／５．０ （ジオキサン３．５７ｐｐｍ基準） 元素分析（重量％） Ｓｉ Ｃ Ｈ Ｎ 実測値 ８．５ ７８．８ ７．０ ４．２ 予想値 ８．５ ８０．２ ７．０ ４．３ 分子量 Ｍｗ＝１．６×１０6 、Ｍｎ＝１．２×１０4 Ｍｗ／Ｍｎ＝１３３ ＤＰ50＝２６００ 収率 ７％（０．１８ｇ）
【０１３５】上記で合成したポリシラン化合物を用い
て、実施例２と同様にして、膜厚５．４μｍのタイムオ
ブフライト測定用試料を作成した。実施例２と同様の方
法により、室温（２５℃）、印加電圧２７０Ｖ（電界強
度：０．５ＭＶ／ｃｍ）において、正孔ドリフト移動度
５×１０-3ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃが得られた。実施例２〜１
０のポリシラン化合物の結果を表１にまとめて記した。
て、実施例２と同様にして、膜厚５．４μｍのタイムオ
ブフライト測定用試料を作成した。実施例２と同様の方
法により、室温（２５℃）、印加電圧２７０Ｖ（電界強
度：０．５ＭＶ／ｃｍ）において、正孔ドリフト移動度
５×１０-3ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃが得られた。実施例２〜１
０のポリシラン化合物の結果を表１にまとめて記した。
【０１３６】
【表１】
【０１３７】比較例２ ポリ（メチルフェニルシラン）の合成 実施例１と同様に乾燥した１００ｍｌの三つ口フラスコ
に金属ナトリウム１．３ｇをとり乾燥トルエン１９ｍｌ
を加えた。このフラスコを乾燥アルゴン流通下、超音波
を照射し金属ナトリウムを平均粒径で５０μｍに分散さ
せ、６２℃に昇温し、直前に蒸留したメチルフェニルジ
クロロシラン（信越化学 ＬＳ−１４９０）５．０ｇを
ガスタイトシリンジを用いて約２０分間かけて滴下し
た。滴下後、反応熱でフラスコ内の温度は一時的に１１
０℃まで上昇し溶媒の還流が認められた。
に金属ナトリウム１．３ｇをとり乾燥トルエン１９ｍｌ
を加えた。このフラスコを乾燥アルゴン流通下、超音波
を照射し金属ナトリウムを平均粒径で５０μｍに分散さ
せ、６２℃に昇温し、直前に蒸留したメチルフェニルジ
クロロシラン（信越化学 ＬＳ−１４９０）５．０ｇを
ガスタイトシリンジを用いて約２０分間かけて滴下し
た。滴下後、反応熱でフラスコ内の温度は一時的に１１
０℃まで上昇し溶媒の還流が認められた。
【０１３８】滴下終了とともにフラスコを８５℃に昇温
し、さらに４０分間反応を行なった。反応終了後、アル
ゴン流通下で２０ｍｌのトルエンと３ｍｌのイソプロピ
ルアルコールをフラスコに加え過剰の金属ナトリウムを
失活させた。沈殿物を遠心分離操作で分離、トルエンで
２回洗浄し可溶物をトルエン溶液として回収した。トル
エン溶液を水洗し無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、
溶媒を留去し透明の樹脂状物質を得た。
し、さらに４０分間反応を行なった。反応終了後、アル
ゴン流通下で２０ｍｌのトルエンと３ｍｌのイソプロピ
ルアルコールをフラスコに加え過剰の金属ナトリウムを
失活させた。沈殿物を遠心分離操作で分離、トルエンで
２回洗浄し可溶物をトルエン溶液として回収した。トル
エン溶液を水洗し無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、
溶媒を留去し透明の樹脂状物質を得た。
【０１３９】得られた樹脂状物質をテトラヒドロフラン
に溶解、イソプロピルアルコールで再沈する操作を繰り
返し、精製ポリマー０．８ｇを得た。ポリマーの分子量
分布をＧＰＣを用いて測定した結果、高分子量のポリシ
ラン化合物が得られたことが確認できた。ＮＭＲならび
に元素分析の結果は、ポリ（メチルフェニルシラン）に
対応するものであった。
に溶解、イソプロピルアルコールで再沈する操作を繰り
返し、精製ポリマー０．８ｇを得た。ポリマーの分子量
分布をＧＰＣを用いて測定した結果、高分子量のポリシ
ラン化合物が得られたことが確認できた。ＮＭＲならび
に元素分析の結果は、ポリ（メチルフェニルシラン）に
対応するものであった。
【０１４０】構造解析データ1 Ｈ−ＮＭＲ −１．２〜０．３ｐｐｍ（３Ｈ） ＣＨ3 −Ｓｉ ６．０〜７．４ｐｐｍ（５Ｈ） Ｃ6 Ｈ5 −Ｓｉ 積分比 芳香族／ＣＨ3 ＝５．０／３．０ （ジオキサン３．５７ｐｐｍ基準） 元素分析（重量％） Ｓｉ Ｃ Ｈ Ｎ 実測値 ２２．０ ６９．０ ６．９ ＜０．３ 予想値 ２３．０ ７０．０ ６．７ ０
【０１４１】分子量 Ｍｗ＝２．３×１０5 、Ｍｎ＝６．２×１０3 Ｍｗ／Ｍｎ＝３７ ＤＰ50＝８０ 収率 ２４％（０．８ｇ）
【０１４２】上記で合成したポリシラン化合物を用い
て、実施例２と同様にして、膜厚４．０μｍのタイムオ
ブフライト測定用試料を作成した。実施例２と同様の方
法により室温（２５℃）、印加電圧２００Ｖ（電界強
度：０．５ＭＶ／ｃｍ）において、正孔ドリフト移動度
２×１０-4ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃが得られた。
て、実施例２と同様にして、膜厚４．０μｍのタイムオ
ブフライト測定用試料を作成した。実施例２と同様の方
法により室温（２５℃）、印加電圧２００Ｖ（電界強
度：０．５ＭＶ／ｃｍ）において、正孔ドリフト移動度
２×１０-4ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃが得られた。
【０１４３】比較例３ 比較例２で得られたポリシラン化合物０．５ｇをテトラ
ヒドロフラン５０ｍｌに溶解した溶液に、イソプロピル
アルコール１００ｍｌを滴下した。沈殿物を濾別、乾燥
し、高分子量成分のみからなるポリマー０．１０ｇを得
た。
ヒドロフラン５０ｍｌに溶解した溶液に、イソプロピル
アルコール１００ｍｌを滴下した。沈殿物を濾別、乾燥
し、高分子量成分のみからなるポリマー０．１０ｇを得
た。
【０１４４】分子量 Ｍｗ＝９．８×１０5 、Ｍｎ＝１．５×１０4 Ｍｗ／Ｍｎ＝６５ ＤＰ50＝１８００
【０１４５】上記のポリシラン化合物を用いて、実施例
２と同様にして、膜厚１．３μｍのタイムオブフライト
測定用試料を作成した。実施例２と同様の方法により室
温（２５℃）、印加電圧６５Ｖ（電界強度：０．５ＭＶ
／ｃｍ）において、正孔ドリフト移動度２×１０-4ｃｍ
2 ／Ｖｓｅｃが得られた。
２と同様にして、膜厚１．３μｍのタイムオブフライト
測定用試料を作成した。実施例２と同様の方法により室
温（２５℃）、印加電圧６５Ｖ（電界強度：０．５ＭＶ
／ｃｍ）において、正孔ドリフト移動度２×１０-4ｃｍ
2 ／Ｖｓｅｃが得られた。
【０１４６】比較例４ 比較例３で沈殿物を濾別した濾液を用いて、さらに再沈
操作を行い、低分子量成分のみからなるポリマー０．２
０ｇを得た。 分子量 Ｍｗ＝１．５×１０4 、Ｍｎ＝４．２×１０3 Ｍｗ／Ｍｎ＝３．６ ＤＰ50＝５０
操作を行い、低分子量成分のみからなるポリマー０．２
０ｇを得た。 分子量 Ｍｗ＝１．５×１０4 、Ｍｎ＝４．２×１０3 Ｍｗ／Ｍｎ＝３．６ ＤＰ50＝５０
【０１４７】上記のポリシラン化合物を用いて、実施例
２と同様にして、膜厚４．３μｍのタイムオブフライト
測定用試料を作成した。実施例２と同様の方法により室
温（２５℃）、印加電圧２１５Ｖ（電界強度：０．５Ｍ
Ｖ／ｃｍ）において、正孔ドリフト移動度３×１０-5ｃ
ｍ2 ／Ｖｓｅｃが得られた。
２と同様にして、膜厚４．３μｍのタイムオブフライト
測定用試料を作成した。実施例２と同様の方法により室
温（２５℃）、印加電圧２１５Ｖ（電界強度：０．５Ｍ
Ｖ／ｃｍ）において、正孔ドリフト移動度３×１０-5ｃ
ｍ2 ／Ｖｓｅｃが得られた。
