JPH09314466A - 半導体ウェーハの研磨装置および研磨方法 - Google Patents
半導体ウェーハの研磨装置および研磨方法Info
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- JPH09314466A JPH09314466A JP9054504A JP5450497A JPH09314466A JP H09314466 A JPH09314466 A JP H09314466A JP 9054504 A JP9054504 A JP 9054504A JP 5450497 A JP5450497 A JP 5450497A JP H09314466 A JPH09314466 A JP H09314466A
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
- B24B55/02—Equipment for cooling the grinding surfaces, e.g. devices for feeding coolant
- B24B55/03—Equipment for cooling the grinding surfaces, e.g. devices for feeding coolant designed as a complete equipment for feeding or clarifying coolant
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 鏡面研磨工程における半導体ウェーハの重金
属汚染を効果的に防止することができるようにした半導
体ウェーハの研磨装置及び研磨方法を提供する。 【解決手段】 回転可能に設けられた定盤を有する研磨
装置本体と、該定盤上に研磨スラリー供給手段を介して
供給される研磨スラリーを貯留する研磨スラリータンク
とを具備する半導体ウェーハの研磨を行なう装置であっ
て、上記研磨スラリー供給手段に該研磨スラリー中の重
金属イオンを除去する手段を設けた。
属汚染を効果的に防止することができるようにした半導
体ウェーハの研磨装置及び研磨方法を提供する。 【解決手段】 回転可能に設けられた定盤を有する研磨
装置本体と、該定盤上に研磨スラリー供給手段を介して
供給される研磨スラリーを貯留する研磨スラリータンク
とを具備する半導体ウェーハの研磨を行なう装置であっ
て、上記研磨スラリー供給手段に該研磨スラリー中の重
金属イオンを除去する手段を設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、研磨工程、特に鏡
面研磨工程における半導体ウェーハの重金属汚染を効果
的に防止することを可能とした半導体ウェーハの研磨装
置及び研磨方法に関する。
面研磨工程における半導体ウェーハの重金属汚染を効果
的に防止することを可能とした半導体ウェーハの研磨装
置及び研磨方法に関する。
【０００２】
【関連技術】定盤を備えた研磨装置本体を有する半導体
ウェーハの研磨装置は知られている。半導体ウェーハの
鏡面研磨は、上記研磨装置を用い、研磨布を貼った定盤
を回転させ、コロイダルシリカを分散させた強アルカリ
性溶液（一般的に研磨スラリーと呼ばれるが、以下研磨
スラリー又は単にスラリーと称する）を流しながら、ウ
ェーハを研磨布に押し付けることにより行なわれる。該
スラリーは研磨スラリータンク（以下スラリータンクと
呼ぶことがある）から定盤上にポンプによって圧送され
研磨に供された後、そのまま廃棄されるか、又は経済的
な観点からスラリータンクに戻されて再び研磨に供され
る（以下循環使用と呼ぶことがある）かする。
ウェーハの研磨装置は知られている。半導体ウェーハの
鏡面研磨は、上記研磨装置を用い、研磨布を貼った定盤
を回転させ、コロイダルシリカを分散させた強アルカリ
性溶液（一般的に研磨スラリーと呼ばれるが、以下研磨
スラリー又は単にスラリーと称する）を流しながら、ウ
ェーハを研磨布に押し付けることにより行なわれる。該
スラリーは研磨スラリータンク（以下スラリータンクと
呼ぶことがある）から定盤上にポンプによって圧送され
研磨に供された後、そのまま廃棄されるか、又は経済的
な観点からスラリータンクに戻されて再び研磨に供され
る（以下循環使用と呼ぶことがある）かする。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】研磨装置にはスラリー
が接しうる多くの金属部分が存在する。したがって、ス
