JPH08501188A - リードフレームにヒートシンクを熱結合するための方法 - Google Patents

リードフレームにヒートシンクを熱結合するための方法

Info

Publication number
JPH08501188A
JPH08501188A JP6507551A JP50755194A JPH08501188A JP H08501188 A JPH08501188 A JP H08501188A JP 6507551 A JP6507551 A JP 6507551A JP 50755194 A JP50755194 A JP 50755194A JP H08501188 A JPH08501188 A JP H08501188A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat sink
lead frame
die attach
attach paddle
package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6507551A
Other languages
English (en)
Inventor
リャン，ルイス・エイチ
Original Assignee
ブイ・エル・エス・アイ・テクノロジー・インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ブイ・エル・エス・アイ・テクノロジー・インコーポレイテッド filed Critical ブイ・エル・エス・アイ・テクノロジー・インコーポレイテッド
Publication of JPH08501188A publication Critical patent/JPH08501188A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49568—Lead-frames or other flat leads specifically adapted to facilitate heat dissipation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49121—Beam lead frame or beam lead device

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 集積回路ダイ（２６）のための成型プラスチックパッケージ（４０）は、中央のダイアタッチパドル（１２）を有するリードフレームを含む。ダイアタッチパドルの一方の側には、集積回路ダイが固定される。ヒートシンク部材（２０）は、ヒートシンク部材とダイアタッチパドルの他方の側との間の粘性熱グリースの層（２４）を用いてダイアタッチパドルの他方の側に弾性的に固定される。リードフレームに形成される１つまたは２つ以上の穴は、ヒートシンクの対応するスタッド（２４Ｃ、２４Ｄ）に係合する。スタッドは、リードフレームと係合してスタッドがリードフレームの穴をさらに通るのを防ぐ肩部分（７４）を有する。

Description

【発明の詳細な説明】 リードフレームにヒートシンクを熱結合するための方法発明の背景 １．技術分野 この発明は、集積回路のための実装技術に関し、より特定的に は、ヒートシンクを含む成型プラスチックパッケージに関する。 ２．背景の技術 ヒートシンクは、溶接、ハンダ付け、ろう付け、および接着 剤による接合を含む多数の従来の取付技術の１つを用いてリードフレームのダイ アタッチパドルに直接に取付けられる。 ヒートシンクを用いる集積回路パッケージの例は、Ｒ・ホッジ（R．Hodge）に より発明されかつ１９７５年１２月３０日に付与された米国特許第３，９３０， １１４号に示される。ホッジ特許には、ダイアタッチメントパッドの上表面に固 定された集積回路チップが示される。細長い銅ヒートシンクは、ダイアタッチメ ントパッドの下側にろう付けされる。ホッジ特許は、ヒートシンクの露出した上 表面が金型の表面に対して押圧されかつヒートシンクの通常に露出した表面に溶 融プラスチックが浸透できないようにヒートシンクを金型の下表面に対して押し つける一対のＬ形の柔軟性のあるフィンガーを提供する。これは、銅ヒートシン クの表面を露出するために、硬化された封止材料を研削除去する必要をなくす。 集積回路のためのリードフレームにヒートシンクを堅く固定するように取付け る従来の取付技術を用いると、特に異なる材料が用いられる場合、幾つかの問題 を生じる。これらの問題の１つは、リードフレーム、ヒートシンク、および時に は取付材料に用いられる異なる材料に対する熱膨張係数（ＴＣＥ）の違いである 。熱膨張係数のこれらの違いは重要である。なぜなら、ＴＣＥの違いに起因して 様々な温度でのパッケージ組立においてストレスが強められると、信頼性の問題 が引き起こされ得るからである。ＴＣＥの違いを避けるために材料の選択が制限 されると、特定の機能のために最良の材料を用いることができなくなるかもしれ ない。たとえば、銅または銅合金はリードフレームに適した材料であり、アルミ ニウムまたはアルミニウム合金はヒートシンクに適した材料である。様々な材料 のＴＣＥ（１０-7／℃の単位）は、銅：１７０、Ｃｕ／Ｗ合金：７０、Ｃｕ／Ｍ ｏ：７２、およびアルミニウム：２３０である。 別の問題は、ヒートシンクのない標準パッケージを用いるときにかかる標準的 な費用と比較して、ヒートシンクを有するパッケージのために特別な工具および 特別な材料を用いることでかかる余分な費用である。たとえば、アルミニウム合 金リードフレームとともに用いるために設計されたパッケージ金型は、銅リード フレームとともに用いることができない。引張強さの高い銅は、典型的にはＡ１ ４２ アルミニウム合金またはアルミニウムより高価である。 別の費用項目は、ヒートシンクが予め製作されかつリードフレーム製造サイト でリードフレームに取付けられなければならないことである。これにより、組立 サイトでヒートシンクを備えたリードフレームとヒートシンクのないリードフレ ームとの在庫品を追加して、リードフレームの両方の種類の需要に対応する必要 性が増大する。また、これにより、リードフレーム製造サイトに追加の原材料を 貯蔵することが必要になる。 ドロップインまたはフローティングヒートシンク設計の様々な種類は、在庫品 問題と関連する問題と、異なる材料に対する熱膨張係数（ＴＣＥ）の違いに関連 する問題とを扱った。これらのドロップインヒートシンクは、時にはリードフレ ームとヒートシンクとの間に積極的な熱結合を与えることができない。ドロップ インヒートシンクとリードフレームとの間の空隙が大き過ぎると、成型化合物が リードフレームとヒートシンクとの間の空間を満たしてしまうだろう。成型化合 物が熱絶縁物であるために、パッケージの熱効率に悪い影響があるかもしれない 。ドロップインヒートシンクとリードフレームとの間の空隙が小さ過ぎると、閉 じ込められた空間が作られるかもしれない。閉じ込められた空間もまた熱絶縁物 であり、水分がエアポケットに集まる傾向があるので信頼性のない原因になり得 る。ドロップインまたはフローティングヒートシンク設計のさらな る問題は、パッド傾斜と呼ばれる。高速で金型キャビティに注入される成型化合 物は、ヒートシンクとリードフレームとの間の空隙を差が生じるように満たし得 る。これは、ピン数の多いプラスチッククォドパッケージに対する信頼性問題を 生じさせるパッド傾斜を作り出す。 任意に用いられるヒートシンクから機械的に分離することができる、標準化さ れたリードフレームを提供する経済的な集積回路実装技術の必要が生じた。発明の開示 したがって、この発明の目的は、ユーザのオプションで集積回路ダイのための リードフレームをヒートシンクに熱結合するための装置および方法を提供するこ とである。この発明の他の目的は、パッケージ組立段階でヒートシンクを任意に 加えることができるように、かつリードフレームおよびヒートシンクのＴＣＥの 不整合が致命的でないように、修正されたクォドフラットパック（ＭＱＦＰ）パ ッケージ構成に任意にヒートシンクを取付けるための、柔軟性のあるシステムを 提供することである。 この発明のこのおよび他の目的に従うと、成型プラスチックパッケージの組立 が、この発明に従って与えられる。リードフレームは、中央のダイアタッチパド ルを有し、その一方の側は、集積回路ダイがそれに固定されるように適合される 。ヒートシンク部材は、ダイアタッチパドルの他方の側に隣接して位置決めされ 、ヒートシンク部材は、ダ イアタッチパドルの他方の側に弾性的に固定される。粘性熱グリースの層は、ヒ ートシンク部材とダイアタッチパドルの他方の側との間に位置決めされて、ヒー トシンク部材をダイアタッチパドルの他方の側に弾性的に固定する。 粗い位置決め手段は、ヒートシンクに固定された１つまたは２つ以上のスタッ ドを含むダイアタッチパドルの他方の側に対してヒートシンクを粗く位置決めす るために設けられ、スタッドは、リードフレームに形成されたそれぞれの穴と係 合する。穴は、リードフレームをスタッドにとめることができるようにリードフ レームの中央のダイアタッチパドル部分またはリードフレームのタイバー部分に 形成される。スタッドの末端は、スタッドの中間部分より大きいので、スタッド の中間部分がリードフレームの対応する穴と係合する。間隔手段は、ダイアタッ チパドルの他方の側から予め定められた距離を離れてヒートシンク部材を置くた めに設けられ、間隔手段は、リードフレームと係合してスタッドがリードフレー ムの穴をさらに通るのを防ぐ肩部分を有するスタッドを含む。 集積回路ダイを冷却するための方法は、リードフレームの中央のダイアタッチ パドル部分の一方の側にリードフレームを取付けることを含む。ヒートシンク部 材は、ヒートシンク部材とダイアタッチパドルの他方の側との間の粘性熱グリー スの層でダイアタッチパドルの他方の側に弾性的に固定される。 この方法は、ヒートシンクに固定された１つまたは２つ以上のスタッドを用い てダイアタッチパドルの他方の側に対してヒートシンクを粗く位置決めするステ ップを含み、１つまたは２つ以上のスタッドは、リードフレームに形成されたそ れぞれの穴と係合する。リードフレームに形成された穴は、リードフレームの中 央のダイアタッチパドル部分またはリードフレームのタイバー部分に形成された １つまたは２つ以上の穴と係合する。ヒートシンク部材は、リードフレームと係 合しかつスタッドがリードフレームの穴をさらに通るのを防ぐ、スタッドの肩部 分を用いて、ダイアタッチパドルの他方の側から予め定められた距離を離れて置 かれる。図面の簡単な説明 この明細書に組入れられかつこの明細書の一部を構成する添付の図面は、この 発明の実施例を図示し、説明とともにこの発明の原理を明らかにするのに役立つ 。 図１は、組立およびトリミング動作の前のリードフレームの等大図であり、リ ードフレームは、フローティングヒートシンク部材の位置決めスタッドを受取る ためにダイアタッチパドルのコーナに形成された位置決め穴を含む。 図２は、各コーナに形成された位置決めスタッドを有し、かつダイアタッチパ ドルの一方の側にヒートシンクを取付けるための粘性熱グリースを入れるために 中央の窪んだ領域が形成されたヒートシンクの等大図である。 図３は、粘性熱グリースを用いてダイアタッチパドルの背面に隣接して位置決 めされたヒートシンクを示すパッケージ組立の断面立面図である。 図４は、位置決め穴がタイバーに位置決めされ得るようにダイアタッチパドル のコーナ近くで幾分拡大されたタイバーを有する、修正されたリードフレームを 示す。 図５Ａ−５Ｅは、位置決めスタッドのための様々な設計の等大図である。 図６は、図３のパッケージ組立と同様の、ダイアタッチパドルからヒートシン クを離すために位置決めスタッドに肩が設けられるパッケージ組立の一部の拡大 図である。産業上の利用のためのベストモード ここでその例が添付の図面に図示されるこの発明の好ましい実施例を詳細に参 照する。この発明を好ましい実施例と関連して説明するが、それらはこの発明を これらの実施例に限定するようには意図されていないことが理解されるであろう 。それどころか、この発明は、代替例、修正および均等物をカバーするように意 図され、それらは、添付の請求の範囲により規定されるこの発明の精神および範 囲内に含まれる。 図１は、組立およびトリミング動作の前にこの発明に従って用いられるリード フレーム１０を図示する。リードフレーム１０は、４２合金の材料の薄いストリ ップから形成される。中央に位置決めされたダイアタッチパドル１２は、 集積回路ダイ（図示せず）をその頂面に取付けるために設けられる。多数の放射 状に延在するリード（典型的には１４で示される）は、ダムバーのセクション１ ６ａ−１６ｂによりともに機械的に取付けられ、ダムバーのセクション１６ａ− １６ｂは、リードフレームおよび取付けられた集積回路ダイが成型パッケージに 封止された後に除去される。リードは、ダイアタッチパドルの端縁に隣接して位 置決めされる接合フィンガーを有する。ボンディングワイヤは、集積回路ダイに 形成された接合パッドと封止前のリードの端の接合フィンガーとの間に接続され る。位置決め穴１８ａ−１８ｄは、フローティングヒートシンク部材の位置決め スタッドを受取るためにダイアタッチパドルのコーナを通って形成される。 図２は、銅のような導電性材料から形成されるフローティングヒートシンク部 材２０を図示する。フローティングヒートシンク部材２０は、図示されるように 、浅い、中央に位置決めされた窪んだ領域２２が一方の側に形成された長方形プ レートとして形づくられる。キャビティ２２は、ダイアタッチパドル１２の背面 にヒートシンク２０を弾性的に固定するために用いられる粘性熱グリースを入れ るように意図される。ヒートシンク部材の各コーナから上方に延在するのは、ヒ ートシンク２０の各コーナに位置決めされた穴に固定された位置決めスタッド２ ４ａ−２４ｄである。ヒートシンクに固定されたスタッドは、ダイアタッチ パドル１２の背面に対してヒートシンクを粗く位置決めするための手段として役 立つ。 図３は、粘性の高い熱グリースの層２４を用いてダイアタッチパドル１２の背 面に隣接した位置に固定されたヒートシンク２０を示す。層２４は、ダイアタッ チパドルの背面にヒートシンク部材を弾性的に固定するための手段として役立つ 。粘性熱グリースに用いられる材料は、たとえば、ダイヤモンドで充填されたシ リコーン材料、または硬化の後でも柔軟なままである材料である。粘性熱グリー スの層２４は、ダイからヒートシンク２０へ熱のための熱経路を与える。ヒート シンクがダイアタッチパドル１２に堅く固定するように取付けられないので、ヒ ートシンクはリードフレームに対して機械的に浮いているものと考えることがで きる。このようにして様々な材料に対する熱膨張係数の違いにより生じる様々な ストレスの力は、粘性層２４によって吸収される。 集積回路ダイ２６は、ダイアタッチ接着材料の層２８でダイアタッチパドル１ ２の頂面に固定されて示される。ボンディングワイヤ３０、３２は、典型的には 、集積回路ダイ２６のダイボンディングパッドとリードフレームのリード３４、 ３６の内部端との間に接続されて示される。位置決めスタッド２４ｃ、２４ｄは 、ダイアタッチパドル１２のコーナの穴を通って延在して示される。スタッドは 、パッケージ本体の封止および形成より前の製作プロセスステ ップの間にヒートシンク２０を所定の位置に保持する。成型パッケージ本体の外 形状は、輪郭線４０によって示される。ヒートシンクが用いられない状況では、 同じリードフレームを用いることができ、スタッドが、ダイアタッチパドルの背 面に対してヒートシンク部材を粗く整列させるために用いられない。 図４は、特にダイアタッチパドル６２のコーナの近くに、拡大したタイバー６ １ａ−６１ｄを有する、修正されたリードフレーム６０を示す。これによれば、 位置決め穴６８ａ−６８ｄをダイアタッチパドル６２の中央領域から離れてタイ バーに位置決めすることができる。リードフレームのこの修正された配置は、ヒ ートシンクのコーナに位置決めされた位置決めピンの干渉によりダイの大きさが 制限されないように与えられる。 図５Ａ−５Ｅは、様々な位置決めスタッドの設計を図示する。図５Ｂ、図５Ｃ 、およひ図５Ｄに示されるスタッドの末端は、スタッドの中間部分がダイアタッ チパドルのその対応する穴の中に係合されるようにそれらの中間シャンク部分よ り大きい。図５Ｅのスタッドが、ダイアタッチパドルのコーナに形成された位置 決め穴の直径より大きい長径の肩７４を有するベース部分７２を有することに注 目されたい。 図６は、図に示されるように、図５Ｅの位置決めスタッド７０と、ヒートシン ク２０をダイアタッチパドル１２か ら特定の距離を離して置くまたは離すのに役立つ肩７４とを示すパッケージ組立 体の一部の拡大図である。 標準的なＭＱＦＰリードフレームは、ある修正とともに用いられ、それらの修 正は、ヒートシンクがあってもなくても用いることができる。ヒートシンクは、 位置決めスタッドの末端の拡大したヘッドにより定位置に係止される。ヒートシ ンクは、熱グリース上のリードフレームに関して弾性的に浮いた状態である。整 合したＴＣＥを有する材料に対しては、ヒートシンクは、適切に設計された位置 決めスタッドおよび位置付け穴を用いて、位置決めスタッドの端をスエージ加工 することによりダイパドルに直接接続することができる。 この発明の特定の実施例の先の説明を例示および説明のために提示した。それ らは、余すところかないこと、またはこの発明を開示された厳密な形式に限定す ることは意図されていず、明らかに多くの修正および変更が上述の教示に照らし て可能である。この発明の原理およびその実際の応用を最良に説明するために、 それにより企図された特定の使用に適している様々な修正とともにこの発明およ び様々な実施例を当業者が最良に利用するのを可能にするために実施例を選びか つ説明した。この発明の範囲は、ここに添付された請求の範囲およひその均等物 により規定されることが意図される。
【手続補正書】特許法第１８４条の８ 【提出日】１９９４年７月７日 【補正内容】 リードフレームにヒートシンクを熱結合するための方法発明の背景 １．技術分野 この発明は、集積回路のための実装技術に関し、より特定的に は、ヒートシンクを含む成型プラスチックパッケージに関する。 ２．背景の技術 ヒートシンクは、溶接、ハンダ付け、ろう付け、および接着 剤による接合を含む多数の従来の取付技術の１つを用いてリードフレームのダイ アタッチパドルに直接に取付けられる。 ヒートシンクを用いる集積回路パッケージの例は、Ｒ・ホッジ（R．Hodge）に より発明されかつ１９７５年１２月３０日に付与された米国特許第３，９３０， １１４号に示される。ホッジ特許には、ダイアタッチメントパッドの上表面に固 定された集積回路チップが示される。細長い銅ヒートシンクは、ダイアタッチメ ントパッドの下側にろう付けされる。ホッジ特許は、ヒートシンクの露出した上 表面が金型の表面に対して押圧されかつヒートシンクの通常に露出した表面に溶 融プラスチックが浸透できないようにヒートシンクを金型の下表面に対して押し つける一対のＬ形の柔軟性のあるフィンガーを提供する。これは、銅ヒートシン クの表面を露出するために、硬化された封止材料を研削除去する必要をなくす。 先行技術の他の例は、冷却フィン８をリードフレームのタブ１０に堅く固定す るように取付けるための手段１５、１５ａ、および７ａを開示しているように思 われる引用例ＪＰ−Ａ−０３２８６５５８を含む。ヒートシンク１４のアイテム １５は、ヒートシンクが「フローティング状態」でないようにまたはリードフレ ームに弾性的に取付けられないようにリードフレームにクランプされまたは「リ ベット締めされる」ように思われる。 マクシャーン（McShane）５，０４１，９０２の引用例は、樹脂封止プロセス の間に圧縮装置８６がヒートシンク５８の方にリードフレーム６２の部分を強制 するために用いられる集積回路パッケージ組立を開示する。ヒートシンクは、た とえば従来のダイアタッチ接着剤の層を用いてリードフレームに装着される。リ ードフレームのダイアタッチパドルに対してヒートシンクを粗く位置決めするた めの粗い位置決め手段については引用では言及されない。 ノジ（Nagy）他の５，１３９，９７３の引用例は、少量の未硬化樹脂３２ｄが ダイアタッチパッドとブロックとの間で平らにされる集積回路パッケージ組立体 ５を形成するための方法を開示する。ブロックおよびダイアタッチパッドは、少 量の未硬化樹脂が誘電シートに広がるように互いの方に圧縮される。引用例では 、リードフレームのダイアタッチパドルに対してヒートシンクを粗く位置決めす るための粗い位置決め手段については言及されない。 集積回路のためのリードフレームにヒートシンクを堅く固定するように取付け る、そのような上述した従来の取付技術を用いると、特に異なる材料が用いられ る場合、幾つかの問題を生じる。これらの問題の１つは、リードフレーム、ヒー トシンク、および時には取付材料に用いられる異なる材料に対する熱膨張係数（ ＴＣＥ）の違いである。熱膨張係数のこれらの違いは重要である。なぜなら、Ｔ ＣＥの違いに起因して様々な温度でのパッケージ組立においてストレスが強めら れると、信頼性の問題が引き起こされ得るからである。ＴＣＥの違いを避けるた めに材料の選択が制限されると、特定の機能のために最良の材料を用いることが できなくなるかもしれない。たとえば、銅または銅合金はリードフレームに適し た材料であり、アルミニウムまたはアルミニウム合金はヒートシンクに適した材 料である。様々な材料のＴＣＥ（１０-7／℃の単位）は、銅：１７０、Ｃｕ／Ｗ 合金：７０、Ｃｕ／Ｍｏ：７２、およびアルミニウム：２３０である。 別の問題は、ヒートシンクのない標準パッケージを用いるときにかかる標準的 な費用と比較して、ヒートシンクを有するパッケージのために特別な工具および 特別な材料を用いることでかかる余分な費用である。たとえば、アルミニウム合 金リードフレームとともに用いるために設計されたパッケージ金型は、銅リード フレームとともに用いることができない。引張強さの高い銅は、典型的にはＡ１ ４２ アルミニウム合金またはアルミニウムより高価である。 別の費用項目は、ヒートシンクが予め製作されかつリードフレーム製造サイト でリードフレームに取付けられなければならないことである。これにより、組立 サイトでヒートシンクを備えたリードフレームとヒートシンクのないリードフレ ームとの在庫品を追加して、リードフレームの両方の種類の需要に対応する必要 性が増大する。また、これにより、リードフレーム製造サイトに追加の原材料を 貯蔵することが必要になる。 ドロップインまたはフローティングヒートシンク設計の様々な種類は、在庫品 問題と関連する問題と、異なる材料に対する熱膨張係数（ＴＣＥ）の違いに関連 する問題とを扱った。これらのドロップインヒートシンクは、時にはリードフレ ームとヒートシンクとの間に積極的な熱結合を与えることかできない。ドロップ インヒートシンクとリードフレームとの間の空隙が大き過ぎると、成型化合物が リードフレームとヒートシンクとの間の空間を満たしてしまうだろう。成型化合 物が熱絶縁物であるために、パッケージの熱効率に悪い影響があるかもしれない 。ドロップインヒートシンクとリードフレームとの間の空隙が小さ過ぎると、閉 じ込められた空間が作られるかもしれない。閉じ込められた空間もまた熱絶縁物 であり、水分がエアポケットに集まる傾向があるので信頼性のない原因になり得 る。ドロップインまたはフローティングヒートシンク設計のさらな る問題は、パッド傾斜と呼ばれる。高速で金型キャビティに注入される成型化合 物は、ヒートシンクとリードフレームとの間の空隙を差が生じるように満たし得 る。これは、ピン数の多いプラスチッククォドパッケージに対する信頼性問題を 生じさせるパッド傾斜を作り出す。 任意に用いられるヒートシンクから機械的に分離することができる、標準化さ れたリードフレームを提供する経済的な集積回路実装技術の必要が生じた。発明の開示 したがって、この発明の目的は、ユーザのオプションで集積回路ダイのための リードフレームをヒートシンクに熱結合するための装置および方法を提供するこ とである。この発明の他の目的は、パッケージ組立段階でヒートシンクを任意に 加えることができるように、かつリードフレームおよびヒートシンクのＴＣＥの 不整合が致命的でないように、修正されたクォドフラットパック（ＭＱＦＰ）パ ッケージ構成に任意にヒートシンクを取付けるための、柔軟性のあるシステムを 提供することである。 この発明のこのおよび他の目的に従うと、成型プラスチックパッケージの組立 が、この発明に従って与えられる。リードフレームは、中央のダイアタッチパド ルを有し、その一方の側は、集積回路ダイかそれに固定されるように適合される 。ヒートシンク部材は、ダイアタッチパドルの他方の側に隣接して位置決めされ 、ヒートシンク部材は、ダ イアタッチパドルの他方の側に弾性的に固定される。粘性熱グリースの層は、ヒ ートシンク部材とダイアタッチパドルの他方の側との間に位置決めされて、ヒー トシンク部材をダイアタッチパドルの他方の側に弾性的に固定する。 粗い位置決め手段は、ヒートシンクに固定された１つまたは２つ以上のスタッ ドを含むダイアタッチパドルの他方の側に対してヒートシンクを粗く位置決めす るために設けられ、スタッドは、リードフレームに形成されたそれぞれの穴と係 合する。穴は、リードフレームをスタッドにとめることができるようにリードフ レームの中央のダイアタッチパドル部分またはリードフレームのタイバー部分に 形成される。スタッドの末端は、スタッドの中間部分より大きいので、スタッド の中間部分がリードフレームの対応する穴と係合する。間隔手段は、ダイアタッ チパドルの他方の側から予め定められた距離を離れてヒートシンク部材を置くた めに設けられ、間隔手段は、リードフレームと係合してスタッドがリードフレー ムの穴をさらに通るのを防ぐ肩部分を有するスタッドを含む。 集積回路ダイを冷却するための方法は、リードフレームの中央のダイアタッチ パドル部分の一方の側にリードフレームを取付けることを含む。ヒートシンク部 材は、ヒートシンク部材とダイアタッチパドルの他方の側との間の粘性熱グリー スの層でダイアタッチパドルの他方の側に弾性的に固定される。 この方法は、ヒートシンクに固定された１つまたは２つ以上のスタッドを用い てダイアタッチパドルの他方の側に対してヒートシンクを粗く位置決めするステ ップを含み、１つまたは２つ以上のスタッドは、リードフレームに形成されたそ れぞれの穴と係合する。リードフレームに形成された穴は、リードフレームの中 央のダイアタッチパドル部分またはリードフレームのタイバー部分に形成された １つまたは２つ以上の穴と係合する。ヒートシンク部材は、リードフレームと係 合しかつスタッドがリードフレームの穴をさらに通るのを防ぐ、スタッドの肩部 分を用いて、ダイアタッチパドルの他方の側から予め定められた距離を離れて置 かれる。図面の簡単な説明 この明細書に組入れられかつこの明細書の一部を構成する添付の図面は、この 発明の実施例を図示し、説明とともにこの発明の原理を明らかにするのに役立つ 。 図１は、組立およびトリミング動作の前のリードフレームの等大図であり、リ ードフレームは、フローティングヒートシンク部材の位置決めスタッドを受取る ためにダイアタッチパドルのコーナに形成された位置決め穴を含む。 図２は、各コーナに形成された位置決めスタッドを有し、かつダイアタッチパ ドルの一方の側にヒートシンクを取付けるための粘性熱グリースを入れるために 中央の窪んだ領域が形成されたヒートシンクの等大図である。 図３は、粘性熱グリースを用いてダイアタッチパドルの背面に隣接して位置決 めされたヒートシンクを示すパッケージ組立の断面立面図である。 図４は、位置決め穴がタイバーに位置決めされ得るようにダイアタッチパドル のコーナ近くで幾分拡大されたタイバーを有する、修正されたリードフレームを 示す。 図５Ａ−５Ｅは、位置決めスタッドのための様々な設計の等大図である。 図６は、図３のパッケージ組立と同様の、ダイアタッチパドルからヒートシン クを離すために位置決めスタッドに肩が設けられるパッケージ組立の一部の拡大 図である。産業上の利用のためのベストモード ここでその例が添付の図面に図示されるこの発明の好ましい実施例を詳細に参 照する。この発明を好ましい実施例と関連して説明するが、それらはこの発明を これらの実施例に限定するようには意図されていないことが理解されるであろう 。それどころか、この発明は、代替例、修正および均等物をカバーするように意 図され、それらは、添付の請求の範囲により規定されるこの発明の精神および範 囲内に含まれる。 図１は、組立およびトリミング動作の前にこの発明に従って用いられるリード フレーム１０を図示する。リードフレーム１０は、４２合金の材料の薄いストリ ップから形成される。中央に位置決めされたダイアタッチパドル１２は、 集積回路ダイ（図示せず）をその頂面に取付けるために設けられる。多数の放射 状に延在するリード（典型的には１４で示される）は、ダムバーのセクション１ ６ａ−１６ｂによりともに機械的に取付けられ、ダムバーのセクション１６ａ− １６ｂは、リードフレームおよび取付けられた集積回路ダイが成型パッケージに 封止された後に除去される。リードは、ダイアタッチパドルの端縁に隣接して位 置決めされる接合フィンガーを有する。ボンディングワイヤは、集積回路ダイに 形成された接合パッドと封止前のリードの端の接合フィンガーとの間に接続され る。位置決め穴１８ａ−１８ｄは、フローティングヒートシンク部材の位置決め スタッドを受取るためにダイアタッチパドルのコーナを通って形成される。 図２は、銅のような導電性材料から形成されるフローティングヒートシンク部 材２０を図示する。フローティングヒートシンク部材２０は、図示されるように 、浅い、中央に位置決めされた窪んだ領域２２が一方の側に形成された長方形プ レートとして形づくられる。キャビティ２２は、ダイアタッチパドル１２の背面 にヒートシンク２０を弾性的に固定するために用いられる粘性熱グリースを入れ るように意図される。ヒートシンク部材の各コーナから上方に延在するのは、ヒ ートシンク２０の各コーナに位置決めされた穴に固定された位置決めスタッド２ ４ａ−２４ｄである。ヒートシンクに固定されたスタッドは、ダイアタッチ パドル１２の背面に対してヒートシンクを粗く位置決めするための手段として役 立つ。 図３は、粘性の高い熱グリースの層２４を用いてダイアタッチパドル１２の背 面に隣接した位置に固定されたヒートシンク２０を示す。層２４は、ダイアタッ チパドルの背面にヒートシンク部材を弾性的に固定するための手段として役立つ 。粘性熱グリースに用いられる材料は、たとえば、ダイヤモンドで充填されたシ リコーン材料、または硬化の後でも柔軟なままである材料である。粘性熱グリー スの層２４は、ダイからヒートシンク２０へ熱のための熱経路を与える。ヒート シンクがダイアタッチパドル１２に堅く固定するように取付けられないので、ヒ ートシンクはリードフレームに対して機械的に浮いているものと考えることがで きる。このようにして様々な材料に対する熱膨張係数の違いにより生じる様々な ストレスの力は、粘性層２４によって吸収される。 集積回路ダイ２６は、ダイアタッチ接着材料の層２８でダイアタッチパドル１ ２の頂面に固定されて示される。ボンディングワイヤ３０、３２は、典型的には 、集積回路ダイ２６のダイボンディングパッドとリードフレームのリード３４、 ３６の内部端との間に接続されて示される。位置決めスタッド２４ｃ、２４ｄは 、ダイアタッチパドル１２のコーナの穴を通って延在して示される。スタッドは 、パッケージ本体の封止および形成より前の製作プロセスステ ップの間にヒートシンク２０を所定の位置に保持する。成型パッケージ本体の外 形状は、輪郭線４０によって示される。ヒートシンクが用いられない状況では、 同じリードフレームを用いることができ、スタッドが、ダイアタッチパドルの背 面に対してヒートシンク部材を粗く整列させるために用いられない。 図４は、特にダイアタッチパドル６２のコーナの近くに、拡大したタイバー６ １ａ−６１ｄを有する、修正されたリードフレーム６０を示す。これによれば、 位置決め穴６８ａ−６８ｄをダイアタッチパドル６２の中央領域から離れてタイ バーに位置決めすることができる。リードフレームのこの修正された配置は、ヒ ートシンクのコーナに位置決めされた位置決めピンの干渉によりダイの大きさが 制限されないように与えられる。 図５Ａ−５Ｅは、様々な位置決めスタッドの設計を図示する。図５Ｂ、図５Ｃ 、および図５Ｄに示されるスタッドの末端は、スタッドの中間部分がダイアタッ チパドルのその対応する穴の中に係合されるようにそれらの中間シャンク部分よ り大きい。図５Ｅのスタッドが、ダイアタッチパドルのコーナに形成された位置 決め穴の直径より大きい長径の肩７４を有するベース部分７２を有することに注 目されたい。 図６は、図に示されるように、図５Ｅの位置決めスタッド７０と、ヒートシン ク２０をダイアタッチパドル１２か ら特定の距離を離して置くまたは離すのに役立つ肩７４とを示すパッケージ組立 体の一部の拡大図である。 標準的なＭＱＦＰリードフレームは、ある修正とともに用いられ、それらの修 正は、ヒートシンクがあってもなくても用いることができる。ヒートシンクは、 位置決めスタッドの末端の拡大したヘッドにより定位置に係止される。ヒートシ ンクは、熱グリース上のリードフレームに関して弾性的に浮いた状態である。整 合したＴＣＥを有する材料に対しては、ヒートシンクは、適切に設計された位置 決めスタッドおよび位置付け穴を用いて、位置決めスタッドの端をスエージ加工 することによりダイパドルに直接接続することができる。 この発明の特定の実施例の先の説明を例示および説明のために提示した。それ らは、余すところがないこと、またはこの発明を開示された厳密な形式に限定す ることは意図されていず、明らかに多くの修正および変更が上述の教示に照らし て可能である。この発明の原理およびその実際の応用を最良に説明するために、 それにより企図された特定の使用に適している様々な修正とともにこの発明およ び様々な実施例を当業者が最良に利用するのを可能にするために実施例を選びか つ説明した。この発明の範囲は、ここに添付された請求の範囲およびその均等物 により規定されることが意図される。請求の範囲 １．中央のダイアタッチパドル（１２）を有するリードフレーム（１０）を有 する集積回路ダイのための成型プラスチックパッケージ（４０）であって、前記 ダイアタッチパドルの一方の側は、集積回路ダイ（２６）がそれに固定されるよ うに適合され、ヒートシンク部材（２０）は前記ダイアタッチパドルの他方の側 に隣接して位置決めされ、前記成型プラスチックパッケージ（４０）は、 前記ダイアタッチパドルの前記他方の側に対して前記ヒートシンクを粗く位置 決めするための粗い位置決め手段（２４ａ−２４ｄ）を備え、前記粗い位置決め 手段は、 前記ヒートシンクに固定された少なくとも１つのスタッドと、 前記リードフレームに形成されかつ対応する少なくとも１つのスタッドに より係合されるそれぞれ少なくとも１つの穴（１８ａ−１８ｄ）とを含み、さら に前記成型プラスチックパッケージ（４０）は、 前記ダイアタッチパドルの前記他方の側に前記ヒートシンク部材を弾性的に固 定するための手段を備え、前記ダイアタッチパドルの前記他方の側に前記ヒート シンク部材を弾性的に固定するための前記手段は、前記ヒートシンク部材と前記 ダイアタッチパドルの前記他方の側との間に位置決めされる粘性熱グリースの層 （２４）を含む、成型プラスチックパッケージ（４０）。 ５．少なくとも１つの穴は、リードフレームの中央のダイアタッチパドル部分 に形成される、請求項１に記載のパッケージ（４０）。 ６．少なくとも１つの穴は、リードフレームのタイバー部分（６１ａ−６１ｄ ）に形成される、請求項１に記載のパッケージ（４０）。 ７．リードフレームは、少なくとも１つのスタッドがリードフレームの前記そ れぞれ少なくとも１つの穴と係合することによりスタッドに留められる、請求項 １に記載のパッケージ（４０）。 ８．少なくとも１つのスタッドは、前記少なくとも１つのスタッドの中間部分 が前記対応する少なくとも１つの穴と係合するように前記少なくとも１つのスタ ッドの中間部分より大きい末端（７０）を有する、請求項１に記載のパッケージ （４０）。 ９．ダイアタッチパドルの他方の側から離れてヒートシンク部材を置くための 間隔手段を含む、請求項１に記載のパッケージ（４０）。 １０．間隔手段は、ヒートシンクに固定されかつリードフレームの少なくとも １つの穴と係合する少なくとも１つのスタッドを含み、その少なくとも１つのス タッドは、リードフレームと係合して少なくとも１つのスタッドがリードフレー ムの少なくとも１つの穴をさらに通るのを防ぐ肩部分（７４）を有する、請求項 ９に記載のパッケージ（４ ０）。 １１．集積回路ダイを冷却するための方法であって、 リードフレームの中央のダイアタッチパドル（１２）の一方の側にリードフレ ーム（１０）を取付けるステップと、 ヒートシンク部材（２０）を、前記ヒートシンク部材が前記ダイアタッチパド ルに対して粗く位置決めされるように、前記ダイアタッチパドルの他方の側に隣 接して粗く位置決めするステップとを備え、前記ヒートシンク部材を粗く位置決 めする前記ステップは、 前記ヒートシンクに少なくとも１つのスタッド（２４ａ−２４ｄ）を固定 するステップと、 前記ヒートシンク部材のそれぞれ少なくとも１つのスタッドを、前記リー ドフレームを通って形成される少なくとも１つの穴（１８ａ−１８ｄ）に係合さ せるステップとを含み、前記方法は、 前記ヒートシンク部材と前記ダイアタッチパドルの他方の側との間に位置決め される粘性熱グリースの層（２４）で前記ダイアタッチパドルの他方の側に前記 ヒートシンク部材を弾性的に固定するステップをさらに備える、集積回路ダイを 冷却するための方法。 １４．前記リードフレームに形成されるそれぞれ少なくとも１つの穴に少なく とも１つのスタッドを係合させるステップは、前記リードフレームの中央のダイ アタッチパドル部分に形成される少なくとも１つの穴に係合させるステ ップを含む、請求項１１に記載の方法。 １５．リードフレームに形成されるそれぞれ少なくとも１つの穴に少なくとも １つのスタッドを係合させる前記ステップは、前記リードフレームのタイバー部 分（６１ａ−６１ｄ）に形成される少なくとも１つの穴に係合させるステップを 含む、請求項１４に記載の方法。 １６．少なくとも１つのスタッドをリードフレームのそれぞれ少なくとも１つ の穴に係合させることによりスタッドにリードフレームを留めるステップを含む 、請求項１１に記載の方法。 １７．リードフレームと係合してスタッドがリードフレームの少なくとも１つ の穴をさらに通ることを防ぐ少なくとも１つのスタッドの肩部分（７４）を用い て、ダイアタッチパドルの他方の側から予め定められた距離を離れてヒートシン ク部材を置くステップを含む、請求項１１に記載の方法。 １８．ダイアタッチパドルの他方の側にヒートシンク部材を弾性的に固定する 前記ステップと、ダイアタッチパドルの他方の側に対してヒートシンクを粗く位 置決めする前記ステップとは、ヒートシンク部材とダイアタッチパドルの他方の 側との間に粘性熱グリースの層（２４）を置くステップを含む、請求項１１に記 載の方法。 １９．前記ヒートシンク部材は、前記ヒートシンク部材の頂面と前記ダイアタ ッチパドルの前記他方の側との間に 供給される粘性熱グリースを収容するために、前記頂面の中央に位置決めされる 窪んだ領域を有する、請求項１に記載のパッケージ（４０）。 ２０．前記ヒートシンク部材（２０）は、前記ヒートシンク部材の頂面と前記 ダイアタッチパドルの前記他方の側との間に供給される粘性熱グリース（２４） を収容するために、前記頂面の中央に位置決めされる窪んだ領域（２２）を有す る、請求項１に記載のパッケージ（４０）。 ２１．前記少なくとも１つの穴は、前記リードフレームの前記中央のダイアタ ッチパドル部分に形成される、請求項２０に記載のパッケージ（４０）。 ２２．前記少なくとも１つの穴は、前記リードフレームの前記タイバー部分（ ６１ａ−６１ｄ）に形成される、請求項２０に記載のパッケージ（４０）。 要約 集積回路ダイ（２６）のための成型プラスチックパッケージ（４０）は、中央 のダイアタッチパドル（１２）を有するリードフレームを含む。ダイアタッチパ ドルの一方の側には、集積回路ダイが固定される。ヒートシンク部材（２０）は 、ヒートシンク部材とダイアタッチパドルの他方の側との間の粘性熱グリースの 層（２４）を用いてダイアタッチパドルの他方の側に弾性的に固定される。少な くとも１つの穴は、リードフレームに形成されかつヒートシンクの対応する少な くとも１つのスタッド（２４Ｃ、２４Ｄ）に係合する。スタッドは、リードフレ ームと係合してスタッドがリードフレームの穴をさらに通るのを防ぐ肩部分（７ ４）を有する。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １．集積回路ダイのための成型プラスチックパッケージであって、 中央のダイアタッチパドルを有するリードフレームを含み、ダイアタッチパド ルの一方の側は、集積回路ダイがそれに固定されるように適合され、 ダイアタッチパドルの他方の側に隣接して位置決めされるヒートシンク部材と 、 ダイアタッチパドルの他方の側にヒートシンク部材を弾性的に固定するための 手段とを含む、集積回路ダイのための成型プラスチックパッケージ。 ２．前記ダイアタッチパドルの他方の側に前記ヒートシンク部材を弾性的に固 定するための前記手段は、前記ヒートシンク部材と前記ダイアタッチパドルの他 方の側との間に位置決めされる粘性熱グリースの層を含む、請求項１に記載のパ ッケージ。 ３．前記ヒートシンク部材を弾性的に固定するための前記手段は、前記ダイア タッチパドルの他方の側に対して前記ヒートシンクを粗く位置決めするための粗 い位置決め手段を含む、請求項２に記載のパッケージ。 ４．前記粗い位置決め手段は、 前記ヒートシンクに固定された１つまたは２つ以上のスタッドと、 前記リードフレームに形成されかつ対応するスタッドに より係合されるそれぞれ１つまたは２つ以上の穴とを含む、請求項３に記載のパ ッケージ。 ５．前記１つまたは２つ以上の穴は、前記リードフレームの前記中央のダイア タッチパドル部分に形成される、請求項４に記載のパッケージ。 ６．前記１つまたは２つ以上の穴は、前記リードフレームのタイバー部分に形 成される、請求項４に記載のパッケージ。 ７．前記リードフレームは、前記１つまたは２つ以上のスタッドが前記リード フレームのそれぞれの穴と係合することにより前記スタッドに留められる、請求 項４に記載のパッケージ。 ８．スタッドは、スタッドの中間部分が、対応する穴と係合するように前記ス タッドの中間部分より大きい末端を有する、請求項４に記載のパッケージ。 ９．前記ダイアタッチパドルの他方の側から予め定められた距離を離れて前記 ヒートシンク部材を置くための間隔手段を含む、請求項４に記載のパッケージ。 １０．前記間隔手段は、前記ヒートシンクに固定されかつ前記リードフレーム の穴と係合するスタッドを含み、前記スタッドは、前記リードフレームと係合し て前記スタッドが前記リードフレームの前記穴をさらに通るのを防ぐ肩部分を有 する、請求項９に記載のパッケージ。 １１．リードフレームの中央のダイアタッチパドルの一 方の側にリードフレームを取付けるステップと、 ヒートシンク部材と前記ダイアタッチパドルの他方の側との間に位置決めされ る粘性熱グリースの層で前記ダイアタッチパドルの他方の側に前記ヒートシンク 部材を弾性的に固定するステップとを含む、集積回路ダイを冷却するための方法 。 １２．前記ダイアタッチパドルの他方の側に対して前記ヒートシンクを粗く位 置決めするステップを含む、請求項１１に記載の方法。 １３．前記ダイアタッチパドルの他方の側に対して前記ヒートシンクを粗く位 置決めする前記ステップは、 ヒートシンクに１つまたは２つ以上のスタッドを固定するステップと、 前記リードフレームに形成されるそれぞれ１つまたは２つ以上の穴に前記１つ または２つ以上のスタッドを係合させるステップとを含む、請求項１２に記載の 方法。 １４．前記リードフレームに形成されるそれぞれ１つまたは２つ以上の穴に前 記１つまたは２つ以上のスタッドを係合させる前記ステップは、前記リードフレ ームの前記中央のダイアタッチパドル部分に形成される１つまたは２つ以上の穴 を係合させるステップを含む、請求項１３に記載の方法。 １５．前記リードフレームに形成されるそれぞれ１つまたは２つ以上の穴に前 記１つまたは２つ以上のスタッドを 係合させるステップは、前記リードフレームのタイバー部分に形成される１つま たは２つ以上の穴と係合させるステップを含む、請求項１４に記載の方法。 １６．前記リードフレームのそれぞれの穴と前記１つまたは２つ以上のスタッ ドを係合させることにより前記リードフレームを前記スタッドに留めるステップ を含む、請求項１３に記載の方法。 １７．前記リードフレームと係合して前記スタッドが前記リードフレームの前 記穴をさらに通るのを防ぐ前記スタッドの肩部分を用いて、前記ダイアタッチパ ドルの他方の側から予め定められた距離を離れて前記ヒートシンク部材を置くス テップを含む、請求項１１に記載の方法。 １８．前記ダイアタッチパドルの他方の側にヒートシンク部材を弾性的に固定 する前記ステップと、前記ダイアタッチパドルの他方の側に対して前記ヒートシ ンクを粗く位置決めする前記ステップとは、前記ヒートシンク部材と前記ダイア タッチパドルの他方の側との間に粘性熱グリースの層を置くステップを含む、請 求項１１に記載の方法。
JP6507551A 1992-09-10 1993-09-10 リードフレームにヒートシンクを熱結合するための方法 Pending JPH08501188A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US94327292A 1992-09-10 1992-09-10
US07/943,272 1992-09-10
PCT/US1993/008549 WO1994006154A1 (en) 1992-09-10 1993-09-10 Method for thermally coupling a heat sink to a lead frame

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08501188A true JPH08501188A (ja) 1996-02-06

Family

ID=25479351

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6507551A Pending JPH08501188A (ja) 1992-09-10 1993-09-10 リードフレームにヒートシンクを熱結合するための方法

Country Status (4)

Country Link
US (3) US5378924A (ja)
JP (1) JPH08501188A (ja)
KR (1) KR950703796A (ja)
WO (1) WO1994006154A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130004395U (ko) * 2012-01-06 2013-07-16 페어차일드코리아반도체 주식회사 반도체 패키지
JP2014007267A (ja) * 2012-06-25 2014-01-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体モジュール

Families Citing this family (101)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR940016724A (ko) * 1992-12-03 1994-07-23 빈센트 비. 인그라시아 표면 실장형 집적 회로 파워 패키지용 리드 프레임 어셈블리
US5972737A (en) * 1993-04-14 1999-10-26 Frank J. Polese Heat-dissipating package for microcircuit devices and process for manufacture
US5394607A (en) * 1993-05-20 1995-03-07 Texas Instruments Incorporated Method of providing low cost heat sink
KR960000706B1 (ko) * 1993-07-12 1996-01-11 한국전기통신공사 전력소자용 플라스틱 패키지 구조 및 그 제조방법
US5420752A (en) * 1993-08-18 1995-05-30 Lsi Logic Corporation GPT system for encapsulating an integrated circuit package
JPH0786458A (ja) * 1993-09-09 1995-03-31 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6686226B1 (en) * 1994-02-10 2004-02-03 Hitachi, Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device a ball grid array package structure using a supporting frame
DE9404266U1 (de) * 1994-03-14 1994-05-19 Siemens Nixdorf Informationssysteme AG, 33106 Paderborn Kühl- und Abschirmvorrichtung für eine integrierte Schaltung
DE69531126T2 (de) * 1994-04-22 2004-05-06 Nec Corp. Trägerelement für Kühlvorrichtung und elektronisches Gehäuse mit einem solchen Element
DE4419060A1 (de) * 1994-05-31 1995-12-07 Siemens Ag Einrichtung zum Kühlen eines IC
US5543662A (en) * 1994-09-20 1996-08-06 Sun Microsystems, Inc. Low heat loss and secure chip carrier for cryogenic cooling
KR100366111B1 (ko) * 1994-11-08 2003-03-06 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤 수지봉합형 반도체장치의 구조
JPH08316372A (ja) * 1995-05-16 1996-11-29 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
US6058602A (en) * 1998-09-21 2000-05-09 Integrated Packaging Assembly Corporation Method for encapsulating IC packages with diamond substrate
KR100201380B1 (ko) * 1995-11-15 1999-06-15 김규현 Bga 반도체 패키지의 열방출 구조
JP3435271B2 (ja) * 1995-11-30 2003-08-11 三菱電機株式会社 半導体装置
US5793613A (en) * 1995-12-29 1998-08-11 Sgs-Thomson Microelectronics S.R.1. Heat-dissipating and supporting structure for a plastic package with a fully insulated heat sink for an electronic device
US5770479A (en) * 1996-01-11 1998-06-23 Micron Technology, Inc. Bonding support for leads-over-chip process
US5672547A (en) * 1996-01-31 1997-09-30 Industrial Technology Research Institute Method for bonding a heat sink to a die paddle
JPH09260550A (ja) * 1996-03-22 1997-10-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US5822848A (en) * 1996-06-04 1998-10-20 Industrial Technology Research Institute Lead frame having a detachable and interchangeable die-attach paddle
CN1126150C (zh) 1996-06-24 2003-10-29 松下电器产业株式会社 制造半导体器件的方法
US5798570A (en) * 1996-06-28 1998-08-25 Kabushiki Kaisha Gotoh Seisakusho Plastic molded semiconductor package with thermal dissipation means
US5898572A (en) * 1996-12-24 1999-04-27 Decibel Instruments, Inc. Method and apparatus for the mitigation of noise generated by personal computers
US6065529A (en) * 1997-01-10 2000-05-23 Trw Inc. Embedded heat pipe structure
US6001672A (en) 1997-02-25 1999-12-14 Micron Technology, Inc. Method for transfer molding encapsulation of a semiconductor die with attached heat sink
US5777385A (en) * 1997-03-03 1998-07-07 International Business Machines Corporation Ceramic ball grid array (CBGA) package structure having a heat spreader for integrated-circuit chips
US6051888A (en) * 1997-04-07 2000-04-18 Texas Instruments Incorporated Semiconductor package and method for increased thermal dissipation of flip-chip semiconductor package
US6037659A (en) * 1997-04-28 2000-03-14 Hewlett-Packard Company Composite thermal interface pad
FR2764115B1 (fr) * 1997-06-02 2001-06-08 Sgs Thomson Microelectronics Dispositif semiconducteur et procede de connexion des fils internes de masse d'un tel dispositif
FR2764114B1 (fr) * 1997-06-02 2003-04-25 Sgs Thomson Microelectronics Dispositif semi-conducteur muni d'un dissipateur thermique
US6159764A (en) * 1997-07-02 2000-12-12 Micron Technology, Inc. Varied-thickness heat sink for integrated circuit (IC) packages and method of fabricating IC packages
US5955777A (en) 1997-07-02 1999-09-21 Micron Technology, Inc. Lead frame assemblies with voltage reference plane and IC packages including same
US5936837A (en) * 1997-08-11 1999-08-10 Motorola, Inc. Semiconductor component having leadframe with offset ground plane
US6048744A (en) 1997-09-15 2000-04-11 Micron Technology, Inc. Integrated circuit package alignment feature
US5869883A (en) * 1997-09-26 1999-02-09 Stanley Wang, President Pantronix Corp. Packaging of semiconductor circuit in pre-molded plastic package
US6046496A (en) * 1997-11-04 2000-04-04 Micron Technology Inc Chip package
KR100246366B1 (ko) * 1997-12-04 2000-03-15 김영환 에리어 어레이형 반도체 패키지 및 그 제조방법
KR100259080B1 (ko) 1998-02-11 2000-06-15 김영환 히트 스프레드를 갖는 리드 프레임 및 이를 이용한반도체 패키지
US6314639B1 (en) 1998-02-23 2001-11-13 Micron Technology, Inc. Chip scale package with heat spreader and method of manufacture
US7233056B1 (en) * 1998-02-23 2007-06-19 Micron Technology, Inc. Chip scale package with heat spreader
US6084178A (en) * 1998-02-27 2000-07-04 Hewlett-Packard Company Perimeter clamp for mounting and aligning a semiconductor component as part of a field replaceable unit (FRU)
US5903052A (en) * 1998-05-12 1999-05-11 Industrial Technology Research Institute Structure for semiconductor package for improving the efficiency of spreading heat
US6326687B1 (en) 1998-09-01 2001-12-04 Micron Technology, Inc. IC package with dual heat spreaders
US6117797A (en) 1998-09-03 2000-09-12 Micron Technology, Inc. Attachment method for heat sinks and devices involving removal of misplaced encapsulant
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
US6670207B1 (en) * 1999-03-15 2003-12-30 Gentex Corporation Radiation emitter device having an integral micro-groove lens
JP2941801B1 (ja) * 1998-09-17 1999-08-30 北川工業株式会社 熱伝導材
DE19844872C2 (de) * 1998-09-30 2003-11-13 Possehl Electronic Gmbh Trägeranordnung zur Aufnahme eines Halbleiterbauelements
AU1216000A (en) * 1998-10-22 2000-05-08 Azimuth Industrial Company, Inc. Semiconductor package for high frequency performance
US6831352B1 (en) * 1998-10-22 2004-12-14 Azimuth Industrial Company, Inc. Semiconductor package for high frequency performance
US5926370A (en) * 1998-10-29 1999-07-20 Hewlett-Packard Company Method and apparatus for a modular integrated apparatus for multi-function components
JP2000150730A (ja) * 1998-11-17 2000-05-30 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
EP1020910A3 (de) * 1999-01-16 2001-05-02 Elsa AG Kühlkörperbefestigung
US6198630B1 (en) 1999-01-20 2001-03-06 Hewlett-Packard Company Method and apparatus for electrical and mechanical attachment, and electromagnetic interference and thermal management of high speed, high density VLSI modules
JP3581268B2 (ja) * 1999-03-05 2004-10-27 株式会社東芝 ヒートシンク付半導体装置およびその製造方法
US6198163B1 (en) * 1999-10-18 2001-03-06 Amkor Technology, Inc. Thin leadframe-type semiconductor package having heat sink with recess and exposed surface
DE10039927B4 (de) * 2000-08-16 2006-04-27 Infineon Technologies Ag Oberflächenmontierbares Gehäuse für ein elektronisches Bauelement
US6611048B1 (en) * 2000-08-25 2003-08-26 Skyworks Solutions, Inc. Exposed paddle leadframe for semiconductor die packaging
US7220615B2 (en) * 2001-06-11 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Alternative method used to package multimedia card by transfer molding
US6444501B1 (en) * 2001-06-12 2002-09-03 Micron Technology, Inc. Two stage transfer molding method to encapsulate MMC module
US6991960B2 (en) * 2001-08-30 2006-01-31 Micron Technology, Inc. Method of semiconductor device package alignment and method of testing
US6396130B1 (en) 2001-09-14 2002-05-28 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package having multiple dies with independently biased back surfaces
TW567598B (en) * 2002-11-13 2003-12-21 Advanced Semiconductor Eng Flip chip semiconductor package
JP2004179253A (ja) * 2002-11-25 2004-06-24 Nec Semiconductors Kyushu Ltd 半導体装置およびその製造方法
US6921974B2 (en) * 2003-03-28 2005-07-26 United Test & Assembly Center Ltd. Packaged device with thermal enhancement and method of packaging
US20040218363A1 (en) * 2003-04-30 2004-11-04 Wong Marvin Glenn Application specific heat-dissipating apparatus that provides electrical isolation for components
US6860652B2 (en) * 2003-05-23 2005-03-01 Intel Corporation Package for housing an optoelectronic assembly
US7255494B2 (en) * 2003-05-23 2007-08-14 Intel Corporation Low-profile package for housing an optoelectronic assembly
US7602618B2 (en) * 2004-08-25 2009-10-13 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for transferring heat from stacked microfeature devices
US7891836B2 (en) * 2004-10-22 2011-02-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor light-emitting device with improved heatsinking
MY139795A (en) * 2004-11-09 2009-10-30 Freescale Semiconductor Inc Leadframe for a semiconductor device
US7224047B2 (en) * 2004-12-18 2007-05-29 Lsi Corporation Semiconductor device package with reduced leakage
US7635613B2 (en) * 2005-06-27 2009-12-22 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device having firmly secured heat spreader
US7560309B1 (en) 2005-07-26 2009-07-14 Marvell International Ltd. Drop-in heat sink and exposed die-back for molded flip die package
US20070029649A1 (en) * 2005-08-08 2007-02-08 Honeywell International Inc. Plastic lead frame with snap-together circuitry
US7429790B2 (en) * 2005-10-24 2008-09-30 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor structure and method of manufacture
US20070126445A1 (en) * 2005-11-30 2007-06-07 Micron Technology, Inc. Integrated circuit package testing devices and methods of making and using same
US7468548B2 (en) * 2005-12-09 2008-12-23 Fairchild Semiconductor Corporation Thermal enhanced upper and dual heat sink exposed molded leadless package
TWI274524B (en) * 2005-12-19 2007-02-21 Advanced Semiconductor Eng Heat fixture for wire bonding
US20070200225A1 (en) * 2006-02-28 2007-08-30 Ruzaini Ibrahim Heat sink for semiconductor package
TWI355048B (en) * 2006-12-13 2011-12-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Heat-dissipation semiconductor package and heat-di
WO2008097805A2 (en) * 2007-02-02 2008-08-14 Solfocus, Inc. Conductor fabrication for optical element
KR101391925B1 (ko) * 2007-02-28 2014-05-07 페어차일드코리아반도체 주식회사 반도체 패키지 및 이를 제조하기 위한 반도체 패키지 금형
DE202007002940U1 (de) * 2007-02-28 2007-04-26 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Elektronisches Bauteil und elektrischer Schaltungsträger
US7834449B2 (en) * 2007-04-30 2010-11-16 Broadcom Corporation Highly reliable low cost structure for wafer-level ball grid array packaging
US8643172B2 (en) 2007-06-08 2014-02-04 Freescale Semiconductor, Inc. Heat spreader for center gate molding
US7872347B2 (en) * 2007-08-09 2011-01-18 Broadcom Corporation Larger than die size wafer-level redistribution packaging process
JP5341337B2 (ja) * 2007-10-25 2013-11-13 スパンション エルエルシー 半導体装置及びその製造方法
TW201011869A (en) * 2008-09-10 2010-03-16 Cyntec Co Ltd Chip package structure
US8643164B2 (en) * 2009-06-11 2014-02-04 Broadcom Corporation Package-on-package technology for fan-out wafer-level packaging
US20110012257A1 (en) * 2009-07-14 2011-01-20 Freescale Semiconductor, Inc Heat spreader for semiconductor package
CN102034782A (zh) * 2009-09-30 2011-04-27 万国半导体有限公司 一种用于功率半导体器件的混合合金引线框架
US9054077B2 (en) * 2010-03-10 2015-06-09 Altera Corporation Package having spaced apart heat sink
US9029991B2 (en) * 2010-11-16 2015-05-12 Conexant Systems, Inc. Semiconductor packages with reduced solder voiding
JP2014207430A (ja) 2013-03-21 2014-10-30 ローム株式会社 半導体装置
US8995933B2 (en) 2013-06-21 2015-03-31 Motorola Solutions, Inc. Radio frequency transistor and matching circuit grounding and thermal management apparatus
DE102013220880B4 (de) * 2013-10-15 2016-08-18 Infineon Technologies Ag Elektronisches Halbleitergehäuse mit einer elektrisch isolierenden, thermischen Schnittstellenstruktur auf einer Diskontinuität einer Verkapselungsstruktur sowie ein Herstellungsverfahren dafür und eine elektronische Anordung dies aufweisend
US9496157B2 (en) * 2013-11-14 2016-11-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Ultraviolet curing apparatus having top liner and bottom liner made of low-coefficient of thermal expansion material
CN112216658A (zh) * 2019-07-10 2021-01-12 恩智浦美国有限公司 具有适应各种管芯尺寸的引线框架的半导体器件
US20230059142A1 (en) * 2021-08-17 2023-02-23 Texas Instruments Incorporated Flip chip packaged devices with thermal interposer

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3611046A (en) * 1966-09-16 1971-10-05 Cross Electronics Inc Apparatus for mounting and-or cooling electrical devices
US4066839A (en) * 1972-11-16 1978-01-03 Sgs-Ates Componenti Elettronici S.P.A. Molded body incorporating heat dissipator
US3922712A (en) * 1974-05-01 1975-11-25 Gen Motors Corp Plastic power semiconductor flip chip package
US3930114A (en) * 1975-03-17 1975-12-30 Nat Semiconductor Corp Integrated circuit package utilizing novel heat sink structure
US4092697A (en) * 1976-12-06 1978-05-30 International Business Machines Corporation Heat transfer mechanism for integrated circuit package
JPS6046037A (ja) * 1984-07-25 1985-03-12 Hitachi Ltd 半導体装置
US4646203A (en) * 1985-02-06 1987-02-24 Lutron Electronics Co., Inc. Mounting structure for semiconductor devices
DE3513221A1 (de) * 1985-04-12 1986-10-16 Otis Elevator Co., Farmington, Conn. Anordnung zur abfuhr von waerme aus elektrischen baueinheiten und verfahren zur herstellung dieser anordnung
FR2596607A1 (fr) * 1986-03-28 1987-10-02 Bull Sa Procede de montage d'un circuit integre sur une carte de circuits imprimes, boitier de circuit integre en resultant et ruban porteur de circuits integres pour la mise en oeuvre du procede
US4724514A (en) * 1986-07-18 1988-02-09 Kaufman Lance R Low cost compressively clamped circuit and heat sink assembly
US4878108A (en) * 1987-06-15 1989-10-31 International Business Machines Corporation Heat dissipation package for integrated circuits
US4878846A (en) * 1988-04-06 1989-11-07 Schroeder Jon M Electronic circuit chip connection assembly and method
JPH0268954A (ja) * 1988-09-02 1990-03-08 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体集積回路容器
JP2697013B2 (ja) * 1988-10-25 1998-01-14 富士通株式会社 クランプ装置
JPH0732215B2 (ja) * 1988-10-25 1995-04-10 三菱電機株式会社 半導体装置
JPH0732216B2 (ja) * 1988-12-16 1995-04-10 三菱電機株式会社 半導体装置
JPH02306639A (ja) * 1989-05-22 1990-12-20 Toshiba Corp 半導体装置の樹脂封入方法
JPH0612795B2 (ja) * 1989-11-07 1994-02-16 株式会社日立製作所 マルチチップモジュールの冷却構造
US5041902A (en) * 1989-12-14 1991-08-20 Motorola, Inc. Molded electronic package with compression structures
JPH03286558A (ja) * 1990-04-02 1991-12-17 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレーム
JPH04164361A (ja) * 1990-10-29 1992-06-10 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置
US5139973A (en) * 1990-12-17 1992-08-18 Allegro Microsystems, Inc. Method for making a semiconductor package with the distance between a lead frame die pad and heat spreader determined by the thickness of an intermediary insulating sheet
US5218215A (en) * 1990-12-19 1993-06-08 Vlsi Technology, Inc. Semiconductor device package having a thermal dissipation means that allows for lateral movement of the lead frame with respect to the housing without breakage of the thermal dissipation path
US5200809A (en) * 1991-09-27 1993-04-06 Vlsi Technology, Inc. Exposed die-attach heatsink package
US5162975A (en) * 1991-10-15 1992-11-10 Hewlett-Packard Company Integrated circuit demountable TAB apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130004395U (ko) * 2012-01-06 2013-07-16 페어차일드코리아반도체 주식회사 반도체 패키지
JP2014007267A (ja) * 2012-06-25 2014-01-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
US5378924A (en) 1995-01-03
US5442234A (en) 1995-08-15
KR950703796A (ko) 1995-09-20
US5387554A (en) 1995-02-07
WO1994006154A1 (en) 1994-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH08501188A (ja) リードフレームにヒートシンクを熱結合するための方法
US6914325B2 (en) Power semiconductor module
TW319905B (ja)
JP2548350B2 (ja) テープ自動結合に使用される熱放散相互接続テープ
US7061082B2 (en) Semiconductor die with attached heat sink and transfer mold
KR100242393B1 (ko) 반도체 패키지 및 제조방법
EP1255297B1 (en) Electrically isolated power device package
WO2005124858A2 (en) Package and method for packaging an integrated circuit die
US5132773A (en) Carrier ring having first and second ring means with bonded surfaces
US7229855B2 (en) Process for assembling a double-sided circuit component
JPS62109326A (ja) 半導体装置の製造方法
WO1997027626A1 (en) Integrated circuit package having enhanced heat dissipation and grounding
WO2008116089A1 (en) Leadframe array with riveted heat sinks
JPS62117351A (ja) プラスチツク・パツケ−ジ型半導体装置
JPH06104353A (ja) 放熱板付樹脂封止半導体装置
JPH05275578A (ja) 半導体装置
JPH0794653A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びリードフレーム
JPH10163382A (ja) 半導体パッケージ及びその製造方法
JPH05218284A (ja) リードフレーム及びその製造方法並びに半導体装置
JPH02257661A (ja) 半導体パッケージ構造