【０１４８】比較例５ トリフェニルアミンを側鎖に置換したポリ（メチルフェ
ニルシラン）の合成 実施例１と同じ操作で乾燥した５０ｍｌの三つ口フラス
コに、ジムロート、磁気攪拌子、ガス導入管、ラバーセ
プタムを装着し、 乾燥アルゴンガス流通下で比較例２と
同様にして合成したポリ（メチルフェニルシラン）１．
０ｇ（重量平均分子量２．８×１０4 、数平均分子量
９．２×１０3 ）を仕込み真空乾燥した。このフラスコ
に水素化カルシウムから直前に蒸留したクロロホルム１
５ｍｌを加え、ポリ（メチルフェニルシラン）を溶解し
た後、ドライアイス／四塩化炭素浴で−２５℃に冷却
し、撹拌下、トリフルオロメタンスルホン酸０．１ｇを
ゆっくり滴下した。滴下終了後、室温にもどし０．５時
間撹拌した。反応後、溶媒を留去し、乾燥ベンゼン５ｍ
ｌを加え固形物を溶解した。この操作を二度繰り返し、
トリフレート基（トリフルオロメチルスルフォン酸基）
で置換したポリシラン化合物のベンゼン溶液を得た。Ｎ
ＭＲによる解析からポリ（メチルフェニルシラン）のフ
ェニル基の１５％がトリフレート基に置換された。
ニルシラン）の合成 実施例１と同じ操作で乾燥した５０ｍｌの三つ口フラス
コに、ジムロート、磁気攪拌子、ガス導入管、ラバーセ
プタムを装着し、 乾燥アルゴンガス流通下で比較例２と
同様にして合成したポリ（メチルフェニルシラン）１．
０ｇ（重量平均分子量２．８×１０4 、数平均分子量
９．２×１０3 ）を仕込み真空乾燥した。このフラスコ
に水素化カルシウムから直前に蒸留したクロロホルム１
５ｍｌを加え、ポリ（メチルフェニルシラン）を溶解し
た後、ドライアイス／四塩化炭素浴で−２５℃に冷却
し、撹拌下、トリフルオロメタンスルホン酸０．１ｇを
ゆっくり滴下した。滴下終了後、室温にもどし０．５時
間撹拌した。反応後、溶媒を留去し、乾燥ベンゼン５ｍ
ｌを加え固形物を溶解した。この操作を二度繰り返し、
トリフレート基（トリフルオロメチルスルフォン酸基）
で置換したポリシラン化合物のベンゼン溶液を得た。Ｎ
ＭＲによる解析からポリ（メチルフェニルシラン）のフ
ェニル基の１５％がトリフレート基に置換された。
【０１４９】同様に乾燥した２５ｍｌの三つ口フラスコ
にジムロート、磁気撹拌子、ガス導入管、ラバーセブタ
ムを取り付け、 乾燥アルゴン流通下で４−（Ｎ，Ｎ−ジ
フェニルアミノ）ブロモベンゼン０．９４ｇ（純度９３
％）を仕込み、真空下で溶融し、乾燥した。このフラス
コに直前にナトリウムから蒸留したテトラヒドロフラン
２０ｍｌを加え、４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）ブ
ロモベンゼンを溶解した後、−７８℃に冷却し、ｎ−ブ
チルリチウムヘキサン溶液（１．６Ｎ）１．５ｍｌをガ
スタイトシリンジを用いて滴下し、１時間反応させて、
４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニルリチウムを
生成した。このフラスコに、先に調製したトリフレート
置換ポリシラン化合物のベンゼン溶液をガスタイトシリ
ンジを用いてゆっくり滴下し、−７８℃で１時間、さら
に室温で２時間反応させた。
にジムロート、磁気撹拌子、ガス導入管、ラバーセブタ
ムを取り付け、 乾燥アルゴン流通下で４−（Ｎ，Ｎ−ジ
フェニルアミノ）ブロモベンゼン０．９４ｇ（純度９３
％）を仕込み、真空下で溶融し、乾燥した。このフラス
コに直前にナトリウムから蒸留したテトラヒドロフラン
２０ｍｌを加え、４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）ブ
ロモベンゼンを溶解した後、−７８℃に冷却し、ｎ−ブ
チルリチウムヘキサン溶液（１．６Ｎ）１．５ｍｌをガ
スタイトシリンジを用いて滴下し、１時間反応させて、
４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニルリチウムを
生成した。このフラスコに、先に調製したトリフレート
置換ポリシラン化合物のベンゼン溶液をガスタイトシリ
ンジを用いてゆっくり滴下し、−７８℃で１時間、さら
に室温で２時間反応させた。
【０１５０】反応後、エタノールを少量加え、過剰の４
−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニルリチウムを失
活させた後、溶媒を留去し淡黄色の固体を得た。この樹
脂状固体をテトラヒドロフラン１０ｍｌで溶解した後、
１００ｍｌのエタノールにゆっくり滴下して再沈精製を
行った。沈澱したポリマーを濾別、水洗、 乾燥し、トリ
フェニルアミンを側鎖に置換したポリ（メチルフェニル
シラン）０．７６ｇを得た。
−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニルリチウムを失
活させた後、溶媒を留去し淡黄色の固体を得た。この樹
脂状固体をテトラヒドロフラン１０ｍｌで溶解した後、
１００ｍｌのエタノールにゆっくり滴下して再沈精製を
行った。沈澱したポリマーを濾別、水洗、 乾燥し、トリ
フェニルアミンを側鎖に置換したポリ（メチルフェニル
シラン）０．７６ｇを得た。
【０１５１】得られたポリシラン化合物のＮＭＲ、組成
分析による構造解析結果からポリ（メチルフェニルシラ
ン）の側鎖のフェニル基の１３％がトリフェニルアミン
に置換されたことが確認できた。分子量測定の結果は、
重量平均分子量１．７×１０ 4 、数平均分子量８．５×
１０3 （収率６３％）であり、トリフレート基を完全に
置換することができなかったばかりでなく、分子量が低
下した。
分析による構造解析結果からポリ（メチルフェニルシラ
ン）の側鎖のフェニル基の１３％がトリフェニルアミン
に置換されたことが確認できた。分子量測定の結果は、
重量平均分子量１．７×１０ 4 、数平均分子量８．５×
１０3 （収率６３％）であり、トリフレート基を完全に
置換することができなかったばかりでなく、分子量が低
下した。
【０１５２】上記で合成したポリシラン化合物を用い
て、実施例２と同様にして、膜厚５．５μｍのタイムオ
ブフライト測定用試料を作成した。実施例２と同様の方
法により室温（２５℃）、印加電圧２７５Ｖ（電界強
度：０．５ＭＶ／ｃｍ）において、正孔ドリフト移動度
３×１０-5ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃが得られた。比較例１〜５
の結果を表２にまとめて記した。
て、実施例２と同様にして、膜厚５．５μｍのタイムオ
ブフライト測定用試料を作成した。実施例２と同様の方
法により室温（２５℃）、印加電圧２７５Ｖ（電界強
度：０．５ＭＶ／ｃｍ）において、正孔ドリフト移動度
３×１０-5ｃｍ2 ／Ｖｓｅｃが得られた。比較例１〜５
の結果を表２にまとめて記した。
【０１５３】
【表２】
【０１５４】実施例１１ エチル（３−（９−フェニル）カルバゾイル）ジクロロ
シランの合成 実施例１と同じ操作で乾燥した１００ｍｌの三つ口フラ
スコに、５．５ｇの３−ブロモ（９−フェニル）カルバ
ゾールを入れ、真空下で溶融乾燥した。これに直前に金
属ナトリウム上で蒸留した乾燥テトラヒドロフラン２０
ｍｌをガスタイトシリンジを用いて加え３−ブロモ（９
−フェニル）カルバゾールを溶解した後、−７８℃でｎ
−ブチルリチウム（Ａｌｄｒｉｃｈ社製、１．６Ｎ ヘ
キサン溶液）１０ｍｌを滴下し１時間反応させて、３−
リチオ（９−フェニル）カルバゾールを生成した。
シランの合成 実施例１と同じ操作で乾燥した１００ｍｌの三つ口フラ
スコに、５．５ｇの３−ブロモ（９−フェニル）カルバ
ゾールを入れ、真空下で溶融乾燥した。これに直前に金
属ナトリウム上で蒸留した乾燥テトラヒドロフラン２０
ｍｌをガスタイトシリンジを用いて加え３−ブロモ（９
