KR20190035570A - 웨이퍼 지지 시스템, 웨이퍼 지지 장치, 웨이퍼 및 웨이퍼 지지 장치와 마스크 얼라이너를 포함하는 시스템 - Google Patents

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KR20190035570A
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dicing frame
wafer support
top plate
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야스아키 아마노
스벤 한센
렌너트 쉬바르트
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수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하
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Abstract

웨이퍼 지지 시스템은 웨이퍼 지지 장치(16) 및 다이싱 프레임(14)을 가지며, 상기 웨이퍼 지지 장치(16)는 하부 플레이트(26) 및 상부 플레이트(28)를 갖는다. 상부 플레이트(28)는 웨이퍼(12)를 지지하기 위한 지지 표면(34)을 포함하며, 하부 플레이트(26)는 상부 플레이트(28)의 최대 직경(dt) 보다 더 큰 최대 직경(db)을 가져서 하부 플레이트(26)는 다이싱 프레임(14)을 위한 저장소(32)를 포함한다. 다이싱 프레임(14)은 중심 구멍(20)을 규정하는 플레이트 형상을 가지며, 중심 구멍(20)의 최소 직경(dh)은 상부 플레이트(28)의 최대 직경(dt) 보다 더 커서, 다이싱 프레임(14)은 지지 표면(34) 및/또는 웨이퍼(12)의 상부 표면 아래로 하강한다.
또한, 웨이퍼 지지 장치(16), 웨이퍼 지지 시스템(18) 및 마스크 얼라이너가 제공된다.

Description

웨이퍼 지지 시스템, 웨이퍼 지지 장치, 웨이퍼 및 웨이퍼 지지 장치와 마스크 얼라이너를 포함하는 시스템{WAFER SUPPORT SYSTEM, WAFER SUPPORT DEVICE, SYSTEM COMPRISING A WAFER AND A WAFER SUPPORT DEVICE AS WELL AS MASK ALIGNER}
본 발명은 웨이퍼 지지 시스템, 웨이퍼 지지 장치, 웨이퍼 및 웨이퍼 지지 장치 뿐만 아니라 마스크 홀더 및 웨이퍼 지지 시스템을 포함하는 마스크 얼라이너를 포함하는 시스템에 관한 것이다.
반도체 소자 등의 마이크로 및 나노 가공 동안, 웨이퍼와 같은 매우 얇은 기판이 사용된다. 얇은 기판을 취급하고 다이싱하기 위해 다이싱 프레임 및 다이싱 테이프를 사용하는 것이 알려져 있다.
다이싱 프레임은 중심 구멍이 있는 단단하고 판 모양의 구조이다. 기판 또는 웨이퍼는 중심 구멍의 적어도 일부를 가로 질러, 바람직하게는 전체 중심 구멍을 가로 질러 걸쳐있는 다이싱 테이프의 층을 사용하여 중심 구멍 내에 고정된다.
일반적으로, 다이싱 프레임 자체의 두께는 기판의 두께보다 적어도 한자리수 만큼 더 크다. 예를 들어, 웨이퍼의 두께는 25 내지 100 μm이고 프레임의 두께는 1 내지 2 mm이다.
이러한 두께의 차이는 기판의 처리 동안, 특히 마스크 얼라이너에서, 예를 들어 그림자 이미징(shadow imaging)에서 마스크와 기판 사이의 작은 또는 아무런 갭도 가능하지 않은 문제를 야기한다. 일반적으로 척에 의해 지지되는 기판 또는 웨이퍼에 마스크가 접근할 때, 마스크는 갭이 충분히 작기전에, 즉 갭의 원하는 크기가 달성되기 전에 다이싱 프레임과 접촉하게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은, 웨이퍼 지지 시스템, 웨이퍼 지지 장치, 웨이퍼 및 웨이퍼 지지 장치를 포함하는 시스템, 및 기판이 다이싱 프레임에 장착되는 경우라도 마스크와 기판 사이의 간극을 작게 또는 없게 하는 마스크 얼라이너를 제공하는 것이다.
이를 위해, 웨이퍼 지지 장치 및 다이싱 프레임을 포함하는, 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지 시스템이 제공되며, 상기 웨이퍼 지지 장치는 서로 동심원 상으로 배치된 하부 플레이트 및 상부 플레이트를 포함하며, 상기 상부 플레이트는 상기 상부 플레이트의 상기 하부 플레이트로부터 먼쪽으로 면하는 표면인, 상기 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 표면을 포함한다. 하부 플레이트는 상부 플레이트의 최대 직경보다 큰 최대 직경을 가지므로, 하부 플레이트는 다이싱 프레임을 위한 저장소를 형성하는 견부를 상부 플레이트 주위에 포함한다. 다이싱 프레임은 중심 구멍을 규정하는 판 형상을 갖고, 중심 구멍의 최소 직경은 상부 플레이트의 최대 직경보다 크며, 상부 플레이트는 다이싱 프레임의 중심 구멍을 통해 연장될 수 있어서 상기 다이싱 프레임이 상기 저장소에 놓이도록 하는 형상을 가지며, 웨이퍼가 상기 다이싱 프레임 내에 장착되고 상기 웨이퍼 지지 장치의 상부에 놓이는 경우에 상기 다이싱 프레임의 최고점은 수직 방향으로 지지 표면 및/또는 웨이퍼의 상부 표면 아래에 놓인다. 따라서 시스템의 최고점은 처리 단계, 특히 마스크가 웨이퍼의 상부 표면에 근접하거나 접촉해야하는 노광 단계를 허용하는 웨이퍼의 표면이다.
