JP2006346753A - 金属汚染された研磨スラリーの除染方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】金属汚染を受けたpH8〜14に調整された研磨スラリーを、金属汚染を受けたときから24時間以内に金属キレート形成能を有する官能基が少なくとも表面に固定化されている繊維もしくは粒状体と接触させる。これによって、従来再生が事実上不可能だったタンク保管の研磨スラリーについても除染することが可能になる。
【選択図】図1
Description
半導体装置に多層積層構造を採用するには、基材となるウェーハそのものや多層積層構の各層の凹凸をこれまで以上に小さくする必要がある。凹凸による段差が大きくなると、膜形成時の段差部での被覆性(ステップカバレッジ)の悪化、あるいはリソグラフィ工程における段差部でのフォトレジストの塗布膜厚変動など、種々の不具合が生じるようになる。
タンクに保管されている研磨スラリーや研磨工程で使用されて廃液タンクに保管されているような研磨スラリーの汚染金属を除染して、再使用を可能とする金属汚染された研磨スラリーの除染方法を提供することを目的とする。
また、基材に用いる粒状体の形状は通常、直径0.3〜1.2mmの球である。
Claims (3)
- 金属汚染を受けたpH8〜14に調整された研磨スラリーを、金属キレート形成能を有する官能基が少なくとも表面に固定化されている繊維もしくは粒状体と接触させて、前記研磨スラリーの金属成分を除去するにあたり、前記繊維素材との接触を、金属汚染を受けたときから24時間以内に行うことを特徴とする金属汚染された研磨スラリーの除染方法。
- 前記研磨スラリーが、スラリー製造、スラリー貯留・移送時に受けた汚染、もしくは、半導体ウェーハ製造、半導体デバイス製造における研磨工程時の汚染を受けた研磨スラリーであることを特徴とする請求項1記載の金属汚染された研磨スラリーの除染方法。
- 研磨スラリーの汚染金属の濃度が0.1ppb〜100ppmであることを特徴とする請求項1乃至2のいずれか1項記載の金属汚染された研磨スラリーの除染方法。
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JP2005172013A JP2006346753A (ja) | 2005-06-13 | 2005-06-13 | 金属汚染された研磨スラリーの除染方法 |
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JPH09314466A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-12-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハの研磨装置および研磨方法 |
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