−フェニル）カルバゾールを溶解した後、−７８℃でｎ
−ブチルリチウム（Ａｌｄｒｉｃｈ社製、１．６Ｎ ヘ
キサン溶液）１０ｍｌを滴下し１時間反応させて、３−
リチオ（９−フェニル）カルバゾールを生成した。
【０１５５】同様に乾燥した１００ｍｌの二つ口フラス
コに直前に水素化カルシウム上で蒸留したエチルトリク
ロロシラン（信越化学製、ＬＳ−１２０）３．５ｇと乾
燥テトラヒドロフラン１５ｍｌを入れ、−７８℃に冷却
したのち前記の３−リチオ（９−フェニル）カルバゾー
ルをテフロン製カニューラを用いて滴下した。滴下後、
１時間反応を行なった後、過剰のエチルトリクロロシラ
ンと溶媒を留去し、Ｋｕｇｅｌｒｏｈｒを用いて減圧蒸
留（０．４mmHg×２４０℃）し、３．２ｇ（収率：５１
％）の無色透明で粘稠な液体を得た。核磁気共鳴吸収ス
ペクトル（ＮＭＲ）ならびにマススペクトル（ＧＣ−Ｍ
Ｓ）の結果から、この液体はエチル（３−（９−フェニ
ル）カルバゾイル）ジクロロシランであることを確認し
た。
コに直前に水素化カルシウム上で蒸留したエチルトリク
ロロシラン（信越化学製、ＬＳ−１２０）３．５ｇと乾
燥テトラヒドロフラン１５ｍｌを入れ、−７８℃に冷却
したのち前記の３−リチオ（９−フェニル）カルバゾー
ルをテフロン製カニューラを用いて滴下した。滴下後、
１時間反応を行なった後、過剰のエチルトリクロロシラ
ンと溶媒を留去し、Ｋｕｇｅｌｒｏｈｒを用いて減圧蒸
留（０．４mmHg×２４０℃）し、３．２ｇ（収率：５１
％）の無色透明で粘稠な液体を得た。核磁気共鳴吸収ス
ペクトル（ＮＭＲ）ならびにマススペクトル（ＧＣ−Ｍ
Ｓ）の結果から、この液体はエチル（３−（９−フェニ
ル）カルバゾイル）ジクロロシランであることを確認し
た。
【０１５６】構造解析データ（ＮＭＲ）1 Ｈ−ＮＭＲ ０．８５ｐｐｍ（３本：３Ｈ） ＣＨ3 ＣＨ2 −Ｓｉ １．０ｐｐｍ（４本：２Ｈ） ＣＨ3 ＣＨ2 −Ｓｉ ６．９〜８．２ｐｐｍ（１１本：１４Ｈ）Ｃ6 Ｈ5 （Ｃ12Ｈ7 Ｎ）−Ｓｉ （ジオキサン３．５７ｐｐｍ基準）13 Ｃ−ＮＭＲ ５．６ｐｐｍ ＣＨ3 ＣＨ2 −Ｓｉ １３．４ｐｐｍ ＣＨ3 ＣＨ2 −Ｓｉ １２０〜１５０ｐｐｍ（１６本）Ｃ6 Ｈ5 （Ｃ12Ｈ7 Ｎ）−Ｓｉ （重クロロホルム７７．１ｐｐｍ基準） 構造解析データ（ＧＣ−ＭＳ） ＧＣ−ＭＳ ｍ／ｅ：Ｍ+ ３６１
【０１５７】実施例１２ ポリ（エチル（３−（９−フェニル）カルバゾイル）シ
ラン−コ−エチルフェニルシラン）の合成 実施例１と同じ操作で乾燥した１００ｍｌの三つ口フラ
スコに、ラバーセプタムと三方コックを装着し、乾燥窒
素雰囲気下で切り出した金属ナトリウム０．８９ｇと、
乾燥トルエン１５ｍｌを加えた。このフラスコを超音波
分散器にセットし、１００〜１０５℃で金属ナトリウム
を平均粒径で３０μｍに分散させた。分散後、フラスコ
を静置し、上澄みの過剰のトルエン１０ｍｌをシリンジ
で除き、磁気撹拌子と熱電対を装着した。
ラン−コ−エチルフェニルシラン）の合成 実施例１と同じ操作で乾燥した１００ｍｌの三つ口フラ
スコに、ラバーセプタムと三方コックを装着し、乾燥窒
素雰囲気下で切り出した金属ナトリウム０．８９ｇと、
乾燥トルエン１５ｍｌを加えた。このフラスコを超音波
分散器にセットし、１００〜１０５℃で金属ナトリウム
を平均粒径で３０μｍに分散させた。分散後、フラスコ
を静置し、上澄みの過剰のトルエン１０ｍｌをシリンジ
で除き、磁気撹拌子と熱電対を装着した。
【０１５８】上記の金属ナトリウム懸濁液の入ったフラ
スコを、７０℃に昇温し、フラスコの内温が安定してか
ら、実施例１１で合成したエチル（３−（９−フェニ
ル）カルバゾイル）ジクロロシラン３．２ｇとエチルフ
ェニルジクロロシラン１．８ｇの混合トルエン溶液９．
５ｍｌをガスタイトシリンジを用い約１０分間かけて滴
下した。滴下終了後、反応熱でフラスコ内の温度は一時
的に１０５℃まで上昇した。滴下終了後、８５℃で８時
間反応を行なった。
スコを、７０℃に昇温し、フラスコの内温が安定してか
ら、実施例１１で合成したエチル（３−（９−フェニ
ル）カルバゾイル）ジクロロシラン３．２ｇとエチルフ
ェニルジクロロシラン１．８ｇの混合トルエン溶液９．
５ｍｌをガスタイトシリンジを用い約１０分間かけて滴
下した。滴下終了後、反応熱でフラスコ内の温度は一時
的に１０５℃まで上昇した。滴下終了後、８５℃で８時
間反応を行なった。
【０１５９】反応終了後、アルゴン流通下で２０ｍｌの
トルエンと３ｍｌのイソプロピルアルコールをフラスコ
に加え過剰の金属ナトリウムを失活させた。沈殿物を遠
心分離操作で分離、トルエンで２回洗浄し可溶物をトル
エン溶液として回収した。トルエン溶液を水洗し無水硫
酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去し透明の樹脂
状物質３．８ｇを得た。得られた樹脂状物質をテトラヒ
ドロフランに溶解、イソプロピルアルコールで再沈する
操作を繰り返し、精製ポリマー０．２７ｇを得た。ポリ
マーの分子量分布をＧＰＣを用いて測定した結果、高分
子量のポリシラン化合物が得られたことが確認できた。
ＮＭＲならびに元素分析の結果は、ポリ（エチル（３−
（９−フェニルカルバゾイル）−コ−エチルフェニル）
シラン）に対応するものであった。また、ＮＭＲによる
解析からエチル（３−（９−フェニル）カルバゾイル）
シラン構造単位の含有量は３０％であった。
トルエンと３ｍｌのイソプロピルアルコールをフラスコ
に加え過剰の金属ナトリウムを失活させた。沈殿物を遠
心分離操作で分離、トルエンで２回洗浄し可溶物をトル
エン溶液として回収した。トルエン溶液を水洗し無水硫
酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去し透明の樹脂
状物質３．８ｇを得た。得られた樹脂状物質をテトラヒ
ドロフランに溶解、イソプロピルアルコールで再沈する
操作を繰り返し、精製ポリマー０．２７ｇを得た。ポリ
マーの分子量分布をＧＰＣを用いて測定した結果、高分
子量のポリシラン化合物が得られたことが確認できた。
ＮＭＲならびに元素分析の結果は、ポリ（エチル（３−
（９−フェニルカルバゾイル）−コ−エチルフェニル）
シラン）に対応するものであった。また、ＮＭＲによる
解析からエチル（３−（９−フェニル）カルバゾイル）
シラン構造単位の含有量は３０％であった。
【０１６０】構造解析データ1 Ｈ−ＮＭＲ −０．６〜１．０ｐｐｍ（５Ｈ） Ｃ2 Ｈ5 −Ｓｉ ６．０〜７．８ｐｐｍ（１２Ｈ＋５Ｈ） （Ｃ6 Ｈ5 −（Ｃ12Ｈ7 Ｎ）−Ｓｉ＋Ｃ6 Ｈ5 −Ｓｉ 積分比 芳香族／Ｃ2 Ｈ5 ＝７．０／５．０ （ジオキサン３．５７ｐｐｍ基準） 元素分析（重量％） Ｓｉ Ｃ Ｈ Ｎ 実測値 １４．０ ７２．０ ６．３ ７．４ 予想値 １５．０ ７２．０ ６．３ ７．３ 分子量 Ｍｗ＝１．６×１０6 、Ｍｎ＝８．１×１０4 Ｍｗ／Ｍｎ＝２０ ＤＰ50＝５５００ 収率 ９％（０．２７ｇ）
【０１６１】実施例１３ エチル（４−（Ｎ−（４’−（２”，２”−ジフェニル
エテニル）フェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）フェニ
ル）ジクロロシランの合成 実施例１と同じ操作で乾燥した１００ｍｌ三つ口フラス
コに、４．８ｇの４−（Ｎ−（４’−（２”，２”−ジ
フェニルエテニル）フェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）
ブロモベンゼンを入れ、真空下で乾燥した。これに直前
に金属ナトリウム上で蒸留した乾燥テトラヒドロフラン
５０ｍｌをガスタイトシリンジを用いて加え４−（Ｎ−
