JPH09266242A - 吸着用チャック装置 - Google Patents
吸着用チャック装置Info
- Publication number
- JPH09266242A JPH09266242A JP8097499A JP9749996A JPH09266242A JP H09266242 A JPH09266242 A JP H09266242A JP 8097499 A JP8097499 A JP 8097499A JP 9749996 A JP9749996 A JP 9749996A JP H09266242 A JPH09266242 A JP H09266242A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- chucking
- chuck
- receiving portion
- suction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Jigs For Machine Tools (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 チャック本体によって、厚さに対し充分広い
面積を有するウェーハを吸着時に、前記被吸着体の自重
によるたわみを補正することを特徴とする吸着用チャッ
ク装置を提供すること。 【解決手段】 チャック本体１Ａにウェーハ２に対向し
て設けられ、該ウェーハ２と当接する吸着面５Ａを有す
る受部４Ａを備え、前記ウェーハ２を前記吸着面５Ａに
吸着する吸着用チャック装置において、前記チャック本
体１Ａが、ウェーハ２を吸着時にウェーハ２と非接触と
なる底面１Ａｃを有する凹部１１Ａと、該凹部内に流体
を導入する流体導入手段６Ａ、７Ａとを設け、前記凹部
内に導入された流体１２Ａにより、前記凹部の底面側へ
のウェーハ２の自重によるたわみを補正する。
面積を有するウェーハを吸着時に、前記被吸着体の自重
によるたわみを補正することを特徴とする吸着用チャッ
ク装置を提供すること。 【解決手段】 チャック本体１Ａにウェーハ２に対向し
て設けられ、該ウェーハ２と当接する吸着面５Ａを有す
る受部４Ａを備え、前記ウェーハ２を前記吸着面５Ａに
吸着する吸着用チャック装置において、前記チャック本
体１Ａが、ウェーハ２を吸着時にウェーハ２と非接触と
なる底面１Ａｃを有する凹部１１Ａと、該凹部内に流体
を導入する流体導入手段６Ａ、７Ａとを設け、前記凹部
内に導入された流体１２Ａにより、前記凹部の底面側へ
のウェーハ２の自重によるたわみを補正する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄い被吸着体を保
持固定するための吸着用チャック装置、更に詳しくは、
チャック本体が、薄い被吸着体を保持固定する際の接触
面積率を大幅に低減させた上で、被吸着体がチャックと
接触しない部分で生じる自重によるたわみを補正するこ
とを特徴とする吸着用チャック装置に関するものであ
る。
持固定するための吸着用チャック装置、更に詳しくは、
チャック本体が、薄い被吸着体を保持固定する際の接触
面積率を大幅に低減させた上で、被吸着体がチャックと
接触しない部分で生じる自重によるたわみを補正するこ
とを特徴とする吸着用チャック装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、シリコンウェーハ等の半導体
基板を代表とする薄い被吸着体に対して、例えば、フォ
トリソグラフのように表面微細加工を加えたり、また、
光干渉計のように表面形状の計測を実施する際には、高
精度基準面を有する吸着チャックに、前記被吸着体を保
持固定する方法が実施されている。その保持方法とし
て、図１０に記載されているようにシリコンウェーハな
どの半導体基板２１６を多数の孔２１３を開設したチャ
ック本体２１０の吸着面２１０ａ上に載置して、開口部
２１０ｂから気体を吸引してチャック本体内部２１４を
負圧にして保持する多孔式チャックが知られている。と
ころが、吸着面２１０ａを精度良く形成してあっても、
吸着面２１０ａと被吸着体２１６との接触部にゴミ等の
異物が介在すると、前記被吸着体が異物部分で局所的に
浮き上がることにより表面形状を悪化させ、結果的に高
精度の加工や計測等を正確に実施することが困難とな
る。
基板を代表とする薄い被吸着体に対して、例えば、フォ
トリソグラフのように表面微細加工を加えたり、また、
光干渉計のように表面形状の計測を実施する際には、高
精度基準面を有する吸着チャックに、前記被吸着体を保
持固定する方法が実施されている。その保持方法とし
て、図１０に記載されているようにシリコンウェーハな
どの半導体基板２１６を多数の孔２１３を開設したチャ
ック本体２１０の吸着面２１０ａ上に載置して、開口部
２１０ｂから気体を吸引してチャック本体内部２１４を
負圧にして保持する多孔式チャックが知られている。と
ころが、吸着面２１０ａを精度良く形成してあっても、
吸着面２１０ａと被吸着体２１６との接触部にゴミ等の
異物が介在すると、前記被吸着体が異物部分で局所的に
浮き上がることにより表面形状を悪化させ、結果的に高
精度の加工や計測等を正確に実施することが困難とな
る。
【０００３】また、図９に示すように、チャック本体１
１０の上面１１０ａに、同心円状に形成される溝１１１
を凹設した受部１１２を複数設け、他の部分を受部１１
２の上面より僅かに低く、空間１１７を形成するように
構成し、溝１１１に連通する孔１１３、１１４を介して
被吸着物１１６を真空吸着する複数溝式チャックが知ら
れている。
１０の上面１１０ａに、同心円状に形成される溝１１１
を凹設した受部１１２を複数設け、他の部分を受部１１
２の上面より僅かに低く、空間１１７を形成するように
構成し、溝１１１に連通する孔１１３、１１４を介して
被吸着物１１６を真空吸着する複数溝式チャックが知ら
れている。
【０００４】この複数溝式チャックは、前記受部１１２
の上面で被吸着物１１６を保持するために、被吸着物１
１６と非接触となる前記空間を多く形成することによ
り、前記多孔式チャックと比較して、被吸着物とチャッ
ク吸着面との接触面積を少なくすることができ、異物に
よる影響が軽減される。
の上面で被吸着物１１６を保持するために、被吸着物１
１６と非接触となる前記空間を多く形成することによ
り、前記多孔式チャックと比較して、被吸着物とチャッ
ク吸着面との接触面積を少なくすることができ、異物に
よる影響が軽減される。
