JPH09174544A - 半導体材料加工方法及び装置 - Google Patents
半導体材料加工方法及び装置Info
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- JPH09174544A JPH09174544A JP8278209A JP27820996A JPH09174544A JP H09174544 A JPH09174544 A JP H09174544A JP 8278209 A JP8278209 A JP 8278209A JP 27820996 A JP27820996 A JP 27820996A JP H09174544 A JPH09174544 A JP H09174544A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 claims description 43
- 239000003599 detergent Substances 0.000 abstract description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 19
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000010687 lubricating oil Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000008207 working material Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェーハの機械当たり及び単位時間当
たりの生産量の減少を防止する、半導体材料の加工方法
並びに加工装置を提供する。 【解決手段】 特定の周波数と特定の強度を有する音響
波に晒された洗浄剤を研削工具の作業面に供給しながら
研削工具で半導体材料を加工する方法であって、研削工
具の作業面に洗浄剤を、異なる周波数の音響波に晒され
た、少なくとも２本の洗浄剤噴流として誘導することを
特徴とする方法。
たりの生産量の減少を防止する、半導体材料の加工方法
並びに加工装置を提供する。 【解決手段】 特定の周波数と特定の強度を有する音響
波に晒された洗浄剤を研削工具の作業面に供給しながら
研削工具で半導体材料を加工する方法であって、研削工
具の作業面に洗浄剤を、異なる周波数の音響波に晒され
た、少なくとも２本の洗浄剤噴流として誘導することを
特徴とする方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特定の周波数と特
定の強度を有する音響波に晒された洗浄剤を研削工具の
作業面に供給しながら、研削工具で半導体材料を加工す
る方法に関する。本発明は、また、該方法を実施するた
めの装置に関する。
定の強度を有する音響波に晒された洗浄剤を研削工具の
作業面に供給しながら、研削工具で半導体材料を加工す
る方法に関する。本発明は、また、該方法を実施するた
めの装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】研削工
具による半導体材料の加工は、非常な高精度を要する場
合が多い。このことは、研磨切削機、所謂環状鋸を用い
てインゴット状結晶から半導体ウェーハを製造する際
に、特に該てはまる。この作業においては、製造された
半導体ウェーハができるだけ平坦且つ平行な側面を有す
ることが重要である。形状誤差は、特に、当業者の用語
でワープ（反り）と呼ばれるウェーハの撓みとして現れ
る。結晶インゴットから半導体ウェーハを製造する際に
その反りをできるだけ小さくしようとする努力は、絶え
ずなされている。
具による半導体材料の加工は、非常な高精度を要する場
合が多い。このことは、研磨切削機、所謂環状鋸を用い
てインゴット状結晶から半導体ウェーハを製造する際
に、特に該てはまる。この作業においては、製造された
半導体ウェーハができるだけ平坦且つ平行な側面を有す
ることが重要である。形状誤差は、特に、当業者の用語
でワープ（反り）と呼ばれるウェーハの撓みとして現れ
る。結晶インゴットから半導体ウェーハを製造する際に
その反りをできるだけ小さくしようとする努力は、絶え
ずなされている。
【０００３】米国特許第５３１３７４１号明細書は、鋸
刃がワークに及ぼす切削力を、切削方向とそれに垂直な
二つの方向で連続的に測定する研磨切削方法を開示して
いる。この動作と共働して、ノズルから環状鋸の切刃に
洗浄液が噴霧され、液体噴流が外部源からの超音波に晒