（４’−（２”，２”−ジフェニルエテニル）フェニ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ）ブロモベンゼンを溶解した
後、−７８℃でｎ−ブチルリチウム（Ａｌｄｒｉｃｈ社
製、１．６Ｎ ヘキサン溶液）７ｍｌを滴下し１時間反
応させて、４−（Ｎ−（４’−（２”，２”−ジフェニ
ルエテニル）フェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）フェニ
ルリチウムを生成した。
エテニル）フェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）フェニ
ル）ジクロロシランの合成 実施例１と同じ操作で乾燥した１００ｍｌ三つ口フラス
コに、４．８ｇの４−（Ｎ−（４’−（２”，２”−ジ
フェニルエテニル）フェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）
ブロモベンゼンを入れ、真空下で乾燥した。これに直前
に金属ナトリウム上で蒸留した乾燥テトラヒドロフラン
５０ｍｌをガスタイトシリンジを用いて加え４−（Ｎ−
（４’−（２”，２”−ジフェニルエテニル）フェニ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ）ブロモベンゼンを溶解した
後、−７８℃でｎ−ブチルリチウム（Ａｌｄｒｉｃｈ社
製、１．６Ｎ ヘキサン溶液）７ｍｌを滴下し１時間反
応させて、４−（Ｎ−（４’−（２”，２”−ジフェニ
ルエテニル）フェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）フェニ
ルリチウムを生成した。
【０１６２】同様に乾燥した１００ｍｌ三つ口フラスコ
に直前に水素化カルシウム上で蒸留したエチルトリクロ
ロシラン（信越化学製、ＬＳ−１２０）３．３５ｇと乾
燥テトラヒドロフラン２０ｍｌを入れ、−７８℃に冷却
したのち前記の４−（Ｎ−（４’−（２”，２”−ジフ
ェニルエテニル）フェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）フ
ェニルリチウムをテフロン製カニューラを用いて滴下し
た。滴下後、一晩反応を行った後、過剰のエチルトリク
ロロシランと溶媒を留去し、再び乾燥トルエン３０ｍｌ
で抽出し、乾燥アルゴン雰囲気下Ｇ５ガラスフィルター
でろ過し、塩を除いた。トルエンとヘキンサの１：３混
合溶媒で再結晶し、淡黄色固体３．１ｇ（収率５１％）
を得た。核磁気共鳴吸収スペクトル（ＮＭＲ）の結果か
ら、この固体はエチル（４−（Ｎ−（４’−（２”，
２”−ジフェニルエテニル）フェニル）−Ｎ−フェニル
アミノ）フェニル）ジクロロシランであることを確認し
た。
に直前に水素化カルシウム上で蒸留したエチルトリクロ
ロシラン（信越化学製、ＬＳ−１２０）３．３５ｇと乾
燥テトラヒドロフラン２０ｍｌを入れ、−７８℃に冷却
したのち前記の４−（Ｎ−（４’−（２”，２”−ジフ
ェニルエテニル）フェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）フ
ェニルリチウムをテフロン製カニューラを用いて滴下し
た。滴下後、一晩反応を行った後、過剰のエチルトリク
ロロシランと溶媒を留去し、再び乾燥トルエン３０ｍｌ
で抽出し、乾燥アルゴン雰囲気下Ｇ５ガラスフィルター
でろ過し、塩を除いた。トルエンとヘキンサの１：３混
合溶媒で再結晶し、淡黄色固体３．１ｇ（収率５１％）
を得た。核磁気共鳴吸収スペクトル（ＮＭＲ）の結果か
ら、この固体はエチル（４−（Ｎ−（４’−（２”，
２”−ジフェニルエテニル）フェニル）−Ｎ−フェニル
アミノ）フェニル）ジクロロシランであることを確認し
た。
【０１６３】構造解析データ1 Ｈ−ＮＭＲ １．１ｐｐｍ（３Ｈ） ＣＨ3 ＣＨ2 Ｓｉ １．３ｐｐｍ（２Ｈ） ＣＨ3 ＣＨ2 Ｓｉ ６．８〜７．５ｐｐｍ（２４Ｈ） ［（Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｃ＝ＣＨ（Ｃ6 Ｈ4 ）］（Ｃ6 Ｈ5 ）
Ｎ（Ｃ6Ｈ4 ）−Ｓｉ （テトラメチルシラン０．０ｐｐｍ基準）13 Ｃ−ＮＭＲ ６．４３ｐｐｍ（１本） ＣＨ3 ＣＨ2 Ｓｉ １３．２ｐｐｍ（１本） ＣＨ3 ＣＨ2 Ｓｉ １２１〜１５０ｐｐｍ（１８本） ［（Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｃ＝ＣＨ（Ｃ6 Ｈ4 ）］（Ｃ6 Ｈ5 ）
Ｎ（Ｃ6Ｈ4 ）−Ｓｉ （重クロロホルム７７．１ｐｐｍ基準）
Ｎ（Ｃ6Ｈ4 ）−Ｓｉ （テトラメチルシラン０．０ｐｐｍ基準）13 Ｃ−ＮＭＲ ６．４３ｐｐｍ（１本） ＣＨ3 ＣＨ2 Ｓｉ １３．２ｐｐｍ（１本） ＣＨ3 ＣＨ2 Ｓｉ １２１〜１５０ｐｐｍ（１８本） ［（Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｃ＝ＣＨ（Ｃ6 Ｈ4 ）］（Ｃ6 Ｈ5 ）
Ｎ（Ｃ6Ｈ4 ）−Ｓｉ （重クロロホルム７７．１ｐｐｍ基準）
【０１６４】実施例１４ ポリ（エチル（４−（Ｎ−（４’−（２”，２”−ジフ
ェニルエテニル）フェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）フ
ェニル）シラン）の合成 ２００℃で乾燥した５０ｍｌの三つ口フラスコにラバー
セプタム、ガス導入管を装着し、真空引きと乾燥アルゴ
ン充填を繰り返しながら冷却した。このフラスコに乾燥
窒素雰囲気下で金属ナトリウム０．２６ｇを入れ、金属
ナトリウム上で乾燥し、直前に蒸留したトルエン２５ｍ
ｌを加えた。このフラスコを乾燥アルゴン流通下、超音
波分散器にセットし、９８℃〜１０５℃に加熱しながら
超音波を照射し、金属ナトリウムを平均粒径で１０μｍ
に分散し金属ナトリウム懸濁液とした。
ェニルエテニル）フェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）フ
ェニル）シラン）の合成 ２００℃で乾燥した５０ｍｌの三つ口フラスコにラバー
セプタム、ガス導入管を装着し、真空引きと乾燥アルゴ
ン充填を繰り返しながら冷却した。このフラスコに乾燥
窒素雰囲気下で金属ナトリウム０．２６ｇを入れ、金属
ナトリウム上で乾燥し、直前に蒸留したトルエン２５ｍ
ｌを加えた。このフラスコを乾燥アルゴン流通下、超音
波分散器にセットし、９８℃〜１０５℃に加熱しながら
超音波を照射し、金属ナトリウムを平均粒径で１０μｍ
に分散し金属ナトリウム懸濁液とした。
【０１６５】同様に乾燥した３００ｍｌの三つ口フラス
コに、上記の金属ナトリウム懸濁液をテフロン製カニュ
ーラを用いて移し、磁気撹拌子、熱電対、ラバーセプタ
ムを装着し、９５℃に昇温した。フラスコの内温が安定
すると同時に、実施例１３で合成し、再結晶法により精
製したエチル（４−（Ｎ−（４’−（２”，２”−ジフ
ェニルエテニル）フェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）フ
ェニル）ジクロロシラン２．８ｇの乾燥トルエン溶液２
０ｍｌを滴下ロートを用い約３０分間かけて滴下した。
滴下後、反応液を１０ｍｌに濃縮し、内温を８０℃にし
た。フラスコの内温が安定すると同時に、テトラヒドロ
フラン１ｍｌ添加した。添加後、反応熱で８５℃まで上
昇した。添加終了後８０℃で２時間反応を行なった。
コに、上記の金属ナトリウム懸濁液をテフロン製カニュ
ーラを用いて移し、磁気撹拌子、熱電対、ラバーセプタ
ムを装着し、９５℃に昇温した。フラスコの内温が安定
すると同時に、実施例１３で合成し、再結晶法により精
製したエチル（４−（Ｎ−（４’−（２”，２”−ジフ
ェニルエテニル）フェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）フ
ェニル）ジクロロシラン２．８ｇの乾燥トルエン溶液２
０ｍｌを滴下ロートを用い約３０分間かけて滴下した。
滴下後、反応液を１０ｍｌに濃縮し、内温を８０℃にし
た。フラスコの内温が安定すると同時に、テトラヒドロ
フラン１ｍｌ添加した。添加後、反応熱で８５℃まで上
昇した。添加終了後８０℃で２時間反応を行なった。
【０１６６】反応終了後、アルゴン雰囲気下で１ｍｌの
イソプロピルアルコールをフラスコに加え過剰の金属ナ
トリウムを失活させた。沈殿物を遠心分離操作で分離、
トルエンで２回洗浄し可溶物をトルエン溶液として回収
した。トルエン溶液を水洗し無水硫酸マグネシウムで乾
燥した後、溶媒を留去し樹脂状物質１．５９ｇを得た。
イソプロピルアルコールをフラスコに加え過剰の金属ナ
トリウムを失活させた。沈殿物を遠心分離操作で分離、
トルエンで２回洗浄し可溶物をトルエン溶液として回収
した。トルエン溶液を水洗し無水硫酸マグネシウムで乾
燥した後、溶媒を留去し樹脂状物質１．５９ｇを得た。
【０１６７】得られた樹脂状物質をテトラヒドロフラン
に溶解、イソプロピルアルコールで再沈する操作を繰り
返し、精製ポリマー０．１０ｇを得た。ポリマーの分子
量分布をＧＰＣを用いて測定した結果、高分子量のポリ
シラン化合物が得られたことが確認できた。ＮＭＲの結
果は、ポリ（エチル（４−（Ｎ−（４’−（２”，２”
−ジフェニルエテニル）フェニル）−Ｎ−フェニルアミ
ノ）フェニル）シラン）に対応するものであった。
に溶解、イソプロピルアルコールで再沈する操作を繰り
返し、精製ポリマー０．１０ｇを得た。ポリマーの分子
量分布をＧＰＣを用いて測定した結果、高分子量のポリ
シラン化合物が得られたことが確認できた。ＮＭＲの結
果は、ポリ（エチル（４−（Ｎ−（４’−（２”，２”
−ジフェニルエテニル）フェニル）−Ｎ−フェニルアミ
ノ）フェニル）シラン）に対応するものであった。
【０１６８】構造解析データ1 Ｈ−ＮＭＲ ０．２〜１．２ｐｐｍ（５Ｈ） Ｃ2 Ｈ5 −Ｓｉ ６．２〜７．８ｐｐｍ（２４Ｈ） ［（Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｃ＝ＣＨ（Ｃ6 Ｈ4 ）］（Ｃ6 Ｈ5 ）
Ｎ（Ｃ6Ｈ4 ）−Ｓｉ 積分比 芳香族／Ｃ2 Ｈ5 ＝２１．０／５．０ （テトラメチルシラン０．０ｐｐｍ基準） 分子量 Ｍｗ＝１．２×１０5 、Ｍｎ＝２．４×１０4 Ｍｗ／Ｍｎ＝５．０ ＤＰ50＝７０ 収率 ５％（０．１０ｇ）
Ｎ（Ｃ6Ｈ4 ）−Ｓｉ 積分比 芳香族／Ｃ2 Ｈ5 ＝２１．０／５．０ （テトラメチルシラン０．０ｐｐｍ基準） 分子量 Ｍｗ＝１．２×１０5 、Ｍｎ＝２．４×１０4 Ｍｗ／Ｍｎ＝５．０ ＤＰ50＝７０ 収率 ５％（０．１０ｇ）
【０１６９】実施例１５ エチル（４−（Ｎ−（４’，４”−（Ｎ’，Ｎ’−ジフ
ェニルアミノ）ビフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）フ
ェニル）ジクロロシランの合成 実施例１と同じ操作で乾燥した１００ｍｌ三つ口フラス
コに、５．０ｇの４−（Ｎ−（４’，４”−（Ｎ’，
Ｎ’−ジフェニルアミノ）ビフェニル）−Ｎ−フェニル
アミノ）ブロモベンゼンを入れ、真空下で乾燥した。こ
れに直前に金属ナトリウム上で蒸留した乾燥テトラヒド
ロフラン５０ｍｌをガスタイトシリンジを用いて加え４
−（Ｎ−（４’，４”−（Ｎ’，Ｎ’−ジフェニルアミ
ノ）ビフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ブロモベンゼ
ンを溶解した後、−７８℃でｎ−ブチルリチウム（Ａｌ
ｄｒｉｃｈ社製、１．６Ｎ ヘキサン溶液）６ｍｌを滴
下し１時間反応させて、４−（Ｎ−（４’，４”−
（Ｎ’，Ｎ’−ジフェニルアミノ）ビフェニル）−Ｎ−
フェニルアミノ）フェニルリチウムを生成した。
ェニルアミノ）ビフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）フ
ェニル）ジクロロシランの合成 実施例１と同じ操作で乾燥した１００ｍｌ三つ口フラス
コに、５．０ｇの４−（Ｎ−（４’，４”−（Ｎ’，
Ｎ’−ジフェニルアミノ）ビフェニル）−Ｎ−フェニル
アミノ）ブロモベンゼンを入れ、真空下で乾燥した。こ
れに直前に金属ナトリウム上で蒸留した乾燥テトラヒド
ロフラン５０ｍｌをガスタイトシリンジを用いて加え４
−（Ｎ−（４’，４”−（Ｎ’，Ｎ’−ジフェニルアミ
ノ）ビフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ブロモベンゼ
ンを溶解した後、−７８℃でｎ−ブチルリチウム（Ａｌ
ｄｒｉｃｈ社製、１．６Ｎ ヘキサン溶液）６ｍｌを滴
下し１時間反応させて、４−（Ｎ−（４’，４”−
（Ｎ’，Ｎ’−ジフェニルアミノ）ビフェニル）−Ｎ−
フェニルアミノ）フェニルリチウムを生成した。
【０１７０】同様に乾燥した１００ｍｌ三つ口フラスコ
に直前に水素化カルシウム上で蒸留したエチルトリクロ
ロシラン（信越化学製、ＬＳ−１２０）２．１７ｇと乾
燥テトラヒドロフラン５０ｍｌを入れ、−７８℃に冷却
したのち前記の４−（Ｎ−（４’，４”−（Ｎ’，Ｎ’
−ジフェニルアミノ）ビフェニル）−Ｎ−フェニルアミ
ノ）フェニルリチウムをテフロン製カニューラを用いて
滴下した。滴下後、−７８℃で１時間撹拌後、室温にも
どし、過剰のエチルトリクロロシランと溶媒を留去し
た。再び乾燥トルエン５５ｍｌで抽出し、乾燥アルゴン
雰囲気下Ｇ５ガラスフィルターでろ過し、塩を除いた。
溶媒を除去し、淡緑色の固体５．０ｇを得た。ＮＭＲス
ペクトルの解析結果から、この固体はエチル（４−（Ｎ
−（４’，４”−（Ｎ’，Ｎ’−ジフェニルアミノ）ビ
フェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）フェニル）ジクロロ
シランであることを確認した。
に直前に水素化カルシウム上で蒸留したエチルトリクロ
ロシラン（信越化学製、ＬＳ−１２０）２．１７ｇと乾
燥テトラヒドロフラン５０ｍｌを入れ、−７８℃に冷却
したのち前記の４−（Ｎ−（４’，４”−（Ｎ’，Ｎ’
−ジフェニルアミノ）ビフェニル）−Ｎ−フェニルアミ
ノ）フェニルリチウムをテフロン製カニューラを用いて
滴下した。滴下後、−７８℃で１時間撹拌後、室温にも
どし、過剰のエチルトリクロロシランと溶媒を留去し
た。再び乾燥トルエン５５ｍｌで抽出し、乾燥アルゴン
雰囲気下Ｇ５ガラスフィルターでろ過し、塩を除いた。
溶媒を除去し、淡緑色の固体５．０ｇを得た。ＮＭＲス
ペクトルの解析結果から、この固体はエチル（４−（Ｎ
−（４’，４”−（Ｎ’，Ｎ’−ジフェニルアミノ）ビ
フェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）フェニル）ジクロロ
シランであることを確認した。
【０１７１】構造解析データ1 Ｈ−ＮＭＲ １．２ｐｐｍ（３Ｈ） ＣＨ3 ＣＨ2 Ｓｉ １．３ｐｐｍ（２Ｈ） ＣＨ3 ＣＨ2 Ｓｉ ７．０〜７．６ｐｐｍ（２７Ｈ） 〔（Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｎ（Ｃ6 Ｈ4 −Ｃ6 Ｈ4 ）〕（Ｃ6 Ｈ
5 ）Ｎ（Ｃ6Ｈ4 ）−Ｓｉ （テトラメチルシラン０．０ｐｐｍ基準）13 Ｃ−ＮＭＲ ６．３４ｐｐｍ（１本） ＣＨ3 ＣＨ2 Ｓｉ １３．１ｐｐｍ（１本） ＣＨ3 ＣＨ2 Ｓｉ １２１〜１５０ｐｐｍ（１９本） 〔（Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｎ（Ｃ6 Ｈ4 −Ｃ6 Ｈ4 ）〕（Ｃ6 Ｈ
5 ）Ｎ（Ｃ6Ｈ4 ）−Ｓｉ （重クロロホルム７７．０ｐｐｍ基準）
5 ）Ｎ（Ｃ6Ｈ4 ）−Ｓｉ （テトラメチルシラン０．０ｐｐｍ基準）13 Ｃ−ＮＭＲ ６．３４ｐｐｍ（１本） ＣＨ3 ＣＨ2 Ｓｉ １３．１ｐｐｍ（１本） ＣＨ3 ＣＨ2 Ｓｉ １２１〜１５０ｐｐｍ（１９本） 〔（Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｎ（Ｃ6 Ｈ4 −Ｃ6 Ｈ4 ）〕（Ｃ6 Ｈ
5 ）Ｎ（Ｃ6Ｈ4 ）−Ｓｉ （重クロロホルム７７．０ｐｐｍ基準）
【０１７２】実施例１６ ポリ（エチル（４−（Ｎ−（４’−（４”−（Ｎ’，
Ｎ’−ジフェニルアミノ））ビフェニル）−Ｎ−フェニ
ルアミノ）フェニル）シラン）の合成 実施例１と同じ操作で乾燥した５０ｍｌの三つ口フラス
コに乾燥窒素雰囲気下で金属ナトリウム０．３７ｇを入
れ、乾燥トルエン２５ｍｌを加えた。このフラスコを乾
燥アルゴン流通下、超音波分散器にセットし、９８℃〜
１０５℃に加熱しながら超音波を照射し、金属ナトリウ
ムを分散した。分散後、フラスコを静置し、上澄みの過
剰トルエン１５ｍｌをシリンジで除き、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル１．５ｍｌを加え金属ナトリウ
ム懸濁液とした。
Ｎ’−ジフェニルアミノ））ビフェニル）−Ｎ−フェニ
ルアミノ）フェニル）シラン）の合成 実施例１と同じ操作で乾燥した５０ｍｌの三つ口フラス
コに乾燥窒素雰囲気下で金属ナトリウム０．３７ｇを入
れ、乾燥トルエン２５ｍｌを加えた。このフラスコを乾
燥アルゴン流通下、超音波分散器にセットし、９８℃〜
１０５℃に加熱しながら超音波を照射し、金属ナトリウ
ムを分散した。分散後、フラスコを静置し、上澄みの過
剰トルエン１５ｍｌをシリンジで除き、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル１．５ｍｌを加え金属ナトリウ
ム懸濁液とした。
【０１７３】同様に乾燥した３００ｍｌの三つ口フラス
コに磁気撹拌子、熱電対、ラバーセプタムを装着し、実
施例１５で合成したエチル（４−（Ｎ−（４’−（４”
−（Ｎ’，Ｎ’−ジフェニルアミノ）ビフェニル）−Ｎ
−フェニルアミノ）フェニル）ジクロロシラン４．８ｇ
と乾燥トルエン１０ｍｌを加え溶液とした。このフラス
コを９５℃に昇温した後、前記の金属ナトリウム懸濁液
をテフロン製カニューラを用いて１０分間かけて滴下し
た。滴下後、反応熱で１１５℃まで上昇した。滴下終了
後、１０５℃で３０分間反応を行った。
コに磁気撹拌子、熱電対、ラバーセプタムを装着し、実
施例１５で合成したエチル（４−（Ｎ−（４’−（４”
−（Ｎ’，Ｎ’−ジフェニルアミノ）ビフェニル）−Ｎ
−フェニルアミノ）フェニル）ジクロロシラン４．８ｇ
と乾燥トルエン１０ｍｌを加え溶液とした。このフラス
コを９５℃に昇温した後、前記の金属ナトリウム懸濁液
をテフロン製カニューラを用いて１０分間かけて滴下し
た。滴下後、反応熱で１１５℃まで上昇した。滴下終了
後、１０５℃で３０分間反応を行った。
【０１７４】反応終了後、アルゴン雰囲気下で３ｍｌの
イソプロピルアルコールをフラスコに加え過剰の金属ナ
トリウムを失活させた。沈殿物を遠心分離器で分離、ト
ルエンで２回洗浄し可溶物をトルエン溶液として回収し
た。トルエン溶液を水洗し無水硫酸マグネシウムで乾燥
した後、溶媒を留去し樹脂状物質４．４ｇを得た。得ら
れた樹脂状物質をテトラヒドロフランに溶解、イソプロ
ピルアルコールで再沈する操作を繰り返し、精製ポリマ
ー０．１６ｇを得た。ＮＭＲの結果は、ポリ（エチル
（４−（Ｎ−（４’−（４”−（Ｎ’，Ｎ’−ジフェニ
ルアミノ））ビフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）フェ
ニル）シラン）に対応するものであった。
イソプロピルアルコールをフラスコに加え過剰の金属ナ
トリウムを失活させた。沈殿物を遠心分離器で分離、ト
ルエンで２回洗浄し可溶物をトルエン溶液として回収し
た。トルエン溶液を水洗し無水硫酸マグネシウムで乾燥
した後、溶媒を留去し樹脂状物質４．４ｇを得た。得ら
れた樹脂状物質をテトラヒドロフランに溶解、イソプロ
ピルアルコールで再沈する操作を繰り返し、精製ポリマ
ー０．１６ｇを得た。ＮＭＲの結果は、ポリ（エチル
（４−（Ｎ−（４’−（４”−（Ｎ’，Ｎ’−ジフェニ
ルアミノ））ビフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）フェ
ニル）シラン）に対応するものであった。
【０１７５】構造解析データ1 Ｈ−ＮＭＲ ０．０〜１．４ｐｐｍ（５Ｈ） Ｃ2 Ｈ5 −Ｓｉ ６．４〜７．６ｐｐｍ（２７Ｈ） ［（Ｃ6 Ｈ5 ）2 Ｎ（Ｃ6 Ｈ4 −Ｃ6 Ｈ4 ）］（Ｃ6 Ｈ
5 ）Ｎ（Ｃ6 Ｈ4 ）−Ｓｉ 積分比 芳香族／Ｃ2 Ｈ5 ＝２５．５／５．０ （テトラメチルシラン０．０ｐｐｍ基準） 元素分析（重量％） Ｓｉ Ｃ Ｈ Ｎ 実測値 ５．６ ８２．６ ６．１ ５．０ 予想値 ５．２ ８３．８ ５．９ ５．１ 分子量 Ｍｗ＝５．９×１０4 、Ｍｎ＝７．４×１０3 Ｍｗ／Ｍｎ＝８．０ ＤＰ50＝４２ 収率 ４％（０．１６ｇ）
5 ）Ｎ（Ｃ6 Ｈ4 ）−Ｓｉ 積分比 芳香族／Ｃ2 Ｈ5 ＝２５．５／５．０ （テトラメチルシラン０．０ｐｐｍ基準） 元素分析（重量％） Ｓｉ Ｃ Ｈ Ｎ 実測値 ５．６ ８２．６ ６．１ ５．０ 予想値 ５．２ ８３．８ ５．９ ５．１ 分子量 Ｍｗ＝５．９×１０4 、Ｍｎ＝７．４×１０3 Ｍｗ／Ｍｎ＝８．０ ＤＰ50＝４２ 収率 ４％（０．１６ｇ）
【０１７６】実施例１７ エチル（４−フェノキシフェニル）ジクロロシランの合
成 実施例１と同じ操作で乾燥した１００ｍｌの三つ口フラ
スコに磁気撹拌子、滴下ロート、ラバーセプタムを装着
し、マグネシウム１．６ｇと直前に金属ナトリウム上で
蒸留した乾燥テトラヒドロフラン２５ｍｌを入れた。こ
のフラスコに、１５．１ｇの４−フェノキシブロモベン
ゼンをテトラヒドロフラン３５ｍｌに溶解した溶液を、
滴下ロートを用いて１．５時間かけて滴下した。滴下終
了後、４５℃に加熱し、０．５時間反応させて、４−フ
ェノキシフェニルマグネシウムブロマイドを生成した。
成 実施例１と同じ操作で乾燥した１００ｍｌの三つ口フラ
スコに磁気撹拌子、滴下ロート、ラバーセプタムを装着
し、マグネシウム１．６ｇと直前に金属ナトリウム上で
蒸留した乾燥テトラヒドロフラン２５ｍｌを入れた。こ
のフラスコに、１５．１ｇの４−フェノキシブロモベン
ゼンをテトラヒドロフラン３５ｍｌに溶解した溶液を、
滴下ロートを用いて１．５時間かけて滴下した。滴下終
了後、４５℃に加熱し、０．５時間反応させて、４−フ
ェノキシフェニルマグネシウムブロマイドを生成した。
【０１７７】同様に乾燥した１００ｍｌの二つ口フラス
コに直前に水素化カルシウム上で蒸留したエチルトリク
ロロシラン（信越化学製、ＬＳ−１２０）１０．９ｇと
乾燥テトラヒドロフラン８０ｍｌを入れ、室温で前記の
４−フェノキシフェニルマグネシウムブロマイドをテフ
ロン製カニューラを用いて滴下した。滴下後、一晩反応
を行なった後、シュレンクフィルターで生成した白色沈
殿物を濾過した。過剰のエチルトリクロロシランと溶媒
を留去し、減圧蒸留（１４５℃／０．２ｍｍＨｇ）し
て、６．８ｇ（収率：３８％）の無色透明で粘稠な液体
を得た。核磁気共鳴吸収スペクトル（ＮＭＲ）の結果か
ら、この液体はエチル（４−フェノキシフェニル）ジク
ロロシランであることを確認した。
コに直前に水素化カルシウム上で蒸留したエチルトリク
ロロシラン（信越化学製、ＬＳ−１２０）１０．９ｇと
乾燥テトラヒドロフラン８０ｍｌを入れ、室温で前記の
４−フェノキシフェニルマグネシウムブロマイドをテフ