특히, 다이싱 프레임의 최고점은 웨이퍼의 상부 표면의 평면 아래에 놓인다.
다이싱 프레임의 최대 직경은 하부 플레이트의 최대 직경보다 클 수 있다.
다이싱 프레임이 상부 플레이트와 접촉하지 않고 하부 플레이트쪽으로 떨어질 수 있도록 웨이퍼가 상부 플레이트와 동심으로 상부 플레이트 상에 배치된다.
본 발명의 목적은 서로 동심원 상으로 배치되는 하부 플레이트 및 상부 플레이트를 포함하는, 다이싱 프레임 내에 장착되는 웨이퍼를 지지하기 위한 웨이퍼 지지 장치에 의해 달성되는데, 여기서 상기 상부 플레이트는 상기 하부 플레이트로부터 먼쪽으로 면하는 상기 상부 플레이트의 표면인, 상기 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 표면을 포함한다. 상기 하부 플레이트는 상부 플레이트의 최대 직경보다 큰 최대 직경을 가지므로, 상기 하부 플레이트는 다이싱 프레임을 위한 저장소를 형성하는 견부를 상부 플레이트 주위에 포함하여, 상기 다이싱 프레임은 상기 저장소 내에 놓이며, 웨이퍼가 상기 다이싱 프레임 내에 장착되고 웨이퍼 지지 장치의 상부에 놓이는 경우에 상기 다이싱 프레임의 최고점은 수직 방향으로 지지 표면 및/또는 웨이퍼의 상부 표면 아래에 놓인다. 웨이퍼 지지 장치는 척(chuck)일 수 있다. 다이싱 프레임에 대해 견부 및 저장소를 제공함에 의해, 다이싱 프레임은 웨이퍼 아래로 완전히 하강할 수 있으며, 보다 정확하게는 수직 방향으로 웨이퍼의 상부 표면 아래로 하강할 수 있다.
본 발명은 또한 웨이퍼와 서로에 대해 동심원 상으로 배치되는 하부 플레이트 및 상부 플레이트를 갖는 웨이퍼 지지 장치를 포함하는 시스템에 관한 것으로, 상기 상부 플레이트는 상기 하부 플레이트로부터 먼쪽으로 면하는 상기 상부 플레이트의 표면인, 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 표면을 포함하며, 상기 지지 표면은 웨이퍼와 동일한 치수를 갖는다. 하부 플레이트는 상부 플레이트의 최대 직경 보다 더 큰 최대 직경을 가져서, 하부 플레이트는 다이싱 프레임을 위한 저장소를 형성하는 견부를 상부 플레이트 주위에 포함하여, 다이싱 프레임은 저장소 내에 놓이며, 다이싱 프레임의 최고점은 웨이퍼가 다이싱 프레임 내에 장착되고 웨이퍼 지지 장치의 상부에 놓이는 경우에 수직 방향으로 지지 표면 및/또는 웨이퍼의 상부 표면 아래에 놓인다.
바람직하게는, 지지 표면은 웨이퍼와 동일한 치수를 갖는다. 예를 들면, 200mm 척에 대해, 상부 플레이트의 직경은 또한 200mm 이다.
또한, 본 발명은 다이싱 프레임, 다이싱 프레임 내에 장착된 웨이퍼 및 웨이퍼 지지 장치를 포함하는 시스템에 관한 것으로, 웨이퍼 지지 장치는 서로 동심원 상으로 배치된 하부 플레이트 및 상부 플레이트를 갖는다. 상부 플레이트는 하부 플레이트로부터 먼쪽으로 면하는 상부 플레이트의 표면인, 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 표면을 포함하며, 지지 표면은 웨이퍼와 동일한 치수를 갖는다. 하부 플레이트는 상부 플레이트의 최대 직경 보다 큰 최대 직경을 가져서, 하부 플레이트는 다이싱 프레임을 위한 저장소를 형성하는 견부를 상부 플레이트 주위에 포함한다. 다이싱 프레임은 중심 구멍을 규정하는 플레이트 형상을 가지며, 다이싱 프레임은 지지 표 면 위에 위치되며, 중심 구멍의 최소 직경은 상부 플레이트의 최대 직경 보다 더 크다. 웨이퍼는 지지 표면에 위치되며, 다이싱 테이프를 이용하여 다이싱 프레임 내에 장착되며, 상부 플레이트는 다이싱 프레임의 중심 구멍을 통해 연장하여, 다이싱 프레임은 저장소 내에 놓이고, 여기서 다이싱 프레임의 최고점은 웨이퍼가 다이싱 프레임 내에 장착되고 웨이퍼 지지 장치의 상부에 놓이는 경우에 수직 방향으로 지지 표면 및/또는 웨이퍼의 상부 표면 아래에 놓인다.
특히, 하부 플레이트 및 상부 플레이트는 서로에 대해 부착될 수 있다. 따라서, 하부 플레이트 및 상부 플레이트는 서로 부착되었던 개별 요소들일 수 있다.
하부 플레이트 및/또는 상부 플레이트는 평면일 수 있다.
예를 들면, 하부 플레이트의 최대 직경은 안정적이며 충분한 크기의 저장소를 제공하기 위하여 상부 플레이트의 최대 직경의 적어도 1.3배 이다.
