JP2008010683A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置1は、基板106を収納する処理室10を有するともに、一部にマイクロ波が透過可能な誘電体窓104が気密に設けられた真空容器105と、導波管101を伝搬してくるマイクロ波を前記真空容器105内に導入する誘電体アンテナ102と、前記処理室10内の前記誘電体窓104に沿って設置さる導体板203とを具備する。そして、前記処理室10内に設置されている内部容器201と、前記内部容器201内に設置されている複数の導体202とを有し、前記導体板203と前記内部容器201と前記複数の導体202のそれぞれに電気リード線210が設けられ、一方が前記電気リード線210に接続されているスイッチ211、212、213の他方は前記真空容器105外部のアース回路とつながっている。
【選択図】図1
Description
(1)外部磁界の印加が不要なこと。
(2)マイクロ波(2.45GHz)を利用し、マグネトロンが安価であり、インピーダンスマッチングが容易で、プラズマを発生させるために必要な電極が不要であり、いわゆる無電極運転が可能なこと。
(3)表面波によりプラズマを励起するため、均一性が高い大面積のプラズマ発生が可能であり、低圧力(<100 mTorr(1Torr=133Pa))においても高密度(>1011cm-3)プラズマが得られること。
(1)大面積のプラズマ発生が可能なことにより、大面積の薄膜形成が可能である。
(2)ダイヤモンド薄膜形成に必要とされる基板温度を低くできる。
(3)中性ガスの温度が低いので真空容器の壁からの不純物混入が減少する。
(4)CVDのパラメーター(ガス圧力、基板温度、電力等)の独立および精密な制御が可能である。
(5)ダイヤモンドの核密度が増加する。
(6)膜厚の原子レベルで制御が可能である。
(7)様々なプラズマ測定技術が使えるので、ダイヤモンド薄膜形成in-situの測定が可能である。
(8)半導体用にダイヤモンド薄膜形成する際、不純物Doping濃度の精密な制御が可能である。
本実施例の適用例として、ガス圧力30mTorrにおいてダイヤモンド薄膜形成を行った結果を以下に示す。
第3の実施例のマイクロ波表面波励起プラズマ処理装置20は、第1の実施例のマイクロ波表面波励起プラズマ処理装置10と比較した場合、導体板203にバイアス電源200が設けられている点が相違する。
本実施例の適用例として、ガス圧力30mTorr、基板温度400℃においてダイヤモンド薄膜形成を行った結果を以下に示す。
本実施例の適用例として、導体板203に−70Vの直流電圧を印加し、2%のCH4と98%のH2とからなる混合ガスを用いたダイヤモンド薄膜形成を行った結果の表面SEM写真を図6と図7に示す。図6の場合は、マイクロ波表面波励起プラズマ処理装置20のスイッチ211、212a、212b、212c、212d、212eを全てOFF、図7の場合はマイクロ波表面波励起プラズマ処理装置20のスイッチ211、212a、212b、212c、212d、212eを全てONにしてCVDを行ったものである。成膜処理は8時間行った。
10 処理室
101 導波管
102 (誘電体)アンテナ
103 スロット
104 誘電体窓
105 真空容器
106 基板
107 基板ホルダー
108 ガス導入口
109 ガス排気口
114 リング状突起を設けた誘電体窓
114a リング状突起(環状突起)
115 Oリング
116 絶縁体膜
200 バイアス電源
201 内部容器
202 導体(下部電極)
203、203a、203b、203c、203d 導体板(上部電極)
210 電気リード線
211、212、212a、212b、212c、212d、212e 213、213a、213b、213c、213d、ON/OFFスイッチ
Claims (4)
- 基板を収納する処理室を有するともに、一部にマイクロ波が透過可能な誘電体窓が気密に設けられた真空容器と、
導波管を伝搬してくるマイクロ波を前記真空容器内に導入するアンテナと、
前記処理室内の前記誘電体窓に沿って設置され、前記真空容器とは電気的に絶縁されると共に、前記マイクロ波が透過可能な部位を有する導体板とを具備するマイクロ波プラズマ処理装置であって、
前記処理室内に設置され、前記真空容器とは電気的に絶縁されている内部容器と、前記内部容器とは電気的に絶縁され、前記内部容器内に設置されている複数の導体とを有し、
前記導体板と前記内部容器と前記複数の導体のそれぞれに電気リード線が設けられ、一方が前記電気リード線に接続されているスイッチの他方は前記真空容器外部のアース回路とつながっていることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。 - 前記導体板は互いに電気的に絶縁された複数の部分からなり、前記複数の部分に電気リード線が設けられ、一方が前記電気リード線に接続されているスイッチの他方は前記真空容器外部のアース回路とつながっていることを特徴とする請求項1記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
- 前記導体板にバイアス電圧を印加する電源を有することを特徴とする請求項1または2記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
- 前記誘電体窓は前記処理室内側に環状突起を有し、前記導体板が前記環状突起の内側に設置されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
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