【０００５】しかしながら、被吸着体を重力が働く方向
に直角に載置して支持した場合、上述の従来技術である
複数溝式チャックによると、前記被吸着体と非接触とな
る前記空間の存在により、支持点を離れた前記被吸着体
においては被吸着体の自重によるたわみにより湾曲し
て、表面形状を悪化し前記被吸着体表面の加工あるいは
計測等に支障を来すことになる。
に直角に載置して支持した場合、上述の従来技術である
複数溝式チャックによると、前記被吸着体と非接触とな
る前記空間の存在により、支持点を離れた前記被吸着体
においては被吸着体の自重によるたわみにより湾曲し
て、表面形状を悪化し前記被吸着体表面の加工あるいは
計測等に支障を来すことになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述の事情に鑑み、本
発明は、チャック本体が、薄い被吸着体を吸着時に、前
記被吸着体との接触率を大幅に低減した上で、前記被吸
着体の自重で生じるたわみを補正することを特徴とする
吸着用チャック装置を提供することを目的とするもので
ある。
発明は、チャック本体が、薄い被吸着体を吸着時に、前
記被吸着体との接触率を大幅に低減した上で、前記被吸
着体の自重で生じるたわみを補正することを特徴とする
吸着用チャック装置を提供することを目的とするもので
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、上面に吸着面を有する受部をチャック本
体に設け、薄い被吸着体を前記吸着面に吸着保持する吸
着用チャック装置において、前記受部間に、前記被吸着
体を吸着時に前記被吸着体と非接触となる底部を有する
凹部と、該凹部内に流体を導入する流体導入手段とを備
え、前記凹部内に導入された流体により、前記底面側へ
の前記被吸着体の自重によるたわみを補正することを特
徴とする。
に、本発明は、上面に吸着面を有する受部をチャック本
体に設け、薄い被吸着体を前記吸着面に吸着保持する吸
着用チャック装置において、前記受部間に、前記被吸着
体を吸着時に前記被吸着体と非接触となる底部を有する
凹部と、該凹部内に流体を導入する流体導入手段とを備
え、前記凹部内に導入された流体により、前記底面側へ
の前記被吸着体の自重によるたわみを補正することを特
徴とする。
【０００８】図１に示されるように、チャック本体１Ａ
には被吸着体２と当接する吸着面５Ａを有する受部４Ａ
と、前記被吸着体を吸着時に前記被吸着体と非接触とな
る底部１Ａｃを有する凹部１１Ａと、該凹部内に流体を
導入する流体導入手段６Ａ、７Ａとが形成され、チャッ
ク本体１Ａに吸着される被吸着体２は、前記チャック本
体１Ａの吸着面５Ａに真空吸着もしくは静電吸着され、
図３のごとく凹部の底面１Ａｃに向かって自重により湾
曲する被吸着体２は、前記流体導入手段により前記凹部
内に導入された流体１２Ａによって、図１のごとく上方
に押し上げられることによって、被吸着体２の自重によ
るたわみは補正される。
には被吸着体２と当接する吸着面５Ａを有する受部４Ａ
と、前記被吸着体を吸着時に前記被吸着体と非接触とな
る底部１Ａｃを有する凹部１１Ａと、該凹部内に流体を
導入する流体導入手段６Ａ、７Ａとが形成され、チャッ
ク本体１Ａに吸着される被吸着体２は、前記チャック本
体１Ａの吸着面５Ａに真空吸着もしくは静電吸着され、
図３のごとく凹部の底面１Ａｃに向かって自重により湾
曲する被吸着体２は、前記流体導入手段により前記凹部
内に導入された流体１２Ａによって、図１のごとく上方
に押し上げられることによって、被吸着体２の自重によ
るたわみは補正される。
【０００９】よって、被吸着体と当接する吸着面を有す
る受部を小さくして、前記凹部を多くとり、被吸着体と
受部との接触面積を低減することで、異物が前記被吸着
体と受部との間に介在することが極めて少なくなり、高
精度な加工や計測等の正確さがはるかに向上する吸着用
チャック装置を提供することができる。
る受部を小さくして、前記凹部を多くとり、被吸着体と
受部との接触面積を低減することで、異物が前記被吸着
体と受部との間に介在することが極めて少なくなり、高
精度な加工や計測等の正確さがはるかに向上する吸着用
チャック装置を提供することができる。
【００１０】また、前記受部を、前記チャック本体上面
に、一条の壁状（連続もしくは非連続）として立設し、
前記吸着面に気体吸入手段と連通する溝部を設けるとと
もに、前記受部の内周側に前記凹部を形成し、前記被吸
着体を真空吸着するように構成すると好ましい。
に、一条の壁状（連続もしくは非連続）として立設し、
前記吸着面に気体吸入手段と連通する溝部を設けるとと
もに、前記受部の内周側に前記凹部を形成し、前記被吸
着体を真空吸着するように構成すると好ましい。
【００１１】前記受部４Ａが前記チャック本体１Ａの上
面１Ａａに設けられ、この受部４Ａの被吸着体２と接触
する吸着面５Ａに気体吸入手段９と連通する溝部３Ａが
設けられて、真空吸着により被吸着体２を保持している
ので、溝の両サイドの縁４Ａｃ、４Ａｄで被吸着体２を
支持でき、この縁は溝が存在する長さ分だけ溝の両サイ
ドに存在する。
面１Ａａに設けられ、この受部４Ａの被吸着体２と接触
する吸着面５Ａに気体吸入手段９と連通する溝部３Ａが
設けられて、真空吸着により被吸着体２を保持している
ので、溝の両サイドの縁４Ａｃ、４Ａｄで被吸着体２を
支持でき、この縁は溝が存在する長さ分だけ溝の両サイ
ドに存在する。
【００１２】そして、前記受部が前記チャック本体上面
に設けられ、前記受部の内面側に前記凹部を形成してい
るので、前記被吸着体が異物により影響されることな
く、さらに自重たわみを流体により補正されるので、精
度良く加工や計測等ができる。
に設けられ、前記受部の内面側に前記凹部を形成してい
るので、前記被吸着体が異物により影響されることな
く、さらに自重たわみを流体により補正されるので、精
度良く加工や計測等ができる。
【００１３】また、前記受部を、前記被吸着体の外周面
近傍と当接する外周面側受部と、前記被吸着体の中心側
と当接する中心側受部とで構成し、前記被吸着体の保持
位置を分散させて前記被吸着体を保持するように構成す
ると好ましい。
近傍と当接する外周面側受部と、前記被吸着体の中心側
と当接する中心側受部とで構成し、前記被吸着体の保持
位置を分散させて前記被吸着体を保持するように構成す
ると好ましい。
【００１４】薄い被吸着体の大型化、大口径化に伴い、
被吸着体の質量が増大するために、被吸着体の保持力を
