JPH036232A - 新規な重合体およびその用途 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はケイ素−ケイ素結合を主鎖に有する新規かつ有
用な重合体およびその用途に関する。さらに詳しくは、
本発明はケイ素−ケイ素結合と１゜４−ナフチレン基と
を交互に繰返し単位として含む新規かつ有用な重合体、
およびこの重合体からなる導電性材料に関する。

〔従来の技術〕

高分子の主鎖にＳｉ　−Ｓｉ結合を有する重合体は。

感光性材料や絶縁材料として極めて有用な材料である。

この種の重合体としてはジャーナル・オブ・ポリマー・
サイエンス、ポリマー・レター・エデイジョン（Ｊ、　
Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｓｃｉ、、　Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｌｅｔ
ｔ。

Ｅｄ、）２２．６６９〜６７１（１９８４）に下記式〔
■〕で表わされる構成単位よりなる重合体などが示され
ているが、有機溶媒に対する溶解性や塗膜を形成すると
きの均一性に問題を有し、実用に供されていない。

また、特開昭６０−６１７４４号公報には光および放射
線感応性有機高分子材料として、下記式（Ｉｎ）で表わ
される構成単位の繰り返しからなる高分子材料場合に限
定され、特に導電性材料として使用する場合には改善が
望まれている。

一方、従来から導電性を必要とする用途には専ら金属が
使用され、有機高分子化合物は一般には絶縁材料として
取扱われていた。ところが従来絶縁材料として認識され
ていた有機高分子化合物のうち、ケイ素原子を含む高分
子化合物が導電性を有していることが見出され、このよ
うなケイ素含有高分子化合物を導電性材料として使用し
ようとする試みがなされている。

例えば１９８１年には、ポリシランの一種であるメチル
フェニルポリシランに光照射することにより架橋構造を
形成させた化合物にドーパント（ドーピングエージェン
ト）を添加することにより、この化合物が高い導電率を
示すことが発見されている。ところが、ここで使用され
るドーパントとしては、ＡｓＦ、のような化合物が使用
されている。そしてこのようなドーパントを使用するこ
とにより、上記のケイ素含有化合物は、０．５５／ｃｍ
程度の導電率を示すことが開示されている（ＪＡＣＳ、
　１０３．７３５２−７３５４）。

しかしながら、このようなケイ素含有化合物を導電性材
料として使用する場合には、ドーパントとして毒性の高
いＡｓＦ、を使用しなければならない。

また上記のようなケイ素含有化合物を製造する際、光照
射の制御が難しく、良好な特性を有する化合物を再現性
よく製造することが難しいといった問題もある。

また特開昭６２−５９６３２号公報にはＡｓＦ、を使用
せずに優れた導電性を示すマトリックス状のポリアルキ
ルシランが開示されている。ここではドーパントとして
ポリアルキルシラン中に硫酸イオンを含有させることに
より、導電性が賦与されたポリシランが開示されている
。このときのポリアルキルシランの導電率は１０４〜１
０　Ｓ／ｃ璽程度である。

しかしながら、上記のようなポリシランからなる導電性
材料においても、導電率等の特性や製造条件などに改善
の余地を残している。

〔発明の課題〕

本発明の目的は、ケイ素−ケイ素結合およびナフチレン
結合を繰返し単位に有する新規かつ機能性高分子材料と
して有用な重合体を提供することである。

また本発明の他の目的は、上記のポリシラン化合物から
なる導電性材料を提供することである。

〔発明の構成〕

本発明は次の新規な重合体およびその用途である。

（１）下記一般式〔Ｉ〕で表わされるポリシラン化合物
からなることを特徴とする新規な重合体。

（２）下記−数式（１３で表わされる重合体からなるこ
とを特徴とする導電性材料。

（式中、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立にアルキル基
、アリール基およびアラルキル基よりなる群がら選ばれ
た基を表わし、ｎは２以上の整数を表わす、） 本発明の重合体は上記一般式〔Ｉ〕で表わされるポリシ
ラン化合物であり、優れた導電性を有している。