ラリーを循環使用する場合、スラリー中に研磨装置から
溶出した重金属イオンが濃縮されてウェーハが金属汚染
される可能性がある。また、突発的にスラリーが重金属
イオンにより汚染された場合、現在の研磨装置ではウェ
ーハ汚染を免れない。特にＣｕ2+，Ｎｉ2+といったイオ
ンはシリコン中での拡散係数が大きくウェーハを汚染し
やすいため、これらの濃度を極力低減する必要がある。
が接しうる多くの金属部分が存在する。したがって、ス
ラリーを循環使用する場合、スラリー中に研磨装置から
溶出した重金属イオンが濃縮されてウェーハが金属汚染
される可能性がある。また、突発的にスラリーが重金属
イオンにより汚染された場合、現在の研磨装置ではウェ
ーハ汚染を免れない。特にＣｕ2+，Ｎｉ2+といったイオ
ンはシリコン中での拡散係数が大きくウェーハを汚染し
やすいため、これらの濃度を極力低減する必要がある。
【０００４】本発明は、上記した事情に鑑みなされたも
ので、研磨工程、特に鏡面研磨工程における半導体ウェ
ーハの重金属汚染を効果的に防止することができるよう
にした半導体ウェーハの研磨装置及び研磨方法を提供す
ることを目的とする。
ので、研磨工程、特に鏡面研磨工程における半導体ウェ
ーハの重金属汚染を効果的に防止することができるよう
にした半導体ウェーハの研磨装置及び研磨方法を提供す
ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の研磨装置は、回転可能に設けられた定盤を
有する研磨装置本体と、該定盤上に研磨スラリー供給手
段を介して供給される研磨スラリーを貯留する研磨スラ
リータンクとを具備する半導体ウェーハの研磨を行なう
装置であって、上記研磨スラリー供給手段に該研磨スラ
リー中の重金属イオンを除去する手段を設けたことを特
徴とする。
に、本発明の研磨装置は、回転可能に設けられた定盤を
有する研磨装置本体と、該定盤上に研磨スラリー供給手
段を介して供給される研磨スラリーを貯留する研磨スラ
リータンクとを具備する半導体ウェーハの研磨を行なう
装置であって、上記研磨スラリー供給手段に該研磨スラ
リー中の重金属イオンを除去する手段を設けたことを特
徴とする。
【０００６】上記金属イオン捕捉高分子又は樹脂として
は、陽イオン交換樹脂やキレート樹脂をあげることがで
きる。特に、ウェーハを汚染しやすいＣｕ2+，Ｎｉ2+の
除去にはＣｕ2+，Ｎｉ2+を強力に捕捉するイミノ二酢酸
型キレート樹脂が好適である。
は、陽イオン交換樹脂やキレート樹脂をあげることがで
きる。特に、ウェーハを汚染しやすいＣｕ2+，Ｎｉ2+の
除去にはＣｕ2+，Ｎｉ2+を強力に捕捉するイミノ二酢酸
型キレート樹脂が好適である。
【０００７】重金属イオンを捕捉する樹脂を封入充填し
たカラム等の重金属捕捉手段を設置することにより、研
磨機から溶出した重金属イオン、また、突発的に研磨ス
ラリー中に混入した重金属イオンは該樹脂に捕捉され、
定盤上には重金属イオンを含まない研磨スラリーが供給
される。よって、ウェーハの重金属イオンによる汚染が
抑制される。
たカラム等の重金属捕捉手段を設置することにより、研
磨機から溶出した重金属イオン、また、突発的に研磨ス
ラリー中に混入した重金属イオンは該樹脂に捕捉され、
定盤上には重金属イオンを含まない研磨スラリーが供給
される。よって、ウェーハの重金属イオンによる汚染が
抑制される。
【０００８】前記研磨スラリーが研磨加工処理使用後、
研磨スラリータンクに回収され、再び研磨に供されるよ
うにした循環使用可能な構造としておけば、研磨スラリ
ーを繰り返し使用でき、経済的観点から見て好適であ
る。
研磨スラリータンクに回収され、再び研磨に供されるよ
うにした循環使用可能な構造としておけば、研磨スラリ
ーを繰り返し使用でき、経済的観点から見て好適であ
る。
【０００９】前記研磨スラリー供給手段としては、研磨
スラリー供給管を用いればよく、該研磨スラリー供給管
の研磨スラリー供給口に近接させて前記重金属イオン捕
捉カラムを設置すれば、該重金属イオン捕捉カラムを通
過することによって純化された研磨スラリーが再汚染さ
れる可能性が少なくなる利点がある。
スラリー供給管を用いればよく、該研磨スラリー供給管
の研磨スラリー供給口に近接させて前記重金属イオン捕
捉カラムを設置すれば、該重金属イオン捕捉カラムを通
過することによって純化された研磨スラリーが再汚染さ
れる可能性が少なくなる利点がある。
【００１０】本発明の半導体ウェーハの研磨方法は、上
記した研磨装置を用いて研磨スラリー中の重金属イオン
を除去しつつ半導体ウェーハの研磨を行なうことを特徴
とする。
