JPH0917781A - Ｂｐｓｇ膜の形成方法 - Google Patents
Ｂｐｓｇ膜の形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、ＢＰＳＧ膜の平坦化率を上げなが
ら、湿式エッチング速度比を低く出来るＢＰＳＧ膜の形
成方法を提供する。 【解決手段】 本発明は、ＢＰＳＧ膜を平坦化するため
のリフロー工程のあと、温度降下速度を速くし、高温で
ウエハーのアンローディングが出来るため、ＢＰＳＧ膜
の表面部は、リフロー温度での膜構造がそのまま維持さ
れた急冷領域になり、ＢＰＳＧ膜の内部は、リフロー温
度で徐冷することにより、膜内の物質は結晶化した徐冷
領域となる。このような構造のＢＰＳＧ膜においては、
徐冷領域の収縮力が急冷領域の収縮力に比べて相対的に
大きいため、急冷領域に圧縮応力が作用することにな
る。かような圧縮応力によって、ＢＰＳＧ膜表面に結晶
析出物が生成されることを制御し、又、ＢＰＳＧ膜の水
分吸収性を減少させることが可能である。
ら、湿式エッチング速度比を低く出来るＢＰＳＧ膜の形
成方法を提供する。 【解決手段】 本発明は、ＢＰＳＧ膜を平坦化するため
のリフロー工程のあと、温度降下速度を速くし、高温で
ウエハーのアンローディングが出来るため、ＢＰＳＧ膜
の表面部は、リフロー温度での膜構造がそのまま維持さ
れた急冷領域になり、ＢＰＳＧ膜の内部は、リフロー温
度で徐冷することにより、膜内の物質は結晶化した徐冷
領域となる。このような構造のＢＰＳＧ膜においては、
徐冷領域の収縮力が急冷領域の収縮力に比べて相対的に
大きいため、急冷領域に圧縮応力が作用することにな
る。かような圧縮応力によって、ＢＰＳＧ膜表面に結晶
析出物が生成されることを制御し、又、ＢＰＳＧ膜の水
分吸収性を減少させることが可能である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の層間
絶縁膜として利用されるボロン フォスフォロスシリケ
イト ガラス（Boron Phosphorous Silicate Glass）膜
の形成方法に関する。
絶縁膜として利用されるボロン フォスフォロスシリケ
イト ガラス（Boron Phosphorous Silicate Glass）膜
の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の層間絶縁膜として利用され
るＢＰＳＧ膜は、絶縁性及び平坦性が非常に良好なの
で、半導体素子の製造工程に広く利用されている。半導
体素子が高集積化されるにつれて、層間絶縁膜として利
用されるＢＰＳＧ膜の平坦化率を高めることが強く要求
される。
るＢＰＳＧ膜は、絶縁性及び平坦性が非常に良好なの
で、半導体素子の製造工程に広く利用されている。半導
体素子が高集積化されるにつれて、層間絶縁膜として利
用されるＢＰＳＧ膜の平坦化率を高めることが強く要求
される。
【０００３】ＢＰＳＧ膜はボロン（Ｂ）とフォスフォロ
ス（Ｐ）を高くドーピングするにつれてリフローが良く
出来る性質がある。従って、ＢＰＳＧ膜の平坦化率は、
ボロンとフォスフォロスを高くドーピングする事により
改善される。
ス（Ｐ）を高くドーピングするにつれてリフローが良く
出来る性質がある。従って、ＢＰＳＧ膜の平坦化率は、
ボロンとフォスフォロスを高くドーピングする事により
改善される。
【０００４】また、高い濃度でドープされた（heavily
doped ）ＢＰＳＧ膜は低温でのアニーリング（annealin
g ）工程でも、平坦化する事が出来るので、浅い接合部
を持つ半導体素子の製造が可能である。
doped ）ＢＰＳＧ膜は低温でのアニーリング（annealin
g ）工程でも、平坦化する事が出来るので、浅い接合部
を持つ半導体素子の製造が可能である。
【０００５】しかしながら、高い濃度でドープされたＢ
ＰＳＧ膜は水分吸収性が高く、アニーリング工程におい
てＢＰＳＧ膜内に含有されたボロンとフォスフォロスの
外方拡散が増加する短所がある。外方拡散されたボロン
とフォスフォロスはＢＰＳＧ膜の表面に結晶析出物を生
成し、この結晶析出物は欠陥因子となるため、素子の信
頼性を低下することになる。
ＰＳＧ膜は水分吸収性が高く、アニーリング工程におい
てＢＰＳＧ膜内に含有されたボロンとフォスフォロスの
外方拡散が増加する短所がある。外方拡散されたボロン
とフォスフォロスはＢＰＳＧ膜の表面に結晶析出物を生
成し、この結晶析出物は欠陥因子となるため、素子の信
頼性を低下することになる。
【０００６】半導体素子が高集積化されるにつれ、コン
タクトホールの大きさは次第に小さくなるため、コンタ
クトホール内に導電性物質をうまくつめることは難しく
なる。即ち、コンタクトホール部分においてステップカ
バレッヂ（step coberage ）が悪くなる。
タクトホールの大きさは次第に小さくなるため、コンタ
クトホール内に導電性物質をうまくつめることは難しく
なる。即ち、コンタクトホール部分においてステップカ
バレッヂ（step coberage ）が悪くなる。
【０００７】このステップカバレッヂ特性を改善するた
めに湿式エッチングと乾式エッチングの２段階の工程を
通じると、所謂、ワイングラス（wine glass）といわれ
る形の、コンタクトホールが形成される。
めに湿式エッチングと乾式エッチングの２段階の工程を
通じると、所謂、ワイングラス（wine glass）といわれ
る形の、コンタクトホールが形成される。
【０００８】然し、ボロンとフォスフォロスを多く含有
したＢＰＳＧ膜は、湿式及び乾式エッチング工程を通じ
て、ワイングラス形のコンタクトホールを形成するのは
難しい。
したＢＰＳＧ膜は、湿式及び乾式エッチング工程を通じ
て、ワイングラス形のコンタクトホールを形成するのは
難しい。
【０００９】高濃度でドープされたＢＰＳＧ膜は水分吸
収性が強いため、ＢＰＳＧ膜の上に塗布されるフォトレ
ジスト（photoresist ）はＢＰＳＧ膜との接着力が弱く
なり、このような理由で、湿式エッチングの際のエッチ
ング溶液がフォトレジストとＢＰＳＧ膜との間に容易に
浸透して、垂直方向のエッチング速度に比べ、水平方向
のエッチング速度が非正常的に早くなる現象が起きる。
収性が強いため、ＢＰＳＧ膜の上に塗布されるフォトレ
ジスト（photoresist ）はＢＰＳＧ膜との接着力が弱く
なり、このような理由で、湿式エッチングの際のエッチ
ング溶液がフォトレジストとＢＰＳＧ膜との間に容易に
浸透して、垂直方向のエッチング速度に比べ、水平方向
のエッチング速度が非正常的に早くなる現象が起きる。
【００１０】このような現象により、浅い皿の形をした
コンタクトホールが形成され、また、場合によっては、
隣のコンタクトホールと連結したり、或いは、フォトレ
ジストが折れたりする問題が生じる。
コンタクトホールが形成され、また、場合によっては、
隣のコンタクトホールと連結したり、或いは、フォトレ
ジストが折れたりする問題が生じる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記の如く、ＢＰＳＧ
膜の平坦化率を上げるためには、不純物の濃度を増加す
れば良いが、不純物の濃度を増加する場合、垂直対水平
エッチング速度比が高くなるため、ＢＰＳＧ膜の平坦化
比率を大きく減少させず、湿式エッチング速度比を低く
することには限界がある。
膜の平坦化率を上げるためには、不純物の濃度を増加す
れば良いが、不純物の濃度を増加する場合、垂直対水平
エッチング速度比が高くなるため、ＢＰＳＧ膜の平坦化
比率を大きく減少させず、湿式エッチング速度比を低く
することには限界がある。
【００１２】本発明の目的は、ＢＰＳＧ膜の平坦化比率
を上げながら湿式エッチング速度比を低く出来るＢＰＳ
Ｇ膜の形成方法を提供することにある。
を上げながら湿式エッチング速度比を低く出来るＢＰＳ
Ｇ膜の形成方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めの本発明のＢＰＳＧ膜の形成方法は、ウエハー（wafe
r ）の上に多数の下部層が形成された全体構造の上に、
ＢＰＳＧ膜を蒸着する段階と、上記ウエハーをファーネ
スにローディングする段階と、上記ファーネスの内部温
度を上げた後、リフロー工程を実施し、上記蒸着したＢ
ＰＳＧ膜の表面を平坦化する段階と、上記ファーネスの
内部温度を急冷した後、上記ウエハーをアンローディン
グさせることにより、上記平坦化されたＢＰＳＧ膜の表
面部を急冷領域とし、内部を徐冷（徐々に温度を下げ
る）領域とする段階とからなる特徴がある。
めの本発明のＢＰＳＧ膜の形成方法は、ウエハー（wafe
r ）の上に多数の下部層が形成された全体構造の上に、
ＢＰＳＧ膜を蒸着する段階と、上記ウエハーをファーネ
スにローディングする段階と、上記ファーネスの内部温
度を上げた後、リフロー工程を実施し、上記蒸着したＢ
ＰＳＧ膜の表面を平坦化する段階と、上記ファーネスの
内部温度を急冷した後、上記ウエハーをアンローディン
グさせることにより、上記平坦化されたＢＰＳＧ膜の表
面部を急冷領域とし、内部を徐冷（徐々に温度を下げ
る）領域とする段階とからなる特徴がある。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照して本
発明に係る実施形態を詳細に説明する。図１（Ａ），
（Ｂ）は本発明によるＢＰＳＧ膜の形成方法を説明する
ため図示した素子の断面図である。図１（Ａ）は、ウエ
ハー１上に多数の下部層２が形成された全体構造の上
に、層間絶縁膜でＢＰＳＧ膜３を蒸着した状態を図示す
る。蒸着されたＢＰＳＧ膜３の表面は下部層２のため平
坦でない。
発明に係る実施形態を詳細に説明する。図１（Ａ），
（Ｂ）は本発明によるＢＰＳＧ膜の形成方法を説明する
ため図示した素子の断面図である。図１（Ａ）は、ウエ
ハー１上に多数の下部層２が形成された全体構造の上
に、層間絶縁膜でＢＰＳＧ膜３を蒸着した状態を図示す
る。蒸着されたＢＰＳＧ膜３の表面は下部層２のため平
坦でない。
【００１５】図１（Ｂ）は本発明によるアニーリング工
程を実施することにより、表面が平坦化したＢＰＳＧ膜
３Ａの形成状態を図示する。一般的に、ＢＰＳＧ膜を平
坦化するためのアニーリング工程は、ローディング（lo
ading ）、ランプアップ（ramp up ）、リフロー（refl
ow）、ランプダウン（ramp down ）、及び、アンローデ
ィング（unloading ）の５段階に分かれる。かかる段階
のうち、ＢＰＳＧ膜の水分吸収性に影響を与える段階
は、ランプダウン段階とアンローディング段階である。
程を実施することにより、表面が平坦化したＢＰＳＧ膜
３Ａの形成状態を図示する。一般的に、ＢＰＳＧ膜を平
坦化するためのアニーリング工程は、ローディング（lo
ading ）、ランプアップ（ramp up ）、リフロー（refl
ow）、ランプダウン（ramp down ）、及び、アンローデ
ィング（unloading ）の５段階に分かれる。かかる段階
のうち、ＢＰＳＧ膜の水分吸収性に影響を与える段階
は、ランプダウン段階とアンローディング段階である。
【００１６】表面が平坦化されたＢＰＳＧ膜３Ａを形成
する本発明のアニーリング工程は以下の如くである。Ｂ
ＰＳＧ膜３が蒸着されたウエハー１を、ファーネス（fu
rnace ：炉）にローディングする。この時の、ローディ
ング温度は約４００℃である。
する本発明のアニーリング工程は以下の如くである。Ｂ
ＰＳＧ膜３が蒸着されたウエハー１を、ファーネス（fu
rnace ：炉）にローディングする。この時の、ローディ
ング温度は約４００℃である。
【００１７】ランプアップ段階では、ファーネス内部の
温度が、ＢＰＳＧの転移温度である６５０乃至７００℃
の温度範囲より、２５乃至３５パーセント高い８００乃
至９５０℃の温度範囲になるように温度を上昇させる。
温度が、ＢＰＳＧの転移温度である６５０乃至７００℃
の温度範囲より、２５乃至３５パーセント高い８００乃
至９５０℃の温度範囲になるように温度を上昇させる。
【００１８】リフロー段階では、８００乃至９５０℃の
温度範囲で、窒素（Ｎ2 ）或いは、アルゴン（Ａｒ）の
ような非活性ガス環境でＢＰＳＧ膜の表面が平坦化され
る。
温度範囲で、窒素（Ｎ2 ）或いは、アルゴン（Ａｒ）の
ような非活性ガス環境でＢＰＳＧ膜の表面が平坦化され
る。
【００１９】ランプダウン(lamp down）段階では、温度
降下速度を２０乃至５０℃／ｍｉｎ．にして、リフロー
温度の９０乃至９５％の温度、例えば７００乃至９００
℃の範囲になるようにして、この温度でウエハー１をア
ンローディングさせる。
降下速度を２０乃至５０℃／ｍｉｎ．にして、リフロー
温度の９０乃至９５％の温度、例えば７００乃至９００
℃の範囲になるようにして、この温度でウエハー１をア
ンローディングさせる。
【００２０】ＢＰＳＧ膜は、転移温度以上の高温で熱処
理した場合、粘度が充分低くなるので、膜内のあらゆる
物質は自由に流動することになるが、ランプダウン段階
において温度降下速度を遅くした場合、膜内の物質が結
晶化される可能性が増大し、収縮率も大きくなり、ま
た、膜が緻密になる。
理した場合、粘度が充分低くなるので、膜内のあらゆる
物質は自由に流動することになるが、ランプダウン段階
において温度降下速度を遅くした場合、膜内の物質が結
晶化される可能性が増大し、収縮率も大きくなり、ま
た、膜が緻密になる。
【００２１】一方、温度降下速度を速くした場合、高温
における構造がそのまま維持され、温度降下速度を遅く
した場合より、膜の密度は低下するがエッチング速度は
速くなる特性がある。
における構造がそのまま維持され、温度降下速度を遅く
した場合より、膜の密度は低下するがエッチング速度は
速くなる特性がある。
【００２２】また、熱処理後、徐冷で形成されたＢＰＳ
Ｇ膜の水分吸収性は、膜内の不純物の濃度により敏感に
変わるが、相対的に、急冷で形成されたＢＰＳＧ膜の水
分吸収性は、膜内の不純物の濃度に大きく影響されない
特性がある。
Ｇ膜の水分吸収性は、膜内の不純物の濃度により敏感に
変わるが、相対的に、急冷で形成されたＢＰＳＧ膜の水
分吸収性は、膜内の不純物の濃度に大きく影響されない
特性がある。
【００２３】本発明は、かかるＢＰＳＧ膜の特性を適用
したものであり、上記アニーリング工程の結果形成され
たＢＰＳＧ膜３Ａは、その内部構造が異なるように形成
される。
したものであり、上記アニーリング工程の結果形成され
たＢＰＳＧ膜３Ａは、その内部構造が異なるように形成
される。
【００２４】即ち、ＢＰＳＧ膜３Ａの表面部は、リフロ
ー温度（８００乃至９５０℃）で膜構造がそのまま維持
された急冷領域Ａを形成する一方、ＢＰＳＧ膜３Ａの内
部は、リフロー温度（８００乃至９５０℃）で徐冷して
膜内の物質が結晶化した徐冷領域Ｂを形成する。
ー温度（８００乃至９５０℃）で膜構造がそのまま維持
された急冷領域Ａを形成する一方、ＢＰＳＧ膜３Ａの内
部は、リフロー温度（８００乃至９５０℃）で徐冷して
膜内の物質が結晶化した徐冷領域Ｂを形成する。
【００２５】このような構造を持つＢＰＳＧ膜３Ａにお
ける徐冷領域Ｂの収縮力は、急冷領域Ａの収縮力より相
対的に大きいため、急冷領域Ａに圧縮応力が作用するこ
とになる。このような圧縮応力によって、ＢＰＳＧ膜３
Ａ表面部に、結晶析出物が生成されることを抑制するこ
とができ、なおＢＰＳＧ膜３Ａの水分吸収性を減少させ
ることが出来る。
ける徐冷領域Ｂの収縮力は、急冷領域Ａの収縮力より相
対的に大きいため、急冷領域Ａに圧縮応力が作用するこ
とになる。このような圧縮応力によって、ＢＰＳＧ膜３
Ａ表面部に、結晶析出物が生成されることを抑制するこ
とができ、なおＢＰＳＧ膜３Ａの水分吸収性を減少させ
ることが出来る。
【００２６】従って、ＢＰＳＧ膜の平坦化率を上げるた
めに、ボロンとフォスフォロス各々の濃度を高く、例え
ば各々５乃至６ｗｔ％程高くドーピングしても、結晶析
出物生成と水分吸収性増大に伴う問題点は考慮しなくて
もよい。結局、本発明の目的である、ＢＰＳＧ膜の平坦
化率を上げながら、湿式エッチングの速度比を下げるこ
とが出来る。
めに、ボロンとフォスフォロス各々の濃度を高く、例え
ば各々５乃至６ｗｔ％程高くドーピングしても、結晶析
出物生成と水分吸収性増大に伴う問題点は考慮しなくて
もよい。結局、本発明の目的である、ＢＰＳＧ膜の平坦
化率を上げながら、湿式エッチングの速度比を下げるこ
とが出来る。
【００２７】本発明により形成されたＢＰＳＧ膜３Ａ
に、湿式エッチングと乾式エッチングの２段階でコンタ
クトホールを形成する場合、コンタクトホールの形状は
ワイングラスの形になる。即ち、本発明のＢＰＳＧ膜３
Ａは垂直方向に対する水平方向の湿式エッチング速度比
（ＤL ／ＤV ）を１．１２５乃至１．５程度にすること
が可能であり、図２及び図３の実験データを参照して次
の如く説明する。
に、湿式エッチングと乾式エッチングの２段階でコンタ
クトホールを形成する場合、コンタクトホールの形状は
ワイングラスの形になる。即ち、本発明のＢＰＳＧ膜３
Ａは垂直方向に対する水平方向の湿式エッチング速度比
（ＤL ／ＤV ）を１．１２５乃至１．５程度にすること
が可能であり、図２及び図３の実験データを参照して次
の如く説明する。
【００２８】図２は、ランプダウン比の函数による湿式
エッチング比を示すグラフで、アンローディング温度を
８００℃にして、ランプダウン比を−３から−５０℃／
ｍｉｎ．まで変化させながらコンタクトホールのエッチ
ング形状（profile ）を観察した結果である。
エッチング比を示すグラフで、アンローディング温度を
８００℃にして、ランプダウン比を−３から−５０℃／
ｍｉｎ．まで変化させながらコンタクトホールのエッチ
ング形状（profile ）を観察した結果である。
【００２９】ＢＰＳＧ膜の濃度が高く、ランプダウン比
が小さいほど、水平方向の湿式エッチング速度比が大き
い。一方、ランプダウン比が大きいと、濃度に関係な
く、水平方向の湿式エッチング比と垂直方向の湿式エッ
チング速度比が一定の値に近づくことがわかる。実験デ
ータによれば、ランプダウン比が２５℃／ｍｉｎ．より
速い時、湿式エッチング速度比（ＤL ／ＤV ）はドーピ
ング濃度に関係なく１．５以下で飽和する。
が小さいほど、水平方向の湿式エッチング速度比が大き
い。一方、ランプダウン比が大きいと、濃度に関係な
く、水平方向の湿式エッチング比と垂直方向の湿式エッ
チング速度比が一定の値に近づくことがわかる。実験デ
ータによれば、ランプダウン比が２５℃／ｍｉｎ．より
速い時、湿式エッチング速度比（ＤL ／ＤV ）はドーピ
ング濃度に関係なく１．５以下で飽和する。
【００３０】図３は、アンローディング温度の函数によ
る湿式エッチングを表すグラフで、ランプダウン比を−
２５℃／ｍｉｎ．とし、アンローディング温度を変化さ
せながらコンタクトホールのエッチング形状（profile
）を観察した結果である。
る湿式エッチングを表すグラフで、ランプダウン比を−
２５℃／ｍｉｎ．とし、アンローディング温度を変化さ
せながらコンタクトホールのエッチング形状（profile
）を観察した結果である。
【００３１】ＢＰＳＧ膜の濃度が高く、アンローディン
グ温度が低いほど、水平方向の湿式エッチング速度比が
大きくなる。一方、アンローディング温度が高いほど、
濃度に関係なく水平方向の湿式エッチング速度比と垂直
方向のエッチング速度比が一定の値に近づくことがわか
る。実験データによれば、アンローディング温度が７０
０℃より高い時、湿式エッチング速度比（ＤL ／ＤV ）
はドーピング濃度に関係なく１．５以下で飽和する。
グ温度が低いほど、水平方向の湿式エッチング速度比が
大きくなる。一方、アンローディング温度が高いほど、
濃度に関係なく水平方向の湿式エッチング速度比と垂直
方向のエッチング速度比が一定の値に近づくことがわか
る。実験データによれば、アンローディング温度が７０
０℃より高い時、湿式エッチング速度比（ＤL ／ＤV ）
はドーピング濃度に関係なく１．５以下で飽和する。
【００３２】結局、ＢＰＳＧ膜の水分吸収性は、ドーピ
ング濃度が高いほど強くなるので、フォトレジストとの
接着力を低下させることになり、ＢＰＳＧ膜の平坦化ア
ニーリング工程時に、ランプダウン比を速くし、高温で
アンローディングすることによりドーピング濃度に対す
る影響力を効果的に最小化出来るので、良好な形状のコ
ントタクトホールを得ることが出来る。
ング濃度が高いほど強くなるので、フォトレジストとの
接着力を低下させることになり、ＢＰＳＧ膜の平坦化ア
ニーリング工程時に、ランプダウン比を速くし、高温で
アンローディングすることによりドーピング濃度に対す
る影響力を効果的に最小化出来るので、良好な形状のコ
ントタクトホールを得ることが出来る。
【００３３】
【発明の効果】本発明は、ＢＰＳＧ膜蒸着時表面平坦性
を高めるため、従来のＢＰＳＧ蒸着時に比して、ボロン
とフォスフォロスの濃度を高くして注入することが出来
るのでＢＰＳＧ膜の平坦化率を大きくすることが出来、
また、ＢＰＳＧ膜のアニーリング工程を改善することに
より、ＢＰＳＧ膜の表面部を急冷領域に形成して、ＢＰ
ＳＧ膜の水分吸収によるフォトレジストとの接着力の低
下を防止することが出来、更に、良好な形状のコンタク
トホールの形成が可能であると同時に、ＢＰＳＧ膜上に
結晶析出物が生成されることを抑制することが出来る。
を高めるため、従来のＢＰＳＧ蒸着時に比して、ボロン
とフォスフォロスの濃度を高くして注入することが出来
るのでＢＰＳＧ膜の平坦化率を大きくすることが出来、
また、ＢＰＳＧ膜のアニーリング工程を改善することに
より、ＢＰＳＧ膜の表面部を急冷領域に形成して、ＢＰ
ＳＧ膜の水分吸収によるフォトレジストとの接着力の低
下を防止することが出来、更に、良好な形状のコンタク
トホールの形成が可能であると同時に、ＢＰＳＧ膜上に
結晶析出物が生成されることを抑制することが出来る。
【図１】（Ａ），（Ｂ）は本発明によるＢＰＳＧ膜の形
成方法を説明するため図示した断面図である。
成方法を説明するため図示した断面図である。
【図２】ランプダウン比の函数による湿式エッチング比
を表すグラフである。
を表すグラフである。
【図３】アンローディング温度の函数比による湿式エッ
チング比を表すグラフである。
チング比を表すグラフである。
１…ウエハー、２…下部層、３，３Ａ…ＢＰＳＧ膜、Ａ
…急冷領域、Ｂ…徐冷領域
…急冷領域、Ｂ…徐冷領域
Claims (7)
- 【請求項１】 ＢＰＳＧ膜形成方法において、ウエハー
上に多数の下部層が形成された全体構造の上にＢＰＳＧ
膜を蒸着する段階と、 上記ウエハーをファーネスにローディングする段階と、
上記ファーネスの内部温度を上昇させた後、リフロー工
程を実施して、上記蒸着したＢＰＳＧ膜の表面を平坦化
する段階と、 上記平坦化したＢＰＳＧ膜の表面部が急冷領域になると
同時に、内部が徐冷領域になるように上記ファーネスの
内部温度を急冷した後、上記ウエハーをアンローディン
グさせる段階とからなることを特徴とするＢＰＳＧ膜の
形成方法。 - 【請求項２】 請求項１において、上記ウエハーをロー
ディングする時、ローディング温度が４００℃であるこ
とを特徴とするＢＰＳＧ膜の形成方法。 - 【請求項３】 請求項１において、上記リフロー工程
は、ＢＰＳＧの転移温度に比べて２５乃至３５％高い温
度で実施することを特徴とするＢＰＳＧ膜の形成方法。 - 【請求項４】 請求項３において、上記ＢＰＳＧの転移
温度が６５０乃至７５０℃の温度範囲であることを特徴
とするＢＰＳＧ膜の形成方法。 - 【請求項５】 請求項１において、上記リフロー工程
は、８００乃至９５０℃の温度範囲であることを特徴と
するＢＰＳＧ膜の形成方法。 - 【請求項６】 請求項１において、上記急冷工程は、温
度降下速度を−２０乃至−５０℃／ｍｉｎ．として、上
記リフロー温度の９０乃至９５％程度の温度になるまで
実施することを特徴とするＢＰＳＧ膜の形成方法。 - 【請求項７】 請求項１において、上記ウエハーをアン
ローディングする時、アンローディング温度が７００乃
至９００℃の温度範囲であることを特徴とするＢＰＳＧ
膜の形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950018554A KR0172039B1 (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 보론 포스포러스 실리케이트 글래스막 형성방법 |
| KR95-18554 | 1995-06-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0917781A true JPH0917781A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=19419019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8028788A Pending JPH0917781A (ja) | 1995-06-30 | 1996-02-16 | Ｂｐｓｇ膜の形成方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0917781A (ja) |
| KR (1) | KR0172039B1 (ja) |
| CN (1) | CN1061635C (ja) |
| DE (1) | DE19605787B4 (ja) |
| GB (1) | GB2302870B (ja) |
| TW (1) | TW288166B (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8026525B2 (en) * | 2004-03-05 | 2011-09-27 | Showa Denko K.K. | Boron phosphide-based semiconductor light-emitting device |
| WO2006082468A1 (en) * | 2005-02-03 | 2006-08-10 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Method for high-temperature annealing a multilayer wafer |
| CN111540783B (zh) * | 2020-01-16 | 2023-09-26 | 重庆康佳光电科技有限公司 | 一种金属-氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2538722B2 (ja) * | 1991-06-20 | 1996-10-02 | 株式会社半導体プロセス研究所 | 半導体装置の製造方法 |
| KR940009599B1 (ko) * | 1991-10-30 | 1994-10-15 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 장치의 층간 절연막 형성방법 |
| US5409858A (en) * | 1993-08-06 | 1995-04-25 | Micron Semiconductor, Inc. | Method for optimizing thermal budgets in fabricating semiconductors |
-
1995
- 1995-06-30 KR KR1019950018554A patent/KR0172039B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-02-14 GB GB9603071A patent/GB2302870B/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-02-16 TW TW085102003A patent/TW288166B/zh active
- 1996-02-16 JP JP8028788A patent/JPH0917781A/ja active Pending
- 1996-02-18 DE DE19605787A patent/DE19605787B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-02-18 CN CN96105729A patent/CN1061635C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2302870B (en) | 1999-04-28 |
| GB9603071D0 (en) | 1996-04-10 |
| DE19605787A1 (de) | 1997-01-02 |
| KR970003653A (ko) | 1997-01-28 |
| DE19605787B4 (de) | 2007-05-16 |
| CN1145336A (zh) | 1997-03-19 |
| CN1061635C (zh) | 2001-02-07 |
| GB2302870A (en) | 1997-02-05 |
| TW288166B (en) | 1996-10-11 |
| KR0172039B1 (ko) | 1999-03-30 |
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