増大させる必要があるが、このように構成することによ
り、外周面近傍と当接する外周面側受部による保持力を
増大させないで、中心側受部においても被吸着体を保持
させ、被吸着体の保持位置を分散させることができ、被
吸着体を安定して保持することができる。
被吸着体の質量が増大するために、被吸着体の保持力を
増大させる必要があるが、このように構成することによ
り、外周面近傍と当接する外周面側受部による保持力を
増大させないで、中心側受部においても被吸着体を保持
させ、被吸着体の保持位置を分散させることができ、被
吸着体を安定して保持することができる。
【００１５】また、前記凹部に流体として気体のみでな
く液体を充満して、浮力、圧力、表面張力により前記被
吸着体のたわみを補正することができる。
く液体を充満して、浮力、圧力、表面張力により前記被
吸着体のたわみを補正することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示した実施例
を用いて詳細に説明する。但し、この実施例に記載され
る構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは特
に特定的な記載が無い限り、この発明の範囲をそれのみ
に限定する趣旨ではなく単なる説明例に過ぎない。
を用いて詳細に説明する。但し、この実施例に記載され
る構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは特
に特定的な記載が無い限り、この発明の範囲をそれのみ
に限定する趣旨ではなく単なる説明例に過ぎない。
【００１７】また、以下の実施例において、薄い被吸着
体をウェーハと記載して、具体例としてシリコンウェー
ハを代表として説明してゆくが、これのみに限定される
ものではなく、異物の介在や自重によるたわみが表面形
状に影響する、各種半導体基板や液晶ガラス基板等の薄
い被吸着体においても適用されることは勿論のことであ
る。また、以下の実施例において、流体として気体を用
いた場合を例にして説明する。
体をウェーハと記載して、具体例としてシリコンウェー
ハを代表として説明してゆくが、これのみに限定される
ものではなく、異物の介在や自重によるたわみが表面形
状に影響する、各種半導体基板や液晶ガラス基板等の薄
い被吸着体においても適用されることは勿論のことであ
る。また、以下の実施例において、流体として気体を用
いた場合を例にして説明する。
【００１８】本発明に係る実施例は、図１〜図３に示す
ように、円板状に形成されたウェーハチャック本体１Ａ
は、上面１Ａａに一条の連続したウェーハ受部４Ａが平
面円形の壁状に立設されている。該ウェーハ受部４Ａの
ウェーハ受面５Ａの中央部には溝３Ａが凹設され、該溝
３Ａの底面には、図示しない気体吸引機構と連結する複
数の通路９が開設され、気体吸入手段が形成され、前記
溝３Ａは該通路９を介してウェーハ受面５Ａ上の被吸着
体２を吸引可能に構成されている。
ように、円板状に形成されたウェーハチャック本体１Ａ
は、上面１Ａａに一条の連続したウェーハ受部４Ａが平
面円形の壁状に立設されている。該ウェーハ受部４Ａの
ウェーハ受面５Ａの中央部には溝３Ａが凹設され、該溝
３Ａの底面には、図示しない気体吸引機構と連結する複
数の通路９が開設され、気体吸入手段が形成され、前記
溝３Ａは該通路９を介してウェーハ受面５Ａ上の被吸着
体２を吸引可能に構成されている。
【００１９】ウェーハ受部４Ａの内周面４Ａａ側には、
底面１Ａｃと前記内周面４Ａａとにより凹部１１Ａが形
成され、底面１Ａｃの中央部には連通室７と連通する開
口６Ａが開設され、前記連通室７は図示しない気体供給
機構と連結して気体１２Ａを前記凹部１１Ａに供給可能
に構成されている。尚、前記凹部１１Ａはウェーハ２を
ウェーハ受面５Ａ上に載置後ウェーハ２の裏面が底面１
Ａｃに接触しない程度の空隙Ｇ（図３）を有して形成さ
れている。
底面１Ａｃと前記内周面４Ａａとにより凹部１１Ａが形
成され、底面１Ａｃの中央部には連通室７と連通する開
口６Ａが開設され、前記連通室７は図示しない気体供給
機構と連結して気体１２Ａを前記凹部１１Ａに供給可能
に構成されている。尚、前記凹部１１Ａはウェーハ２を
ウェーハ受面５Ａ上に載置後ウェーハ２の裏面が底面１
Ａｃに接触しない程度の空隙Ｇ（図３）を有して形成さ
れている。
【００２０】図１に示す本実施例のウェーハ２を載置す
る受部４Ａのウェーハ受面５Ａの接触面積の、全ウェー
ハ面積に対する割合を、図９に示す複数溝式及び図１０
に示す多数孔式チャックと比較する。 ａ）図１の場合 ウェーハ直径φ２００ｍｍ、受部４Ａの外側縁４Ａｃ、
４Ａｃの中心間の距離１９５ｍｍ、内側縁４Ａｄ、４Ａ
ｄの中心間の距離１９３ｍｍ、外側縁４Ａｃ及び内側縁
４Ａｄのそれぞれの幅を０．３ｍｍとした場合、被吸着
体２の面積Ａは、 Ａ＝πｒ2 ＝π（２００／２）2 ＝１００００π［ｍｍ
2 ］ ウェーハ受け面５Ａの面積Ｂは、 Ｂ＝２π（１９５／２）×０．３＋２π（１９３／２）×０．３ ＝５８．５π＋５７．９π＝１１６．４π［ｍｍ2 ］ 接触面積率Ｂ／Ａ＝１１６．４π／１００００π＝０．
０１１６４ よって、接触面積率は１．１６％
る受部４Ａのウェーハ受面５Ａの接触面積の、全ウェー
ハ面積に対する割合を、図９に示す複数溝式及び図１０
に示す多数孔式チャックと比較する。 ａ）図１の場合 ウェーハ直径φ２００ｍｍ、受部４Ａの外側縁４Ａｃ、
４Ａｃの中心間の距離１９５ｍｍ、内側縁４Ａｄ、４Ａ
ｄの中心間の距離１９３ｍｍ、外側縁４Ａｃ及び内側縁
４Ａｄのそれぞれの幅を０．３ｍｍとした場合、被吸着
体２の面積Ａは、 Ａ＝πｒ2 ＝π（２００／２）2 ＝１００００π［ｍｍ
2 ］ ウェーハ受け面５Ａの面積Ｂは、 Ｂ＝２π（１９５／２）×０．３＋２π（１９３／２）×０．３ ＝５８．５π＋５７．９π＝１１６．４π［ｍｍ2 ］ 接触面積率Ｂ／Ａ＝１１６．４π／１００００π＝０．
０１１６４ よって、接触面積率は１．１６％
【００２１】ｂ）複数溝式チャックの場合 受部を何本設けるかによって違ってくるが、図１の受部
４Ａから１０ｍｍピッチで中心側に同心の受部をさらに
５本設けた場合を考えると、この付加された５本の受け
部が、図１の実施例の場合より、接触面積が増加し、こ
こに詳細な計算例は記載しないが、接触面積率約６％と
図１の場合と比べて５倍以上の異物混入の恐れがあるこ
とになる。 ｃ）多数孔式チャックの場合 φ１ｍｍの孔が２００個あるとした場合の孔面積の総和
は、 πｒ2 ×２００＝π０．５2 ×２００＝５０π［ｍｍ
2 ］ 接触面積Ｂ＝１００００π−５０π＝９９５０π［ｍｍ
2 ] 接触面積率Ｂ／Ａ＝９９５０π／１００００π＝０．９
９５ よって、接触面積率９９．５％となる。
４Ａから１０ｍｍピッチで中心側に同心の受部をさらに
５本設けた場合を考えると、この付加された５本の受け
部が、図１の実施例の場合より、接触面積が増加し、こ
こに詳細な計算例は記載しないが、接触面積率約６％と
図１の場合と比べて５倍以上の異物混入の恐れがあるこ
とになる。 ｃ）多数孔式チャックの場合 φ１ｍｍの孔が２００個あるとした場合の孔面積の総和
は、 πｒ2 ×２００＝π０．５2 ×２００＝５０π［ｍｍ
2 ］ 接触面積Ｂ＝１００００π−５０π＝９９５０π［ｍｍ
2 ] 接触面積率Ｂ／Ａ＝９９５０π／１００００π＝０．９
９５ よって、接触面積率９９．５％となる。
【００２２】ａ）とｃ）と比較すれば、明らかに接触面
積率が大幅に異なることがわかる。よって、これらの計
算結果から、図１に記載した本実施例においては、異物
が被吸着体と受部の間に介在する恐れは極めて少なくな
ることがわかる。
積率が大幅に異なることがわかる。よって、これらの計
算結果から、図１に記載した本実施例においては、異物
が被吸着体と受部の間に介在する恐れは極めて少なくな
ることがわかる。
【００２３】次に、このように構成されたウェーハ２の
たわみを円形平板の変形式を用いて説明する。図４に示
すように、円板の周囲を固定し等分布荷重をうけるとす
ると、円板中心から矢印方向にｒの座標をとり、ａ：円
板半径、Ｗｍａｘ：最大たわみ、ｈ：厚さ、ν：ポアソ
ン比、Ｐ分布荷重、Ｅ：ヤンブ率、Ｄ：板の曲げ剛性と
した場合は、 Ｄ＝Ｅｈ3 ／１２（１−ν2 ） ・・・・（１） Ｗｍａｘ＝Ｐ・ａ4 ／６４［Ｅｈ3 ／１２（１−ν2 ）］・・・（２） 一方、シリコンウェーハを例とする場合、分布荷重Ｐ
は、シリコンの密度ρｓ、重力加速度ｇ、厚さｈとする
と、 Ｐ＝ρｓ・ｇ・ｈ ・・・・（３） である。
たわみを円形平板の変形式を用いて説明する。図４に示
すように、円板の周囲を固定し等分布荷重をうけるとす
ると、円板中心から矢印方向にｒの座標をとり、ａ：円
板半径、Ｗｍａｘ：最大たわみ、ｈ：厚さ、ν：ポアソ
ン比、Ｐ分布荷重、Ｅ：ヤンブ率、Ｄ：板の曲げ剛性と
した場合は、 Ｄ＝Ｅｈ3 ／１２（１−ν2 ） ・・・・（１） Ｗｍａｘ＝Ｐ・ａ4 ／６４［Ｅｈ3 ／１２（１−ν2 ）］・・・（２） 一方、シリコンウェーハを例とする場合、分布荷重Ｐ
は、シリコンの密度ρｓ、重力加速度ｇ、厚さｈとする
と、 Ｐ＝ρｓ・ｇ・ｈ ・・・・（３） である。
【００２４】ここで、シリコンウェーハの厚さｈ＝０．
７×１０-3［ｍ］、直径φ＝０．２（ａ＝０．１）
［ｍ］、密度ρｓ＝２．３２８×１０3 、ポアソン比ν
＝０．４４、重力加速度ｇ＝９．８［ｍ／ｓ2 ］ 、ヤ
ング率Ｅ＝１．９×１０11［ｋｇ／ｍ2 ］、とすると、 Ｗｍａｘ＝０．００１５９７／４３０．５５５＝３．７
μｍ となる。現状のシリコンウェーハの形状精度は１μｍ以
下が必要とされるので、前記たわみ量は明らかに形状精
度に影響することになる。（３）式に示されるように、
シリコンウェーハの自重による分布荷重は、Ｐ＝ρｓ・
ｇ・ｈであるために、このたわみを補正するには、この
圧力Ｐに相当する力でウェーハの裏面から押圧すればよ
いことになる。そして、最大たわみ量は（２）式から、
ウェーハの半径ａの４乗に比例するので、シリコンウェ
ーハの大口径化（φ３００〜φ４００ｍｍ）に伴い、た
わみ量が増大する事は明白であり、自重たわみ補正はま
すます必要になる。
７×１０-3［ｍ］、直径φ＝０．２（ａ＝０．１）
［ｍ］、密度ρｓ＝２．３２８×１０3 、ポアソン比ν
＝０．４４、重力加速度ｇ＝９．８［ｍ／ｓ2 ］ 、ヤ
ング率Ｅ＝１．９×１０11［ｋｇ／ｍ2 ］、とすると、 Ｗｍａｘ＝０．００１５９７／４３０．５５５＝３．７
μｍ となる。現状のシリコンウェーハの形状精度は１μｍ以
下が必要とされるので、前記たわみ量は明らかに形状精
度に影響することになる。（３）式に示されるように、
シリコンウェーハの自重による分布荷重は、Ｐ＝ρｓ・
ｇ・ｈであるために、このたわみを補正するには、この
圧力Ｐに相当する力でウェーハの裏面から押圧すればよ
いことになる。そして、最大たわみ量は（２）式から、
ウェーハの半径ａの４乗に比例するので、シリコンウェ
ーハの大口径化（φ３００〜φ４００ｍｍ）に伴い、た
わみ量が増大する事は明白であり、自重たわみ補正はま
すます必要になる。
【００２５】次に、各図を用いて本実施の動作を説明す
る。図３に示すように、ウェーハチャック本体１Ａのウ
ェーハ受面５Ａにウェーハ２を載置すると、ウェーハ２
の中央部は凹部１１Ａの底面１Ａｃに向かって自重でた
わむ。通路９を介して気体を吸引するとウェーハ２は吸
引保持され、さらに連通室７を介して凹部１１Ａ内に気
体１２Ａを導入すると、その気体によってウェーハ２の
中央部は上方に押され、導入される気体１２Ａの圧力と
ウェーハ２の分布荷重Ｐがバランスしたところで、ウェ
ーハ２のたわみ補正が完了し、図１の状態となる。
る。図３に示すように、ウェーハチャック本体１Ａのウ
ェーハ受面５Ａにウェーハ２を載置すると、ウェーハ２
の中央部は凹部１１Ａの底面１Ａｃに向かって自重でた
わむ。通路９を介して気体を吸引するとウェーハ２は吸
引保持され、さらに連通室７を介して凹部１１Ａ内に気
体１２Ａを導入すると、その気体によってウェーハ２の
中央部は上方に押され、導入される気体１２Ａの圧力と
ウェーハ２の分布荷重Ｐがバランスしたところで、ウェ
ーハ２のたわみ補正が完了し、図１の状態となる。
【００２６】尚、上述の実施例においては、円盤状のチ
ャック本体を用いたが、これは図５（ａ）もしくは
（ｂ）に示すように、平面方形状のチャック本体であっ
ても、平面Ｄ字状のチャック本体であってもよく、ま
た、ウェーハ２を真空吸着により保持しているが、これ
は静電的に保持するものでもよい。また、受部は図６
（ａ）、（ｂ）に示すように複数設けてもよく、気体を
吸引する溝は連続的に設けているが、これは図８に示す
ように、非連続に形成してもよい。また、本実施例で
は、たわみを補正するのに、気体を凹部に導入している
が、図７に示すように液体を含む流体であってもよいこ
とは勿論である。
ャック本体を用いたが、これは図５（ａ）もしくは
（ｂ）に示すように、平面方形状のチャック本体であっ
ても、平面Ｄ字状のチャック本体であってもよく、ま
た、ウェーハ２を真空吸着により保持しているが、これ
は静電的に保持するものでもよい。また、受部は図６
（ａ）、（ｂ）に示すように複数設けてもよく、気体を
吸引する溝は連続的に設けているが、これは図８に示す
ように、非連続に形成してもよい。また、本実施例で
は、たわみを補正するのに、気体を凹部に導入している
が、図７に示すように液体を含む流体であってもよいこ
とは勿論である。
【００２７】上述したように、本実施例は、チャック本
体１Ａにウェーハ２に対向して設けられ、該ウェーハ２
と当接する吸着面５Ａを有する受部４Ａを備え、前記ウ
ェーハ２を前記吸着面５Ａに真空吸着もしくは静電吸着
する吸着用チャック装置である。そして、前記チャック
本体１Ａが、前記ウェーハ２を吸着時に前記ウェーハ２
と非接触となる底面１Ａｃを有する凹部１１Ａと、該凹
部内１１Ａに流体を導入する流体導入手段６Ａ、７Ａと
を設け、前記凹部内１１Ａに導入された流体１２Ａによ
り、上方に押し上げられることにより、前記凹部底面１
Ａｃ側への前記ウェーハ２の自重によるたわみを補正す
る。
体１Ａにウェーハ２に対向して設けられ、該ウェーハ２
と当接する吸着面５Ａを有する受部４Ａを備え、前記ウ
ェーハ２を前記吸着面５Ａに真空吸着もしくは静電吸着
する吸着用チャック装置である。そして、前記チャック
本体１Ａが、前記ウェーハ２を吸着時に前記ウェーハ２
と非接触となる底面１Ａｃを有する凹部１１Ａと、該凹
部内１１Ａに流体を導入する流体導入手段６Ａ、７Ａと
を設け、前記凹部内１１Ａに導入された流体１２Ａによ
り、上方に押し上げられることにより、前記凹部底面１
Ａｃ側への前記ウェーハ２の自重によるたわみを補正す
る。
【００２８】よって、ウェーハ２と当接する吸着面５Ａ
を有する受部４Ａを小さくして、前記凹部１１Ａを多く
とり、ウェーハ２と受部４Ａとの接触面積を少なくする
ことにより、異物が前記ウェーハ２と受部４Ａとの間に
介在することが極めて少なくなり、ウェーハを極めて安
定で精度良く保持固定する吸着用チャック装置を提供す
ることができる。
を有する受部４Ａを小さくして、前記凹部１１Ａを多く
とり、ウェーハ２と受部４Ａとの接触面積を少なくする
ことにより、異物が前記ウェーハ２と受部４Ａとの間に
介在することが極めて少なくなり、ウェーハを極めて安
定で精度良く保持固定する吸着用チャック装置を提供す
ることができる。
【００２９】また、本実施例は、前記受部４Ａが前記チ
ャック本体１Ａの上面１Ａａに設けられ、この受部４Ａ
のウェーハ２と接触する吸着面５Ａに気体吸入手段９と
連通する溝部３Ａが設けられて、真空吸着によりウェー
ハ２を保持しているので、溝の両サイドの縁４Ａｃ、４
Ａｄで被吸着体２を支持でき、この縁は溝が存在する長
さ分だけ溝の両サイドに存在する。
ャック本体１Ａの上面１Ａａに設けられ、この受部４Ａ
のウェーハ２と接触する吸着面５Ａに気体吸入手段９と
連通する溝部３Ａが設けられて、真空吸着によりウェー
ハ２を保持しているので、溝の両サイドの縁４Ａｃ、４
Ａｄで被吸着体２を支持でき、この縁は溝が存在する長
さ分だけ溝の両サイドに存在する。
【００３０】そして、前記受部が前記チャック本体上面
に設けられ、前記受部の内周側に前記凹部を形成してい
るので、前記ウェーハが異物により影響されることな
く、さらに自重たわみを流体により補正されるので、精
度良く加工や計測等ができる。
に設けられ、前記受部の内周側に前記凹部を形成してい
るので、前記ウェーハが異物により影響されることな
く、さらに自重たわみを流体により補正されるので、精
度良く加工や計測等ができる。
【００３１】また、図６（ｂ）に示すように、前記受部
４Ａを、前記ウェーハ２の外周面近傍と当接する外周面
側受部８Ａ、８Ｂと、前記ウェーハ２の中心側と当接す
る中心側受部８Ｅ、８Ｆとで構成し、前記ウェーハ２の
たわみ量を少なくするように構成することができる。ウ
ェーハの大型化、大口径化に伴い、ウェーハの質量が増
大するために、ウェーハの保持力を増大させる必要があ
るが、このように構成することにより、外周面近傍と当
接する外周面側受部による保持力を増大させないで、中
心側受部においてもウェーハを保持させ、ウェーハの保
持位置を分散させることができ、ウェーハを安定して保
持することができる。
４Ａを、前記ウェーハ２の外周面近傍と当接する外周面
側受部８Ａ、８Ｂと、前記ウェーハ２の中心側と当接す
る中心側受部８Ｅ、８Ｆとで構成し、前記ウェーハ２の
たわみ量を少なくするように構成することができる。ウ
ェーハの大型化、大口径化に伴い、ウェーハの質量が増
大するために、ウェーハの保持力を増大させる必要があ
るが、このように構成することにより、外周面近傍と当
接する外周面側受部による保持力を増大させないで、中
心側受部においてもウェーハを保持させ、ウェーハの保
持位置を分散させることができ、ウェーハを安定して保
持することができる。
【００３２】図７は、ウェーハの自重によるたわみを液
体を充満することにより簡便に補正する実施例を開示し
た図である。チャック本体１Ｈの上面１Ｈａの受部８Ｂ
に近接して同心的に受部８Ｈを立設して、該受部８Ｈと
チェック本体１Ｈの上面中央部の底面１Ｈｃとで凹部１
１Ｈを形成し、該凹部１１Ｈに連通室１０から液体１２
Ｈを充満してウェーハ２のたわみを補正するものであ
る。
体を充満することにより簡便に補正する実施例を開示し
た図である。チャック本体１Ｈの上面１Ｈａの受部８Ｂ
に近接して同心的に受部８Ｈを立設して、該受部８Ｈと
チェック本体１Ｈの上面中央部の底面１Ｈｃとで凹部１
１Ｈを形成し、該凹部１１Ｈに連通室１０から液体１２
Ｈを充満してウェーハ２のたわみを補正するものであ
る。
【００３３】以上、詳述したように、本実施例は、チャ
ック本体が、ウェーハと当接する吸着面を有する受部を
小さくして前記ウェーハと受部との接触面積を少なくす
ることにより、異物がウェーハと受部との間に介在する
ことが極めて少なくなるのに加え、ウェーハを吸着時に
ウェーハと非接触となる凹部に導入された流体により、
前記凹部の底面側へのウェーハの自重によるたわみの補
正を行っているので、ウェーハを安定して、なおかつ、
形状精度を悪化させることなく固定保持することがで
き、これらの結果として、ウェーハ表面の高精度におけ
る加工や計測等を実施することができる吸着用チャック
装置を提供することができる。
ック本体が、ウェーハと当接する吸着面を有する受部を
小さくして前記ウェーハと受部との接触面積を少なくす
