JP4551167B2 - 半導体ウェーハの研磨装置及びこれを用いた研磨方法 - Google Patents
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上記研磨スラリー供給装置に該研磨スラリー中の重金属キレート陰イオンを除去する装置を設け、該除去装置より後にキレート剤供給装置を設け、
重金属キレート陰イオンを除去する上記装置が、強塩基性陰イオン交換樹脂を封入充填したカラムからなることを特徴とする。
(実施例1)
研磨装置:図2に示した研磨装置を用い、重金属イオン除去装置15は強塩基性陰イオン交換樹脂(オルガノ社製、商品名アンバーライトIRA−410)を充填したPTFE製のカラム(長さ約50cm、直径約10cm)を使用した。カラムは再生剤供給管17と再生剤排出管16を使用して5%NaOH次いで純水にてOH形に再生した。キレート剤タンク7には、エチレンジアミン四酢酸二ナトリウムの10%水溶液を入れた。
試料ウェーハ:CZ、p型、8インチφ、シリコンウェーハ
研磨スラリー:平均粒子径が30nmでシリカ濃度20%の市販のコロイダルシリカを研磨スラリー原料として用いた。このコロイダルシリカはCu60ppb、Ni100ppbを含有する。研磨スラリーは、このコロイダルシリカをシリカ濃度2.5%に純水で希釈し、Cu100ppb、Ni100ppbとなる量の各塩を添加溶解し、次いで水酸化テトラメチルアンモニウムを添加してpHを約11にして調製した。
研磨条件:研磨パッドに発泡ウレタン樹脂製パッドを使用し、研磨スラリー供給量10L/分、研磨荷重250g/cm2、研磨時間10分で行った。
上記した研磨装置、研磨スラリー、研磨条件で研磨試験を行なった。
研磨装置として図4に示した研磨装置を用いたほかは、実施例1と同じ条件で研磨試験を行った。
2 ウェーハ
3 研磨装置本体
4 研磨スラリー
5 研磨スラリータンク
6 ポンプ装置
7 キレート剤タンク
8 ポンプ装置
9 スラリー受け
10 回転軸
11 パッド
12 デッドウェイト
13 研磨スラリー供給管
14 スラリー回収管
15 重金属キレート陰イオン除去装置
16 再生剤排出管
17 再生剤供給管
18 定盤本体
Claims (6)
- 回転可能に設けられた定盤を有する研磨装置本体と、該定盤上の半導体ウェーハに研磨スラリー供給装置を介して供給されるキレート剤含有研磨スラリーを貯留する研磨スラリータンクとを具備する半導体ウェーハの研磨を行なう装置であって、
上記研磨スラリー供給装置に該研磨スラリー中の重金属キレート陰イオンを除去する装置を設け、該除去装置より後にキレート剤供給装置を設け、
重金属キレート陰イオンを除去する上記装置が、強塩基性陰イオン交換樹脂を封入充填したカラムからなることを特徴とする半導体ウェーハの研磨装置。 - 上記カラムは、再生剤供給管と再生剤排出管を備え、上記強塩基性陰イオン交換樹脂の再生剤が該カラム中を通過可能になっている請求項1記載の研磨装置。
- 上記カラムを2基並列に具備し、各カラムを交互に使用するようになされている請求項2記載の研磨装置。
- 前記研磨スラリーが研磨処理使用後研磨スラリータンクに回収され、再び研磨に供されるようにした循環使用可能な構造となっている請求項1〜3のいずれか1項に記載の研磨装置。
- 請求項1〜4のいずれか1項記載の研磨装置を用いて該研磨スラリー中の重金属キレート陰イオンを除去しつつ半導体ウェーハの研磨を行なう研磨方法。
- 請求項5に記載の研磨方法において、該研磨スラリー中の粒子がコロイダルシリカである半導体ウェーハの研磨方法。
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