본 발명의 실시예에서, 지지 표면에는 적어도 하나의 외부 진공 영역 및 적어도 하나의 내부 진공 영역이 구비되며, 적어도 하나의 외부 진공 영역 및 적어도 하나의 내부 진공 영역은 서로 유체적으로 분리되며, 적어도 하나의 외부 진공 영역은 지지 표면의 외부 에지에 위치된다. 진공 영역은 홈, 다공성 표면 또는 다른 흡입 수단을 포함할 수 있다. 외부 및 내부 진공 영역을 제공함에 의해, 기판이 가운데서 굽혀지는 것을 방지하면서도 웨이퍼를 기판에 견고하게 고정시키는 것이 가능하다. 이는 장착 동안에는 두 진공 영역들을 작동시키고 웨이퍼가 기판 표면에 견고하게 고정된다면 내부 진공 영역을 작동 중단함에 의해 달성될 수 있다.
예를 들면, 적어도 하나의 외부 진공 영역은 주변부의 적어도 3/4를 따라, 특히 상부 플레이트의 전체 주변부를 따라 연장된다. 이러한 방식으로, 외부 진공 영역만이 작동되는 경우라도 웨이퍼의 견고한 고정이 보장될 수 있다.
방사 방향에서, 굽힘을 최소로 감소시키기 위하여 하나의 외부 진공 영역만이 제공될 수 있다.
바람직하게는, 웨이퍼 지지 장치는 적어도 하나의 외부 진공 영역 및 적어도 하나의 내부 진공 영역에 각각 유체적으로 연결되고, 각각이 제1 진공 포트 및 제2 진공 포트에서 끝나는 제1 공급관 및 제2 공급관을 포함한다. 제1 공급관 및 제2 공급관은 상부 플레이트 및 하부 플레이트를 통해 연장된다. 그러므로, 간결하고 신뢰할만한 수단으로 진공 영역에 진공이 가해질 수 있다.
공급관은 하부플레이트에서 방사상 외부로, 특히 반대 방향으로 및 하부 플레이트의 주변부를 향하여 연장될 수 있다.
예를 들면, 제1 진공 포트 및 제2 진공 포트는 하부 플레이트의 주변부에 제공되며, 제1 공급관 및 제2 공급관은 각각 제1 진공 포트 및 제2 진공 포트에서 끝난다.
방사 방향으로 연장하는 스파인에 의해 상호 연결된 동심원을 형성하는 수개의 내부 진공 영역들이 제공되어 웨이퍼를 웨이퍼 지지체에 견고하게 고정시킬 수 있다.
다른 실시예에서, 상부 플레이트는 투명 재료로 만들어지고, 하부 플레이트는 불투명 재료로 만들어지며, 하부 플레이트는 상부 플레이트에 의해 덮히는 영연에 적어도 하나의 컷아웃(cut-out)을 갖는다. 바람직하게는, 하부 플레이트는 후면 정렬을 위한 2개의 대향 컷아웃을 갖는다. 컷아웃 및 투명 재료의 이용은 웨이퍼의 광학 정렬에 이용될 수 있는 웨이퍼의 하부측 상의 정렬 마크의 이용을 가능하게 한다.
장수명 및 실무율을 달성하기 위하여, 상부 플레이트는 유리로 만들어지고 및/또는 하부 플레이트는 플라스틱 또는 금속, 특히 강 또는 알루미늄으로 만들어진다.
2개의 컷아웃이 제공될 수 있으며, 이는 웨이퍼의 상이한 정렬 위치들을 가능하게 하기 위하여 상부 플레이트에 대해 서로 직경 방향으로 대향하여 위치된다.
다이싱 프레임의 진동 또는 원치 않은 움직임을 방지하기 위하여, 웨이퍼 지지 장치는 다이싱 프레임을 정렬 및/또는 지지하기 위하여 상부 플레이트와 동일한 측면 상의 하부 플레이트의 견부로부터 연장하는 적어도 하나의 돌출부를 포함한다.
돌출부는 다이싱 프레임을 견부에 고정하기 위한 자기 요소일 수 있다.
기판을 스테이지에 사전 조정하는 것은 다이싱 프레임의 외부 주변부에 제공될 수 있는 노치(notch)를 통해 수행될 수 있다.
본 발명은 본 발명에 따른 웨이퍼 지지 시스템 및 마스크 홀더를 포함하는, 마스크와 웨이퍼를 정렬하기 위한 마스크 얼라이너를 제공한다.
상술한 것처럼, 마스크 얼라이너는 마스크와 웨이퍼 사이에 작은 갭으로 또는 전혀 갭이 없이 기판 또는 그 위의 코팅을 노출하도록 다이싱 프레임에 장착된 웨이퍼를 처리하기 위하여 이용될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 근접 스페이서 및 액추에이터가 마스크 홀더에 제공된다. 액추에이터는 근접 스페이서를 활성 위치와 비활성 위치 사이에서 이동시키도록 구성되며, 근접 스페이서는 비활성 위치에서 다이싱 프레임의 영역의 방사상 외부에 위치된다. 그러므로, 마스크 얼라이너는 특정 과제를 위해 근접 스페이서가 필요하지 않더라도 이용될 수 있다.
본 발명의 다른 특징 및 이점은 이하의 실시예 및 첨부된 도면으로부터 명백해질 것이다. 도면에서:
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 지지 시스템 및 본 발명에 따른 웨이퍼 지지 장치를 갖는 본 발명에 따른 시스템의 축 I-I를 따른 개략적 단면도를 도시한다.
도 2는 도 1에 따른 시스템의 상면도를 도시한다.
도 3은 도 2의 상면도이 확대도의 일부를 도시한다.
도 4는 도 2의 축 IV-IV를 따른 도 1의 시스템의 단면도를 도시한다.
도 5는 웨이퍼 지지 시스템의 제2 실시예 및 웨이퍼 지지 장치의 제2 실시예를 갖는 본 발명에 따른 시스템의 제2 실시예를 개략적으로 도시한다.
