JPH09263079A - 電気部品素子およびその製造方法 - Google Patents

電気部品素子およびその製造方法

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JPH09263079A
JPH09263079A JP8072115A JP7211596A JPH09263079A JP H09263079 A JPH09263079 A JP H09263079A JP 8072115 A JP8072115 A JP 8072115A JP 7211596 A JP7211596 A JP 7211596A JP H09263079 A JPH09263079 A JP H09263079A
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JP
Japan
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conductor
insulating substrate
contact portion
component element
manufacturing
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Application number
JP8072115A
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English (en)
Inventor
Nobuyuki Nakato
伸之 中藤
Fumiaki Nagase
文昭 永▲瀬▼
Masae Ii
正▲栄▼ 伊比
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyo Aluminum KK
Original Assignee
Toyo Aluminum KK
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Publication date
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Publication of JPH09263079A publication Critical patent/JPH09263079A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/16Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4038Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
    • H05K3/4084Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by deforming at least one of the conductive layers

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電気部品素子において、薄膜化を可能とする
電気部品素子の構造およびその構造を実現するための製
造方法を提供する。 【解決手段】 絶縁基板3と、絶縁基板3の一方面上に
形成された第1導電体10と、絶縁基板3の一方面とは
反対側の他方面上に形成された第2導電体11と、第1
導電体10と第2導電体11とが直接接続されるコンタ
クト部50Aとを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、電気部品素子お
よびその製造方法に関し、より特定的には、電気部品素
子の薄膜化を実現するための構造およびその構造を容易
に実現するための製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、マイクロコンピュータ、メモリな
どのICチップを装着したチップカード、メモリカー
ド、マイコンカードあるいは電子カードを構成する電気
部品素子に関する研究が種々進められている。
【0003】ここで、従来の電気部品素子のうち、IC
カードの構造について、図19を参照して説明する。
【0004】図19に示す従来のICカード500の構
造は、たとえばガラスエポキシなどからなる基板512
の一方の面に外部端子513が設けられ、他方の面にパ
ターン層515が設けられ、さらにICモジュール51
1が形成されている。
【0005】また、基板512のパターン層515側に
は、ICチップ517がダイボンディング接着剤520
を介して接着固定され、パターン層515との間でボン
ディングワイヤ518によって必要な配線が行なわれて
いる。
【0006】さらに、外部端子513、基板512、お
よびパターン層515を貫通するスルーホール514が
所定の箇所に複数に設けられ、このスルーホール514
の内面には、外部端子513とパターン層515とを導
通させるため、導電めっき514aが形成されている。
【0007】上記構造よりなるICモジュール511
が、カード基板530の凹部535内に装着されること
により、ICカード500が完成される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
技術における電気部品素子においては、外部端子513
とパターン層515とを導通させるために、基板512
にスルーホール513を設け、さらに、このスルーホー
ル513の内面に導電めっき514aを形成している。
【0009】しかしながら、近年多層基板の薄膜化が進
む状況において、たとえば、外部端子513と、基板5
12とパターン層515との厚さの合計がμmオーダに
なると、上記構造を採用することは困難となり、電気部
品素子の薄膜化を妨げる要因となっていた。
【0010】この発明の目的は、電気部品素子の薄膜化
を可能とする電気部品素子およびその製造方法を提供す
ることにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】この発明に基づいた電気
部品素子においては、フィルム状の絶縁基板と、絶縁基
板の一方面上に形成された第1導電体と、絶縁基板の一
方面とは反対側の他方面上に形成された第2導電体と、
絶縁基板内の少なくとも1箇所の領域において、第1導
電体と第2導電体とが直接接続されるコンタクト部とを
備えている。さらに、このコンタクト部は、第1導電体
が第2導電体に向かうコンタクトホールを有し、このコ
ンタクトホールに第2導電体が延在するように設けられ
ている。
【0012】このように、コンタクトホールの内周面に
第1導電体が延在するように、第1導電体と第2導電体
とを絶縁基板内の所定の領域で直接接続させる構造を用
いることによって第1導電体と第2導電体との接続が確
実となり、たとえば、絶縁基板の厚さが6μm〜150
μm、第1および第2導電体の厚さが6μm〜80μm
であっても、上記構造を採用することができ、電気部品
素子の薄膜化を実現させることが可能となる。
【0013】また、コンタクトホールを含むように、コ
ンタクト部に、補強部材を充填することによって、コン
タクト部を強固に固定するとともに、コンタクト部にお
ける接触抵抗をさらに低くかつ安定に保つことが可能と
なる。
【0014】次に、この発明に基づいたICカードにお
いて、フィルム状の絶縁基板と、絶縁基板の一方面上に
形成された第1導電体と、絶縁基板の一方面とは反対側
の他方面上に形成された第2導電体と、絶縁基板内の少
なくとも1箇所の領域において、第1導電体と第2導電
体とが直接接続されるコンタクト部とを備えている。
【0015】このように、第1導電体と第2導電体とを
絶縁基板内の所定の領域で直接接続させる構造を用いる
ことによって、たとえば、絶縁基板の厚さが6μm〜1
50μm、第1および第2導電体の厚さが6μm〜80
μmであっても、上記構造を採用することが可能とな
り、ICカードの薄膜化を実現させることが可能とな
る。
【0016】次に、この発明に基づいた多層基板の製造
方法においては、絶縁基板の一方面上に第1導電体が形
成され、電気部品素子の他方面に第2導電体が形成され
た電気部品素子形成体を準備する工程と、第1導電体
に、第1導電体側から第2導電体側に向けて超音波振動
子を当接させることにより、第1導電体と第2導電体と
の間に介在する絶縁基板を排除して、第1導電体が第2
導電体に向かうコンタクトホールを形成するとともに、
第1導電体と第2導電体とを直接接続する工程とを有し
ている。
【0017】このように、第1導電体と第2導電体との
間に介在する絶縁基板を容易に排除しつつコンタクトホ
ール内に第1導電体が延在するように、第1導電体と第
2導電体とを極めて短時間で直接接続させることが可能
となる。
【0018】また、好ましくは、超音波振動子を第1導
電体に当接させると同時にまたはその前に、コンタクト
部となる領域の絶縁基板を加熱して排除しておくことに
よって、より確実に第1導電体と第2導電体とを接続さ
せることが可能となる。
【0019】また、さらに好ましくは、コンタクトホー
ルを含むようにコンタクト部に補強材を充填することに
よって、コンタクト部を強固に固定するとともに、コン
タクト部分における接触抵抗をさらに低くかつ安定に保
つことが可能となる。
【0020】また、さらに好ましくは、コンタクト部を
形成する工程において、電気部品素子形成体を表面粗さ
の粗い基台の上に載置した状態で超音波振動子を当接さ
せている。
【0021】このようにすることによって、基台の表面
の粗さに従って、第1導電体と第2導電体とがさらに強
固に結合され、第1導電体と第2導電体との接触抵抗を
さらに低くすることが可能となる。
【0022】次に、この発明に基づいたICカードの製
造方法において、絶縁基板の一方面上に第1導電体が形
成され、絶縁基板の他方面に第2導電体が形成されたI
C基板形成体を準備する工程と、第1導電体に、第1導
電体側から第2導電体側に向けて超音波振動子を当接さ
せることにより、第1導電体と第2導電体との間に介在
する絶縁基板を排除して、第1導電体と第2導電体とを
直接接続する工程とを有している。
【0023】このように、第1導電体と第2導電体との
間に介在する絶縁基板を容易に排除しつつ、第1導電体
と第2導電体とを極めて短時間で接続させることが可能
となる。
【0024】
【発明の実施の形態】以下、本発明に基づく電気部品素
子およびその製造方法の実施の形態について、図を参照
して説明する。
【0025】(実施の形態1)まず図1〜図4を参照し
て、本実施の形態における電気部品素子としてのICカ
ード1の構造について説明する。
【0026】なお、図1は、ICカード1の平面図、図
2は、ICカード1の裏面図、図3は、図1中A−A′
線矢視断面図である。図4は、図3中XまたはX′に囲
まれた領域の拡大断面図である。
【0027】厚さ25μmのポリエステルフィルムから
なる絶縁基板3の両面に、厚さ20μmのアルミ箔を貼
着する。その後、エッチング方式などにより、絶縁基板
3の表面側に誘導コイル回路30、接続端子10,20
および端子回路50と、絶縁基板3の裏面側に、接続端
子10,20と電気的に結合するための接続端子11と
接続端子21とを含むブリッジ回路60を形成する。
【0028】誘導コイル30、ブリッジ回路60などが
形成された状態においては、図3の断面図に示すよう
に、それぞれの回路は、絶縁基板3によって分離絶縁さ
れている。
【0029】ここで、接続端子10と接続端子11、ま
たは接続端子20と接続端子21は、図4に示す部分拡
大図に示すように、接続端子10と接続端子11との間
に介在する絶縁基板3を排除するようにコンタクトホー
ル3aが設けられ、接続端子10または接続端子20が
それぞれコンタクトホール3aの内周面に延在して、接
続端子10が下方に凸部を形成するように接続端子10
と接続端子11とがまたは接続端子20と接続端子21
とが直接導通するように接続されるコンタクト部50A
が形成される。なお、コンタクトホール3aは窪みであ
っても貫通穴であってもどちらでもかまわない。
【0030】また、より詳細に説明すれば、必ずしもコ
ンタクトホール3a全体で接続端子10と接続端子11
とが接続される必要はなく、例えば図5に示すようにコ
ンタクトホール3aの所定の領域でのみ接続されるもの
であってもかまわない。
【0031】なお、本実施の形態においては、接続端子
10,11,20,21は、約1mm2 以上の接続面積
を有している。
【0032】ここで、絶縁基板3の材料としては、厚さ
25μmのポリエステルフィルムに限らず、厚みが6μ
m〜150μmのポリエステル、ポリプロピレン、ポリ
エチレン、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルイミ
ド、アラミド、セルロースなどのフィルムを用いること
ができる。
【0033】また、絶縁基板3の表裏面に形成される接
続端子10,11,20,21および導電コイル30、
ブリッジ回路60には、20μmのアルミニウム箔に限
らず、厚さ6μm〜80μmの厚みの銅箔、アルミ箔、
鉄箔などの金属箔を用いることも可能である。
【0034】上記に説明したように、接続端子10と接
続端子11または接続端子20と接続端子21とを接続
端子10または接続端子20がそれぞれコンタクトホー
ル3aの内周面に延在して、直接接続させる構造を用い
ることによって、誘導コイル30の端子部分を端子回路
50の部分の1箇所に集めることが可能となり、誘導コ
イルにICチップ、コンデンサなどの部品を実装する場
合の接続作業を容易に行なうことが可能となり、ICカ
ードの薄膜化が可能となる。
【0035】(実施の形態2)次に、上述した実施の形
態1に示すICカード1の接続端子10と接続端子11
とを直接接続させるための方法について図5〜図7を参
照して説明する。
【0036】まず、図6および図7に示すようにベース
110の上に絶縁基板3の両面に誘導コイル30、ブリ
ッジ回路60などが形成されたICカード形成体3Aを
載置する。
【0037】次に、接続端子10の部位に、超音波振動
子100Aのチップ100を当接する。この超音波振動
子100Aは、たとえば、(株)ソノテック製:ソノク
ラフトST−60,周波数25KHZ を用いることが可
能である。
【0038】この超音波振動子100Aのチップ100
には、先端部分に直径が約3mmφの鋼鉄製の球が用い
られる。また、ベース110の表面110aは必ずしも
鏡面研磨仕上げの必要はなく、多少粗い表面仕上げのも
のの方が好ましく、たとえばダイヤモンドやすり(精密
用140番または170番程度)を用いることによっ
て、接続端子10と接続端子11とのコンタクト部50
の結合をより確実にすることが可能となる。
【0039】なお、このときの超音波振動子のチップ1
10の押え圧力は1kgであり、超音波の印加時間は3
秒である。また、振動方向は図7に示すようにICカー
ド形成体3Aに対して所定の入射角をもたしてもかまわ
ないし、また直角であってもかまわない。このようにし
て形成された電気部品素子のコンタクト部の通電抵抗
は、0.3Ω以下となる。
【0040】また、上述したと同様に、たとえば絶縁基
板3に厚さ25μmのポリエステルフィルムを用い、接
続端子10などの材料に厚さ20μmのアルミニウム箔
を用いた場合、接続端子10と接続端子11とを直接接
続させる方法として、ベース110を予め180℃に加
熱し、さらにチップ100を予め130℃に加熱した状
態にしながら同時に、チップ100の押え圧力を1.5
kg、超音波の印加時間を1秒とすることによっても、
接続端子10と接続端子11とのコンタクト部50の強
固な結合を可能とする。なお、この場合におけるコンタ
クト部の通電抵抗は、0.3Ω以下となる。このよう
に、チップ100またはベース110のいずれか、また
は両方を加熱状態にする事で、絶縁基板3を軟化または
流動化し、排除する効果を高めることができる。
【0041】(実施の形態3)次に、本実施の形態にお
いては、上述した実施の形態2における超音波振動子の
チップ100の先端の形状を変更し、図9に示すよう
に、先端形状が極小化された鋭端面110aを有するチ
ップ110を用いて、上述した実施の形態2と同じ条件
で、接続端子10と接続端子11とを直接接続させる。
【0042】このとき、図10に示すように、コンタク
ト部50Aには小孔50Bが形成され、コンタクトホー
ル3aの内周面に接続端子10の材料が延在し、接続端
子10と接続端子11とをより強固に接続することがで
きる。
【0043】また、図11に示すように、小孔50Bを
埋めるように、アクリル系接着剤70を塗布してもかま
わない。
【0044】このような構造を用いることによっても、
コンタクト部50における導通抵抗は0.3Ω以下とな
り、またコンタクト部50における折れ曲がり接着耐力
は、実施の形態1に示す構造に比べ向上させることが可
能となる。
【0045】なお、小孔50Bへの充填材料として、ア
クリル系接着剤を用いたが、これに限らず、アルキッド
系、フェノール系、ビニール系、エポキシ系、ウレタン
系、ニトロセルロース系、アクリル系、ポリオレフィン
系、ポリアミド系、ポリスチレン系、ポリエステル系、
ニトリル系等の樹脂を用いることによって、小孔50B
において、これらの膜が乾燥してできる樹脂皮膜や熱硬
化あるいは架橋によってできる樹脂皮膜によって強固に
固定させることが可能となる。
【0046】また、小孔50B部分における接触抵抗を
低くさせるとともに、強固に固定させるために、たとえ
ば、導電性金属ペーストを塗布することも可能であり、
たとえば、金属分離は、金,銀,ニッケル,カーボン等
が用いられ、バインダ樹脂には、アルキッド系、フェノ
ール系、ビニール系、エポキシ系、ウレタン系、ニトロ
セルロース系、アクリル系、ポリオレフィン系、ポリア
ミド系、ポリスチレン系、ポリエステル系、ニトリル系
等の樹脂が単独でまたはブレンドして用いることができ
る。
【0047】(実施の形態4)次に、この発明に基づく
ICカードの製造方法の実施の形態4について説明す
る。
【0048】この実施の形態においては、まず図12に
示すように、ベース110の上に、厚さ25μmのポリ
エチレンからなる絶縁基板203と、この絶縁基板20
3の表面側に50μmの厚さのアルミ箔230、絶縁基
板203の裏面に厚さ10μmのアルミ箔203が形成
されたICカード形成体200Aを載置する。
【0049】次に、図13に示すように、コンタクト部
250を形成する位置に、予め250〜280℃に加熱
された加熱ピンや半田ごて120を約1秒間押さえつけ
て、絶縁基板203を溶かし両側へ押しやることによっ
て、ある程度アルミ箔206とアルミ箔203とを直接
接続させる。
【0050】その後、図14に示すように、コンタクト
部250にさらに超音波振動子130を0.3〜2秒程
度当接させることによって、アルミ箔206とアルミ箔
203とを確実に結合させる。
【0051】このように、予め半田ごてなどを用いて、
コンタクト部となる領域の絶縁基板を溶かした後に、超
音波振動子を用いて接続端子を直接接続させることで、
より確実に接続端子を直接結合させることが可能とな
る。
【0052】なお、本実施の形態においても、実施の形
態2と同様にベース110の表面110aの粗さは多少
粗い方が好ましい。
【0053】(実施の形態5)次に、この発明に基づく
ICカードの製造方法の実施の形態5について、図15
〜図18を参照して説明する。
【0054】まず図15を参照して、上述した実施の形
態4と同様に、ベース110の上に、ICカード形成体
200Aを載置する。
【0055】その後、図16を参照して、実施の形態4
と同様に、コンタクト部50を形成する領域を半田ごて
120を用いて、絶縁基板203を溶かし、アルミ箔2
06とアルミ箔230とを直接接続させる。
【0056】その後、図17を参照して、先端が鋭い形
状を有する超音波振動子140を用いて、アルミ箔23
0とアルミ箔206とを直接結合させるとともに、小孔
240aを形成する。
【0057】その後、図18に示すように、図11で示
したと同様の接着剤やインキなどを用いて、強固に固定
する。
【0058】このようにして得られた構造においても、
実施の形態3と同様に、コンタクト部50Aにおける折
れ曲がり接着耐力は、実施の形態1に示す構造に比べ向
上させることが可能となり、アルミ箔230がコンタク
トホールの内周面を覆うようにして、アルミ箔206と
直接接続されることによって、アルミ箔206とアルミ
箔230とのコンタクト部50Aの結合をより確実にす
ることが可能となる。
【0059】なお、今回開示した実施の形態はすべての
点で例示であって制限的なものではないと考えられるべ
きである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて、特
許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の
意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意
図される。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態1における電気部品素子の平面図で
ある。
【図2】実施の形態1における電気部品素子の裏面図で
ある。
【図3】図1中A−A′線矢視断面図である。
【図4】図3中XまたはX′で示される領域の部分拡大
断面図である。
【図5】図3中XまたはX′で示される領域の他の形態
における部分拡大断面図である。
【図6】実施の形態2における電気部品素子の製造方法
の第1工程を示す図である。
【図7】実施の形態2における電気部品素子の製造方法
の第2工程を示す図である。
【図8】実施の形態2における電気部品素子の製造方法
の第3工程を示す図である。
【図9】実施の形態3における電気部品素子の製造方法
の他の製造方法を示す第1の図である。
【図10】実施の形態3における電気部品素子の製造方
法の他の製造方法を示す第2の図である。
【図11】実施の形態2における電気部品素子の製造方
法の他の製造方法を示す第3の図である。
【図12】実施の形態4における電気部品素子の製造方
法の第1工程を示す図である。
【図13】実施の形態4における電気部品素子の製造方
法の第2工程を示す図である。
【図14】実施の形態4における電気部品素子の製造方
法の第3工程を示す図である。
【図15】実施の形態5における電気部品素子の製造方
法の第1工程を示す図である。
【図16】実施の形態5における電気部品素子の製造方
法の第2工程を示す図である。
【図17】実施の形態5における電気部品素子の製造方
法の第3工程を示す図である。
【図18】実施の形態5における電気部品素子の製造方
法の第4工程を示す図である。
【図19】従来技術における電気部品素子の構造を示す
断面図である。
【符号の説明】
1 ICカード 3 絶縁基板 10,11,20,21 接続端子 30 誘導コイル 50 端子回路 60 ブリッジ回路 100 超音波振動子のチップ 110 ベース

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 フィルム状の絶縁基板と、 前記絶縁基板の一方面上に形成された第1導電体と、 前記絶縁基板の前記一方面とは反対側の他方面上に形成
    された第2導電体と、 前記絶縁基板内の少なくとも1箇所の領域において、前
    記第1導電体と前記第2導電体とが直接接続されるコン
    タクト部と、を備え前記コンタクト部は、 前記第1導電体が前記第2導電体に向かうコンタクトホ
    ールを有し、 前記コンタクトホールには、前記第1導電体が延在す
    る、電気部品素子。
  2. 【請求項2】 前記コンタクトホールを含むように、前
    記コンタクト部には、前記コンタクト部の強度を補強す
    るための補強部材が充填された、請求項1に記載の電気
    部品素子。
  3. 【請求項3】 前記補強部材は導電性を有する、請求項
    2に記載の電気部品素子。
  4. 【請求項4】 フィルム状の絶縁基板と、 前記絶縁基板の一方面上に形成された第1導電体と、 前記絶縁基板の前記一方面とは反対側の他方面上に形成
    された第2導電体と、 前記絶縁基板内の少なくとも1箇所の領域において、前
    記第1導電体と前記第2導電体とが直接接続されるコン
    タクト部と、を備えた、ICカード。
  5. 【請求項5】 フィルム状の絶縁基板と、前記絶縁基板
    の一方面上に形成された第1導電体と、前記絶縁基板の
    前記一方面とは反対側の他方面上に形成された第2導電
    体と、前記絶縁基板内の少なくとも1箇所の領域におい
    て、前記第1導電体と前記第2導電体とが直接接続され
    るコンタクト部とを備えた電気部品素子の製造方法であ
    って、 前記コンタクト部を形成する工程は、 前記絶縁基板の前記一方面上に前記第1導電体を形成
    し、前記絶縁基板の前記他方面上に前記第2導電体が形
    成された電気部品素子形成体を準備する工程と、 前記第1導電体に、前記第1導電体側から前記第2導電
    体側に向けて、超音波振動子を当接させることにより、
    前記第1導電体と前記第2導電体との間に介在する前記
    絶縁基板を排除して、前記第1導電体が前記第2導電体
    に向かうコンタクトホールを形成するとともに前記第1
    導電体と前記第2導電体とを直接接続する工程と、を備
    えた、電気部品素子の製造方法。
  6. 【請求項6】 前記コンタクト部を形成する工程は、 前記超音波振動子を前記第1導電体に当接させると同時
    に、前記コンタクト部となる領域の前記絶縁基板を加熱
    して排除する工程をさらに含む、請求項5に記載の電気
    部品素子の製造方法。
  7. 【請求項7】 前記コンタクト部を形成する工程は、 前記超音波振動子を前記第1導電体に当接させる前に、
    前記コンタクト部となる領域の前記絶縁基板を加熱して
    排除する工程をさらに含む、請求項5に記載の電気部品
    素子の製造方法。
  8. 【請求項8】 前記コンタクト部を形成する工程は、 前記コンタクトホールを含むように、前記コンタクト部
    に補強部材を充填する工程をさらに含む、請求項5〜請
    求項7のいずれかに記載の電気部品素子の製造方法。
  9. 【請求項9】 前記コンタクト部を形成する工程は、 前記電気部品素子形成体を前記第2導電体が下方となる
    ように表面粗さの粗い基台の上に載置した状態で、前記
    第1導電体に超音波振動子を当接させる、請求項5〜請
    求項8のいずれかに記載の電気部品素子の製造方法。
  10. 【請求項10】 フィルム状の絶縁基板と、前記絶縁基
    板の一方面上に形成された第1導電体と、前記絶縁基板
    の前記一方面とは反対側の他方面上に形成された第2導
    電体と、前記絶縁基板内の少なくとも1箇所の領域にお
    いて、前記第1導電体と前記第2導電体とが直接接続さ
    れるコンタクト部とを備えたICカードの製造方法であ
    って、 前記コンタクト部を形成する工程は、 前記基板の前記一方面上に前記第1導電体を形成し、前
    記絶縁基板の前記他方面上に前記第2導電体が形成され
    たICカード形成体を準備する工程と、 前記第1導電体に、前記第1導電体側から前記第2導電
    体側に向けて、超音波振動子を当接させることにより、
    前記第1導電体と前記第2導電体との間に介在する前記
    絶縁基板を排除して、前記第1導電体と前記第2導電体
    とを直接接続する工程と、を備えた、ICカードの製造
    方法。
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