JPH0794653A - 樹脂封止型半導体装置及びリードフレーム - Google Patents
樹脂封止型半導体装置及びリードフレームInfo
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- JPH0794653A JPH0794653A JP23937393A JP23937393A JPH0794653A JP H0794653 A JPH0794653 A JP H0794653A JP 23937393 A JP23937393 A JP 23937393A JP 23937393 A JP23937393 A JP 23937393A JP H0794653 A JPH0794653 A JP H0794653A
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- chip pad
- resin
- semiconductor device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】薄型化を図ることができ、高い放熱効果が得ら
れるとともに半導体素子の破損防止を考慮した樹脂封止
型半導体装置及びリードフレームを提供する。 【構成】半導体素子１を搭載するための素子搭載部を、
半導体素子１と接合する半導体素子１の線膨張係数に近
い材料からなる部材と、半導体装置を実装する基板に接
合する高熱伝導材料からなる部材２によって形成した。
れるとともに半導体素子の破損防止を考慮した樹脂封止
型半導体装置及びリードフレームを提供する。 【構成】半導体素子１を搭載するための素子搭載部を、
半導体素子１と接合する半導体素子１の線膨張係数に近
い材料からなる部材と、半導体装置を実装する基板に接
合する高熱伝導材料からなる部材２によって形成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置及
びリードフレームに係り、特に、半導体素子の損傷防止
とともに半導体素子が発生した熱を効果的に外部に放熱
するのに好適で、薄型化に適した樹脂封止型半導体装置
及びリードフレームに関する。
びリードフレームに係り、特に、半導体素子の損傷防止
とともに半導体素子が発生した熱を効果的に外部に放熱
するのに好適で、薄型化に適した樹脂封止型半導体装置
及びリードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より樹脂封止型半導体装置では、図
１１に例を示すように半導体素子１を素子搭載部材であ
るチップパッド２上に固定するとともに、チップパッド
２の周囲に複数のリード３を配置し、半導体素子１上の
端子とリード３を金属細線４によって電気的に接続し
て、その周囲を樹脂５で封止する構造が採用されてい
る。通常、チップパッド２とリード３は同一のリードフ
レーム内に形成されており、鉄系金属材料（例えばＦｅ
−４２Ｎｉ）あるいは高熱伝導材料であるＣｕ系の合金
材料が用いられている。
１１に例を示すように半導体素子１を素子搭載部材であ
るチップパッド２上に固定するとともに、チップパッド
２の周囲に複数のリード３を配置し、半導体素子１上の
端子とリード３を金属細線４によって電気的に接続し
て、その周囲を樹脂５で封止する構造が採用されてい
る。通常、チップパッド２とリード３は同一のリードフ
レーム内に形成されており、鉄系金属材料（例えばＦｅ
−４２Ｎｉ）あるいは高熱伝導材料であるＣｕ系の合金
材料が用いられている。
【０００３】近年、半導体素子の高集積化が進み、半導
体素子の発熱量が増大してきている。図１１に示した従
来の樹脂封止型半導体装置では、半導体素子１に発生し
た熱が熱伝導率の小さい樹脂部分５ａを介してパッケー
ジ６外部に放熱されるため、リードフレームに高熱伝導
材料であるＣｕ系合金材料を使用した場合であっても、
十分な放熱効果を得ることが困難になってきている。
体素子の発熱量が増大してきている。図１１に示した従
来の樹脂封止型半導体装置では、半導体素子１に発生し
た熱が熱伝導率の小さい樹脂部分５ａを介してパッケー
ジ６外部に放熱されるため、リードフレームに高熱伝導
材料であるＣｕ系合金材料を使用した場合であっても、
十分な放熱効果を得ることが困難になってきている。
【０００４】このような問題を回避するため、半導体素
子を高熱伝導体上に搭載し、チップパッドに貫通孔を設
けて高熱伝導体を挿入固定するとともに、その一部をパ
ッケージ底面から外部に露出させた樹脂封止型半導体装
置の構造が特開平1−293551号公報により提案されてい
る。
子を高熱伝導体上に搭載し、チップパッドに貫通孔を設
けて高熱伝導体を挿入固定するとともに、その一部をパ
ッケージ底面から外部に露出させた樹脂封止型半導体装
置の構造が特開平1−293551号公報により提案されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】樹脂封止型半導体装置
は、高密度実装の要求によってパッケージが薄型化，小
型化される傾向にある。特開平1−293551 号公報に開示
されている半導体装置では、半導体素子を搭載する高熱
伝導体とチップパッドが重ね合わされている個所が存在
する。そのため、重ね合わせ部分の厚さの分だけパッケ
ージを薄くすることができず、高密度実装に対応するこ
とができない問題がある。また、高熱伝導体にＣｕ系合
金材料を使用して半導体素子を接合すると、半導体素子
（Ｓｉ）とＣｕ系合金材料との線膨張係数差が大きいた
め、両者の接合時あるいは接合後の温度変化によって半
導体素子に大きな熱応力が発生し、半導体素子が破壊す
る問題がある。
は、高密度実装の要求によってパッケージが薄型化，小
型化される傾向にある。特開平1−293551 号公報に開示
されている半導体装置では、半導体素子を搭載する高熱
伝導体とチップパッドが重ね合わされている個所が存在
する。そのため、重ね合わせ部分の厚さの分だけパッケ
ージを薄くすることができず、高密度実装に対応するこ
とができない問題がある。また、高熱伝導体にＣｕ系合
金材料を使用して半導体素子を接合すると、半導体素子
（Ｓｉ）とＣｕ系合金材料との線膨張係数差が大きいた
め、両者の接合時あるいは接合後の温度変化によって半
導体素子に大きな熱応力が発生し、半導体素子が破壊す
る問題がある。
【０００６】本発明の目的は、半導体装置の薄型化を図
ることができ、高い放熱効果が得られるとともに半導体
素子の破損防止を考慮した樹脂封止型半導体装置及びリ
ードフレームを提供することにある。
ることができ、高い放熱効果が得られるとともに半導体
素子の破損防止を考慮した樹脂封止型半導体装置及びリ
ードフレームを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、Ｃｕ系合金
材料などの高熱伝導材料からなる第一チップパッドに貫
通孔を設け、第一チップパッドと同一厚さでかつ半導体
素子の線膨張係数に近い材料からなる第二チップパッド
を前記貫通孔に挿入固定する。半導体素子を第一チップ
パッド及び第二チップパッドから構成されたチップパッ
ド上に搭載する。チップパッド上に搭載した半導体素子
を第二チップパッドのみに接合し、第一チップパッドの
一部をパッケージ外部に露出させることによって達成さ
れる。
材料などの高熱伝導材料からなる第一チップパッドに貫
通孔を設け、第一チップパッドと同一厚さでかつ半導体
素子の線膨張係数に近い材料からなる第二チップパッド
を前記貫通孔に挿入固定する。半導体素子を第一チップ
パッド及び第二チップパッドから構成されたチップパッ
ド上に搭載する。チップパッド上に搭載した半導体素子
を第二チップパッドのみに接合し、第一チップパッドの
一部をパッケージ外部に露出させることによって達成さ
れる。
【０００８】また上記目的は、Ｃｕ系合金材料などの高
熱伝導材料からなる第一チップパッドの半導体素子と対
向する面に凹部を設け、前記凹部の深さと同じ厚さでか
つ半導体素子の線膨張係数に近い材料からなる第二チッ
プパッドを前記凹部に挿入固定する。半導体素子を第一
チップパッド及び第二チップパッドから構成されたチッ
プパッド上に搭載する。チップパッド上に搭載した半導
体素子を第二チップパッドのみに接合し、第一チップパ
ッドの一部をパッケージ外部に露出させることによって
達成される。
熱伝導材料からなる第一チップパッドの半導体素子と対
向する面に凹部を設け、前記凹部の深さと同じ厚さでか
つ半導体素子の線膨張係数に近い材料からなる第二チッ
プパッドを前記凹部に挿入固定する。半導体素子を第一
チップパッド及び第二チップパッドから構成されたチッ
プパッド上に搭載する。チップパッド上に搭載した半導
体素子を第二チップパッドのみに接合し、第一チップパ
ッドの一部をパッケージ外部に露出させることによって
達成される。
【０００９】なお、パッケージ外部に露出した第一チッ
プパッドの一部を半導体装置が実装される基板に接合す
ると放熱効果がより向上する。
プパッドの一部を半導体装置が実装される基板に接合す
ると放熱効果がより向上する。
【００１０】
【作用】チップパッド全体の厚さを第一チップパッドの
厚さと同一になるように、第二チップパッドを第一チッ
プパッドの貫通孔あるいは凹部に挿入固定するので、チ
ップパッド部が厚くなることがなく半導体装置の薄型化
に対応することができる。また、半導体素子とチップパ
ッドの接合は、半導体素子の線膨張係数に近い材料から
なる第二チップパッド部分で行うので、接合時あるいは
接合後の温度変化によって半導体素子に生じる熱応力が
小さくなり、半導体素子が破損することがない。さら
に、高熱伝導材料からなる第一チップパッドの一部をパ
ッケージの外部へ露出させているので、半導体素子で発
生した熱を効果的にパッケージ外部に放熱することがで
きる。
厚さと同一になるように、第二チップパッドを第一チッ
プパッドの貫通孔あるいは凹部に挿入固定するので、チ
ップパッド部が厚くなることがなく半導体装置の薄型化
に対応することができる。また、半導体素子とチップパ
ッドの接合は、半導体素子の線膨張係数に近い材料から
なる第二チップパッド部分で行うので、接合時あるいは
接合後の温度変化によって半導体素子に生じる熱応力が
小さくなり、半導体素子が破損することがない。さら
に、高熱伝導材料からなる第一チップパッドの一部をパ
ッケージの外部へ露出させているので、半導体素子で発
生した熱を効果的にパッケージ外部に放熱することがで
きる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１及び図２によ
って説明する。
って説明する。
【００１２】図１は本発明の一実施例である樹脂封止型
半導体装置の一部分の樹脂を取り除いた部分断面斜視
図、図２は図１の樹脂封止型半導体装置のイ−イ線で切
った断面図である。
半導体装置の一部分の樹脂を取り除いた部分断面斜視
図、図２は図１の樹脂封止型半導体装置のイ−イ線で切
った断面図である。
【００１３】図１及び図２において、チップパッド２は
第一チップパッド２１と第二チップパッド２２から構成
されており、第二チップパッド２２は、第一チップパッ
ド２１に設けられた貫通孔２ａに挿入固定されている。
そのため、貫通孔２１ａと第二チップパッド２２の輪郭
は一致している。貫通孔２１ａの側面は、第一チップパ
ッド２１の半導体素子搭載面２１ｂに対して、直角に形
成されている。半導体素子１は、第一チップパッド２１
及び第二チップパッド２２上に搭載されており、半導体
素子１は第二チップパッド２２のみに接合されている。
第一チップパッド２１周囲の複数のリード３は、半導体
素子１と、図示されていない金属細線によって電気的に
接合される。本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体
素子１，第一チップパッド２１，第二チップパッド２２
及びリード３の周囲を樹脂５で封止してパッケージ６を
形成している。リード３の一部は、パッケージ６外部ま
で延びており、パッケージ６の外部で基板に接合できる
ように成型されている。第一チップパッド２１の一部は
放熱リード７となっており、パッケージ６の外部でリー
ド３と同じように、基板に接合できるように成型されて
いる。
第一チップパッド２１と第二チップパッド２２から構成
されており、第二チップパッド２２は、第一チップパッ
ド２１に設けられた貫通孔２ａに挿入固定されている。
そのため、貫通孔２１ａと第二チップパッド２２の輪郭
は一致している。貫通孔２１ａの側面は、第一チップパ
ッド２１の半導体素子搭載面２１ｂに対して、直角に形
成されている。半導体素子１は、第一チップパッド２１
及び第二チップパッド２２上に搭載されており、半導体
素子１は第二チップパッド２２のみに接合されている。
第一チップパッド２１周囲の複数のリード３は、半導体
素子１と、図示されていない金属細線によって電気的に
接合される。本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体
素子１，第一チップパッド２１，第二チップパッド２２
及びリード３の周囲を樹脂５で封止してパッケージ６を
形成している。リード３の一部は、パッケージ６外部ま
で延びており、パッケージ６の外部で基板に接合できる
ように成型されている。第一チップパッド２１の一部は
放熱リード７となっており、パッケージ６の外部でリー
ド３と同じように、基板に接合できるように成型されて
いる。
【００１４】本実施例に示した樹脂封止型半導体装置に
使用する。本発明のリードフレームの例を図３に示す。
本発明のリードフレーム８は、第一チップパッド２１，
第二チップパッド２２，第一チップパッド２１から延び
た放熱リード７，複数のリード３，ダムリード８１，吊
りリード８２、及び外枠８３によって構成されている。
リードフレーム８において、第一チップパッド２１に
は、貫通孔２１ａが設けられている。この貫通孔２１ａ
に、第一チップパッド２１と同一厚さの第二チップパッ
ド２２を挿入固定することによって、図１に示した本発
明による樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレーム
を得ることができる。
使用する。本発明のリードフレームの例を図３に示す。
本発明のリードフレーム８は、第一チップパッド２１，
第二チップパッド２２，第一チップパッド２１から延び
た放熱リード７，複数のリード３，ダムリード８１，吊
りリード８２、及び外枠８３によって構成されている。
リードフレーム８において、第一チップパッド２１に
は、貫通孔２１ａが設けられている。この貫通孔２１ａ
に、第一チップパッド２１と同一厚さの第二チップパッ
ド２２を挿入固定することによって、図１に示した本発
明による樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレーム
を得ることができる。
【００１５】第一チップパッド２１と第二チップパッド
２２の固定は、接着剤などで接合して行う。また、第二
チップパッド２２を第一チップパッド２１の貫通孔２１
ａに挿入後、塑性加工などによって両者を固定すること
もできる。
２２の固定は、接着剤などで接合して行う。また、第二
チップパッド２２を第一チップパッド２１の貫通孔２１
ａに挿入後、塑性加工などによって両者を固定すること
もできる。
【００１６】第一チップパッド２１の貫通孔２１ａの形
成には、リードフレームの作成に使用されるエッチング
や打ち抜きなどの方法の他、レーザ切断加工を使用する
ことができる。
成には、リードフレームの作成に使用されるエッチング
や打ち抜きなどの方法の他、レーザ切断加工を使用する
ことができる。
【００１７】第一チップパッド２１及び放熱リード７
は、ＣｕあるいはＣｕ系合金などの高熱伝導金属材料に
よって構成する。半導体素子１を接合する第二チップパ
ッド２２には、半導体素子１の材料であるＳｉの線膨張
係数に近い材料、例えば、Ｆｅ−４２Ｎｉ合金などの金
属材料を使用する。また、第二チップパッド２２には、
セラミックやガラスなどの無機質材料を使用しても良
い。
は、ＣｕあるいはＣｕ系合金などの高熱伝導金属材料に
よって構成する。半導体素子１を接合する第二チップパ
ッド２２には、半導体素子１の材料であるＳｉの線膨張
係数に近い材料、例えば、Ｆｅ−４２Ｎｉ合金などの金
属材料を使用する。また、第二チップパッド２２には、
セラミックやガラスなどの無機質材料を使用しても良
い。
【００１８】樹脂５には、フェノール系硬化剤，シリコ
ーンゴム及びフィラーが添加されたエポキシ樹脂を使用
し、この他に難燃化剤，カップリング剤，着色剤などを
若干量添加する。
ーンゴム及びフィラーが添加されたエポキシ樹脂を使用
し、この他に難燃化剤，カップリング剤，着色剤などを
若干量添加する。
【００１９】次に、図１に示した本実施例の樹脂封止型
半導体装置の製造方法を説明する。第二チップパッド２
２が第一チップパッド２１の貫通孔２１ａに挿入固定さ
れたチップパッド２，放熱リード７，リード３，ダムリ
ード８１，吊りリード８２、及び外枠８３によって構成
されたリードフレーム８のチップパッド２上に半導体素
子１を搭載し、半導体素子１と第二チップパッド２２を
接着剤などにより接合する。半導体素子１とチップパッ
ド２周囲のリード３を金属細線によって接続する。半導
体素子１，チップパッド２、及び金属細線の周囲と、リ
ード３及び放熱リード７の一部をトランスファモールド
法によって樹脂５で封止する。樹脂封止後、リードフレ
ーム８の外枠８３からチップパッド２，リード３、及び
放熱リード７を切り離すとともに、リード間のダムリー
ド８１もそれぞれ切断する。その後、リード３及び放熱
リード７を所定の形状に成型して、図１に示した樹脂封
止型半導体装置を得る。
半導体装置の製造方法を説明する。第二チップパッド２
２が第一チップパッド２１の貫通孔２１ａに挿入固定さ
れたチップパッド２，放熱リード７，リード３，ダムリ
ード８１，吊りリード８２、及び外枠８３によって構成
されたリードフレーム８のチップパッド２上に半導体素
子１を搭載し、半導体素子１と第二チップパッド２２を
接着剤などにより接合する。半導体素子１とチップパッ
ド２周囲のリード３を金属細線によって接続する。半導
体素子１，チップパッド２、及び金属細線の周囲と、リ
ード３及び放熱リード７の一部をトランスファモールド
法によって樹脂５で封止する。樹脂封止後、リードフレ
ーム８の外枠８３からチップパッド２，リード３、及び
放熱リード７を切り離すとともに、リード間のダムリー
ド８１もそれぞれ切断する。その後、リード３及び放熱
リード７を所定の形状に成型して、図１に示した樹脂封
止型半導体装置を得る。
【００２０】図１に示した実施例では、リード３及び放
熱リード７のパッケージ外部に引き出された部分は、ガ
ルウィング型に折り曲げ成型されているが、この他にＪ
ベンド型，バット型等に成型する。
熱リード７のパッケージ外部に引き出された部分は、ガ
ルウィング型に折り曲げ成型されているが、この他にＪ
ベンド型，バット型等に成型する。
【００２１】本実施例によれば、第一チップパッド２１
の貫通孔２１ａに、第一チップパッド２１と同一厚さの
第二チップパッド２２を挿入するので、半導体素子を搭
載するチップパッド２が厚くなることがない。また、半
導体素子１とチップパッド２の接合を、半導体素子の線
膨張係数に近い材料で構成した第二チップパッド２２部
分で行うので、熱応力による半導体素子の破損を防止す
ることができる。さらに、高熱伝導材料からなる第一チ
ップパッド２１の一部を放熱リード７としてパッケージ
の外部へ延ばし基板と接合するので、パッケージ内部で
発生した熱を効果的に外部へ放熱することができる。
の貫通孔２１ａに、第一チップパッド２１と同一厚さの
第二チップパッド２２を挿入するので、半導体素子を搭
載するチップパッド２が厚くなることがない。また、半
導体素子１とチップパッド２の接合を、半導体素子の線
膨張係数に近い材料で構成した第二チップパッド２２部
分で行うので、熱応力による半導体素子の破損を防止す
ることができる。さらに、高熱伝導材料からなる第一チ
ップパッド２１の一部を放熱リード７としてパッケージ
の外部へ延ばし基板と接合するので、パッケージ内部で
発生した熱を効果的に外部へ放熱することができる。
【００２２】図１に示した実施例では、第一チップパッ
ド２１の貫通孔２１ａの側面を、第一チップパッド２１
の半導体素子搭載面２１ｂに対して直角に形成する例を
示した。しかし、第一チップパッド２１の貫通孔２１ａ
の側面は、図４に示すように、半導体素子搭載面２１ｂ
に対して傾斜していても良い。この場合、第二チップパ
ッド２２も貫通孔２１ａの傾斜に合わせて加工する。
ド２１の貫通孔２１ａの側面を、第一チップパッド２１
の半導体素子搭載面２１ｂに対して直角に形成する例を
示した。しかし、第一チップパッド２１の貫通孔２１ａ
の側面は、図４に示すように、半導体素子搭載面２１ｂ
に対して傾斜していても良い。この場合、第二チップパ
ッド２２も貫通孔２１ａの傾斜に合わせて加工する。
【００２３】また図１に示した実施例では、放熱リード
７をリード３と同じようにパッケージの外部で、基板に
接合するように折り曲げ成型する例を示した。しかし、
基板に放熱リード７を接合するスペースがとれないよう
な場合は、図５に示すように、放熱リード７をリード３
とは反対の方向に折り曲げ成型したものでも差し支えな
い。
７をリード３と同じようにパッケージの外部で、基板に
接合するように折り曲げ成型する例を示した。しかし、
基板に放熱リード７を接合するスペースがとれないよう
な場合は、図５に示すように、放熱リード７をリード３
とは反対の方向に折り曲げ成型したものでも差し支えな
い。
【００２４】さらに、図１に示した実施例では、放熱リ
ード７及びリード３がパッケージ６の二方向から外部に
引き出されている例を示した。放熱リード７及びリード
３がパッケージ６の外部へ引き出される方向は、図１の
実施例のようにパッケージ６の二方向に限定されるもの
ではなく、一方向あるいは三方向以上であっても良い。
図６は放熱リード７及びリード３がパッケージ６の四方
向から外部へ引き出されている例を示している。図６に
おいて、放熱リード７はパッケージ６のコーナ６ａ近傍
に設けられているが、放熱リード７の形成される位置
は、半導体装置の機能を損なわない限り、パッケージの
コーナ部や中央部、あるいはその他の個所でも差し支え
ない。
ード７及びリード３がパッケージ６の二方向から外部に
引き出されている例を示した。放熱リード７及びリード
３がパッケージ６の外部へ引き出される方向は、図１の
実施例のようにパッケージ６の二方向に限定されるもの
ではなく、一方向あるいは三方向以上であっても良い。
図６は放熱リード７及びリード３がパッケージ６の四方
向から外部へ引き出されている例を示している。図６に
おいて、放熱リード７はパッケージ６のコーナ６ａ近傍
に設けられているが、放熱リード７の形成される位置
は、半導体装置の機能を損なわない限り、パッケージの
コーナ部や中央部、あるいはその他の個所でも差し支え
ない。
【００２５】第一チップパッド２１に形成される貫通孔
２１ａ及び貫通孔２１ａに挿入固定される第二チップパ
ッド２２の形状は、図１のように四辺形に限定されるも
のではなく、図７のように楕円形、あるいは他の形状で
あっても良い。
２１ａ及び貫通孔２１ａに挿入固定される第二チップパ
ッド２２の形状は、図１のように四辺形に限定されるも
のではなく、図７のように楕円形、あるいは他の形状で
あっても良い。
【００２６】図８は、本発明による樹脂封止型半導体装
置の他の実施例を示すチップパッドから上の樹脂及び半
導体素子を取り除いた平面図である。
置の他の実施例を示すチップパッドから上の樹脂及び半
導体素子を取り除いた平面図である。
【００２７】図８に示した本発明による樹脂封止型半導
体装置では、チップパッド２は第一チップパッド２１と
第二チップパッド２２から構成されている。第一チップ
パッド２１の二個所に貫通孔２１ａが設けられており、
それぞれの貫通孔２１ａに第二チップパッド２２が挿入
固定されている。そのため、貫通孔２１ａと第二チップ
パッド２２の輪郭は一致している。図示されていない半
導体素子１は、チップパッド２上に搭載され、半導体素
子１と第二チップパッド２２のみを接合する。放熱リー
ド７は、リード３と同じ方向からパッケージ６外部へ引
き出されている。
体装置では、チップパッド２は第一チップパッド２１と
第二チップパッド２２から構成されている。第一チップ
パッド２１の二個所に貫通孔２１ａが設けられており、
それぞれの貫通孔２１ａに第二チップパッド２２が挿入
固定されている。そのため、貫通孔２１ａと第二チップ
パッド２２の輪郭は一致している。図示されていない半
導体素子１は、チップパッド２上に搭載され、半導体素
子１と第二チップパッド２２のみを接合する。放熱リー
ド７は、リード３と同じ方向からパッケージ６外部へ引
き出されている。
【００２８】図９は、図８に示した本発明による樹脂封
止型半導体装置の他の例を示すチップパッドから上の樹
脂を取り除いた平面図である。図９において、第一チッ
プパッド２１には、四個所に貫通孔２１ａが設けられて
おり、それぞれに第二チップパッド２２が挿入固定され
ている。
止型半導体装置の他の例を示すチップパッドから上の樹
脂を取り除いた平面図である。図９において、第一チッ
プパッド２１には、四個所に貫通孔２１ａが設けられて
おり、それぞれに第二チップパッド２２が挿入固定され
ている。
【００２９】図８，図９に示したように、第一チップパ
ッド２１に複数の貫通孔２１ａを設けて、それぞれに複
数の第二チップパッド２２を挿入固定することによっ
て、半導体素子１の下面における高熱伝導材料からなる
第一チップパッド２１の占有面積が大きくなるので、放
熱効果がさらに向上する。
ッド２１に複数の貫通孔２１ａを設けて、それぞれに複
数の第二チップパッド２２を挿入固定することによっ
て、半導体素子１の下面における高熱伝導材料からなる
第一チップパッド２１の占有面積が大きくなるので、放
熱効果がさらに向上する。
【００３０】なお、第一チップパッド２１に形成する貫
通孔２１ａの数は、図８及び図９に示したように二ある
いは四個所に限定されるものではなく、三個所あるいは
四個所以上であっても良い。
通孔２１ａの数は、図８及び図９に示したように二ある
いは四個所に限定されるものではなく、三個所あるいは
四個所以上であっても良い。
【００３１】図１０は、本発明による樹脂封止型半導体
装置のさらに他の実施例を示す断面図である。
装置のさらに他の実施例を示す断面図である。
【００３２】図１０において、半導体素子を搭載するチ
ップパッド２は、第一チップパッド２１と第二チップパ
ッド２２から構成されている。第二チップパッド２２
は、第一チップパッド２１の半導体素子搭載面２１ｂ側
に設けられた凹部２１ｃに挿入固定されている。第二チ
ップパッド２２の厚さは、凹部２１ｃの深さと同じであ
る。そのため、第二チップパッド２２挿入後のチップパ
ッド２の厚さは均一であり、半導体素子搭載面２１ｂは
平面となっている。半導体素子１は、チップパッド２上
に搭載されており、半導体素子１は第二チップパッド２
２のみに接着剤などで接合されている。本発明の樹脂封
止型半導体装置は、半導体素子１，チップパッド２、及
び図示されていないリード３の周囲を樹脂５で封止して
いる。第一チップパッド２１の一部は放熱リード７とな
っており、パッケージ６外部へ引き出されて、図示され
ていないリード３と同じように、基板に接合できるよう
に折り曲げ成型されている。
ップパッド２は、第一チップパッド２１と第二チップパ
ッド２２から構成されている。第二チップパッド２２
は、第一チップパッド２１の半導体素子搭載面２１ｂ側
に設けられた凹部２１ｃに挿入固定されている。第二チ
ップパッド２２の厚さは、凹部２１ｃの深さと同じであ
る。そのため、第二チップパッド２２挿入後のチップパ
ッド２の厚さは均一であり、半導体素子搭載面２１ｂは
平面となっている。半導体素子１は、チップパッド２上
に搭載されており、半導体素子１は第二チップパッド２
２のみに接着剤などで接合されている。本発明の樹脂封
止型半導体装置は、半導体素子１，チップパッド２、及
び図示されていないリード３の周囲を樹脂５で封止して
いる。第一チップパッド２１の一部は放熱リード７とな
っており、パッケージ６外部へ引き出されて、図示され
ていないリード３と同じように、基板に接合できるよう
に折り曲げ成型されている。
【００３３】第一チップパッド２１及び放熱リード７
は、ＣｕあるいはＣｕ系合金などの高熱伝導材料によっ
て構成する。半導体素子１を接合する第二チップパッド
２２は、半導体素子１の線膨張係数に近い材料、例えば
Ｆｅ−４２Ｎｉ合金などによって構成する。
は、ＣｕあるいはＣｕ系合金などの高熱伝導材料によっ
て構成する。半導体素子１を接合する第二チップパッド
２２は、半導体素子１の線膨張係数に近い材料、例えば
Ｆｅ−４２Ｎｉ合金などによって構成する。
【００３４】第一チップパッド２１の凹部２１ｃは、リ
ードフレームの片面からのエッチングまたは、プレス加
工によって形成する。
ードフレームの片面からのエッチングまたは、プレス加
工によって形成する。
【００３５】本発明によっても、第一チップパッド２１
の凹部２１ｃに、凹部２１ｃの深さと同じ厚さの第二チ
ップパッド２２を挿入するので、半導体素子１を搭載す
るチップパッド２が厚くなることがない。また、半導体
素子１とチップパッド２の接合を、半導体素子の線膨張
係数に近い材料で構成した第二チップパッド２２部分で
行うので、熱応力による半導体素子１の破損を防止する
ことができる。さらに、高熱伝導材料からなる第一チッ
プパッド２１の一部を放熱リード７としてパッケージ６
の外部へ延ばし基板と接合するので、半導体装置内部で
発生した熱を効果的に外部へ放熱することができる。
の凹部２１ｃに、凹部２１ｃの深さと同じ厚さの第二チ
ップパッド２２を挿入するので、半導体素子１を搭載す
るチップパッド２が厚くなることがない。また、半導体
素子１とチップパッド２の接合を、半導体素子の線膨張
係数に近い材料で構成した第二チップパッド２２部分で
行うので、熱応力による半導体素子１の破損を防止する
ことができる。さらに、高熱伝導材料からなる第一チッ
プパッド２１の一部を放熱リード７としてパッケージ６
の外部へ延ばし基板と接合するので、半導体装置内部で
発生した熱を効果的に外部へ放熱することができる。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、半導体素子の損傷防止
とともに半導体装置内部で発生した熱を効果的に外部に
放熱することができ、さらに半導体装置の薄型化に適し
た樹脂封止型半導体装置及びそれに用いるリードフレー
ムを得ることができる。
とともに半導体装置内部で発生した熱を効果的に外部に
放熱することができ、さらに半導体装置の薄型化に適し
た樹脂封止型半導体装置及びそれに用いるリードフレー
ムを得ることができる。
【図１】本発明の樹脂封止型半導体装置の一実施例を示
す部分の斜視図。
す部分の斜視図。
【図２】図１のイ−イ線断面図。
【図３】図１に示した本発明の樹脂封止型半導体装置に
用いるリードフレームの例を示す斜視図。
用いるリードフレームの例を示す斜視図。
【図４】図１に示した実施例の他の例を示す断面図。
【図５】図１に示した実施例の他の例を示す断面図。
【図６】図１に示した実施例のさらに他の例を示すチッ
プパッドから上部の樹脂及び半導体素子を取り除いた平
面図。
プパッドから上部の樹脂及び半導体素子を取り除いた平
面図。
【図７】図１に示した実施例のさらに他の例を示すチッ
プパッドから上部の樹脂及び半導体素子を取り除いた平
面図。
プパッドから上部の樹脂及び半導体素子を取り除いた平
面図。
【図８】本発明の樹脂封止型半導体装置の他の実施例を
示すチップパッドから上部の樹脂及び半導体素子を取り
除いた平面図。
示すチップパッドから上部の樹脂及び半導体素子を取り
除いた平面図。
【図９】本発明の樹脂封止型半導体装置の他の実施例を
示すチップパッドから上部の樹脂及び半導体素子を取り
除いた平面図。
示すチップパッドから上部の樹脂及び半導体素子を取り
除いた平面図。
【図１０】本発明の樹脂封止型半導体装置の他の実施例
を示す断面図。
を示す断面図。
【図１１】従来の樹脂封止型半導体装置の例を示す断面
図。
図。
１…半導体素子、２…チップパッド、２１…第一チップ
パッド、、２２…第二チップパッド２１ａ…貫通孔、２
１ｂ…素子搭載面、２１ｃ…凹部、３…リード、５…樹
脂、６…パッケージ、７…放熱リード。
パッド、、２２…第二チップパッド２１ａ…貫通孔、２
１ｂ…素子搭載面、２１ｃ…凹部、３…リード、５…樹
脂、６…パッケージ、７…放熱リード。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/29 (72)発明者 田中 直敬 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】半導体素子と、前記半導体素子を搭載する
ための素子搭載部と前記半導体素子と電気的に接続され
るリードを備え、前記半導体素子，前記素子搭載部、及
びリードの一部を樹脂で封止してパッケージを形成した
樹脂封止型半導体装置において、前記素子搭載部を、前
記半導体素子に接合する部材と、前記半導体素子に接合
しない部材から形成したことを特徴とする樹脂封止型半
導体装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記素子搭載部の前記
半導体素子に接合しない部材を、前記半導体装置を実装
する基板に接合したことを特徴とする樹脂封止型半導体
装置。 - 【請求項３】請求項１または２において、前記素子搭載
部の前記半導体素子に接合する部材を前記半導体素子の
線膨張係数に近い材料で形成し、前記半導体素子に接合
しない部材を高熱伝導材料で形成した樹脂封止型半導体
装置。 - 【請求項４】半導体素子を搭載する素子搭載部と、前記
半導体素子と電気的に接続されるリード部を備えたリー
ドフレームにおいて、前記素子搭載部を、前記半導体素
子に接合する部材と、前記半導体素子に接合しない部材
から形成したことを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項５】請求項４において、前記素子搭載部の半導
体素子に接合しない部材を、半導体装置を実装する基板
に接合したリードフレーム。 - 【請求項６】請求項４または５において、前記素子搭載
部の前記半導体素子に接合する部材を前記半導体素子の
線膨張係数に近い材料で形成し、前記半導体素子に接合
しない部材を高熱伝導材料で形成したリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23937393A JPH0794653A (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 樹脂封止型半導体装置及びリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23937393A JPH0794653A (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 樹脂封止型半導体装置及びリードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794653A true JPH0794653A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=17043814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23937393A Pending JPH0794653A (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 樹脂封止型半導体装置及びリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794653A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007157801A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体モジュールとその製造方法 |
-
1993
- 1993-09-27 JP JP23937393A patent/JPH0794653A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007157801A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体モジュールとその製造方法 |
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