KR100841361B1 - 기판 세정 방법 - Google Patents

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KR100841361B1
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Abstract

본 발명은 막뜯김 현상을 감소시키는 기판 세정 방법에 관한 것으로, 메가 소닉(Mega Sonic)를 이용하여 0을 초과하고 30W이하의 초음파로 진동을 가하여 세정을 실시하거나, 또한, 2류체제트노즐을 이용한 세정부에 의하여 세정을 실시함으로써, 막뜯김 현상을 현저하게 감소시키는 기판의 세정 방법을 제공한다.
Figure R1020060111177
기판세정, 2류체제트노즐, Mega Sonic, Cavitation Jet

Description

기판 세정 방법{SUBSTRATE CLEANING METHOD}
도 1은 종래의 유기전계발광표시장치의 제조방법을 설명한 단면도,
도 2은 종래의 기판 세정 방법을 나타내는 순서도,
도 3a 및 3b는 종래 기판 세정 방법에 따른 불량을 나타내는 도면,
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 세정 방법을 나타내는 순서도,
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 기판 세정 방법을 나타내는 순서도,
도 6은 본 발명에 따른 세정 방법에 의한 효과를 나타내는 도면이다.
<도면 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 : 기판 110 : 버퍼층
120a : 소스영역 120b : 드레인영역
121 : 채널영역 130 : 게이트절연막
131 : 게이트전극 140 : 층간절연막
150a : 소스전극 150b : 드레인전극
160 : 보호막 170 : 평탄화막
180 : 제1전극 190 : 화소정의막
191 : 유기막층 192 : 제2전극
본 발명은 기판 세정 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 메가 소닉(Mega Sonic)를 이용하여 0을 초과하고 30W이하의 초음파로 진동을 가하여 세정을 실시하거나, 또한, 2류체 제트노즐을 이용한 세정부에 의하여 세정을 실시함으로써, 막뜯김 현상을 현저하게 감소시키는 기판 세정 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 유기전계발광소자는 ITO와 같은 투명전극인 제 1 전극(anode)과 일함수가 낮은 금속(Ca, Li,Al 등)을 사용한 제 2 전극(cathode) 사이에 유기박막층이 있는 구조로 구성된다. 이러한 유기전계발광소자에 순방향의 전압을 인가하면, 양극과 음극에서 각각 정공(hole)과 전자(electron)는 결합하여 엑시톤(exciton)을 형성하고, 엑시톤이 발광 재결합하여 전기 발광 현상을 일으킨다.
상기 제 1 전극은 반사형 즉, 빛을 반사하도록 형성하고 상기 제 2 전극은 투과형 즉, 빛을 투과하도록 형성함으로써, 상기 유기 박막층으로부터 방출되는 빛을 상기 제 2 전극방향으로 방출시키는 유기전계발광소자를 제조할 수 있다.
도 1 은 종래의 유기전계발광표시장치의 제조방법을 설명한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판(100)상에 형성된 버퍼층(110), 상기 버퍼층(110) 상에 형성된 소오스/드레인 영역(120a, 120b) 및 채널영역(121)으로 이루어지는 반도 체층과, 게이트 절연막(130) 상에 형성된 게이트 전극(131)과, 층간 절연막 상에 형성되어, 콘택홀을 통해 각각 소오스/드레인영역(120a, 120b)과 전기적으로 연결되는 소오스/드레인 전극(150a, 150b)을 구비한다.
한편, 상기 기판(100) 상에는 유기전계발광소자가 형성된다. 상기 유기전계발광소자는 박막트랜지스터 상부에 형성되어 있는 보호막(160) 및 평탄화막(190) 상에 형성되어, 비어홀을 통해 상기 드레인 전극(150b)과 전기적으로 연결되는 애노드로서의 제 1 전극(180)과 화소정의막(190) 상의 개구부를 통해 노출된 제 1 전극(180) 상에 형성된 유기막층(191) 및 상기 유기막층(191)상에 형성된 제 2 전극(192)을 구비한다.
이때, 상기 제 1 전극(180)은 ITO(indium tin oxide)막(180a)을 형성하고, 상기 ITO막(180a)의 상부에 Ag막(180b)을 차례로 형성한다. 또한, 상기 Ag막(180b)의 상부에 ITO(indium tin oxide)막(180c)을 차례로 형성하고, 이어서, 상기 ITO막(180c) 상에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 ITO막/Ag막/ITO막의 적층구조로 형성된 상기 제 1 전극막을 식각한다. 이로써 상기 ITO막, Ag막 및 ITO막이 차례로 적층된 제 1 전극(180)을 형성하게 된다. 그 후 상기 포토레지스트 패턴을 스트립 용액을 사용하여 제거하고 이후 상기 제 1 전극이 형성된 기판을 세정한다.
일반적으로, 상기한 바와 같은 유기전계발광표시장치 등의 기판을 제조하는 공정에는 기판의 표면에 기계적 또는 화학적처리를 가하는 공정이 수반되며, 이에 따라 처리된 기판의 표면을 세정하고 건조하는 공정이 필요하다.
도 2는 종래의 기판 세정 방법을 나타내는 순서도이다.
도 2를 참조하면, 단계 1에서는 세정하고자 하는 기판, 예를 들면, 상기한 바와 같은 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 식각하여 형성된 제 1 전극상에 포토레지스트막이 형성되어 있는 기판을 로딩하고 상기 기판이 반송 롤러 컨베이어를 따라 반송된다.
그리고, 단계 2에 의하면 상기 반송되는 기판은 스트립공정을 거치게 되는데, 상기 스트립공정에 의해여 상기 제 1 전극상에 형성되어 있는 포토레지스트막을 제거된다.
이어서, 단계 3에 의하면, 상기 기판은 반송 롤러 컨베이어에 의하여 스트립공정을 거쳐 브러쉬 세정부로 반송되며, 브러쉬 유닛 사이로 통과하면서 10㎛이상의 큰 이물질이 제거된다.
이때, 상기 브러쉬 유닛 상부에 설치한 노즐 분사 방식의 분사 수단에서 분사되는 증류수(D.I)에 의해서 큰 크기의 이물질이 제거된다.
곧이어, 단계 4에 의하면, 상기 기판은 반송 롤러 컨베이어에 의하여 브러쉬 세정부에서 제 1 초음파 세정부로 반송되며, 초음파 유닛인 캐비테이션 제트(Cavitation Jet, CJ)에 의해서 5㎛∼10㎛크기의 이물질이 제거된다.
이어서, 단계 5에 의하면, 상기 기판은 반송 롤러 컨베이어에 의하여 상기 제 1 초음파 세정부에서 제 2 초음파 세정부로 반송되며, 초음파 유닛인 메가 소닉(Mega Sonic, MS)에 의해서 5㎛이하 크기의 미세한 이물질이 제거된다.
상술한 바와 같이, 반송 롤러 컨베이어에 의해서 이송되는 기판은 스트립공 정, 브러쉬 유닛, 초음파 유닛 캐비테이션 제트, 초음파 유닛 메가소닉 등에 의하여 표면으로부터 이물질이 제거되며, 이후 상기 기판 상에 남아 있는 물기를 제거하기 위하여 소정의 건조 공정을 거치게 된다.
단계 6에 의하면, 상기 기판은 반송 롤러 컨베이어에 의하여 상기 제 2 초음파 세정부에서 기판의 건조를 위하여 에어 나이프(air knife) 건조부로 이송된다.
상기 에어 나이프는 압축 공기를 분사하여 세정된 기판 상에 존재하는 수분을 건조시키게 된다.
이로써, 투입된 기판이 에어 나이프에서 분사되는 열풍에 의해서 건조되는 단계를 거쳐 세정이 완료된다.
하지만, 상기와 같은 구성된 세정공정 중 초음파 유닛인 메가 소닉(Mega Sonic, MS)에 의하여 기판이 세정되는 경우, 일반적으로 80W이상의 초음파로 진동을 가하여 세정을 실시하게 된다.
따라서, 기판상에 형성된 다수의 막들 중 접착력이 약한 막은 이 공정의 영향을 받아 막과 막이 서로 분리되는 문제점이 있다.
특히, 제1전극으로 ITO/Ag/ITO의 적층구조로 형성한 경우에 있어서, Ag막과 ITO막간의 접착력이 좋지 않아 Ag막이 ITO막로부터 분리되는 현상이 더욱 문제시 되고 있다.
도 3a 및 3b는 종래 기판 세정 방법에 따른 불량을 나타내는 도면으로, 도3a를 참고하면, 상기한 바와 같은 80W이상의 초음파로 진동을 가하는 초음파 유닛 메가 소닉(Mega Sonic, MS)을 적용하는 기판 세정 방법에 따라 제 1 전극과 기판 사 이의 막뜯김 현상(A)이 나타남을 알 수 있다. 또한, 도 3b를 참고하면, 다수개의 서브픽셀 구비한 마더기판상에 상기와 같은 막뜯김 현상이 대량으로 발생한 것을 알 수 있다.
즉, 상기한 바와 같이 제1전극이 ITO/Ag/ITO의 적층 구조를 갖는 액티브 매트릭스형 유기전계발광표시장치는 상기 제1전극을 형성하기 위해 사용한 포토레지스트 패턴을 스트립용액을 사용하여 제거하고, 이를 세정하는 단계에 있어서, Ag와 ITO의 접착력이 좋지 못하여 하부 ITO막에서 Ag막이 떨어져 나가는 현상이 발생하게 되고, 이러한 막뜯김 현상으로 인하여 화소부의 암점불량이 발생하는 문제점이 있다.
따라서 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 기판을 세정하는 공정에 있어서, 0을 초과하고 30W이하의 초음파로 진동을 가하여 메가 소닉(Mega Sonic, MS)공정을 진행함으로써, Ag막이 ITO막으로부터 분리되는 현상이 없는 기판의 세정 방법을 제공하는데 목적이 있다.
또한, 본 발명은 상기 메가 소닉(Mega Sonic, MS)공정 대신에 2류체 제트노즐을 사용하여 세정 공정을 진행함으로써, Ag막이 ITO막으로부터 분리되는 현상이 없는 기판의 세정 방법을 제공하는데 목적이 있다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 기판이 로딩되어 투입되는 단계; 상기 기판이 초음파 유닛 캐비테이션 제트(Cavitation Jet)을 통과하면서 이물질이 제거되는 단계; 상기 기판이 0을 초과하고 30W이하의 초음파로 진동을 가하여 세정을 실시하는 초음파 유닛 메가 소닉(Mega Sonic)를 통과하여 이물질이 제거되는 단계; 및 상기 기판이 에어 나이프에서 분사되는 열풍에 의해서 건조되는 단계를 포함하여 이루어지는 기판 세정 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 기판이 로딩되어 투입되는 단계; 상기 기판이 초음파 유닛 캐비테이션 제트(Cavitation Jet)을 통과하면서 이물질이 제거되는 단계; 상기 기판이 2류체 제트노즐을 이용한 세정부를 통과하면서 이물질이 제거되는 단계; 및 상기 기판이 에어 나이프에서 분사되는 열풍에 의해서 건조되는 단계를 포함하여 이루어지는 기판 세정 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 기판이 로딩되어 투입되는 단계 이후, 스트립공정에 의하여 포토레지스트막을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 기판이 포토레지스트막을 제거하는 단계 이후, 브러쉬 유닛을 통과하면서 이물질이 제거되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법을 제공한다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다. 또한 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 세정 방법을 나타내는 순서도이다.
도 4를 참조하면, 단계 1에서는 세정하고자 하는 기판, 예를 들면, 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 식각하여 형성된, ITO/Ag/ITO의 적층구조의 제 1 전극상에 포토레지스트막이 형성되어 있는 기판을 로딩하고 상기 기판이 반송 롤러 컨베이어를 따라 반송된다.
그리고, 단계 2에 의하면 상기 반송되는 기판은 스트립공정을 거치게 되는데, 상기 스트립공정에 의하여 상기 제 1 전극상에 형성되어 있는 포토레지스트막을 제거된다.
이어서, 단계 3에 의하면, 상기 기판은 반송 롤러 컨베이어에 의하여 스트립공정을 거쳐 브러쉬 세정부로 반송되며, 브러쉬 유닛 사이로 통과하면서 10㎛이상의 큰 이물질이 제거된다.
이때, 상기 브러쉬 유닛 상부에 설치한 노즐 분사 방식의 분사 수단에서 분사되는 증류수(D.I)에 의해서 큰 크기의 이물질이 제거된다.
곧이어, 단계 4에 의하면, 상기 기판은 반송 롤러 컨베이어에 의하여 브러쉬 세정부에서 제 1 초음파 세정부로 반송되며, 초음파 유닛인 캐비테이션 제트(Cavitation Jet, CJ)에 의해서 5㎛∼10㎛크기의 이물질이 제거된다.
이어서, 단계 5에 의하면, 상기 기판은 반송 롤러 컨베이어에 의하여 상기 제 1 초음파 세정부에서 제 2 초음파 세정부로 반송되며, 0을 초과하고 30W이하의 초음파를 이용한 초음파 유닛인 메가 소닉(Mega Sonic, MS)에 의해서 5㎛이하 크기의 미세한 이물질이 제거된다. 상기 메가 소닉(Mega Sonic, MS)에 의한 세정은 초음파가 0W인 경우에는 세정력에 문제가 있고, 30W를 초과하는 경우에는 도3a 및 도3b와 같은 다량의 막뜯김 현상이 발생하므로, 0을 초과하고 30W이하의 초음파를 이용하여 세정을 실시한다.
즉, 0을 초과하고 30W이하의 초음파로 진동을 가하여 초음파 유닛인 메가 소닉(Mega Sonic, MS)에 의하여 기판이 세정하는 경우, 기판에 전달되는 진동이 약하기 때문에, 80W이상의 초음파로 진동을 가하여 세정을 실시하는 종래보다 막뜯김현상이 현저하게 감소한다.
또한, 하기의 표 1은 초음파 유닛인 메가 소닉(Mega Sonic)에 의해서 세정하는 경우, 각 초음파 별, 즉, 80W, 70W, 50W, 30W, 20W, 10W, 0W 별로 이물질의 제거 정도를 비교한 표이다. 이때, 상기 0W의 초음파는 메가 소닉(Mega Sonic) 세정을 실시하지 않은 것을 의미하는 것으로, 각 초음파별 2회씩의 세정을 실시하여 이물질의 제거 정도가 비교될 수 있도록 하였으며, 상기 세정의 대상이 되는 기판은 각각 서로 다른 기판을 사용하여 세정을 실시하고, 이물질의 수를 측정하여 비교하였다.
또한, 현 공정에서는 이물질의 개수가 100개 미만인 경우를 양호한 세정으로 평가하고 있으며, 상기 이물질의 개수는 세정의 대상이 되는 각각 서로 다른 기판 별로 세정전의 이물질의 개수가 다르며, 또한, 상기 이물질은 각 단계별 세정유닛, 예를 들면, 제1초음파 세정부에서 제2초음파 세정부로 이동하면서 일정량 증가할 수 있다. 하기의 표 1에서 각 초음파별로 이물질의 수의 편차가 발생하는 것은 상기와 같은 이유 때문이다.
메가소닉초음파(W) 이물질의 수(개)
80W 59
47
70W 72
47
50W 63
57
30W 48
47
20W 74
71
10W 84
45
0W 127
121
상기 표 1을 참고하면, 종래기술에 따른 80W의 초음파를 사용한 메가 소닉(Mega Sonic) 세정의 경우에 기판상의 이물질의 수는 59개 또는 47개로 100개 미만에 해당하므로, 양호한 세정에 해당함을 알 수 있다.
또한, 본 발명의 제1실시예에 따른 0을 초과하고 30W의 초음파를 사용한 메가 소닉(Mega Sonic) 세정의 경우에도 기판상의 이물질의 수가 100개 미만에 해당하여, 양호한 세정에 해당함을 알 수 있다.
하지만, 0W의 초음파, 즉, 메가 소닉(Mega Sonic) 세정을 실시하지 않은 경우에는 이물질의 수가 127 또는 121개로 100개 이상이 되므로 양호한 세정이라고 할 수 없다.
즉, 표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 메가 소닉(Mega Sonic) 세정을 실시하지 않은 경우(0W)를 제외하고는 세정상태가 양호함을 알 수 있고, 따라서, 본 발명의 제1실시예에 따른 메가 소닉(Mega Sonic)에서의 초음파를 0을 초과하고 30W를 사용하더라도 종래의 80W를 사용한 경우에 비교하여 세정력에 차이가 발생하는 것이 아님을 알 수 있다.
상술한 바와 같이, 반송 롤러 컨베이어에 의해서 이송되는 기판은 스트립공정, 브러쉬 유닛, 초음파 유닛 캐비테이션 제트, 초음파 유닛 메가 소닉에 의하여 표면으로부터 이물질이 제거되며, 이후 상기 기판 상에 남아 있는 물기를 제거하기 위하여 소정의 건조 공정을 거치게 된다.
이어서, 단계 6에 의하면, 상기 기판은 반송 롤러 컨베이어에 의하여 상기 제 2 초음파 세정부에서 기판의 건조를 위하여 에어 나이프(air knife) 건조부로 이송된다.
상기 에어 나이프는 압축 공기를 분사하여 세정된 기판 상에 존재하는 수분을 건조시키게 된다.
이로써, 투입된 기판이 에어 나이프에서 분사되는 열풍에 의해서 건조되는 단계를 거쳐 세정이 완료된다.
본원발명의 제1실시예에서는 초음파 유닛인 메가 소닉(Mega Sonic, MS)에 의하여 기판이 세정되는 경우, 0을 초과하고 30W이하의 초음파로 진동을 가하여 세정을 실시하게 되어 기판에 전달되는 진동이 약하게 함으로써, 80W이상의 초음파로 진동을 가하여 세정을 실시하는 종래보다 세정력에는 차이가 발생함이 없이, 막뜯김현상이 현저하게 감소한다.
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 기판 세정 방법을 나타내는 순서도이다.
도 5을 참조하면, 단계 1에서는 세정하고자 하는 기판, 예를 들면, 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 식각하여 형성된, ITO/Ag/ITO의 적층구조의 제 1 전극상에 포토레지스트막이 형성되어 있는 기판을 로딩하고 상기 기판이 반송 롤러 컨베이어를 따라 반송된다.
그리고, 단계 2에 의하면 상기 반송되는 기판은 스트립공정을 거치게 되는데, 상기 스트립공정에 의하여 상기 제 1 전극상에 형성되어 있는 포토레지스트막을 제거된다.
이어서, 단계 3에 의하면, 상기 기판은 반송 롤러 컨베이어에 의하여 스트립공정을 거쳐 브러쉬 세정부로 반송되며, 브러쉬 유닛 사이로 통과하면서 10㎛이상의 큰 이물질이 제거된다.
이때, 상기 브러쉬 유닛 상부에 설치한 노즐 분사 방식의 분사 수단에서 분사되는 증류수(D.I)에 의해서 큰 크기의 이물질이 제거된다.
곧이어, 단계 4에 의하면, 상기 기판은 반송 롤러 컨베이어에 의하여 브러쉬 세정부에서 제 1 초음파 세정부로 반송되며, 초음파 유닛인 캐비테이션 제트(Cavitation Jet, CJ)에 의해서 5㎛∼10㎛크기의 이물질이 제거된다.
이어서, 단계 5에 의하면, 상기 기판은 반송 롤러 컨베이어에 의하여 상기 제 1 초음파 세정부에서 2류체제트노즐을 이용한 세정부로 반송되며, 5㎛이하 크기의 미세한 이물질이 제거된다. 상기 2류체제트노즐을 이용한 세정부에 의한 세정은 2류체제트노즐에서는 개스와 액체가 혼합되고, 액체는 입자모양의 액적으로 변화하여, 상기 입자모양의 액적을 기판상에 분출하여 오염물을 제거하는 방법이다.
보다 자세하게는 2류체제트노즐을 이용한 세정은 공개특허 제1998-63459호에 개시된 바와 같이, 세정용 2류체제트노즐은 그 안을 개스가 통과하는 제 1 관로와 제 1 관로의 외측에서 제 1 관로의 측벽을 관통하고, 제 1 관로내에까지 그 선단부가 연장되어, 그 안을 액체가 통과하는 제 2 관로를 구비하고 있으며, 기판의 표면을 향해서 분출하는 세정용 2류체제트노즐과, 세정용 2류체제트노즐에 가압한 개스를 공급하는 개스공급수단과, 세정용 2류체제트노즐에 가압한 액체를 공급하는 액체공급수단을 구비하여 개스공급수단으로 가압한 개스와, 또 액체공급수단으로 가압한 액체를 각각 세정용 2류체제트노즐에 공급하고, 세정용 2류체제트노즐에서는 개스와 액체가 혼합되고, 액체는 입자모양의 액적으로 변화하여 제 1 관로내에서 개스의 흐름에 의해 가속되며, 제 1 관로의 선단에서 분출되어, 분출된 액적은 기판의 표면에 충돌하여, 표면상에 부착되어 있는 이물질을 제거한다.
이때, 2류체제트노즐을 이용한 세정부에 의하여 기판이 세정하는 경우, 기판에 가해지는 전체적인 힘이 약하고 전체적으로 수직인 방향으로 압력이 가해져서 액적이 분출되기 때문에, 80W이상의 초음파로 진동을 가하여 세정을 실시하는 종래보다 막뜯김현상이 현저하게 감소한다.
또한, 하기의 표 2는 메가 소닉(Mega Sonic)에 의해서 80W의 초음파로 세정하는 경우와 2류체제트노즐을 이용한 세정부에 의하여 세정하는 경우의 이물질의 제거 정도를 비교한 표이다. 상기 2류체제트노즐은 개스의 유량을 150 NL/min, 액체의 유량을 1.5 L/min으로 하여 세정을 실시하였다.
또한, 현 공정에서는 이물질의 개수가 100개 미만인 경우를 양호한 세정으로 평가하고 있으며, 상기 이물질의 개수는 세정의 대상이 되는 각각 서로 다른 기판별로 세정전의 이물질의 개수가 다르며, 또한, 상기 이물질은 각 단계별 세정유닛, 예를 들면, 제1초음파 세정부에서 2류체제트노즐 세정부로 이동하면서 일정량 증가할 수 있다.
세정방법 이물질의 수(개)
80W 메가 소닉 세정 81
2류체제트노즐 세정 54
상기 표 1을 참고하면, 종래기술에 따른 80W의 초음파를 사용한 메가 소닉(Mega Sonic) 세정의 경우에 기판상의 이물질의 수는 81개로 100개 미만에 해당하므로, 양호한 세정에 해당함을 알 수 있다.
또한, 본 발명의 제2실시예에 따른 2류체제트노즐에 의한 세정의 경우에도 기판상의 이물질의 수가 54개로 100개 미만에 해당하여, 양호한 세정에 해당함을 알 수 있다.
즉, 표 2에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 2류체제트노즐에 의한 세정을 실시하더라도 종래의 80W를 사용한 경우에 비교하여 세정력에 차이가 발생하는 것이 아님을 알 수 있다.
상술한 바와 같이, 반송 롤러 컨베이어에 의해서 이송되는 기판은 스트립공정, 브러쉬 유닛, 초음파 유닛 캐비테이션 제트, 2류체제트노즐을 이용한 세정부에 의하여 표면으로부터 이물질이 제거되며, 이후 상기 기판 상에 남아 있는 물기를 제거하기 위하여 소정의 건조 공정을 거치게 된다.
단계 6에 의하면, 상기 기판은 반송 롤러 컨베이어에 의하여 상기 2류체제트노즐을 이용한 세정부에서 기판의 건조를 위하여 에어 나이프(air knife) 건조부로 이송된다.
상기 에어 나이프는 압축 공기를 분사하여 세정된 기판 상에 존재하는 수분을 건조시키게 된다.
이로써, 투입된 기판이 에어 나이프에서 분사되는 열풍에 의해서 건조되는 단계를 거쳐 세정이 완료된다.
본원발명의 제2실시예에서는 초음파 유닛인 메가 소닉(Mega Sonic, MS)에 의하여 기판을 세정하는 대신, 2류체제트노즐을 이용한 세정부에 의하여 세정을 실시하여, 기판에 가해지는 전체적인 힘이 약하고 전체적으로 수직인 방향으로 압력이 가해져서 액적이 분출되기 때문에, 초음파 유닛 메가 소닉(Mega Sonic, MS)에 의하여 80W이상의 초음파로 진동을 가하여 세정을 실시하는 종래보다 세정력에 차이가 없이 막뜯김현상이 현저하게 감소한다.
도 6은 본 발명에 따른 세정 방법에 의한 효과를 나타내는 도면이다
도 6을 도 3b와 비교하여 참고하면, 초음파 유닛 메가 소닉(Mega Sonic, MS)를 이용하여 80W이상의 초음파로 진동을 가하여 세정을 실시하는 종래기술보다, 초음파 유닛 메가 소닉(Mega Sonic, MS)를 이용하여 0을 초과하고 30W이하의 초음파로 진동을 가하여 세정을 실시하는 본 발명의 제1실시예 및 2류체제트노즐을 이용한 세정부에 의하여 세정을 실시하는 본 발명의 제2실시예의 경우가 다수개의 서브픽셀을 구비한 마더기판상에 막뜯김 현상이 현저하게 감소하는 것을 알 수 있다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
따라서 본 발명에 따른 기판 세정 방법은 메가 소닉(Mega Sonic, MS)를 이용하여 0을 초과하고 30W이하의 초음파로 진동을 가하여 세정을 실시함으로써, 세정력에는 차이가 발생함이 없이 막뜯김 현상을 현저하게 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판 세정 방법은 2류체제트노즐을 이용한 세정부에 의하여 세정을 실시함으로써, 세정력에 차이가 발생함이 없이 막뜯김 현상을 현저하게 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판 세정 방법은 상기한 바와 같이 막뜯김 현상을 감소시킴으로써, 화소부에서 발생하는 암점불량을 현저하게 감소시키는 효과가 있다.

Claims (10)

  1. 기판이 로딩되어 투입되는 단계;
    스트립공정에 의하여 상기 기판의 포토레지스트막을 제거하는 단계;
    상기 기판이 초음파 유닛 캐비테이션 제트(Cavitation Jet)을 통과하면서 이물질이 제거되는 단계;
    상기 기판이 0을 초과하고 30W이하의 초음파로 진동을 가하여 세정을 실시하는 초음파 유닛 메가 소닉(Mega Sonic)를 통과하여 이물질이 제거되는 단계; 및
    상기 기판이 에어 나이프에서 분사되는 열풍에 의해서 건조되는 단계를 포함하여 이루어지는 기판 세정 방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판이 포토레지스트막을 제거하는 단계 이후, 브러쉬 유닛을 통과하면서 이물질이 제거되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 제1전극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1전극은 ITO/Ag/ITO의 적층구조인 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  6. 기판이 로딩되어 투입되는 단계;
    상기 기판이 초음파 유닛 캐비테이션 제트(Cavitation Jet)을 통과하면서 이물질이 제거되는 단계;
    상기 기판이 2류체 제트노즐을 이용한 세정부를 통과하면서 이물질이 제거되는 단계; 및
    상기 기판이 에어 나이프에서 분사되는 열풍에 의해서 건조되는 단계를 포함하여 이루어지는 기판 세정 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 기판이 로딩되어 투입되는 단계 이후, 스트립공정에 의하여 포토레지스트막을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 기판이 포토레지스트막을 제거하는 단계 이후, 브러쉬 유닛을 통과하면서 이물질이 제거되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  9. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    상기 기판은 제1전극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1전극은 ITO/Ag/ITO의 적층구조인 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
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