ることにより、異物がウェーハと受部との間に介在する
ことが極めて少なくなるのに加え、ウェーハを吸着時に
ウェーハと非接触となる凹部に導入された流体により、
前記凹部の底面側へのウェーハの自重によるたわみの補
正を行っているので、ウェーハを安定して、なおかつ、
形状精度を悪化させることなく固定保持することがで
き、これらの結果として、ウェーハ表面の高精度におけ
る加工や計測等を実施することができる吸着用チャック
装置を提供することができる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、接触面
積率を大幅に低減しているので、異物がウェーハと受部
との間に介在することが極めて少なくなるのに加え、流
体によりウェーハの自重によるたわみを補正しているの
で、ウェーハを精度良く安定して保持することが可能で
あり、この結果より、ウェーハ表面に対する高精度加工
や高精度計測等の実施を可能とするような、極めて安定
で精度悪化を生じさせない吸着用チャック装置を提供す
ることができる。
積率を大幅に低減しているので、異物がウェーハと受部
との間に介在することが極めて少なくなるのに加え、流
体によりウェーハの自重によるたわみを補正しているの
で、ウェーハを精度良く安定して保持することが可能で
あり、この結果より、ウェーハ表面に対する高精度加工
や高精度計測等の実施を可能とするような、極めて安定
で精度悪化を生じさせない吸着用チャック装置を提供す
ることができる。
【図１】本発明に係る吸着用チャック装置の一実施例を
示す図である。
示す図である。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視図である。
【図３】本発明に係る吸着用チャック装置におけるウェ
ーハがたわんだ状態を示す説明図である。
ーハがたわんだ状態を示す説明図である。
【図４】ウェーハのたわみ量Ｗを説明する説明図であ
る。
る。
【図５（ａ）】他の応用例である平面方形状のチャック
本体を示す図である。
本体を示す図である。
【図５（ｂ）】他の応用例である平面Ｄ字状のチャック
本体を示す図である。
本体を示す図である。
【図５（ｃ）】他の応用例である平面円形状であって静
電チャック本体を示す図である。
電チャック本体を示す図である。
【図６（ａ）】中央部にやや広い被接触空間を有するチ
ャック本体を示す図である。
ャック本体を示す図である。
【図６（ｂ）】中央部に狭い被接触空間を有するチャッ
ク本体を示す図である。
ク本体を示す図である。
【図７】中央部の空間に液体を充満させたチャック本体
を示す図である。
を示す図である。
【図８】非連続な溝部を形成したチャック本体を示す図
である。
である。
【図９】複数溝式チャックの従来例を示す図である。
【図１０】多数孔式チャックの従来例を示す図である。
１ ウェーハチャック本体（１Ａ〜１
Ｈ、１Ｊ） ２ 被吸着体（シリコンウェーハ） ３ 溝（３Ａ〜３Ｃ） ４ ウェーハ受部（４Ａ、４Ｂ） ５ ウェーハ受面（５Ａ〜５Ｄ） ７ 連通室（７Ａ〜７Ｃ） １１ 凹部（１１Ａ〜１１Ｈ）
Ｈ、１Ｊ） ２ 被吸着体（シリコンウェーハ） ３ 溝（３Ａ〜３Ｃ） ４ ウェーハ受部（４Ａ、４Ｂ） ５ ウェーハ受面（５Ａ〜５Ｄ） ７ 連通室（７Ａ〜７Ｃ） １１ 凹部（１１Ａ〜１１Ｈ）
Claims (4)
- 【請求項１】 上面に吸着面を有する受部をチャック本
体に設け、薄い被吸着体を前記吸着面に吸着保持する吸
着用チャック装置において、 前記受部間に前記被吸着体を吸着時に前記被吸着体と非
接触となる底部を有する凹部と、 該凹部内に流体を導入する流体導入手段とを備え、 前記凹部内に導入された流体により、前記底面側への前
記被吸着体の自重によるたわみを補正することを特徴と
する吸着用チャック装置。 - 【請求項２】 前記受部を、前記チャック本体上面に、
一条の壁状（連続もしくは非連続）として立設し、前記
吸着面に気体吸入手段と連通する溝部を設けるととも
に、前記受部の内周側に前記凹部を形成し、前記被吸着
体を真空吸着することを特徴とする請求項１記載の吸着
用チャック装置。 - 【請求項３】 前記受部を、前記被吸着体の外周面近傍
と当接する外周面側受部と、前記被吸着体の中心側と当
接する中心側受部とで構成し、前記被吸着体の保持位置
を分散させて前記被吸着体を保持することを特徴とする
請求項１記載の吸着用チャック装置。 - 【請求項４】 前記凹部に液体を充満して、浮力、圧
力、表面張力により前記被吸着体のたわみを補正するこ
とを特徴とする請求項１記載の吸着用チャック装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8097499A JPH09266242A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 吸着用チャック装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8097499A JPH09266242A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 吸着用チャック装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09266242A true JPH09266242A (ja) | 1997-10-07 |
Family
ID=14193966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8097499A Pending JPH09266242A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 吸着用チャック装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09266242A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004507101A (ja) * | 2000-08-22 | 2004-03-04 | エーディーイー コーポレーション | ２００と３００ｍｍのウェーハを固定するリングチャック |
| JP2006114640A (ja) * | 2004-10-14 | 2006-04-27 | Lintec Corp | 非接触型吸着保持装置 |
| JP2006351572A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Toppan Printing Co Ltd | ウェハの真空吸着冶具 |
| JP2008034710A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハへの粘着テープ貼付け方法および半導体ウエハからの保護テープ剥離方法 |
| JP2008034709A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハへの粘着テープ貼付け方法および半導体ウエハからの保護テープ剥離方法 |
| KR100858180B1 (ko) * | 2002-03-19 | 2008-09-10 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 접합 기판 제조 장치 |
| JP2008305951A (ja) * | 2007-06-07 | 2008-12-18 | Lintec Corp | 物品の固定ジグ |
| WO2009060912A1 (ja) * | 2007-11-08 | 2009-05-14 | Sumco Corporation | エピタキシャル膜成長方法、ウェーハ支持構造およびサセプタ |
| JP2010118426A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保持テーブルおよび加工装置 |
| JP2012164839A (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Lintec Corp | 板状部材の支持装置及び支持方法、並びに、シート剥離装置及び剥離方法 |
| KR20140095811A (ko) * | 2013-01-25 | 2014-08-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 지지 장치 |
| JP2015041640A (ja) * | 2013-08-20 | 2015-03-02 | Ｔｏｗａ株式会社 | 基板の搬送供給方法及び基板の搬送供給装置 |
-
1996
- 1996-03-27 JP JP8097499A patent/JPH09266242A/ja active Pending
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004507101A (ja) * | 2000-08-22 | 2004-03-04 | エーディーイー コーポレーション | ２００と３００ｍｍのウェーハを固定するリングチャック |
| JP4875824B2 (ja) * | 2000-08-22 | 2012-02-15 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | ２００と３００ｍｍのウェーハを固定するリングチャック |
| KR100858180B1 (ko) * | 2002-03-19 | 2008-09-10 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 접합 기판 제조 장치 |
| US7963308B2 (en) | 2002-03-19 | 2011-06-21 | Fujitsu Limited | Apparatus and method for fabricating bonded substrate |
| US8268113B2 (en) | 2002-03-19 | 2012-09-18 | Fujitsu Limited | Apparatus and method for fabricating bonded substrate |
| US7704348B2 (en) | 2002-03-19 | 2010-04-27 | Fujitsu Limited | Apparatus and method for fabricating bonded substrate |
| US7597774B2 (en) | 2002-03-19 | 2009-10-06 | Fujitsu Limited | Apparatus and method for fabricating bonded substrate |
| JP2006114640A (ja) * | 2004-10-14 | 2006-04-27 | Lintec Corp | 非接触型吸着保持装置 |
| JP4541824B2 (ja) * | 2004-10-14 | 2010-09-08 | リンテック株式会社 | 非接触型吸着保持装置 |
| JP2006351572A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Toppan Printing Co Ltd | ウェハの真空吸着冶具 |
| JP2008034709A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハへの粘着テープ貼付け方法および半導体ウエハからの保護テープ剥離方法 |
| JP4641984B2 (ja) * | 2006-07-31 | 2011-03-02 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハへの粘着テープ貼付け方法および半導体ウエハからの保護テープ剥離方法 |
| JP2008034710A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハへの粘着テープ貼付け方法および半導体ウエハからの保護テープ剥離方法 |
| JP4711904B2 (ja) * | 2006-07-31 | 2011-06-29 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハへの粘着テープ貼付け方法および半導体ウエハからの保護テープ剥離方法 |
| KR101280670B1 (ko) * | 2006-07-31 | 2013-07-01 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 반도체 웨이퍼로의 점착 테이프 부착 방법 및 반도체웨이퍼로부터의 보호 테이프 박리 방법 및 이들을 이용한장치 |
| KR101312908B1 (ko) * | 2006-07-31 | 2013-09-30 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 반도체 웨이퍼로의 점착 테이프 부착 방법 및 반도체웨이퍼로부터의 보호 테이프 박리 방법 및 이들을 이용한장치 |
| JP2008305951A (ja) * | 2007-06-07 | 2008-12-18 | Lintec Corp | 物品の固定ジグ |
| WO2009060912A1 (ja) * | 2007-11-08 | 2009-05-14 | Sumco Corporation | エピタキシャル膜成長方法、ウェーハ支持構造およびサセプタ |
| US8324063B2 (en) | 2007-11-08 | 2012-12-04 | Sumco Corporation | Epitaxial film growing method, wafer supporting structure and susceptor |
| JP2010118426A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保持テーブルおよび加工装置 |
| JP2012164839A (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Lintec Corp | 板状部材の支持装置及び支持方法、並びに、シート剥離装置及び剥離方法 |
| KR20140095811A (ko) * | 2013-01-25 | 2014-08-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 지지 장치 |
| JP2015041640A (ja) * | 2013-08-20 | 2015-03-02 | Ｔｏｗａ株式会社 | 基板の搬送供給方法及び基板の搬送供給装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09266242A (ja) | 吸着用チャック装置 | |
| JP3401637B2 (ja) | 平板状基板を無接触支持するための工具 | |
| TWI309447B (ja) | ||
| CN111566782B (zh) | 基板处理装置和基板处理方法 | |
| JPH09205128A (ja) | 半導体ウェハ移送ロボット用アーム | |
| KR20190035570A (ko) | 웨이퍼 지지 시스템, 웨이퍼 지지 장치, 웨이퍼 및 웨이퍼 지지 장치와 마스크 얼라이너를 포함하는 시스템 | |
| JPH07136885A (ja) | 真空チャック | |
| JPH01214042A (ja) | 基板の吸着装置 | |
| JPH0547899A (ja) | ウエハー搬送用アーム | |
| WO2013058094A1 (ja) | ワーク保持装置 | |
| JPH03270048A (ja) | 真空チャック | |
| JP2613035B2 (ja) | 基板吸着固定装置 | |
| JPH0831514B2 (ja) | 基板の吸着装置 | |
| JPH10279070A (ja) | 基板搬送用フィンガ | |
| JP2750554B2 (ja) | 真空吸着装置 | |
| JPH0116011B2 (ja) | ||
| JP2003168717A (ja) | ウェハ搬送フォーク | |
| JPH05235151A (ja) | 基板保持盤 | |
| JP2862632B2 (ja) | 基板の縦型搬送装置 | |
| JP2020113574A (ja) | ウエハ搬送用トレイ | |
| JPH0253558A (ja) | 吸着治具 | |
| JPH0414239A (ja) | 真空吸着式ウエハ保持装置 | |
| JP2001077454A (ja) | 半導体製造装置及び製造方法 | |
| US20230352335A1 (en) | Transport hand and ring transport system using the same | |
| JPS63111633A (ja) | チップボンディング装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20041116 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20041124 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20050112 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20050208 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050221 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090311 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090311 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100311 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100311 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110311 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110311 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120311 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120311 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130311 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140311 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |