CN109560033A - 晶圆支撑系统，晶圆支撑装置，包括晶圆和晶圆支撑装置的系统以及掩模对准器 - Google Patents

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Abstract

一种晶圆支撑系统，具有晶圆支撑装置(16)和切割框架(14)，其中晶圆支撑装置(16)具有底板(26)和顶板(28)。顶板(28)包括用于支撑晶圆(12)的支撑表面(34)，并且底板(26)具有大于顶板(28)的最大直径(dt)的最大直径(db)，使得底板(26)包括用于切割框架(14)的储存部(32)。切割框架(14)具有限定中心孔(20)的板状形状，其中中心孔(20)的最小直径(dh)大于顶板(28)的最大直径(dt)，使得切割框架(14)下沉到晶圆(12)的上表面和/或支撑表面(34)的下方。此外，提供了晶圆支撑装置(16)，晶圆支撑系统(18)和掩模对准器。

Description

晶圆支撑系统，晶圆支撑装置，包括晶圆和晶圆支撑装置的系 统以及掩模对准器
技术领域
本发明涉及晶圆支撑系统，晶圆支撑装置，包括晶圆和晶圆支撑装置的系统以及包括掩模保持件和晶圆支撑系统的掩模对准器。
背景技术
在半导体元件或类似物的微纳米制造期间，使用了像晶圆的一样非常薄的基板。已知的是，使用切割框架和切片带来处理和对薄基板进行切片。
切割框架是刚性的带有中心孔的板状结构。使用横跨中心孔的至少一部分(优选地横跨整个中心孔)的一层切片带，将基板或晶圆固定在中心孔内。
通常，切割框架本身的厚度比基板的厚度大至少一个数量级。例如，晶圆具有25到100μm的厚度，并且框架具有1至2mm的厚度。
这种厚度差异在基板处理期间、特别是在掩模对准器中会引发问题，其中例如在阴影成像中，可以在掩模和基板之间仅有小的间隙或无间隙。当使掩模靠近通常由卡盘支撑的基板或晶圆时，在间隙足够小之前，即在实现所需的间隙尺寸之前，掩模与切割框架接触。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种晶圆支撑系统，晶圆支撑装置，包括晶圆和晶圆支撑装置的系统，以及掩模对准器，即使基板安装在切割框架中，该掩模对准器允许掩模和基板间的小间隙或无间隙。
为此目的，提供了一种用于支撑晶圆的包括晶圆支撑装置和切割框架的晶圆支撑系统，其中，晶圆支撑装置具有彼此同心布置的底板和顶板，其中顶板包括用于支撑晶圆的支撑表面，该表面为顶板的背离底板的表面。底板具有大于顶板的最大直径的最大直径，使得底板包括环绕顶板的肩部，该肩部形成用于切割框架的储存部。切割框架具有限定中心孔的板状形状，其中，中心孔的最小直径大于顶板的最大直径，并且顶板被成形为使得其可以延伸穿过切割框架的中心孔，使得切割框架位于储存部中，其中，当晶圆安装在切割框架中并且放置在晶圆支撑装置的顶部上时，切割框架的最高点在竖直方向上位于晶圆的上表面下方和/或支撑表面的下方。因此，系统的最高点就是晶圆的表面，其允许处理步骤，尤其是曝光步骤，其中掩模应该紧邻或接触晶圆的上表面。
特别地，切割框架的最高点位于晶圆的上表面的平面下方。
切割框架的最大直径可以大于底板的最大直径。
与顶板同心的晶圆放置在顶板上，使得切割框架不与顶板接触并且可以朝向底板下落。
通过用于支撑安装在切割框架中的晶圆的晶圆支撑装置进一步实现该目的，该晶圆支撑装置包括彼此同心布置的底板和顶板，其中顶板具有用于支撑晶圆的支撑表面，该支撑表面为顶板的背离底板的表面。底板具有大于顶板的最大直径的最大直径，使得底板包括环绕顶板的肩部，该肩部形成用于切割框架的储存部，使得切割框架位于储存部中，其中，当晶圆安装在切割框架中并且放置在晶圆支撑装置的顶部上时，切割框架的最高点在竖直方向上位于晶圆的上表面下方和/或支撑表面的下方。晶圆支撑装置可以是卡盘。通过设置用于切割框架的肩部和储存部，切割框架可以完全下沉到晶圆下方，更精确地在竖直方向上下沉到晶圆的上表面下方。