される。測定された切削力が特定の限界値を超えたなら
ば、前進速度を減少させる一方で鋸刃の回転速度を増加
させる。この方法は、製造される半導体ウェーハ内に生
じる反り値を小さくするが、前進速度を減少させた結果
として、半導体ウェーハの機械当たり及び単位時間当た
りの生産量が減少するので、経済的な不利益を甘受せざ
るを得ない。本発明の目的は、上述した欠点を解消する
ことである。
刃がワークに及ぼす切削力を、切削方向とそれに垂直な
二つの方向で連続的に測定する研磨切削方法を開示して
いる。この動作と共働して、ノズルから環状鋸の切刃に
洗浄液が噴霧され、液体噴流が外部源からの超音波に晒
される。測定された切削力が特定の限界値を超えたなら
ば、前進速度を減少させる一方で鋸刃の回転速度を増加
させる。この方法は、製造される半導体ウェーハ内に生
じる反り値を小さくするが、前進速度を減少させた結果
として、半導体ウェーハの機械当たり及び単位時間当た
りの生産量が減少するので、経済的な不利益を甘受せざ
るを得ない。本発明の目的は、上述した欠点を解消する
ことである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、特定の周波数
と特定の強度を有する音響波に晒された洗浄剤を研削工
具の作業面に供給しながら研削工具で半導体材料を加工
するための方法であって、少なくとも１本のノズル内で
洗浄剤を音響波に晒して研削工具の作業面にそれを誘導
することを特徴とする方法に関する。本発明は、また、
研削工具の作業面に洗浄剤を異なる周波数の音響波に晒
された、少なくとも２本の洗浄剤噴流の形で誘導するこ
とを特徴とする方法にも関する。
と特定の強度を有する音響波に晒された洗浄剤を研削工
具の作業面に供給しながら研削工具で半導体材料を加工
するための方法であって、少なくとも１本のノズル内で
洗浄剤を音響波に晒して研削工具の作業面にそれを誘導
することを特徴とする方法に関する。本発明は、また、
研削工具の作業面に洗浄剤を異なる周波数の音響波に晒
された、少なくとも２本の洗浄剤噴流の形で誘導するこ
とを特徴とする方法にも関する。
【０００５】環状鋸を用いた結晶インゴットの研削切断
による半導体ウェーハの製造に本発明を適用した場合、
生成半導体ウェーハの反り値の減少のみならず、研削工
具の前進速度の増加、従って機械当たり及び単位時間当
たりの半導体ウェーハの生産量の増加を実現することが
できる。これは、洗浄剤の作用が相当に改善される結
果、研削粒子（例えばダイヤモンド粒子）後方の切削空
間の閉塞が防止されることに起因する。
による半導体ウェーハの製造に本発明を適用した場合、
生成半導体ウェーハの反り値の減少のみならず、研削工
具の前進速度の増加、従って機械当たり及び単位時間当
たりの半導体ウェーハの生産量の増加を実現することが
できる。これは、洗浄剤の作用が相当に改善される結
果、研削粒子（例えばダイヤモンド粒子）後方の切削空
間の閉塞が防止されることに起因する。
【０００６】注目すべき生産量の増加により、本発明
は、基本的に半導体材料のあらゆる形式の研削処理に適
するが、半導体ウェーハの処理に限定されるものではな
い。結晶インゴットを半導体ウェーハに切削することに
加えて、好適な利用分野は、半導体ウェーハの縁部の厚
さ方向における及び円周線に沿った丸め、結晶インゴッ
トの円筒状研削、及びカップホイールによる平面研削、
例えば半導体ウェーハ側面の又は結晶インゴットのイン
ゴット端面の研削処理等である。
は、基本的に半導体材料のあらゆる形式の研削処理に適
するが、半導体ウェーハの処理に限定されるものではな
い。結晶インゴットを半導体ウェーハに切削することに
加えて、好適な利用分野は、半導体ウェーハの縁部の厚
さ方向における及び円周線に沿った丸め、結晶インゴッ
トの円筒状研削、及びカップホイールによる平面研削、
例えば半導体ウェーハ側面の又は結晶インゴットのイン
ゴット端面の研削処理等である。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態によれば、研
削工程中、洗浄剤は、少なくとも一つのノズルから研削
工具の作業面例えば環状鋸の刃先に誘導される。この工
程において、ノズル内で、特定の周波数と強度を有する
音響波に洗浄剤を晒す。
削工程中、洗浄剤は、少なくとも一つのノズルから研削
工具の作業面例えば環状鋸の刃先に誘導される。この工
程において、ノズル内で、特定の周波数と強度を有する
音響波に洗浄剤を晒す。
【０００８】本発明の別の実施形態は、少なくとも２本
の洗浄剤噴流を研削工具の作業面に誘導する工程を含
む。これらの洗浄剤噴流は、周波数が違う音響波に晒さ
れるので、互いに異なったものとなる。この方法は、洗
浄剤の洗浄作用と、音響波の周波数と、研削時に切削さ
れる半導体材料の粒子寸法との間に、一定の関係が存す
るという発見に基づく。比較的高周波数を有する音響波
の作用により、比較的小さい粒子が優先的に除去され、
比較的低周波数を有する音響波の作用により、比較的大
きい粒子が優先的に除去される。粒子寸法及び寸法分布
は、特に、研削工具の作業面に結合した研削粒子の粒子
寸法に応じて決まる。従って、被切削半導体材料の粒子
寸法分布を決定すること、及び、粒子の特に効果的な除
去を行い得る周波数の音響波に洗浄剤を晒すことが好適
である。好ましくは２乃至１０の、特に好ましくは２乃
至３の、異なる周波数を用いる。本方法の別の展開例で
は、更に、洗浄剤を異なる周波数及び異なる強度の音響
波に晒すことにより、使用する周波数の重み付けを行
う。洗浄剤の作用は、こうして、一層最適化される。
の洗浄剤噴流を研削工具の作業面に誘導する工程を含
む。これらの洗浄剤噴流は、周波数が違う音響波に晒さ
れるので、互いに異なったものとなる。この方法は、洗
浄剤の洗浄作用と、音響波の周波数と、研削時に切削さ
れる半導体材料の粒子寸法との間に、一定の関係が存す
るという発見に基づく。比較的高周波数を有する音響波
の作用により、比較的小さい粒子が優先的に除去され、
比較的低周波数を有する音響波の作用により、比較的大
きい粒子が優先的に除去される。粒子寸法及び寸法分布
は、特に、研削工具の作業面に結合した研削粒子の粒子
寸法に応じて決まる。従って、被切削半導体材料の粒子
寸法分布を決定すること、及び、粒子の特に効果的な除
去を行い得る周波数の音響波に洗浄剤を晒すことが好適
である。好ましくは２乃至１０の、特に好ましくは２乃
至３の、異なる周波数を用いる。本方法の別の展開例で
は、更に、洗浄剤を異なる周波数及び異なる強度の音響
波に晒すことにより、使用する周波数の重み付けを行
う。洗浄剤の作用は、こうして、一層最適化される。
【０００９】洗浄剤噴流は、ノズルから洗浄剤を噴出す
ることにより生成される。洗浄剤噴流は、外部音響源、
例えばノズルの外側に配置された音響発生器を用いて、
音響学的に照射することができる。しかしながら、やは
り、ノズル自体の中で洗浄剤を音響波に晒すことが好ま
しい。
ることにより生成される。洗浄剤噴流は、外部音響源、
例えばノズルの外側に配置された音響発生器を用いて、
音響学的に照射することができる。しかしながら、やは
り、ノズル自体の中で洗浄剤を音響波に晒すことが好ま
しい。
【００１０】本発明を実施するためには、１００ｋＨｚ
乃至１０ＭＨｚ、特に０．５乃至３ＭＨｚの周波数を有
する超音波が好適である。音響波の強度は、好ましく
は、１０乃至５００Ｗであり、この数値情報は、音響波
を生成するための電力レベルに関係する。
乃至１０ＭＨｚ、特に０．５乃至３ＭＨｚの周波数を有
する超音波が好適である。音響波の強度は、好ましく
は、１０乃至５００Ｗであり、この数値情報は、音響波
を生成するための電力レベルに関係する。
【００１１】原則的に、半導体材料の研削処理中に研削
工具の作業面と接触する洗浄剤は、全て公知のものであ
ることが好ましい。水及び液体冷却潤滑油、又はその混
合物が好適である。
工具の作業面と接触する洗浄剤は、全て公知のものであ
ることが好ましい。水及び液体冷却潤滑油、又はその混
合物が好適である。
【００１２】本発明は、また、洗浄剤を音響波に晒す手
段を有して研削工具の作業面に洗浄剤を供給しながら研
削工具で半導体材料を加工する装置であって、研削工具
の作業面に向けられた少なくとも一つのノズルと、ノズ
ル内に組み込まれて特定の周波数と強度を有する音響波
を生成する素子と、該素子を励起して振動させる発振器
とを備えたことを特徴とする装置に関する。
段を有して研削工具の作業面に洗浄剤を供給しながら研
削工具で半導体材料を加工する装置であって、研削工具
の作業面に向けられた少なくとも一つのノズルと、ノズ
ル内に組み込まれて特定の周波数と強度を有する音響波
を生成する素子と、該素子を励起して振動させる発振器
とを備えたことを特徴とする装置に関する。
【００１３】装置は、図に概略的に示されている。図
は、本発明の一層の理解に必要な特徴のみを示す。複数
のノズル２が、研削工具の作業面１、例えば環状鋸の鋸
刃の刃先の方向に向けられている。ノズルは、供給管路
３を介して、洗浄剤５を収容した貯蔵容器４に接続され
ている。例えば別々の洗浄剤が必要な場合は、各ノズル
を独自の貯蔵容器４に接続してもよい。各ノズル内に
は、例えばタンタル又は圧電性セラミック材料から作ら
れた音響発生素子６が設けられている。前記素子（変換
器）は、連係した交流−電圧源７所謂発振器により励起
され、特定の周波数及び強度で振動する。半導体材料の
処理中、一般には回転している研削工具の作業面上に、
ノズルから液体洗浄剤を加圧噴霧する。ノズルを通過す
る間に、音響エネルギが洗浄剤に伝達される。音響波の
周波数は、ノズルに組み込まれた素子６により異なる。
その強度は、連係した発振器の出力レベルにより異な
る。好ましくは、異なる周波数の音響波を生成可能な２
乃至１０個のノズルが、設けられている。
は、本発明の一層の理解に必要な特徴のみを示す。複数
のノズル２が、研削工具の作業面１、例えば環状鋸の鋸
刃の刃先の方向に向けられている。ノズルは、供給管路
３を介して、洗浄剤５を収容した貯蔵容器４に接続され
ている。例えば別々の洗浄剤が必要な場合は、各ノズル
を独自の貯蔵容器４に接続してもよい。各ノズル内に
は、例えばタンタル又は圧電性セラミック材料から作ら
れた音響発生素子６が設けられている。前記素子（変換
器）は、連係した交流−電圧源７所謂発振器により励起
され、特定の周波数及び強度で振動する。半導体材料の
処理中、一般には回転している研削工具の作業面上に、
ノズルから液体洗浄剤を加圧噴霧する。ノズルを通過す
る間に、音響エネルギが洗浄剤に伝達される。音響波の
周波数は、ノズルに組み込まれた素子６により異なる。
その強度は、連係した発振器の出力レベルにより異な
る。好ましくは、異なる周波数の音響波を生成可能な２
乃至１０個のノズルが、設けられている。
【００１４】本装置の更なる特徴として、利用可能なノ
ズル２のそれぞれの動作を特定のプログラムに応じて制
御する制御装置８、例えばマイクロプロセッサ制御装置
が、設けられている。制御可能なパラメータとして適し
ているものは、洗浄剤出力、ノズル内での音響生成、及
びノズル内で生成される音響の強度等である。
ズル２のそれぞれの動作を特定のプログラムに応じて制
御する制御装置８、例えばマイクロプロセッサ制御装置
が、設けられている。制御可能なパラメータとして適し
ているものは、洗浄剤出力、ノズル内での音響生成、及
びノズル内で生成される音響の強度等である。
【００１５】＜例＞従来の環状鋸を用いて、単結晶イン
ゴットから、２００ｍｍのウェーハ直径を有するシリコ
ン半導体ウェーハを切断した。切断工程中、環状鋸の鋸
刃の刃先に対してノズルから水を洗浄剤として噴霧し
た。合計３回の一連の試験を行い、そのうちの１回を比
較試験とした。比較試験においては、洗浄剤を音響波に
晒さなかった。試験Ｉ）の間は、洗浄剤をノズル内で１
ＭＨｚの周波数を有する超音波に晒した。試験II）の間
は、他の超音波条件を有するノズルとの交換後、３ＭＨ
ｚの周波数を有する超音波に晒した。以下に、試験結果
を表の形で示す。 比較試験 試験Ｉ） 試験II） 前進速度*) １００ １５０ １５０ 生産量*) １００ １４７ １４７ 反り*)**) １００ ７２．５ ５９．４ ＴＴＶ*)**)***) １００ ８９．０ ７２．１ ＊） 相対単位での数値情報 ＊＊） 数値：全ウェーハに対して３シグマ（９９．８７％）以上 ＊＊＊） 合計厚さ変化量
ゴットから、２００ｍｍのウェーハ直径を有するシリコ
ン半導体ウェーハを切断した。切断工程中、環状鋸の鋸
刃の刃先に対してノズルから水を洗浄剤として噴霧し
た。合計３回の一連の試験を行い、そのうちの１回を比
較試験とした。比較試験においては、洗浄剤を音響波に
晒さなかった。試験Ｉ）の間は、洗浄剤をノズル内で１
ＭＨｚの周波数を有する超音波に晒した。試験II）の間
は、他の超音波条件を有するノズルとの交換後、３ＭＨ
ｚの周波数を有する超音波に晒した。以下に、試験結果
を表の形で示す。 比較試験 試験Ｉ） 試験II） 前進速度*) １００ １５０ １５０ 生産量*) １００ １４７ １４７ 反り*)**) １００ ７２．５ ５９．４ ＴＴＶ*)**)***) １００ ８９．０ ７２．１ ＊） 相対単位での数値情報 ＊＊） 数値：全ウェーハに対して３シグマ（９９．８７％）以上 ＊＊＊） 合計厚さ変化量
【００１６】以下に、本発明の好ましい実施態様を例示
する。 （１）特定の周波数と特定の強度を有する音響波に晒さ
れた洗浄剤を研削工具の作業面に供給しながら研削工具
で半導体材料を加工する方法であって、研削工具の作業
面に洗浄剤を、異なる周波数の音響波に晒された、少な
くとも２本の洗浄剤噴流として誘導することを特徴とす
る方法。 （２）前記少なくとも２本の洗浄剤噴流が、異なる周波
数と異なる強度を有する音響波に晒されることを特徴と
する上記（１）に記載の方法。 （３）前記洗浄剤が、０．１乃至１０ＭＨｚの周波数と
１０乃至５００Ｗの強度とを有する音響波に晒されるこ
とを特徴とする上記（１）又は（２）に記載の方法。 （４）前記洗浄剤の作用が、音響波の周波数を用いて、
或いは、音響波の周波数と強度を用いて制御されること
を特徴とする上記（１）乃至（３）のいずれか一項に記
載の方法。 （５）特定の周波数と特定の強度を有する音響波に晒さ
れた洗浄剤を研削工具の作業面に供給しながら研削工具
で半導体材料を加工するための方法であって、少なくと
も１本のノズル内で洗浄剤を音響波に晒し、研削工具の
作業面にそれを誘導することを特徴とする方法。 （６）洗浄剤を音響波に晒す手段を有し、研削工具の作
業面に洗浄剤を供給しながら研削工具で半導体材料を加
工する装置であって、研削工具の作業面に向けられた少
なくとも一つのノズルと、ノズル内に組み込まれて特定
の周波数と強度とを有する音響波を生成する素子と、該
素子を励起して振動させる発振器とを備えたことを特徴
とする装置。 （７）異なる周波数の音響波がそれぞれ生成される２乃
至１０個のノズルを有することを特徴とする上記（６）
に記載の装置。 （８）ノズル内での音響波の生成、生成された音響波の
強度、ノズルからの洗浄剤の出力等を制御する制御装置
を有することを特徴とする上記（６）又は（７）に記載
の装置。
する。 （１）特定の周波数と特定の強度を有する音響波に晒さ
れた洗浄剤を研削工具の作業面に供給しながら研削工具
で半導体材料を加工する方法であって、研削工具の作業
面に洗浄剤を、異なる周波数の音響波に晒された、少な
くとも２本の洗浄剤噴流として誘導することを特徴とす
る方法。 （２）前記少なくとも２本の洗浄剤噴流が、異なる周波
数と異なる強度を有する音響波に晒されることを特徴と
する上記（１）に記載の方法。 （３）前記洗浄剤が、０．１乃至１０ＭＨｚの周波数と
１０乃至５００Ｗの強度とを有する音響波に晒されるこ
とを特徴とする上記（１）又は（２）に記載の方法。 （４）前記洗浄剤の作用が、音響波の周波数を用いて、
或いは、音響波の周波数と強度を用いて制御されること
を特徴とする上記（１）乃至（３）のいずれか一項に記
載の方法。 （５）特定の周波数と特定の強度を有する音響波に晒さ
れた洗浄剤を研削工具の作業面に供給しながら研削工具
で半導体材料を加工するための方法であって、少なくと
も１本のノズル内で洗浄剤を音響波に晒し、研削工具の
作業面にそれを誘導することを特徴とする方法。 （６）洗浄剤を音響波に晒す手段を有し、研削工具の作
業面に洗浄剤を供給しながら研削工具で半導体材料を加
工する装置であって、研削工具の作業面に向けられた少
なくとも一つのノズルと、ノズル内に組み込まれて特定
の周波数と強度とを有する音響波を生成する素子と、該
素子を励起して振動させる発振器とを備えたことを特徴
とする装置。 （７）異なる周波数の音響波がそれぞれ生成される２乃
至１０個のノズルを有することを特徴とする上記（６）
に記載の装置。 （８）ノズル内での音響波の生成、生成された音響波の
強度、ノズルからの洗浄剤の出力等を制御する制御装置
を有することを特徴とする上記（６）又は（７）に記載
の装置。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
例えば環状鋸を用いた結晶インゴットの研削切断による
半導体ウェーハの製造に適用した場合、生成半導体ウェ
ーハの反り値の減少のみならず、研削工具の前進速度の
増加、従って機械当たり及び単位時間当たりの半導体ウ
ェーハの生産量の増加を実現することができる。
例えば環状鋸を用いた結晶インゴットの研削切断による
半導体ウェーハの製造に適用した場合、生成半導体ウェ
ーハの反り値の減少のみならず、研削工具の前進速度の
増加、従って機械当たり及び単位時間当たりの半導体ウ
ェーハの生産量の増加を実現することができる。
【図１】本発明の方法を実施するための装置の概略図。
１……作業面 ２……ノズル ３……供給管路 ４……貯蔵容器 ５……洗浄剤 ６……音響発生素子 ７……交流電圧源 ８……制御装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ホルガー・ルンド ドイツ連邦共和国 ブルクハオゼン、リン ダヒャー・シュトラーセ 73 (72)発明者 カール・コーブラー オーストリア国 マテッヒホッヘン、ゲト ライダガッセ 15 (72)発明者 ハニフィ・マルコック ドイツ連邦共和国 ブルクハオゼン、アン トン−リーマーシュミッド−シュトラーセ 23
Claims (3)
- 【請求項１】 特定の周波数と特定の強度を有する音響
波に晒された洗浄剤を研削工具の作業面に供給しながら
研削工具で半導体材料を加工する方法であって、 研削工具の作業面に洗浄剤を、異なる周波数の音響波に
晒された、少なくとも２本の洗浄剤噴流として誘導する
ことを特徴とする方法。 - 【請求項２】 特定の周波数と特定の強度を有する音響
波に晒された洗浄剤を研削工具の作業面に供給しながら
研削工具で半導体材料を加工するための方法であって、 少なくとも１本のノズル内で洗浄剤を音響波に晒し、研
削工具の作業面にそれを誘導することを特徴とする方
法。 - 【請求項３】 洗浄剤を音響波に晒す手段を有し、研削
工具の作業面に洗浄剤を供給しながら研削工具で半導体
材料を加工する装置であって、 研削工具の作業面に向けられた少なくとも一つのノズル
と、 ノズル内に組み込まれて特定の周波数と強度とを有する
音響波を生成する素子と、 該素子を励起して振動させる発振器と、を備えたことを
特徴とする装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19546988A DE19546988A1 (de) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung von Halbleitermaterial |
| DE195-46-988-7 | 1995-12-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09174544A true JPH09174544A (ja) | 1997-07-08 |
| JP2875513B2 JP2875513B2 (ja) | 1999-03-31 |
Family
ID=7780295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8278209A Expired - Fee Related JP2875513B2 (ja) | 1995-12-15 | 1996-10-21 | 半導体材料加工方法及び装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5741173A (ja) |
| EP (1) | EP0779647B1 (ja) |
| JP (1) | JP2875513B2 (ja) |
| KR (1) | KR100236400B1 (ja) |
| DE (2) | DE19546988A1 (ja) |
| TW (1) | TW379376B (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10163138A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法および研磨装置 |
| US5957754A (en) * | 1997-08-29 | 1999-09-28 | Applied Materials, Inc. | Cavitational polishing pad conditioner |
| KR100567982B1 (ko) * | 1997-12-08 | 2006-04-05 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마액 공급장치 |
| KR100302482B1 (ko) * | 1998-06-23 | 2001-11-30 | 윤종용 | 반도체씨엠피공정의슬러리공급시스템 |
| US6106374A (en) * | 1998-07-16 | 2000-08-22 | International Business Machines Corporation | Acoustically agitated delivery |
| EP0988977A1 (en) * | 1998-09-24 | 2000-03-29 | Eastman Kodak Company | Ultrasonic cleaning of ink jet printhead cartridges |
| TW553780B (en) | 1999-12-17 | 2003-09-21 | Sharp Kk | Ultrasonic processing device and electronic parts fabrication method using the same |
| KR100841361B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2008-06-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 기판 세정 방법 |
| JP5261077B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2013-08-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
| EP2389273B1 (en) * | 2009-01-26 | 2013-07-17 | Elpro Oy | Ultrasonic treatment device |
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| CN104858726A (zh) * | 2015-01-23 | 2015-08-26 | 嘉兴学院 | 磁控作用下双频声空化纳米流体超精抛光装置及抛光方法 |
| US10096460B2 (en) * | 2016-08-02 | 2018-10-09 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor wafer and method of wafer thinning using grinding phase and separation phase |
| CN109226892B (zh) * | 2018-09-14 | 2020-02-14 | 嘉兴云切供应链管理有限公司 | 一种具有除锈清洗烘干功能的钢板切割装置 |
| JP2021176661A (ja) * | 2020-05-07 | 2021-11-11 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
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| JPH04122608A (ja) * | 1990-09-14 | 1992-04-23 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 内周刃スライサーによる単結晶インゴットの切断方法及び装置 |
| JP3338175B2 (ja) * | 1994-04-08 | 2002-10-28 | 国際電気アルファ株式会社 | 噴射型超音波洗浄装置 |
-
1995
- 1995-12-15 DE DE19546988A patent/DE19546988A1/de not_active Withdrawn
-
1996
- 1996-10-21 JP JP8278209A patent/JP2875513B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-10-21 US US08/734,687 patent/US5741173A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-09 TW TW085115228A patent/TW379376B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-12-12 EP EP96119964A patent/EP0779647B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-12 DE DE59600288T patent/DE59600288D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-13 KR KR1019960065197A patent/KR100236400B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100236400B1 (ko) | 1999-12-15 |
| TW379376B (en) | 2000-01-11 |
| EP0779647B1 (de) | 1998-06-17 |
| KR970052717A (ko) | 1997-07-29 |
| JP2875513B2 (ja) | 1999-03-31 |
| EP0779647A1 (de) | 1997-06-18 |
| US5741173A (en) | 1998-04-21 |
| DE19546988A1 (de) | 1997-06-19 |
| DE59600288D1 (de) | 1998-07-23 |
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