JPS6311273A - ラツピング加工方法 - Google Patents
ラツピング加工方法Info
- Publication number
- JPS6311273A JPS6311273A JP15325286A JP15325286A JPS6311273A JP S6311273 A JPS6311273 A JP S6311273A JP 15325286 A JP15325286 A JP 15325286A JP 15325286 A JP15325286 A JP 15325286A JP S6311273 A JPS6311273 A JP S6311273A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- processing
- workpiece
- slurry
- lapping
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 67
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 4
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 13
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract description 6
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 3
- 229920003319 Araldite® Polymers 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002480 mineral oil Substances 0.000 description 1
- 235000010446 mineral oil Nutrition 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
- B28D5/045—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with wires or closed-loop blades
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/007—Use, recovery or regeneration of abrasive mediums
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は硬質の被加工物のラッピング加工方法に係り、
特に加工時間を短縮し、加工精度を向上させたラッピン
グ加工方法に関する。
特に加工時間を短縮し、加工精度を向上させたラッピン
グ加工方法に関する。
（従来の技術）
従来硬質の被加工物、例えば水晶、圧電単結晶、ｓ ｒ
、ＧａＰ、ＧＱＡＳ等の単結晶を切断してウェハに加
工する方法として、砥粒と加工液とを含むスラリーを単
結晶に加えながらワイヤソーやバンドソー等により単結
晶を切断して加工を行なうラッピング加工方法が一般的
に採用されている。
、ＧａＰ、ＧＱＡＳ等の単結晶を切断してウェハに加
工する方法として、砥粒と加工液とを含むスラリーを単
結晶に加えながらワイヤソーやバンドソー等により単結
晶を切断して加工を行なうラッピング加工方法が一般的
に採用されている。
第２図はマルチブレードソーを用いたバンドソ一方式の
ラッピング加工方法に使用する装置の一例を示す図であ
る。被加工物として、例えばＬｉＴａＯ２の単結晶１が
ベース材２上に載置され、単結晶の上に砥粒と加工液と
を含むスラリー３を注ぎながら、加工具として多数配置
されたブレード４を左右に移動させながら単結晶１の切
断を行なうことにより、単結晶１が加工され―ウェハ素
材が１ｑられる。
ラッピング加工方法に使用する装置の一例を示す図であ
る。被加工物として、例えばＬｉＴａＯ２の単結晶１が
ベース材２上に載置され、単結晶の上に砥粒と加工液と
を含むスラリー３を注ぎながら、加工具として多数配置
されたブレード４を左右に移動させながら単結晶１の切
断を行なうことにより、単結晶１が加工され―ウェハ素
材が１ｑられる。
スラリー３としては、種々の組成のものがあるが、基本
的には炭化ケイ素、アルミナ等の砥粒と、鉱物油を主成
分とする、いわゆるラップオイルと称する加工液とを混
合したものが一般的に用いられている。
的には炭化ケイ素、アルミナ等の砥粒と、鉱物油を主成
分とする、いわゆるラップオイルと称する加工液とを混
合したものが一般的に用いられている。
第３図は鋼ワイヤを用いたワイヤソ一方式のラッピング
加工方法に使用する装置の一例を示す図である。この装
置でも、上述したバンドソ一方式のラッピング加工方法
と同様単結晶１をベース材２上に′ｕ、置し、単結晶の
上に砥粒と加工液とを含むスラリー３を注ぎながら加工
を行なうが、このワイヤソ一方式のラッピング加工方法
においては、鋼ワイヤからなるワイヤソー５を左右に移
動させながらローラ６に巻取っていくことにより単結晶
１の切断加工が行なわれ、ウェハ素材が得られる。
加工方法に使用する装置の一例を示す図である。この装
置でも、上述したバンドソ一方式のラッピング加工方法
と同様単結晶１をベース材２上に′ｕ、置し、単結晶の
上に砥粒と加工液とを含むスラリー３を注ぎながら加工
を行なうが、このワイヤソ一方式のラッピング加工方法
においては、鋼ワイヤからなるワイヤソー５を左右に移
動させながらローラ６に巻取っていくことにより単結晶
１の切断加工が行なわれ、ウェハ素材が得られる。
（発明が解決しようとする問題点）
このようなラッピング加工方法は特にへき開の強い単結
晶の加工に適した方法であるが、被加工物が単結晶の場
合、切断速度が数ｍｍ／時間と遅いため加工時間を多く
必要とするという難点があつた。また加工された単結晶
のウェハ素材の伸直度にばらつきが発生したり、ウェハ
割れが発生ずる等の問題がしばしば起ぎた。
晶の加工に適した方法であるが、被加工物が単結晶の場
合、切断速度が数ｍｍ／時間と遅いため加工時間を多く
必要とするという難点があつた。また加工された単結晶
のウェハ素材の伸直度にばらつきが発生したり、ウェハ
割れが発生ずる等の問題がしばしば起ぎた。
バンドソ一方式のラッピング加工方法に比ベワイヤソ一
方式のラッピング加工方法は砥粒が比較的均一に分散す
るため、単結晶のＶ′Ｊ断速度がバンドソ一方式におけ
る切断速度の２〜３倍になるが１、加工された単結晶の
ウェハ素材の伸直度はざらにばらつきが多くなり、また
しばしばワイヤに断線が発生する等の問題があった。
方式のラッピング加工方法は砥粒が比較的均一に分散す
るため、単結晶のＶ′Ｊ断速度がバンドソ一方式におけ
る切断速度の２〜３倍になるが１、加工された単結晶の
ウェハ素材の伸直度はざらにばらつきが多くなり、また
しばしばワイヤに断線が発生する等の問題があった。
本発明はこのような問題を解決するためになされたもの
で、加工時間を短縮し、かつ加工精度を向上させたラッ
ピング加工方法を提供するものである。
で、加工時間を短縮し、かつ加工精度を向上させたラッ
ピング加工方法を提供するものである。
［発明の構成コ
（問題点を解決するための手段）
本発明のラッピング加工方法は、砥粒と加工液とを含む
スラリーを硬質の被加工物とこの被加工物に押しあてら
れた加工具の間に注入しつつ、この被加工物と加工具を
相対運動させて加工を行なうラッピング加工方法におい
て、前記被加工物および／またはスラリーに超音波振動
を与えながら加工を行うことを特徴とする。
スラリーを硬質の被加工物とこの被加工物に押しあてら
れた加工具の間に注入しつつ、この被加工物と加工具を
相対運動させて加工を行なうラッピング加工方法におい
て、前記被加工物および／またはスラリーに超音波振動
を与えながら加工を行うことを特徴とする。
本発明は、特に被加工物が単結晶である場合に適してい
る。
る。
また本発明に用いる加工具としては、鋼ワイヤにより加
工を行なうワイヤソーが好適である。
工を行なうワイヤソーが好適である。
（作用）
砥粒と加工液とを含むスラリーに超音波振動を与えるこ
とにより単結晶等の被加工物上に流れ落ちた砥粒に振動
が加えられ、ざらに砥粒がスラリー中に均一に分散され
るので、被加工物の切断、加工が促進され、加工時間が
大幅に短縮される。
とにより単結晶等の被加工物上に流れ落ちた砥粒に振動
が加えられ、ざらに砥粒がスラリー中に均一に分散され
るので、被加工物の切断、加工が促進され、加工時間が
大幅に短縮される。
第４図は、ワイヤソ一方式のラッピング加工方法により
直径３インチ×長さ１００龍の１−ｉＴａＯ３の単結晶
を切断、加工してウェハ素材を製造した時の加工速度の
時間的変化を示すグラフである。図中Ａは本発明のラッ
ピング加工方法における加工速度、Ｂは従来のラッピン
グ加工方法における加工速度を示す。
直径３インチ×長さ１００龍の１−ｉＴａＯ３の単結晶
を切断、加工してウェハ素材を製造した時の加工速度の
時間的変化を示すグラフである。図中Ａは本発明のラッ
ピング加工方法における加工速度、Ｂは従来のラッピン
グ加工方法における加工速度を示す。
このグラフから分るように、従来のラッピング加工方法
ではスラリーを加えてから時間的経過が少ない間は砥粒
が比較的均一に分散するため加工速度の減少は小さいが
、時間の経過とともにスラリーが均一に分散し難くなり
、また単結晶の切断面の増加とともにワイヤソーが受け
る抵抗力が大きくなるため、加工速度が急速に減少する
。その後は単結晶の切断面は減少していくため加工速度
が減少する割合は小さくなる。
ではスラリーを加えてから時間的経過が少ない間は砥粒
が比較的均一に分散するため加工速度の減少は小さいが
、時間の経過とともにスラリーが均一に分散し難くなり
、また単結晶の切断面の増加とともにワイヤソーが受け
る抵抗力が大きくなるため、加工速度が急速に減少する
。その後は単結晶の切断面は減少していくため加工速度
が減少する割合は小さくなる。
一方本発明のラッピング加工方法においては、砥粒は超
音波振動により常に均一に分散されるので加工速度はほ
とんど減少しない。従って本発明のラッピング加工方法
によれば、単結晶等の被加工物の加工時間が大幅に短縮
される。
音波振動により常に均一に分散されるので加工速度はほ
とんど減少しない。従って本発明のラッピング加工方法
によれば、単結晶等の被加工物の加工時間が大幅に短縮
される。
また本発明のラッピング加工方法においては、砥粒が均
一に分散されるため、加工された単結晶のウェハに歪み
が生じることがほとんどなく、加工精度が向上される。
一に分散されるため、加工された単結晶のウェハに歪み
が生じることがほとんどなく、加工精度が向上される。
（実施例）
次に本発明の実施例について説明する。
実施例においては、被加工物としてへき間の強い単結晶
を用い、単結晶をｌ！置した台の下部に超音波振動子を
設置して超音波振動を発生させて単結晶の切断、加工を
行なう。このとき単結晶の回りをガラス板等で覆って加
工液を単結晶に均一に分散させることが好ましい。また
加工装置の端面に別の振動子を添附して振動を加えたり
、単結晶が圧電体の場合に、単結晶の両端に電極をつけ
て振動を加えてもよい。
を用い、単結晶をｌ！置した台の下部に超音波振動子を
設置して超音波振動を発生させて単結晶の切断、加工を
行なう。このとき単結晶の回りをガラス板等で覆って加
工液を単結晶に均一に分散させることが好ましい。また
加工装置の端面に別の振動子を添附して振動を加えたり
、単結晶が圧電体の場合に、単結晶の両端に電極をつけ
て振動を加えてもよい。
実施例１
第１図に示すように、直径３インチ、長さ１００ｍｍの
１ｉＴａ○３の単結晶に単一分域化、端面およびオリエ
ンテーションフラット加工を施した模、この単結晶１を
有機接着材にてガラス板８に接着させ、このガラス板８
の下部に共振周波数２０ ｋＨｚのランジュバン振動子
７を設置した。そして振動子７により５０Ｗ／ｃシでガ
ラス板８を振動させ、単結晶の上にスラリー３を加えな
がら、直径０．１６ｍ１のピアノ線５をローラ６に巻取
っていくことにより単結晶１の切断加工を行なった。
１ｉＴａ○３の単結晶に単一分域化、端面およびオリエ
ンテーションフラット加工を施した模、この単結晶１を
有機接着材にてガラス板８に接着させ、このガラス板８
の下部に共振周波数２０ ｋＨｚのランジュバン振動子
７を設置した。そして振動子７により５０Ｗ／ｃシでガ
ラス板８を振動させ、単結晶の上にスラリー３を加えな
がら、直径０．１６ｍ１のピアノ線５をローラ６に巻取
っていくことにより単結晶１の切断加工を行なった。
この時のスライスピッチは０．８ｍｍであった。またス
ラリー３はＧ Ｃ＃ １０００の砥粒とラップオイルと
を混合したものを使用した。
ラリー３はＧ Ｃ＃ １０００の砥粒とラップオイルと
を混合したものを使用した。
この実施例における加工時間は８時間であった。
また加工されたウェハの平行度を測定したところ、その
伸直度は５μｍ以内であり、ウェハ面はなめらかであっ
た。
伸直度は５μｍ以内であり、ウェハ面はなめらかであっ
た。
一方振動子７を用いなかった点を除いて実施例１と同一
の単結晶を同一の方法で加工したところ、その加工時間
は２０時間であり、かつ加工されたウェハの伸直度は２
０〜３０μｍであった。
の単結晶を同一の方法で加工したところ、その加工時間
は２０時間であり、かつ加工されたウェハの伸直度は２
０〜３０μｍであった。
実施例２
被加工物として直径３インチ、長さ１２０１のＬｉＮｂ
Ｏｘの単結晶を用いた点以外は実施例１と同様にして加
工を行なった。
Ｏｘの単結晶を用いた点以外は実施例１と同様にして加
工を行なった。
この実施例における加工時間は６時間であった。
また加工されたウェハの砥精度は５μｍ以下であった。
一方振動子を用いなかった点を除いて実施例２と同一の
単結晶を同一の方法で加工したところ、その加工時間は
約１４時間であった。
単結晶を同一の方法で加工したところ、その加工時間は
約１４時間であった。
実施例３
被加工物として直径３インチ、長さ８０１１の１−ｉＴ
ａ○３の単結晶を用い、第２図に示すようなマルチバン
ドソーを用いた装置により加工を行なった。
ａ○３の単結晶を用い、第２図に示すようなマルチバン
ドソーを用いた装置により加工を行なった。
まず単一分域化し、端面加工および外周加工を施しオリ
エンテーションフラット加工を行なった単結晶を有機接
着材にてガラス板に接着させ、さらに単結晶の側面を厚
さ５ｍｍのガラス板で囲い、単結晶をｉＦｌ！置したガ
ラス板の下部に振動数１０ ｋｌｌｚのフェライト振動
子を設置した。そしてこの振動子により８０Ｗ／ｃ７で
ガラス板を振動させ、実施例１．２と同様にスラリーを
単結晶の上に加えながら、マルチバンドソーにより単結
晶の切断、加工を行なった。
エンテーションフラット加工を行なった単結晶を有機接
着材にてガラス板に接着させ、さらに単結晶の側面を厚
さ５ｍｍのガラス板で囲い、単結晶をｉＦｌ！置したガ
ラス板の下部に振動数１０ ｋｌｌｚのフェライト振動
子を設置した。そしてこの振動子により８０Ｗ／ｃ７で
ガラス板を振動させ、実施例１．２と同様にスラリーを
単結晶の上に加えながら、マルチバンドソーにより単結
晶の切断、加工を行なった。
この実施例における加工時間は２０時間であった。
また加工されたウェハは加工面に段差がほとんどなく面
精瓜が良好であり、伸直度は５μｍであった。
精瓜が良好であり、伸直度は５μｍであった。
一方振動子を用いなかった点を除いて実施例３と同一の
単結晶を同一の方法で加工したところ、その加工時間は
約４０時間であった。
単結晶を同一の方法で加工したところ、その加工時間は
約４０時間であった。
実施例４
被加工物として、直径３インチ、長さ１００寵のＬｉＴ
ａＯ３のＺ軸引上単結晶を用いてワイヤソーを用いた装
置により加工を行なった。
ａＯ３のＺ軸引上単結晶を用いてワイヤソーを用いた装
置により加工を行なった。
まず熱処理後車−分域化し、端面および外周加工後オリ
エンテーションフラット加工を行なった単結晶の端部両
面にＡｇ電極を添附した。この単結晶をガラス板ヘエボ
キシ樹脂（商品名：アラルダイト）により接着し、超音
波発掘器により３００ｋＨ２でガラス板を振動させなが
ら、実施例１．２と同様にスラリーを単結晶の上に加え
ながら、ワイヤソーにより単結晶の切断、加工を行なっ
た。
エンテーションフラット加工を行なった単結晶の端部両
面にＡｇ電極を添附した。この単結晶をガラス板ヘエボ
キシ樹脂（商品名：アラルダイト）により接着し、超音
波発掘器により３００ｋＨ２でガラス板を振動させなが
ら、実施例１．２と同様にスラリーを単結晶の上に加え
ながら、ワイヤソーにより単結晶の切断、加工を行なっ
た。
この実施例における加工時間は、１０時間であった。ま
た加工されたウェハの平行度精度は５μｍ以下であった
。またスラリー中の砥粒がガイドローラに運ばれてワイ
ヤソーを痛めることが少なくなり、ワイヤソーの部品交
換の回数が少なくなった。
た加工されたウェハの平行度精度は５μｍ以下であった
。またスラリー中の砥粒がガイドローラに運ばれてワイ
ヤソーを痛めることが少なくなり、ワイヤソーの部品交
換の回数が少なくなった。
一方振動子を用いなかった点を除いて実施例４と同一の
単結晶を同一の方法で加工したところ、その加工時間は
約１８時間であった。
単結晶を同一の方法で加工したところ、その加工時間は
約１８時間であった。
実施例５
被加工物として直径３インチ、長さ９０１１のｌｉＮ
ｂ Ｏ３のＺ軸引上単結晶を用いて、実施例４と同様に
して加工を行なった。但し、このときの超音波発振器に
よる振動周波数は４００ＫＨｚである。
ｂ Ｏ３のＺ軸引上単結晶を用いて、実施例４と同様に
して加工を行なった。但し、このときの超音波発振器に
よる振動周波数は４００ＫＨｚである。
この実施例における加工時間は８時間であった。
また加工されたウェハの平行度精度は５μｍ以下であっ
た。さらにスラリー中の砥粒がガイドローラに運ばれて
ワイヤソーを痛めることが少なくなり、ワイヤソーの部
品交換の回数が少なくなった。
た。さらにスラリー中の砥粒がガイドローラに運ばれて
ワイヤソーを痛めることが少なくなり、ワイヤソーの部
品交換の回数が少なくなった。
一方振動子を用いなかった点を除いて実施例５と同一の
単結晶を同一の方法で加工したところ、その加工時間は
約１４時間であった。
単結晶を同一の方法で加工したところ、その加工時間は
約１４時間であった。
実施例６
被加工物として、直径３インチ、長さ１００ ｎｕのＬ
ｉＴａ−０３のＸ軸引上単結晶を用いて、ワイヤソーを
用いた装置により加工を行なった。
ｉＴａ−０３のＸ軸引上単結晶を用いて、ワイヤソーを
用いた装置により加工を行なった。
熱処理後車−分域化し、端面および外周加工後オリエン
テーションフラット加工を行なった単結晶の端面下部に
ＡＣ＋ペーストにて直径２０龍、厚さ３．６ｉｉ（７）
Ｌ ｉ Ｎｂ０＝ Ｚ板振動子を接着し、この単結晶を
ガラス板にエポキシ樹脂（商品名：アラルダイト）によ
り接着した。そして超音波発掘器にて１ＨＨ１でＬ！Ｎ
ｂＯ３素子を発振させ、実施例１〜５と同様にスラリー
を単結晶の上から加えながら単結晶の切断、加工を行な
った。
テーションフラット加工を行なった単結晶の端面下部に
ＡＣ＋ペーストにて直径２０龍、厚さ３．６ｉｉ（７）
Ｌ ｉ Ｎｂ０＝ Ｚ板振動子を接着し、この単結晶を
ガラス板にエポキシ樹脂（商品名：アラルダイト）によ
り接着した。そして超音波発掘器にて１ＨＨ１でＬ！Ｎ
ｂＯ３素子を発振させ、実施例１〜５と同様にスラリー
を単結晶の上から加えながら単結晶の切断、加工を行な
った。
この実施例における加工時間は１５時間であった。
また加工されたウェハの面精度は数μｍと良好であった
。
。
一方振動子を用いなかった点を除いて実施例６と同一の
単結晶を同一の方法で加工したところ、その加工時間は
約１８時間であった。
単結晶を同一の方法で加工したところ、その加工時間は
約１８時間であった。
以上の結果かられかるように、この実施例のラッピング
加工方法においては、単結晶１に超音波振動を加えるこ
とにより、単結晶１に加えられ単結晶１の表面に流れ落
ちたスラリー４中の砥粒に振動が加えられ、またこの砥
粒がスラリー４中に均一に分散されるので、単結晶１の
切断が促進され、加工時間が大幅に短縮され、かつ加工
されたウェハにゆがみや段差が生じることが少なく、加
工精度が大幅に向上される。
加工方法においては、単結晶１に超音波振動を加えるこ
とにより、単結晶１に加えられ単結晶１の表面に流れ落
ちたスラリー４中の砥粒に振動が加えられ、またこの砥
粒がスラリー４中に均一に分散されるので、単結晶１の
切断が促進され、加工時間が大幅に短縮され、かつ加工
されたウェハにゆがみや段差が生じることが少なく、加
工精度が大幅に向上される。
尚実施例においては、ＬｉＴａ０：＋またはｌｉＮ ｂ
０３を被加工物として用いたが、本発明はこのような
被加工物に限定される方法ではなく、硬質の被加工物、
例えばへき開の強い、ＧａＡＳ。
０３を被加工物として用いたが、本発明はこのような
被加工物に限定される方法ではなく、硬質の被加工物、
例えばへき開の強い、ＧａＡＳ。
ＺｎＷＯ＋ 、ＣｄＷＯ４等の単結晶等の加工方法とし
て好適である。
て好適である。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明のラッピング加工方法を用
いれば、へき開の強い単結晶等の硬質の被加工物を、短
い加工時間で、かつ高精度で加工することができる。
いれば、へき開の強い単結晶等の硬質の被加工物を、短
い加工時間で、かつ高精度で加工することができる。
第１図は、本発明の実施例に使用するワイヤソ一方式の
ラッピング加工装置の斜視図、第２図は従来のバンドソ
一方式のラッピング加工装置の斜視図、第３図は、従来
のワイヤソ一方式のラッピング加工装置の斜視図、第４
図はラッピング加工方法における加工速度の時間的変化
を示す図である。 １・・・・・・・・・単結晶 ２・・・・・・・・・ベース材 ３・・・・・・・・・スラリー ４・・・・・・・・・ブレード ５・・・・・・・・・ピアノ線 ６・・・・・・・・・ローラ ７・・・・・・・・・振動子 ８・・・・・・・・・ガラス板 出願人 株式会社 東芝 代理人 弁理士 須 山 佐 − 第２図 第３図 畦間 第４図
ラッピング加工装置の斜視図、第２図は従来のバンドソ
一方式のラッピング加工装置の斜視図、第３図は、従来
のワイヤソ一方式のラッピング加工装置の斜視図、第４
図はラッピング加工方法における加工速度の時間的変化
を示す図である。 １・・・・・・・・・単結晶 ２・・・・・・・・・ベース材 ３・・・・・・・・・スラリー ４・・・・・・・・・ブレード ５・・・・・・・・・ピアノ線 ６・・・・・・・・・ローラ ７・・・・・・・・・振動子 ８・・・・・・・・・ガラス板 出願人 株式会社 東芝 代理人 弁理士 須 山 佐 − 第２図 第３図 畦間 第４図
Claims (3)
- （１）砥粒と加工液とを含むスラリーを硬質の被加工物
とこの被加工物に押しあてられた加工具の間に注入しつ
つ、この被加工物と加工具を相対運動させて加工を行な
うラッピング加工方法において、前記被加工物および／
またはスラリーに超音波振動を与えながら加工を行うこ
とを特徴とするラッピング加工方法。 - （２）被加工物が、単結晶であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のラッピング加工方法。 - （３）加工具が鋼ワイヤにより切断を行なうワイヤソー
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第
２項記載のラッピング加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15325286A JPS6311273A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | ラツピング加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15325286A JPS6311273A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | ラツピング加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6311273A true JPS6311273A (ja) | 1988-01-18 |
Family
ID=15558392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15325286A Pending JPS6311273A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | ラツピング加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6311273A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01199759A (ja) * | 1988-02-05 | 1989-08-11 | Mitsubishi Mining & Cement Co Ltd | 超音波多刃ワイヤカッタ |
| JPH01316162A (ja) * | 1988-06-14 | 1989-12-21 | Nippei Toyama Corp | 脆性材料の切断方法 |
| JPH09174544A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-07-08 | Wacker Siltronic G Fuer Halbleitermaterialien Ag | 半導体材料加工方法及び装置 |
| CN103692336A (zh) * | 2013-12-18 | 2014-04-02 | 电子科技大学 | 一种制备用于热释电探测器的钽酸锂晶片的方法 |
| CN104129001A (zh) * | 2014-08-06 | 2014-11-05 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种硅片多线切割方法 |
-
1986
- 1986-06-30 JP JP15325286A patent/JPS6311273A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01199759A (ja) * | 1988-02-05 | 1989-08-11 | Mitsubishi Mining & Cement Co Ltd | 超音波多刃ワイヤカッタ |
| JPH01316162A (ja) * | 1988-06-14 | 1989-12-21 | Nippei Toyama Corp | 脆性材料の切断方法 |
| US5201305A (en) * | 1988-06-14 | 1993-04-13 | Nippei Toyama Corporation | Brittle material cutting method |
| JPH09174544A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-07-08 | Wacker Siltronic G Fuer Halbleitermaterialien Ag | 半導体材料加工方法及び装置 |
| CN103692336A (zh) * | 2013-12-18 | 2014-04-02 | 电子科技大学 | 一种制备用于热释电探测器的钽酸锂晶片的方法 |
| CN104129001A (zh) * | 2014-08-06 | 2014-11-05 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种硅片多线切割方法 |
| CN104129001B (zh) * | 2014-08-06 | 2015-12-30 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种硅片多线切割方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Liang et al. | A new two-dimensional ultrasonic assisted grinding (2D-UAG) method and its fundamental performance in monocrystal silicon machining | |
| JP3397968B2 (ja) | 半導体単結晶インゴットのスライス方法 | |
| JP3314921B2 (ja) | 半導体材料の切断・加工方法 | |
| JP5591240B2 (ja) | 複合基板及びその製造方法 | |
| JP2011031386A (ja) | 電着式固定砥粒ワイヤーおよびこれを用いた結晶スライス方法 | |
| WO2006126302A1 (ja) | 円盤状の切断ブレードを備えた切断具及び切断装置 | |
| CN105340178A (zh) | 弹性波装置 | |
| JP2002176014A (ja) | シリコンウエハの加工方法 | |
| JPS6311273A (ja) | ラツピング加工方法 | |
| JP2007152440A (ja) | 硬脆材の加工方法 | |
| KR100453083B1 (ko) | 탄성표면파소자의 제조방법 | |
| WO2004069479A1 (ja) | ワイヤソー切断装置に用いるワイヤー工具とワイヤー工具の作製方法、および、ワイヤソーによる切断方法 | |
| JP2003159642A (ja) | ワーク切断方法およびマルチワイヤソーシステム | |
| JPS63306864A (ja) | ロッド伏またはブロック伏工作物から円板を分離するための切断工具を研削する方法および分離法 | |
| JP3767382B2 (ja) | ワイヤソーによる切断方法およびそれに用いる切断装置 | |
| JP2002075923A (ja) | シリコン単結晶インゴットの加工方法 | |
| JP2003231061A (ja) | セグメント型砥石車 | |
| JP2017170541A (ja) | 面取り装置及び面取り方法 | |
| JPH0120035B2 (ja) | ||
| JPS60242958A (ja) | 硬脆材料の加工法 | |
| JPWO2020137713A1 (ja) | 切断方法及び切断装置 | |
| JP2946554B2 (ja) | 研削切断方法 | |
| JP7282466B2 (ja) | ドレッシング部材及びドレッシング方法 | |
| JP2000015625A (ja) | 硬脆材料の切断方法及び内周刃切断装置 | |
| JPH01269506A (ja) | セラミックスの切断方法 |