TW379376B - A matching and grinding method and its apparatus for semiconductor materials - Google Patents

A matching and grinding method and its apparatus for semiconductor materials Download PDF

Info

Publication number
TW379376B
TW379376B TW085115228A TW85115228A TW379376B TW 379376 B TW379376 B TW 379376B TW 085115228 A TW085115228 A TW 085115228A TW 85115228 A TW85115228 A TW 85115228A TW 379376 B TW379376 B TW 379376B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
cleaning agent
sound waves
exposed
intensity
milling tool
Prior art date
Application number
TW085115228A
Other languages
English (en)
Inventor
Holger Dr Lundt
Karl Kobler
Hanifi Malcok
Original Assignee
Wacker Siltronic Halbleitermat
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wacker Siltronic Halbleitermat filed Critical Wacker Siltronic Halbleitermat
Application granted granted Critical
Publication of TW379376B publication Critical patent/TW379376B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23DPLANING; SLOTTING; SHEARING; BROACHING; SAWING; FILING; SCRAPING; LIKE OPERATIONS FOR WORKING METAL BY REMOVING MATERIAL, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23D59/00Accessories specially designed for sawing machines or sawing devices
    • B23D59/001Measuring or control devices, e.g. for automatic control of work feed pressure on band saw blade
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23DPLANING; SLOTTING; SHEARING; BROACHING; SAWING; FILING; SCRAPING; LIKE OPERATIONS FOR WORKING METAL BY REMOVING MATERIAL, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23D59/00Accessories specially designed for sawing machines or sawing devices
    • B23D59/02Devices for lubricating or cooling circular saw blades
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • B24B1/04Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes subjecting the grinding or polishing tools, the abrading or polishing medium or work to vibration, e.g. grinding with ultrasonic frequency
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D5/00Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting only by their periphery; Bushings or mountings therefor
    • B24D5/12Cut-off wheels
    • B24D5/126Cut-off wheels having an internal cutting edge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Description

1 I / ' Λ7 B7 五、發明説明(6 ) 圖式簡單說明: 圖係本發明使用碾磨工具以機器加工於半導體材料器 具的示意圖。 主要元件編號: 1 碾磨工具的工作表面 2 噴嘴 3 供輸管線 4 儲存槽 5 清潔劑 6 組件 7 交流電壓震源 8 控制器 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 —8 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 五、發明説明( A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 料清中 度自晶何為時 ,割將噴力,半濟單 材該波 捶機的幾之圓 法切,體割小的經器 體,音 要割成。稱晶 方括作液切減製的機 導候的 需切製要家造。割包蓮此的會産低割 C 半時度 常式,重專製斷切,的,定即使較切 素 於的強 通磨中為的塊不磨力割上測度能受台 因 工_定 料碾作至行錠缅碾用切緣所速法接一 利 加潔持。材的蓮是本體繼種作著邊果進方不每 不 具清一具體鋸此乃,晶直 一 的随割如<前該得使 的 工輪某器導圓於行圓自一示上且切。的然不果 提 磨供及種.半諝 α 平晶曲是掲件並的射片雖就、結 所 碾面率一於所際相的彎乃中工。鋸照鋸,也度 上 具表頻的工用之互狀的力案加力圓波麼加但速 以 一 作定法加使圓面斜圓努號於的向音那增,進 除 以工持方器於晶平傾晶種41施向噴超,度度前 去 種的一本機合體兩成體這37片方中的值速曲的 是 :具某施來適導及是導 ,31鋸角嘴應數轉彎片。即 於工有實具別半滑別半低-5定直噴供限旋的鋸低的: 關磨具於工特製平恃種的US測為 一外極的低小降目明 乃碾於關磨求産到出這能利鑲互自自定片較減量之説 :明在露亦碾要體逹現將可專持兩劑一特鋸有為産明細 景發。曝明用此晶能所欲儘國以及潔用一將圓因的發詳 背本法乃發使。的可差。至美是的清且某也晶,間本之 明 方劑本 確狀儘偏曲減 法向種並過時體益時 明 發 的潔。 精錠圓的髯降 此方一流超同導效位 發 1·*11---- ------ n - - m _、ΐτ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210Χ297公釐) 五、發明説明( A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 方到包清 括作所 製晶每理顆 於於圓度和兩 劑圓 的受法引 包工波 以體加的磨 合限晶厚,的 潔具 料劑方導 法的轚 塊導增效碾 適僅體循磨圓 清一 材潔本後 方具的 錠半能實在 乃會遘緣打晶 將如 體清。然 此工率 體的可此了。上不半遴體體 ,例 導該射, ,磨頻 晶度而獲止塞本又成的柱導 中, 半,照射 法碾同 割曲因,防阻基是割圓圓半 程上 於時波照 方至不 切彎,圓,到,但切晶的工 過面 Η 劑音波 的射受 磨低度晶進受果,塊體塊加 磨表 加潔的音 屬噴各 碾降速體改間結工遊導錠磨 研作 具清度到 '類劑們 來生進導地空的加Μ半體'碾。在工 Η 入強受。同潔它 鋸産前半當割出磨晶將晶如等,的 磨供定劑上述清為 圓能的的相切輸碾將有將例面例具 碾面特潔面上將處 由衹具出被的加態了域,,平施工 具表一清作與式同 藉不工輸動後增型除,領圓面端實磨 一作某將工種方不 於它磨間活背到種。用打平末項碾 以'工和内的一的的 用麼碾時的η提各上應邊的的一向 於的率嘴具於嘴流 是那加位劑—所的工的週體塊的導 關具頻噴工關噴射 明,增單潔 於料加迎著晶錠明嘴 乃工定具磨亦具噴 發圓以和清 由材的歡沿磨體發噴 明磨特一碾明兩些 本晶可器於 明體料受及碾晶本支 發碾 一在向發少這 果體且機功¾]發導材較以輪和照 一 本在某少噴本至 ,α如導並割歸 j本半體,向轉面按少 -有至劑 用上射 半,切應 5 理導外方型平 至 法具括潔 採面照 造圓台由粒 處半之的杯側 從 n n . fn m 1^1 m n m I— n n n n T - U3 、T (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210'X 297公釐) A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 .^.IT------\------------ '(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 時 流為一 的對開顆碾該以顆採加中 噴置内 赫的的 内 噴處 了波相移的於,加種是種之 劑裝之 萬波波 之 劑異現音種被-大積此地該好一波 潔外嘴 百音音 嘴 潔相發、一易較聚因速開更供音 清之噴 G。生 噴 清的於力# 容為因。迅移,提的 該嘴在gl好産 在。支流基能。粒對是定很效率外度 。噴劑^更指 陆 仍射兩噴乃潔間顆相別而以有頻額強。生在潔 纟長是 劑照少劑法清之的,特小可別的是同化産如清οΐ波料 潔以至潔方的小小下布大布待同展不強而例將10的資 清加將清本劑大較用分粒分取不發及的劑,是 有赫字 該波盧支。潔的為作及顆小採種步率步潔射好、 具萬數 ,音考多中清屑對波以的大波10一頻一清照最 用百的 上的為這波於鋸相音小粒粒音至進同進出波然 使g3度 業度例,音在生,的大顆顆的 2 的不更射音仍 是51強 作強施上的存所下率的磨的劑用法的力嘴作, 好0.此 此和實面率係體用頻屑碾屑潔採方劑能噴源而 最是 , 在,率步作頻關導作低鋸的鋸清好本潔的由音然。,其0W 。頻一 Η 同互半波較。間割於最。清劑是的。中時尤50 ) 上的進的不相割音為開面切射。率射潔流面器之明,至 (3緣定的具於的切的對移作的照率頻照清噴外生波發波10 ^ 邊待明 Η 露時及率相被工料將頻種於使劑用發音本音是 ^ 割一發磨曝磨以頻在易的材並種 CO 率可潔使波於施超好 明 切用本碾乃研,高之容具體,各至頻此清以音露實的最 發 的使 向們在率較反‘則工導定的 2 的如 可具曝 率度 、 鋸就 導它種頻為,‘粒磨半決粒用強, 流一即 頻強 五 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210Χ 297公釐) 五、發明説明( A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -----------批衣------、訂------ ------------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ο 碾喜劑體具少有音 便向割 盛,中性源 射過於的 於受合導工至又的 為導切 中槽之電1。嘴穿决連 肋 施較混半磨有具度 僅}的 槽存嘴壓壓 噴劑取相 ,,何於碾擁器強。者(2上 ,貯噴者電振自潔率其 時宜任 Η 至具該和動示嘴片4)的支或流 1 劑清頻與 Η適的加劑器,率振所噴鋸»(自一鉅交I潔在的於 加為料器潔該面頻件圖個中 π各每以的強清就波決 磨均材機清。表定組附多鋸 至在乃連 體,音取 碾劑類以給上作特該,有圓 結。,們相 液面。則 料潔此具供劑工一勵中。把 至連時它其頻的表中度 结 定 材清者工當潔的某激圖份一 以劑,被下作劑強 體知或磨,清具出能附部如)®可潔}}待壓工潔的 導已,碾施於工發器於徵例(3亦清(6^1加的清波 半的劑用設射磨能盪示待, 線嘴的件^,具到音 專 以 在觸滑使種照碾它震展的} 管噴同組{ 時工移 , 來接潤種一波向,具式需(1輸支不的件i)之磨轉} 用面卻一有音導外一 方必面 供一種波組^i)料碾被(6 有表冷於具將劑之有意所表 由每幾音該· 材的能件 器 所作體鼷它,潔嘴擁示明作 經。用生 ,!體中動組 。,工液亦,時清噴又以發工 嘴}要發成gl導轉波的 出上與和明具面將於具具本的 噴(5需具製^半旋音内 輸則上水發器表嘴造器器解具 些劑如一料1TI於為,嘴 率原具為本的作噴件該該瞭工。這潔例有材RIT工常時噴 功 工的 料工支組, 於磨綠 清使設瓷)gn加通嘴在 電 磨用 材的一 一波 利碾邊 有假都陶(7當至噴設 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公釐) 五、發明説明(5 ) 震動器的輸出能量。最好有2至10支噴嘴的配置以發生幾 種不同頻率的音波。t 該器具的深一靥發展為具有控制器(8)的外加特擞, 例如一種微處理機的控制,藉此徹處理機可將每一支有效 的噴嘴(2)依據特定的程式加以控制。適宜於做為控制參 爱數者有清潔劑的輸出量、每一噴嘴内音波的發生,以及 在該噴嘴内發生音波的強度等等。 實施例: 用一具傳統的圓鋸自矽的單晶體錠塊切割下晶圓直徑 為200公厘的矽半導體晶圓,在切割時用水作為清潔劑自 一支噴嘴噴灑於圓鋸的鋸片切割邊緣上,结共進行三次系 列的試驗,其中之一作為比較試驗。在比較試驗中,清潔 劑並未曝露在音波下。於試驗条列I時,清潔劑受到噴嘴 内其頻率為1百萬赫的超音波照射,於試驗条列I時,換 用一支噴嘴以頻率為3百萬赫的超音波照射清潔劑,其它 條件不變。這些試驗糸列的結果以表格形式列於下: 比較試驗 試驗条列I 試驗糸列I 前進::: 100 150 150 輸出* 100 147 147 yf 1 1 *t» »t» ρτ{ »*、,、 100 72.5 59.4 Ιβ* SS /(- *1. Λ %». Λ »1. 趙 /子寶 1[ Λ、 100 89.0 72.1 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) * 數字所表示為相對單位 ㈡ 數值:全部晶圓的3 s U π a ( 9 9 . 8 7丨)與其相等或更好 總厚變化=全部晶圓的厚度變化 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) 1 I / ' Λ7 B7 五、發明説明(6 ) 圖式簡單說明: 圖係本發明使用碾磨工具以機器加工於半導體材料器 具的示意圖。 主要元件編號: 1 碾磨工具的工作表面 2 噴嘴 3 供輸管線 4 儲存槽 5 清潔劑 6 組件 7 交流電壓震源 8 控制器 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 —8 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐)

Claims (1)

  1. A8 B8 C8 D8 88~06~30 修正 87-05-12 修正 六、申請專利範圍 1. 一種以碾磨工具作機器加工於半導體材料的方法,在 供輸一清潔劑至碾磨工具的工作表面時,該清潔劑曝露於 具有某一特定頻率及某一特定強度的音波之下,該方法包 括使用至少二支清潔劑噴嘴引導該清潔劑至碾磨工具的工 作表面上,這些清潔劑嗔流的不同處為它們曝露於不同頻 率的音波之下。 2. 如申請專利範圍第1項之方法,其中至少二支清潔劑 唄流的不同處為它們曝露於不同頻率和強度的音波下。 3. 如申請專利範圍第1或2項之方法,其中該清潔劑是 曝露於頻率為0.1至10百萬赫、強度為10至500v的音波下。 4. 如申請專利範圍第1或2項之方法,其中該清潔劑的 作用是藉由音波的頻率來控制,或者藉由音波的頻率與強 度來控制。 5. —種Μ碾磨工具作機器加工於半導體材料的方法,在 供輪一清潔劑至碾磨工具的工作表面時,該清潔劑曝露於 具有某一特定頻率及某一特定強度的音波之下,該方法包 括將該清潔劑在最小一支噴嘴内曝露於音波之下,然後導 引此清潔劑至碾磨工具的工作表面上。 6- 一種以碾磨工具作機器加工於半導體材料的器具,在 供輸一清潔劑至碾磨工具的工作表面時,有一種設施將音 波照射在該清潔劑上,該器具有2至10支噴嘴,於這些噴 嘴內發生不同頻率的音波,且至少一支哦嘴指向碾磨工具 的工作衷面,並有一姐件設置於噴嘴之內,它能發生某一 特定頻率及強度的音波,並且有一震盪器用Μ激勵該組件 -9 - 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -|4>| i BUM— 、vs 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 88~06~30 修正 87-05-12 修正 六、申請專利範圍 1. 一種以碾磨工具作機器加工於半導體材料的方法,在 供輸一清潔劑至碾磨工具的工作表面時,該清潔劑曝露於 具有某一特定頻率及某一特定強度的音波之下,該方法包 括使用至少二支清潔劑噴嘴引導該清潔劑至碾磨工具的工 作表面上,這些清潔劑嗔流的不同處為它們曝露於不同頻 率的音波之下。 2. 如申請專利範圍第1項之方法,其中至少二支清潔劑 唄流的不同處為它們曝露於不同頻率和強度的音波下。 3. 如申請專利範圍第1或2項之方法,其中該清潔劑是 曝露於頻率為0.1至10百萬赫、強度為10至500v的音波下。 4. 如申請專利範圍第1或2項之方法,其中該清潔劑的 作用是藉由音波的頻率來控制,或者藉由音波的頻率與強 度來控制。 5. —種Μ碾磨工具作機器加工於半導體材料的方法,在 供輪一清潔劑至碾磨工具的工作表面時,該清潔劑曝露於 具有某一特定頻率及某一特定強度的音波之下,該方法包 括將該清潔劑在最小一支噴嘴内曝露於音波之下,然後導 引此清潔劑至碾磨工具的工作表面上。 6- 一種以碾磨工具作機器加工於半導體材料的器具,在 供輸一清潔劑至碾磨工具的工作表面時,有一種設施將音 波照射在該清潔劑上,該器具有2至10支噴嘴,於這些噴 嘴內發生不同頻率的音波,且至少一支哦嘴指向碾磨工具 的工作衷面,並有一姐件設置於噴嘴之內,它能發生某一 特定頻率及強度的音波,並且有一震盪器用Μ激勵該組件 -9 - 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -|4>| i BUM— 、vs 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 Ο ( ^ ό ί Ο D8 ' 六、申請專利範圍 作振動。 7.如申請專利範圍第6項的器具,該器具擁有一具控制 儀器,透過此控制器,在噴嘴內發生音波,所發生音波的 強度、以及從噴嘴輸出清潔劑的量均可加以控制。 -----.-----f------、w-------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
TW085115228A 1995-12-15 1996-12-09 A matching and grinding method and its apparatus for semiconductor materials TW379376B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19546988A DE19546988A1 (de) 1995-12-15 1995-12-15 Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung von Halbleitermaterial

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW379376B true TW379376B (en) 2000-01-11

Family

ID=7780295

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW085115228A TW379376B (en) 1995-12-15 1996-12-09 A matching and grinding method and its apparatus for semiconductor materials

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5741173A (zh)
EP (1) EP0779647B1 (zh)
JP (1) JP2875513B2 (zh)
KR (1) KR100236400B1 (zh)
DE (2) DE19546988A1 (zh)
TW (1) TW379376B (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10163138A (ja) * 1996-11-29 1998-06-19 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法および研磨装置
US5957754A (en) * 1997-08-29 1999-09-28 Applied Materials, Inc. Cavitational polishing pad conditioner
KR100567982B1 (ko) 1997-12-08 2006-04-05 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 연마액 공급장치
KR100302482B1 (ko) * 1998-06-23 2001-11-30 윤종용 반도체씨엠피공정의슬러리공급시스템
US6106374A (en) * 1998-07-16 2000-08-22 International Business Machines Corporation Acoustically agitated delivery
EP0988977A1 (en) * 1998-09-24 2000-03-29 Eastman Kodak Company Ultrasonic cleaning of ink jet printhead cartridges
TW553780B (en) 1999-12-17 2003-09-21 Sharp Kk Ultrasonic processing device and electronic parts fabrication method using the same
KR100841361B1 (ko) * 2006-11-10 2008-06-26 삼성에스디아이 주식회사 기판 세정 방법
JP5261077B2 (ja) * 2008-08-29 2013-08-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄装置
WO2010084234A1 (en) 2009-01-26 2010-07-29 Elpro Oy Ultrasonic treatment device
DE102009013180B3 (de) * 2009-03-14 2010-07-01 Fette Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Abreinigung eines Absaugsystems für eine Rundläuferpresse
CN104858726A (zh) * 2015-01-23 2015-08-26 嘉兴学院 磁控作用下双频声空化纳米流体超精抛光装置及抛光方法
US10096460B2 (en) * 2016-08-02 2018-10-09 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor wafer and method of wafer thinning using grinding phase and separation phase
CN109226892B (zh) * 2018-09-14 2020-02-14 嘉兴云切供应链管理有限公司 一种具有除锈清洗烘干功能的钢板切割装置
JP2021176661A (ja) * 2020-05-07 2021-11-11 株式会社ディスコ 研削装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3123951A (en) * 1964-03-10 Ultrasonic cleaning of grinding wheels
JPS5936547B2 (ja) * 1980-06-03 1984-09-04 東海工業ミシン株式会社 ミシンにおける下糸切れ検出装置
US4498345A (en) * 1982-10-04 1985-02-12 Texas Instruments Incorporated Method for measuring saw blade flexure
JPS6311273A (ja) * 1986-06-30 1988-01-18 Toshiba Corp ラツピング加工方法
DE3640645A1 (de) * 1986-11-28 1988-06-09 Wacker Chemitronic Verfahren zum zersaegen von kristallstaeben oder -bloecken vermittels innenlochsaege in duenne scheiben
JPH01303724A (ja) * 1988-06-01 1989-12-07 Hitachi Ltd 湿式洗浄方法及び洗浄装置
JPH02246115A (ja) * 1989-03-17 1990-10-01 Hitachi Ltd 精密洗浄方法およびそれに用いる洗浄液ならびに乾燥方法
JPH04122608A (ja) * 1990-09-14 1992-04-23 Shin Etsu Handotai Co Ltd 内周刃スライサーによる単結晶インゴットの切断方法及び装置
JP3338175B2 (ja) * 1994-04-08 2002-10-28 国際電気アルファ株式会社 噴射型超音波洗浄装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH09174544A (ja) 1997-07-08
DE59600288D1 (de) 1998-07-23
EP0779647A1 (de) 1997-06-18
JP2875513B2 (ja) 1999-03-31
US5741173A (en) 1998-04-21
EP0779647B1 (de) 1998-06-17
KR970052717A (ko) 1997-07-29
KR100236400B1 (ko) 1999-12-15
DE19546988A1 (de) 1997-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW379376B (en) A matching and grinding method and its apparatus for semiconductor materials
JPH0714815A (ja) 加工物の湿式化学処理方法
TW537949B (en) Machining strain removal apparatus
RU2018136898A (ru) Способ и устройство для очистки подложек
TW503480B (en) Method of rinsing residual etching reactants/products on a semiconductor wafer
JP2014130881A (ja) 研磨装置
JP2011519582A (ja) 基材を洗浄する方法及び装置
JP3380021B2 (ja) 洗浄方法
US20030216112A1 (en) Cleaning device and method for cleaning polishing cloths used for polishing semiconductor wafers
CN112975578A (zh) 一种改善硅抛光片表面粗糙度的抛光方法
JP4280557B2 (ja) 洗浄装置および研磨装置
TW202142362A (zh) 磨削裝置
JP2001345301A (ja) 電子材料の洗浄方法
JP2002224929A (ja) 板状被加工物の切削装置
JPS63109978A (ja) 半導体装置の製造装置
JP4007742B2 (ja) 超音波洗浄方法
KR20060133208A (ko) 초음파 세정을 이용하는 웨이퍼 후면 연마 장치
US6258177B1 (en) Apparatus for cleaning the grooves of lapping plates
JPH09320994A (ja) ダイシング装置
KR102522643B1 (ko) 매엽식 웨이퍼 세정장치 및 이를 이용한 웨이퍼 표면 거칠기 제어방법
JP5685881B2 (ja) 超音波洗浄方法
JPH0466500B2 (zh)
TW434106B (en) Carrier of a chemical-mechanical polishing machine
KR970072138A (ko) 웨이퍼 세정장치 및 세정방법
JPH04336961A (ja) 平面研削盤用クーラント供給装置

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees