JPH088259B2 - シールド伝送線構造体の製造方法 - Google Patents

シールド伝送線構造体の製造方法

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JPH088259B2
JPH088259B2 JP63062102A JP6210288A JPH088259B2 JP H088259 B2 JPH088259 B2 JP H088259B2 JP 63062102 A JP63062102 A JP 63062102A JP 6210288 A JP6210288 A JP 6210288A JP H088259 B2 JPH088259 B2 JP H088259B2
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Description

【発明の詳細な説明】 A.産業上の利用分野 この発明は、VLSIの寸法で製作した、シールドされた
伝送線構造と、上記の構造を製造する方法に関するもの
である。
B.従来技術 集積回路技術において、デバイスの集積度が増すにつ
れて、隣接する金属線間の間隔が減少してきた。金属線
が近接して形成されると、線間で容量性および誘導性の
信号干渉が起こる可能性が増大する。この干渉は、特に
高周波数信号が隣接する線を伝播されるとき面倒であ
る。
従来技術では、金属線を取り囲む金属構造で部分的に
または全体をシールドした金属線を形成することによっ
てこの間隔に対処してきた。変動する信号は金属線に沿
って伝播し、金属構造は接地電位に接続される。２本の
線が組み合わされると、無視できる程度の外部電磁場を
発生するとともに、隣接する線から無視できる程度の外
部電磁場を受ける。これらの従来技術の構造の例を、第
２図ないし第６図に示すが、次にこれらについてより詳
しく説明する。
米国特許第3560893号明細書には、部分的にシールド
された伝送線が開示されている。第２図（従来技術）に
示すように、この構造は、誘電体基板25上に中央導体37
を画定するためにエッチングした金属線27からなる。金
属カプセル23がエッチングされた導体の線27に接着さ
れ、内部導体37を隣接する線から部分的にシールドする
ために、接地電位に接続されている。内部導体37は、空
気により外部導体と分離されている。
米国特許第4575700号明細書には、部分的にシールド
された“スロット・ライン”伝送線構造が開示されてい
る。第３図（従来技術）に示すように、導線26Bが、シ
リコン基板の表面にエッチングした２本の平行な溝で画
定されるシリコン基板の一部の上に設けられる。隣接す
る導線26A、26Cが、エッチングした溝の両面に設けら
れ、構造全体は、線を互いに分離するため、誘電体28で
オーバーコーティングされる。任意選択として、第３の
導線40を構造上に形成してもよい。導線26A、26Cおよび
40は、変動する電位源に接続された挿入導線26Bを部分
的にシールドするため、接地されている。
米国特許第3370184号には、全体がシールドされた伝
送線が開示されている。第４図（従来技術）に示すよう
に、１対の金属（またはドーピングしたシリコン）線
２、４が、周囲に誘電体23を有する中央導体６を挟んで
いる。硫化カドミウム８が誘電体23を、金属線２、４か
ら分離する。金属線は接地し、中央導体は変動する入力
信号を受ける。
米国特許第4581921号明細書には、超小型の同軸導体
が開示されている。第５図（従来技術）に示すように、
内部導体20は、100ミクロン程度の横方向の寸法を有す
る銅線で形成されている。次に導体を発泡誘電体22と、
化学蒸着（CVD）したパリレン層で被覆する。次に、構
造全体を外部金属ケーシング24で覆う。
米国特許第3351816号明細書には、平坦な同軸型構造
が開示されている。第６図（従来技術）に示すように、
アルミニウム板1B、1Cの中央に開口部があり、誘電体材
料５が充填されている。さらに誘電体材料５に開口部が
形成され、誘電層７がこの開口部の露出した側壁にコー
ティングされている。この金属層７はワイヤ３が挿入さ
れるスルーホールを画定する。アルミニウム板1B、1Cは
接地電位に接続され、中央導体３、７を取り囲んで、同
軸構造を画定する。
部分的にシールドした伝送線に関しては、さらに下記
の参照特許がある。米国特許第4379307号および第43894
29号明細書には、画定された導線と、導線が一連の支持
リッジで支持されるように後でエッチングされるシリコ
ン基板の一部が開示されている。この結果、導線は、空
気により隣接の導体から分離されている。米国特許第39
04995号には、チャネルが形成されている導線材料に接
着された誘電体上に形成したマイクロウェーブ伝送線が
開示されている。この導線は、チャネル内にあり、空気