一般式（Ｉｌにおいて、Ｒ１、Ｒ２で表わされるアルキ
ル基としては、通常炭素数１〜１０のアルキル基、好ま
しくは１〜６のアルキル基がある。このようなアルキル
基の例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基
、ｎ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基なとの直鎖状アルキル
基；　１ｓｏ−プロピル基、５ｅｅ−ブチル基、５ａｃ
−アミル基などの２級アルキル基；ならびにｔａｒｔ−
ブチル基、ｔａｒｔ−アミル基などの３級アルキル基な
どをあげることができる。

アリール基は少なくとも１個の芳香族環を有する１価の
基であり、この芳香族環は置換基を有していてもよい。

このようなアリール基の具体的な例としては、フェニル
基、ナフチル基、トリル基、およびキシリル基などをあ
げることができる。これらのアリール基のうち、本発明
のポリシラン化合物を導電性材料として使用する場合に
は、フェニル基が好ましい６ またアラルキル基は少なくとも１個の芳香族環を有する
脂肪族炭化水素からなる１価の基であり、ここで含まれ
る芳香族環は置換基を有していてもよい。このようなア
ラルキル基の具体的な例としてはベンジル基、フェネチ
ル基、α−メチルベンジル基、トリル基などをあげるこ
とができる。

上記のようなＲ１、Ｒ２のうち、同時に存在する基とし
ては、重合体の有機溶媒に対する溶解性を考慮して選択
することができ、中でもＲ１およびＲ２がそれぞれメチ
ルおよびエチル、メチルおよびローヘキシル、メチルお
よびフェニルの組合せが好ましい。

また上記式（１）において、ｎは２以上の整数であり、
好ましくは１０以上の整数である。

本発明の一般式［１）で示されるポリシラン化合物から
なる重合体の典型的なものをあげると、次のものがあげ
ら九る。

ポリ〔（テトラメチルジシラニレン−１，４−ナフチレ
ン〕、ポリ［（１，２−ジメチル−１，２−ジフェニル
ジシラニレン）−１，４−ナフチレン］、ポリ（（１，
２−ジエチル−１，２−ジメチルジシラニレン）−１，
４−ナフチレン〕。

ポリ〔（テトラフェニルジシラニレン）−１，４−ナフ
チレン〕、ポリ（（１，２−ジメチル−１，２−ジヘキ
シルジシラニレン）−１，４−ナフチレン） 上記のような本発明の重合体の物性は後の実施例に示す
通りである。

上記のような本発明のポリシラン化合物は、例えば次の
一般式（ＩＶ）で表わされる１、４−ビス（クロロシリ
ル）ナフタレン誘導体と、該誘導体中における塩素原子
と反応しつる量のアルカリ金属とを反応させることによ
り製造することができる。

（式中、Ｒ１およびＲ２は前記式（Ｉ）におけるＲ１お
よびＲ２と同じものを表わす。） 上記式（ＩＶ）で表わされるビス（クロロシリル）ナフ
タレン誘導体は、所定の置換基（ＲＬ、Ｒ２）を有する
モノクロロヒドロシランと１．４−ジブロモナフタレン
をマグネシウムを用いて反応させ、　ビス（ヒドロシリ
ル）ナフタレンとし、　さらにこれを四塩化炭素中でＰ
ｄＣＱ２またはＢＰＯ（ベンゾイルペルオキシド）存在
下加熱して得られる。

例えば上記のようにして得られる１、４−ビス（クロロ
シリル）ナフタレン誘導体の例としては、１゜４−ビス
（ジメチルクロロシリル）ナフタレン、　１．４−ビス
（メチルエチルクロロシリル）ナフタレン、１゜４−ビ
ス（メチルｎ−へキシルクロロシリル）ナフタレン、１
，４−ビス（メチルフェニルクロロシリル）ナフタレン
、１，４−ビス（メチルフェニルクロロシリル）ナフタ
レン、　１，４−ビス（プロピルフェニルクロロシリル
）ナフタレン、１．４−ビス（ｉｓｏ−プロピルフェニ
ルクロロシリル）ナフタレン、１，４〜ビス（ジフェニ
ルクロロシリル）ナフタレン、１，４−ビス（ナフチル
フェニルクロロシリル）ナフタレン、１，４−ビス（ト
リルフェニルクロロシリル）ナフタレン、１．４−ビス
（ベンジルフェニルクロロシリル）ナフタレン、１．４
−ビス（メチルベンジルクロロシリル）ナフタレンなど
をあげることができる。

