JPH06112105A - 半導体基板の露光方法及び露光装置 - Google Patents
半導体基板の露光方法及び露光装置Info
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- JPH06112105A JPH06112105A JP4283702A JP28370292A JPH06112105A JP H06112105 A JPH06112105 A JP H06112105A JP 4283702 A JP4283702 A JP 4283702A JP 28370292 A JP28370292 A JP 28370292A JP H06112105 A JPH06112105 A JP H06112105A
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- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
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- G03F9/7026—Focusing
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板の露光直前の状態において、光学
系の焦点深度に対する半導体基板の平坦度の良否を正確
に管理することができるようにする。 【構成】 ウエハチャック７上に保持されたウエハ６の
平坦度を全面にわたってギャップセンサ１０により測定
する。ＣＰＵ１２は、記憶部１１に記憶された平坦度の
値と予め設定された光学系の焦点深度の値とを比較して
その大小を判定する。平坦度が焦点深度以内の場合には
露光を開始する。平坦度が焦点深度よりも大きい場合に
は露光を行わず、アラーム１３を作動させてウエハ着脱
機構９によりウエハ６をウエハチャック７上から排出し
て次のウエハ６を装着する。 【効果】 デフォーカスに起因する解像不良部分の発生
を未然に防止できるので、品質上の信頼性の向上並びに
歩留りの向上を図ることができ、再生率低減による露光
装置の処理能力の向上及び作業時間の短縮化を図ること
ができる。
系の焦点深度に対する半導体基板の平坦度の良否を正確
に管理することができるようにする。 【構成】 ウエハチャック７上に保持されたウエハ６の
平坦度を全面にわたってギャップセンサ１０により測定
する。ＣＰＵ１２は、記憶部１１に記憶された平坦度の
値と予め設定された光学系の焦点深度の値とを比較して
その大小を判定する。平坦度が焦点深度以内の場合には
露光を開始する。平坦度が焦点深度よりも大きい場合に
は露光を行わず、アラーム１３を作動させてウエハ着脱
機構９によりウエハ６をウエハチャック７上から排出し
て次のウエハ６を装着する。 【効果】 デフォーカスに起因する解像不良部分の発生
を未然に防止できるので、品質上の信頼性の向上並びに
歩留りの向上を図ることができ、再生率低減による露光
装置の処理能力の向上及び作業時間の短縮化を図ること
ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスの製造
工程においてウエハ等の半導体基板にパターンを露光す
るための半導体基板の露光方法及び露光装置に関する。
工程においてウエハ等の半導体基板にパターンを露光す
るための半導体基板の露光方法及び露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、この種の露光、例えばウエハ
の投影露光においては、光源の光によって露光用マスク
を照明し、その照明されたマスクのパターン像を投影レ
ンズ等の光学系によってウエハ（或いはウエハ上に既に
形成されている各種の薄膜）上のフォトレジストに投影
して露光するようにしている。
の投影露光においては、光源の光によって露光用マスク
を照明し、その照明されたマスクのパターン像を投影レ
ンズ等の光学系によってウエハ（或いはウエハ上に既に
形成されている各種の薄膜）上のフォトレジストに投影
して露光するようにしている。
【０００３】この露光の際には、微細パターンを高精度
に解像するために、露光装置の光学系の焦点をウエハ上
（フォトレジスト膜内の最適高さ）に正確に位置合わせ
し、露光対象面が光学系の焦点深度内に確実に収まるよ
うにする必要がある。
に解像するために、露光装置の光学系の焦点をウエハ上
（フォトレジスト膜内の最適高さ）に正確に位置合わせ
し、露光対象面が光学系の焦点深度内に確実に収まるよ
うにする必要がある。
【０００４】ところで、光学系の焦点深度はその光学系
の特性により予め決まっているが、従来の露光において
は、露光前にウエハの平坦度を管理しておらず、ウエハ
の平坦度が光学系の焦点深度以内に収まっているものと
見なして、そのまま露光していた。
の特性により予め決まっているが、従来の露光において
は、露光前にウエハの平坦度を管理しておらず、ウエハ
の平坦度が光学系の焦点深度以内に収まっているものと
見なして、そのまま露光していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、露光装
置のウエハ保持部材であるウエハチャック上にウエハが
保持された際、ウエハの裏面またはウエハチャックの上
面に例えば異物が付着していると、ウエハの該当部分が
凸状になって局部的に平坦度が悪くなり、この平坦度が
光学系の焦点深度よりも大きくなることがある。
置のウエハ保持部材であるウエハチャック上にウエハが
保持された際、ウエハの裏面またはウエハチャックの上
面に例えば異物が付着していると、ウエハの該当部分が
凸状になって局部的に平坦度が悪くなり、この平坦度が
光学系の焦点深度よりも大きくなることがある。
【０００６】この場合、上述したように従来の露光にお
いては、露光前にウエハの平坦度を管理していないた
め、そのまま露光することによって、ウエハ上で局部的
にデフォーカスとなって解像不良部分が発生する。これ
によって、品質上の信頼性が大幅に低下すると共に歩留
りが著しく悪化するという問題があった。
いては、露光前にウエハの平坦度を管理していないた
め、そのまま露光することによって、ウエハ上で局部的
にデフォーカスとなって解像不良部分が発生する。これ
によって、品質上の信頼性が大幅に低下すると共に歩留
りが著しく悪化するという問題があった。
【０００７】そこで本発明は、半導体基板の露光直前の
状態において、光学系の焦点深度に対する半導体基板の
平坦度の良否を正確に管理することができる半導体基板
の露光方法及び露光装置を提供することを目的とする。
状態において、光学系の焦点深度に対する半導体基板の
平坦度の良否を正確に管理することができる半導体基板
の露光方法及び露光装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、半導体基板を保持部材上に保持して光学
系により前記半導体基板を露光するようにした半導体基
板の露光方法において、前記保持部材上に保持された前
記半導体基板の平坦度を全面にわたって測定し、この測
定した平坦度と予め設定した前記光学系の焦点深度とを
比較してその大小を判定し、前記平坦度が前記焦点深度
以内の場合にのみ前記半導体基板を露光するものであ
る。
に、本発明は、半導体基板を保持部材上に保持して光学
系により前記半導体基板を露光するようにした半導体基
板の露光方法において、前記保持部材上に保持された前
記半導体基板の平坦度を全面にわたって測定し、この測
定した平坦度と予め設定した前記光学系の焦点深度とを
比較してその大小を判定し、前記平坦度が前記焦点深度
以内の場合にのみ前記半導体基板を露光するものであ
る。
【０００９】なお、前記平坦度が前記焦点深度よりも大
きい場合には前記半導体基板を排出して次の半導体基板
を装着するとよい。
きい場合には前記半導体基板を排出して次の半導体基板
を装着するとよい。
【００１０】また、本発明は、半導体基板を保持部材上
に保持して光学系により前記半導体基板を露光するよう
にした半導体基板の露光装置において、前記保持部材上
に保持された前記半導体基板の平坦度を全面にわたって
測定する測定手段と、この測定された平坦度と予め設定
された前記光学系の焦点深度とを比較してその大小を判
定する比較判定手段とを備えたものである。
に保持して光学系により前記半導体基板を露光するよう
にした半導体基板の露光装置において、前記保持部材上
に保持された前記半導体基板の平坦度を全面にわたって
測定する測定手段と、この測定された平坦度と予め設定
された前記光学系の焦点深度とを比較してその大小を判
定する比較判定手段とを備えたものである。
【００１１】なお、前記比較判定手段により前記平坦度
が前記焦点深度以内と判定された場合にのみ装置本体の
露光手段を作動させて前記半導体基板を露光するように
構成するとよい。
が前記焦点深度以内と判定された場合にのみ装置本体の
露光手段を作動させて前記半導体基板を露光するように
構成するとよい。
【００１２】さらに、前記比較判定手段により前記平坦
度が前記焦点深度以内と判定された場合には前記半導体
基板の露光後に基板着脱手段を作動させてその半導体基
板を排出し、前記比較判定手段により前記平坦度が前記
焦点深度よりも大きいと判定された場合には基板着脱手
段を作動させて前記半導体基板を排出して次の半導体基
板を装着するように構成するとよい。
度が前記焦点深度以内と判定された場合には前記半導体
基板の露光後に基板着脱手段を作動させてその半導体基
板を排出し、前記比較判定手段により前記平坦度が前記
焦点深度よりも大きいと判定された場合には基板着脱手
段を作動させて前記半導体基板を排出して次の半導体基
板を装着するように構成するとよい。
【００１３】また、前記比較判定手段により前記平坦度
が前記焦点深度よりも大きいと判定された場合にアラー
ムを作動させるように構成するとよい。
が前記焦点深度よりも大きいと判定された場合にアラー
ムを作動させるように構成するとよい。
【００１４】
【作用】上記のように構成された本発明によれば、保持
部材上に保持された半導体基板の平坦度を全面にわたっ
て測定し、この平坦度と光学系の焦点深度とを比較して
その大小を判定することによって、半導体基板の露光直
前の状態において、焦点深度に対する平坦度の良否が正
確に把握される。
部材上に保持された半導体基板の平坦度を全面にわたっ
て測定し、この平坦度と光学系の焦点深度とを比較して
その大小を判定することによって、半導体基板の露光直
前の状態において、焦点深度に対する平坦度の良否が正
確に把握される。
【００１５】そして、平坦度が焦点深度以内の場合にの
み半導体基板を露光することによって、半導体基板上の
局部的なデフォーカスに起因する解像不良部分の発生が
未然に防止される。
み半導体基板を露光することによって、半導体基板上の
局部的なデフォーカスに起因する解像不良部分の発生が
未然に防止される。
【００１６】また、平坦度が焦点深度よりも大きい場合
には半導体基板を排出して次の半導体基板を装着するこ
とによって、平坦度の比較判定に続く一連の露光動作及
び半導体基板の着脱が自動化される。
には半導体基板を排出して次の半導体基板を装着するこ
とによって、平坦度の比較判定に続く一連の露光動作及
び半導体基板の着脱が自動化される。
【００１７】なお、平坦度が焦点深度よりも大きい場合
にアラームを作動させると、平坦度の異常が直ちに警告
されるので、これに基づいて半導体基板及び保持部材の
検査や洗浄等を行うとよい。
にアラームを作動させると、平坦度の異常が直ちに警告
されるので、これに基づいて半導体基板及び保持部材の
検査や洗浄等を行うとよい。
【００１８】
【実施例】以下、本発明をウエハの縮小投影露光方法及
び縮小投影露光装置に適用した一実施例を図面を参照し
て説明する。図１は装置の概略構成図、図２はその一連
の動作を説明するためのフローチャートである。
び縮小投影露光装置に適用した一実施例を図面を参照し
て説明する。図１は装置の概略構成図、図２はその一連
の動作を説明するためのフローチャートである。
【００１９】まず、図１に示すように、この縮小投影露
光装置は、装置本体として、光源１と、照明レンズ群２
と、レチクル（拡大マスク）３を保持するレチクルマウ
ント４と、縮小投影レンズ群５と、ウエハ６を保持する
ウエハチャック７と、ウエハチャック７を支持するＸＹ
ステージ８とを備えている。また、この装置は、ウエハ
チャック７に対してウエハ６を着脱するウエハ着脱機構
９を備えている。
光装置は、装置本体として、光源１と、照明レンズ群２
と、レチクル（拡大マスク）３を保持するレチクルマウ
ント４と、縮小投影レンズ群５と、ウエハ６を保持する
ウエハチャック７と、ウエハチャック７を支持するＸＹ
ステージ８とを備えている。また、この装置は、ウエハ
チャック７に対してウエハ６を着脱するウエハ着脱機構
９を備えている。
【００２０】さらに、この装置は、ウエハチャック７上
に保持されたウエハ６の平坦度を測定するギャップセン
サ１０と、この測定された平坦度の値を記憶する記憶部
１１と、この記憶された平坦度の値と光学系の焦点深度
の値とを比較してその大小を判定する比較判定部とを備
えている。この比較判定部は例えばＣＰＵ１２によって
構成することができる。なお、光学系の焦点深度は縮小
投影レンズ群５等の特性に基づいて予め設定されてい
る。また、警告音の発生や警告灯の表示等からなるアラ
ーム１３が設けられており、このアラーム１３はＣＰＵ
１２により作動制御される。
に保持されたウエハ６の平坦度を測定するギャップセン
サ１０と、この測定された平坦度の値を記憶する記憶部
１１と、この記憶された平坦度の値と光学系の焦点深度
の値とを比較してその大小を判定する比較判定部とを備
えている。この比較判定部は例えばＣＰＵ１２によって
構成することができる。なお、光学系の焦点深度は縮小
投影レンズ群５等の特性に基づいて予め設定されてい
る。また、警告音の発生や警告灯の表示等からなるアラ
ーム１３が設けられており、このアラーム１３はＣＰＵ
１２により作動制御される。
【００２１】なお、装置としては他に、装置本体の光源
１やＸＹステージ８等を作動させる露光制御部、ウエハ
着脱機構９を作動させる着脱制御部等を備えているが、
これらは個別に構成しても上記ＣＰＵ１２によって構成
してもよい。この実施例ではＣＰＵ１２が上記各制御部
の機能を有するものとして説明する。
１やＸＹステージ８等を作動させる露光制御部、ウエハ
着脱機構９を作動させる着脱制御部等を備えているが、
これらは個別に構成しても上記ＣＰＵ１２によって構成
してもよい。この実施例ではＣＰＵ１２が上記各制御部
の機能を有するものとして説明する。
【００２２】図１に示すように、ウエハ６がウエハチャ
ック７上に保持された際、ウエハ６の裏面またはウエハ
チャック７の上面に例えば異物１４が付着していると、
ウエハ６の該当部分が凸状になって局部的に平坦度が悪
くなる。なお、図では誇張して示されているが、この平
坦度はμオーダーで問題となる。
ック７上に保持された際、ウエハ６の裏面またはウエハ
チャック７の上面に例えば異物１４が付着していると、
ウエハ６の該当部分が凸状になって局部的に平坦度が悪
くなる。なお、図では誇張して示されているが、この平
坦度はμオーダーで問題となる。
【００２３】そこで、ウエハチャック７上におけるウエ
ハ６の平坦度を全面にわたってギャップセンサ１０によ
り測定する。このギャップセンサ１０により測定された
平坦度の値を記憶部１１に記憶する。ＣＰＵ１２は、記
憶部１１に記憶された平坦度の値と予め設定された焦点
深度の値とを比較し、焦点深度に対する平坦度の大小を
判定する。そしてＣＰＵ１２は、この比較判定結果に基
づいて、装置本体の光源１の発光やＸＹステージ８の移
動等による露光動作、ウエハ着脱機構９によるウエハ６
の着脱動作、アラーム１３の作動等を制御する。
ハ６の平坦度を全面にわたってギャップセンサ１０によ
り測定する。このギャップセンサ１０により測定された
平坦度の値を記憶部１１に記憶する。ＣＰＵ１２は、記
憶部１１に記憶された平坦度の値と予め設定された焦点
深度の値とを比較し、焦点深度に対する平坦度の大小を
判定する。そしてＣＰＵ１２は、この比較判定結果に基
づいて、装置本体の光源１の発光やＸＹステージ８の移
動等による露光動作、ウエハ着脱機構９によるウエハ６
の着脱動作、アラーム１３の作動等を制御する。
【００２４】次に、上述のように構成された装置の一連
の動作を図１と共に図２のフローチャートに従って説明
する。
の動作を図１と共に図２のフローチャートに従って説明
する。
【００２５】まず、ステップＳ１において、ウエハ着脱
機構９によりウエハ６をウエハチャック７上にロード
（装着）する。ＸＹステージ８を縦横（Ｘ、Ｙ方向）に
移動走査し、ウエハチャック７上に保持されたウエハ６
の平坦度を全面にわたってギャップセンサ１０により測
定する。
機構９によりウエハ６をウエハチャック７上にロード
（装着）する。ＸＹステージ８を縦横（Ｘ、Ｙ方向）に
移動走査し、ウエハチャック７上に保持されたウエハ６
の平坦度を全面にわたってギャップセンサ１０により測
定する。
【００２６】次に、ステップＳ２において、ＣＰＵ１２
は、記憶部１１に記憶された平坦度の値と焦点深度の値
とを比較し、焦点深度に対する平坦度の大小を判定す
る。
は、記憶部１１に記憶された平坦度の値と焦点深度の値
とを比較し、焦点深度に対する平坦度の大小を判定す
る。
【００２７】この比較判定の結果、ウエハ６の全面の平
坦度が焦点深度以内（平坦度≦焦点深度）と判定された
場合、ステップＳ３に進んで装置本体においてレチクル
３とウエハ６とのアライメントを行い、ステップＳ４に
おいて露光を開始する。
坦度が焦点深度以内（平坦度≦焦点深度）と判定された
場合、ステップＳ３に進んで装置本体においてレチクル
３とウエハ６とのアライメントを行い、ステップＳ４に
おいて露光を開始する。
【００２８】即ち、ステップＳ１からステップＳ４にお
いては、光源１からの光によって照明レンズ群２を介し
てレチクル３が一様に照明され、レチクル３のパターン
像が縮小投影レンズ群５によってウエハ６（或いはウエ
ハ６上に既に形成されている各種の薄膜）上のフォトレ
ジストに縮小投影される。ＸＹステージ８によってウエ
ハ６がＸ、Ｙ方向へ順次移動されながら縮小投影が繰り
返され、このステップアンドリピートによってウエハ６
の全面を露光していく。
いては、光源１からの光によって照明レンズ群２を介し
てレチクル３が一様に照明され、レチクル３のパターン
像が縮小投影レンズ群５によってウエハ６（或いはウエ
ハ６上に既に形成されている各種の薄膜）上のフォトレ
ジストに縮小投影される。ＸＹステージ８によってウエ
ハ６がＸ、Ｙ方向へ順次移動されながら縮小投影が繰り
返され、このステップアンドリピートによってウエハ６
の全面を露光していく。
【００２９】そして、ステップＳ５において、ウエハ６
の全面の露光が終了したか否かを判別し、終了していな
ければ上記の露光を繰り返し、終了していればステップ
Ｓ６においてそのウエハ６をウエハ着脱機構９によりウ
エハチャック７上からアンロード（排出）する。
の全面の露光が終了したか否かを判別し、終了していな
ければ上記の露光を繰り返し、終了していればステップ
Ｓ６においてそのウエハ６をウエハ着脱機構９によりウ
エハチャック７上からアンロード（排出）する。
【００３０】そして、同種のウエハ６のロット処理が完
了したか否かをステップＳ７において判別し、完了して
いれば一連の動作を終了し、完了していなければステッ
プＳ８に進んでウエハ着脱機構９により次のウエハ６を
ウエハチャック７上にロードし、上記の平坦度測定を開
始する。
了したか否かをステップＳ７において判別し、完了して
いれば一連の動作を終了し、完了していなければステッ
プＳ８に進んでウエハ着脱機構９により次のウエハ６を
ウエハチャック７上にロードし、上記の平坦度測定を開
始する。
【００３１】一方、前記ステップＳ２における比較判定
の結果、ウエハ６の平坦度が焦点深度よりも大きい（平
坦度＞焦点深度）と判定された場合、このウエハ６の露
光は行わず、ステップＳ９においてアラーム１３を作動
させ、ステップＳ６に進み、ウエハ着脱機構９によりウ
エハ６をウエハチャック７上からアンロードする。
の結果、ウエハ６の平坦度が焦点深度よりも大きい（平
坦度＞焦点深度）と判定された場合、このウエハ６の露
光は行わず、ステップＳ９においてアラーム１３を作動
させ、ステップＳ６に進み、ウエハ着脱機構９によりウ
エハ６をウエハチャック７上からアンロードする。
【００３２】次いで、ウエハ着脱機構９により次のウエ
ハ６をウエハチャック７上にロードし、再び上記と同様
にしてウエハ６の平坦度の測定を開始する。
ハ６をウエハチャック７上にロードし、再び上記と同様
にしてウエハ６の平坦度の測定を開始する。
【００３３】以上の動作をロット処理が完了するまで繰
り返す。
り返す。
【００３４】このように、ウエハチャック７上に保持さ
れたウエハ６の平坦度を全面にわたって測定し、この平
坦度と光学系の焦点深度とを比較してその大小を判定す
るので、ウエハ６の露光直前の状態において、焦点深度
に対する平坦度の良否を正確に把握することができる。
れたウエハ６の平坦度を全面にわたって測定し、この平
坦度と光学系の焦点深度とを比較してその大小を判定す
るので、ウエハ６の露光直前の状態において、焦点深度
に対する平坦度の良否を正確に把握することができる。
【００３５】そして、平坦度が焦点深度以内の場合にの
みウエハ６を露光し、平坦度が焦点深度よりも大きい場
合にはウエハ６を露光しないので、ウエハ６上の局部的
なデフォーカスに起因する解像不良部分の発生を未然に
防止することができる。
みウエハ６を露光し、平坦度が焦点深度よりも大きい場
合にはウエハ６を露光しないので、ウエハ６上の局部的
なデフォーカスに起因する解像不良部分の発生を未然に
防止することができる。
【００３６】また、平坦度が焦点深度よりも大きい場合
にはウエハ６をアンロードして次のウエハ６をロードす
るので、平坦度の比較判定に続く一連の露光動作及びウ
エハ６の着脱を自動的に行うことができる。
にはウエハ６をアンロードして次のウエハ６をロードす
るので、平坦度の比較判定に続く一連の露光動作及びウ
エハ６の着脱を自動的に行うことができる。
【００３７】さらに、平坦度が焦点深度よりも大きい場
合にアラーム１３を作動させることによって、平坦度の
異常が直ちに警告されるので、これに基づいてアンロー
ドされたウエハ６の検査や洗浄等を行えばよい。特に、
ウエハ６を交換してもアラーム１３の作動が続くような
場合、ウエハチャック７の異常が予想されるので、この
ウエハチャック７の検査や洗浄等を行う。
合にアラーム１３を作動させることによって、平坦度の
異常が直ちに警告されるので、これに基づいてアンロー
ドされたウエハ６の検査や洗浄等を行えばよい。特に、
ウエハ６を交換してもアラーム１３の作動が続くような
場合、ウエハチャック７の異常が予想されるので、この
ウエハチャック７の検査や洗浄等を行う。
【００３８】なお、本実施例のように、ギャップセンサ
１０によりウエハ６の平坦度を全面にわたって測定する
際、ＸＹステージ８の移動を利用すると、ギャップセン
サ１０の移動機構が不要で構造を簡単にすることができ
る。さらに、測定したウエハ６の平坦度の値を記憶部１
１に記憶させる際、ウエハ６上の測定位置と平坦度の値
とを対応させるようにすると、局部的な平坦度の異常箇
所を簡単に判別することができる。
１０によりウエハ６の平坦度を全面にわたって測定する
際、ＸＹステージ８の移動を利用すると、ギャップセン
サ１０の移動機構が不要で構造を簡単にすることができ
る。さらに、測定したウエハ６の平坦度の値を記憶部１
１に記憶させる際、ウエハ６上の測定位置と平坦度の値
とを対応させるようにすると、局部的な平坦度の異常箇
所を簡単に判別することができる。
【００３９】以上、本発明の一実施例に付き説明した
が、本発明は上記実施例に限定されることなく、本発明
の技術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応用が
可能である。例えば、実施例では平坦度の比較判定結果
に基づいて露光及びウエハ着脱を連続的に制御するよう
にしたが、その露光またはウエハ着脱は手動操作によっ
て行ってもよい。なお、実施例ではウエハの縮小投影露
光方法及び装置について述べたが、本発明は各種の半導
体基板に各種のパターンを露光する各種の露光方法及び
装置に適用可能である。
が、本発明は上記実施例に限定されることなく、本発明
の技術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応用が
可能である。例えば、実施例では平坦度の比較判定結果
に基づいて露光及びウエハ着脱を連続的に制御するよう
にしたが、その露光またはウエハ着脱は手動操作によっ
て行ってもよい。なお、実施例ではウエハの縮小投影露
光方法及び装置について述べたが、本発明は各種の半導
体基板に各種のパターンを露光する各種の露光方法及び
装置に適用可能である。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体基板の露光直前の状態において、その半導体基板
の平坦度を測定してこの平坦度と光学系の焦点深度との
大小を比較判定することによって、焦点深度に対する平
坦度の良否を正確に管理することができる。従って、半
導体基板上の局部的なデフォーカスに起因する解像不良
部分の発生を未然に防止することができ、品質上の信頼
性の大幅な向上並びに歩留りの著しい向上を図ることが
できる。そして、解像不良部分が発生する無駄な露光そ
のものを行わないので、結果的に、再生率低減による露
光装置の処理能力の大幅な向上及び作業時間の著しい短
縮化を図ることができる。
半導体基板の露光直前の状態において、その半導体基板
の平坦度を測定してこの平坦度と光学系の焦点深度との
大小を比較判定することによって、焦点深度に対する平
坦度の良否を正確に管理することができる。従って、半
導体基板上の局部的なデフォーカスに起因する解像不良
部分の発生を未然に防止することができ、品質上の信頼
性の大幅な向上並びに歩留りの著しい向上を図ることが
できる。そして、解像不良部分が発生する無駄な露光そ
のものを行わないので、結果的に、再生率低減による露
光装置の処理能力の大幅な向上及び作業時間の著しい短
縮化を図ることができる。
【図１】本発明をウエハの縮小投影露光方法及び縮小投
影露光装置に適用した一実施例における装置の概略構成
図である。
影露光装置に適用した一実施例における装置の概略構成
図である。
【図２】上記実施例における一連の動作を説明するため
のフローチャートである。
のフローチャートである。
１ 光源 ２ 照明レンズ群 ３ レチクル ４ レチクルマウント ５ 縮小投影レンズ群 ６ ウエハ ７ ウエハチャック ８ ＸＹステージ ９ ウエハ着脱機構 １０ ギャップセンサ １１ 記憶部 １２ ＣＰＵ １３ アラーム １４ 異物
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体基板を保持部材上に保持して光学
系により前記半導体基板を露光するようにした半導体基
板の露光方法において、 前記保持部材上に保持された前記半導体基板の平坦度を
全面にわたって測定し、この測定した平坦度と予め設定
した前記光学系の焦点深度とを比較してその大小を判定
し、前記平坦度が前記焦点深度以内の場合にのみ前記半
導体基板を露光することを特徴とする半導体基板の露光
方法。 - 【請求項２】 前記平坦度が前記焦点深度よりも大きい
場合には前記半導体基板を排出して次の半導体基板を装
着することを特徴とする請求項１記載の半導体基板の露
光方法。 - 【請求項３】 半導体基板を保持部材上に保持して光学
系により前記半導体基板を露光するようにした半導体基
板の露光装置において、 前記保持部材上に保持された前記半導体基板の平坦度を
全面にわたって測定する測定手段と、この測定された平
坦度と予め設定された前記光学系の焦点深度とを比較し
てその大小を判定する比較判定手段とを備えたことを特
徴とする半導体基板の露光装置。 - 【請求項４】 前記比較判定手段により前記平坦度が前
記焦点深度以内と判定された場合にのみ装置本体の露光
手段を作動させて前記半導体基板を露光するように構成
したことを特徴とする請求項３記載の半導体基板の露光
装置。 - 【請求項５】 前記比較判定手段により前記平坦度が前
記焦点深度以内と判定された場合には前記半導体基板の
露光後に基板着脱手段を作動させてその半導体基板を排
出し、前記比較判定手段により前記平坦度が前記焦点深
度よりも大きいと判定された場合には基板着脱手段を作
動させて前記半導体基板を排出して次の半導体基板を装
着するように構成したことを特徴とする請求項３または
４記載の半導体基板の露光装置。 - 【請求項６】 前記比較判定手段により前記平坦度が前
記焦点深度よりも大きいと判定された場合にアラームを
作動させるように構成したことを特徴とする請求項３、
４または５記載の半導体基板の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4283702A JPH06112105A (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 半導体基板の露光方法及び露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4283702A JPH06112105A (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 半導体基板の露光方法及び露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112105A true JPH06112105A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17668976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4283702A Withdrawn JPH06112105A (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 半導体基板の露光方法及び露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06112105A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002313706A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Nikon Corp | 露光装置および制御プログラム |
| CN1332269C (zh) * | 2003-05-09 | 2007-08-15 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置，器件制造方法，以及由此制造的器件 |
| US10289009B2 (en) | 2015-07-03 | 2019-05-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, control method and computer program product |
-
1992
- 1992-09-29 JP JP4283702A patent/JPH06112105A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002313706A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Nikon Corp | 露光装置および制御プログラム |
| CN1332269C (zh) * | 2003-05-09 | 2007-08-15 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置，器件制造方法，以及由此制造的器件 |
| US10289009B2 (en) | 2015-07-03 | 2019-05-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, control method and computer program product |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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