により接地面から分離している。
上記の従来技術による伝送線構造には、いくつかの欠
点がある。第２図および第３図に示す従来技術の構造で
は、それぞれ中央導体37および26Bの下では電気的シー
ルドが行なわれない。一方、第４図ないし第６図に示す
従来技術の伝送線構造は、全体がシールドされている
が、これらの構造の製法は、現在のメタライゼーション
処理技術には全く適合しない。すなわち、これらの構造
は、チップのメタライゼーションと同時に形成できな
い。
したがって、全体がシールドされ、現在の集積回路メ
タライゼーション技術に適合する伝送線構造を開発する
必要がある。
C.発明が解決しようとする問題点 この発明の目的は、全体がシールドされた伝送線構造
の製造方法を提供することにある。
この発明の他の目的は、現在の集積回路メタライゼー
ション技術に適合するシールドされた伝送線構造の製造
方法を提供することにある。
この発明の他の目的は、横方向の寸法が、１ミクロン
程度のシールドされた伝送線構造の製造方法を提供する
ことにある。
D.問題点を解決するための手段 本発明によれば、半導体基板上に第１の絶縁体層（5
0）を形成し、 前記第１の絶縁体層上に第１の導電体層を形成し、パタ
ーニングして第１の平面導体構造（52）を形成し、 全面に第２の絶縁体層（54）を形成し、 前記第２の絶縁体層上に第３の絶縁体層（55）を形成
してパターニングし、３本の並列したトラフを形成し、 前記３本のトラフのうち両側の一対のトラフ内に露出
した前記第２の絶縁体層をパターニングして一対のバイ
アを形成し、 前記３本のトラフ及び前記一対のバイアを充填するよ
うに第２の導電体層を堆積した後前記第３の絶縁体層上
の前記第２の導電体層を除去して平坦化し、中央導体構
造（56A）と前記中央導体構造の両側に所定の間隔で位
置して前記第１の平面導体構造に接続する一対の周辺導
体構造（56）とを形成し、 前記第３の絶縁体層上に第４の絶縁体層（58）を形成
し、 前記第４の絶縁体層上に第５の絶縁体層（59）を形成
してパターニングして、トラフを形成し、 前記トラフ内に露出した前記第４の絶縁体層をパター
ニングして一対のバイアを形成し、 前記トラフ及び前記一対のバイアを充填するように第
３の導電体層を堆積した後前記第５の絶縁体層上の前記
第３の導電体層を除去して平坦化し、前記一対の周辺導
体構造と前記一対のバイアを介して接続する第２の平面
導体構造（60）とを形成することを特徴とするシールド
伝送線構造体の製造方法が提供される。
E.実施例 第１図は、本発明の製造方法により製造された、全体
をシールドした伝送線の一実施例の断面図である。層50
は半導体業界で通常使用される、酸化シリコンなどの絶
縁材料からなり、その上にアルミニウムなどの導体金属
が付着させた後、通常のフォトリソグラフイ技術によっ
て所定のパターンに加工して下部プレート構造52を形成
する。その後、構造52上に絶縁体層54を付着し、その上
に絶縁体層55を付着させる。絶縁体層55を所定のパター
ンにエッチングして、２つのトラフ（開口）を形成した
後、露出した絶縁体層54を所定のパターンにエッチング
して、導体層52に至るバイアを層54中に形成する。その
際、層55のトラフの開口幅は層54のバイアの開口幅より
も広くなるようにパターニングされる。なお、エッチン
グは、通常の露光技術および例えばCF4／O2ガスプラズ
マを用いた異方性プラズマエッチングによりおこなわれ
る。層55のトラフは、中央の導体構造を画定するととも
に、周辺導体構造の上部を画定する。
次に、導電性材料がCVDなどによりバイアおよびトラ
フを充填するように付着される。絶縁体層55の上面上の
導電性材料の部分を除去し、その表面を平坦化する。こ
の平坦化の工程は、たとえば特開昭62−102544号に記載
されている方法により行われる。次に、絶縁体層58を導
体層56上に付着させ、その上に別の絶縁体層59を付着さ
せる。その後、層59を所定のパターンにエッチングし
て、トラフを形成した後、露出した絶縁体層58を所定の
パターンにエッチングして、導体層56に至るバイアを層
58中に形成する。その際、絶縁体層58中に形成した小さ
なバイアをまたぐように、大きなトラフが絶縁体層59中
に形成される。次に、導体層60を付着させ、平坦化させ
て絶縁体層58中のバイアおよび絶縁体層59中トラフを充
填し、上部プレートを形成する。
F.発明の効果 上に述べたように、この発明の第１の特徴は、全体を
シールドした、集積回路の寸法の伝送線が得られること
である。
この発明の第２の特徴は、シールドした伝送線を、半
導体基板上に形成した各種デバイスを相互接続するのに
用いるメタライゼーション層と同時に加工できることで
ある。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の全体をシールドした伝送線の一実施
例の断面図であり、第２図ないし第６図は本発明に関連
する従来技術の例を示した図である。 52、56、60……導体層、56A……中央導体、50、54、5
5、58、59……絶縁体層、53、57……金属層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体基板上に第１の絶縁体層（50）を形
    成し、 前記第１の絶縁体層上に第１の導電体層を形成し、パタ
    ーニングして第１の平面導体構造（52）を形成し、 全面に第２の絶縁体層（54）を形成し、 前記第２の絶縁体層上に第３の絶縁体層（55）を形成し
    てパターニングし、３本の並列したトラフを形成し、 前記３本のトラフのうち両側の一対のトラフ内に露出し
    た前記第２の絶縁体層をパターニングして一対のバイア
    を形成し、 前記３本のトラフ及び前記一対のバイアを充填するよう
    に第２の導電体層を堆積した後前記第３の絶縁体層上の
    前記第２の導電体層を除去して平坦化し、中央導体構造
    （56A）と前記中央導体構造の両側に所定の間隔で位置
    して前記第１の平面導体構造に接続する一対の周辺導体
    構造（56）とを形成し、 前記第３の絶縁体層上に第４の絶縁体層（58）を形成
    し、 前記第４の絶縁体層上に第５の絶縁体層（59）を形成し
    てパターニングして、トラフを形成し、 前記トラフ内に露出した前記第４の絶縁体層をパターニ
    ングして一対のバイアを形成し、 前記トラフ及び前記一対のバイアを充填するように第３
    の導電体層を堆積した後前記第５の絶縁体層上の前記第
    ３の導電体層を除去して平坦化し、前記一対の周辺導体
    構造と前記一対のバイアを介して接続する第２の平面導
    体構造（60）とを形成すること を特徴とするシールド伝送線構造体の製造方法。
JP63062102A 1987-04-27 1988-03-17 シールド伝送線構造体の製造方法 Expired - Lifetime JPH088259B2 (ja)

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Families Citing this family (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5476970A (en) * 1984-02-16 1995-12-19 Velsicol Chemical Corporation Method for preparing aryl ketones
JP2947818B2 (ja) * 1988-07-27 1999-09-13 株式会社日立製作所 微細孔への金属穴埋め方法
JPH02105532A (ja) * 1988-10-14 1990-04-18 Nec Corp 半導体集積回路装置
JPH02137330A (ja) * 1988-11-18 1990-05-25 Nec Corp 半導体装置
FR2650471B1 (fr) * 1989-07-27 1991-10-11 Bull Sa Procede de formation de piliers du reseau multicouche d'une carte de connexion d'au moins un circuit integre de haute densite
US5003273A (en) * 1989-12-04 1991-03-26 Itt Corporation Multilayer printed circuit board with pseudo-coaxial transmission lines
DE69125210T2 (de) * 1990-05-31 1997-08-07 Canon Kk Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer Verdrahtungsstruktur hoher Dichte
US5182849A (en) * 1990-12-21 1993-02-02 Hughes Aircraft Company Process of manufacturing lightweight, low cost microwave components
FR2674680B1 (fr) * 1991-03-26 1993-12-03 Thomson Csf Procede de realisation de connexions coaxiales pour composant electronique, et boitier de composant comportant de telles connexions.
SE468573B (sv) * 1991-06-14 1993-02-08 Ericsson Telefon Ab L M Anordningar med boejliga, ytorienterade striplineledningar samt foerfarande foer framstaellning av en saadan anordning
JP2681425B2 (ja) * 1991-12-05 1997-11-26 三菱電機株式会社 半導体集積回路装置
JP2924450B2 (ja) * 1992-05-22 1999-07-26 日本電気株式会社 半導体装置
US5363550A (en) * 1992-12-23 1994-11-15 International Business Machines Corporation Method of Fabricating a micro-coaxial wiring structure
US5421083A (en) * 1994-04-01 1995-06-06 Motorola, Inc. Method of manufacturing a circuit carrying substrate having coaxial via holes
US5733175A (en) * 1994-04-25 1998-03-31 Leach; Michael A. Polishing a workpiece using equal velocity at all points overlapping a polisher
US5607341A (en) * 1994-08-08 1997-03-04 Leach; Michael A. Method and structure for polishing a wafer during manufacture of integrated circuits
US5589707A (en) * 1994-11-07 1996-12-31 International Business Machines Corporation Multi-surfaced capacitor for storing more charge per horizontal chip area
US5811882A (en) * 1996-09-24 1998-09-22 Philips Electronics North America Corporation On-chip shielding coaxial conductors for mixed-signal IC
US5818110A (en) * 1996-11-22 1998-10-06 International Business Machines Corporation Integrated circuit chip wiring structure with crossover capability and method of manufacturing the same
US6576848B1 (en) 1996-11-22 2003-06-10 International Business Machines Corporation Integrated circuit chip wiring structure with crossover capability and method of manufacturing the same
US6294455B1 (en) 1997-08-20 2001-09-25 Micron Technology, Inc. Conductive lines, coaxial lines, integrated circuitry, and methods of forming conductive lines, coaxial lines, and integrated circuitry
US6187677B1 (en) 1997-08-22 2001-02-13 Micron Technology, Inc. Integrated circuitry and methods of forming integrated circuitry
US6143616A (en) * 1997-08-22 2000-11-07 Micron Technology, Inc. Methods of forming coaxial integrated circuitry interconnect lines
FI106585B (fi) 1997-10-22 2001-02-28 Nokia Mobile Phones Ltd Koaksiaalijohto, menetelmä koaksiaalijohdon valmistamiseksi ja langaton viestin
US6060388A (en) * 1997-10-29 2000-05-09 International Business Machines Corporation Conductors for microelectronic circuits and method of manufacture
US6000120A (en) 1998-04-16 1999-12-14 Motorola, Inc. Method of making coaxial transmission lines on a printed circuit board
KR100308871B1 (ko) * 1998-12-28 2001-11-03 윤덕용 동축 구조의 신호선 및 그의 제조 방법
US6388198B1 (en) 1999-03-09 2002-05-14 International Business Machines Corporation Coaxial wiring within SOI semiconductor, PCB to system for high speed operation and signal quality
US6403393B1 (en) 1999-09-01 2002-06-11 International Business Machines Corporation Device having integrated optical and copper conductors and method of fabricating same
DE10026933C1 (de) * 2000-05-30 2001-12-06 Infineon Technologies Ag Faradaykäfig für integrierte Schaltung
SE522650C2 (sv) * 2000-10-31 2004-02-24 Ericsson Telefon Ab L M Anordning på ett mönsterkort och förfarande för tillverkning av en sådan anordning
US6975189B1 (en) * 2000-11-02 2005-12-13 Telasic Communications, Inc. On-chip multilayer metal shielded transmission line
US6600395B1 (en) * 2000-12-28 2003-07-29 Nortel Networks Limited Embedded shielded stripline (ESS) structure using air channels within the ESS structure
GB2379089A (en) * 2001-08-21 2003-02-26 Ubinetics Ltd RF screening for printed circuit boards
US7239219B2 (en) * 2001-12-03 2007-07-03 Microfabrica Inc. Miniature RF and microwave components and methods for fabricating such components
US9614266B2 (en) 2001-12-03 2017-04-04 Microfabrica Inc. Miniature RF and microwave components and methods for fabricating such components
WO2003049514A2 (en) * 2001-12-03 2003-06-12 Memgen Corporation Miniature rf and microwave components and methods for fabricating such components
US6770822B2 (en) * 2002-02-22 2004-08-03 Bridgewave Communications, Inc. High frequency device packages and methods
US6731513B2 (en) * 2002-03-15 2004-05-04 Memx, Inc. Shielded multi-conductor interconnect bus for MEMS
US6760901B2 (en) * 2002-04-11 2004-07-06 International Business Machines Corporation Trough adjusted optical proximity correction for vias
US6667549B2 (en) 2002-05-01 2003-12-23 Bridgewave Communications, Inc. Micro circuits with a sculpted ground plane
US6809384B1 (en) 2002-08-09 2004-10-26 Pts Corporation Method and apparatus for protecting wiring and integrated circuit device
US10297421B1 (en) 2003-05-07 2019-05-21 Microfabrica Inc. Plasma etching of dielectric sacrificial material from reentrant multi-layer metal structures
US7348666B2 (en) * 2004-06-30 2008-03-25 Endwave Corporation Chip-to-chip trench circuit structure
US7411279B2 (en) * 2004-06-30 2008-08-12 Endwave Corporation Component interconnect with substrate shielding
DE102005045057A1 (de) * 2005-09-21 2007-03-22 Infineon Technologies Ag Integrierte Schaltungsanordnung mit mehreren Leitstrukturlagen und Koaxialleitung sowie Verfahren
DE102005045056B4 (de) * 2005-09-21 2007-06-21 Infineon Technologies Ag Integrierte Schaltungsanordnung mit mehreren Leitstrukturlagen und Kondensator
DE102005045059B4 (de) * 2005-09-21 2011-05-19 Infineon Technologies Ag Integrierte Schaltungsanordnung mit mehreren Leitstrukturlagen und Spule sowie Verfahren zur Herstellung
US8581113B2 (en) 2007-12-19 2013-11-12 Bridgewave Communications, Inc. Low cost high frequency device package and methods
JP5252491B2 (ja) * 2008-08-22 2013-07-31 独立行政法人産業技術総合研究所 多層微細配線構造
US8344819B2 (en) * 2008-10-28 2013-01-01 Broadcom Corporation Conformal reference planes in substrates
US20100307798A1 (en) * 2009-06-03 2010-12-09 Izadian Jamal S Unified scalable high speed interconnects technologies
TWI387407B (zh) * 2009-06-10 2013-02-21 Htc Corp 軟式印刷電路板其及組成方法
JP2011100989A (ja) * 2009-10-09 2011-05-19 Renesas Electronics Corp 半導体装置
US8779592B2 (en) * 2012-05-01 2014-07-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Via-free interconnect structure with self-aligned metal line interconnections
JP2014120710A (ja) * 2012-12-19 2014-06-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 多層高周波伝送線路およびその製造方法
US9368454B2 (en) 2013-10-10 2016-06-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device with shielding layer in post-passivation interconnect structure
US9992859B2 (en) * 2015-09-25 2018-06-05 Intel Corporation Low loss and low cross talk transmission lines using shaped vias
EP3297093B1 (de) * 2016-09-16 2019-01-02 Rosenberger Hochfrequenztechnik GmbH & Co. KG Steckverbinder zum verbinden einer optischen faser und eines elektrischen leiters
CN106783812A (zh) * 2016-12-30 2017-05-31 上海集成电路研发中心有限公司 一种全屏蔽片上共面波导传输结构及其制备方法
US10276518B2 (en) * 2017-03-21 2019-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Semiconductor arrangement in fan out packaging including magnetic structure around transmission line
DE102018109028B4 (de) 2017-06-30 2023-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Halbleitervorrichtung mit Abschirmstruktur zur Verringerung von Übersprechen und Verfahren zur Herstellung derselben
US10269728B2 (en) 2017-06-30 2019-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device with shielding structure for cross-talk reduction
KR101942741B1 (ko) * 2017-10-20 2019-01-28 삼성전기 주식회사 반도체 패키지
CN107768345A (zh) * 2017-10-27 2018-03-06 德淮半导体有限公司 半导体装置及其制造方法
EP3518280B1 (en) * 2018-01-25 2020-11-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic product having embedded porous dielectric and method of manufacture
US11350520B2 (en) * 2019-08-08 2022-05-31 At&S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Component carrier and method of manufacturing the same
KR20220082600A (ko) 2020-12-10 2022-06-17 삼성전기주식회사 인쇄회로기판

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1079204A (en) * 1963-12-24 1967-08-16 Hughes Aircraft Co Improvements in and relating to thin film electrical devices
US3351816A (en) * 1965-02-04 1967-11-07 Bunker Ramo Planar coaxial circuitry
US3560893A (en) * 1968-12-27 1971-02-02 Rca Corp Surface strip transmission line and microwave devices using same
DE2246730B2 (de) * 1972-09-22 1977-09-15 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Hochfrequenzleitung zur verbindung elektrischer baugruppen
US3904997A (en) * 1973-09-13 1975-09-09 Microwave Ass Trapped-radiation microwave transmission line
US4379307A (en) * 1980-06-16 1983-04-05 Rockwell International Corporation Integrated circuit chip transmission line
US4389429A (en) * 1980-06-16 1983-06-21 Rockwell International Corporation Method of forming integrated circuit chip transmission line
US4581291A (en) * 1983-12-29 1986-04-08 Bongianni Wayne L Microminiature coaxial cable and methods manufacture
JPS60214561A (ja) * 1984-04-10 1985-10-26 Sanyo Electric Co Ltd 半導体集積回路
US4575700A (en) * 1984-05-17 1986-03-11 Cornell Research Foundation, Inc. Parallel plate transmission lines integrated with coplanar waveguides or slot lines and method of making same
EP0175604B1 (en) * 1984-08-23 1989-07-19 Fairchild Semiconductor Corporation A process for forming vias on integrated circuits
FR2573272A1 (fr) * 1984-11-14 1986-05-16 Int Standard Electric Corp Procede de realisation d'un substrat comportant un conducteur coaxial
US4673904A (en) * 1984-11-14 1987-06-16 Itt Corporation Micro-coaxial substrate
EP0195977B1 (en) * 1985-03-15 1994-09-28 Hewlett-Packard Company Metal interconnection system with a planar surface
JPS61230340A (ja) * 1985-04-05 1986-10-14 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体集積回路装置
JPS62202572A (ja) * 1986-02-28 1987-09-07 Canon Inc 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0288767A3 (en) 1990-06-20
DE3852336D1 (de) 1995-01-19
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JPS63268257A (ja) 1988-11-04
EP0288767A2 (en) 1988-11-02
US4776087A (en) 1988-10-11
CA1271267A (en) 1990-07-03
DE3852336T2 (de) 1995-05-24

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