記した研磨装置を用いて研磨スラリー中の重金属イオン
を除去しつつ半導体ウェーハの研磨を行なうことを特徴
とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を添付
図面を用いて説明する。図１は本発明に係わる半導体ウ
ェーハの研磨装置の１例を示す概略側面説明図である。
図面を用いて説明する。図１は本発明に係わる半導体ウ
ェーハの研磨装置の１例を示す概略側面説明図である。
【００１２】図１において、１２は本発明に係る半導体
ウェーハの研磨装置で、研磨装置本体１４と該研磨装置
本体１４で用いられる研磨スラリー（コロイダルシリカ
を分散させた強アルカリ性溶液）１６を貯留する研磨ス
ラリータンク１８を具備している。
ウェーハの研磨装置で、研磨装置本体１４と該研磨装置
本体１４で用いられる研磨スラリー（コロイダルシリカ
を分散させた強アルカリ性溶液）１６を貯留する研磨ス
ラリータンク１８を具備している。
【００１３】該研磨装置本体１４は、上面を開放した平
皿状のスラリー受け２０を有している。該スラリー受け
２０の上面中央部には回転軸２２が立設されている。該
回転軸２２の上端部には定盤本体２４ａが回転可能に取
りつけられている。２６は該定盤本体２４ａの上面を被
覆するように貼着された研磨布である。定盤２４は定盤
本体２４ａと研磨布２６によって構成される。
皿状のスラリー受け２０を有している。該スラリー受け
２０の上面中央部には回転軸２２が立設されている。該
回転軸２２の上端部には定盤本体２４ａが回転可能に取
りつけられている。２６は該定盤本体２４ａの上面を被
覆するように貼着された研磨布である。定盤２４は定盤
本体２４ａと研磨布２６によって構成される。
【００１４】２８は該定盤２４の上面に載置されるウェ
ーハＷを上方から下方に向かって該研磨布２６にウェー
ハＷを押しつけるように作用するデッドウェイトであ
る。３０は研磨スラリー供給管で、その基端開口部３１
は該スラリータンク１８内下部に位置し、その中間部に
ポンプ手段Ｐを設置し、かつその先端開口部は研磨スラ
リー供給口３２となっている。
ーハＷを上方から下方に向かって該研磨布２６にウェー
ハＷを押しつけるように作用するデッドウェイトであ
る。３０は研磨スラリー供給管で、その基端開口部３１
は該スラリータンク１８内下部に位置し、その中間部に
ポンプ手段Ｐを設置し、かつその先端開口部は研磨スラ
リー供給口３２となっている。
【００１５】上記研磨スラリータンク１８に貯留された
研磨スラリー１６は、研磨スラリー供給管３０を介し、
研磨スラリー供給口３２から研磨装置本体１４の定盤２
４上の研磨加工位置に供給される。
研磨スラリー１６は、研磨スラリー供給管３０を介し、
研磨スラリー供給口３２から研磨装置本体１４の定盤２
４上の研磨加工位置に供給される。
【００１６】３４は該研磨スラリー供給管３０の中間部
に取りつけられた重金属イオンを除去する手段で、具体
的には重金属イオン捕捉基を有する高分子が封入充填さ
れたカラムである。この重金属除去手段３４は可能な限
り、研磨スラリー供給口３２に近接させて設置し、この
重金属除去手段３４によって純化された研磨スラリーが
再汚染される可能性を少なくするのが好ましい。
に取りつけられた重金属イオンを除去する手段で、具体
的には重金属イオン捕捉基を有する高分子が封入充填さ
れたカラムである。この重金属除去手段３４は可能な限
り、研磨スラリー供給口３２に近接させて設置し、この
重金属除去手段３４によって純化された研磨スラリーが
再汚染される可能性を少なくするのが好ましい。
【００１７】金属イオンを捕捉する高分子としては陽イ
オン交換樹脂やキレート樹脂をあげることができる。特
に、ウェーハを汚染しやすいＣｕ2+，Ｎｉ2+の除去には
Ｃｕ 2+，Ｎｉ2+を強力に捕捉するイミノ二酢酸型キレー
ト樹脂が好適である。
オン交換樹脂やキレート樹脂をあげることができる。特
に、ウェーハを汚染しやすいＣｕ2+，Ｎｉ2+の除去には
Ｃｕ 2+，Ｎｉ2+を強力に捕捉するイミノ二酢酸型キレー
ト樹脂が好適である。
【００１８】３６は研磨スラリー回収管で、その基端開
口部３６ａは該スラリー受けに連通し、その先端開口部
３６ｂは、該研磨スラリー供給タンク１８の上部に開口
している。
口部３６ａは該スラリー受けに連通し、その先端開口部
３６ｂは、該研磨スラリー供給タンク１８の上部に開口
している。
【００１９】上記の構成により、該研磨スラリー供給口
３２から研磨スラリー１６をポンプＰによって該定盤２
４上に圧送供給しつつデッドウェイト２８の重量により