本发明还涉及一种包括晶圆和晶圆支撑装置的系统，该晶圆支撑装置具有彼此同心布置的底板和顶板，其中顶板包括用于支撑晶圆的支撑表面，该支撑表面为顶板的背离底板的表面，支撑表面具有与晶圆相同的尺寸。底板具有大于顶板的最大直径的最大直径，使得底板包括环绕顶板的肩部，该肩部形成用于切割框架的储存部，使得切割框架位于储存部中，其中，当晶圆安装在切割框架中并且放置在晶圆支撑装置的顶部上时，切割框架的最高点在竖直方向上位于晶圆的上表面下方和/或支撑表面的下方。
优选地，支撑表面具有与晶圆相同的尺寸。例如，对于200mm卡盘，顶板的直径也是200mm。
此外，本发明设想了一种系统，其包括切割框架，安装在切割框架中的晶圆以及晶圆支撑装置，其中晶圆支撑装置具有彼此同心布置的底板和顶板。顶板包括用于支撑晶圆的支撑表面，该支撑表面是顶板的背离底板的表面，支撑表面具有与晶圆相同的尺寸。底板具有大于顶板的最大直径的最大直径，使得底板包括环绕顶板的肩部，该肩部形成用于切割框架的储存部。切割框架具有限定中心孔的板状形状，并且切割框架位于支撑表面上方，其中中心孔的最小直径大于顶板的最大直径。晶圆位于支撑表面处并且使用切割带安装在切割框架中，并且顶板延伸穿过切割框架的中心孔，使得切割框架位于储存部中，其中当晶圆安装在切割框架中并放置在晶圆支撑装置的顶部上时，切割框架的最高点在竖直方向上位于晶圆的上表面下方和/或支撑表面的下方。
特别地，底板和顶板可以彼此附接。因此，底板和顶板可以是彼此附接的单独元件。
底板和/或顶板可以是扁平的。
例如，底板的最大直径至少是顶板的最大直径的1.3倍，以提供稳定且尺寸足够的储存部。
在本发明的一个实施例中，支撑表面设有至少一个外真空区和至少一个内真空区，至少一个外真空区和至少一个内真空区彼此流体分隔开，其中至少一个外真空区位于支撑表面的外边缘处。真空区可以包括凹槽，多孔表面或其他抽吸装置。通过设置外真空区和内真空区，可以将晶圆牢固地固定至基板，同时避免使基板在中间弯折。通过在安装期间启用两个真空区并且一旦晶圆牢固地固定到支撑表面就停用内真空区，这可以被实现。
例如，至少一个外真空区沿着周边的至少四分之三，特别地沿顶板的整个周边界延伸。这样，即使仅启用外真空区，就可以确保晶圆的牢固固定。
在径向方向上，可以仅设置一个外真空区以将弯折减小到最小。
优选地，晶圆支撑装置包括第一供给管道和第二供给管道，第一供给管道和第二供给管道分别流体连接至至少一个外真空区和至少一个内真空区，并且分别在第一真空端口和第二真空端口处截止。第一供给管道和第二供给管道延伸穿过顶板和底板。因此，可以通过简单且可靠的措施将真空施加到真空区。
供给管道可以在底板中径向向外延伸，特别是在相反的方向上，并且朝向底板的周边延伸。
例如，第一真空端口和第二真空端口设置在底板的周边处，其中第一供给管道和第二供给管道分别在第一真空端口和第二真空端口处截止。
可以提供若干内真空区，形成通过径向延伸的脊部互连的同心圆，以将晶圆牢固地固定至晶圆支撑件。
在另一个实施例中，顶板由透明材料制成，并且底板由不透明材料制成，底板在由顶板覆盖的区域中具有至少一个切口。优选地，底板具有用于背侧对准的两个相对的切口。切口和透明材料的使用允许在晶圆的底侧上使用可用于晶圆的光学对准的对准标记。
为了实现长寿命和工作循环，顶板由玻璃制成和/或底板由塑料或金属制成，特别是钢或铝。
可以设置两个切口，定位成相对于顶板在直径上彼此相对，以允许晶圆的不同的对准位置。
为了避免切割框架的振动或不期望的移动，晶圆支撑装置包括至少一个突出部，该至少一个突出部在与顶板相同的侧上从底板的肩部延伸，以用于对准和/或支撑切割框架。
突出部可以是用于将切割框架固定至肩部的磁性元件。
可以通过可设置在切割框架的外周边中的凹口来实现基板至平台的预调节。
本发明进一步提供一种用于对准掩模和晶圆的掩模对准器，其包括掩模保持件和根据本发明的晶圆支撑系统。
如上所述，掩模对准器可用于处理安装在切割框架中的晶圆，以使基板或其上的涂层曝光，使得在掩模和晶圆之间具有小间隙或者甚至根本没有间隙。
在本发明的一个实施例中，在掩模保持件处设置有接近间隔件和致动器。致动器被构造成使接近间隔件在启用位置和停用位置之间移动，其中接近间隔件在停用位置中径向地位于切割框架的区域的外侧。因此，即使该特定任务不需要接近间隔件，可以使用掩模对准器。
附图说明
通过以下对实施例和所参考的附图的描述，本发明的其它特征和优点将变得显而易见。附图中：
-图1示意性地示出了沿根据本发明的系统的轴线I-I的剖视图，该系统具有根据本发明的晶圆支撑系统和根据本发明的晶圆支撑装置，
-图2示出了根据图1的系统的俯视图，
-图3示出了图2的俯视图的放大视图的一部分，
-图4示出了图1的系统的沿图2中的轴线IV-IV的剖视图，
-图5示意性地示出了根据本发明的系统的第二实施例，其具有晶圆支撑系统的第二实施例和晶圆支撑装置的第二实施例，
-图6示意性地示出了根据本发明的掩模对准器，其具有根据图5的晶圆支撑系统，并且
-图7示出了图6的带有处于不同位置的接近间隔件的掩模对准器。
具体实施方式
图1和2示出了用于支撑晶圆12的系统10。为简单起见，在图2中未示出晶圆12和切片带。
晶圆12可以是由硅制成的薄晶圆。然而，在所述发明的意义上，术语“晶圆”还可以包括其他基板，例如玻璃，III-V材料，蓝宝石或其他类似物。
晶圆12可以具有标准尺寸，具有125mm、150mm、200mm或300mm的直径dw。
系统10包括晶圆12，切割框架14和晶圆支撑装置16。切割框架14和晶圆支撑装置16可以被视为晶圆支撑系统18。
为清楚起见，晶圆支撑装置16显示为与晶圆12和切割框架14分开。
切割框架14是具有围绕中心孔20的板状形状的刚性结构，如图2中可见。
切割框架14的厚度可以比晶圆12的厚度大一个数量级。
在示出的实施例中，中心孔20具有圆形形状和直径，在这种情况下，该直径也是中心孔20的最小直径dh。
例如，切割框架14的外轮廓不是圆形的，但是具有最大直径dF,max和最小直径dF,min。
切割框架14进一步包括在其外周边处的至少一个凹口22。
通过使用切片带24将晶圆12安装在切割框架14的中心孔20中。
切片带24是片状的并且固定在切割框架14的底侧处。它横跨中心孔20的一部分或横跨整个中心孔20。切片带24是柔性的并且甚至可以是有弹性的。
晶圆12在中心孔20内通过其底侧被放置在切片带24上。这样，晶圆12被安装在切割框架14中。
晶圆支撑装置16具有彼此附接的底板26和顶板28。
晶圆支撑装置16可以是卡盘，其可以例如经由底板26安装到楔形误差补偿头(未示出)上。
顶板28附接到底板26的上表面。
方向术语、如“上部”，“底部”等用于参考晶圆12和整个系统10的指定安装位置。因此，向上方向沿与重力方向相反的方向延伸。
在示出的实施例中，顶板28和底板26具有圆形形状并且彼此同心。底板26和顶板28当然可以具有任何其他形状。
顶板28的形状精确地对应于晶圆12的形状，意味着顶板28的直径dt和晶圆12的直径dw是相同的。
此外，顶板28的直径dt小于中心孔20的最小直径dh，以便顶板28可以穿过中心孔20。
与底板26相比，顶板28的最大直径dt小于底板26的最大直径db。底板26的最大直径db例如至少是顶板28的最大直径dt的1.3倍。
换句话说，底板26大于顶板28。因此，与顶板28相比，底板26沿径向方向进一步延伸。底板26的与顶板28相比进一步延伸的部分形成围绕顶板28的肩部30。肩部30是用于切割框架14的储存部32。
顶板28具有背离底板26的上表面。该表面是用于晶圆12的支撑表面34。支撑表面34在图3中被放大示出。
支撑表面34包括用于在晶圆12下方产生低压以通过抽吸将晶圆12固定至晶圆支撑装置16的真空机构。
为此目的，支撑表面34相对于支撑表面34的径向方向具有内真空区36和外真空区38。
在图3中，内真空区36和外真空区38由虚线圆圈界定。
真空区36，38可以由支撑表面34中的真空凹槽40提供。
真空区36，38也可以由支撑表面34的多孔表面的部分或其他抽吸装置提供。
在示出的实施例中，外真空区38完全包围内真空区36，并且真空区36，38彼此流体分隔。
外真空区38包括支撑表面的外边缘并且沿顶板28的整个周边延伸。
此外，沿径向方向，在外真空区38中仅设置一个真空凹槽40。
内真空区36具有形成同心圆的多个内真空凹槽40，所述多个真空凹槽通过形成径向脊部的其他真空凹槽40互连。
向真空区36，38提供真空，即，空气经由第一供给管道42和第二供给管道44被抽吸出真空区36，38。第一供给管道42和第二供给管道44分别流体连接至外真空区38和内真空区36。
在示出的实施例中，供给管道42，44延伸穿过顶板28进入到底板26中。
在底板26中，供给管道42，44沿相反的方向并朝向底板26的周边径向向外延伸。
在底板26的周边处，设有第一真空端口46和第二真空端口48，其中第一供给管道42和第二供给管道44分别在第一真空端口46和第二真空端口48处截止。
真空端口46，48在底板26的周边处在直径上彼此相对布置。
真空端口46，48可以经由管子50或类似物连接至合适的真空源(未示出)。
在另一个实施例中，真空端口46，48可以布置在底板26的底部上。在这种情况下，底板可以安装在较大的平台上，该平台具有用于例如经由O形环连接至真空端口46，28的可兼容端口。
顶板28可以由透明材料制成，如玻璃，并且底板26可以由不透明材料制成，如塑料或金属，特别是钢或铝。
在该实施例中，底板26具有在顶板28下方的两个切口，所述切口延伸穿过底板26的整个厚度，如图4中可看到的。
切口52相对于底板26的中心在直径上彼此相对地定位。
此外，切口52可以位于底板26的一部分中，该部分对应于顶板28下方的靠近顶板28的边缘的部分。
更确切地说，该部分可以从顶板28的边缘径向向内延伸顶板28的直径dt的大约四分之一，特别是大约六分之一。
此外，底板26可以包括位于肩部30的顶侧处(即与顶板28在相同侧上)的突出部54。突出部54从肩部30向上延伸。
在图1示出的实施例中，突出部54为定位销56，其设计成当切割框架14和晶圆12安装在晶圆支撑系统18上时与切割框架14的凹口22接合。
为了将晶圆12安装到晶圆支撑系统18，具有晶圆12的切割框架14放置在晶圆支撑装置16上方，使得晶圆12和顶板28彼此同心。然后，晶圆12朝向晶圆支撑装置16降低。
在降低切割框架14的同时，晶圆12、更确切地说是切片带24与顶板28的支撑表面34接触。
在两个真空区36和38中施加真空有助于该过程并且将晶圆12和切片带24固定至顶板28。
一旦晶圆12固定在支撑表面34上，可以停用内真空区36以避免晶圆12的弯折。
然后，切割框架14位于底板26的肩部30上方。
在示出的实施例中，切割框架14的最大直径dF,max小于底板26的直径db，使得切割框架14完全位于肩部30的径向边界内和储存部32内。切割框架14不必为了位于储存部32内而物理地接触肩部30。
当切割框架14从用于安装的末端执行器释放时，切割框架14仅由切片带24保持。然而，切片带24是柔性的，从而它不能支撑切割框架14的重量。因此，切割框架14由于重力朝向底板26下沉。
切割框架14下沉得很低，使得其最高点位于晶圆12的上表面的平面P(图5)下方。因此，系统10的最高点就是晶圆12的表面，从而允许处理步骤，尤其是曝光步骤，其中，掩模应该紧邻晶圆12的上表面或与晶圆12的上表面接触。
图5示出了系统10的第二实施例。系统10的第二实施例主要对应于图1至4中所示的第一实施例。因此，下面仅解释不同之处，并且相同或功能相同的部分用相同的数字标记。
在图5所示的系统10的第二实施例中，晶圆支撑装置16由一个构件制成。顶板28和底板26由相同的材料制成，在所示的情形中是不透明材料。
当然，也可以使用用于整个晶圆支撑装置16的透明材料。
此外，切割框架的最大直径dF,max大于底板26的最大直径db。还有，切割框架14在底板26的肩部30上方至少部分地安置在储存部32中。
此外，突出部54是磁性元件，其通过磁力将切割框架14固定至肩部30。这样，可以消除切割框架14的不期望的振动。
可以通过切割框架14和突出部54之间的直接接触或仅通过磁力而不接触地实现固定。
图6和7示出了掩模对准器58的示意性剖视图。
掩模对准器58包括掩模保持件60和掩模62以及包括晶圆12，切割框架14和晶圆支撑装置16的系统10。
掩模保持件60是刚性结构，具有由掩模62覆盖的曝光开口64。掩模62例如通过真空固定到掩模保持件60的底侧，并且部分地或完全地封闭曝光开口64。
此外，所示示例的掩模保持件60包括至少三个接近间隔件66和用于使每个接近间隔件66移动的至少三个致动器68。
接近间隔件66是例如、具有2.000μm直径的陶瓷球。
接近间隔件66由平行于曝光开口64延伸的支撑臂70保持。
支撑臂70安装在可旋转地固定至掩模保持件60的杆72上。
杆72可以通过致动器68相对于它们的竖直轴线旋转，以便使接近间隔件66在启用位置和停用位置之间移动。
图6示出了处于停用位置的接近间隔件66，在该停用位置处，它们径向地位于切割框架14的区域的外侧。这样，当掩模62和晶圆12将彼此接触以进行曝光时，接近间隔件66不与切割框架14接触。
图7示出了处于启用位置的接近间隔件66。在启用位置处，接近间隔件66径向地位于顶板28和晶圆12的区域内。
然后可以降低掩模62和掩模保持件60，直到晶圆12和掩模62从相对侧接触接近间隔件66。这样，可以在掩模62和晶圆12之间实现预定间隙。
示出的实施例的特征当然可以以与示例性实施例中示出的组合不同的组合使用。例如，第一实施例中的突出部54也可以是磁性元件。

Claims (13)

1.一种用于支撑晶圆(12)的晶圆支撑系统，包括晶圆支撑装置(16)和切割框架(14)，
其中，所述晶圆支撑装置(16)具有彼此同心布置的底板(26)和顶板(28)，
其中，所述顶板(28)包括用于支撑所述晶圆(12)的支撑表面(34)，所述支撑表面是所述顶板(28)的背离所述底板(26)的表面，
其中，所述底板(26)具有大于所述顶板(28)的最大直径(dt)的最大直径(db)，使得所述底板(26)包括围绕所述顶板(28)的肩部(30)，所述肩部形成用于所述切割框架(14)的储存部(32)，
其中，所述切割框架(14)具有限定中心孔(20)的板状形状，
其中，所述中心孔(20)的最小直径(dh)大于所述顶板(28)的最大直径(dt)，
其中，所述顶板(28)成形为使得其可以延伸穿过所述切割框架(14)的中心孔(20)，以便所述切割框架(14)位于所述储存部(32)中，其中，当所述晶圆(12)安装在所述切割框架(14)中并且布置在所述晶圆支撑装置(16)的顶部上时，所述切割框架(14)的最高点在竖直方向上位于所述晶圆(12)的上表面下方和/或所述支撑表面(34)的下方。
2.一种用于支撑安装在切割框架(14)中的晶圆(12)的晶圆支撑装置，其包括彼此同心布置的底板(26)和顶板(28)，
其中，所述顶板(28)包括用于支撑所述晶圆(12)的支撑表面(34)，所述支撑表面是所述顶板(28)的背离所述底板(26)的表面，
其中，所述底板(26)具有大于所述顶板(28)的最大直径(dt)的最大直径(db)，使得所述底板(26)包括围绕所述顶板(28)的肩部(30)，所述肩部形成用于所述切割框架(14)的储存部(32)，使得所述切割框架(14)位于所述储存部(32)中，其中，当所述晶圆(12)安装在所述切割框架(14)中并且放置在所述晶圆支撑装置(16)的顶部上时，所述切割框架(14)的最高点在竖直方向上位于所述晶圆(12)的上表面下方和/或所述支撑表面(34)的下方。
3.一种包括晶圆(12)和晶圆支撑装置(16)的系统，所述晶圆支撑装置具有彼此同心布置的底板(26)和顶板(28)，
其中，所述顶板(28)包括用于支撑所述晶圆(12)的支撑表面(34)，所述支撑表面是所述顶板(28)的背离所述底板(26)的表面，
其中，所述底板(26)具有大于所述顶板(28)的最大直径(dt)的最大直径(db)，使得所述底板(26)包括围绕所述顶板(28)的肩部(30)，所述肩部形成用于所述切割框架(14)的储存部(32)，从而当所述晶圆(12)安装在所述切割框架(14)中并且放置在所述晶圆支撑装置(16)的顶部上时，所述切割框架(14)在竖直方向上位于所述晶圆(12)的上表面下方和/或所述支撑表面(34)的下方。
4.根据权利要求1所述的晶圆支撑系统，根据权利要求2所述的晶圆支撑装置，或根据权利要求3所述的系统，其中，所述支撑表面(34)具有与所述晶圆(12)相同的尺寸。
5.根据权利要求1或4所述的晶圆支撑系统；根据权利要求2或4所述的晶圆支撑装置；或根据权利要求3或4所述的系统，其特征在于，所述底板(26)的最大直径(db)至少是所述顶板(28)的最大直径(dt)的1.3倍。
6.根据权利要求1，4和5中任一项所述的晶圆支撑系统；根据权利要求2，4和5中任一项所述的晶圆支撑装置；或根据权利要求3至5中任一项所述的系统，其特征在于，所述支撑表面(34)设有至少一个外真空区(38)和至少一个内真空区(36)，所述至少一个外真空区(38)和所述至少一个内真空区(36)彼此流体分隔开，其中，所述至少一个外真空区(38)位于所述支撑表面(34)的外边缘处。
7.根据权利要求6所述的晶圆支撑系统，晶圆支撑装置或系统，其特征在于，所述至少一个外真空区(38)沿所述顶板(28)的周边的至少四分之三、特别是沿所述顶板(28)的整个周边延伸。
8.根据权利要求6或7所述的晶圆支撑系统，晶圆支撑装置或系统，其特征在于，所述晶圆支撑装置(16)包括第一供给管道(42)和第二供给管道(44)，所述第一供给管道和所述第二供给管道分别流体连接至所述至少一个外真空区(38)和所述至少一个内真空区(36)并且分别在第一真空端口(46)和第二真空端口(48)处截止，
其中，所述第一供给管道(42)和所述第二供给管道(44)延伸穿过所述底板(26)。
9.根据权利要求1和4至8中任一项所述的晶圆支撑系统；根据权利要求2和4至8中任一项所述的晶圆支撑装置；或根据权利要求3至8中任一项所述的系统，其特征在于，所述顶板(28)由透明材料制成，并且所述底板(26)由不透明材料制成，所述底板(26)在由所述顶板(28)覆盖的区域中具有至少一个切口(52)。
10.根据权利要求9所述的晶圆支撑系统，晶圆支撑装置或系统，其特征在于，所述顶板(28)由玻璃制成和/或所述底板(26)由塑料或金属制成，特别是钢或铝。
11.根据权利要求1和4至10中任一项所述的晶圆支撑系统；根据权利要求2和4至10中任一项所述的晶圆支撑装置；或根据权利要求3至10中任一项所述的系统，其特征在于，所述晶圆支撑装置(16)包括至少一个突出部(54)，所述至少一个突出部在与所述顶板(28)相同的侧上从所述底板(26)的肩部(30)延伸，用于对准和/或支撑所述切割框架(14)。
12.一种用于对准掩模(62)和晶圆(12)的掩模对准器，其包括掩模保持件(60)和根据权利要求1和4至11中任一项所述的晶圆支撑系统(18)或根据权利要求3至11中的一项的系统(10)。
13.根据权利要求12所述的掩模对准器，其特征在于，至少一个接近间隔件(66)和致动器(68)设置在所述掩模保持件(60)处，
其中，所述致动器(68)构造为使所述接近间隔件(66)在启用位置和停用位置之间移动，
其中，所述接近间隔件(66)在停用位置中径向地位于所述切割框架(14)的区域的外侧。
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