JP2002350731A - 欠陥観察方法及び欠陥観察装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 １００ｎｍ程度の微細な欠陥を高倍率観察モ
ードにおいて簡単な作業で観察できる欠陥観察方法を提
供する。 【解決手段】 欠陥検査すべき基板の表面を光ビームで
走査し、欠陥及びそのアドレス座標を検出する。観察さ
れた欠陥及びそのアドレス座標を用い、欠陥を光学的に
観察する。この光学観察で高倍率モードでの観察が必要
であると判断した場合、欠陥の位置を指示するマーク
を、基板の欠陥の付近に機械的手段を用いて凹部として
形成する。観察において欠陥の位置を示すアラインメン
トマークとしての機能を果たす。次低倍率観察モード及
び高倍率観察モードを有する顕微鏡装置を用い、低倍率
観察モードで前記欠陥を指示するマークを検出し、さら
に高倍率観察モードにおいて、検出したマークを用いて
観察すべき欠陥を視野内に位置させ、微細欠陥を高倍率
観察モードで観察する工程とを具える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハやマスク
ブランクス等の基板の表面領域に存在する微細欠陥を観
察する欠陥観察方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩの製造の歩留りや信頼性を向上さ
せるためには、半導体ウェハの欠陥検査が極めて重要で
ある。現在、ＬＳＩの微細化に伴い、半導体ウェハにつ
いて１００ｎｍ程度の微細な欠陥を検出できることが要
求されている。この半導体ウェハの欠陥検査方法とし
て、半導体ウェハの表面をレーザビームにより走査し、
ウェハ表面で散乱した散乱光を受光して欠陥検出を行う
レーザ散乱光方式が実用化されている。また、別の欠陥
検出方法として、欠陥検査すべきウェハの表面をマルチ
レーザビームにより走査し、ウェハ表面からの反射光を
リニアイメージセンサで受光するマルチビーム欠陥検出
方法も実用化されている。特に、マルチビーム方式の欠
陥検査方法はコンフォーカル光学系を利用しているた
め、レーザ散乱光方式に比べて一層高い分解能が得ら
れ、５０ｎｍ程度の微細な欠陥も高精度に検出してい
る。

【０００３】上述した欠陥検出方法においては、欠陥の
存在が検出されると共に同時に欠陥のアドレス座標も検
出され、求めたアドレスを利用して欠陥のリビューすな
わち欠陥についての光学的観察が行われ、欠陥の解析に
利用されている。

【０００４】一方、欠陥の発生要因を解析するために
は、検出された欠陥を高倍率で観察する必要がある。例
えば、１００ｎｍ程度のサイズを欠陥を観察するために
は、１００００倍程度の高倍率で観察しなければなら
ず、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）や原子間力顕微鏡（Ａ
ＦＭ）等を用いて観察する必要がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ＳＥＭやＡＦＭ等を用
いて高倍率で欠陥を観察する際、顕微鏡の視野内に欠陥
を捕らえることが極めて重要である。しかしながら、半
導体ウェハやマスクブランクスに形成されている座標の
原点は誤差が大きいため、検出された欠陥を欠陥検査工
程において得られた座標系を用いて顕微鏡の視野内に位
置させるのは極めて困難な作業となってしまう。特に、
高倍率観察を行うには、欠陥検査工程で用いた光学系と
は異なる別の観察装置を用いる必要があるため、欠陥観
察する基板を検査装置から一旦取り外し、別の観察装置
であるＳＥＭやＡＦＭに装着しなければならず、欠陥検
査の際に求められたアドレス座標を用いても、装着誤差
が生じてしまう。さらに、欠陥の検出と同時に求めた欠
陥のアドレス座標を用いても、低倍率で欠陥を視野内に
位置させようとすると欠陥を見落とすおそれがある。一
方、高倍率で視野内に位置させようとすると、サーチす
べき視野が広過ぎてしまい、欠陥を視野に位置させるの
に長時間かかってしまう。