ロン製カニューラを用いて滴下した。滴下後、一晩反応
を行なった後、シュレンクフィルターで生成した白色沈
殿物を濾過した。過剰のエチルトリクロロシランと溶媒
を留去し、減圧蒸留（１４５℃／０．２ｍｍＨｇ）し
て、６．８ｇ（収率：３８％）の無色透明で粘稠な液体
を得た。核磁気共鳴吸収スペクトル（ＮＭＲ）の結果か
ら、この液体はエチル（４−フェノキシフェニル）ジク
ロロシランであることを確認した。
【０１７８】構造解析データ（ＮＭＲ）1 Ｈ−ＮＭＲ １．１４ｐｐｍ（３Ｈ） ＣＨ3 ＣＨ2 −Ｓｉ １．３ｐｐｍ（２Ｈ） ＣＨ3 ＣＨ2 −Ｓｉ ７．７ｐｐｍ（９Ｈ） （Ｃ6 Ｈ5 ）Ｏ（Ｃ6 Ｈ4 ）−
Ｓｉ （テトラメチルシラン０．０ｐｐｍ基準）13 Ｃ−ＮＭＲ ６．３ｐｐｍ ＣＨ3 ＣＨ2 −Ｓｉ １３．２ｐｐｍ ＣＨ3 ＣＨ2 −Ｓｉ １１８〜１６１ｐｐｍ（８本）（Ｃ6 Ｈ5 ）Ｏ（Ｃ6 Ｈ
4 ）−Ｓｉ （重クロロホルム７７．１ｐｐｍ基準）
Ｓｉ （テトラメチルシラン０．０ｐｐｍ基準）13 Ｃ−ＮＭＲ ６．３ｐｐｍ ＣＨ3 ＣＨ2 −Ｓｉ １３．２ｐｐｍ ＣＨ3 ＣＨ2 −Ｓｉ １１８〜１６１ｐｐｍ（８本）（Ｃ6 Ｈ5 ）Ｏ（Ｃ6 Ｈ
4 ）−Ｓｉ （重クロロホルム７７．１ｐｐｍ基準）
【０１７９】実施例１８ ポリ（エチル（４−フェノキシフェニル）シラン）の合
成 実施例１と同じ操作で乾燥した５０ｍｌの三つ口フラス
コに乾燥窒素雰囲気下で切り出した金属ナトリウム１．
０ｇと、乾燥トルエン３０ｍｌを加えた。このフラスコ
を超音波分散器にセットし，１００〜１０５℃で金属ナ
トリウムを分散させた。分散後、フラスコを静置し、上
澄みの過剰のトルエン２５ｍｌをシリンジで除いき金属
ナトリウム懸濁液とした。
成 実施例１と同じ操作で乾燥した５０ｍｌの三つ口フラス
コに乾燥窒素雰囲気下で切り出した金属ナトリウム１．
０ｇと、乾燥トルエン３０ｍｌを加えた。このフラスコ
を超音波分散器にセットし，１００〜１０５℃で金属ナ
トリウムを分散させた。分散後、フラスコを静置し、上
澄みの過剰のトルエン２５ｍｌをシリンジで除いき金属
ナトリウム懸濁液とした。
【０１８０】同様に乾燥した５０ｍｌの三つ口フラスコ
に磁気撹拌子、熱電対、ラバーセプタムを装着し、実施
例１７で合成し、直前に蒸留したエチル（４−フェノキ
シフェニル）ジクロロシラン５．８３ｇと乾燥トルエン
１５ｍｌを加え溶液とした。このフラスコを８５℃に昇
温した後、前記の金属ナトリウム懸濁液をテフロン製カ
ニューラを用い約１０分間かけて滴下した。滴下終了後
４０分間反応させ、さらに１０５℃に昇温、５時間反応
させ、トルエンとイソプロピルアルコールを加え、反応
を停止するとともに過剰の金属ナトリウムを失活させ
た。
に磁気撹拌子、熱電対、ラバーセプタムを装着し、実施
例１７で合成し、直前に蒸留したエチル（４−フェノキ
シフェニル）ジクロロシラン５．８３ｇと乾燥トルエン
１５ｍｌを加え溶液とした。このフラスコを８５℃に昇
温した後、前記の金属ナトリウム懸濁液をテフロン製カ
ニューラを用い約１０分間かけて滴下した。滴下終了後
４０分間反応させ、さらに１０５℃に昇温、５時間反応
させ、トルエンとイソプロピルアルコールを加え、反応
を停止するとともに過剰の金属ナトリウムを失活させ
た。
【０１８１】沈殿物を遠心分離操作で分離、トルエンで
２回洗浄し可溶物をトルエン溶液として回収した。トル
エン溶液を水洗し無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、
溶媒を留去し樹脂状の物質を得た。この樹脂状物質をテ
トラヒドロフラン溶液としイソプロピルアルコールで再
沈、精製し、精製ポリマー０．２２ｇを得た。ポリマー
の分子量分布をＧＰＣを用いて測定した結果、高分子量
のポリシラン化合物が得られたことが確認できた。ＮＭ
Ｒの結果は、ポリ（エチル（４−フェノキシフェニル）
シラン）に対応するものであった。
２回洗浄し可溶物をトルエン溶液として回収した。トル
エン溶液を水洗し無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、
溶媒を留去し樹脂状の物質を得た。この樹脂状物質をテ
トラヒドロフラン溶液としイソプロピルアルコールで再
沈、精製し、精製ポリマー０．２２ｇを得た。ポリマー
の分子量分布をＧＰＣを用いて測定した結果、高分子量
のポリシラン化合物が得られたことが確認できた。ＮＭ
Ｒの結果は、ポリ（エチル（４−フェノキシフェニル）
シラン）に対応するものであった。
【０１８２】構造解析データ1 Ｈ−ＮＭＲ −０．３〜１．４ｐｐｍ（５Ｈ） Ｃ2 Ｈ5 −Ｓｉ ６．０〜７．６ｐｐｍ（９Ｈ） （Ｃ6 Ｈ5 ）Ｏ（Ｃ6
Ｈ4 ）−Ｓｉ 積分比 芳香族／Ｃ2 Ｈ5 ＝８．４／５．０ （ジオキサン３．５７ｐｐｍ基準） 元素分析（重量％） Ｓｉ Ｃ Ｈ Ｏ 実測値 １２．１ ７３．６ ６．３ ６．９ 予想値 １２．４ ７４．３ ６．２ ７．１
Ｈ4 ）−Ｓｉ 積分比 芳香族／Ｃ2 Ｈ5 ＝８．４／５．０ （ジオキサン３．５７ｐｐｍ基準） 元素分析（重量％） Ｓｉ Ｃ Ｈ Ｏ 実測値 １２．１ ７３．６ ６．３ ６．９ 予想値 １２．４ ７４．３ ６．２ ７．１
【０１８３】分子量 Ｍｗ＝２．４×１０6 、Ｍｎ＝１．３×１０4 Ｍｗ／Ｍｎ＝１８５ ＤＰ50＝７９００ 収率 ５％（０．２２ｇ）
【０１８４】本発明のポリシラン化合物は電子写真感光
体、電子写真平板印刷版等の層状光感応性画像形成部材
の正孔輸送材料、有機電界発光表示素子の正孔輸送材
料、または空間光変調器の光導電性材料、電界効果トラ
ンジスタ、光電池等の有機電子素子、有機光電変換素子
用材料として、さらにヨウ素等をドーピングすることに
より導電性材料として工業的に非常に有用な化合物であ
る。
体、電子写真平板印刷版等の層状光感応性画像形成部材
の正孔輸送材料、有機電界発光表示素子の正孔輸送材
料、または空間光変調器の光導電性材料、電界効果トラ
ンジスタ、光電池等の有機電子素子、有機光電変換素子
用材料として、さらにヨウ素等をドーピングすることに
より導電性材料として工業的に非常に有用な化合物であ
る。
【０１８５】
【発明の効果】本発明のポリシラン化合物は、正孔ドリ
フト移動度が高く、高分子量であり成形性に優れてい
る。本発明のジハロシランを原料として、本発明の製造
方法により上記の優れた特性を有する本発明のポリシラ
ン化合物を得ることができる。
フト移動度が高く、高分子量であり成形性に優れてい
る。本発明のジハロシランを原料として、本発明の製造
方法により上記の優れた特性を有する本発明のポリシラ
ン化合物を得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平7−189336 (32)優先日 平７(1995)７月25日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 矢作 公 茨城県つくば市北原６ 住友化学工業株式 会社内 (72)発明者 佐々木 学 茨城県つくば市北原６ 住友化学工業株式 会社内 (72)発明者 長田 剛規 茨城県つくば市北原６ 住友化学工業株式 会社内 (72)発明者 北野 真 茨城県つくば市北原６ 住友化学工業株式 会社内 (72)発明者 安部 康明 茨城県つくば市北原６ 住友化学工業株式 会社内
Claims (17)
- 【請求項１】主鎖骨格が下記一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ1 は置換されていてもよいアルキル基、シク
ロアルキル基、アリール基またはアラルキル基を示す。
Ｘは不対電子を有する原子または不対電子を有する原子
を含む基であり、酸素原子、硫黄原子または一般式
（２） 【化２】 （式中、Ｒ2 は置換されていてもよいアルキル基、シク
ロアルキル基、アリール基またはアラルキル基を示
す。）で表される窒素原子を含む基を示す。Ａｒ1 は置
換されていてもよいアリーレン基を示す。Ａｒ2 は置換
されていてもよいアリール基、下記一般式（３） 【化３】 （式中、Ａｒ3 は置換されていてもよいアリーレン基、
Ｒ3 およびＲ4 はそれぞれ独立に置換されていてもよい
アルキル基、シクロアルキル基、アリール基またはアラ
ルキル基を示す。）で表される芳香族アミン骨格を有す
る基、または、下記一般式（４） 【化４】 （式中、Ａｒ4 は置換されていてもよいアリーレン基、
Ｒ5 およびＲ6 はそれぞれ独立に、水素原子あるいは置
換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、ア
リール基またはアラルキル基、Ａｒ5 は置換されていて
もよいアリール基を示す。）で表される芳香族エテニレ
ン骨格を有する基を示す。また、Ａｒ1 とＡｒ2 の間、
または、Ｘを一般式（２）で表したとき、Ａｒ1 とＲ2
の間、あるいはＲ2 とＡｒ2 の間に環を形成していても
よい。）で表される繰り返し構造単位と、下記一般式
（５） 【化５】 （式中、Ｒ7 およびＲ8 はそれぞれ独立に置換されてい
てもよいアルキル基、シクロアルキル基、アリール基ま
たはアラルキル基を示す。）で表される繰り返し構造単
位とからなり、繰り返し構造単位（１）と繰り返し構造
単位（５）の総単位数に対する繰り返し構造単位（１）
および繰り返し構造単位（５）の単位数の比をそれぞれ
ｚおよび１−ｚとしたとき、０．２≦ｚ≦１であること
を特徴とするポリシラン化合物。 - 【請求項２】一般式（１）における側鎖Ａｒ2 −Ｘ−Ａ
ｒ1 −基が、該側鎖基をＳｉ原子から切り離し、下記一
般式（６） 【化６】 （式中、Ｈは水素原子を表し、Ａｒ1 、Ｘ、Ａｒ2 は前
記一般式（１）におけるものを表す。）で表される分子
にしたときの、該分子のイオン化ポテンシャル（以下、
Ｉｐと記すことがある。）が、６．０ｅＶ以下であるよ
うな側鎖Ａｒ2 −Ｘ−Ａｒ1 −基であることを特徴とす
る請求項１記載のポリシラン化合物。 - 【請求項３】一般式（１）において、Ｘを一般式（２）
で表したとき、Ｒ2が置換されていてもよいフェニル
基、Ａｒ1 が置換されていてもよいフェニレン基、Ａｒ
2 が置換されていてもよいフェニル基であることを特徴
とする請求項１記載のポリシラン化合物。 - 【請求項４】一般式（１）において、Ｘを一般式（２）
で表したとき、Ｒ2が置換されていてもよいフェニル
基、Ａｒ1 が置換されていてもよいフェニレン基、Ａｒ
2 を一般式（３）で表したとき、Ａｒ3 が置換されてい
てもよいフェニレン基、またはビフェニレン基、Ｒ5 、
Ｒ6 がそれぞれ独立に置換されていてもよいフェニル基
であることを特徴とする請求項１記載のポリシラン化合
物。 - 【請求項５】一般式（１）において、Ｘを一般式（２）
で表したとき、Ｒ2が置換されていてもよいフェニル
基、Ａｒ1 が置換されていてもよいフェニレン基、Ａｒ
2 を一般式（４）で表したとき、Ａｒ4 が置換されてい
てもよいフェニレン基、Ｒ6 およびＡｒ5 がそれぞれ独
立に置換されていてもよいフェニル基であることを特徴
とする請求項１記載のポリシラン化合物。 - 【請求項６】一般式（１）において、Ｘが酸素原子、Ａ
ｒ1 が置換されていてもよいフェニレン基、Ａｒ2 が置
換されていてもよいフェニル基であることを特徴とする
請求項１記載のポリシラン化合物。 - 【請求項７】正孔ドリフト移動度が１０-4〜１０-1ｃｍ
2 ／Ｖｓｅｃであることを特徴とする請求項１記載のポ
リシラン化合物。 - 【請求項８】一分子中の平均繰り返し構造単位数を、下
記数式（１） 【数１】 （式中、ｉ、ｋは一分子中の繰り返し構造単位数、ｆi
はｉ個の繰り返し構造単位を持つ分子の度数を表す）を
満たすｋ（以下、ＤＰ50と記すことがある。）としたと
き、ｋが７０以上であることを特徴とする請求項１記載
のポリシラン化合物。 - 【請求項９】一般式（１）において、Ｘが一般式（２）
で表され、かつ数式（１）を満たすｋが７０以上であ
り、かつ正孔ドリフト移動度が１０-3〜１０-1ｃｍ2 ／
Ｖｓｅｃであることを特徴とする請求項１記載のポリシ
ラン化合物。 - 【請求項１０】下記一般式（７） 【化７】 （式中、Ｙは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表
し、Ｒ1 は置換されていてもよいアルキル基、シクロア
ルキル基、アリール基またはアラルキル基を示す。Ｘは
不対電子を有する原子または不対電子を有する原子を含
む基であり、酸素原子、硫黄原子または前記一般式
（２）で表される窒素原子を含む基を示す。Ａｒ1 は置
換されていてもよいアリーレン基を示す。Ａｒ2 は置換
されていてもよいアリール基、前記一般式（３）で表さ
れる芳香族アミン骨格を有する基、または、前記一般式
（４）で表される芳香族エテニレン骨格を有する基を示
す。また、Ａｒ1 とＡｒ2 の間、または、Ｘを前記一般
式（２）で表したとき、Ａｒ1 とＲ2 の間、あるいはＲ
2 とＡｒ2 の間に環を形成していてもよい。）で表され
ることを特徴とするジハロシラン。 - 【請求項１１】一般式（７）において、Ｘを一般式
（２）で表したとき、Ｒ 2 が置換されていてもよいフェ
ニル基、Ａｒ1 が置換されていてもよいフェニレン基、
Ａｒ2 が置換されていてもよいフェニル基であることを
特徴とする請求項１０記載のジハロシラン。 - 【請求項１２】一般式（７）において、Ｘを一般式
（２）で表したとき、Ｒ 2 が置換されていてもよいフェ
ニル基、Ａｒ1 が置換されていてもよいフェニレン基、
Ａｒ2 を一般式（３）で表したとき、Ａｒ3 が置換され
ていてもよいフェニレン基、またはビフェニレン基、Ｒ
5 およびＲ6 がそれぞれ独立に置換されていてもよいフ
ェニル基であることを特徴とする請求項１０記載のジハ
ロシラン。 - 【請求項１３】一般式（７）において、Ｘを一般式
（２）で表したとき、Ｒ 2 が置換されていてもよいフェ
ニル基、Ａｒ1 が置換されていてもよいフェニレン基、
Ａｒ2 を一般式（４）で表したとき、Ａｒ4 が置換され
ていてもよいフェニレン基、Ｒ6 およびＡｒ5 がそれぞ
れ独立に置換されていてもよいフェニル基であることを
特徴とする請求項１０記載のジハロシラン。 - 【請求項１４】一般式（７）において、Ｘが酸素原子、
Ａｒ1 が置換されていてもよいフェニレン基、Ａｒ2 が
置換されていてもよいフェニル基であることを特徴とす
る請求項１０記載のジハロシラン。 - 【請求項１５】一般式（７）で表わされるジハロシラ
ン、または一般式（７）で表わされるジハロシランと一
般式（８） 【化８】 （式中、Ｙは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表
し、Ｒ7 およびＲ8 は前記一般式（５）におけるものを
表す。）で表わされるジハロシランの混合物を、不活性
溶媒中でアルカリ金属により縮重合反応させることを特
徴とするポリシラン化合物の製造方法。 - 【請求項１６】ジハロシランを不活性溶媒に溶解した溶
液に、アルカリ金属の懸濁液を滴下することにより、ジ
ハロシランを縮重合反応させることを特徴とする請求項
１５記載のポリシラン化合物の製造方法。 - 【請求項１７】縮重合反応を室温から１００℃の間の温
度で行ない、アルカリ金属を微粒子にして用いることを
特徴とする請求項１５または請求項１６記載のポリシラ
ン化合物の製造方法。
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