ウェーハＷを該定盤２４上面に押しつけることによっ
て、該ウェーハＷの鏡面研磨が行なわれる。
３２から研磨スラリー１６をポンプＰによって該定盤２
４上に圧送供給しつつデッドウェイト２８の重量により
ウェーハＷを該定盤２４上面に押しつけることによっ
て、該ウェーハＷの鏡面研磨が行なわれる。
【００２０】本発明の研磨装置１２においては、研磨加
工の際に用いられる研磨スラリー１６は重金属除去手段
３４を通過することにより、研磨装置１２自体から溶出
した重金属イオン、また、突発的に研磨スラリー中に混
入した重金属イオンは該重金属除去手段３４によって捕
捉除去され、定盤２４上には重金属を含まない研磨スラ
リー１６が供給される。したがって、研磨されるウェー
ハＷの重金属イオンによる汚染は抑制される。
工の際に用いられる研磨スラリー１６は重金属除去手段
３４を通過することにより、研磨装置１２自体から溶出
した重金属イオン、また、突発的に研磨スラリー中に混
入した重金属イオンは該重金属除去手段３４によって捕
捉除去され、定盤２４上には重金属を含まない研磨スラ
リー１６が供給される。したがって、研磨されるウェー
ハＷの重金属イオンによる汚染は抑制される。
【００２１】そして、該定盤２４上に供給された研磨ス
ラリー１６はスラリー受け２０に集められ、スラリー回
収管３６を通って研磨スラリータンク１８に回収され、
循環使用される。
ラリー１６はスラリー受け２０に集められ、スラリー回
収管３６を通って研磨スラリータンク１８に回収され、
循環使用される。
【００２２】
【実施例】以下に本発明の実施例をあげて説明する。 実施例１（イミノ二酢酸型キレート樹脂による重金属イ
オンの除去）及び比較例１ 試料ウェーハ：ＣＺ、ｐ型、抵抗率；０．００８Ω・ｃ
ｍ程度、８インチφ、シリコンウェーハ 研磨スラリー：ＡＪ−１３２５〔ＳｉＯ2２ｗｔ％、ｐ
Ｈ１１、コロイダルシリカ研磨剤原液の商品名、日産化
学工業（株）製〕１０．０ｖｏｌ％＋純水（残部） 研磨荷重：４００ｇ／ｃｍ2 研磨時間：１０分 図１に示した研磨装置を用い、次の手順により、重金属
イオン除去手段（カラム）を作成し、上記した試料ウェ
ーハ及び研磨スラリーを用いて次の各実験を行なった。
オンの除去）及び比較例１ 試料ウェーハ：ＣＺ、ｐ型、抵抗率；０．００８Ω・ｃ
ｍ程度、８インチφ、シリコンウェーハ 研磨スラリー：ＡＪ−１３２５〔ＳｉＯ2２ｗｔ％、ｐ
Ｈ１１、コロイダルシリカ研磨剤原液の商品名、日産化
学工業（株）製〕１０．０ｖｏｌ％＋純水（残部） 研磨荷重：４００ｇ／ｃｍ2 研磨時間：１０分 図１に示した研磨装置を用い、次の手順により、重金属
イオン除去手段（カラム）を作成し、上記した試料ウェ
ーハ及び研磨スラリーを用いて次の各実験を行なった。
【００２３】イミノ二酢酸型キレート樹脂を一昼夜水に
浸漬したのち、適当濃度の塩酸、アンモニア水により数
回洗浄した。該樹脂をＰＴＦＥ製のカラム（長さ約５０
ｃｍ、直径約１０ｃｍ）に封入し、該カラムをスラリー
タンクとスラリー供給口の間のスラリー供給管に設置し
た。
浸漬したのち、適当濃度の塩酸、アンモニア水により数
回洗浄した。該樹脂をＰＴＦＥ製のカラム（長さ約５０
ｃｍ、直径約１０ｃｍ）に封入し、該カラムをスラリー
タンクとスラリー供給口の間のスラリー供給管に設置し
た。
【００２４】その後、スラリータンクにＮｉ2+及びＣｕ
2+をそれぞれ１００ｐｐｂずつ含有したスラリーを入れ
た。
2+をそれぞれ１００ｐｐｂずつ含有したスラリーを入れ
た。
【００２５】上記故意汚染スラリーを用いて上記した研
磨条件で研磨した場合（比較例１）とこの故意汚染スラ
リーをイミノ二酢酸型キレート樹脂で純化して上記した
研磨条件で研磨した場合（実施例１）のシリコンウェー
ハ上のＮｉ2+及びＣｕ2+濃度を測定し、それぞれ図２に
示した。故意汚染スラリー中のＮｉ2+，Ｃｕ2+が上記キ
レート樹脂によって除去されＮｉ2+及びＣｕ2+の濃度が
低減されているのがわかる。
磨条件で研磨した場合（比較例１）とこの故意汚染スラ
リーをイミノ二酢酸型キレート樹脂で純化して上記した
研磨条件で研磨した場合（実施例１）のシリコンウェー
ハ上のＮｉ2+及びＣｕ2+濃度を測定し、それぞれ図２に
示した。故意汚染スラリー中のＮｉ2+，Ｃｕ2+が上記キ
レート樹脂によって除去されＮｉ2+及びＣｕ2+の濃度が
低減されているのがわかる。
【００２６】実施例２及び比較例２ イミノ二酢酸型キレート樹脂カラムを組み込んだ場合
（実施例２）と組み込まない場合（比較例２）につき、
２０ｐｐｂのＮｉ2+を含有する研磨スラリーを循環使用
して実施例１と同様の研磨条件で研磨したときのシリコ