【０００６】従って、本発明の目的は、ＳＥＭやＡＦＭ
等を用いる高倍率の観察モードにおいて、欠陥検出工程
で検出した欠陥を簡単な作業で視野内に位置させること
ができ、微細欠陥を高倍率で観察できる欠陥観察方法欠
陥観察装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決する手段】本発明による欠陥観察方法は、
基板の表面領域に存在する欠陥を観察するに際し、検査
すべき基板の表面を走査して欠陥を検出する工程と、検
出された欠陥の位置を指示するために欠陥の近傍にマー
キングを行う工程とを具えることを特徴とする。このよ
うに、検出した欠陥に対し、その近傍にマーキングを施
しておくことにより、欠陥の再観察するとき或いは走査
型顕微鏡や原子間力顕微鏡のような別の観察装置を用い
て欠陥を観察する場合に観察すべき欠陥を容易に見つけ
出すことができる。

【０００８】本発明による欠陥観察方法は、基板の表面
領域に存在する欠陥を観察するに際し、検査すべき基板
の表面を光ビームにより走査して欠陥を検出する第１の
観察工程と、検出された欠陥の位置を指示するために欠
陥の近傍にマーキングを行うマーキング工程と、当該マ
ーキングを目印として、検出された欠陥を第１の観察工
程の倍率よりも高い倍率で観察する第２の観察工程とを
具えることを特徴とする。微細欠陥を詳しく観察する場
合、光学系の異なる別の装置等でさらに高倍率で観察す
ることが重要であり、このような場合、欠陥近傍にマー
キングを施しておくと、初めに微細欠陥を検出した第１
の観察工程よりも高倍率で再観察する第２の観察工程に
おいてもマーキングを目印に欠陥の位置を容易に見つけ
出すことができ、欠陥の見落としの防止や観察時間の短
縮を図ることができる。

【０００９】さらに、第２の観察工程は、マーキングを
見つけ出す低倍率の観察モードと、欠陥を観察するため
の高倍率観察モードとを含むことができる。このよう
に、低倍率でマーキングを見つけ出せば一層容易に欠陥
の位置を特定することができる。

【００１０】さらに、本発明による欠陥観察方法は、基
板の表面領域に存在する欠陥を観察するに際し、欠陥検
査すべき基板の表面を光ビームで走査して、欠陥及びそ
のアドレス座標を検出する工程と、検出された欠陥及び
そのアドレス座標を用いて、検出した欠陥を光学的に観
察する工程と、欠陥の位置を指示するマークを、基板の
欠陥の付近に機械的手段を用いて凹部として形成するマ
ーキング工程と、低倍率観察モード及び高倍率観察モー
ドを有する顕微鏡装置を用い、低倍率観察モードで前記
欠陥を指示するマークを検出し、次に高倍率観察モード
において、検出したマークを用いて観察すべき欠陥を視
野内に位置させ、微細欠陥を高倍率観察モードで観察す
る工程とを具えることを特徴とする。５０ｎｍ程度の微
細な欠陥の画像を光学的に撮像することは技術的に困難
である。しかし、検査すべき基板を光ビームにより光学
的に走査すると、微細な欠陥により光ビームが散乱又は
回折し正規の光路から外れるため、基板からの正反射光
を受光することにより微細な欠陥の存在を検出すること
が可能である。一方、検出した欠陥の発生原因や性状等
を把握するためには検出した欠陥の画像を高倍率で観察
する必要がある。そこで、本発明では、光ビーム走査に
より欠陥の存在及びそのアドレス座標を検出し、その
後、同一の光学装置を用いて欠陥を観察する。そして、
この欠陥観察により高倍率観察の要否を判断する。一
方、半導体ウェハやマスクブランクス等の基板について
欠陥検査を行う装置と検出された欠陥を１０，０００倍
程度の高倍率で観察する顕微鏡装置とは別体の装置であ
るため、欠陥検査で求められた欠陥のアドレスを用いて
も１００ｎｍ程度の欠陥を１０，０００倍程度の高倍率
顕微鏡の視野内に位置させることは極めて困難である。
そこで、本発明では、欠陥検査を行った後、光学的に欠
陥を観察して高倍率モードでの観察を要否を判断する。
高倍率観察が必要な場合、基板の欠陥の付近に機械的な
マークをマーキングする。そして、低倍率モードでマー
ク検出を行い、微細な欠陥を観察視野内に位置させる。
これにより、ＳＥＭやＡＦＭによる１００００倍程度の
高倍率観察においても容易に欠陥を視野内に位置させる
ことができる。この結果、高倍率で観察した欠陥情報を
容易に得ることができ、微細欠陥の発生要因を容易に解
析することができる。

【００１１】本発明による欠陥観察方法の好適実施例
は、欠陥検出工程及び欠陥を光学的に観察する工程にお
いて、コンフォーカル光学系を有する同一の光学装置を
用いて欠陥検出及び欠陥観察をそれぞれ行うことを特徴
とする。コンフォーカル光学系は高い分解能で欠陥を検
出することができる。同時に、検出した欠陥を同一のコ
ンフォーカル光学系を用いて光学的にレビューすれば、
観察すべき基板を同一の光学系に装着した状態で光学観
察することができ、微細な欠陥を容易に視野内に位置さ
せることができ、光学的レービューの作業性も向上す
る。この結果、高倍率観察の要否の判断も容易になる。

【００１２】

【発明の実施の形態】図１は本発明による欠陥観察方法
を実施するための光学装置の一例の構成を示す線図であ
る。本例では、コンフォーカル光学系を有する顕微鏡装
置を用いて欠陥検出及び欠陥の光学観察を行う。レーザ
光源１０から発生したレーザビームを回折格子１１に入
射させ、紙面内の第１の方向に整列した複数の光ビーム
に変換する。これら光ビームは第１及び第２のリレーレ
ンズ１２及び１３を経て偏光ビームスプリッタ１４に入
射し、この偏光ビームスプリッタを透過してガルバノミ
ラー１５に入射する。ガルバノミラー１５は入射した複
数の光ビームを第１の方向と直交する第２の方向（紙面
と直交する方向）に所定の周波数で周期的に偏向する。
ガルバノミラー１５で反射した複数の光ビームは第３及
び第４のリレーレンズ１６及び１７並びに１／４波長板
１８を経て対物レンズ１９に入射する。この対物レンズ
１９は、入射した複数の光ビームを微小スポット状に集
束して観察すべき基板試料２０に投射する。従って、基
板２０には複数の微小な光スポットが第１の方向と対応
する方向に沿ってライン状に形成される。これら光スポ
ットはガルバノミラー１５により光スポット列の方向と
直交する方向に第２の方向にされるので、試料２０は複
数の光ビームにより走査され、従って２次元的に走査さ
れることになる。本例では、欠陥検出及び欠陥観察すべ
き基板としてパターンが形成されていない半導体ウェハ
を用いることにする。

【００１３】基板２０はｘｙ駆動機構を有するステージ
２１上に載置する。基板上の各光スポットからの反射光
は対物レンズ１９により集光され、１／４波長板１８、
リレーレンズ１７及び１６を経てカルバノミラー１５に
入射する。そして、ガルバノミラー１５によりデスキャ
ンされ、偏光ビームスプリッタ１４に入射する。これら
反射ビームは１／４波長板１８を２回通過しているの
で、その偏光面は９０°回転している。この結果、基板
からの反射ビームは偏光ビームスプリッタ１４の偏光面
で反射し、レーザ光源からの照明光から分離される。偏
光ビームスプリッタで反射した光ビームは第５のリレー
レンズを２２を経てリニァイメージセンサ２３に入射す
る。リニァイメージセンサ２３は、基板２０上に形成さ
れた光スポット列の方向と対応する方向に沿ってライン
状に配列した複数の受光素子を有する。従って、基板か
らの反射ビームはリニァイメージセンサ２３の各受光素
子にそれぞれ入射する。尚、いずれかのリレーレンズを
ズームレンズで構成することにより、反射ビームの間隔
が調整され、各反射ビームを対応する受光素子にそれぞ
れ入射させることができる。各受光素子の光入射面は、
枠により規制されているから、微小なアパーチャにより
規制されるているのと等価である。従って、微小な点光
源からの光ビームが開口に規制された受光素子に入射す
ることになり、コンフォーカル光学系を構成することが
できる。この結果、フレァが除去され、高い分解能の光
学系が構成される。

【００１４】基板２０上の各光スポットからの反射光
は、ガルバノミラー１５によりデスキャンされているの
で、基板上の各光スポットから反射ビームはリニァイメ
ージセンサ２３の各受光素子にそれぞれ入射し、静止し
た状態に維持される。従って、リニァイメージセンサ２
３を所定の読出周波数で読み出すことにより、リニァイ
メージセンサ２３から基板の２次元画像の映像信号が出
力される。尚、ステージ２１を第１の方向すなわち光ス
ポット列の方向に移動することにより、基板の全体像を
撮像することができる。

【００１５】次に、このレーザ顕微鏡の駆動制御につい
て説明する。顕微鏡の駆動制御は同期信号発生回路３０
から供給される同期信号により行う。同期信号発生回路
３０からステージ駆動回路３１に同期信号を供給してス
テージ２１を第２の方向（紙面と直交する方向）に移動
させる。さらに、同期信号発生回路からガルバノミラー
駆動回路３２に同期信号を供給してガルバノミラー１５
の駆動を制御する。ＣＣＤドライバ３３にも同期信号を
供給してリニァイメージセンサ２３の各受光素子に蓄積
された電荷を１ライン毎に読み出し、読み出した出力信
号を順次画像増幅器（図示せず）に供給して映像信号を
発生させる。

【００１６】次に、欠陥検出について説明する。リニァ
イメージセンサ２３の各受光素子には検査すべき基板の
表面領域で反射した正反射光だけが入射するので、基板
の表面領域に微細な欠陥が存在する場合入射した検査光
は欠陥により散乱又は回折し、正規の光路から外れ受光
素子に入射しない。従って、当該欠陥部分を走査した時
点の受光素子からの出力信号強度は正常な表面領域を走
査した時点の出力信号強度よりも低下することになる。
この結果、光ビームで基板を光学的に走査した場合、５
０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の微細な欠陥の画像を撮像する
ことはできないが、受光素子の出力信号強度変化を用い
て微細な欠陥の存在を光学的に検出することが可能にな
る。この場合、走査する光ビームのスポット径よりもは
るかに小さい欠陥であっても、光スポット中に５０ｎｍ
程度の欠陥が存在すると、微細欠陥による散乱又は回折
により受光素子の信号強度は識別できる程度に変化する
ので、受光素子の出力信号強度を基準値と比較すること
により微細欠陥の存在を明確に検出することが可能であ
る。従って、リニァイメージセンサ２３からの出力信号
を映像信号として出力し、欠陥検出回路３３からの出力
信号を欠陥検出信号として出力することにより、図１に
示す装置は顕微鏡及び欠陥検出装置の両方の機能を達成
することができる。

【００１７】リニァイメージセンサ２３の各受光素子か
らの出力信号を欠陥検出回路３３に供給する。この欠陥
検出回路３３は、隣接する受光素子からの出力信号を比
較する比較回路を有し、比較回路の出力が閾値を超えた
場合欠陥と判定する。或いは、比較回路において各受光
素子からの出力信号強度を所定の閾値と比較し、各受光
素子からの出力信号強度が閾値以下になった場合欠陥が
存在すると判定する。このように構成することにより、
光学的に撮像できない程度の微細な欠陥であってもその
存在を明瞭に検出することができる。

【００１８】次に、本発明による欠陥観察方法について
説明する。図２は本発明による欠陥観察方法のアルゴリ
ズムの一例を示すフローチャート図である。初めに、図
１に示す顕微鏡としても動作する欠陥検査装置（手段）
を用い、半導体ウェハのほぼ全面にわたって欠陥検査を
行う。この欠陥検査において、欠陥及びそのアドレス座
標を検出し、欠陥の存在及びそのアドレス座標をメモリ
装置に記憶する。

【００１９】欠陥検査が終了した後、本発明による欠陥
検査装置及び顕微鏡装置の両方の機能を具える同一の光
学装置を用いて欠陥を光学的に観察する（第１の観察工
程）。この観察倍率は例えば１０００倍とすることがで
きる。この際、欠陥と共に求めたアドレス座標を用いて
欠陥を顕微鏡の視野内に位置させる。このように比較的
高い倍率で欠陥を光学的に観察する場合であっても、本
例では、欠陥検査工程で用いた光学系と同一の光学系を
用いて欠陥を観察するため、１００ｎｍ程度の大きさの
欠陥を比較的簡単な作業で視野内に位置させることがで
きる。また、コンフォーカル光学系を用いて観察するた
め、欠陥自体を比較的鮮明に観察することができる。こ
の光学観察により、欠陥の発生要因や性質、サイズ等を
把握することができる場合、この時点で観察を終了する
ことができる。一方、光学観察だけでは、検出された欠
陥の性質、形状及びサイズ等を十分に把握できない場
合、さらに高倍率での観察を行う。従って、この光学観
察工程は、ＳＥＭやＡＦＭ等による高倍率観察の必要の
要否を判断する意義を有する。

【００２０】高倍率観察が必要であると判断した場合、
欠陥の付近に欠陥の位置を表すマークを形成するマーキ
ング処理（マーキング工程）を行う。図３はマーキング
装置（マーキング手段）の構成を示す線図である。観察
すべき基板２０に対して、観察光学系と共にマーキング
装置を配置する。このマーキング装置は、レバー４０を
有し、その一端側に偏心カム４１を連結し、他端にダイ
ヤモンドチィップ４２を装着する。このダイヤモンドチ
ィップとして、ダイヤモンドの（１１１）面で構成され
るファセットを用いことができる。このファセットを用
いることにより、特徴的な四角の凹状のマークを基板に
形成することができる。尚、偏心のカム４１はモータに
連結し、その回転駆動を利用してダイヤモンドチィップ
を上下動させ、基板２０の表面に四角の凹部をマークと
して形成する。尚、図４に基板表面に形成したアライン
メントマークの一例を示す。図４において、黒丸は欠陥
検出装置により検出された欠陥を示し、欠陥の周囲の四
角形の表示はダイアモンドのファセットにより基板に形
成した凹状のマークを示す。この凹状のマークは、例え
ば検出した欠陥の位置から２０μｍ離れた位置に一辺が
５μｍの四角形のマークとして形成することができる。
従って、電子顕微鏡による高倍率観察を行う際、凹状の
マークを目印として検出した欠陥を電子顕微鏡の視野内
に位置させることができる。

【００２１】一方、マーキング方法として、機械的マー
キング方法以外の方法としてレーザアブレーションによ
るマーキング方法も考えられる。しかし、レーザアブレ
ーションの場合、デブリ等の飛散物が欠陥の周囲に付着
するため、新たな別の欠陥を発生することなる。一方、
機械的マーキング手段を用いて基板に凹部を形成する場
合、デブリが発生せず好ましいマーキングを実行するこ
とができる。

【００２２】次に、例えば、ＳＥＭやＡＦＭ等のような
低倍率観察モード及び高倍率観察モードを有する顕微鏡
装置に基板を装着する。初めに、例えば１００倍率程度
の低倍率モードで基板に形成したマークを検出する。例
えばＳＥＭで観察する場合、低倍率でのマーク検出は比
較的高速で行うことができる。また、ＡＦＭで観察する
場合、付随的に設けられている低倍率用の光学顕微鏡を
用いてマーク検出を行うことができる。このマーク検出
により、簡単な作業で短時間で欠陥を顕微鏡の視野内に
位置させることができる。

【００２３】次に、高倍率モードで欠陥について観察す
る。この高倍率モードとして、例えば倍率を２００００
倍に設定することができる。そして、この高倍率観察モ
ードにより、欠陥のサイズ、形状等を確認することがで
き、欠陥の発生要因に関する重要な情報を得ることがで
きる（第２観察工程）。この高倍率モードの欠陥観察装
置（高倍率で観察する手段）として、走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、透過電子顕微
鏡（ＴＥＭ）、２次イオン質量分析装置（ＳＩＭＳ）、
オージェ電子分光分析装置（ＡＥＳ）又はラマン分光分
析装置を用いることができる。これらの観察装置は、基
板の表面だけでなく、表面から若干内部に位置する基板
の表面領域に形成された欠陥に関する情報も検出するこ
とができる利点がある。

【００２４】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、検
査すべき基板を光ビームで走査して欠陥を検出し、検出
した欠陥のアドレス座標を用いて欠陥の近傍にマーキン
グを形成しているので、基板に形成したマーキングを目
標に欠陥の位置を高倍率顕微鏡装置の視野内に容易に位
置させることができ、５０ｎｍ程度の微細な欠陥であっ
ても電子顕微鏡や原子間顕微鏡装置等の高倍率顕微鏡に
より容易に観察することができる。特に、基板が半導体
ウェハの場合、欠陥をサーチする際の目標となるものが
存在しないため、検出した微小欠陥を１００００倍程度
の高倍率で観察するのに有益である。また、機械的手段
を用いてマーキングを行っているので、デブリ等の飛散
物を発生させることなくマーキングを行うことができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明による欠陥観察方法を実施するための
顕微鏡装置の構成を示す線図である。

【図２】 本発明による欠陥観察方法のアルゴリズムを
示す図である。

【図３】 マーキング装置の一例の構成を示す線図であ
る。

【図４】 検出された欠陥とマーキングされたマークと
の関係を示す線図である。

【符号の説明】

１０ レーザ光源 １１ 回折格子 １５ ガルバノミラー ２０ 基板 ２３ リニァイメージセンサ ３０ 同期信号発生回路 ３３ 欠陥検出回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 1/08 Ｇ０３Ｆ 1/08 Ｓ (72)発明者 粟村 直樹 神奈川県横浜市港北区綱島東４丁目10番４ 号 レーザーテック株式会社内 (72)発明者 小林 武史 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地 信越半導体株式会社半導体白河 研究所内 Ｆターム(参考） 2G001 AA03 BA07 BA09 BA11 CA03 GA01 GA06 HA09 HA13 KA03 LA11 RA01 RA20 2G051 AA51 AB07 AC02 BA10 BC05 CA03 CB05 DA15 2H052 AE11 AF02 2H095 BA01 BD04 BD11 BD21

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の表面領域に存在する欠陥を観察す
   るに際し、 検査すべき基板の表面を光ビームにより走査して欠陥を
   検出する第１の観察工程と、 検出された欠陥の位置を指示するために欠陥の近傍にマ
   ーキングを行うマーキング工程と、 当該マーキングを目印として、検出された欠陥を第１の
   観察工程の倍率よりも高い倍率で観察する第２の観察工
   程とを具えることを特徴とする欠陥観察方法。
2. 【請求項２】 前記第２の観察工程が、前記マーキング
   を低倍率で検出する低倍率観察モードと、前記第１の観
   察工程で検出された欠陥を高倍率で観察する高倍率観察
   モードとを含むことを特徴とする請求項１に記載の欠陥
   観察方法。
3. 【請求項３】 基板の表面領域に存在する欠陥を観察す
   るに際し、 欠陥検査すべき基板の表面を光ビームで走査して、欠陥
   及びそのアドレス座標を検出する工程と、 検出された欠陥及びそのアドレス座標を用いて、検出し
   た欠陥を光学的に観察する工程と、 欠陥の位置を指示するマークを、基板の欠陥の付近に機
   械的手段を用いて凹部として形成するマーキング工程
   と、 低倍率観察モード及び高倍率観察モードを有する顕微鏡
   装置を用い、低倍率観察モードで前記欠陥を指示するマ
   ークを検出し、次に高倍率観察モードにおいて、検出し
   たマークを用いて観察すべき欠陥を視野内に位置させ、
   欠陥を高倍率観察モードで観察する工程とを具えること
   を特徴とする欠陥観察方法。
4. 【請求項４】 前記欠陥検出工程及び欠陥を光学的に観
   察する工程において、コンフォーカル光学系を有する同
   一の光学装置を用いて欠陥検出及び欠陥観察をそれぞれ
   行うことを特徴とする請求項３に記載の欠陥観察方法。
5. 【請求項５】 前記マーキング工程において、ダイアモ
   ンドで構成した鋭利な先端を有するチィップを用いて基
   板にマーキングすることを特徴とする請求項１から４ま
   でのいずれか１項に記載に欠陥観察方法。
6. 【請求項６】 前記マーキング工程において、ダイヤモ
   ンドの（１１１）面で構成したフォーセットを用いて基
   板にマークを形成することを特徴とする請求項５に記載
   の欠陥観察方法。
7. 【請求項７】 前記高倍率モードによる欠陥観察を、走
   査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、原子間力顕微鏡（ＡＦ
   Ｍ）、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）、２次イオン質量分析
   装置（ＳＩＭＳ）、オージェ電子分光分析装置（ＡＥ
   Ｓ）又はラマン分光分析装置を用いて行うことを特徴と
   する請求項２から６までのいずれか１項に記載の欠陥観
   察方法。
8. 【請求項８】 基板の表面領域に存在する欠陥を観察す
   る装置であって、 欠陥を観察するための欠陥検出手段と、 欠陥検出手段により検出された欠陥の近傍に欠陥の位置
   を指示するマークを形成するマーキング手段とを具え、 前記マーキング手段として機械的手段を用い、前記欠陥
   検出手段により検出された欠陥の近傍に凹部を形成する
   ことを特徴とする欠陥観察装置。
9. 【請求項９】 基板の表面領域に存在する欠陥を観察す
   る装置であって、 欠陥を観察するための欠陥検出手段と、 欠陥検出手段により検出された欠陥の近傍に欠陥の位置
   を指示するマークを形成する機械的マーキング手段であ
   って、前記欠陥検出手段により検出された欠陥の近傍に
   凹部を形成するマーキング手段と、 形成されたマークを目印として、検出された欠陥を高倍
   率で観察する観察手段とを具えることを特徴とする欠陥
   観察装置。
10. 【請求項１０】 前記欠陥を検出する欠陥検出手段が、
    コンフォーカル光学系を有する欠陥検出装置としたこと
    を特徴とする請求項８又は９に記載の欠陥観察装置。
11. 【請求項１１】 前記欠陥を観察するための欠陥検出手
    段が、 基板の全面を走査して欠陥を検出する欠陥検出装置と、 検出した欠陥のアドレス座標を記憶する記憶装置と、 当該記憶装置に記憶されたアドレス座標より任意の欠陥
    を選別し、選別された欠陥を観察し、座標のズレを補正
    する座標補正手段とを具えることを特徴とする請求項８
    から１０までのいずれか１項に記載の欠陥観察装置。
12. 【請求項１２】 前記高倍率で欠陥を観察する観察手段
    を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、原子間力顕微鏡（Ａ
    ＦＭ）、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）、２次イオン質量分
    析装置（ＳＩＭＳ）、オージェ電子分光分析装置（ＡＥ
    Ｓ）又はラマン分光分析装置としたことを特徴とする請
    求項９から１１までのいずれか１項に記載の欠陥観察装
    置。