本発明のポリシラン化合物を導電性材料として使用する
場合には、上記のような化合物のうち。

１．４−ビス（メチルエチルクロロシリル）ナフタレン
、１．４−ビス（メチルフェニルクロロシリル）ナフタ
レンを使用することが好ましい。

これらの化合物は通常は単独で使用されるが、例えば得
られるポリシラン化合物の導電性を調整することなどを
目的として、２種類以上の化合物を組合わせて使用する
こともできる。

本発明のポリシラン化合物の製造方法において、上記の
１，４−ビス（クロロシリル）ナフタレン誘導体と反応
させるアルカリ金属としては、金属ナトリラム、金属リ
チウム、金属カリウムなどをあげることができる。これ
らのアルカリ金属は、単独で使用することもできるし、
組合わせて使用することもできる。特に本発明において
は、金属ナトリウムを使用することが好ましい。

上記のビス（クロロシリル）ナフタレン誘導体とアルカ
リ金属との反応の例を次に示す。

上記式に示すように、アルカリ金属は少なくともビス（
クロロシリル）ナフタレン誘導体中の塩素原子と反応す
るような量で使用することが必要であり、ビス（クロロ
シリル）ナフタレン誘導体１モルに対して通常は２モル
以上、好ましくは２〜３モルの量で使用される。

このようなアルカリ金属は１通常アルカリ金属に対して
反応性を有しない溶媒中に分散させて、ディスバージＪ
ンの形態で使用される。従って本発明の製造方法は２通
常液相で行われる。そして。

この場合に使用される溶媒は、上記のようにアルカリ金
属に対して反応性を有しない溶媒であり。

さらに原料である１、４−ビス（クロロシリル）ナフタ
レン誘導体に対しても反応性を有していない溶媒が使用
される。

このような溶媒の例としては、芳香族炭化水素系溶媒、
飽和炭化水素系溶媒、不飽和炭化水素系溶媒、エーテル
系溶媒などをあげることができ、特にトルエン、ベンゼ
ン、キシレンなどの芳香族炭化水素が好ましい、これら
の溶媒は、単独で、あるいは組合わせて使用することが
できる。また上記の反応は溶媒を用いずに行うこともで
きる。

上記の反応における反応温度は、通常−２０〜２００℃
、好ましくは５０〜１５０℃範囲が好ましい。

また、この反応は減圧〜加圧のいず九の圧力条件で行う
ことができるが、反応圧力は通常減圧〜６０ｋｇ／ａｄ
、好ましくはＯ〜３０ｋｇ／ａｌｆ、さらに好ましくは
０〜５ｋｇ／ａｔの範囲に設定するのが好ましい。

このような反応における反応時間は圧力および温度を考
慮して適宜設定できるが、通常５分〜１００時間、好ま
しくは１〜１０時間である。

さらにこのような反応は１通常不活性雰囲気下で行われ
る。そして、この反応は、通常アルゴン雰囲気下あるい
は窒素雰囲気下に行われる。

例えば上記のようにして得られた一数式ＣＩ〕で表わさ
れる本発明のポリシラン化合物は導電性を有するため、
導電性材料として使用することができる。

本発明のポリシラン化合物を導電性材料として使用する
場合、このポリシラン化合物にドーパントを添加して使
用するのが好ましい。

本発明のポリシラン化合物の導電率（σ）は通常１０″
″ａＳ−ｃｌｌ−１以下であるが、ドーパントを添加す
ることにより、その導電率（σ）は通常０．０１〜ＩＳ
・Ｑｍ””程度になる。

本発明において使用することができるドーパントとして
は特に限定はなく、従来から使用されているエイ、ＳＯ
ｌ、ＡｓＦ、などを用いることができる他、ＳｂＦ、な
ども使用することができる。これらのドーパントは、単
独で、あるいは組合わせて使用することができる。この
ようなドーパントのうち１本発明においては、ＳｂＦ、
を使用することが好ましい。

上記のようなドーパントの使用方法には特に限定はなく
、例えばポリシラン化合物からなる膜を形成した後、こ
の膜にドーパントを塗布する方法など種々の方法を採用
することができる。

このようにドーパントを使用することにより、本発明の
ポリシラン化合物は良好な導電性を示すようになる。し
たがって、このポリシラン化合物を導電性材料として好
適に使用することができる。

本発明のポリシラン化合物は、上記のように導電性材料
として使用できる他、Ｓｉ　−Ｓｉ結合の有する光機能
性を利用して、感光材料などとしても使用できる。

〔発明の効果〕

本発明は新規かつ有用なポリシラン化合物であり、利用
価値は大きい。

そしてこのポリシラン化合物は、主鎖中に５ｌ−８１結
合およびナフタレン環の両者を有するため、導電材料と
して有効に使用することができ、特にＳｂＦ、などのド
ーパントを使用することにより、優れた導電性を有する
ようになる。

〔実施例〕

次に本発明の実施例について説明する。

実施例１ １４−ビスメチルエチルシリルナフタレンのへ威 還流冷却器、滴下ロートおよびかきまぜ機を取付けた３
００ｍｎ内容の三つロフラスコにクロロエチルメチルシ
ラン３０ｇ（０，２ｍｏｌ）、マグネシウム５．３ｇ（
０，２２ｍｏｌ）およびベンゼン、エーテル、■旺の１
：１：２の混合液１００ｍＱを入れ、これに同じ混合溶
媒１００ｍ１２に１．４−ジブロムナフタレン３０ｇ（
０，１Ｈ５ｍｏｌ）を溶かした溶液を室温で２時間かけ
て滴下した。

滴下終了後１０時間加熱還流した後加水分解を行った。

有機層を分離、水洗し、炭酸カリウムで乾燥し、減圧で
分留することにより　１．４−ビス（メチルエチルシリ
ル）ナフタレン２０ｇ　（７０％）を得た。

ここで得られた化合物の沸点は１３３〜１３５℃（２ｍ
ｍＨｇ）であった、また元素分析の結果を以下に示す。

元素分析結果　Ｃ０Ｈ□Ｓｉ。

Ｃａ１ｃ’ｄ　　Ｃ７０，５１，Ｈ８，８ＢＦｏｕｎｄ
　　Ｃ７０，３９、Ｈ８，８１還流冷却器を取付けた２
００＋ａ１２内容の二つロフラスコに１．４−ビス（メ
チルエチルシリル）ナフタレン２８．０ｇ　（０，１０
３ｍｏｌ）、塩化白金７６ｍｇおよび四塩化炭素１５０
１を入れて、これを１０時間加熱還流した。

反応終了後、減圧蒸留により１，４−ビス（メチルエチ
ルクロロシリル）ナフタレン３２．６ｇ（９３％）を得
た。

ここで得られた化合物の沸点は１６５〜１６７℃（２ｍ
ｍｌ（ｇ）であった。また元素分析の結果を以下に示す
。

元素分析結果　Ｃ１，Ｈ，、ＣＱ、Ｓｉ。

Ｃａ１ｃ’ｄ　　　Ｃ５６，２８、Ｈ６，５０Ｆｏｕｎ
ｄ　　　　　Ｃ５６，１５、Ｈ６，４ｇ還流冷却器、滴
下ロートおよびかきまぜ機を取付けた３００ｍｎ内容の
三つロフラスコに金属ナトリウム５．１ｇ（０，２２ｍ
ｏｌ）とトルエンＬｏｏｍ（ｌを入れ、加熱還流しなが
ら激しくかくはんを行い、ナトリウム分散を調製した。

これに１，４−ビス（メチルエチルクロロシリル）ナフ
タレン２５ｇ（０，０７３履ｏ１）をトルエン１００ｍ
＋２に溶かした溶液を還流下１．５時間で滴下し。

滴下了終後１０時間加熱還流した。反応終了後、過剰の
ナトリウムを酢酸−エタノールの１〜１混合溶液で分解
したのち加水分解を行った。有機層を分離、水洗して炭
酸カルシウムで乾燥した。溶媒を留去し、得られた固体
をエタノールから再沈澱させることにより、１４．３ｇ
　（７２％）の淡黄色の固体ポリマーとしてポリ（（１
，２−ジメチル−１，２−ジエチルジシラニレン）−１
，４−ナフチレン〕（式（Ｉ）中Ｒ１＝メチル基、Ｒ１
＝エチル基）を得た。

ここで得られたポリシラン化合物の融点は１０４〜１０
９℃であった。

このポリシラン化合物の機器分析の結果を以下に示す。

１Ｈ核磁気共鳴スペクトルＣＣＤＣＱ、溶媒中で測定、
δｐｐｍ） ０．４４　（６Ｈ，ｂｒｓ、　ＭａＳｉ）、０．６〜１
．３２　（ＩＯＨ，ｒｎ。

Ｃ，Ｈ，ＳＬ）、６．６２〜８．１６　（６Ｈ，ｔｓ、
　ｒｉｎｇ　ｐｒｏｔｏｎｓ）１３Ｃ核磁気共鳴スペク
トル（ＣＤＣＩＩ、溶媒中で測定、δｐｐ■） −４，３（ＭｅＳｉ）、７．１．８．１　（Ｃ）ｌ、Ｃ
Ｈ，Ｓｉ）、　１２４．５゜１２９．３，１３３．２．
１３７．１．１３７．９　（ｒｉｎｇ　ｃａｒｂｏｎｓ
）実施例２ １４−ビスメチルフェニルシリルナフタレンのハ 反応容器にマグネシウム７．１ｇを入れ乾燥させた後Ｔ
ＨＦ　５０−を加えた。これに１，４−ジブロモナフタ
レン３１．０ｇとクロロメチルフェニルシラン４６ｇを
５０社のＴ）ＩＦに溶解したものを滴下した。

終夜かくはんの後加水分解し、エーテル抽出を行った。

硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去し、減圧蒸留を
行って１，４−ビス（メチルフェニルシリル）ナフタレ
ンを１４　、５ｇ　（収率３６％）得た。

ここで得られた化合物の機器分析の結果を以下に示す。

１Ｈ核磁気共鳴スペクトル（Ｃｓ　Ｄｓ溶媒中で測定、
δｐｐｍ） ０．７３　（６Ｈ，ｄ、　Ｊ＝３．６）１ｚ、　Ｎｅ５
ｉ）、５．２５（２Ｈ１９、Ｊ＝３．６Ｈｚ、　Ｈ３ｉ
）、７．１〜７．９　（１６Ｈ，ｍ、　ｒｉｎｇｐｒｏ
ｔｏｎｓ） 赤外吸収スペクトル ｖ　Ｓｊ、−Ｈ２１２４ｃ＋ａ−”　　シＭｅ−３ｉ　
１２５２ｃ＋ａ−１マススペクトル　ｍ／ｅ＝３６８（
Ｍ”）元素分析結果　Ｃ２４Ｈ２４Ｓｉ２ Ｃａｌｃ’ｄ　　　Ｃ７８，２０，Ｈ６，５６Ｆｏｕｎ
ｄ　　　Ｃ７７，９０、Ｈ６，４９塩化パラジウム８６
Ｈに四塩化炭素５０ｍＭを加え、これに１，４−ビス（
メチルフェニルシリル）ナフタレン２７．４ｇを四塩化
炭素２００ｍ１２に溶解したものを滴下した。３時間リ
フラックスさせた後、室温で終夜かくはんし、溶媒を留
去し、減圧蒸留を行ない１．４−ビス（メチルフェニル
クロロシリル）ナフタレン１１．０ｇ（収率６４％）を
得た。

この化合物の沸点は２１５〜２２０℃（０，１ｍｍＨｇ
）で融点は１５０〜１５３℃であった。

更にこの化合物の機器分析結果を以下に示す。

１Ｈ核磁気共鳴スペクトル（ＣＣＱ、溶媒中で測定、δ
ｐｐ講） ０．７２　（６）１．　Ｓ、　ＭｅＳｉ）、６．７〜７
．７　（１６Ｈ，ｍ、　ｒｉｎｇｐｒｏｔｏｎｓ） 赤外収吸スペクトル ｖ　Ｍｅ−５ｉ　１２５８ｃｍ−” マススペクトル　ｔａｌｅ　＝　４３６　（Ｍ”）元素
分析　Ｃ２４Ｈ，、Ｓｉ、Ｃら Ｃａ１ｃ’ｄ　　　Ｃ６５，８９、Ｈ５，０６Ｆｏｕｎ
ｄ　　　Ｃ６５，７８、Ｈ４，９１１４−ビスメチルフ
ェニルクロロシリルナフタ２２力先１介 ナトリウム０．３ｇを１５＋＋Ｑのトルエンリフラック
ス中で激しくかくはんし、ディスバージョンにした後室
温まで冷却した。１，４−ビス（メチルフェニルクロロ
シリル）ナフタレン２．Ｏｇを固体のまま加え、８時間
リフラックスかくはんした後、室温で放冷した。酢酸、
エタノール、水を順に用いてナトリウムを処理し、ベン
ゼンで抽出した。硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶液
を濃縮し、エタノール中に滴下して再沈を行った。得ら
れた固体をろ過。

乾燥し、ポリ（（Ｌ、２−ジメチル−１，２−ジフェニ
ルジシラニレン）−１，４−ナフチレン〕（式（１〕中
Ｒ”＝メチル基、Ｒ２＝フェニル基）　１．１ｇ（収率
５３％）を得た。

ここで得られたポリシラン化合物の融点は１８３〜２０
１℃であった。このポリシラン化合物の機器分析結果を
以下に示す。

１Ｈ核磁気共鳴スペクトル（ＣＣＵ、溶媒中で測定、δ
ｐｐｍ） ０．８　（６Ｈ，ｂｒｓ、　ＭｓＳｉ）、６．３〜８．
１（１６Ｈ，ｍ、　ｒｉｎｇｐｒｏｔｏｎｓ） ″３Ｃ核磁気共鳴スペクトル（ｃｏｃｕ、溶媒中で測定
、δｐｐｍ） −２，２５、−１，６６（ＮｅＳｉ）、１２４．６７．
１２７．７６．１２８．７９．１２９．１０，１２９．
９８，１３２．３８，１３２．６９゜１３５．２４．１
３６．８６．１３７．１９　　（ｒｉｎｇ　ｃａｒｂｏ
ｎｓ）赤外吸収スペクトル ｖ　Ｍｅ−Ｓｉ　１２５２ｃＩ！−’ 実施例３ 実施例１で得られたポリジシラニレンナフチレン（式（
１）：Ｒ’＝メチル基、Ｒ１＝エチル基）　　１ｇを１
０ｍ１２のジクロロエタンに溶解した。この溶液を用い
てスピンコード法により絶縁基板上に６５００人の厚さ
の膜を形成した。

この膜にＳｂＦ、を気相にて供給してドーピングを行っ
た後、膜の導電性を測定した。導電性は四探針法を採用
して、膜に電圧を印加して流れる電流および電圧を測定
することにより評価した。この結果、この膜の導電率は
（σ）は０．０４９Ｓ／ｃ＋ｏであった。

実施例４ 実施例２で得られたポリジシラニレンナフチレン（式（
１３：Ｒ’＝メチル基、Ｒ２＝フェニル基）０．１ｇを
ジクロロエタン１ｍｆｌおよびトルエン１ｔＱの混合溶
液２ｍＱに溶解した。この溶液を用いてスピンコード法
により絶縁基板上に２７００人の厚さの膜を形成した。

この膜に実施例３と同様にＳｂＦ、をドーピングして得
られた導電率（σ）は２．８６Ｓ／ｃ＋ａであつた。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）　下記一般式〔 I 〕で表わされるポリシラン化
   合物からなることを特徴とする新規な重合体。 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は、それぞれ独立にアルキ
   ル基、アリール基およびアラルキル基よりなる群から選
   ばれた基を表わし、ｎは２以上の整数を表わす。）
2. （２）　下記一般式〔 I 〕で表わされる重合体からな
   ることを特徴とする導電性材料。 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は、それぞれ独立にアルキ
   ル基、アリール基およびアラルキル基よりなる群から選
   ばれた基を表わし、ｎは２以上の整数を表わす。）