JP2003273171A - 半導体製造装置、欠陥レビュー装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体製造装置、欠陥レビュー装置及び半導体装置の製造方法Info
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- JP2003273171A JP2003273171A JP2002071754A JP2002071754A JP2003273171A JP 2003273171 A JP2003273171 A JP 2003273171A JP 2002071754 A JP2002071754 A JP 2002071754A JP 2002071754 A JP2002071754 A JP 2002071754A JP 2003273171 A JP2003273171 A JP 2003273171A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 異常欠陥のあるＩＣチップがプローブ検査工
程で検出される不良チップから漏れることを防止できる
半導体製造装置、欠陥レビュー装置及び半導体装置の製
造方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る欠陥レビュー装置は、オペ
レータがウエハ１上の欠陥を観察する欠陥レビュー装置
であって、ウエハ１を載置するステージ２と、ステージ
２上のウエハ１の欠陥を観察する観察機構と、オペレー
タが不良と確認したＩＣチップにレーザーを照射して不
良マークをつけるレーザー照射機構と、を具備するもの
である。上記観察機構は、光学顕微鏡により観察する機
構及び観察用レーザー照射して観察する機構を備えた観
察／マーキング用レーザー装置１０である。
程で検出される不良チップから漏れることを防止できる
半導体製造装置、欠陥レビュー装置及び半導体装置の製
造方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る欠陥レビュー装置は、オペ
レータがウエハ１上の欠陥を観察する欠陥レビュー装置
であって、ウエハ１を載置するステージ２と、ステージ
２上のウエハ１の欠陥を観察する観察機構と、オペレー
タが不良と確認したＩＣチップにレーザーを照射して不
良マークをつけるレーザー照射機構と、を具備するもの
である。上記観察機構は、光学顕微鏡により観察する機
構及び観察用レーザー照射して観察する機構を備えた観
察／マーキング用レーザー装置１０である。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、異常欠陥のあるＩ
Ｃチップがプローブ検査工程で検出される不良チップか
ら漏れることを防止できる半導体製造装置、欠陥レビュ
ー装置及び半導体装置の製造方法に関するものである。
Ｃチップがプローブ検査工程で検出される不良チップか
ら漏れることを防止できる半導体製造装置、欠陥レビュ
ー装置及び半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウエハに半導体素子を形成する
には、多くの半導体製造工程を経ることになる。この半
導体製造工程は、例えば熱酸化工程、成膜工程、フォト
リソグラフィ工程、エッチング工程、イオン注入工程な
どである。これらの半導体製造工程の途中には複数の検
査工程が行われている。
には、多くの半導体製造工程を経ることになる。この半
導体製造工程は、例えば熱酸化工程、成膜工程、フォト
リソグラフィ工程、エッチング工程、イオン注入工程な
どである。これらの半導体製造工程の途中には複数の検
査工程が行われている。
【０００３】このような検査工程で、ウエハ表面の下層
にキズ等があるといった欠陥が検出され、この欠陥は明
らかに不良であるが、プローブ検査工程で確実に不良と
検出されるとは限らない欠陥であることがある。このよ
うな場合は、プローブ検査工程で確実に不良として検出
されるようにフォトリソグラフィ工程でウエハ上の該当
チップに手作業でオペレータがレジストをハケで塗って
いる。
にキズ等があるといった欠陥が検出され、この欠陥は明
らかに不良であるが、プローブ検査工程で確実に不良と
検出されるとは限らない欠陥であることがある。このよ
うな場合は、プローブ検査工程で確実に不良として検出
されるようにフォトリソグラフィ工程でウエハ上の該当
チップに手作業でオペレータがレジストをハケで塗って
いる。
【０００４】以下、従来の半導体装置の製造方法につい
て説明する。半導体製造工程の途中において欠陥検査装
置を用いてウエハの欠陥検査を行う。これについては特
開平１−１５３９４３号公報に開示されている。すなわ
ち、欠陥検査を行うウエハをウエハ欠陥検査装置に設置
し、レーザー光源から出射したＳ偏光ビームによりウエ
ハを斜方照射する。ウエハのパターン上にキズや異物が
あると偏光が解消し、キズや異物からの散乱光にはＳ偏
光及びＰ偏光成分が混在する。一方、パターンのうち、
レーザービームの光軸と直交する直線エッジからの散乱
光にはＳ偏光成分がそのまま保存される。対物レンズの
上方にＳ偏光成分を遮断するように偏光板を配置するこ
とにより、パターン情報が除去でき、光電変換素子では
キズや異物の散乱光中のＰ偏光成分のみを検出する。こ
のようにしてパターン付きウエハ上のキズや異物を検出
することで、ウエハ上の欠陥を検出する。そして、この
検出したキズ等の欠陥のうち後工程のプローブ検査で確
実に不良にとなるとは限らない欠陥の位置の座標データ
を得る。
て説明する。半導体製造工程の途中において欠陥検査装
置を用いてウエハの欠陥検査を行う。これについては特
開平１−１５３９４３号公報に開示されている。すなわ
ち、欠陥検査を行うウエハをウエハ欠陥検査装置に設置
し、レーザー光源から出射したＳ偏光ビームによりウエ
ハを斜方照射する。ウエハのパターン上にキズや異物が
あると偏光が解消し、キズや異物からの散乱光にはＳ偏
光及びＰ偏光成分が混在する。一方、パターンのうち、
レーザービームの光軸と直交する直線エッジからの散乱
光にはＳ偏光成分がそのまま保存される。対物レンズの
上方にＳ偏光成分を遮断するように偏光板を配置するこ
とにより、パターン情報が除去でき、光電変換素子では
キズや異物の散乱光中のＰ偏光成分のみを検出する。こ
のようにしてパターン付きウエハ上のキズや異物を検出
することで、ウエハ上の欠陥を検出する。そして、この
検出したキズ等の欠陥のうち後工程のプローブ検査で確
実に不良にとなるとは限らない欠陥の位置の座標データ
を得る。
【０００５】次に、図２に示す欠陥を確認する欠陥レビ
ュー装置にウエハ１０１を搬送する。図２は、従来のウ
エハの欠陥を確認する欠陥レビュー装置を概略的に示す
構成図である。
ュー装置にウエハ１０１を搬送する。図２は、従来のウ
エハの欠陥を確認する欠陥レビュー装置を概略的に示す
構成図である。
【０００６】ここで欠陥レビュー装置の構成について説
明する。欠陥レビュー装置は、ウエハ１０１を載置する
ステージ１０２を有しており、このステージ１０２はス
テージコントロールシステム１０３によって位置制御さ
れるものである。ステージ１０２の上方には対物レンズ
群を備えた光学顕微鏡１０４が配置されている。この光
学顕微鏡１０４によってステージ１０２上のウエハ１０
１が観察される。光学顕微鏡１０４は光源制御システム
１０５を介して光学系１０６に接続されている。また、
光学顕微鏡１０４はＣＣＤカメラ１０７に接続されてお
り、このＣＣＤカメラ１０７は画像表示システム１０８
に接続されている。ステージコントロールシステム１０
３は、欠陥座標記憶部によって記憶された欠陥座標デー
タによりウエハ上の確認すべき欠陥に光学顕微鏡１０４
の視野及び焦点が合うように、ステージ１０２をコント
ロールするものである。
明する。欠陥レビュー装置は、ウエハ１０１を載置する
ステージ１０２を有しており、このステージ１０２はス
テージコントロールシステム１０３によって位置制御さ
れるものである。ステージ１０２の上方には対物レンズ
群を備えた光学顕微鏡１０４が配置されている。この光
学顕微鏡１０４によってステージ１０２上のウエハ１０
１が観察される。光学顕微鏡１０４は光源制御システム
１０５を介して光学系１０６に接続されている。また、
光学顕微鏡１０４はＣＣＤカメラ１０７に接続されてお
り、このＣＣＤカメラ１０７は画像表示システム１０８
に接続されている。ステージコントロールシステム１０
３は、欠陥座標記憶部によって記憶された欠陥座標デー
タによりウエハ上の確認すべき欠陥に光学顕微鏡１０４
の視野及び焦点が合うように、ステージ１０２をコント
ロールするものである。
【０００７】欠陥レビュー装置に搬送されたウエハ１０
１はステージ１０２の上に設置する。これと共に、前記
の欠陥の座標データを変換して欠陥検査装置から欠陥レ
ビュー装置の欠陥座標記憶部に送る。次いで、この座標
データによりウエハ上の確認すべき欠陥部分に光学顕微
鏡１０４の視野及び焦点が合うようにステージコントロ
ールシステム１０３によってステージ１０２の位置を制
御する。そして、光学系１０６、光源制御システム１０
５及び光学顕微鏡１０４によってウエハ１０１の欠陥部
分を観察し、その部分の画像をＣＣＤカメラ１０７によ
って撮影し、その画像データを画像表示システム１０８
で表示する。このようにして確認した欠陥をタイプ別に
分類し、欠陥座標記憶部に記録し、その中からプローブ
検査で確実に不良となるとは限らない異常欠陥のあるＩ
Ｃチップのウエハ上の地図（異常ＭＡＰ）を作製する。
１はステージ１０２の上に設置する。これと共に、前記
の欠陥の座標データを変換して欠陥検査装置から欠陥レ
ビュー装置の欠陥座標記憶部に送る。次いで、この座標
データによりウエハ上の確認すべき欠陥部分に光学顕微
鏡１０４の視野及び焦点が合うようにステージコントロ
ールシステム１０３によってステージ１０２の位置を制
御する。そして、光学系１０６、光源制御システム１０
５及び光学顕微鏡１０４によってウエハ１０１の欠陥部
分を観察し、その部分の画像をＣＣＤカメラ１０７によ
って撮影し、その画像データを画像表示システム１０８
で表示する。このようにして確認した欠陥をタイプ別に
分類し、欠陥座標記憶部に記録し、その中からプローブ
検査で確実に不良となるとは限らない異常欠陥のあるＩ
Ｃチップのウエハ上の地図（異常ＭＡＰ）を作製する。
【０００８】次いで、この異常ＭＡＰをフォトリソグラ
フィ工程の装置まで流動させ、ウエハ上にフォトレジス
ト膜を塗布した後、このフォトレジスト膜を露光、現像
する。次いで、現像検査を行った後、異常ＭＡＰにした
がいウエハ上の該当チップに手作業でオペレータがレジ
ストをハケで塗る。
フィ工程の装置まで流動させ、ウエハ上にフォトレジス
ト膜を塗布した後、このフォトレジスト膜を露光、現像
する。次いで、現像検査を行った後、異常ＭＡＰにした
がいウエハ上の該当チップに手作業でオペレータがレジ
ストをハケで塗る。
【０００９】次に、フォトレジスト膜をマスクとして下
地膜をエッチングすることでパターンを形成する。これ
により、異常欠陥のあるＩＣチップが後工程のプローブ
検査で確実に不良として検出される。次いで、パターン
の外観を確認し、次の工程に流動させる。
地膜をエッチングすることでパターンを形成する。これ
により、異常欠陥のあるＩＣチップが後工程のプローブ
検査で確実に不良として検出される。次いで、パターン
の外観を確認し、次の工程に流動させる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
半導体装置の製造方法では、オペレータが手作業でレジ
ストのハケ塗りを行っている。しかし、ＩＣチップのサ
イズは小型化しており、小さいチップでは１ｍｍ×１ｍ
ｍといった大きさのものがある。このような小さいチッ
プの場合、手作業でレジストのハケ塗りを行うと、細か
い作業になるため、間違って異常欠陥のない正常チップ
にレジストをハケ塗りしてしまったり、異常欠陥のチッ
プに加えて余分な正常チップもハケ塗りすることがあ
る。これにより、歩留まりが低下したり、異常欠陥をプ
ローブ検査工程で検出できないことがある。
半導体装置の製造方法では、オペレータが手作業でレジ
ストのハケ塗りを行っている。しかし、ＩＣチップのサ
イズは小型化しており、小さいチップでは１ｍｍ×１ｍ
ｍといった大きさのものがある。このような小さいチッ
プの場合、手作業でレジストのハケ塗りを行うと、細か
い作業になるため、間違って異常欠陥のない正常チップ
にレジストをハケ塗りしてしまったり、異常欠陥のチッ
プに加えて余分な正常チップもハケ塗りすることがあ
る。これにより、歩留まりが低下したり、異常欠陥をプ
ローブ検査工程で検出できないことがある。
【００１１】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、異常欠陥のあるＩＣチッ
プがプローブ検査工程で検出される不良チップから漏れ
ることを防止できる半導体製造装置、欠陥レビュー装置
及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
れたものであり、その目的は、異常欠陥のあるＩＣチッ
プがプローブ検査工程で検出される不良チップから漏れ
ることを防止できる半導体製造装置、欠陥レビュー装置
及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る半導体製造装置は、ウエハ上の欠陥位
置情報を有する半導体製造装置において、ウエハ上の欠
陥チップにレーザーを照射して不良マークをつける機構
を備えていることを特徴とする。なお、上記半導体製造
装置が欠陥検査装置、欠陥レビュー装置及びプローブ検
査装置のうちのいずれかであることも可能である。
め、本発明に係る半導体製造装置は、ウエハ上の欠陥位
置情報を有する半導体製造装置において、ウエハ上の欠
陥チップにレーザーを照射して不良マークをつける機構
を備えていることを特徴とする。なお、上記半導体製造
装置が欠陥検査装置、欠陥レビュー装置及びプローブ検
査装置のうちのいずれかであることも可能である。
【００１３】本発明に係る欠陥レビュー装置は、オペレ
ータがウエハ上の欠陥を観察する欠陥レビュー装置であ
って、ウエハを載置するステージと、ステージ上のウエ
ハの欠陥を観察する観察機構と、オペレータが不良と確
認したＩＣチップにレーザーを照射して不良マークをつ
けるレーザー照射機構と、具備することを特徴とする。
ータがウエハ上の欠陥を観察する欠陥レビュー装置であ
って、ウエハを載置するステージと、ステージ上のウエ
ハの欠陥を観察する観察機構と、オペレータが不良と確
認したＩＣチップにレーザーを照射して不良マークをつ
けるレーザー照射機構と、具備することを特徴とする。
【００１４】上記欠陥レビュー装置によれば、レーザー
照射機構を備え、観察機構により欠陥を観察して不良と
確認したＩＣチップにレーザーを照射することで不良マ
ークをつけている。このように欠陥レビュー装置で不良
と確認したＩＣチップに不良マークをレーザー照射によ
り付けているため、細かいチップでも速く、無駄なく不
良マークを正確につけることができる。従って、異常欠
陥のあるＩＣチップがプローブ検査工程で検出される不
良チップから漏れることを防止できる。
照射機構を備え、観察機構により欠陥を観察して不良と
確認したＩＣチップにレーザーを照射することで不良マ
ークをつけている。このように欠陥レビュー装置で不良
と確認したＩＣチップに不良マークをレーザー照射によ
り付けているため、細かいチップでも速く、無駄なく不
良マークを正確につけることができる。従って、異常欠
陥のあるＩＣチップがプローブ検査工程で検出される不
良チップから漏れることを防止できる。
【００１５】また、本発明に係る欠陥レビュー装置にお
いては、上記観察機構が光学顕微鏡により観察する機構
であることも可能である。
いては、上記観察機構が光学顕微鏡により観察する機構
であることも可能である。
【００１６】また、本発明に係る欠陥レビュー装置にお
いては、上記観察機構が観察用レーザー照射して観察す
る機構であることも可能である。
いては、上記観察機構が観察用レーザー照射して観察す
る機構であることも可能である。
【００１７】また、本発明に係る欠陥レビュー装置にお
いては、上記光学顕微鏡に接続されたＣＣＤカメラと、
このＣＣＤカメラで撮像された画像を表示する表示シス
テムと、をさらに含むことも可能である。
いては、上記光学顕微鏡に接続されたＣＣＤカメラと、
このＣＣＤカメラで撮像された画像を表示する表示シス
テムと、をさらに含むことも可能である。
【００１８】また、本発明に係る欠陥レビュー装置にお
いては、上記ステージの位置を制御するステージコント
ロールシステムをさらに含み、このステージコントロー
ルシステムはウエハ上の欠陥の座標データからステージ
の位置を制御するものであることが好ましい。
いては、上記ステージの位置を制御するステージコント
ロールシステムをさらに含み、このステージコントロー
ルシステムはウエハ上の欠陥の座標データからステージ
の位置を制御するものであることが好ましい。
【００１９】また、本発明に係る欠陥レビュー装置にお
いて、上記不良と確認したＩＣチップは、プローブ検査
工程で確実に不良と検出されるとは限らない欠陥を有す
るチップであることも可能である。
いて、上記不良と確認したＩＣチップは、プローブ検査
工程で確実に不良と検出されるとは限らない欠陥を有す
るチップであることも可能である。
【００２０】本発明に係る半導体装置の製造方法は、、
ウエハの欠陥検査を行うことにより、ウエハ上の欠陥を
検出する工程と、検出されたウエハ上の欠陥を請求項３
に記載の欠陥レビュー装置でオペレータが不良と確認す
る工程と、この欠陥レビュー装置でオペレータが不良と
確認したＩＣチップにレーザー照射機構によりレーザー
を照射して不良マークをつける工程と、を具備すること
を特徴とする。
ウエハの欠陥検査を行うことにより、ウエハ上の欠陥を
検出する工程と、検出されたウエハ上の欠陥を請求項３
に記載の欠陥レビュー装置でオペレータが不良と確認す
る工程と、この欠陥レビュー装置でオペレータが不良と
確認したＩＣチップにレーザー照射機構によりレーザー
を照射して不良マークをつける工程と、を具備すること
を特徴とする。
【００２１】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
において、上記不良と確認したＩＣチップは、プローブ
検査工程で確実に不良と検出されるとは限らない欠陥を
有するチップであることも可能である。
において、上記不良と確認したＩＣチップは、プローブ
検査工程で確実に不良と検出されるとは限らない欠陥を
有するチップであることも可能である。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１は、本発明の実施の形
態による欠陥レビュー装置を概略的に示す構成図であ
る。この欠陥レビュー装置はウエハの欠陥を確認するも
のである。
施の形態について説明する。図１は、本発明の実施の形
態による欠陥レビュー装置を概略的に示す構成図であ
る。この欠陥レビュー装置はウエハの欠陥を確認するも
のである。
【００２３】欠陥レビュー装置は、ウエハ１を載置する
ステージ２を有しており、このステージ２はステージコ
ントロールシステム３によって位置制御されるものであ
る。ステージコントロールシステム３は、欠陥座標記憶
部により位置出しを行い、ＩＣチップの中心の位置出し
機能を備えている。
ステージ２を有しており、このステージ２はステージコ
ントロールシステム３によって位置制御されるものであ
る。ステージコントロールシステム３は、欠陥座標記憶
部により位置出しを行い、ＩＣチップの中心の位置出し
機能を備えている。
【００２４】ステージ２の上方には対物レンズ群を備え
た光学顕微鏡４が配置されている。この光学顕微鏡４に
よってステージ２上のウエハ１が観察される。光学顕微
鏡４は光源制御・切り替えシステム５を介して光学系６
に接続されている。また、光源制御・切り替えシステム
５はレーザー出力コントローラー９を介して観察／マー
キング用レーザー装置１０に接続されている。
た光学顕微鏡４が配置されている。この光学顕微鏡４に
よってステージ２上のウエハ１が観察される。光学顕微
鏡４は光源制御・切り替えシステム５を介して光学系６
に接続されている。また、光源制御・切り替えシステム
５はレーザー出力コントローラー９を介して観察／マー
キング用レーザー装置１０に接続されている。
【００２５】観察／マーキング用レーザー装置１０は、
レーザー光をウエハ１に照射して光学顕微鏡４により画
像を得ることでウエハ上の欠陥を観察する機能と、プロ
ーブ検査工程で確実に不良と検出されるとは限らない異
常欠陥を持つＩＣチップに対してレーザーを照射してプ
ローブ検査工程で不良と検出されるように不良マークを
つける機能と、を備えている。
レーザー光をウエハ１に照射して光学顕微鏡４により画
像を得ることでウエハ上の欠陥を観察する機能と、プロ
ーブ検査工程で確実に不良と検出されるとは限らない異
常欠陥を持つＩＣチップに対してレーザーを照射してプ
ローブ検査工程で不良と検出されるように不良マークを
つける機能と、を備えている。
【００２６】レーザー出力コントローラー９は、観察／
マーキング用レーザー装置から発せられるレーザーの出
力をコントロールするものである。光源制御・切り替え
システム５は、光源を光学系６と観察／マーキング用レ
ーザー装置１０の間で切り替えるものである。
マーキング用レーザー装置から発せられるレーザーの出
力をコントロールするものである。光源制御・切り替え
システム５は、光源を光学系６と観察／マーキング用レ
ーザー装置１０の間で切り替えるものである。
【００２７】また、光学顕微鏡４はＣＣＤカメラ７に接
続されており、このＣＣＤカメラ７は画像表示システム
８に接続されている。ステージコントロールシステム３
は、欠陥座標記憶部によって記憶された欠陥座標データ
によりウエハ上の確認すべき欠陥チップに光学顕微鏡４
の視野及び焦点が合うように、ステージ２をコントロー
ルするものである。
続されており、このＣＣＤカメラ７は画像表示システム
８に接続されている。ステージコントロールシステム３
は、欠陥座標記憶部によって記憶された欠陥座標データ
によりウエハ上の確認すべき欠陥チップに光学顕微鏡４
の視野及び焦点が合うように、ステージ２をコントロー
ルするものである。
【００２８】次に、上記欠陥レビュー装置の動作につい
て説明する。欠陥レビュー装置のステージ２上にウエハ
１を設置する。これと共に、欠陥の座標データを欠陥座
標記憶部に記憶させる。
て説明する。欠陥レビュー装置のステージ２上にウエハ
１を設置する。これと共に、欠陥の座標データを欠陥座
標記憶部に記憶させる。
【００２９】次いで、この座標データによりウエハ上の
確認すべき欠陥部分に光学顕微鏡４の視野及び焦点が合
うようにステージコントロールシステム３によってステ
ージ２の位置を制御する。そして、光学系６、光源制御
システム５及び光学顕微鏡４によってウエハ１の欠陥部
分を観察し、その部分の画像をＣＣＤカメラ７によって
撮影し、その画像データを画像表示システム８に送り画
像を表示する。
確認すべき欠陥部分に光学顕微鏡４の視野及び焦点が合
うようにステージコントロールシステム３によってステ
ージ２の位置を制御する。そして、光学系６、光源制御
システム５及び光学顕微鏡４によってウエハ１の欠陥部
分を観察し、その部分の画像をＣＣＤカメラ７によって
撮影し、その画像データを画像表示システム８に送り画
像を表示する。
【００３０】又は、光源制御・切り替えシステム５によ
り光源を光学系６から観察／マーキング用レーザー装置
１０に切り替える。そして、レーザー出力コントローラ
ー９によってレーザー出力がコントロールされ、観察／
マーキング用レーザー装置１０及び光学顕微鏡４によっ
てウエハ１の欠陥部分を観察し、その部分の画像をＣＣ
Ｄカメラ７によって撮影し、その画像データを画像表示
システム８に送り画像を表示する。この表示した画像を
オペレータが確認して欠陥をタイプ別に分類し、欠陥座
標記憶部に記録し、その中からプローブ検査で確実に不
良となるとは限らない異常欠陥のあるＩＣチップのウエ
ハ上の地図（異常ＭＡＰ）を作製する。
り光源を光学系６から観察／マーキング用レーザー装置
１０に切り替える。そして、レーザー出力コントローラ
ー９によってレーザー出力がコントロールされ、観察／
マーキング用レーザー装置１０及び光学顕微鏡４によっ
てウエハ１の欠陥部分を観察し、その部分の画像をＣＣ
Ｄカメラ７によって撮影し、その画像データを画像表示
システム８に送り画像を表示する。この表示した画像を
オペレータが確認して欠陥をタイプ別に分類し、欠陥座
標記憶部に記録し、その中からプローブ検査で確実に不
良となるとは限らない異常欠陥のあるＩＣチップのウエ
ハ上の地図（異常ＭＡＰ）を作製する。
【００３１】次いで、この異常ＭＡＰにしたがい、異常
欠陥のあるＩＣチップに対して観察／マーキング用レー
ザー装置１０によりレーザーを照射してプローブ検査工
程で確実に不良と検出されるように不良マークをつけ
る。この不良マークは、レーザー照射で欠陥のＩＣチッ
プ表面の中央付近の直径１００〜５００μｍの範囲（好
ましくは３００μｍ程度）を溶解することで付けられる
ものである。この際のレーザーの照射条件は、異常欠陥
のあるＩＣチップの最表面がＡｌパターンの場合、半導
体レーザーで１０Ｗ程度のエネルギーで照射することが
好ましい。また、ＩＣチップの最表面がＡｌ以外のパタ
ーンであっても５〜１５Ｗのエネルギーで照射すること
が好ましい。ただし、半導体レーザー以外のレーザー光
源を用いることも可能であり、例えばＣＯ2レーザー、
ＹＡＧレーザーを用いることも可能である。このように
ＣＯ2レーザー、ＹＡＧレーザーを用いる場合は、レー
ザー照射条件を適宜適切な条件を選択して実施すること
が好ましい。
欠陥のあるＩＣチップに対して観察／マーキング用レー
ザー装置１０によりレーザーを照射してプローブ検査工
程で確実に不良と検出されるように不良マークをつけ
る。この不良マークは、レーザー照射で欠陥のＩＣチッ
プ表面の中央付近の直径１００〜５００μｍの範囲（好
ましくは３００μｍ程度）を溶解することで付けられる
ものである。この際のレーザーの照射条件は、異常欠陥
のあるＩＣチップの最表面がＡｌパターンの場合、半導
体レーザーで１０Ｗ程度のエネルギーで照射することが
好ましい。また、ＩＣチップの最表面がＡｌ以外のパタ
ーンであっても５〜１５Ｗのエネルギーで照射すること
が好ましい。ただし、半導体レーザー以外のレーザー光
源を用いることも可能であり、例えばＣＯ2レーザー、
ＹＡＧレーザーを用いることも可能である。このように
ＣＯ2レーザー、ＹＡＧレーザーを用いる場合は、レー
ザー照射条件を適宜適切な条件を選択して実施すること
が好ましい。
【００３２】次に、上記欠陥レビュー装置を用いた半導
体装置の製造方法について説明する。まず、半導体製造
工程の途中において欠陥検査装置を用いてウエハの欠陥
検査を行う。すなわち、欠陥検査を行うウエハをウエハ
欠陥検査装置に設置し、レーザー光源から出射したＳ偏
光ビームによりウエハを斜方照射する。ウエハのパター
ン上にキズや異物があると偏光が解消し、キズや異物か
らの散乱光にはＳ偏光及びＰ偏光成分が混在する。一
方、パターンのうち、レーザービームの光軸と直交する
直線エッジからの散乱光にはＳ偏光成分がそのまま保存
される。対物レンズの上方にＳ偏光成分を遮断するよう
に偏光板を配置することにより、パターン情報が除去で
き、光電変換素子ではキズや異物の散乱光中のＰ偏光成
分のみを検出する。このようにしてパターン付きウエハ
上のキズや異物を検出することで、ウエハ上の欠陥を検
出する。そして、この検出したキズ等の欠陥のうち後工
程のプローブ検査で確実に不良にとなるとは限らない欠
陥の位置の座標データを得る。
体装置の製造方法について説明する。まず、半導体製造
工程の途中において欠陥検査装置を用いてウエハの欠陥
検査を行う。すなわち、欠陥検査を行うウエハをウエハ
欠陥検査装置に設置し、レーザー光源から出射したＳ偏
光ビームによりウエハを斜方照射する。ウエハのパター
ン上にキズや異物があると偏光が解消し、キズや異物か
らの散乱光にはＳ偏光及びＰ偏光成分が混在する。一
方、パターンのうち、レーザービームの光軸と直交する
直線エッジからの散乱光にはＳ偏光成分がそのまま保存
される。対物レンズの上方にＳ偏光成分を遮断するよう
に偏光板を配置することにより、パターン情報が除去で
き、光電変換素子ではキズや異物の散乱光中のＰ偏光成
分のみを検出する。このようにしてパターン付きウエハ
上のキズや異物を検出することで、ウエハ上の欠陥を検
出する。そして、この検出したキズ等の欠陥のうち後工
程のプローブ検査で確実に不良にとなるとは限らない欠
陥の位置の座標データを得る。
【００３３】次いで、図１に示す欠陥を確認する欠陥レ
ビュー装置にウエハ１を搬送する。このウエハ１をステ
ージ２の上に設置する。これと共に、前記の欠陥の座標
データを変換して欠陥検査装置から図１の欠陥レビュー
装置の欠陥座標記憶部に送る。
ビュー装置にウエハ１を搬送する。このウエハ１をステ
ージ２の上に設置する。これと共に、前記の欠陥の座標
データを変換して欠陥検査装置から図１の欠陥レビュー
装置の欠陥座標記憶部に送る。
【００３４】次いで、この座標データによりウエハ上の
確認すべき欠陥部分に光学顕微鏡４の視野及び焦点が合
うようにステージコントロールシステム３によってステ
ージ２の位置を制御する。そして、前述したように確認
した異常欠陥のあるＩＣチップのウエハ上の地図（異常
ＭＡＰ）を作製する。
確認すべき欠陥部分に光学顕微鏡４の視野及び焦点が合
うようにステージコントロールシステム３によってステ
ージ２の位置を制御する。そして、前述したように確認
した異常欠陥のあるＩＣチップのウエハ上の地図（異常
ＭＡＰ）を作製する。
【００３５】次いで、この異常ＭＡＰにしたがい、前述
したように異常欠陥のあるＩＣチップに対して観察／マ
ーキング用レーザー装置１０によりレーザーを照射して
プローブ検査工程で確実に不良と検出されるように不良
マークをつける。次いで、次の工程に流動させる。
したように異常欠陥のあるＩＣチップに対して観察／マ
ーキング用レーザー装置１０によりレーザーを照射して
プローブ検査工程で確実に不良と検出されるように不良
マークをつける。次いで、次の工程に流動させる。
【００３６】上記実施の形態によれば、欠陥レビュー装
置にレーザー照射機能を設け、確認した異常欠陥のある
ＩＣチップにレーザーを照射することで不良マークをつ
けている。このように欠陥レビュー装置で異常欠陥を観
察し、不良と確認したＩＣチップに不良マークを付けて
いるため、細かいチップでも速く、無駄なく不良マーク
を正確につけることができる。従って、異常欠陥のある
ＩＣチップがプローブ検査工程で検出される不良チップ
から漏れることを防止できる。
置にレーザー照射機能を設け、確認した異常欠陥のある
ＩＣチップにレーザーを照射することで不良マークをつ
けている。このように欠陥レビュー装置で異常欠陥を観
察し、不良と確認したＩＣチップに不良マークを付けて
いるため、細かいチップでも速く、無駄なく不良マーク
を正確につけることができる。従って、異常欠陥のある
ＩＣチップがプローブ検査工程で検出される不良チップ
から漏れることを防止できる。
【００３７】また、本実施の形態では、従来のようなオ
ペレータが手作業でレジストのハケ塗りを行う必要がな
いので、製造コストを低減することができる。
ペレータが手作業でレジストのハケ塗りを行う必要がな
いので、製造コストを低減することができる。
【００３８】また、不良マークをつけるための専用のレ
ーザー装置を利用してＩＣチップに不良マークをつける
ことも可能である。しかし、専用のレーザー装置を利用
すると、その装置にウエハをロード／アンロードした
り、その装置に座標データを変換するなどの手間が必要
となり、その装置を設置するスペースと費用が必要とな
る。これに対して、本実施の形態では、欠陥レビュー装
置にレーザー照射機能を設けているので、そのような手
間が不要となると共にスペースと費用も少ないものとす
ることができる。
ーザー装置を利用してＩＣチップに不良マークをつける
ことも可能である。しかし、専用のレーザー装置を利用
すると、その装置にウエハをロード／アンロードした
り、その装置に座標データを変換するなどの手間が必要
となり、その装置を設置するスペースと費用が必要とな
る。これに対して、本実施の形態では、欠陥レビュー装
置にレーザー照射機能を設けているので、そのような手
間が不要となると共にスペースと費用も少ないものとす
ることができる。
【００３９】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
上記実施の形態による欠陥レビュー装置に欠陥救済のた
めにレーザー照射による回路切断ができる機能をさらに
取り付けることも可能である。
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
上記実施の形態による欠陥レビュー装置に欠陥救済のた
めにレーザー照射による回路切断ができる機能をさらに
取り付けることも可能である。
【００４０】また、上記実施の形態では、観察／マーキ
ング用レーザー装置１０を備えた欠陥レビュー装置を用
いているが、観察用レーザー機能は必ずしも必要ではな
く、観察用レーザー機能の無いマーキング用レーザー装
置を備えた欠陥レビュー装置を用いることも可能であ
る。
ング用レーザー装置１０を備えた欠陥レビュー装置を用
いているが、観察用レーザー機能は必ずしも必要ではな
く、観察用レーザー機能の無いマーキング用レーザー装
置を備えた欠陥レビュー装置を用いることも可能であ
る。
【００４１】また、上記実施の形態では、欠陥レビュー
装置に不良マークをつけるためのレーザー照射機能を設
けているが、これに限定されるものではなく、ウエハ上
の欠陥位置情報（即ちウエハと欠陥座標の情報又は欠陥
チップの座標の情報）を持っている他の装置、例えば欠
陥検査装置、プローバ（プローブ検査装置）などに不良
マークをつけるためのレーザー照射機能を設けることも
可能である。
装置に不良マークをつけるためのレーザー照射機能を設
けているが、これに限定されるものではなく、ウエハ上
の欠陥位置情報（即ちウエハと欠陥座標の情報又は欠陥
チップの座標の情報）を持っている他の装置、例えば欠
陥検査装置、プローバ（プローブ検査装置）などに不良
マークをつけるためのレーザー照射機能を設けることも
可能である。
【００４２】また、上記実施の形態では、欠陥検査装置
と欠陥レビュー装置が別々である装置を用いているが、
欠陥検査装置と欠陥レビュー装置を一体的に備えた装置
を用いることも可能である。
と欠陥レビュー装置が別々である装置を用いているが、
欠陥検査装置と欠陥レビュー装置を一体的に備えた装置
を用いることも可能である。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、レ
ーザー照射機構を備え、観察機構により欠陥を観察して
不良と確認したＩＣチップにレーザーを照射することで
不良マークをつけている。したがって、異常欠陥のある
ＩＣチップがプローブ検査工程で検出される不良チップ
から漏れることを防止できる半導体製造装置、欠陥レビ
ュー装置及び半導体装置の製造方法を提供することがで
きる。
ーザー照射機構を備え、観察機構により欠陥を観察して
不良と確認したＩＣチップにレーザーを照射することで
不良マークをつけている。したがって、異常欠陥のある
ＩＣチップがプローブ検査工程で検出される不良チップ
から漏れることを防止できる半導体製造装置、欠陥レビ
ュー装置及び半導体装置の製造方法を提供することがで
きる。
【図１】本発明の実施の形態による欠陥レビュー装置を
概略的に示す構成図である。
概略的に示す構成図である。
【図２】従来のウエハの欠陥を確認する欠陥レビュー装
置を概略的に示す構成図である。
置を概略的に示す構成図である。
１，１０１…ウエハ、 ２，１０２…ステ
ージ ３，１０３…ステージコントロールシステム ４，１０４…光学顕微鏡 ５…光源制御・切
り替えシステム ６，１０６…光学系 ７，１０７…ＣＣ
Ｄカメラ ８，１０８…画像表示システム ９…レーザー出力
コントローラー １０…観察／マーキング用レーザー装置 １０５…光源制御システム
ージ ３，１０３…ステージコントロールシステム ４，１０４…光学顕微鏡 ５…光源制御・切
り替えシステム ６，１０６…光学系 ７，１０７…ＣＣ
Ｄカメラ ８，１０８…画像表示システム ９…レーザー出力
コントローラー １０…観察／マーキング用レーザー装置 １０５…光源制御システム
Claims (10)
- 【請求項１】 ウエハ上の欠陥位置情報を有する半導体
製造装置において、 ウエハ上の欠陥チップにレーザーを照射して不良マーク
をつける機構を備えていることを特徴とする半導体製造
装置。 - 【請求項２】 上記半導体製造装置が欠陥検査装置、欠
陥レビュー装置及びプローブ検査装置のうちのいずれか
であることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装
置。 - 【請求項３】 オペレータがウエハ上の欠陥を観察する
欠陥レビュー装置であって、 ウエハを載置するステージと、 ステージ上のウエハの欠陥を観察する観察機構と、 オペレータが不良と確認したＩＣチップにレーザーを照
射して不良マークをつけるレーザー照射機構と、 具備することを特徴とする欠陥レビュー装置。 - 【請求項４】 上記観察機構が光学顕微鏡により観察す
る機構であることを特徴とする請求項３に記載の欠陥レ
ビュー装置。 - 【請求項５】 上記観察機構が観察用レーザー照射して
観察する機構であることを特徴とする請求項３又は４に
記載の欠陥レビュー装置。 - 【請求項６】 上記光学顕微鏡に接続されたＣＣＤカメ
ラと、このＣＣＤカメラで撮像された画像を表示する表
示システムと、をさらに含むことを特徴とする請求項４
又は５に記載の欠陥レビュー装置。 - 【請求項７】 上記ステージの位置を制御するステージ
コントロールシステムをさらに含み、このステージコン
トロールシステムはウエハ上の欠陥の座標データからス
テージの位置を制御するものであることを特徴とする請
求項３〜６のうちいずれか１項記載の欠陥レビュー装
置。 - 【請求項８】 上記不良と確認したＩＣチップは、プロ
ーブ検査工程で確実に不良と検出されるとは限らない欠
陥を有するチップであることを特徴とする請求項３〜７
のうちいずれか１項記載の欠陥レビュー装置。 - 【請求項９】 ウエハの欠陥検査を行うことにより、ウ
エハ上の欠陥を検出する工程と、 検出されたウエハ上の欠陥を請求項３に記載の欠陥レビ
ュー装置でオペレータが不良と確認する工程と、 この欠陥レビュー装置でオペレータが不良と確認したＩ
Ｃチップにレーザー照射機構によりレーザーを照射して
不良マークをつける工程と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 上記不良と確認したＩＣチップは、プ
ローブ検査工程で確実に不良と検出されるとは限らない
欠陥を有するチップであることを特徴とする請求項９に
記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002071754A JP2003273171A (ja) | 2002-03-15 | 2002-03-15 | 半導体製造装置、欠陥レビュー装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002071754A JP2003273171A (ja) | 2002-03-15 | 2002-03-15 | 半導体製造装置、欠陥レビュー装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003273171A true JP2003273171A (ja) | 2003-09-26 |
Family
ID=29201951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002071754A Withdrawn JP2003273171A (ja) | 2002-03-15 | 2002-03-15 | 半導体製造装置、欠陥レビュー装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003273171A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005119774A1 (en) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Manufacturing Integration Technology Ltd | Method and apparatus for precise marking and placement of an object |
| JP2006147977A (ja) * | 2004-11-24 | 2006-06-08 | Seiko Epson Corp | 欠陥レビュー装置、欠陥レビュー方法及び欠陥解析方法、半導体装置の製造方法 |
| CN113695271A (zh) * | 2020-05-22 | 2021-11-26 | 海太半导体（无锡）有限公司 | 一种自动设定不良品标记的方法 |
-
2002
- 2002-03-15 JP JP2002071754A patent/JP2003273171A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005119774A1 (en) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Manufacturing Integration Technology Ltd | Method and apparatus for precise marking and placement of an object |
| JP2006147977A (ja) * | 2004-11-24 | 2006-06-08 | Seiko Epson Corp | 欠陥レビュー装置、欠陥レビュー方法及び欠陥解析方法、半導体装置の製造方法 |
| CN113695271A (zh) * | 2020-05-22 | 2021-11-26 | 海太半导体（无锡）有限公司 | 一种自动设定不良品标记的方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050607 |