ンウェーハ上のＮｉ2+濃度の変遷を測定し、その結果を
図３に示した。図３から該キレート樹脂カラムを組み込
んでいない研磨装置ではウェーハ表面上のＮｉ2+濃度が
徐々に上昇しているのに対し、該キレート樹脂カラムを
組み込んだ研磨装置ではＮｉ2+の濃度が低レベルで安定
していることがわかる。
（実施例２）と組み込まない場合（比較例２）につき、
２０ｐｐｂのＮｉ2+を含有する研磨スラリーを循環使用
して実施例１と同様の研磨条件で研磨したときのシリコ
ンウェーハ上のＮｉ2+濃度の変遷を測定し、その結果を
図３に示した。図３から該キレート樹脂カラムを組み込
んでいない研磨装置ではウェーハ表面上のＮｉ2+濃度が
徐々に上昇しているのに対し、該キレート樹脂カラムを
組み込んだ研磨装置ではＮｉ2+の濃度が低レベルで安定
していることがわかる。
【００２７】上記した各実施例の結果から、重金属イオ
ン除去手段をスラリータンクと研磨装置本体の間、即
ち、スラリー供給管に組み込む方法が、半導体ウェーハ
の重金属汚染抑制に対し効果的であることが明らかとな
った。
ン除去手段をスラリータンクと研磨装置本体の間、即
ち、スラリー供給管に組み込む方法が、半導体ウェーハ
の重金属汚染抑制に対し効果的であることが明らかとな
った。
【００２８】なお、上記実施例では重金属イオンの例と
してＮｉ2+，Ｃｕ2+を使用したため、キレート樹脂とし
てイミノ二酢酸型キレート樹脂を使用したが、他のイオ
ンを除去する場合でも各イオンを有効に除去できる樹脂
を使用すれば同様な効果が得られることは言うまでもな
い。
してＮｉ2+，Ｃｕ2+を使用したため、キレート樹脂とし
てイミノ二酢酸型キレート樹脂を使用したが、他のイオ
ンを除去する場合でも各イオンを有効に除去できる樹脂
を使用すれば同様な効果が得られることは言うまでもな
い。
【００２９】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、重
金属イオンを捕捉する手段、例えば、重金属イオンを除
去する高分子を封入充填したカラムを、研磨スラリー供
給手段、例えば、研磨スラリー供給管の研磨スラリー供
給口に近接させて設置することにより、研磨装置の金属
部分からの重金属イオン溶出による研磨スラリー汚染や
突発的な研磨スラリーの汚染があっても、半導体ウェー
ハの研磨加工時の重金属汚染を抑制することが可能とな
った。
金属イオンを捕捉する手段、例えば、重金属イオンを除
去する高分子を封入充填したカラムを、研磨スラリー供
給手段、例えば、研磨スラリー供給管の研磨スラリー供
給口に近接させて設置することにより、研磨装置の金属
部分からの重金属イオン溶出による研磨スラリー汚染や
突発的な研磨スラリーの汚染があっても、半導体ウェー
ハの研磨加工時の重金属汚染を抑制することが可能とな
った。
【図１】本発明に係る半導体ウェーハの研磨装置の１例
を示す概略側面説明図である。
を示す概略側面説明図である。
【図２】実施例１（キレート樹脂カラム組み込み後）と
比較例１（キレート樹脂カラム組み込み前）におけるウ
ェーハ上の不純物濃度を示すグラフである。
比較例１（キレート樹脂カラム組み込み前）におけるウ
ェーハ上の不純物濃度を示すグラフである。
【図３】実施例２（キレート樹脂カラムを組み込んだ場
合）と比較例２（キレート樹脂カラムを組み込まない場
合）におけるウェーハ表面上の不純物濃度を示すグラフ
である。
合）と比較例２（キレート樹脂カラムを組み込まない場
合）におけるウェーハ表面上の不純物濃度を示すグラフ
である。
１２ 研磨装置 １４ 研磨装置本体 １６ 研磨スラリー １８ スラリータンク ２０ スラリー受け ２２ 回転軸 ２４ 定盤 ２４ａ 定盤本体 ２６ 研磨布 ２８ デッドウェイト ３０ 研磨スラリー供給管 ３１ 基端開口部 ３２ 研磨スラリー供給口 ３４ 重金属除去手段 ３６ 研磨スラリー回収管 ３６ａ 基端開口部 Ｐ ポンプ手段 Ｗ ウェーハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 味戸 利夫 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地 信越半導体株式会社半導体白河 研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】 回転可能に設けられた定盤を有する研磨
装置本体と、該定盤上に研磨スラリー供給手段を介して
供給される研磨スラリーを貯留する研磨スラリータンク
とを具備する半導体ウェーハの研磨を行なう装置であっ
て、上記研磨スラリー供給手段に該研磨スラリー中の重
金属イオンを除去する手段を設けたことを特徴とする半
導体ウェーハの研磨装置。 - 【請求項２】 前記研磨スラリー中の重金属イオンを除
去する手段が重金属イオン捕捉基を有する高分子が封入
充填されたカラムであることを特徴とする請求項１記載
の研磨装置。 - 【請求項３】 前記高分子がイミノ二酢酸型キレート樹
脂であることを特徴とする請求項２記載の研磨装置。 - 【請求項４】 前記研磨スラリーが研磨処理使用後研磨
スラリータンクに回収され、再び研磨に供されるように
した循環使用可能な構造となっている請求項１〜３のい
ずれか１項記載の研磨装置。 - 【請求項５】 前記研磨スラリー供給手段が研磨スラリ
ー供給管であり、該研磨スラリー供給管の研磨スラリー
供給口に近接させて前記カラムを設置したことを特徴と
する請求項２〜４のいずれか１項記載の研磨装置。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１項記載の研磨
装置を用いて該研磨スラリー中の重金属イオンを除去し
つつ半導体ウェーハの研磨を行なう研磨方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05450497A JP3384530B2 (ja) | 1996-03-25 | 1997-03-10 | 半導体ウェーハの研磨装置および研磨方法 |
| DE69703312T DE69703312T2 (de) | 1996-03-25 | 1997-03-19 | Vorrichtung und Verfahren zum Polieren von Halbleiterscheiben |
| EP97104697A EP0798079B1 (en) | 1996-03-25 | 1997-03-19 | Polishing apparatus and polishing method for silicon wafers |
| MYPI97001183A MY132494A (en) | 1996-03-25 | 1997-03-20 | Polishing apparatus and polishing method for silicon wafers |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-67997 | 1996-03-25 | ||
| JP6799796 | 1996-03-25 | ||
| JP05450497A JP3384530B2 (ja) | 1996-03-25 | 1997-03-10 | 半導体ウェーハの研磨装置および研磨方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09314466A true JPH09314466A (ja) | 1997-12-09 |
| JP3384530B2 JP3384530B2 (ja) | 2003-03-10 |
Family
ID=26395260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05450497A Expired - Fee Related JP3384530B2 (ja) | 1996-03-25 | 1997-03-10 | 半導体ウェーハの研磨装置および研磨方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0798079B1 (ja) |
| JP (1) | JP3384530B2 (ja) |
| DE (1) | DE69703312T2 (ja) |
| MY (1) | MY132494A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2001162534A (ja) * | 1999-12-10 | 2001-06-19 | Lsi Logic Corp | Ｃｍｐスラリー循環装置及び方法 |
| US6447381B1 (en) | 1999-10-21 | 2002-09-10 | Nec Corporation | Polishing apparatus |
| JP2003225859A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-08-12 | Toshiro Doi | 研磨装置および研磨方法 |
| JP2004075859A (ja) * | 2002-08-19 | 2004-03-11 | Chubu Kiresuto Kk | 研磨スラリーの清浄化法 |
| WO2004084287A1 (ja) * | 2003-03-18 | 2004-09-30 | Nomura Micro Science Co., Ltd. | 半導体研磨スラリー精製用素材、半導体研磨スラリー精製用モジュールおよび半導体研磨スラリーの精製方法 |
| JP2006086144A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 半導体ウェーハの研磨装置及びこれを用いた研磨方法 |
| JP2006346753A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 金属汚染された研磨スラリーの除染方法 |
| JP2010501349A (ja) * | 2006-08-25 | 2010-01-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板研磨液のユースポイント処理のための方法及びシステム |
| US8202429B2 (en) | 2008-12-26 | 2012-06-19 | Nomura Micro Science Co., Ltd. | Method for recovering a used slurry |
| JP2018027593A (ja) * | 2016-08-18 | 2018-02-22 | 株式会社ディスコ | 研磨装置 |
| JP2019067471A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨処理方法および研磨用組成物 |
| CN109940504A (zh) * | 2017-12-20 | 2019-06-28 | 松下知识产权经营株式会社 | 研磨装置及研磨方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9259668B2 (en) * | 2012-02-17 | 2016-02-16 | Jsr Corporation | Cleaning method of immersion liquid, immersion liquid cleaning composition, and substrate |
| CN104552002A (zh) * | 2014-12-29 | 2015-04-29 | 苏州用朴合金工具有限公司 | 基于硬质合金杆的cbn砂轮加工的冷却液循环利用系统 |
| JP6454599B2 (ja) | 2015-05-14 | 2019-01-16 | 株式会社ディスコ | 研磨装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59189987A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-27 | Nec Corp | シリコンウエ−ハ−研摩排水の循環利用方法 |
| US5087372A (en) * | 1989-03-24 | 1992-02-11 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for removing heavy metal ions from contaminated water and a porous membrane usable therefor |
| JP3150990B2 (ja) * | 1991-03-25 | 2001-03-26 | 旭化成株式会社 | Ｇａ−Ａｓ研磨排水の処理方法 |
| EP0928777A1 (en) * | 1993-08-16 | 1999-07-14 | Ebara Corporation | Waste treatment system in a polishing apparatus |
-
1997
- 1997-03-10 JP JP05450497A patent/JP3384530B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-03-19 EP EP97104697A patent/EP0798079B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-03-19 DE DE69703312T patent/DE69703312T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-03-20 MY MYPI97001183A patent/MY132494A/en unknown
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| JP4657412B2 (ja) * | 1999-12-10 | 2011-03-23 | エルエスアイ コーポレーション | 半導体ウェハを研磨する装置及び方法 |
| JP2003225859A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-08-12 | Toshiro Doi | 研磨装置および研磨方法 |
| JP4510362B2 (ja) * | 2001-11-30 | 2010-07-21 | 俊郎 土肥 | Ｃｍｐ装置およびｃｍｐ方法 |
| JP2004075859A (ja) * | 2002-08-19 | 2004-03-11 | Chubu Kiresuto Kk | 研磨スラリーの清浄化法 |
| JP2011003920A (ja) * | 2003-03-18 | 2011-01-06 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 半導体研磨スラリーの精製方法 |
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| US7625262B2 (en) | 2003-03-18 | 2009-12-01 | Nomura Micro Science Co., Ltd. | Material for purification of semiconductor polishing slurry, module for purification of semiconductor polishing slurry and process for producing semiconductor polishing slurry |
| JP4644120B2 (ja) * | 2003-03-18 | 2011-03-02 | 野村マイクロ・サイエンス株式会社 | 半導体研磨スラリー精製用素材、半導体研磨スラリー精製用モジュールおよび半導体研磨スラリーの精製方法 |
| JP2006086144A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 半導体ウェーハの研磨装置及びこれを用いた研磨方法 |
| JP4551167B2 (ja) * | 2004-09-14 | 2010-09-22 | 日本化学工業株式会社 | 半導体ウェーハの研磨装置及びこれを用いた研磨方法 |
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| JP2018027593A (ja) * | 2016-08-18 | 2018-02-22 | 株式会社ディスコ | 研磨装置 |
| KR20180020888A (ko) * | 2016-08-18 | 2018-02-28 | 가부시기가이샤 디스코 | 연마 장치 |
| US10562150B2 (en) | 2016-08-18 | 2020-02-18 | Disco Corporation | Polishing apparatus |
| JP2019067471A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨処理方法および研磨用組成物 |
| CN109940504A (zh) * | 2017-12-20 | 2019-06-28 | 松下知识产权经营株式会社 | 研磨装置及研磨方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3384530B2 (ja) | 2003-03-10 |
| EP0798079A2 (en) | 1997-10-01 |
| EP0798079A3 (en) | 1998-03-25 |
| MY132494A (en) | 2007-10-31 |
| DE69703312T2 (de) | 2001-02-22 |
| DE69703312D1 (de) | 2000-11-23 |
| EP0798079B1 (en) | 2000-10-18 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |