JPH0845800A - 半導体ウエハおよびその識別方法 - Google Patents
半導体ウエハおよびその識別方法Info
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- JPH0845800A JPH0845800A JP17787494A JP17787494A JPH0845800A JP H0845800 A JPH0845800 A JP H0845800A JP 17787494 A JP17787494 A JP 17787494A JP 17787494 A JP17787494 A JP 17787494A JP H0845800 A JPH0845800 A JP H0845800A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】移載治具による半導体ウエハの把持作業でも破
損せず、その形成により品質上の問題を生じることな
く、かつ前工程で半導体チップ上に形成されたパターン
のチエックやウエハ位置合わせ用マ−クの検出の際にも
識別検出を可能とする識別記号を用いた半導体ウエハお
よびその識別方法を提供する。 【構成】互いに直交するＸ方向およびＹ方向に延在する
切断分離領域１１，１２に囲まれた半導体チップ１３が
マトリックス状に配列されている半導体ウエハ１０Ａ，
１０Ｂにおいて、切断分離領域１１，１２上に半導体ウ
エハ１０Ａ，１０Ｂを識別する識別記号１４をシリコン
樹脂のドット１７の集合により形成した半導体ウエハお
よびその識別方法。
損せず、その形成により品質上の問題を生じることな
く、かつ前工程で半導体チップ上に形成されたパターン
のチエックやウエハ位置合わせ用マ−クの検出の際にも
識別検出を可能とする識別記号を用いた半導体ウエハお
よびその識別方法を提供する。 【構成】互いに直交するＸ方向およびＹ方向に延在する
切断分離領域１１，１２に囲まれた半導体チップ１３が
マトリックス状に配列されている半導体ウエハ１０Ａ，
１０Ｂにおいて、切断分離領域１１，１２上に半導体ウ
エハ１０Ａ，１０Ｂを識別する識別記号１４をシリコン
樹脂のドット１７の集合により形成した半導体ウエハお
よびその識別方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハおよびその
識別方法に関する。
識別方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ウエハ段階の製造工程が完了したあと多
数の半導体ウエハの電気的試験（Ｐ／Ｗチエック）を行
ないその検査データを保存するに際して、それぞれの半
導体ウエハと検査データとの対応が容易である必要があ
る。このためにウエハ段階の製造工程が完了した後、そ
れぞれの半導体ウエハに識別記号を形成し、電気的試験
の前にその識別記号を読み取って印字し、そのあとに当
該半導体ウエハの検査データを印字して保存するのが好
ましい。
数の半導体ウエハの電気的試験（Ｐ／Ｗチエック）を行
ないその検査データを保存するに際して、それぞれの半
導体ウエハと検査データとの対応が容易である必要があ
る。このためにウエハ段階の製造工程が完了した後、そ
れぞれの半導体ウエハに識別記号を形成し、電気的試験
の前にその識別記号を読み取って印字し、そのあとに当
該半導体ウエハの検査データを印字して保存するのが好
ましい。
【０００３】あるいは、半導体装置を製造する半導体ウ
エハの段階において、半導体ウエハを識別して当該ウエ
ハの次工程での処理内容を定めることは、特にマスター
スライス法の半導体装置の製造方法において必要であ
る。
エハの段階において、半導体ウエハを識別して当該ウエ
ハの次工程での処理内容を定めることは、特にマスター
スライス法の半導体装置の製造方法において必要であ
る。
【０００４】後者の例として図１０を参照して、例えば
特開昭６３−１０７０１４号公報に開示されているよう
な従来技術を説明する。
特開昭６３−１０７０１４号公報に開示されているよう
な従来技術を説明する。
【０００５】図１０においてＸおよびＹ方向にそれぞれ
延在する切断分離領域（スクライブ領域）１１，１２に
囲まれた半導体チップ１３がマトリックス状に配列され
た半導体ウエハのオリエンテーションフラット１８に沿
ってバーコードの識別記号１９をレーザで形成して、
（Ａ）図の半導体ウエハ１０Ａと（Ｂ）図の半導体ウエ
ハ１０Ｂを区別して、この識別記号１９を検知して半導
体ウエハの次工程の処理内容を定めている。
延在する切断分離領域（スクライブ領域）１１，１２に
囲まれた半導体チップ１３がマトリックス状に配列され
た半導体ウエハのオリエンテーションフラット１８に沿
ってバーコードの識別記号１９をレーザで形成して、
（Ａ）図の半導体ウエハ１０Ａと（Ｂ）図の半導体ウエ
ハ１０Ｂを区別して、この識別記号１９を検知して半導
体ウエハの次工程の処理内容を定めている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では次に
述べるような種々の問題点を有する。
述べるような種々の問題点を有する。
【０００７】すなわちオリエンテーションフラットの箇
所はピンセット等の移載治具による把持作業を行い、ワ
レ、カケが発生しやすい。したがってここに形成される
識別記号は破損する恐れがある。また識別記号形成のレ
ーザの照射の際に溶解された表面膜が周囲に飛び散り品
質上の問題を生じる。さらに前工程で形成された半導体
チップ上のパターンの良否をチエックする際にその検出
視野からオリエンテーションフラット近傍の識別記号は
外れるから、上記チエックと別に識別記号を識別するプ
ロセスを必要とする。また、切断分離領域（スクライブ
線）上にウエハ位置合わせ用マ−クが形成されそれによ
る位置合わせを行っても、その検出視野からオリエンテ
ーションフラット近傍の識別記号は外れるから、上記位
置合わせ用マークの検出と別に識別記号を識別するプロ
セスを必要とする。
所はピンセット等の移載治具による把持作業を行い、ワ
レ、カケが発生しやすい。したがってここに形成される
識別記号は破損する恐れがある。また識別記号形成のレ
ーザの照射の際に溶解された表面膜が周囲に飛び散り品
質上の問題を生じる。さらに前工程で形成された半導体
チップ上のパターンの良否をチエックする際にその検出
視野からオリエンテーションフラット近傍の識別記号は
外れるから、上記チエックと別に識別記号を識別するプ
ロセスを必要とする。また、切断分離領域（スクライブ
線）上にウエハ位置合わせ用マ−クが形成されそれによ
る位置合わせを行っても、その検出視野からオリエンテ
ーションフラット近傍の識別記号は外れるから、上記位
置合わせ用マークの検出と別に識別記号を識別するプロ
セスを必要とする。
【０００８】したがって本発明の目的は、ピンセット等
の移載治具による半導体ウエハの把持作業でも破損せ
ず、その形成により品質上の問題を生じることなく、か
つ前工程で半導体チップ上に形成されたパターンのチエ
ックやウエハ位置合わせ用マ−クの検出の際にも識別検
出を可能とする識別記号を用いた半導体ウエハおよびそ
の識別方法を提供することである。
の移載治具による半導体ウエハの把持作業でも破損せ
ず、その形成により品質上の問題を生じることなく、か
つ前工程で半導体チップ上に形成されたパターンのチエ
ックやウエハ位置合わせ用マ−クの検出の際にも識別検
出を可能とする識別記号を用いた半導体ウエハおよびそ
の識別方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、互いに
直交する第１および第２の方向に延在する切断分離領域
に囲まれた半導体チップがマトリックス状に配列されて
いる半導体ウエハにおいて、前記半導体チップ間の前記
切断分離領域上に前記半導体ウエハを識別する識別記号
をシリコン樹脂のドットの集合により形成した半導体ウ
エハにある。ここで前記識別記号は前記第１の方向に延
在する切断分離領域と前記第２の方向に延在する切断分
離領域との上に形成することができる。さらに前記切断
分離領域上にウエハ位置合わせ用マ−クが形成され、前
記識別記号と該ウエハ位置合わせ用マークは前記第１も
しくは第２の方向に連立していることができる。また、
前記識別記号の前記ドットのそれぞれは１μｍ〜３μｍ
径を有し、かつ該識別記号を構成する一文字の大きさは
１０μｍ×１０μｍ〜３０μｍ×３０μｍであることが
できる。
直交する第１および第２の方向に延在する切断分離領域
に囲まれた半導体チップがマトリックス状に配列されて
いる半導体ウエハにおいて、前記半導体チップ間の前記
切断分離領域上に前記半導体ウエハを識別する識別記号
をシリコン樹脂のドットの集合により形成した半導体ウ
エハにある。ここで前記識別記号は前記第１の方向に延
在する切断分離領域と前記第２の方向に延在する切断分
離領域との上に形成することができる。さらに前記切断
分離領域上にウエハ位置合わせ用マ−クが形成され、前
記識別記号と該ウエハ位置合わせ用マークは前記第１も
しくは第２の方向に連立していることができる。また、
前記識別記号の前記ドットのそれぞれは１μｍ〜３μｍ
径を有し、かつ該識別記号を構成する一文字の大きさは
１０μｍ×１０μｍ〜３０μｍ×３０μｍであることが
できる。
【００１０】本発明の他の特徴は、互いに直交する第１
および第２の方向に延在する切断分離領域に囲まれた半
導体チップがマトリックス状に配列されている半導体ウ
エハの識別方法において、前記半導体チップ間の前記切
断分離領域上に前記半導体ウエハを識別する識別記号を
ドットプリンターによりシリコン樹脂で形成した半導体
ウエハの識別方法にある。ここで前記半導体チップ上に
前工程で形成されたパターンの良否をチエックする際に
前記識別記号を識別検出することができる。あるいは、
前記切断分離領域上に形成されたウエハ位置合わせ用マ
−クを検出する際に前記識別記号を識別検出することが
できる。
および第２の方向に延在する切断分離領域に囲まれた半
導体チップがマトリックス状に配列されている半導体ウ
エハの識別方法において、前記半導体チップ間の前記切
断分離領域上に前記半導体ウエハを識別する識別記号を
ドットプリンターによりシリコン樹脂で形成した半導体
ウエハの識別方法にある。ここで前記半導体チップ上に
前工程で形成されたパターンの良否をチエックする際に
前記識別記号を識別検出することができる。あるいは、
前記切断分離領域上に形成されたウエハ位置合わせ用マ
−クを検出する際に前記識別記号を識別検出することが
できる。
【００１１】
【実施例】以下図面を参照して本発明を説明する。
【００１２】図１は第１の実施例の半導体ウエハを示す
平面図であり、ウエハ段階の諸工程が完了した後でそこ
を分離分割して各半導体チップを切り離す領域である、
Ｘ方向に延在す切断分離領域（スクライブ領域）１１お
よびＹ方向に延在する切断分離領域１２に囲まれて多数
の半導体チップ１３がマトリックス状に配列されている
半導体ウエハにおいて、オリエンテーションフラット１
８から離間した半導体チップ１３間の切断分離領域１
１，１２上にアルファベット「Ａ」，「Ｂ」，「Ｃ」…
…の文字を組み合せた識別記号（一般にＩＤと称してい
る）１４が形成されている。この識別記号１４を構成す
る「Ａ」，「Ｂ」，「Ｃ」の各文字は１０μｍ×１０μ
ｍ〜３０μｍ×３０μｍの大きさであり、図６に示すよ
うに、それぞれドットプリンターによる低粘度シリコン
系樹脂の１〜３μｍ径、例えば約２μｍ径のドット１７
の集合体で形成されている。上記文字の大きさの範囲お
よびドット径の範囲は、識別記号の形成および識別の両
面から考慮された実用的な値である。この識別記号１４
により半導体ウエハを識別する。
平面図であり、ウエハ段階の諸工程が完了した後でそこ
を分離分割して各半導体チップを切り離す領域である、
Ｘ方向に延在す切断分離領域（スクライブ領域）１１お
よびＹ方向に延在する切断分離領域１２に囲まれて多数
の半導体チップ１３がマトリックス状に配列されている
半導体ウエハにおいて、オリエンテーションフラット１
８から離間した半導体チップ１３間の切断分離領域１
１，１２上にアルファベット「Ａ」，「Ｂ」，「Ｃ」…
…の文字を組み合せた識別記号（一般にＩＤと称してい
る）１４が形成されている。この識別記号１４を構成す
る「Ａ」，「Ｂ」，「Ｃ」の各文字は１０μｍ×１０μ
ｍ〜３０μｍ×３０μｍの大きさであり、図６に示すよ
うに、それぞれドットプリンターによる低粘度シリコン
系樹脂の１〜３μｍ径、例えば約２μｍ径のドット１７
の集合体で形成されている。上記文字の大きさの範囲お
よびドット径の範囲は、識別記号の形成および識別の両
面から考慮された実用的な値である。この識別記号１４
により半導体ウエハを識別する。
【００１３】すなわち図１（Ａ）では識別記号１４が
「ＡＢ」であるから半導体ウエハ１０Ａであることが識
別され、図１（Ｂ）では識別記号１４が「ＢＣ」である
から半導体ウエハ１０Ｂであることが識別される。
「ＡＢ」であるから半導体ウエハ１０Ａであることが識
別され、図１（Ｂ）では識別記号１４が「ＢＣ」である
から半導体ウエハ１０Ｂであることが識別される。
【００１４】そしてこの実施例では図の左上端の切断分
離領域１１，１２の箇所にそれぞれ識別記号「ＡＢ」
（もしくは「ＢＣ」）が形成され右下端の切断分離領域
１１，１２の箇所にそれぞれ識別記号「ＡＢ」（もしく
は「ＢＣ」）が形成されているから、この対角線上に配
置された識別記号１４を半導体ウエハの位置合わせ用の
マークとして用いることができる。
離領域１１，１２の箇所にそれぞれ識別記号「ＡＢ」
（もしくは「ＢＣ」）が形成され右下端の切断分離領域
１１，１２の箇所にそれぞれ識別記号「ＡＢ」（もしく
は「ＢＣ」）が形成されているから、この対角線上に配
置された識別記号１４を半導体ウエハの位置合わせ用の
マークとして用いることができる。
【００１５】この識別記号１４は算用数字やバーコード
等の識別可能の記号、文字ならばアルファベットにかぎ
らない。
等の識別可能の記号、文字ならばアルファベットにかぎ
らない。
【００１６】また後工程で読み込みを容易に行なうため
に、識別記号の形成位置をあらかじめ決めておく必要が
ある。
に、識別記号の形成位置をあらかじめ決めておく必要が
ある。
【００１７】尚、本発明において半導体ウエハの識別記
号の形成にインクを使用しないでシリコン系の樹脂を使
用している理由は、通常インクには重金属等（Ｆｅ，Ｎ
ｉ，Ｃｕ，Ａｇ等）を含んでいる為、半導体装置にとっ
て品質上問題となるからである。
号の形成にインクを使用しないでシリコン系の樹脂を使
用している理由は、通常インクには重金属等（Ｆｅ，Ｎ
ｉ，Ｃｕ，Ａｇ等）を含んでいる為、半導体装置にとっ
て品質上問題となるからである。
【００１８】図２は第２の実施例の半導体ウエハを示す
平面図である。図２において図１と同一もしくは類似の
箇所は同一の符号を付けてあるから重複する説明は省略
する。図２において、Ｘ方向およびＹ方向に延在する切
断分離領域１１，１２のそれぞれの１箇所にウエハ位置
合わせ用マーク１４が形成されており、この識別記号１
４がＸ方向もしくはＹ方向にウエハ位置合わせ用マーク
１６と連立して形成されている。
平面図である。図２において図１と同一もしくは類似の
箇所は同一の符号を付けてあるから重複する説明は省略
する。図２において、Ｘ方向およびＹ方向に延在する切
断分離領域１１，１２のそれぞれの１箇所にウエハ位置
合わせ用マーク１４が形成されており、この識別記号１
４がＸ方向もしくはＹ方向にウエハ位置合わせ用マーク
１６と連立して形成されている。
【００１９】次に図３のフローチャートを参照して図１
もしくは図２の識別記号を用いた識別方法の一実施例を
説明する。
もしくは図２の識別記号を用いた識別方法の一実施例を
説明する。
【００２０】製造途中での中間の電気的試験を行うまで
半導体ウエハの製造工程が完了した状態１１０の半導体
ウエハのそれぞれに、工程１２０において、図１もしく
は図２の識別記号１４をドットプリンタ−で形成する。
半導体ウエハの製造工程が完了した状態１１０の半導体
ウエハのそれぞれに、工程１２０において、図１もしく
は図２の識別記号１４をドットプリンタ−で形成する。
【００２１】その後、工程１３０において、半導体ウエ
ハが一枚づつ検査装置内にロードされ、検査装置に内蔵
された半導体ウエハはウエハＩＤ自動認識装置により、
センサー又は画像によって読み込まれ検査装置内の記憶
装置に記憶される。
ハが一枚づつ検査装置内にロードされ、検査装置に内蔵
された半導体ウエハはウエハＩＤ自動認識装置により、
センサー又は画像によって読み込まれ検査装置内の記憶
装置に記憶される。
【００２２】また図１の場合では対角線上に位置する対
の識別記号１４を用いて半導体ウエハの位置出しが行な
われ、図２の場合ではウエハ位置合わせ用マーク１６を
用いて半導体ウエハの位置出しが行なわれる。図２のウ
エハ位置合わせ用マーク１６と識別記号１４とは同一軸
上に連立して形成されているから両者の検出認識は同じ
ステップで効率的に行うことができる。
の識別記号１４を用いて半導体ウエハの位置出しが行な
われ、図２の場合ではウエハ位置合わせ用マーク１６を
用いて半導体ウエハの位置出しが行なわれる。図２のウ
エハ位置合わせ用マーク１６と識別記号１４とは同一軸
上に連立して形成されているから両者の検出認識は同じ
ステップで効率的に行うことができる。
【００２３】その後、電気的試験が開始され、半導体ウ
エハ上の全ての半導体チップ１３の検査が完了した時点
で、検査装置が記憶した当該ウエハの認識記号と検査結
果を半導体ウエハ単位にフロッピーディスクに保管する
一方、図３の工程１４０においてプリンターにも出力し
て識別記号別に、すなわち半導体ウエハごとに検査結果
の印字を行う。具体的には、図３の印字例１４０に示す
ように、ヘッドに半導体ウエハ１０Ａ，１０Ｂ、識別記
号「ＡＢ」，「ＢＣ」……を印字し、それぞれの後にそ
の半導体ウエハ内の半導体チップ１３の電気的試験結果
を列挙して印字する。
エハ上の全ての半導体チップ１３の検査が完了した時点
で、検査装置が記憶した当該ウエハの認識記号と検査結
果を半導体ウエハ単位にフロッピーディスクに保管する
一方、図３の工程１４０においてプリンターにも出力し
て識別記号別に、すなわち半導体ウエハごとに検査結果
の印字を行う。具体的には、図３の印字例１４０に示す
ように、ヘッドに半導体ウエハ１０Ａ，１０Ｂ、識別記
号「ＡＢ」，「ＢＣ」……を印字し、それぞれの後にそ
の半導体ウエハ内の半導体チップ１３の電気的試験結果
を列挙して印字する。
【００２４】検査装置の検査結果を半導体ウエハごとに
保管記憶したフロッピーデスクをその後の製造加工工程
を行う加工装置にセットして半導体ウエハが検査装置か
らこの加工装置に搬送されてロードされるのを待つ。半
導体ウエハがロードされたら検査装置と同様に識別記号
を読み取り、フロッピーデスクに記憶されている検査結
果の半導体ウエハの識別記号と一致しているかどうか照
合する。照合した結果一致する場合はそのまま加工装置
で該当する半導体ウエハの識別記号に対応する検査結果
の情報を基にウエハ段階の加工を開始する。例えばその
半導体ウエハ内の電気的試験で良品の半導体チップにつ
いてのみに、さらに所定の特性が得られるようにトリミ
ング加工を行う。あるいは検査装置による検査が半導体
ウエハ段階の最終的な電気的試験のＰ／Ｗテストである
場合は、その後の半導体ウエハの加工装置は不良マーキ
ングを付ける装置であり、Ｐ／Ｗテストを記憶したフロ
ッピーデスクの情報によりその半導体ウエハ内の不良品
半導体チップに不良マークを付ける加工を行なう。
保管記憶したフロッピーデスクをその後の製造加工工程
を行う加工装置にセットして半導体ウエハが検査装置か
らこの加工装置に搬送されてロードされるのを待つ。半
導体ウエハがロードされたら検査装置と同様に識別記号
を読み取り、フロッピーデスクに記憶されている検査結
果の半導体ウエハの識別記号と一致しているかどうか照
合する。照合した結果一致する場合はそのまま加工装置
で該当する半導体ウエハの識別記号に対応する検査結果
の情報を基にウエハ段階の加工を開始する。例えばその
半導体ウエハ内の電気的試験で良品の半導体チップにつ
いてのみに、さらに所定の特性が得られるようにトリミ
ング加工を行う。あるいは検査装置による検査が半導体
ウエハ段階の最終的な電気的試験のＰ／Ｗテストである
場合は、その後の半導体ウエハの加工装置は不良マーキ
ングを付ける装置であり、Ｐ／Ｗテストを記憶したフロ
ッピーデスクの情報によりその半導体ウエハ内の不良品
半導体チップに不良マークを付ける加工を行なう。
【００２５】もしロードされた半導体ウエハから読み取
った識別記号がフロッピーデスクに記憶されている検査
結果のどの識別記号とも不一致の場合は該当する半導体
ウエハの検査結果が無いから加工作業を中止する。
った識別記号がフロッピーデスクに記憶されている検査
結果のどの識別記号とも不一致の場合は該当する半導体
ウエハの検査結果が無いから加工作業を中止する。
【００２６】次にマスタースライス法の製造方法の一部
として、図４のフローチャートおよび図５の断面図を参
照して、図１もしくは図２の識別記号を用いた識別方法
の他の実施例を説明する。
として、図４のフローチャートおよび図５の断面図を参
照して、図１もしくは図２の識別記号を用いた識別方法
の他の実施例を説明する。
【００２７】図４のステップ２１０を示す図５（Ａ）に
おいて、半導体基板２１は半導体チップ１３とその間の
切断分離領域（スクライブ領域）１１（および１２）を
有しており、絶縁膜２２を主面に形成した半導体チップ
１３には配線前の諸工程、たとえば不純物領域（図示省
略）形成等を完了した半導体ウエハの状態である。
おいて、半導体基板２１は半導体チップ１３とその間の
切断分離領域（スクライブ領域）１１（および１２）を
有しており、絶縁膜２２を主面に形成した半導体チップ
１３には配線前の諸工程、たとえば不純物領域（図示省
略）形成等を完了した半導体ウエハの状態である。
【００２８】次の図４の工程２２０を示す図５（Ｂ）に
おいて、配線材料の金属膜２３を全面に堆積する。
おいて、配線材料の金属膜２３を全面に堆積する。
【００２９】次の図４の工程２３０を示す図５（Ｃ）に
おいて、切断分離領域１１，１２上に、ドットプリンタ
ー２４（印字ノズル先端のみ図示）によりノズル内に充
填されている低粘度のシリコン樹脂２５の叶出により識
別記号１４を形成する。この識別記号は図６に例示する
ように低粘度シリコン系樹脂の１〜３μｍ径、例えば約
２μｍのドット１７の集合体で形成される。
おいて、切断分離領域１１，１２上に、ドットプリンタ
ー２４（印字ノズル先端のみ図示）によりノズル内に充
填されている低粘度のシリコン樹脂２５の叶出により識
別記号１４を形成する。この識別記号は図６に例示する
ように低粘度シリコン系樹脂の１〜３μｍ径、例えば約
２μｍのドット１７の集合体で形成される。
【００３０】次に図４の工程２４０において、識別記号
を検出して識別記号別のフォトレジストパターン２６を
半導体チップ１３の金属膜２３上に形成する。またこの
時に切断分離領域１１，１２上もフォトレジスト２６′
でマスクする。
を検出して識別記号別のフォトレジストパターン２６を
半導体チップ１３の金属膜２３上に形成する。またこの
時に切断分離領域１１，１２上もフォトレジスト２６′
でマスクする。
【００３１】例えば、半導体ウエハをそれぞれ区別する
識別記号が「ＡＡ」，「ＡＢ」，「ＡＣ」，「ＡＤ」の
ように２桁目が「Ａ」のグループの半導体ウエハではＰ
Ｒ工程で第１のレジストパターンとし、識別記号が「Ｂ
Ａ」，「ＢＢ」，「ＢＣ」，「ＢＤ」のように２桁目が
「Ｂ」のグループの半導体ウエハではＰＲ工程で第１の
レジストパターンと異なる第２のレジストパターンにす
る。
識別記号が「ＡＡ」，「ＡＢ」，「ＡＣ」，「ＡＤ」の
ように２桁目が「Ａ」のグループの半導体ウエハではＰ
Ｒ工程で第１のレジストパターンとし、識別記号が「Ｂ
Ａ」，「ＢＢ」，「ＢＣ」，「ＢＤ」のように２桁目が
「Ｂ」のグループの半導体ウエハではＰＲ工程で第１の
レジストパターンと異なる第２のレジストパターンにす
る。
【００３２】この第１もしくは第２のレジストパターン
をマスクにして金属膜２３をエッチングしてそれぞれ第
１もしくは第２の配線パターンを得る。
をマスクにして金属膜２３をエッチングしてそれぞれ第
１もしくは第２の配線パターンを得る。
【００３３】このように切断分離領域（スクライブ領
域）上にシリコン樹脂のドットの集合体で形成された識
別記号を読み取ることで、配線パターンを半導体ウエハ
に応じて変更するマスタスライス法による製造方法とな
る。
域）上にシリコン樹脂のドットの集合体で形成された識
別記号を読み取ることで、配線パターンを半導体ウエハ
に応じて変更するマスタスライス法による製造方法とな
る。
【００３４】次に図４に続く図７のフローチャートなら
びに図５に続く図８の断面図および図９の斜視図を参照
して図１もしくは図２の識別記号を用いた識別方法の別
の実施例を説明する。
びに図５に続く図８の断面図および図９の斜視図を参照
して図１もしくは図２の識別記号を用いた識別方法の別
の実施例を説明する。
【００３５】図７の工程２５０を示す図８において、レ
ジストパターン２６（図５（Ｄ））をマスクにして金属
膜２３を選択的に除去して配線２３Ｐを形成し、しかる
後、配線２３Ｐ上および識別記号１４（１５）上からレ
ジストを除去する。尚、金属膜２３の選択的エッチング
においてシリコン樹脂の識別記号１４はエッチングされ
ないから、識別記号１４をレジスト１６′（図５
（Ｄ））で被覆しなくてもよい。
ジストパターン２６（図５（Ｄ））をマスクにして金属
膜２３を選択的に除去して配線２３Ｐを形成し、しかる
後、配線２３Ｐ上および識別記号１４（１５）上からレ
ジストを除去する。尚、金属膜２３の選択的エッチング
においてシリコン樹脂の識別記号１４はエッチングされ
ないから、識別記号１４をレジスト１６′（図５
（Ｄ））で被覆しなくてもよい。
【００３６】これにより半導体ウエハをそれぞれ区別す
る識別記号が「ＡＡ」，「ＡＢ」，「ＡＣ」，「ＡＤ」
のように２桁目が「Ａ」のグループの半導体ウエハでは
第１のパターンの配線２３Ｐとなり、識別記号が「Ｂ
Ａ」，「ＢＢ」，「ＢＣ」，「ＢＤ」のように２桁目が
「Ｂ」のグループの半導体ウエハでは第１のパターンと
異なる第２のパターンの配線２３Ｐとなる。
る識別記号が「ＡＡ」，「ＡＢ」，「ＡＣ」，「ＡＤ」
のように２桁目が「Ａ」のグループの半導体ウエハでは
第１のパターンの配線２３Ｐとなり、識別記号が「Ｂ
Ａ」，「ＢＢ」，「ＢＣ」，「ＢＤ」のように２桁目が
「Ｂ」のグループの半導体ウエハでは第１のパターンと
異なる第２のパターンの配線２３Ｐとなる。
【００３７】次に図７の工程２６０を示す図９におい
て、第１もしくは第２の配線パターンの外観良否のチェ
ックを行いかつ識別記号を認識検出して、半導体ウエハ
ごとの配線パターンの良否を検査記録する。
て、第１もしくは第２の配線パターンの外観良否のチェ
ックを行いかつ識別記号を認識検出して、半導体ウエハ
ごとの配線パターンの良否を検査記録する。
【００３８】すなわち図９において、Ｘｅランプ３１か
ら光３２がハーフミラー３３により下方向に向い、対物
レンズ３４を通って半導体ウエハ１０Ａ（１０Ｂ）の半
導体チップ１３の配線パターン２３を照射し、その反射
光３２がハーフミラー３３を通ってイメージセンサ３５
に入射され、そこからの電気信号３７が記憶部３６に記
憶される。半導体ウエハ１０Ａ（１０Ｂ）は矢印３８の
方向に送られるから検出視野３９内の配線パターン２３
Ｐがチェックされ、またこの検出視野３９内の切断分離
領域１２に形成されてある識別記号１４も検出され同様
に記憶される。したがって半導体ウエハの識別記号付き
の外観デ−タが記憶され、これがフロッピーデスク等に
保存される。
ら光３２がハーフミラー３３により下方向に向い、対物
レンズ３４を通って半導体ウエハ１０Ａ（１０Ｂ）の半
導体チップ１３の配線パターン２３を照射し、その反射
光３２がハーフミラー３３を通ってイメージセンサ３５
に入射され、そこからの電気信号３７が記憶部３６に記
憶される。半導体ウエハ１０Ａ（１０Ｂ）は矢印３８の
方向に送られるから検出視野３９内の配線パターン２３
Ｐがチェックされ、またこの検出視野３９内の切断分離
領域１２に形成されてある識別記号１４も検出され同様
に記憶される。したがって半導体ウエハの識別記号付き
の外観デ−タが記憶され、これがフロッピーデスク等に
保存される。
【００３９】このように配線パターンの良否チェックの
際に半導体ウエハの識別も同時に行うから、この検査デ
ータの記録保存が能率的に行われる。また、上記検査機
構を用い無いで、半導体ウエハを矢印３８の方向に走査
させて検出視野３９内の配線パターンの外観良否チェッ
クをカメラや顕微鏡を用いて目視により行う場合もこの
検出視野３９内の識別記号１４が観察されるから、半導
体ウエハの識別と外観チェックとを同時に行うことがで
きる。
際に半導体ウエハの識別も同時に行うから、この検査デ
ータの記録保存が能率的に行われる。また、上記検査機
構を用い無いで、半導体ウエハを矢印３８の方向に走査
させて検出視野３９内の配線パターンの外観良否チェッ
クをカメラや顕微鏡を用いて目視により行う場合もこの
検出視野３９内の識別記号１４が観察されるから、半導
体ウエハの識別と外観チェックとを同時に行うことがで
きる。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ド
ットプリンターを使用して半導体ウエハの識別記号を形
成しているから、レーザ照射による形成のように表面膜
の飛び散りによる不都合を回避することができる。ま
た、シリコン樹脂で識別記号を形成するから、インクを
用いた場合のように重金属による品質の低下の問題は生
じない。またオリエンテーションフラットの近傍でな
く、切断分離領域に識別記号を形成しているから、ピン
セット等の移載治具による半導体ウエハの把持作業でも
識別記号が破損したり傷を発生して半導体ウエハの識別
に支障を発生することが無い。さらに、前工程で半導体
チップ上に形成されたパターンのチエックやウエハ位置
合わせ用マ−クの検出の際にも識別検出を可能とする識
別記号を用いた半導体ウエハおよびその識別方法とな
る。
ットプリンターを使用して半導体ウエハの識別記号を形
成しているから、レーザ照射による形成のように表面膜
の飛び散りによる不都合を回避することができる。ま
た、シリコン樹脂で識別記号を形成するから、インクを
用いた場合のように重金属による品質の低下の問題は生
じない。またオリエンテーションフラットの近傍でな
く、切断分離領域に識別記号を形成しているから、ピン
セット等の移載治具による半導体ウエハの把持作業でも
識別記号が破損したり傷を発生して半導体ウエハの識別
に支障を発生することが無い。さらに、前工程で半導体
チップ上に形成されたパターンのチエックやウエハ位置
合わせ用マ−クの検出の際にも識別検出を可能とする識
別記号を用いた半導体ウエハおよびその識別方法とな
る。
【図１】本発明の第１の実施例の半導体ウエハを示した
平面図である。
平面図である。
【図２】本発明の第２の実施例の半導体ウエハを示した
平面図である。
平面図である。
【図３】本発明の一実施例の識別方法を示したフローチ
ャートである。
ャートである。
【図４】本発明の他の実施例の識別方法を示したフロー
チャートである。
チャートである。
【図５】図４のフローチャートに対応する半導体ウエハ
を示した断面図である。
を示した断面図である。
【図６】本発明の識別記号の文字を例示した平面図であ
る。
る。
【図７】本発明の別の実施例の識別方法を示したフロー
チャートである。
チャートである。
【図８】図７の一工程の半導体ウエハを示した断面図で
ある。
ある。
【図９】図７の他の工程のチェック検査の様子を示した
図である。
図である。
【図１０】従来技術の半導体ウエハを示した平面図であ
る。
る。
１０Ａ，１０Ｂ 半導体ウエハ １１，１２ 切断分離領域（スクライブ領域） １３ 半導体チップ １４ 識別記号 １６ ウエハ位置合わせ用マーク １７ シリコン樹脂のドット １８ オリエンテーションフラット ２１ 半導体基板 ２２ 絶縁膜 ２３ 金属膜 ２３Ｐ 配線パターン ２４ ドットプリンター ２５ シリコン樹脂 ２６，２６′ フォトレジストパターン ３１ Ｘｅランプ ３２ 光 ３３ ハーフミラー ３４ 対物レンズ ３５ イメージセンサ ３６ 記憶部 ３７ 電気信号 ３８ 半導体ウエハが走査される方向 ３９ 検出視野 １１０〜１４０，２１０〜２６０ 工程
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/301 21/3213
Claims (7)
- 【請求項１】 互いに直交する第１および第２の方向に
延在する切断分離領域に囲まれた半導体チップがマトリ
ックス状に配列されている半導体ウエハにおいて、前記
半導体チップ間の前記切断分離領域上に前記半導体ウエ
ハを識別する識別記号をシリコン樹脂のドットの集合に
より形成したことを特徴とする半導体ウエハ。 - 【請求項２】 前記識別記号は前記第１の方向に延在す
る切断分離領域と前記第２の方向に延在する切断分離領
域との上に形成したことを特徴とする請求項１記載の半
導体ウエハ。 - 【請求項３】 前記切断分離領域上にウエハ位置合わせ
用マ−クが形成され、前記識別記号と該ウエハ位置合わ
せ用マークは前記第１もしくは第２の方向に連立してい
ることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ。 - 【請求項４】 前記識別記号を形成する前記ドットのそ
れぞれは１μｍ〜３μｍ径を有し、かつ該識別記号を構
成する一文字の大きさは１０μｍ×１０μｍ〜３０μｍ
×３０μｍであることを特徴とする請求項１記載の半導
体ウエハ。 - 【請求項５】 互いに直交する第１および第２の方向に
延在する切断分離領域に囲まれた半導体チップがマトリ
ックス状に配列されている半導体ウエハの識別方法にお
いて、前記半導体チップ間の前記切断分離領域上に前記
半導体ウエハを識別する識別記号をドットプリンターに
よりシリコン樹脂で形成したことを特徴とする半導体ウ
エハの識別方法。 - 【請求項６】 前記半導体チップ上に前工程で形成され
たパターンの良否をチエックする際に前記識別記号を識
別検出することを特徴とする請求項５記載の半導体ウエ
ハの識別方法。 - 【請求項７】 前記切断分離領域上に形成されたウエハ
位置合わせ用マ−クを検出する際に前記識別記号を識別
検出することを特徴とする請求項５記載の半導体ウエハ
の識別方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17787494A JP2604556B2 (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 半導体ウエハおよびその識別方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17787494A JP2604556B2 (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 半導体ウエハおよびその識別方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845800A true JPH0845800A (ja) | 1996-02-16 |
| JP2604556B2 JP2604556B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=16038573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17787494A Expired - Fee Related JP2604556B2 (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 半導体ウエハおよびその識別方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2604556B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997050111A1 (fr) * | 1996-06-26 | 1997-12-31 | Hitachi, Ltd. | Puce de semiconducteur et reticule de production de semiconducteur |
| JP2005045033A (ja) * | 2003-07-22 | 2005-02-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの加工装置 |
| JP2012027400A (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-09 | Fujitsu Semiconductor Ltd | プロセスマークの図形データ作成方法、及び半導体装置の製造方法 |
| JP2013120881A (ja) * | 2011-12-08 | 2013-06-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 基板の製造方法 |
-
1994
- 1994-07-29 JP JP17787494A patent/JP2604556B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997050111A1 (fr) * | 1996-06-26 | 1997-12-31 | Hitachi, Ltd. | Puce de semiconducteur et reticule de production de semiconducteur |
| JP2005045033A (ja) * | 2003-07-22 | 2005-02-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの加工装置 |
| JP2012027400A (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-09 | Fujitsu Semiconductor Ltd | プロセスマークの図形データ作成方法、及び半導体装置の製造方法 |
| JP2013120881A (ja) * | 2011-12-08 | 2013-06-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2604556B2 (ja) | 1997-04-30 |
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|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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