도 6은 도 5에 따른 웨이퍼 지지 시스템을 갖는 본 발명에 따른 마스크 얼라이너를 개략적으로 도시한다.
도 7은 상이한 위치에 있는 근접 스페이서를 갖는 도 6의 마스크 얼라이너를 도시한다.
도 1 및 도 2는 웨이퍼(12)를 지지하는 시스템(10)을 도시한다. 도 2에서, 웨이퍼(12) 및 다이싱 테이프는 단순화를 위해 도시하지 않는다.
웨이퍼(12)는 실리콘으로 만들어진 얇은 웨이퍼일 수 있다. 그러나, 설명된 발명의 측면에서, 용어 "웨이퍼"는 또한 유리, III-V 재료, 사파이어 등과 같은 다른 기판을 포함할 수 있다.
웨이퍼(12)는 125 mm, 150 mm, 200 mm 또는 300 mm의 직경(dw)를 갖는 표준 크기를 가질 수 있다.
시스템(10)은 웨이퍼(12), 다이싱 프레임(14) 및 웨이퍼 지지 장치(16)를 포함한다. 다이싱 프레임(14) 및 웨이퍼 지지 장치(16)는 웨이퍼 지지 시스템(18)으로 보여질 수 있다.
명료성을 위해, 웨이퍼 지지 장치(16)는 웨이퍼(12) 및 다이싱 프레임(14)으로부터 분리되어 도시되어 있다.
다이싱 프레임(14)은 도 2에서 볼 수 있는 바와 같이 중심 구멍(20)을 둘러싸는 플레이트 형상의 강성 구조이다.
다이싱 프레임(14)의 두께는 웨이퍼(12)의 두께보다 한자리수 만큼 더 클 수 있다.
도시된 실시예에서, 중심 구멍(20)은 원형 형상을 가지며, 이 경우에는 중심 구멍(20)의 최소 직경(dh)이기도 한 직경값을 갖는다.
예를 들어, 다이싱 프레임(14)의 외형은 원형은 아니지만 최대 직경(dF,max) 및 최소 직경(dF,min)을 갖는다.
다이싱 프레임(14)은 그 외주에 적어도 하나의 노치(22)를 더 포함한다.
웨이퍼(12)는 다이싱 테이프(24)를 사용하여 다이싱 프레임(14)의 중심 구멍(20)에 장착된다.
다이싱 테이프(24)는 시트 형상이고 다이싱 프레임(14)의 하부 측에 고정된다. 다이싱 테이프는 중심 구멍(20)의 전체 또는 일부를 가로 질러 연장된다. 다이싱 테이프(24)는 가요성이며 탄성적일 수 있다.
웨이퍼(12)는 하부측이 중심 구멍(20) 내에서 다이싱 테이프(24) 상에 배치된다. 이러한 방식으로, 웨이퍼(12)는 다이싱 프레임(14)에 장착된다.
웨이퍼 지지 장치(16)는 서로 부착된 하부 플레이트(26) 및 상부 플레이트(28)를 갖는다.
웨이퍼 지지 장치(16)는 예를 들어 하부 플레이트(26)를 통해 웨지 에러 보상 헤드(도시되지 않음) 상에 장착될 수 있는 척(chuck)일 수있다.
상부 플레이트(28)는 하부 플레이트(26)의 상부 표면에 부착된다.
웨이퍼(12) 및 전체 시스템(10)의 지정된 장착 위치를 참조하여, "상부", "하부" 등과 같은 방향 용어가 사용된다. 따라서, 상향 방향은 중력 방향과 반대 방향으로 연장된다.
도시된 실시예에서, 상부 플레이트(28) 및 하부 플레이트(26)는 원형 형상을 갖고 서로 동심원 상에 있다. 물론, 하부 플레이트(26) 및 상부 플레이트(28)는 임의의 다른 형상을 가질 수도 있다.
상부 플레이트(28)의 형상은 웨이퍼(12)의 형상과 정확히 일치하는데, 이는 상부 플레이트(28)의 직경(dt)과 웨이퍼(12)의 직경(dw)이 동일함을 의미한다.
또한, 상부 플레이트(28)의 직경(dt)은 중심 구멍(20)의 최소 직경(dh)보다 작아서 상부 플레이트(28)가 중심 구멍(20)을 통해 끼워질 수 있다.
하부 플레이트(26)와 비교하여, 상부 플레이트(28)의 최대 직경(dt)은 하부 플레이트(26)의 최대 직경(db)보다 작다. 하부 플레이트(26)의 최대 직경(db)은 예를 들어, 상부 플레이트(28)의 최대 직경(dt)의 적어도 1.3 배이다.
즉, 하부 플레이트(26)는 상부 플레이트(28) 보다 크다. 따라서, 하부 플레이트(26)는 상부 플레이트(28)보다 방사 방향으로 더 연장된다. 상부 플레이트(28)보다 더 연장되는 하부 플레이트(26)의 구역은 상부 플레이트(28) 주위로 견부(30)를 형성한다. 견부(30)는 다이싱 프레임(14)을 위한 저장소(32)이다.
상부 플레이트(28)는 하부 플레이트(26)로부터 먼쪽으로 면하는 상부 표면을 갖는다. 이 표면은 웨이퍼(12)에 대한 지지 표면(34)이다. 지지 표면(34)은 도 3에 확대하여 도시되어 있다.
지지 표면(34)은 웨이퍼(12)를 흡착을 통해 웨이퍼 지지 장치(16)에 고정시키기 위해 웨이퍼(12) 아래에 낮은 압력을 생성하는 진공 수단을 포함한다.
이 목적을 위해, 지지 표면(34)은 지지 표면(34)의 방사 방향에 대해 내부 진공 영역(36) 및 외부 진공 영역(38)을 갖는다.
도 3에서, 내부 진공 영역(36) 및 외부 진공 영역(38)은 파선 처리된 원으로 범위가 정해져 있다.
진공 영역(36, 38)은 지지 표면(34)에서 진공 홈(40)에 의해 제공될 수 있다.
진공 영역(36, 38)은 지지 표면(34)의 다공성 표면의 섹션 또는 다른 흡입 장치에 의해 제공될 수도 있다.
도시된 실시예에서, 외부 진공 영역(38)은 내부 진공 영역(36)을 완전히 둘러싸고, 진공 영역(36, 38)은 서로 유체적으로 분리되어있다.
외부 진공 영역(38)은 지지 표면의 외부 에지를 포함하고, 상부 플레이트(28)의 전체 주변을 따라 연장된다.
또한, 방사 방향으로, 외측 진공 영역(38)에 하나의 진공 홈(40)만이 제공된다.
내부 진공 영역(36)은 동심원을 형성하는 수개의 내부 진공 홈(40)을 가지며, 이 동심원들은 방사형 스파인(radial spines)을 형성하는 다른 진공 홈(40)에 의해 상호 연결된다.
진공이 진공 영역(36, 38)에 제공된다, 즉 제1 공급관(42) 및 제2 공급관(44)을 통해 진공 영역(36, 38)으로부터 공기가 흡출된다. 제1 공급관(42) 및 제2 공급관(44)은 각각이 외부 진공 영역(38) 및 내부 진공 영역(36)에 각각 유체적으로 연결된다.
도시된 실시예에서, 공급관(42, 44)은 상부 플레이트(28)를 통과해서 하부 플레이트(26)로 연장된다.
하부 플레이트(26)에서, 공급관(42, 44)은 반대 방향으로 방사상 외부로 또한 하부 플레이트(26)의 주변부를 향하여 연장된다.
하부 플레이트(26)의 주변부에는 제1 진공 포트(46) 및 제2 진공 포트(48)가 제공되며, 여기서 제1 공급관(42) 및 제2 공급관(44)은 각각 제1 진공 포트(46) 및 제2 진공 포트(48)에서 끝난다.
진공 포트(46, 48)는 하부 플레이트(26)의 주변부에서 서로 직경 방향으로 대향 배치된다.
진공 포트(46, 48)는 튜브(50) 등을 통해 적절한 진공 소스(도시되지 않음)에 연결될 수 있다.
다른 실시예에서, 진공 포트(46, 48)는 하부 플레이트(26)의 하부 상에 배치될 수 있다. 이 경우, 하부 플레이트는 예를 들어 O-링을 통해 진공 포트(46, 48)에 연결하기 위한 호환 포트를 갖는 더 큰 스테이지 상에 장착될 수 있다.
상부 플레이트(28)는 유리와 같은 투명 재료로 제조될 수 있고, 하부 플레이트(26)는 플라스틱 또는 금속, 특히 강 또는 알루미늄과 같은 불투명 재료로 제조될 수 있다.
이 실시예에서, 하부 플레이트(26)는 도 4에 도시된 바와 같이, 하부 플레이트(26)의 전체 두께를 통해 연장되는, 상부 판(28) 아래에 2개의 컷아웃(cut-outs)을 갖는다.
컷아웃(52)은 하부 플레이트(26)의 중심에 대해 서로 직경 방향으로 정반대로 위치된다.
또한, 컷아웃(52)은 상부 플레이트(28) 아래의 상부 플레이트(28)의 에지에 가까운 섹션에 대응하는 하부 플레이트(26)의 섹션에 위치될 수 있다.
보다 정확하게는, 이 섹션은 상부 플레이트(28)의 에지로부터 상부 플레이트(28)의 직경(dt)의 약 1/4, 특히 약 1/6 만큼 방사 방향 내측으로 연장될 수 있다.
또한, 하부 플레이트(26)는 견부(30)의 상부측, 즉 상부 플레이트(28)와 동일한 측면 상에 위치된 돌출부(54)를 포함할 수 있다. 돌출부(54)는 견부(30)로부터 상향 연장된다.
도 1에 도시된 실시예에서, 돌출부(54)는 다이싱 프레임(14) 및 웨이퍼(12)가 웨이퍼 지지 시스템(18) 상에 장착될 때 다이싱 프레임(14)의 노치(22)와 결합하도록 설계된 정렬 핀(56)이다.
웨이퍼(12)를 웨이퍼 지지 시스템(18)에 장착하기 위해, 웨이퍼(12)를 갖는 다이싱 프레임(14)은 웨이퍼(12)와 상부 플레이트(28)가 서로 동심원이 되도록 웨이퍼 지지 장치(16) 위에 배치된다. 그 다음, 웨이퍼(12)는 웨이퍼 지지 장치(16)를 향해 하강된다.
다이싱 프레임(14)을 하강하는 동안, 웨이퍼(12) - 보다 정확하게 다이싱 테이프(24) - 는 상부 플레이트(28)의 지지 표면(34)과 접촉하게 된다.
두 진공 영역(36 및 38)에 진공을 가하는 것은 이 공정을 돕고 웨이퍼(12) 및 다이싱 테이프(24)를 상부 플레이트(28)에 고정시킨다.
일단 웨이퍼(12)가 지지 표면(34) 상에 고정되면, 내부 진공 영역(36)은 웨이퍼(12)의 굽힘을 피하기 위해 비활성화 될 수 있다.
다이싱 프레임(14)은 하부 플레이트(26)의 견부(30) 위에 있다.
도시된 실시예에서, 다이싱 프레임(14)의 최대 직경(dF, max)은 하부 플레이트(26)의 직경(db)보다 작아서 다이싱 프레임(14)이 견부(30)의 방사 방향 경계와 저장소(32) 내에 있도록 다이싱 프레임(14)이 견부(30)와 물리적으로 접촉할 필요는 없다.
다이싱 프레임(14)이 장착을 위한 엔드 이펙터로부터 분리되면, 다이싱 프레임(14)은 다이싱 테이프(24)에 의해서만 유지된다. 다이싱 테이프(24)는 가요성이서 다이싱 프레임(14)의 중량을 지지할 수 없다. 따라서, 다이싱 프레임(14)은 중력에 의해 하부 플레이트(26)을 향하여 하강한다.
다이싱 프레임(14)이 그렇게 낮게 하강하고, 그 최고점은 웨이퍼(12)의 상부 표면의 평면(P)(도 5) 아래에 놓인다. 따라서, 시스템(10)의 최고점이 처리 단계들, 특히 마스크가 웨이퍼(12)의 상부 표면에 근접하거나 접촉해야 하는 노광 단계들을 허용하는 웨이퍼(12)의 표면이다.
도 5는 시스템(10)의 제2 실시예를 도시한다. 시스템(10)의 제2 실시예는 도 1 내지 도 4에 도시된 제 1 실시예에 대부분 상응한다. 따라서, 차이점들만이 이하에서 설명되고 동일하거나 기능적으로 동일한 부분들은 같은 번호로 표기된다.
도 5에 도시된 시스템(10)의 제2 실시예에서, 웨이퍼 지지 장치(16)는 하나의 부품으로 제조된다. 상부 플레이트(28) 및 하부 플레이트(26)는 도시된 경우에는 불투명 재료인 동일한 재료로 제조된다.
물론, 전체 웨이퍼 지지 장치(16)를 위해 투명한 재료가 사용되는 것도 가능하다.
또한, 다이싱 프레임의 최대 직경(dF,max)은 하부 플레이트(26)의 최대 직경(db) 보다 크다. 여전히, 다이싱 프레임(14)은 하부 플레이트(26)의 견부(30) 위의 저장소(32) 내에 적어도 부분적으로 놓여있다.
또한, 돌출부(54)는 자기력에 의해 다이싱 프레임(14)을 견부(30)에 고정하는 자성 소자이다. 이러한 방식으로, 다이싱 프레임(14)의 불필요한 진동이 제거될 수 있다.
고정은 다이싱 프레임(14)과 돌출부(54) 사이의 직접 접촉에 의해 또는 접촉없이 자력을 통해서만 이루어질 수 있다.
도 6 및 도 7은 마스크 얼라이너(58)의 개략적인 단면도를 도시한다.
마스크 얼라이너(58)는 웨이퍼(12), 다이싱 프레임(14) 및 웨이퍼 지지 장치(16)를 포함하는 시스템(10) 뿐만 아니라 마스크 홀더(60) 및 마스크(62)를 포함한다.
마스크 홀더(60)는 마스크(62)에 의해 덮인 노광 개구부(64)를 갖는 강성 구조체이다. 마스크(62)는 예를 들어 진공에 의해 마스크 홀더(60)의 하부측에 고정되고 노광 개구(64)의 일부 또는 전부를 폐쇄한다 .
또한, 도시된 예의 마스크 홀더(60)는 적어도 3개의 근접 스페이서(66) 및 각각의 근접 스페이서(66)를 이동시키기 위한 적어도 3개의 액추에이터(68)를 포함한다.
근접 스페이서(66)는 예를 들어 2.000㎛의 직경을 갖는 세라믹 볼이다.
근접 스페이서(66)는 노광 개구(64)에 평행하게 연장되는 지지 아암(70)에 의해 유지된다.
지지 아암(70)은 마스크 홀더(60)에 회전 가능하게 고정된 로드(72) 상에 장착된다.
로드(72)는 근접 스페이서(66)를 활성 위치와 비활성 위치 사이에서 이동시키기 위해 액추에이터(68)에 의해 수직축에 대해 회전될 수 있다.
도 6은 다이싱 프레임(14)의 영역의 방사 방향 바깥쪽에 위치하는 비활성 위치에 있는 근접 스페이서(66)를 도시한다. 이러한 방식으로, 마스크(62)와 웨이퍼(12)가 노광을 위해 서로 접촉할 때, 근접 스페이서(66)는 다이싱 프레임(14)과 접촉하지 않는다.
도 7은 활성 위치에 있는 근접 스페이서(66)를 도시한다. 활성 위치에서, 근접 스페이서(66)는 상부 플레이트(28) 및 웨이퍼(12)의 영역 내에 방사 방향으로 놓인다.
그 다음, 마스크(62) 및 마스크 홀더(60)는 웨이퍼(12) 및 마스크(62)가 대향 측면으로부터 근접 스페이서(66)와 접촉할 때까지 하강될 수 있다. 이러한 방식으로, 소정의 갭이 마스크(62)와 웨이퍼(12) 사이에서 달성될 수 있다.
도시된 실시예의 특징은 예시적인 실시예에 도시된 것 이외의 다른 조합으로 사용될 수 있음은 물론이다. 예를 들어, 제1 실시예의 돌출부(54)는 또한 자기 요소일 수 있다.

Claims (22)

  1. 웨이퍼 지지 장치(16) 및 다이싱 프레임(14)을 포함하는, 웨이퍼(12)를 지지하는 웨이퍼 지지 시스템으로서,
    상기 웨이퍼 지지 장치(16)는 서로 동심원 상으로 배치된 하부 플레이트(26) 및 상부 플레이트(28)를 가지며,
    상기 상부 플레이트(28)는 상기 하부 플레이트(26)로부터 먼쪽으로 면하는 상기 상부 플레이트(28)의 표면인, 상기 웨이퍼(12)를 지지하기 위한 지지 표면(34)을 포함하며,
    상기 하부 플레이트(26)는 상부 플레이트(28)의 최대 직경(dt)보다 큰 최대 직경(db)을 가지므로, 상기 하부 플레이트(26)는 다이싱 프레임(14)을 위한 저장소(32)를 형성하는 견부(30)를 상부 플레이트(28) 주위에 포함하며,
    상기 다이싱 프레임(14)은 중심 구멍(20)을 규정하는 플레이트 형상을 갖고,
    상기 중심 구멍(20)의 최소 직경(dh)은 상부 플레이트(28)의 최대 직경(dt)보다 크며,
    상기 상부 플레이트(28)는 다이싱 프레임(14)의 중심 구멍(20)을 통해 연장될 수 있어서 상기 다이싱 프레임(14)이 상기 저장소(32)에 놓이도록 하는 형상을 가지며, 웨이퍼(12)가 상기 다이싱 프레임(14) 내에 장착되고 상기 웨이퍼 지지 장치(16)의 상부에 놓이는 경우에 상기 다이싱 프레임(14)의 최고점은 수직 방향으로 지지 표면(34) 및/또는 웨이퍼(12)의 상부 표면 아래에 놓이는, 웨이퍼 지지 시스템.
  2. 서로 동심원 상으로 배치되는 하부 플레이트(26) 및 상부 플레이트(28)를 포함하는, 다이싱 프레임(14) 내에 장착되는 웨이퍼(12)를 지지하기 위한 웨이퍼 지지 장치로서,
    상기 상부 플레이트(28)는 상기 하부 플레이트(26)로부터 먼쪽으로 면하는 상기 상부 플레이트(28)의 표면인, 상기 웨이퍼(12)를 지지하기 위한 지지 표면(34)을 포함하며,
    상기 하부 플레이트(26)는 상부 플레이트(28)의 최대 직경(dt)보다 큰 최대 직경(db)을 가지므로, 상기 하부 플레이트(26)는 다이싱 프레임(14)을 위한 저장소(32)를 형성하는 견부(30)를 상부 플레이트(28) 주위에 포함하여 상기 다이싱 프레임(14)은 상기 저장소(32) 내에 놓이며, 웨이퍼(12)가 상기 다이싱 프레임(14) 내에 장착되고 웨이퍼 지지 장치(16)의 상부에 놓이는 경우에 상기 다이싱 프레임(14)의 최고점은 수직 방향으로 지지 표면(34) 및/또는 웨이퍼(12)의 상부 표면 아래에 놓이는, 웨이퍼 지지 장치.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 지지 표면(34)은 상기 웨이퍼(12)와 동일한 치수를 갖는, 웨이퍼 지지 시스템.
  4. 청구항 2에 있어서, 상기 지지 표면(34)은 상기 웨이퍼(12)와 동일한 치수를 갖는, 웨이퍼 지지 장치.
  5. 청구항 1 또는 청구항 3에 있어서, 상기 하부 플레이트(26)의 최대 직경(db)은 상기 상부 플레이트(28)의 최대 직경(dt)의 적어도 1.3배인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 시스템.
  6. 청구항 2 또는 청구항 4에 있어서, 상기 하부 플레이트(26)의 최대 직경(db)은 상기 상부 플레이트(28)의 최대 직경(dt)의 적어도 1.3배인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 장치.
  7. 청구항 1 또는 청구항 3에 있어서, 상기 지지 표면(34)은 적어도 하나의 외부 진공 영역(38) 및 적어도 하나의 내부 진공 영역(36)을 구비하며, 상기 적어도 하나의 외부 진공 영역(38) 및 상기 적어도 하나의 내부 진공 영역(36)은 서로 유체적으로(fluidically) 분리되며, 상기 적어도 하나의 외부 진공 영역(38)은 상기 지지 표면(34)의 외부 에지에 위치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 시스템.
  8. 청구항 2 또는 청구항 4에 있어서, 상기 지지 표면(34)은 적어도 하나의 외부 진공 영역(38) 및 적어도 하나의 내부 진공 영역(36)을 구비하며, 상기 적어도 하나의 외부 진공 영역(38) 및 상기 적어도 하나의 내부 진공 영역(36)은 서로 유체적으로 분리되며, 상기 적어도 하나의 외부 진공 영역(38)은 상기 지지 표면(34)의 외부 에지에 위치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 장치.
  9. 청구항 7에 있어서, 상기 적어도 하나의 외부 진공 영역(38)은 주변부의 적어도 3/4를 따라 연장하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 시스템.
  10. 청구항 8에 있어서, 상기 적어도 하나의 외부 진공 영역(38)은 주변부의 적어도 3/4를 따라 연장하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 장치.
  11. 청구항 9에 있어서, 상기 적어도 하나의 외부 진공 영역(38)은 상기 상부 플레이트(28)의 전체 주변부를 따라 연장하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 시스템.
  12. 청구항 10에 있어서, 상기 적어도 하나의 외부 진공 영역(38)은 상기 상부 플레이트(28)의 전체 주변부를 따라 연장하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 장치.
  13. 청구항 7에 있어서, 상기 적어도 하나의 외부 진공 영역(38) 및 상기 적어도 하나의 내부 진공 영역(36)에 각각 유체적으로 연결되고, 제1 진공 포트(46) 및 제2 진공 포트(48)에서 각각 끝나는 제1 공급관(42) 및 제2 공급관(44)을 포함하며,
    상기 제1 공급관(42) 및 상기 제2 공급관(44)은 하부 플레이트(26)를 통과하여 연장하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 시스템.
  14. 청구항 8에 있어서, 상기 적어도 하나의 외부 진공 영역(38) 및 상기 적어도 하나의 내부 진공 영역(36)에 각각 유체적으로 연결되고, 제1 진공 포트(46) 및 제2 진공 포트(48)에서 각각 끝나는 제1 공급관(42) 및 제2 공급관(44)을 포함하며,
    상기 제1 공급관(42) 및 상기 제2 공급관(44)은 하부 플레이트(26)를 통과하여 연장하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 장치.
  15. 청구항 1 또는 청구항 3에 있어서, 상기 상부 플레이트(28)는 투명 재료로 만들어지고, 상기 하부 플레이트(26)는 불투명 재료로 만들어지며, 상기 하부 플레이트(26)는 상기 상부 플레이트(28)에 의해 덮히는 영역에서 적어도 하나의 컷아웃(cout-out)(52)을 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 시스템.
  16. 청구항 2 또는 청구항 4에 있어서, 상기 상부 플레이트(28)는 투명 재료로 만들어지고, 상기 하부 플레이트(26)는 불투명 재료로 만들어지며, 상기 하부 플레이트(26)는 상기 상부 플레이트(28)에 의해 덮히는 영역에서 적어도 하나의 컷아웃(cout-out)(52)을 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 장치.
  17. 청구항 15에 있어서, 상기 상부 플레이트(28)는 유리로 만들어지고 및/또는 상기 하부 플레이트(26)는 플라스틱 또는 금속으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 시스템.
  18. 청구항 16에 있어서, 상기 상부 플레이트(28)는 유리로 만들어지고 및/또는 상기 하부 플레이트(26)는 플라스틱 또는 금속으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 장치.
  19. 청구항 1 또는 청구항 3에 있어서, 상기 웨이퍼 지지 장치(16)는 상기 다이싱 프레임(14)을 정렬 및/또는 지지하기 위하여 상기 상부 플레이트(28)와 동일한 측면 상에 상기 하부 플레이트(26)의 견부(30)로부터 연장하는 적어도 하나의 돌출부(54)를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 시스템.
  20. 청구항 2 또는 청구항 4에 있어서, 상기 웨이퍼 지지 장치(16)는 상기 다이싱 프레임(14)을 정렬 및/또는 지지하기 위하여 상기 상부 플레이트(28)와 동일한 측면 상에 상기 하부 플레이트(26)의 견부(30)로부터 연장하는 적어도 하나의 돌출부(54)를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 장치.
  21. 마스크 홀더(60) 및 청구항 1 또는 청구항 3에 기재된 웨이퍼 지지 시스템(18)을 포함하는, 마스크(62) 및 웨이퍼(12)를 정렬하기 위한 마스크 얼라이너.
  22. 청구항 21에 있어서, 적어도 하나의 근접 스페이서(66) 및 액추에이터(68)가 상기 마스크 홀더(60)에 제공되며,
    상기 액추에이터(68)는 상기 근접 스페이서(66)를 활성 위치와 비활성 위치 사이에서 이동시키도록 구성되며,
    상기 근접 스페이서(66)는 비활성 위치 내의 상기 다이싱 프레임(14)의 영역의 방사상 외부에 위치되는 것을 특징으로 하는 마스크 얼라이너.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2019623B1 (en) * 2017-09-25 2019-04-01 Suss Microtec Lithography Gmbh Wafer support system, wafer support device, system comprising a wafer and a wafer support device as well as mask aligner
JP7064749B2 (ja) * 2018-02-22 2022-05-11 アスリートＦａ株式会社 ボール搭載装置
JP7344695B2 (ja) * 2019-07-23 2023-09-14 株式会社ディスコ チップの製造方法
CN110928147B (zh) * 2019-12-19 2022-04-08 中航电测仪器股份有限公司 一种间隙光刻机构及其光刻方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3003656B2 (ja) * 1997-12-24 2000-01-31 日本電気株式会社 微細金属球の搭載治具
JP4705450B2 (ja) * 2005-03-11 2011-06-22 株式会社ディスコ ウェーハの保持機構
US20070035717A1 (en) * 2005-08-12 2007-02-15 Wei Wu Contact lithography apparatus, system and method
JP2008021929A (ja) * 2006-07-14 2008-01-31 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd サポートプレート、搬送装置、剥離装置及び剥離方法
JP2008041987A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd サポートプレートとウェハとの剥離方法及び装置
JP5497587B2 (ja) * 2010-03-23 2014-05-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ マイクロ流路チップ及びマイクロアレイチップ
US8802545B2 (en) * 2011-03-14 2014-08-12 Plasma-Therm Llc Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer
JP5926501B2 (ja) * 2011-06-15 2016-05-25 東京応化工業株式会社 保持装置および保持方法
US9117801B2 (en) * 2013-05-15 2015-08-25 Infineon Technologies Ag Semiconductor devices having a glass substrate, and method for manufacturing thereof
WO2014209926A1 (en) * 2013-06-26 2014-12-31 Corning Incorporated Glass ribbon breaking devices and methods of producing glass sheets
JP6194227B2 (ja) * 2013-10-29 2017-09-06 東京応化工業株式会社 保持装置および保持方法
NL2019623B1 (en) * 2017-09-25 2019-04-01 Suss Microtec Lithography Gmbh Wafer support system, wafer support device, system comprising a wafer and a wafer support device as well as mask aligner

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