JPH0859338A - アルミナ磁器組成物 - Google Patents
アルミナ磁器組成物Info
- Publication number
- JPH0859338A JPH0859338A JP6195573A JP19557394A JPH0859338A JP H0859338 A JPH0859338 A JP H0859338A JP 6195573 A JP6195573 A JP 6195573A JP 19557394 A JP19557394 A JP 19557394A JP H0859338 A JPH0859338 A JP H0859338A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alumina
- alumina porcelain
- ppm
- value
- microwave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
算の総量で１００ｐｐｍ以下、Ｍｇの含有量がＭｇＯ換
算で１００ｐｐｍ以下もしくは１０００〜５００００ｐ
ｐｍの範囲内で、残部がアルミナ及び不可避不純物から
なるアルミナ磁器組成物。 【効果】 高周波領域で高いＱ値を有し、高周波帯域の
電磁波を浴びる環境下に置かれても発熱等を生じること
のない、プラズマ処理装置のマイクロ波導入窓等の用途
に適したアルミナ磁器組成物を提供することができる。
また、本発明に係るアルミナ磁器組成物は、マイクロ波
用誘電体共振器、マイクロ波集積回路基板、パッケージ
等高Ｑ値が要求される電気通信分野においても好適な材
料として使用することができる。
Description
し、より詳細にはラジオ周波数（ＲＦ）帯域やマイクロ
波帯域（以下、単に高周波帯域と記す）におけるＱ値が
高く、これらの周波数帯域で動作する種々の装置の機械
部材や回路基板等として用られるアルミナ磁器組成物に
関する。
強度も大きく、化学的にも安定な絶縁材料であるため、
スパークプラグや回路基板等の電気絶縁性を必要とする
セラミックス材料として汎用されている。また、アルミ
ナ磁器は誘電損失が比較的小さいため、プラズマ処理装
置のマイクロ波導入窓材料や試料保持用治具としても使
用されている。以下、プラズマ処理装置のマイクロ波導
入窓材料として使用されるアルミナ磁器を例にとって、
その特性を説明する。
圧した容器内に反応ガスとマイクロ波を導入し、ガス放
電を起こさせてプラズマを生成させ、このプラズマを基
板表面に導いてエッチングやレジスト除去（アッシン
グ）、ＣＶＤ（Chemical VaporDeposition）等の処理
（以下、前記種々の処理を含めてプラズマ処理とも記
す）を行わせる装置をいう。このプラズマ処理装置は、
基板等に低温で効率良くプラズマ処理を施すことがで
き、エッチング深さ等の制御も比較的簡単であり、かつ
半導体基板等にダメージを与える虞れが少ないので、最
近では、高集積半導体装置等の製造において欠くことが
できないものとなっている。
模式的に示した断面図であり、図中、１１は中空直方体
形状の反応容器を示している。この反応容器１１はステ
ンレス等の金属を用いて形成され、その周囲壁は二重構
造となっており、その内部は冷却水流通室１８となって
いる。そして、装置の作動中はこの冷却水流通室１８に
冷却水が流通して反応容器１１の周囲が冷却される。
となっており、プラズマ生成室２０の上部はマイクロ波
の透過性を有し、誘電損失が比較的小さく、かつ耐熱性
を有するアルミナ磁器等の誘電体板を用いて形成された
マイクロ波導入窓２２によって気密状態に封止されてい
る。プラズマ生成室２０の下方にはメッシュ構造の仕切
り板１７を介して反応室２１が形成されており、反応室
２１内にはマイクロ波導入窓２２と対向する位置に試料
Ｓを載置するための試料台２３が配設されている。また
反応室２１の下部壁には図示しない排気装置に接続され
た排気口１４が形成されており、プラズマ生成室２０の
一側壁には反応容器１１内に所要の反応ガスを供給する
ためのガス供給管１３が接続されている。
１２が配設されており、誘電体線路１２の上部にはアル
ミニウム（Ａｌ）等を用いて形成された金属板１２ａが
配設され、金属板１２ａ下面には誘電体層１２ｂがボル
ト等で固定されている。この誘電体層１２ｂは誘電損失
の小さいフッ素樹脂、ポリエチレンあるいはポリスチレ
ン等を用いて形成されている。誘電体線路１２には導波
管１５を介してマイクロ波発振器１６が連結されてお
り、マイクロ波発振器１６からのマイクロ波が導波管１
５を介して誘電体線路１２に導入されるようになってい
る。
用い、例えば試料台２３上に載置された試料Ｓ表面にプ
ラズマ処理を施す場合、まず排気口１４から排気を行な
って反応容器１１内を所要の真空度に設定した後、ガス
供給管１３からプラズマ生成室２０内にＣｌ2 、ＨＢ
ｒ、Ｏ2 等の反応ガスを供給する。また装置の作動中
は、冷却水を冷却水流通室１８に流して反応容器１１周
辺を冷却する。次いで、マイクロ波発振器１６を作動さ
せてマイクロ波を発振させ、このマイクロ波を導波管１
５を介して誘電体線路１２に導入する。これにより誘電
体線路１２下方に電界が形成され、形成された電界がマ
イクロ波導入窓２２を通過してプラズマ生成室２０内に
導入される。一方、ガス供給管１３から供給されたガス
は、プラズマ生成室２０内に導入され、マイクロ波の照
射によりプラズマ化される。このプラズマのうち電気的
に中性のラジカルが主にメッシュ状の仕切り板１７を透
過して反応室２１内に均一に広がり、試料台２３に載置
された試料Ｓ表面に到達してプラズマ処理が行なわれ
る。
においては、プラズマ処理を行う反応容器１１内を気密
に封止し、かつマイクロ波を反応容器１１内に導入する
ために、アルミナ磁器製のマイクロ波導入窓２２が使用
されている。このマイクロ波導入窓２２に要求される特
性としては、上述のようにマイクロ波を効率よく透過す
ること、プラズマに対して安定であること、耐熱衝撃に
優れること等が挙げられる。
コン酸化膜をエッチングする際に用いられるＣＦ4 やＣ
3 Ｆ8 等のフッ化物系ガスのプラズマに対する安定性が
問題となる。石英ガラスをマイクロ波導入窓２２として
用いた場合には、これらのフッ化物系ガスのプラズマに
より侵食されるという問題点があるが、アルミナ磁器は
これらフッ化物系のガスプラズマに対する耐食性に優れ
るという利点を有している。しかし、通常の製造方法に
より得られたアルミナ磁器は、誘電損失が十分低いとは
言えず、マイクロ波がマイクロ波導入窓２２を通過する
際に誘電損失が生じ、この誘電損失に起因してマイクロ
波導入窓２２の内部に熱が発生する。このため、前記誘
電損失による熱と反応容器１１内部からの熱によりマイ
クロ波導入窓２２の温度が上昇して熱応力が発生し、長
期間使用しないうちに破損に至るという課題があった。
て、反応容器１１内で発生したプラズマが安定せず、試
料Ｓのエッチングを行う際のエッチング速度が不安定に
なるという課題もあった。
製磁器材料として、例えば特開平４−３５６９２２号公
報には、マイクロ波を透過させる性質を有し、かつプラ
ズマ放電雰囲気において使用されるプラズマ放電部材
で、アルカリ金属（Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ）の総含有量が１
５０ｐｐｍ以下で、誘電損失（ｔａｎδ）が１×１０-4
〜１×１０-3、すなわちＱ値が１０００〜１００００の
高純度多結晶アルミナ又は高純度単結晶アルミナからな
るプラズマ放電部材が開示されている。
報に開示されたプラズマ放電部材では依然としてＱ値が
不十分であり、このプラズマ放電部材をマイクロ波導入
窓として使用した場合には誘電損失に起因した発熱が生
じ、試料Ｓにエッチング処理を施す場合のエッチング速
度が安定しなかったり、長時間使用しないうちにマイク
ロ波導入窓に破損が生ずるという課題を解決することが
できなかった。このような誘電損失は、アルミナ磁器を
高周波回路基板等として用いた場合にも、信号の伝送損
失として問題となる。
のであり、高周波帯域において高いＱ値を有し、高周波
帯域の電磁波を浴びる環境下に置かれても発熱等を生じ
ることのない、プラズマ処理装置のマイクロ波導入窓等
の用途に適したアルミナ磁器組成物を提供することを目
的としている。
に本発明に係るアルミナ磁器組成物は、Ｎａ及びＫの含
有量がＮａ2 Ｏ及びＫ2 Ｏ換算の総量で１００ｐｐｍ以
下、Ｍｇの含有量がＭｇＯ換算で１００ｐｐｍ以下もし
くは１０００〜５００００ｐｐｍの範囲内で、残部がア
ルミナ及び不可避不純物からなることを特徴としてい
る。
の誘電特性に関し、種々の不純物、添加物の影響を調査
したところ、アルミナ磁器中に含まれるＮａとＫ等のア
ルカリ金属の他に、アルミナの焼結性を向上させるため
に添加される焼結助剤であるＭｇの含有量が一定の範囲
内にある場合にＱ値が大きくなることを見出した。すな
わち、アルカリ金属であるＮａとＫとは、アルミナ磁器
の誘電損失を増加させるため、その含有量をできるだけ
少なくする必要があり、少なくともＮａ2Ｏ及びＫ2 Ｏ
換算でその総量が１００ｐｐｍ以下にする必要がある。
しかし、前記アルカリ金属の含有量が微量であっても、
Ｍｇの含有量がＭｇＯ換算で１００ｐｐｍを超え１００
０ｐｐｍ未満であると、アルミナ磁器のＱ値が小さくな
ってしまう。しかし、前記アルカリ金属の含有量が１０
０ｐｐｍ以下で、かつＭｇの含有量がＭｇＯ換算で１０
０ｐｐｍ以下、あるいは１０００〜５００００ｐｐｍの
範囲にあるときは、Ｑ値は１００００以上と非常に高い
値にあることがわかった。
いＱ値が低下するのは、焼成によりアルミナ磁器中のア
ルカリ金属とアルミナが反応してイオン伝導性を示すβ
−アルミナ構造の化合物を生成し、あるいはアルミナ磁
器の粒界ガラス相中にアルカリ金属が偏析し、このため
に粒界層がイオン伝導性を有し、その結果、アルミナ磁
器中に存在する前記イオン伝導性の相が誘電損失の主原
因となり、Ｑ値が小さくなるものと考えられる。
するＱ値の変化の理由は明らかではないが、以下のよう
な反応が生じるためではないかと推定される。すなわち
ＭｇＯ含有量が１０００ｐｐｍ以下の範囲ではＭｇＯが
アルミナ中に固溶するが、Ｍｇの価数は２価であるた
め、アルミナ中に酸素欠陥が生成する。この酸素欠陥は
固溶量の増加に伴って多くなるため、誘電損失が増加し
てＱ値が小さくなる。一方、ＭｇＯの含有量が１０００
ｐｐｍを超えるとアルミナとマグネシアとの化合物であ
るスピネルが優先的に生成するようになり、ＭｇＯの固
溶による酸素欠陥の生成を抑制するため再びＱ値は増加
する。しかしＭｇＯの添加量が５００００ｐｐｍ（５ｗ
ｔ％）を超えるとと本来アルミナよりもＱ値の小さいス
ピネル相の含有量が多くなるので、再びＱ値が小さくな
るものと考えられる。
避不純物としては、例えばＳｉ、Ｆｅ、Ｃａ、Ｔｉ等が
挙げられ、この不純物の含有量はいずれも５００ｐｐｍ
以下である。これら不純物が５００ｐｐｍ以下であれ
ば、Ｑ値に与える影響は極めて小さい。
組成物の実施例を説明する。
有する高純度アルミナ粉末（アルミナ純度 ９９．９ｗ
ｔ％、平均粒径０．４μｍ）に、焼結助剤としてＭｇＯ
（ＭｇＯ純度 ９９．９ｗｔ％、平均粒径０．３μｍ）
を表１に示す種々の含有量になるように添加し、さらに
有機バインダーと水とを加えて混合することによりスラ
リー状にし、これをスプレ−ドライヤ−により乾燥させ
て造粒した。この造粒粉末を金型に充填して、直径２０
ｍｍ、厚さ７ｍｍのペレット形状に成形した後、さらに
アイソスタチックプレスにより１．２ｔｏｎ／ｃｍ2 の
圧力で成形した。次に、この成形体を大気中１５００〜
１６５０℃の温度で焼成してアルミナ磁器組成物の製造
を完了した。
評価は、ネットワークアナライザを用い、誘電体共振器
法により９ＧＨｚの周波数で測定した。また、アルミナ
磁器組成物中のアルカリ金属の含有量及びＭｇＯの含有
量は、原子吸光分析法及びＩＣＰ発光分光分析法により
分析した。
及びＮａの総含有量、アルミナ磁器組成物の密度、比誘
電率（εr ）及びＱ値を下記の表１に示している。
施例に係るアルミナ磁器組成物、すなわちＮａ及びＫの
含有量がＮａ2 Ｏ及びＫ2 Ｏ換算の総量で１００ｐｐｍ
以下であり、かつＭｇの含有量がＭｇＯ換算で１００ｐ
ｐｍ以下もしくは１０００〜５００００ｐｐｍの範囲内
のものは、Ｑ値が１００００以上と非常に大きく、比誘
電率（εr ）も一定範囲の値を示している。
成物では、アルカリ金属の総量が１５ｐｐｍであるにも
拘らず、Ｑ値が１００００以下と小さくなっている。ま
た、比較例７〜１０に係るアルミナ磁器組成物では、Ｍ
ｇＯの含有量が３０００ｐｐｍであるが、アルカリ金属
の総量が１２０ｐｐｍ以上であるため、やはりＱ値が８
３００以下と小さくなっている。
いた造粒粉末と同様の造粒粉末を金型に充填して４００
ｍｍ×４００ｍｍ×３０ｍｍのプレート形状の成形体を
作製し、さらにアイソスタチックプレスにより１．２ｔ
ｏｎ／ｃｍ2 の圧力で成形した。次に、このプレート形
状の成形体を、大気中１５００〜１６５０℃の温度で焼
成して板状の焼結体を製造した。
粒粉末と同様の造粒粉末を用いて、上記の場合と同様に
板状の成形体を作製し、焼成して板状のアルミナ焼結体
を得た。
プラズマ処理装置のマイクロ波導入窓２２として実際に
使用し、Ｓｉウエハの上にレジストが形成された試料Ｓ
のアッシング処理を行い、その耐久性についての評価を
行った。
をガス種として用い、ガスの流量比をＯ2 ：Ｎ2 ＝１
９：１に設定し、また反応器１１内の圧力を１Ｔｏｒ
ｒ、ガス流量を１ｓｌｍ（standard liter per minute)
に設定して、混合ガスを反応器１１内に流通させること
により行った。また、このときのマイクロ波パワーは
１．４ｋＷに設定し、１枚のＳｉウエハを処理するため
に、１０分間マイクロ波パワーの印加を行った。このよ
うな条件によるＳｉウエハのアッシング処理を繰り返し
て行い、マイクロ波導入窓２２に破損が生じるかどうか
を観察した。結果を下記の表２に示している。
例に係るアルミナ磁器組成物からなる板状体をマイクロ
波導入窓２２として使用した場合、ウエハ処理として厳
しい条件である１０分間プロセスでＳｉウエハを２５枚
処理しても割損は生じず、耐久性に優れていることが証
明された。また、前記のアッシング処理過程でプロセス
性能には変化がみられず、安定した性能でアッシング処
理を行うことができた。
なる板状体をマイクロ波導入窓２２として使用した場
合、Ｓｉウエハを処理した枚数が実施例の場合よりずっ
と少ない段階でマイクロ波導入窓の割損が生じ、実施例
と比較して耐久性に劣ることがわかった。
ナ磁器組成物においては、Ｎａ及びＫの含有量がＮａ2
Ｏ及びＫ2 Ｏ換算の総量で１００ｐｐｍ以下、Ｍｇの含
有量がＭｇＯ換算で１００ｐｐｍ以下もしくは１０００
〜５００００ｐｐｍの範囲内で、残部がアルミナ及び不
可避不純物からなるので、高周波帯域で高いＱ値を有
し、高周波帯域の電磁波を浴びる環境下に置かれても発
熱等を生じることのない、プラズマ処理装置のマイクロ
波導入窓等の用途に適したアルミナ磁器組成物を提供す
ることができる。
は、マイクロ波用誘電体共振器、マイクロ波集積回路基
板、パッケージ等高Ｑ値が要求される電気通信分野にお
いても好適な材料として使用することができる。
図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｎａ及びＫの含有量がＮａ2 Ｏ及びＫ2
Ｏ換算の総量で１００ｐｐｍ以下、Ｍｇの含有量がＭｇ
Ｏ換算で１００ｐｐｍ以下もしくは１０００〜５０００
０ｐｐｍの範囲内で、残部がアルミナ及び不可避不純物
からなることを特徴とするアルミナ磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6195573A JP3036367B2 (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | アルミナ磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6195573A JP3036367B2 (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | アルミナ磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0859338A true JPH0859338A (ja) | 1996-03-05 |
| JP3036367B2 JP3036367B2 (ja) | 2000-04-24 |
Family
ID=16343381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6195573A Expired - Lifetime JP3036367B2 (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | アルミナ磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3036367B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997023430A1 (en) * | 1995-12-22 | 1997-07-03 | South Bank University Enterprises Limited | Improved sintered materials |
| EP0798276A1 (en) * | 1996-03-29 | 1997-10-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Alumina sintered bodies and method for producing the same |
| US6362120B1 (en) | 1999-06-29 | 2002-03-26 | Hitachi Metals, Ltd. | Alumina ceramic composition |
| JP2003112963A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-18 | Ngk Spark Plug Co Ltd | アルミナ焼結体およびその製造方法 |
| US6610623B1 (en) * | 1995-12-22 | 2003-08-26 | Alford Neil Mcneill | Modified sintered materials |
| JP2008266095A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Kyocera Corp | プラズマ処理装置用部材およびこれを用いたプラズマ処理装置 |
| JP2010514114A (ja) * | 2006-12-20 | 2010-04-30 | ベルー アクチェンゲゼルシャフト | 高純度酸化アルミニウムセラミックス製の碍子を備えたスパークプラグ |
| JP2015163569A (ja) * | 2014-01-30 | 2015-09-10 | 京セラ株式会社 | アルミナ質焼結体および半導体製造装置用部材ならびに液晶パネル製造装置用部材 |
| WO2019026871A1 (ja) | 2017-08-01 | 2019-02-07 | 株式会社フェローテックセラミックス | アルミナ焼結体およびその製造方法、ならびに、半導体製造装置用部品 |
-
1994
- 1994-08-19 JP JP6195573A patent/JP3036367B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6610623B1 (en) * | 1995-12-22 | 2003-08-26 | Alford Neil Mcneill | Modified sintered materials |
| GB2323840B (en) * | 1995-12-22 | 1999-08-25 | South Bank Univ Entpr Ltd | Improved sintered materials |
| WO1997023430A1 (en) * | 1995-12-22 | 1997-07-03 | South Bank University Enterprises Limited | Improved sintered materials |
| US5854159A (en) * | 1996-03-26 | 1998-12-29 | Ngk Insulators, Ltd. | Alumina sintered bodies and method for producing the same |
| EP0798276A1 (en) * | 1996-03-29 | 1997-10-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Alumina sintered bodies and method for producing the same |
| US6362120B1 (en) | 1999-06-29 | 2002-03-26 | Hitachi Metals, Ltd. | Alumina ceramic composition |
| JP2003112963A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-18 | Ngk Spark Plug Co Ltd | アルミナ焼結体およびその製造方法 |
| JP2010514114A (ja) * | 2006-12-20 | 2010-04-30 | ベルー アクチェンゲゼルシャフト | 高純度酸化アルミニウムセラミックス製の碍子を備えたスパークプラグ |
| JP2008266095A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Kyocera Corp | プラズマ処理装置用部材およびこれを用いたプラズマ処理装置 |
| JP2015163569A (ja) * | 2014-01-30 | 2015-09-10 | 京セラ株式会社 | アルミナ質焼結体および半導体製造装置用部材ならびに液晶パネル製造装置用部材 |
| WO2019026871A1 (ja) | 2017-08-01 | 2019-02-07 | 株式会社フェローテックセラミックス | アルミナ焼結体およびその製造方法、ならびに、半導体製造装置用部品 |
| KR20200052876A (ko) | 2017-08-01 | 2020-05-15 | 가부시키가이샤 페로텍 머티리얼 테크놀로지즈 | 알루미나 소결체 및 그 제조 방법과, 반도체 제조 장치용 부품 |
| US11306029B2 (en) | 2017-08-01 | 2022-04-19 | Ferrotec Material Technologies Corporation | Alumina sintered body, method for manufacturing the same, and part for semiconductor manufacturing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3036367B2 (ja) | 2000-04-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100989974B1 (ko) | 클리닝 방법 및 플라즈마 처리 방법 | |
| US5895586A (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method in which a part of the processing chamber is formed using a pre-fluorinated material of aluminum | |
| JP3036367B2 (ja) | アルミナ磁器組成物 | |
| JP2009206341A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置、それに用いる誘電体窓部材および誘電体窓部材の製造方法 | |
| JP2019134062A (ja) | 選択的成膜方法および成膜装置 | |
| KR101432415B1 (ko) | 플라즈마 질화 처리 방법 및 플라즈마 질화 처리 장치 | |
| JPWO2005070851A1 (ja) | 表面に酸化物層を有する非酸化物セラミックス、その製造方法およびその用途 | |
| JPH053732B2 (ja) | ||
| JP3102318B2 (ja) | アルミナ製マイクロ波導入窓の製造方法 | |
| JP5361141B2 (ja) | プラズマ処理装置用部材およびこれを用いたプラズマ処理装置 | |
| JP2001240482A (ja) | 耐プラズマ部材、高周波透過部材およびプラズマ装置 | |
| JP3029488B2 (ja) | プラズマ放電部材 | |
| JP4266610B2 (ja) | プラズマ処理装置、これに用いる誘電体板及び処理容器 | |
| JPH06345527A (ja) | マイクロ波導入窓材料 | |
| JP2008010683A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JP3382372B2 (ja) | マイクロ波導入窓材料及びプラズマ処理装置 | |
| JP4651148B2 (ja) | 耐プラズマ部材及びプラズマ装置 | |
| JP2001240461A (ja) | アルミナ質耐食部材及びプラズマ装置 | |
| JP3739028B2 (ja) | 高周波透過体およびその製造方法 | |
| JPH0729889A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPH11214359A (ja) | マイクロ波導入窓用部材 | |
| JPH1045472A (ja) | 高周波用誘電体セラミックスおよびその製造方法 | |
| EP1593751A1 (en) | Member of apparatus for plasma treatment, member of treating apparatus, apparatus for plasma treatment, treating apparatus and method of plasma treatment | |
| JP2007096256A (ja) | 負イオン発生用電極と負イオン処理装置及び負イオン処理方法 | |
| JP4447130B2 (ja) | 窒化アルミニウム焼結体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000125 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080225 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090225 Year of fee payment: 9 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090225 Year of fee payment: 9 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090225 Year of fee payment: 9 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090225 Year of fee payment: 9 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090225 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090225 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100225 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100225 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110225 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110225 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120225 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120225 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130225 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130225 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140225 Year of fee payment: 14 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |