JPH09503237A - スーパーツィスト液晶ディスプレイ - Google Patents

スーパーツィスト液晶ディスプレイ

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JPH09503237A JP7506196A JP50619695A JPH09503237A JP H09503237 A JPH09503237 A JP H09503237A JP 7506196 A JP7506196 A JP 7506196A JP 50619695 A JP50619695 A JP 50619695A JP H09503237 A JPH09503237 A JP H09503237A
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リーガー,ベルンハルト
温 沢田
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Abstract

(57)【要約】 本発明は、ネマティック液晶媒体が、式I1、I2、II1および(または)III1: 各式中、R3およびR4はそれぞれ独立して、C原子1〜8個を有するアルキルである; 式中、R1はC原子1〜8個を有するアルキルまたはアルコキシである: 式中R2は、8個までのC原子を有するオキサアルキル、アルケニルである、で表わされる化合物を含有する、改良されたSTN−ディスプレイに関するものである。

Description

【発明の詳細な説明】 スーパーツィスト液晶ディスプレイ 本発明は、格別に短いスイッチング時間ならびに良好な急峻性および角度依存 性を有するスーパーツィスト液晶ディスプレイ(STNディスプレイ)およびこ のディスプレイに使用される新規ネマティック液晶混合物に関する。 理論としてのSTNディスプレイは、例えばEP0,131,216B1;DE3,423,993A1; EP0,098,070A2;M.SchadtおよびF.Leenhoutsによる17th;液晶に係わるフライ ブルク会議(Freiburg conference on liquid crystals)(8-10.04.87);K.Kawas aki等によるSID87 Digest391(20.6);M.SchadtおよびF.LeenhoutsによるSID87 Digest372(20.1);K.Katoh等によるJapanese Journal of Applied Physics,V ol.26,No.11,L1784〜L1786(1987);F.Leenhouts等によるAppl.Phys.Lett .,50(21),1468(1987);H.A.van SprangおよびH.G.KoopmanによるJ.Appl .Phys.,62(5),1734(1987);T.J.SchefferおよびJ.NehringによるAppl.Ph ys.Lett.,45(10),1021(1984);M.SchadtおよびF.LeenhoutsによるAppl.Ph ys.Lett.,50(5),236(1987)およびE.P.RaynesによるMol.Cryst.Liq.Crys t.Letters,Vol.4(1),1〜8頁(1986)から知られている。本明細書において 、SFAの用語は、160°〜720°のチルト角値を有する比較的大きいツィスト角 を有 する表示素子の全部を包含するものとし、このような表示素子には、例えばWate rs等の表示素子(C.M.Waters等によるProc.Soc.Inf.Disp.(New York)(1985 )(3rd Intern.Display Conference,Kobe,Japan))、STN-LCDs(DEOS3,503,259) ;SBE-LCDs(T.J.SchefferおよびJ.NehringによるAppl.Phys.Lett.,45(198 4),1021);OMI-LCDs(M.SchadtおよびF.LeenhoutsによるAppl.Phys.Lett.,5 0(1987),236);DST-LCDs(EPOS0,246,842)またはBW-STN-LCDs(K.Kawasaki等よ るSID87 Digest391(20.6))がある。 標準型TNディスプレイに比較して、この種のSTNディスプレイは、電気光 学特性の格別に良好な急峻性、およびこれに伴う、良好なコントラスト値の点で 、およびまたコントラストの格別に小さい角度依存性の点で、際立っている。比 較的低温において、格別に短いスィッチング時間を有するSTNディスプレイは 特に重要である。従来技術によって短いスィッチング時間を得るためには、粘度 、特に液晶混合物の粘度を、液晶成分の通常の最適組合わせによって、およびま た場合により、比較的高い蒸気圧を有するモノトロピック添加剤を使用して最適 化していた。しかしながら、達成されたスィッチング時間は、あらゆる用途に適 するものではなかった。 より短いスィッチング時間はまた、STNディスプレイのLC層の厚さを減少 させることにより、およびまたより大きい複屈折△nを有する液晶混合物の使用 によっ て達成することができる。 しかしながら、これらのより短いスィッチング時間に係わる試みは、このよう な液晶混合物があらゆる用途に対して適当ではないことから、依然として完了し ていない。 ヨーロッパ特許EP0,366,985には、4−アルキル−4′−アルコキシビシクロヘ キシル化合物の使用に基づく、180°のツィスト角を有する比較的短いスィッチ ング時間を有するSTNディスプレイが開示されている。しかしながら、これら のスィッチング時間にはまだ改善の余地がある。 STNディスプレイにはまた、大きいマルチプレックスキャパシティ、小さい しきい電圧および急峻な特性曲線が要求される。 しかしながら、誘電性および弾性物性などの種々の材料パラメーターが相反す る影響を及ぼすことから、前記物性の全部を同時に得ることはできない。 従って、短いスィッチング時間を有し、同時に広い動作温度範囲、高い特性曲 線急峻性、コントラストの良好な視角依存性および小さいしきい電圧を有する改 良されたSTNディスプレイに対する多大の要求が継続している。 本発明の目的は、前記欠点を小さい程度でのみ有するか、または全く有してお らず、同時に、非常に有用な総合的性質を有するSTNディスプレイを提供する ことに ある。 本発明により、下記式I1、I2、II1およびII2から選択される化合物の1 種または2種以上を含有するネマティック液晶混合物を使用すると、この目的を 達成することができることが見出された: 各式中、R3およびR4はそれぞれ独立して、C原子1〜8個を有するアルキルで ある; 式中、R1はC原子1〜8個を有するアルキルまたはアルコキシである; 式中R2は、8個までのC原子を有するアルケニルまたはオキサアルキルである 。 本発明のネマティック液晶混合物は好ましくは、少なくとも60℃のネマティッ ク相範囲、35mPa.sより大きくない粘度および少なくとも+1の誘電異方性を有 する (これらの化合物の誘電異方性および当該ネマティック液晶混合物に関連するパ ラメーターは20℃の温度に基づくものである)。 従って、本発明はまた、 フレームとともに、セルを形成している2枚の面平行の外側基板、 セル中に存在する正の誘電異方性を有するネマティック液晶混合物、 上記外側基板の内側上に積重されている配向層を備えた電極層、 上記外側基板の表面の分子の長軸と外側基板との間の約1度〜30度のプレチル ト角および 100〜600°の値を有する配向層から配向層までのセル内の液晶混合物のツィス ト角、 を有し、上記ネマティック液晶混合物が、 a)+1.5より大きい誘電異方性を有する化合物の1種または2種以上を含有 する液晶成分Aを20〜90重量%含有し、 b)−1.5〜+1.5の誘電異方性を有する化合物の1種または2種以上を含有す る液晶成分Bを10〜65重量%含有し、 c)−1.5以下の誘電異方性を有する化合物の1種または2種以上を含有する 液晶成分Cを0〜20重量%含有し、およびまた d)層厚さ(面平行外側基板の隔たり)とカイラルネ マティック液晶混合物のナチュラルピッチとの比が約0.2〜1.3であるような量の 光学活性成分Dを含有し、かつまた当該ネマティック液晶混合物が少なくとも60 ℃のネマティック相範囲、35mPa.sより大きくない粘度および少なくとも+1の 誘電異方性を有する(これらの化合物の誘電異方性および当該ネマティック液晶 混合物に関連するパラメーターは20℃の温度に基づくものである)、STNディ スプレイに関するものであり、このSTNディスプレイは、上記成分Bが、下記 式I1および(または)I2で表わされる化合物の少なくとも1種を含有してお り: 各式中、R3およびR4はそれぞれ独立して、C原子1〜8個を有するアルキルで ある; および(または) 上記成分Aが、下記式II1および(または)III1で表わされる化合物の少な くとも1種を含有している: 式中、R1はC原子1〜8個を有するアルキルまたはア ルコキシである; 式中R2は、8個までのC原子を有するアルケニルまたはオキサアルキルである 、 ことを特徴とするものである。 好ましくは、成分Bは式I1および(または)I2で表わされる化合物の少なく とも1種を含有し、および(または)成分Aは下記式IIおよびIIIで表わされる 化合物を含有する: 各式中、 Rは、12個までのC原子を有するアルキル、アルコキシ、オキサアルキル、ア ルケニルまたはアルケニルオキシであり、 L1〜L6はそれぞれ独立して、HまたはFであり、 Z1は、-COO-、-CH2CH2-または単結合であり、 Z2は、-COO-、-CH2CH2-、-C≡C-または単結合であり、 Qは、CF2、OCF2、CFH、OCFHまたは単結合であり、 Yは、FまたはClであり、 mは、1または2であり、そして nは、0または1である。 成分Aは特に、下記式IIa〜IIdおよび(または)式IIIa〜IIIhから選択さ れる: 各式中、R、L1、L3およびQは前記の意味を有する。 好ましくは、成分Bは、IV〜Vからなる群から選択される化合物の1種または 2種以上を含有する: 式中、R5およびR6はRに係わる前記意味を有し、そし L1は式IIまたは式IIIに係わる前記意味を有し、そしてZ3は-COO-、-CH2CH2-、-C H=CH-または単結合であり、Z4は-COO-または単結合である。 特に好適な態様において、成分Bは少なくとも1種の式I1で表わされる化合 物および少なくとも1種の下記式V1: 式中、R5およびR6はそれぞれ独立して、C原子1〜8個を有するアルキルであ り、 L0はHまたはFであり、そして kおよびlはそれぞれ独立して、0または1であり、 特に、L0はFであり、そしてkはlであり、そしてnは0であり、そして(ま たは) で表わされる化合物および(または)式V1において、L0はHであり、kは0で あり、そしてnは0または1である化合物を含有する。 好ましくは、成分Bは式I1aで表わされる化合物を含有する: 式中、oおよびpはそれぞれ、0〜7の整数であり、そしてo+pの合計は1 〜7の整数である。 本発明はまた、相当する液晶混合物に関する。 本発明のもう一つの態様は、下記式I1、I2、II1および(または)III1で 表わされる化合物を、STNディスプレイのスイッチング時間および(または) 電気光学急峻性の改良に使用することにある: 各式中、R1、R2、R3およびR4は前記意味を有する。 式I1、I2、II1およびIII1で表わされる化合物は一部が公知であり、そ して一部は新規である。従って、本発明はまた、以下に示すこれらの新規化合物 に関する: a)式I2aにおいて、q+vの合計が0または1である化合物; b)式II1aで表わされる2′−フルオロ−4−シアノビフェニル化合物: 式中、Q1はO、CH2または単結合である。 本発明のもう一つの態様は、少なくとも2種の式I1およびI2で表わされる 化合物の組成物をSTNディスプレイのスイッチング時間の改良に使用すること にある: 式中、R1、R2、L0、kおよびlは前記意味を有する。 本発明はまた、式Iで表わされる2′−フルオロ−4−シアノビフェニル化合 物の改良された製造方法に関し、この改良は、式A: 式中、R1は前記意味を有する、 で表わされる化合物を、触媒量のホスフィンリガンドに結合した遷移金属の存在 の下に、式B: 式中、HalはClまたはBrである、 で表わされるp−ハロゲンベンゾニトリル化合物と反応させることからなる。 式I1、I2、II、II1、IIIおよびIII1で表わされる各化合物および本発明 によるSTNディスプレイに使用できるその他の化合物は、公知であるか、また は公知化合物と同様にして製造することができる。 式I1で表わされる化合物は、日本国公開特許出願JP60-1857-Aから公知であ り;式I1で表わされる化合物は、DE29277277から一部が公知であり;式II1で 表わされる化合物は、J.E.Fearon等によるMol.Cryst.Liq.Cryst.1985,Vo l.124,89〜103頁から一部が公知であ り;式III1で表わされる化合物は、DE3732284から公知であり;そして式V1で 表わされる化合物は、ドイツ国公開特許出願DE2933563およびDE3211306から公知 であるが、これらの刊行物の中で、これらの化合物を使用することによってSF Aのスイッチング時間および急峻性が改良されることを示唆しているものはない 。 本発明の混合物は、大きいマルチプレックス比、広い動作温度範囲、小さいし きい電圧(3ボルト以下、好ましくは1.25〜2.80ボルト、特に1.60〜2.20ボルト )および急峻な特性曲線を有するSTNディスプレイの実現を可能にする。 式I1、I2、II1およびIII1で表わされる化合物は、改良されたSTN組 成物に、特に高い透明点を付与する;式I1およびII2で表わされる化合物は、 低い回転粘性率値を有し、従って短いスイッチング時間を導き;式I2およびII I1で表わされる化合物は、大きい弾性率比(K3/K1)値を有し、従って大きい 急峻性を導く。 本発明による混合物は、0.120より大きい、好ましくは0.130〜0.170、特に0.1 30〜0.160の光学異方性(△n)を有する。 本発明による混合物は好ましくは、下記群から選択される三環を有する式III で表わされる化合物の1種または2種以上を含有する: 好適混合物は、式I1、I2、II1、III1、IIa、IIb、IIc、IId、IIIb およびIIIcで表わされる化合物の1種または2種以上、特に1種または2種以 上の式IIIbで表わされる化合物および2〜4種の式I1/I2で表わされる化 合物および1〜3種の式IIbおよびIIcから選択される化合物を含有する。 本発明に従い使用することができる好適液晶混合物は、グループAからの1種 または2種以上の化合物を、好ましくは20%〜90%の割合で、特に好ましくは35 %〜80%の割合で含有する。グループAからのこれらの化合物ま たはこの化合物は、+8より大きい(好ましくば+12より大きい)誘電異方性を 有し、本発明のLC混合物の成分Aを構成する。 好適なグループAは、下記群から選択される追加の化合物を包含する: 各式中、Rは前記意味を有し、 たは-O-CO-であり、そして 好ましくは本発明の混合物は、式AIで表わされる化合物の1種または2種以 上を、5〜50%の範囲で含有す る。式AIにおいて、Z1が単結合、−CH2CH2-または-CO-O-を表わす化合物が好 適であり、特に下記の化合物が好ましい: また、下記の化合物も好適である: グループAは好ましくは、式II1、III1、IIb1〜IIc1から選択される化 合物の1種または2種以上および場合によりまた、式IIc2で表わされる化合物 の1種または2種以上を包含する。 好ましくは、本発明の混合物は、高い透明点を有する極性化合物の1種または 2種以上をまた含有し、この種 の化合物は例えば、下記の化合物から選択される: 上記4種の化合物において、1,4−フェニレン環はまた、下記化合物のように 1個のフッ素原子によりラテラルに置換されていてもよい: 高い透明点を有する、これらの極性化合物は好ましくは、2〜25%の範囲で使 用される。 もう一つの好適態様において、本発明の混合物は非常に大きい誘電異方性を有 する化合物の1種または2種以上を含有する。このような化合物は好ましくは、 2〜50%の範囲で使用される。この種の好適化合物は式I、IIc2およびIIj1 で表わされる化合物である。 好適液晶混合物はグループBからの化合物の2種または3種以上を、好ましく は10%〜40%の割合で含有する。グループBからのこれらの化合物またはこの化 合物は、<150mPa.sの小さい回転粘性率値(γ1)を有するか、または120°よりも 高い透明点を有しており、かつまた誘電的にニュートラルであるか((△ε)< 2)または中程度の極性(+2〜+10、好ましくは+4〜+8の△ε)を有し、 本発明のLC混合物の成分Bを構成する。 好ましくは、成分Bは式I1および式I2で表わされる化合物に加えて、好ま しくは二環を有する下記式IV1〜IV8からなる群から選択される化合物の1種ま たは2種以上を含有し: 各式中、R5およびR6はRについて上記した意味を有する、 および(または)三環を有する式IV9〜IV25からなる群から選択される化合物の 1種または2種以上を含有し: 各式中、R5およびR6は前記意味を有し、IV9〜IV18およびIV22およびIV23中に 存在する1,4−フェニレン基はそれぞれ相互に独立して、また置換基として1個 または2個以上のフッ素を有していてもよい、 および(または)式IV26〜IV31からなる群から選択される化合物の1種または 2種以上を含有する: (各式中、R5およびR6は上記の意味を有し、IV26〜IV31中に存在する1,4−フェ ニレン基はそれぞれ相互に独立して、また置換基として1個または2個以上のフ ッ素を有していてもよい)。 本発明のLC混合物はまた、光学活性成分Cを含有し、この成分の含有量はカイ ラルネマティック液晶混合物のナチュラルピッチと層厚さ(面平行担持基板の隔 たり)との比が所望のツィスト角に適する0.2より大きくなるような量である。 適当なドーピング剤は広く種々の公知カイラル物質および市販のドーピング剤 、例えばコレステリルノナノエート、S811(E.Merck,Darmstadt,FRG)およ びCB15 (BDH,Poole,UK)から選択することができる。その選択にはそれ自体制限はな い。 好ましくは、本発明の混合物は下記式B1I−B1IVで表わされる化合物から なるグループB1からの化合物の1種または2種以上: 各式中、R5およびR6はそれぞれ相互に独立して、Rについて定義したとおりで あり、Z2は-CH2CH2-、-CO-O-、-O-CO-または単結合であり、そしてBは および(または)式B1V〜B1VIIで表わされる化合物からなるグループB2 から選択される化合物の少なくとも1種: 各式中、R5はRについて定義されているとおりであり、Z0は-CH2CH2-または単 結合であり、そしてQ2ここで、nは1〜9であり、XはCNまたはFであり、そしてYはHまたはFであ り、 および(または)式BVIII、BIXおよびBXで表わされる化合物からなるグルー プB3から選択される成分の少なくとも1種: 各式中、R5およびR6はそれぞれ相互に独立して、Rについて定義したとおりで あり、XはClまたはFであり、そして を含有する。 もう一つの好適な態様において、本発明のLC混合物は、式T1およびT2で表 わされる化合物からなるグループTから選択される化合物の1種または2種以上 を含有する: る化合物について定義したとおりである。 R9およびR10それぞれ相互に独立して、それぞれRであり、 XはF、ClまたはOCF3であり、そして Z0は-COO-、-CH2CH2-または単結合である。 グループTからの成分(1種または2種以上)の割合は好ましくは、5%〜30 %、特に5%〜20%である。 好ましくは、成分Bは、X〜XIIからなる群から選択される化合物の1種また は2種以上を含有する: 各式中、R9およびR10は前記意味を有し、特にR2はC原子1〜4個、最も好ま しくはC原子1個または2個を有するアルキルであり、そしてR3はC原子1〜4 個、最も好ましくはC原子1個または2個を有するアルコキシである。 グループB1からの成分(1種または2種以上)の割合は好ましくは、10%〜 50%、特に好ましくは約15%〜40%である。式B1IIIおよび式B1IVで表わさ れる化合物は好適である。式B1IIIで表わされる特に好適な化合 物は下記付属式で表わされる化合物である: 各式中、R11はCH3-(CH2)n-O-、トランス-H-(CH2)r-CH=CH-(CH2CH2)s-CH2O-ま たはトランス-H-(CH2)r-CH=CH-(CH2CH2)s-であり、 R12はCH3-(CH2)t-であり、特にR11はCH3-(CH2)n-O-であり、ここでnは0〜4 の整数であり、そしてtは0〜4の整数であり、 nは0〜8であり、 tは0〜8である。 さらにまた好ましい化合物には、下記の付属式で表わされる化合物がある: 式中、R11およびR12は前記定義のとおりである)。 前記付属式の式B1IIIで表わされる化合物の割合は好ましくは、約5%〜45 %、特に好ましくは約10%〜35%である。式B1IVで表わされる特に好適な化合 物は、下記付属式で表わされる化合物である: 式中、R13はCH3-(CH2)n-O-またはトランス-H-(CH2)r-CH=CH-(CH2CH2)s-CH2O- であり、そしてR14はCH3-(CH2)t-であり、ここでnは1、2、3または4であり 、rは0、1、2または3であり、sは0または1であり、そしてtは1、2、 3または4である。 式B1IVで表わされる、これらの化合物またはこの化合物の割合は好ましくは 、約5%〜40%、特に好ましくは約10%〜35%である。 特に好適な態様において、本発明の混合物は同一時に、式B1IIIで表わされ る化合物と式B1IVで表わされる化合物とを含有し、その総合割合はグループB 1の成分に係わる総合割合に従う。 式B1Iで表わされる化合物および式B1IIIで表わされる化合物が存在する 場合に、R5およびR6は好ましくは、それぞれ相互に独立して、C原子1〜7個を 有するn−アルキルまたはC原子3〜7個を有する(トランス)−n−アルケニ ルである。Z2は好ましくは、単結合である。BIは特に好適である。 さらにまた、本発明の好適混合物は、式B1IVにおいて、 よびR6は前記の好適な意味の一つを有し、特に好ましくはC原子1〜7個を有す るn−アルキルである化合物の1種または2種以上を含有する。 全部の場合に、その総合割合はグループB1の成分の 総合割合に従う。 グループB2の化合物の割合は好ましくは、約10%〜45%、特に好ましくは10 %〜20%である。B1V〜B1VIIに係わる割合(好適範囲)は下記のとおりで ある: B1V:約10%〜30%、好ましくは10%〜15%; B1VIおよびB1VIIの合計:約10%〜25%、好ましくは10%〜20%。 グループB2の好適化合物を以下に挙げる: R5は好ましくは、C原子1〜7個を有するn−アルキルまたはC原子3〜7個 を有する(トランス)−n−アルケニルであり、Z0は好ましくは単結合である。 R6は好ましくは、Rについて前記した好適意味を有するか、ま たはフッ素である。Yは好ましくは、フッ素である。 本発明による混合物は好ましくは、B1V3、B1VI1およびB1VII1から なる群から選択される化合物の1種または2種以上を、約10〜35%の総合割合で 含有する。 特に好ましい態様において、本発明による混合物は、B1V3、B1VI1、B 1VII1およびB1V2(R=F)以外に、末端がフッ素化されている化合物、例 えば下記の群から選択される化合物をさらに含有する: 各式中、Rは好ましくは、C原子1〜7個を有するn−アルキルまたはC原子 3〜7個を有する(トランス)−n−アルケニルであり、xは1または2であり 、yは0または1であり、そしてYはHまたはFである。 末端がいずれもフッ素置換されている化合物の総割合は、好ましくは約5%〜 65%、特に約15%〜40%である。 グループB3からの化合物の割合は好ましくは、約10%〜30%、特に好ましく は約10%〜20%である。R2は好ましくは、それぞれC原子1〜9個を有するn− アルキルまたはn−アルコキシである。しかしながら、アルケニルまたはアルケ ニルオキシ基を含有する類似化合物を使用することもできる。式BVIIIで表わさ れる化合物が好適である。 本発明の混合物は好ましくは、式I1で表わされる化合物および(または)式 I2で表わされる化合物およびまたグループB1、B2およびB3の少なくとも 1種からの化合物を含有する。これらは好ましくは、B1からの化合物の1種ま たは2種以上およびグループB2および(または)グループB3からの化合物の 1種または2種以上を含有する。 式I1で表わされる化合物の少なくとも1種および式 I2で表わされる化合物の少なくとも2種を含有する、本発明による混合物は特 に好ましい。 式I1で表わされる化合物および式I2で表わされる化合物の割合は好ましく は、約10%〜45%、特に15%〜40%である。 式I1で表わされる化合物の割合は好ましくは、5%〜20%、特に8%〜18% である。式I2で表わされる化合物の割合は好ましくは、2%〜30%、特に5% 〜25%である。 成分Cの化合物の割合は好ましくは、約0%〜20%、特に約0%〜10%である 。当業者は、所望のしきい電圧を得るために、この割合を容易に調節することが でき、原則として、△ε<−1.5である慣用の液晶化合物をいずれも使用するこ とができる。 特に好適な態様において、本発明による混合物は好ましくは、−2より小さい 誘電異方性を有する化合物(成分C)の1種または2種以上を含有する。この種 の化合物、例えばDE-OS3,231,707またはDE-OS3,407,013に記載 サン誘導体または2,3−ジシアノハイドロキノン誘導体は公知である。 しかしながら、構造要素2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレンを含有する化合物 、例えばDE-OS3,807,801、同3,807,861、同3,807,863、同3,807,864または同3,8 07,908に記載の化合物を選択すると好ましい。特に 好適な化合物は、国際特許出願PCT/DE 88/00133に記載されているような、こ のような構造要素を有するトラン化合物、特に下記式で表わされる化合物である : (各式中、R15およびR16はそれぞれ相互に独立して、好ましくはC原子1〜7個 を有するn−アルキルまたはC原子3〜7個を有するn−アルケニルであり、そ してZ0は-CH2CH2-または単結合である)。 特に好適な化合物にはまた下記式で表わされるフェニルシクロヘキシルカルボ キシレート化合物がある: 請求の範囲1〜6の少なくとも一つに記載のディスプレイは、その成分CがV 〜IXからなる群から選択される 化合物の1種または2種以上を含有する: 各式中、R2およびR3は前記意味を有し、そしてsは0または1である。 好適成分Bは、Xa〜XIIaからなる群から選択される化合物の1種または2 種以上を含有する: 各式中、alkylおよびalkoxyは、C原子1〜7個を有するアルキルおよびアル コキシを表わす。 成分Cは特に、特性曲線の急峻性を改良をもたらす。 特に好適な態様において、混合物は約5%〜35%、特に好ましくは約10%〜20 %の液晶トラン化合物を含有する。これらの化合物は、より小さいセル厚さ(約 5〜6μm)での操作を可能にし、このようなセル厚さはスイッチング時間を格別 に短縮する。特に好適なトラン化合物を以下に示す: 上記式において、R9は好ましくは、C原子1〜7個を有するn−アルキルであ り、 Z0は-CH2CH2-または単結合であり、 あり、 ここでR10はそれぞれC原子1〜7個を有するn−アルキルまたはn−アルコ キシ、あるいはそれぞれC原子 3〜7個を有するn−アルケニルまたはn−アルケニルオキシである。 好ましくは、成分Aは下記式T1bで表わされる化合物の1種または2種以上 を含有する: nは1〜15の整数であり、 L3〜L6はそれぞれ相互に独立して、HまたはFであり、そして XはF、ClまたはOCF3である。 好適態様において、本発明のネマティック混合物は下記の成分を含有する: 5〜25%の式I1で表わされる化合物の1種または2種以上; 20〜35%の式X、XI、XIIおよびT1bから選択される化合物の2種または3 種以上; 10〜30%の式IIaで表わされる化合物の2種または3種以上。 これらの混合物は、100msよりも短い、非常に短いスイッチング時間、1.07〜1 .15の急峻性、0.160〜0.180の複屈折および2.0〜2.5ボルトのしきい電圧を示す 。 これらの混合物は、その各画素が垂直方向周波数方式(orthogonal row wave form)によりアドレスされる高度マルチプレックス駆動STN−ディスプレイ[ 例えば、アクティブアドレッシング(Active AddressingTM)、T.H.Scheffer 等によるDisplays,Vol.14(2),1993,74〜83頁]に特に適している。 もう一つの特に好ましい態様において、この混合物は下記の成分を含有する: 1−シアノ−トランス−1,4−シクロヘキシレン基または2,3−ジフルオロ−1, 4−フェニレン基を有する化合物の1種または2種以上を含有する成分C; 式AIIIまたは式AVで表わされる化合物の少なくとも2種; 式AIIIで表わされる化合物および式AVで表わされる化合物; 下記群からの化合物の少なくとも1種: (各式中、alkylはC原子2〜7個を有する直鎖状アルキル基であり、そしてX はHまたはFである); Rがトランス−アルケニル基またはトランス−アルケニルオキシ基である化合 物の1種または2種以上; 下記群からの化合物の1種または2種以上、ただしこれらの化合物の割合は0 %〜25%、好ましくは約5%〜15%である: (各式中、R5およびR6は成分Bの場合について前記した好適意味を有し、そして 2個の1,4−フェニレン基のうちの1個はまたフッ素により置換されていてもよ い)。 もう一つの特に好ましい態様において、この混合物は下記の成分を含有する: 式IIId、IIIb、IIIiおよびIIIpから選択される化合物の1種または2種以 上、特に1種、2種、3種または4種; 式IIb1、IIc1またはIIc2から選択される化合物の少なくとも2種; 式B1IVで表わされる化合物の1種または2種以上; 式T1またはT2で表わされる化合物の1種または2種以上; あるいは下記群から選択される化合物の1種または2種以上: (各式中、R2およびR3は式IIIで表わされる化合物について定義されているとお りである)。 一般に、成分Bは3〜10種、好ましくは4〜9種の相違する化合物を含有する 。 好適態様において、成分Bは基本的に、下記の成分か らなる: 式I1および(または)式I2で表わされる化合物の少なくとも1種; 式IV2、IV6、IV8、IV11、IV14、IV17、IV23、IV26、IV31、V1、BVIII、 XおよびXIから選択される化合物の少なくとも1種、特に下記群から選択される 化合物の少なくとも1種: 成分Bは好ましくは、3〜10種の化合物からなり、特に式I1で表わされる化 合物の1種、2種または3種を、5〜60%、特に15%〜55%の割合で含有し、お よび(または) 10〜40%、特に15〜30%の式I2で表わされる化合物の1種、2種または3種 、およびまた 0〜45%、特に5〜30%の、少なくとも1種のECCP-nm; 0〜60%、特に10〜50%の、少なくとも1種のPCH-nOm; 0〜25%、特に1〜20%の、少なくとも1種のPTP-nOm; 0〜70%、特に15〜60%の、少なくとも1種のCPTP- nOm; 0〜20%、特に1〜15%の、少なくとも1種のBCH-nm; 0〜15%、特に5〜10%の、少なくとも1種のCCP-nm; 0〜40%、特に5〜30%の、少なくとも1種のCP-nmF; 0〜20%、特に1〜15%の、D-nOmおよびCP-nmから選択される化合物の少なく とも1種; 0〜20%、特に3〜17%の、少なくとも1種、好ましくは1種または2種のPY P-nm; 0〜20%、特に5〜16%の、少なくとも1種、好ましくは1種、2種または3 種のCBC-nm、CBC-nmFおよびCCPC-nmから選択される化合物; からなる。 一般に、成分Aは2〜9種、好ましくは4〜7種の化合物からなる。好適態様 において、成分Aは基本的に、式II1、III1、IIa、IIb、IIc、IIh、IIj 、IIIb、IIIcにおいて、QがOCF2である化合物、式IIIdmにおいて、Qが単 結合である化合物、式IIIhにおいて、Qが単結合である化合物、式IIIfにおい て、QがOCF2である化合物、および式T1bで表わされる化合物から選択される 化合物の少なくとも1種、特に下記の式で表わされる化合物から選択される化合 物の少なくとも1種を含有する: 成分Aは好ましくは、下記の化合物からなる: 20%〜100%、特に25%〜80%のPCH-nおよびK3nから選択される化合物の少 なくとも1種; 0%〜40%、特に15%〜25%の式B-nO.FNで表わされる化合物の少なくとも1 種; 10%〜60%、特に15%〜40%のCCP-nOCF3およびCP-nOCF3から選択される化合 物の少なくとも1種; 0%〜25%、特に5%〜25%のCCP-nV-OTおよびCCP- nE3OCF3から選択される化合物の少なくとも1種; 0%〜50%、特に5%〜30%のMenN、ME-nN.FおよびHP-nN.Fから選択される化 合物の少なくとも1種; 0%〜30%、特に5%〜25%の少なくとも1種のPTP-nOF; 0%〜50%、特に10%〜25%の少なくとも1種のCPTP-nOCF3; 0%〜30%、特に5%〜25%の少なくとも1種のPYP-nF; 0%〜60%、特に10%〜25%のBCH-nF.F、ECCP-nF.FおよびECCP-nFから選択さ れる化合物の少なくとも1種;および 0%〜20%、特に5%〜15%の少なくとも1種のECCP-n。 好ましくは、成分Bは少なくとも1種の式I1で表わされる化合物および少な くとも1種のトラン誘導体を含有し、特にトラン誘導体1部に対して2〜0.5部 の式I1で表わされる化合物を含有する。 好適態様において、成分Bは基本的に下記の化合物からなる: 5%〜60%、特に15%〜55%の式I1で表わされる化合物の少なくとも1種; 0%〜20%、特に5%〜18%の少なくとも1種のPTP-nOm; 1%〜70%、特に15%〜60%の少なくとも1種のCPTP -nOm;および 0%〜60%、特に5%〜30%の他のニュートラル化合物、特にPCH-nOm、BCH-n OmおよびCP-nmFから選択される化合物の少なくとも1種。 偏光子、電極基板およびそれぞれそこに隣接している液晶分子の好適配向(デ ィレクター)が通常、一方の電極と他方の電極との間で、160°〜720°の数値で 相互にねじれているように処理されている表面を有する電極からの本発明による 液晶表示素子の構造は、この種の表示素子に慣用の構造に相当する。220°〜270 °のツィスト角を有するディスプレイは好適である。本明細書において、慣用の 構造の用語は、広い意味で使用されており、またスーパーツィストセル、特にマ トリックス表示素子から誘導されるものおよび修正されたものの全部を包含する ものとする。2枚の支持基板の表面チルト角は同一であっても、または相違して いてもよい。同一のチルト角が好適である。 しかしながら、本発明による表示素子とねじれネマティックセルに基づく従来 慣用の表示素子との相違点は、その液晶層における液晶成分の選択にある。 本発明に従い使用することができる液晶混合物は、それ自体慣用の方法で製造 される。一般に、比較的少量で使用される成分の所望量を基本成分を構成する成 分中に、有利には高められた温度で溶解させる。成分の有機溶剤、例えばアセト ン、クロロホルムまたはメタノール中の溶 液を混合し、次いで混合後に、例えば蒸留により溌剤を再除去することもできる 。 誘電体はまた、当業者に公知であって、刊行物に記載されている追加の添加剤 を含有することができる。例えば、0〜15%の多色性染料を添加することができ る。 追加の技術を使用することなく、当業者は前記の説明を使用して、本発明をそ の全体にわたり利用することができるものと信じる。従って、好適な特定の態様 は単に説明のためのものであって、これらの記載はいずれの点でも制限しようと するものではない。 本明細書全体にわたり引用されている、全部の出願、特許および刊行物の記載 の全部およびまた下記の相当するヨーロッパ特許出願の記載の全部を引用してこ こに組入れる: EP 93112879.7 1993年8月11日出願 EP 93113898.6 1993年8月31日出願 EP 93118378.4 1993年11月12日出願 EP 94103199.9 1994年3月3日出願。 下記の例は、本発明を説明しようとするものであって、制限しようとするもの ではない。 略語は下記の意味を有するものとする: S-N スメクティック−ネマティック相転移温度 N-I ネマティック−イソトロピック相転移温度 c.p. 透明点 visc. 粘度(mPa.s) Ton スイッチオンから最高コントラストの90%に到達するまでの時間 Toff スイッチオフから最高コントラストの10%に到達するまでの時間 V10 しきい電圧(ボルト) V90 飽和電圧 V90/V10 急峻性 SFAはマルチプレックス動作でアドレスされる(マルチプレックス比:1: 240、バイアス:1:15)。 本明細書全体にわたり、温度はいずれも℃で示されている。パーセンテージは 重量パーセントである。スイッチング時間および粘度に関する数値は20℃におけ る数値である。 本特許出願および下記の例において、LC化合物の化学構造はいずれも、以下に 示されているように、化学式中にその変形が頭文字で示されている。残基CnH2n+ 1 およびCmH2m+1はいずれも、n個またはm個の炭素原子をそれぞれ有する直鎖状 アルキル基である。表Bのコードは自明である。表Aにおいて、幹構造に関わる 頭文字のみが示されている。完全化合物では、この頭文字の後にダッシュが示さ れており、置換基R1、R2、L1およびL2に関するコードは下記のとおりである: 例1 下記の非カイラル性基材混合物: からなり、かつまた0.61%の によりドーピングされており、下記の物性: S−N <−30° N−I +84° △n 0.1393 を有する液晶媒体を含有し、 ツィスト角 240° バイアス 1:16 マルチプレックス比 1:240 フレーム レート 80Hz チルト角 5° d 6.1μm のパラメーターを有するSTNディスプレイは、下記のスイッチングパラメータ ーを示す: Tave 233ms V10 1.77V V90/V10 1.085。 例2 下記の非カイラル性基材混合物: からなり、かつまた0.61%のS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +83℃ △n 0.1407 を有する液晶媒体を含有する、例1に記載のSTNディ スプレイは、下記のスイッチングパラメーターを示す: Tave 237ms V10 1.67V V90/V10 1.084。 例3 下記の非カイラル性基材混合物: からなり、かつまた0.61%のS-811によりドーピングされており、下記の物性: S−N <+20° N−I +85° △n 0.1412 γrot 113 を有する液晶媒体を含有する、例1に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチングパラメーターを示す: Tave 243ms V10 1.82V V90/V10 1.071。 例4 下記の非カイラル性基材混合物: からなり、かつまた0.82%のS-811によりドーピングされており、下記の物性: S−N <−30° N−I +91° △n 0.1432 を有する液晶媒体を含有する、例1に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチングパラメーターを示す: Tave 267ms V10 1.73V V90/V10 1.072。 例5 下記の非カイラル性基材混合物: からなり、かつまた0.78%のS-811によりドーピングされており、下記の物性: S−N <−30° N−I +88° △n 0.1408 を有する液晶媒体を含有する、例1に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチングパラメーターを示す: Tave 270ms V10 1.73V V90/V10 1.068。 例6 下記の非カイラル性基材混合物: からなり、かつまた0.79%のS-811によりドーピーングされており、下記の物性 : S−N <−40° N−I +87° △n 0.1407 を有する液晶媒体を含有する、例1に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチングパラメーターを示す: Tave 272ms V10 1.78V V90/V10 1.064。 例7 下記の非カイラル性基材混合物: からなり、かつまた0.61%のS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +90.7° △n 0.1431 を有する液晶媒体を含有する、例1に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチングパラメーターを示す: Tave 230ms V10 1.85V V90/V10 1.07。 例8 下記の非カイラル性基材混合物: からなり、かつまた0.61%のS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +87.5° △n 0.1411 を有する液晶媒体を含有する、例1に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチングパラメーターを示す: Tave 224ms V10 1.72V V90/V10 1.081。 例9 下記の非カイラル性基材混合物: からなり、かつまた0.61%のS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +87° △n 0.1429 を有する液晶媒体を含有する、例1に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチングパラメーターを示す: Tave 219ms V10 1.80V V90/V10 1.072。 例10 下記の非カイラル性基材混合物: からなり、かつまた0.61%のS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +87.5° △n 0.1407 を有する液晶媒体を含有する、例1に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチングパラメーターを示す: Tave 234ms V10 1.82V V90/V10 1.071。 例11 下記の非カイラル性基材混合物: からなり、かつまた0.61%のS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +85℃ △n 0.1417 を有する液晶媒体を含有する、例1に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチングパラメーターを示す: Tave 220ms V10 1.94V V90/V10 1.077。 例12 下記の非カイラル性基材混合物: からなり、かつまた0.61%のS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +86° △n 0.1427 を有する液晶媒体を含有する、例1に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチングパラメーターを示す: Tave 243ms V10 1.71V V90/V10 1.082。 例13 下記の非カイラル性基材混合物: からなり、かつまた0.61%のS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +84.5° △n 0.1386 を有する液晶媒体を含有する、例1に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチングパラメーターを示す: Tave 211ms V10 2.11V V90/V10 1.062。 例14 下記の非カイラル性基材混合物: からなり、かつまた0.61%のS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +88.5° △n 0.140 を有する液晶媒体を含有する、例1に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチングパラメーターを示す: Tave 227ms V10 1.89V V90/V10 1.069。 例15 下記の非カイラル性基材混合物: からなり、かつまた0.61%のS-811によりドーピングされており、下記の物性: S−N <−14° N−I +82° △n 0.1346 を有する液晶媒体を含有しており、下記のパラメータ ー: ツィスト角 220° バイアス 1:4 マルチプレックス比 1:16 フレーム レート 80Hz チルト角 5° d 6.8μm を有するSTNディスプレイは、下記のスイッチングパラメーターを示す: Tave 147ms V10 1.53V V90/V10 1.075。 比較例1 からなり、かつまた0.61%のS-811によりドーピングされており、下記の物性: S−N −30° N−I +88° △n 0.1398 を有する液晶媒体を含有する、例8に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチングパラメーターを示す: Tave 295ms V10 1.79V V90/V10 1.067 この比較は、式I1で表わされるビシクロヘキサニル化合物および(または)式 I2で表わされるシクロヘキシルビフェニル化合物の使用により、スイッチング 時間を格別に改善できることを明確に示している。 例16 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: S−N <−15° N−I +71° △n 0.1399 を有する液晶媒体を含有する、例1に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチングパラメーターを示す: Tave 226ms V10 2.25V V90/V10 1.043。 比較例2 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: S−N <−40° N−I +74° △n 0.1383 を有する液晶媒体を含有する、例16に記載のSTNディ スプレイは、下記の特性を示す: Tave 231ms V10 2.29V V90/V10 1.052。 例17 下記の非カイラル性基材混合物: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +86° △n +0.1749 を有する液晶媒体を含有し、下記のパラメーター: ツィスト角 240° d 4.9μm を有するSTNディスプレイは、下記のスイッチング特性を示す: Tave 87ms V10 2.32V V90/V10 1.112。 例18 下記の非カイラル性基材混合物: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +81° △n +0.1719 を有する液晶媒体を含有する、例17に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 98ms V10 2.24V V90/V10 1.089。 例19 の製造 4−ブロモベンゾニトリル0.3モル、2−フルオロ−4−メトキシフェニルホ ウ酸0.33モル、トルエン75ml、エタノール350ml、2m炭酸ナトリウム溶液490ml およびテトラキス(トリフェニル(ホスフィン))パラジウム(O)9.1gの混合物を 、還流の下に3.5時間、加熱する。慣用の仕上げ処理に付し、次いでエタノール から結晶化させた後に、純粋な生成物が得られる、K 82 N(45.3)I。 同様にして、下記の化合物が得られる: 例20 下記の非カイラル性基材混合物: からなり、かつまた0.61%のS-811によりドーピングされており、下記の物性: S−N −40° N−I +88° △n 0.1391 を有する液晶媒体を含有し、下記のパラメーター: ツィスト角 240° バイアス 1:16 マルチプレックス比 1:240 フレームレート 80Hz チルト角 5° d 6.1μm を有するSTNディスプレイは、下記のスイッチングパラメーターを示す: Tave 289ms V10 1.91V V90/V10 1.049。 例21 下記の非カイラル性基材混合物: からなり、かつまた0.61%のS-811によりドーピングされており、下記の物性: S−N <0° N−I +89° △n 0.1401 を有する液晶媒体を含有する、例20に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチングパラメーターを示す: Tave 266ms V10 1.83V V90/V10 1.051。 例22 下記の非カイラル性基材混合物: からなり、かつまた0.61%のS-811によりドーピングされており、下記の物性: S−N <+20° N−I +89° △n 0.1424 を有する液晶媒体を含有する、例20に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチングパラメーターを示す: Tave 279ms V10 1.88V V90/V10 1.052。 例23 下記の非カイラル性基材混合物: からなり、かつまた0.61%のS-811によりドーピングされており、下記の物性: S−N <−40° N−I +90° △n 0.1403 を有する液晶媒体を含有する、例20に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチングパラメーターを示す: Tave 295ms V10 1.82V V90/V10 1.050。 比較例3 からなり、かつまた0.61%のS-811によりドーピングされており、下記の物性: S−N −30° N−I +88° △n 0.1398 を有する液晶媒体を含有する、例20に記載のSTNディ スプレイは、下記のスイッチングパラメーターを示す: Tave 295ms V10 1.79V V90/V10 1.067。 この比較は、シアノフェニルベンゾエート化合物(ME-nN.F)の代りに、ラテラ ルにフッ素置換されているシアノビフェニル化合物(B-nO.FN)を使用すると、さ らに良好な急峻性および(または)さらに短いスイッチング時間が得られることを 明確に証明している。 例24 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまた0.85%のS-811によりドーピングされており、下記の物性: S−N <−15° N−I +74° △n 0.1405 を有する液晶媒体を含有し、下記のパラメーター: ツィスト角 240° バイアス 1:16 マルチプレックス比 1:240 フレーム レート 40Hz チルト角 5° d 6.1μm を有するSTNディスプレイは、下記のスイッチング特性を示す。 Tave 223ms V10 2.28V V90/V10 1.042。 比較例4 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまた0.86%のS-811によりドーピングされており、下記の物性: S−N <−40° N−I +74° △n 0.1383 を有する液晶媒体を含有する、例24に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 238ms V10 2.29V V90/V10 1.055。 この比較は、B-nO.FNの使用によって、スイッチング時間および急峻性が改良 できることを明確に証明している。 例25 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまた0.75%のS-811によりドーピングされており、下記の物性: S−N <0° K−I +84° △n 0.1293 を有する液晶媒体を含有する、例20に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 310ms V10 1.83V V90/V10 1.049。 比較例5 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまた0.73%のS-811によりドーピングされており、下記の物性: S−N <−40° K−I +84° △n 0.1287 を有する液晶媒体を含有する、例25に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 337ms V10 1.75V V90/V10 1.051。 例26 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: K−I +74.5° △n 0.1425 を有する液晶媒体を含有する、例20に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチングパラメーターを示す: Tave 313ms V10 1.33V V90/V10 1.068。 比較例6 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: K−I +74.5° △n 0.1460 を有する液晶媒体を含有する、例26に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチングパラメーターを示す: Tave 290ms V10 1.46V V90/V10 1.078。 例27 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: K−I +110.0° △n 0.1263 を有する液晶媒体を含有する、例20に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: V10 2.10V V90/V10 1.052。 例28 下記の非カイラル性基材混合物: からなり、かつまた0.95%のS-811によりドーピングされており、下記の物性: S−N <−30° N−I +78° △n 0.1614 を有する液晶媒体を含有し、下記のパラメーター: を有するSTNディスプレイは、下記のスイッチングパラメーターを示す: Tave 142ms V10 1.77V V90/V10 1.073。 例29 下記の非カイラル性基材混合物: からなり、かつまた0.97%のS-811によりドーピングされており、下記の物性: S−N <−30° N−I +79° △n 0.1635 を有する液晶媒体を含有する、例28に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチングパラメーターを示す: Tave 128ms V10 1.90V V90/V10 1.073。 例30 下記の非カイラル性基材混合物: からなり、かつまた0.92%のS-811によりドーピングされており、下記の物性: S−N <−40° N−I +108° △n 0.1450 を有する液晶媒体を含有する、例28に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチングパラメーターを示す: Tave 248ms V10 2.40V V90/V10 1.048。 例31 下記の非カイラル性基材混合物: からなり、かつまた0.92%のS-811によりドーピングされており、下記の物性: S−N <−40° N−I +110° △n 0.1451 を有する液晶媒体を含有している例28に記載のSTNディスプレイであって、5. 9μmのセル間隔を有するSTNディスプレイは、下記のスイッチングパラメータ ーを示す: Tave 250ms V10 2.12V V90/V10 1.054。 例32 下記の非カイラル性基材混合物: からなり、かつまた0.85%のS-811によりドーピングされており、下記の物性: S−N <−40° N−I +108° △n 0.1350 を有する液晶媒体を含有する、例28に記載のSTNディスプレイであって、6.3 μmのセル間隔を有するSTNディスプレイは、下記のスイッチングパラメータ ーを示す: Tave 340ms V10 2.43V V90/V10 1.098。 例33 下記の非カイラル性基材混合物: からなり、かつまた0.86%のS-811によりドーピングさ れており、下記の物性: S−N <−20° N−I +113° △n 0.1357 を有する液晶媒体を含有する、例28に記載のSTNディスプレイであって、6.3 μmのセル間隔を有するSTNディスプレイは、下記のスイッチングパラメータ ーを示す: Tave 295ms V10 2.15V V90/V10 1.066。 例34 下記の非カイラル性基材混合物: からなり、かつまた0.86%のS-811によりドーピングさ れており、下記の物性: S−N <−20° N−I +110° △n 0.1350 を有する液晶媒体を含有する、例28に記載のSTNディスプレイであって、6.3 μmのセル間隔を有するSTNディスプレイは、下記のスイッチングパラメータ ーを示す: Tave 310ms V10 2.20V V90/V10 1.064。 例35 下記の非カイラル性基材混合物: からなり、かつまた0.86%のS-811によりドーピングされており、下記の物性: S−N <−40° N−I +110° △n 0.1354 を有する液晶媒体を含有する、例28に記載のSTNディスプレイであって、6.3 μmのセル間隔を有するSTNディスプレイは、下記のスイッチングパラメータ ーを示す: Tave 320ms V10 2.20V V90/V10 1.047。 比較例7 からなり、かつまた0.86%のS-811によりドービングされており、下記の物性: S−N −40° N−I +112° △n 0.1354 を有する液晶媒体を含有する、例35に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチングパラメーターを示す: Tave 364ms V10 2.28V V90/V10 1.055。 この比較は、式I1で表わされるビシクロヘキサニル化合物および(または) 式I2で表わされるフェニルビシクロヘキシルカルボキシレート化合物を使用す ると、スイッチング時間が格別に改良されることを明確に証明している。 例36 の非カイラル性基材からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下 記の物性: S−N <−15° N−I +77° △n 0.161 を有する液晶媒体を含有する、例28に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 136ms V10 1.74V V90/V10 1.076。 比較例8 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: S−N <−30° N−I +80° △n 0.1627 を有する液晶媒体を含有する、例28に記載のSTNディスプレイは、下記の特性 を示す: Tave 145ms V10 1.97V V90/V10 1.058。 比較例9 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、 S−N <−30° N−I +80° △n 0.1615 を有する液晶媒体を含有する、例28に記載のSTNディスプレイは、下記の特性 を示す: Tave 130ms V10 2.03V V90/V10 1.060。 例37 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: S−N <−30° N−I +85° △n 0.1096 を有する液晶媒体を含有する、例28に記載のSTNディスプレイであって、d= 8μmを有するSTNディスプレイは、下記のスイッチング特性を示す: Tave 310ms V10 2.06V V90/V10 1.095。 例38 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: S−N <−15℃ N−I +85.4° △n 0.1425 を有する液晶媒体を含有する、例1に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 262ms V10 2.36V V90/V10 1.038。 例39 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: S−N <−15℃ N−I +87.3° △n 0.1435 を有する液晶媒体を含有する、例1に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 287ms V10 2.33V V90/V10 1.029。 例40 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、 下記の物性: S−N <−15℃ N−I +86.5℃ △n 0.1425 を有する液晶媒体を含有する、例1に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 280ms V10 2.33V V90/V10 1.038。 比較例10 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: S−N <−15℃ N−I +85.4℃ △n 0.1415 を有する液晶媒体を含有する、例1に記載のSTNディ スプレイは、下記のスイッチング特性を示す: Tave 245ms V10 2.35V V90/V10 1.043。 この比較は、CCP-nOCF3の代りに、CCP-nV-OTまたはCCP-nE3OCF3(例38〜40)を 使用すると、電気光学的急峻性(V90/V10)が格別に改良されることを証明してい る。 例41 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: S−N <−15℃ N−I +89.1℃ △n 0.1440 を有する液晶媒体を含有する、例1に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 256ms V10 2.26V V90/V10 1.039。 例42 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +78℃ △n 0.1411 を有する液晶媒体を含有する、例1に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 188ms V10 2.26V V90/V10 1.040。 例43 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +76℃ △n 0.1451 を有する液晶媒体を含有する、例1に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 209ms V10 2.31V V90/V10 1.030。 例44 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +85℃ △n 0.1726 を有する液晶媒体を含有する、例17に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 116ms V10 2.09V V90/V10 1.077。 例45 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +95℃ △n 0.1705 を有する液晶媒体を含有する、例17に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 123ms V10 2.07V V90/V10 1.052。 例46 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +82℃ △n 0.1745 を有する液晶媒体を含有する、例17に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 80ms V10 2.47V V90/V10 1.101。 例47 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +81℃ △n 0.1749 を有する液晶媒体を含有する、例17に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 77ms V10 2.22V V90/V10 1.121。 例48 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +78℃ △n 0.1722 を有する液晶媒体を含有する、例17に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 91ms V10 2.84V V90/V10 1.063。 例49 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +84℃ △n 0.1733 を有する液晶媒体を含有する、例17に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 85ms V10 2.21V V90/V10 1.095。 例50 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +101℃ △n 0.1407 を有する液晶媒体を含有する、例1に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 224ms V10 2.04V V90/V10 1.059。 例51 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +109℃ △n 0.1523 を有する液晶媒体を含有する、例1に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 226ms V10 2.07V V90/V10 1.063。 例52 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +111℃ △n 0.1523 を有する液晶媒体を含有する、例51に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 201ms V10 2.09V V90/V10 1.071。 例53 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: S−N <−30℃ N−I +101℃ △n 0.1527 を有する液晶媒体を含有する、例51に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 221ms V10 2.07V V90/V10 1.063。 例54 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +109℃ △n 0.1520 を有する液晶媒体を含有する、例51に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 222ms V10 2.03V V90/V10 1.059。 例55 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +110℃ △n 0.1574 を有する液晶媒体を含有する、例51に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 208ms V10 1.99V V90/V10 1.060。 例56 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: S−N <−30℃ N−I +100℃ △n 0.1497 を有する液晶媒体を含有する、例51に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 218ms V10 2.07V V90/V10 1.048。 例57 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +110℃ △n 0.1496 を有する液晶媒体を含有する、例51に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 222ms V10 2.06V V90/V10 1.063。 例58 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +81℃ △n 0.11129 を有する液晶媒体を含有する、例1に記載のSTNディスプレイであつて、d= 7.5μmを有するSTNディスプレイは、下記のスイッチング特性を示す: Tave 226ms V10 2.32V V90/V10 1.069。 例59 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +80℃ △n 0.1120 を有する液晶媒体を含有する、例58に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 230ms V10 2.28V V90/V10 1.070。 例60 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +86℃ △n 0.1633 を有する液晶媒体を含有する、例1に記載のSTNディスプレイであつて、d= 5.2μmを有するSTNディスプレイは、下記のスイッチング特性を示す: Tave 139ms V10 2.29V V90/V10 1.052。 例61 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +85℃ △n 0.1644 を有する液晶媒体を含有する、例60に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 131ms V10 2.28V V90/V10 1.057。 例62 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +85℃ △n 0.1452 を有する液晶媒体を含有する、例1に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 277ms V10 2.05V V90/V10 1.044。 例63 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +95℃ △n 0.1447 を有する液晶媒体を含有する、例1に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 192ms V10 2.39V V90/V10 1.054。 例64 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、 下記の物性: N−I +95℃ △n 0.1548 を有する液晶媒体を含有する、例51に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 163ms V10 2.39V V90/V10 1.054。 例65 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +80℃ △n 0.1295 を有する液晶媒体を含有する、例1に記載のSTNディスプレイであって、6.56 μmのセル間隔を有するSTN ディスプレイは、下記のスイッチング特性を示す: Tave 252ms V10 1.92V V90/V10 1.067。 例66 下記の非カイラル性基材: からなり、かつまたS-811によりドーピングされており、下記の物性: N−I +94℃ △n 0.1897 を有する液晶媒体を含有する、例17に記載のSTNディスプレイは、下記のスイ ッチング特性を示す: Tave 73ms V10 2.47V V90/V10 1.113。 例67 下記のパラメーター: ツィスト角 180° チルト角 1° d・△n 0.5μm を有する、EP0366985の例1に記載のSTNディスプレイにおいて、液晶媒体と して、9.8%のトランス,トランス−4−メトキシ−4′−プロピルシクロヘキシ ル−シクロヘキサン(CCH-301)の代りに、トランス,トランス−4−メチル−4′ −プロピルシクロヘキシル−シクロヘキサン(CCH-31)を使用した媒体を用いた。 得られるディスプレイの特性を表1で比較する。 この比較は、約10%のCCH-301の代りに約10%のCCH-31を使用することのみに よって、その他の重要な性質を悪化させることなく、スイッチング時間の改良が 得られることを証明している。
【手続補正書】特許法第184条の8 【提出日】1995年7月14日 【補正内容】 請求の範囲 1.スーパーツィスト液晶ディスプレイであって、 −フレームとともに、セルを形成している2枚の面平行の外側基板、 −このセル中に存在する正の誘電異方性を有するネマティック液晶混合物、 −上記外側基板の内側上に積重されている配向層を備えた電極層、 −上記外側基板の表面の分子の長軸と外側基板との間の約1度〜30度のピッチ 角、および −100〜600°の値を有する配向層から配向層までのセル内の液晶混合物のツィ スト角、 を有し、上記ネマティック液晶混合物が、 a)+1.5より大きい誘電異方性を有する化合物の1種または2種以上を含 有する液晶成分Aを30〜90重量%含有し、 b)−1.5〜+1.5の誘電異方性を有する成分の1種または2種以上を含有す る液晶成分Bを10〜65重量%含有し、 c)−1.5以下の誘電異方性を有する化合物の1種または2種以上を含有す る液晶成分Cを0〜20重量%含有し、およびまた d)層厚さ(面平行外側基板の隔たり)とカイラルネマティック液晶混合物 のナチュラルピッチとの比が約0.2〜1.3であるような量の光学活性成分Dを含有 し、 かつまた当該ネマティック液晶混合物が少なくとも60℃のネマティック相範囲、 35mPa.sよりも大きくない粘度および少なくとも+1の誘電異方性を有する(こ れらの化合物の誘電異方性および当該ネマティック液晶混合物に関連するパラメ ーターは20℃の温度に基づくものである)、スーパーツィスト液晶ディスプレイ において、 上記成分Bは、式I1および(または)I2: 各式中、R3およびR4はそれぞれ独立して、C原子1〜8個を有するアルキル である; で表わされる化合物の少なくとも1種を含有しており、かつまた 上記成分Aは、式IIおよびIII: 各式中、 Rは、12個までのC原子を有するアルキル、アルコキシ、オキサアルキル、 アルケニルまたはアルケニルオキシであり、 L1〜L6はそれぞれ独立して、HまたはFであり、 Z1は、-COO-、-CH2CH2-または単結合であり、 Z2は、-COO-、-CH2CH2-、-C≡C-または単結合であり、 Qは、CF2、OCF2、CFH、OCFHまたは単結合であり、 Yは、FまたはClであり、 mは、1または2であり、そして nは、0または1である、 で表わされる化合物の少なくとも1種を含有している、 ことを特徴とするスーパーツィスト液晶ディスプレイ。 2.上記成分Aが、式IIa〜IId、式IIIa〜IIIfおよび式II1〜III1: 各式中、R、L1、L3およびQは前記意味を有し、 R1はC原子1〜8個を有するアルキルまたはアルコキシであり、そして R2は8個までのC原子を有するオキサアルキルまたはアルケニルである、 から選択される化合物の少なくとも1種を含有することを特徴とする、請求項 1に記載のディスプレイ。 3.上記成分Bが、式IV〜V: 式中、R5およびR6はRに係わる前記意味を有し、そして 前記意味を有し、 Z3は-COO-、-CH2CH2-、-CH=CH-または単結合であり、 rは1、2または3であり、そして Z4は-COO-または単結合である、 からなる群から選択される化合物の1種または2種以上を含有することを特徴 とする、請求項1に記載のディスプレイ。 4.上記成分Bが、式I1a: 式中、oおよびpはそれぞれ、0〜7の整数であり、そしてo+pの合計は 1〜7の整数である、 で表わされる化合物の1種または2種以上を含有することを特徴とする、請求 項1〜3の少なくとも1項に記載のディスプレイ。 5.上記成分Bが、式I2a: 式中、qおよびvはそれぞれ、0〜7の整数、特に0〜3の整数であり、そ してq+vの合計は0〜7の整数、特に0〜3の整数である、 で表わされる化合物の1種または2種以上を含有することを特徴とする、請求 項1〜4の少なくとも1項に記載のディスプレイ。 6.上記成分Bが、式X〜XII: 各式中、R9およびR10は、Rについて前記した意味を有する、 からなる群から選択される化合物の1種または2種以上を含有することを特徴 とする、請求項1〜5の少なくとも1項に記載のディスプレイ。 7.上記成分Aが、式T1b: nは1〜15の整数であり、 L3〜L6はそれぞれ相互に独立して、HまたはFであり、そして XはF、ClまたはOCF3である、 で表わされる化合物の1種または2種以上を含有することを特徴とする、請求 項1〜6の少なくとも1項に記載のディスプレイ。 8.上記ネマティック混合物が、 5〜25%の式I1で表わされる化合物の1種または2種以上; 20〜35%の式X、XI、XIIおよびT1bから選択される化合物の2種または 3種以上;および 10〜30%の式IIaで表わされる化合物の2種または3種以上; を含有することを特徴とする、請求項6または7に記載のディスプレイ。 9.請求項1〜8のいずれか1項に定義されている組成を有する液晶混合物。 10.式I1、I2、II1および(または)III1: 各式中R1、R2、R3およびR4は前記意味を有する、 で表わされる化合物の、STN−ディスプレイのスイッチング時間および(ま たは)電気光学急峻性の改善における使用。 11.式I2aにおいて、q+vの合計が0または1である化合物。 12.式II1a: 式中、Q1は、O、CH2または単結合である、 で表わされる、2′−フルオロ−4−シアノビフェニル化合物。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI G02F 1/13 500 7809−2K G02F 1/13 500 1/133 500 7809−2K 1/133 500 (31)優先権主張番号 93118378.4 (32)優先日 1993年11月12日 (33)優先権主張国 ドイツ(DE) (31)優先権主張番号 94103199.9 (32)優先日 1994年3月3日 (33)優先権主張国 ドイツ(DE) (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FR,GB,GR,IE,IT,LU,M C,NL,PT,SE),JP,KR,US (72)発明者 ブレーマー,マティアス ドイツ連邦共和国 64295 ダルムシュタ ット、シェップ アレー 51 (72)発明者 一ノ瀬 秀男 神奈川県小田原市板橋664 (72)発明者 ユンゲ,ミヒャエル ドイツ連邦共和国 64319 プンクシュタ ット、ダルムシュテッター シュトラーセ 16 (72)発明者 沼田 宏 神奈川県横浜市緑区三保町1351―1 フォ レスト ヒルズ三保3―202 (72)発明者 ライフェンラート,フォルカー ドイツ連邦共和国 64380 ロースドルフ、 ヤーンシュトラーセ 18 (72)発明者 リーガー,ベルンハルト ドイツ連邦共和国 64839 ミュンスター、 ハウプトシュトラーセ 31 アー (72)発明者 沢田 温 神奈川県厚木市三田792―1 金子ビル301 (72)発明者 樽見 和明 ドイツ連邦共和国 64342 ゼーハイム、 フリーデルヴェーク 29 (72)発明者 ヴェーバー,ゲオルク ドイツ連邦共和国 64390 エルツハウゼ ン、ヴィルヘルム―ロイシュナー―シュト ラーセ 38

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.スーパーツィスト液晶ディスプレイであって、 −フレームとともに、セルを形成している2枚の面平行の外側基板、 −このセル中に存在する正の誘電異方性を有するネマティック液晶混合物、 −上記外側基板の内側上に積重されている配向層を備えた電極層、 −上記外側基板の表面の分子の長軸と外側基板との間の約1度〜30度のピッチ 角、および 100〜600°の値を有する配向層から配向層までのセル内の液晶混合物のツィ スト角、 を有し、上記ネマティック液晶混合物が、 a)+1.5より大きい誘電異方性を有する化合物の1種または2種以上を含 有する液晶成分Aを30〜90重量%含有し、 b)−1.5〜+1.5の誘電異方性を有する成分の1種または2種以上を含有す る液晶成分Bを10〜65重量%含有し、 c)−1.5以下の誘電異方性を有する化合物の1種または2種以上を含有す る液晶成分Cを0〜20重量%含有し、およびまた d)層厚さ(面平行外側基板の隔たり)とカイラルネマティック液晶混合物 のナチュラルピッチとの比が約0.2〜1.3であるような量の光学活性成分Dを含有 し、 かつまた当該ネマティック液晶混合物が少なくとも60℃のネマティック相範囲、 35mPa.sよりも大きくない粘度および少なくとも+1の誘電異方性を有する(こ れらの化合物の誘電異方性および当該ネマティック液晶混合物に関連するパラメ ーターは20℃の温度に基づくものである)、スーパーツィスト液晶ディスプレイ において、 上記成分Bは、式I1および(または)I2: 各式中、R3およびR4はそれぞれ独立して、C原子1〜8個を有するアルキル である、 で表わされる化合物の少なくとも1種を含有しており、および(または) 上記成分Aは、式II1および(または)III1: 式中、R1はC原子1〜8個を有するアルキルまたはアルコキシである; 式中R2は、8個までのC原子を有するアルケニル、オキサアルキルである、 で表わされる化合物の少なくとも1種を含有していることを特徴とするスーパ ーツィスト液晶ディスプレイ。 2.上記成分Bが、式I1および(または)I2で表わされる化合物の少なくとも 1種を含有しており、かつまた上記成分Aが、式IIおよびIII: 各式中、 Rは、12個までのC原子を有するアルキル、アルコキシ、オキサアルキル、 アルケニルまたはアルケニルオキシであり、 L1〜L6はそれぞれ独立して、HまたはFであり、 Z1は、-COO-、-CH2CH2-または単結合であり、 Z2は、-COO-、-CH2CH2-、-C≡C-または単結合であり、 Qは、CF2、OCF2、CFH、OCFHまたは単結合であり、 Yは、FまたはClであり、 mは、1または2であり、そして nは、0または1である、 で表わされる化合物を含有することを特徴とする、請求項1に記載のディスプ レイ。 3.上記成分Aが、式IIa〜IIdおよび式IIIa〜IIIf: 各式中、R、L1、L3およびQは前記意味を有する、から選択される化合物の 少なくとも1種を含有することを特徴とする、請求項1または2に記載のディス プレイ。 4.上記成分Bが、式IV〜V: 式中、R5およびR6はRに係わる前記意味を有し、そして 前記意味を有し、そして Z3は-COO-、-CH2CH2-、-C≡C-または単結合であり、 Z4は-COO-または単結合である、 からなる群から選択される化合物の1種または2種以上を含有することを特徴 とする、請求項1〜3の少なくとも1項に記載のディスプレイ。 5.上記成分Bが、式I1a: 式中、oおよびpはそれぞれ、0〜7の整数であり、そしてo+pの合計は 1〜7の整数である、 で表わされる化合物の1種または2種以上を含有することを特徴とする、請求 項1〜6の少なくとも1項に記載のディスプレイ。 6.上記成分Bが、式I2a: 式中、qおよびvはそれぞれ、0〜7の整数、特に0〜3の整数であり、そ してq+vの合計は0〜7の整数、特に0〜3の整数である、 で表わされる化合物の1種または2種以上を含有することを特徴とする、請求 項1〜5の少なくとも1項に記載のディスプレイ。 7.上記成分Bが、式X〜XII: 各式中、R9およびR10は、Rに係わる前記意味を有する、 からなる群から選択される化合物の1種または2種以上を含有することを特徴 とする、請求項1〜9の少なくとも1項に記載のディスプレイ。 8.上記成分Aが、式T1b: nは1〜15の整数であり、 L3〜L6はそれぞれ相互に独立して、HまたはFであり、そして XはF、ClまたはOCF3である、 で表わされる化合物の1種または2種以上を含有することを特徴とする、請求 項1〜10の少なくとも1項に記載のディスプレイ。 9.上記ネマティック混合物が、 5〜25%の式I1で表わされる化合物の1種または2種以上; 20〜35%の式X、XI、XIIおよびT1bから選択される化合物の2種または 3種以上;および 10〜30%の式IIaで表わされる化合物の2種または3種以上; を含有することを特徴とする、請求項10または11に記載のディスプレイ。 10.請求項2〜9のいずれか1項に定義されている組成を有する液晶混合物。 11.式I1、I2、II1および(または)III1: 各式中、R1、R2、R3およびR4は前記意味を有する、で表わされる化合物の、 STN−ディスプレイのスイッチング時間および(または)電気光学急峻性の改 善における使用。 12.式I2aにおいて、q+vの合計が0または1である化合物。 13.式II1a: 式中、Q1は、O、CH2または単結合である、 で表わされる、2′−フルオロ−4−シアノビフェニル化合物。
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