JPH0828317B2 - 直接基板結合方法 - Google Patents
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- JPH0828317B2 JPH0828317B2 JP4508453A JP50845392A JPH0828317B2 JP H0828317 B2 JPH0828317 B2 JP H0828317B2 JP 4508453 A JP4508453 A JP 4508453A JP 50845392 A JP50845392 A JP 50845392A JP H0828317 B2 JPH0828317 B2 JP H0828317B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
- H01L21/187—Joining of semiconductor bodies for junction formation by direct bonding
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- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、少なくとも１つが、例えばシリコンのよう
な半導体材料から構成される２つのウェハ板の間の中実
な（solid）表面結合を生成する方法に関する。
な半導体材料から構成される２つのウェハ板の間の中実
な（solid）表面結合を生成する方法に関する。
従来の技術 微細構造技術では、複合微細システム、例えばセン
サ、微細電子回路を含むアクチュエータの作製の際に、
製造上の理由から、同一又は異なる材料の別々に作製し
加工したウェハ板の表面を介して複合微細システムに永
久的に接合させるのが有利である。
サ、微細電子回路を含むアクチュエータの作製の際に、
製造上の理由から、同一又は異なる材料の別々に作製し
加工したウェハ板の表面を介して複合微細システムに永
久的に接合させるのが有利である。
例えばエピタクチッププロセスを用いる層の配列の作
製では、一部非常に複雑で高価なエピタキシー機構は高
い投資コストを必要とするという欠点が顕著にある。こ
れに対して、接合技術を使用する半導体層配列の作製
は、比較的高価ではない代替手段である。
製では、一部非常に複雑で高価なエピタキシー機構は高
い投資コストを必要とするという欠点が顕著にある。こ
れに対して、接合技術を使用する半導体層配列の作製
は、比較的高価ではない代替手段である。
しかしながら、ウェハ板の接合に関する従来技術は、
相当多数の異なる不利な点を有している。
相当多数の異なる不利な点を有している。
直接基板結合方法の技術の現状では、700℃〜1100℃
の範囲の温度が加熱（tempering）手順の際に必要であ
る。すなわち、このような高い温度によってのみ、更な
る加工手順について十分な接着力を有する永久的な接着
ウェハ板が生成される。
の範囲の温度が加熱（tempering）手順の際に必要であ
る。すなわち、このような高い温度によってのみ、更な
る加工手順について十分な接着力を有する永久的な接着
ウェハ板が生成される。
これに関連して、例えばEP−Ａ−0136050号が参照さ
れるが、ここでは「接着」シリコンウェハは600℃より
高い温度になるまで必要な接着力を達成しないことが明
示されている。
れるが、ここでは「接着」シリコンウェハは600℃より
高い温度になるまで必要な接着力を達成しないことが明
示されている。
更に、米国特許第4883215号から接合技術が公知であ
るが、これはガラス素子のいわゆる「破裂」に類似して
機能するものである。この接合技術を用いる場合、シリ
コンウェハ板のみならずシリコン及び絶縁材料、例えば
ガラス又は半導体酸化物のウェハ板も接合させることが
できる。
るが、これはガラス素子のいわゆる「破裂」に類似して
機能するものである。この接合技術を用いる場合、シリ
コンウェハ板のみならずシリコン及び絶縁材料、例えば
ガラス又は半導体酸化物のウェハ板も接合させることが
できる。
この結合技術では高温での加熱手順は必要ではない
が、板の間の接着力は多くの個々の場合について十分で
はない。
が、板の間の接着力は多くの個々の場合について十分で
はない。
更に、米国特許第4962062号から、中間層によって２
つの半導体ウェハ板を接合する方法が公知である。しか
しながら、この従来技術の方法では、少なくとも１つの
表面に特別の凹部を導入することが必要であり、その後
これを介してのみ接着が与えられる。更にこの方法で
は、約500℃〜1200℃の温度での加熱手順も必要であ
る。
つの半導体ウェハ板を接合する方法が公知である。しか
しながら、この従来技術の方法では、少なくとも１つの
表面に特別の凹部を導入することが必要であり、その後
これを介してのみ接着が与えられる。更にこの方法で
は、約500℃〜1200℃の温度での加熱手順も必要であ
る。
よって、高い加工温度及びウェハ表面の特別な調製の
ため、この従来の方法では、微細電子表面構造を既に有
するウェハ板、いわゆる加工されたウェハ板の接合は困
難であるばかりとなるが、これは通常は加工された標準
的なシリコン基板を更に加工することができる最高温度
が420℃であるためである。
ため、この従来の方法では、微細電子表面構造を既に有
するウェハ板、いわゆる加工されたウェハ板の接合は困
難であるばかりとなるが、これは通常は加工された標準
的なシリコン基板を更に加工することができる最高温度
が420℃であるためである。
加熱温度としてこのように低い温度は技術の現状によ
るものであり、基板材料として又は中間層としてガラス
を使用する結合方法を適用する場合にのみ十分なもので
ある。
るものであり、基板材料として又は中間層としてガラス
を使用する結合方法を適用する場合にのみ十分なもので
ある。
いわゆる陽極結合法では、強い電場をかけることによ
ってパイレックスガラスを基板材料として300℃でシリ
コンウェハに結合させる。この場合の欠点は、基板材料
としてのパイレックスガラスに対する必要な制限であ
り、このためシリコンを使用する場合と比較して多くの
加工が妨げられる（例えば異方性エッチング、電気化学
的エッチングが停止する）。
ってパイレックスガラスを基板材料として300℃でシリ
コンウェハに結合させる。この場合の欠点は、基板材料
としてのパイレックスガラスに対する必要な制限であ
り、このためシリコンを使用する場合と比較して多くの
加工が妨げられる（例えば異方性エッチング、電気化学
的エッチングが停止する）。
更に、２つのシリコン基板を接合させるためには、中
間層としてガラス層を利用できることが知られており、
これは例えばパイレックス又は鉛ガラス層で構成するこ
とができ（厚さ約0.5〜５μｍ）、これはスパッタリン
グによって２つのウェハの１つに適用される。
間層としてガラス層を利用できることが知られており、
これは例えばパイレックス又は鉛ガラス層で構成するこ
とができ（厚さ約0.5〜５μｍ）、これはスパッタリン
グによって２つのウェハの１つに適用される。
一方、CVD法又はドーピングにより作製されたホウケ
イ酸ガラスも、被覆されていないウェハ上に約460℃で
押圧することにより、結合技術で適用される。
イ酸ガラスも、被覆されていないウェハ上に約460℃で
押圧することにより、結合技術で適用される。
この方法に伴う問題は高い加工温度並びにホウケイ酸
ガラス表面がホウ酸を沈殿させる傾向が顕著なことであ
り、これによりウェハ板の接合がしばしば不可能とな
る。
ガラス表面がホウ酸を沈殿させる傾向が顕著なことであ
り、これによりウェハ板の接合がしばしば不可能とな
る。
したがって、接合技術に基く全ゆる現状技術の結合技
術は、それぞれの個々のプロセスでウェハ材料の特定の
組合せのみを利用することができるものであり、ウェハ
板間の接着力は後続する加工手順の要請に部分的に合致
するのみであり、また加熱手順における420℃を越える
一部極めて高い温度による「予備加工」ウェハ板の接合
が不可能であるという欠点を有する。
術は、それぞれの個々のプロセスでウェハ材料の特定の
組合せのみを利用することができるものであり、ウェハ
板間の接着力は後続する加工手順の要請に部分的に合致
するのみであり、また加熱手順における420℃を越える
一部極めて高い温度による「予備加工」ウェハ板の接合
が不可能であるという欠点を有する。
一方、公知の「低温法」は通常は特定の基板材料に限
定されており、更に又複雑であり、したがって実施する
のに費用がかかる。
定されており、更に又複雑であり、したがって実施する
のに費用がかかる。
発明の説明 本発明の目的は、少なくとも１つが、例えばシリコン
のような半導体材料から構成される、特に高度に研磨さ
れた２つのウェハ板の間の中実な（solid）表面結合を
生成し、ウェハ板間のできるだけ大きな接着力を確実な
ものとし、異なるウェハ板材料の組合せを可能とする方
法を提供することである。
のような半導体材料から構成される、特に高度に研磨さ
れた２つのウェハ板の間の中実な（solid）表面結合を
生成し、ウェハ板間のできるだけ大きな接着力を確実な
ものとし、異なるウェハ板材料の組合せを可能とする方
法を提供することである。
更に、個々の方法工程は技術の現状の加工原理の手段
を適用するのに簡単で容易であるべきものとし、これに
より発明方法を低いコストで実施することができるもの
とする。
を適用するのに簡単で容易であるべきものとし、これに
より発明方法を低いコストで実施することができるもの
とする。
この発明によるこの目的の解決は、ここに請求の範囲
第１項に記載する。本発明の更なる改良は、ここに従属
する請求の範囲の主題である。
第１項に記載する。本発明の更なる改良は、ここに従属
する請求の範囲の主題である。
本発明の要素は、少なくとも１つが、例えばシリコン
のような半導体材料から構成される、特に高度に研磨さ
れた２つのウェハ板の間の中実な表面結合を生成する次
の方法工程を備える方法を提供する（請求の範囲第１
項）。すなわち、 −少なくとも１つのウェハ板の清浄な表面上に、ケイ酸
塩又はリン酸塩を含む溶剤の残余湿分を有する膜、 −その少なくとも１つの上に前記膜が塗布されたウェハ
表面の両者を接合させ、 −約420℃未満の温度で前記２つのウェハの両者を接合
状態で加熱（tempering）する。
のような半導体材料から構成される、特に高度に研磨さ
れた２つのウェハ板の間の中実な表面結合を生成する次
の方法工程を備える方法を提供する（請求の範囲第１
項）。すなわち、 −少なくとも１つのウェハ板の清浄な表面上に、ケイ酸
塩又はリン酸塩を含む溶剤の残余湿分を有する膜、 −その少なくとも１つの上に前記膜が塗布されたウェハ
表面の両者を接合させ、 −約420℃未満の温度で前記２つのウェハの両者を接合
状態で加熱（tempering）する。
このようにして生成された結合は、高い機械的強度及
び大きな機械的及び化学的耐久性の両者によって区別さ
れる。測定により、機械的接着力は250〜300kg/cm2の範
囲であることが示された。よってこのような高い接着力
により、例えば高度に複合した微細構造又はセンサ等の
作製について、ウェハ板の問題のない更なる加工が可能
となる。
び大きな機械的及び化学的耐久性の両者によって区別さ
れる。測定により、機械的接着力は250〜300kg/cm2の範
囲であることが示された。よってこのような高い接着力
により、例えば高度に複合した微細構造又はセンサ等の
作製について、ウェハ板の問題のない更なる加工が可能
となる。
例えばオーブン中で、ケイ酸塩を利用する場合は150
℃〜300℃の間の温度でも加熱工程を実施し得るのに対
し、リン酸塩を利用する場合は300℃〜400℃の間の温度
で加熱工程を実施する（請求の範囲第５項）。
℃〜300℃の間の温度でも加熱工程を実施し得るのに対
し、リン酸塩を利用する場合は300℃〜400℃の間の温度
で加熱工程を実施する（請求の範囲第５項）。
加熱手順により中間層が定置する。放出された水は、
例えばシリコンウェハのシリコン又は酸化シリコン表面
により吸収され化学的に結合され得る。しかしながら、
この手順は薄い層（≦100nm、請求の範囲第４項参照）
でのみ信頼性よく機能し、そうでない場合は過大な水分
含量又は溶剤含量により泡の形成に至り得る。
例えばシリコンウェハのシリコン又は酸化シリコン表面
により吸収され化学的に結合され得る。しかしながら、
この手順は薄い層（≦100nm、請求の範囲第４項参照）
でのみ信頼性よく機能し、そうでない場合は過大な水分
含量又は溶剤含量により泡の形成に至り得る。
ウェハを実温で特に約24時間、これらを固定した後に
加熱した後に保存することは特に有用であることが分か
った（請求の範囲第７項）。
加熱した後に保存することは特に有用であることが分か
った（請求の範囲第７項）。
更に非常に薄い中間層の形成により、特記すべきこと
に機械的張力が発生しない（請求の範囲第17項）。この
場合、ウェハ板の接合の直後に膜により生起される接着
力がウェハ板のあらゆる反りを補償することが特に有利
である。
に機械的張力が発生しない（請求の範囲第17項）。この
場合、ウェハ板の接合の直後に膜により生起される接着
力がウェハ板のあらゆる反りを補償することが特に有利
である。
少なくとも所定の残余湿分を膜に与える溶剤は、原則
的には適用される材料のための全ゆる溶剤とすることが
きるが、ただし特に環境的観点並びに方法的観点から、
ここに請求の範囲第３項に記載する水の利用が好適であ
る。
的には適用される材料のための全ゆる溶剤とすることが
きるが、ただし特に環境的観点並びに方法的観点から、
ここに請求の範囲第３項に記載する水の利用が好適であ
る。
いずれにしろ、ここに請求の範囲第６項に記載するよ
うに、膜を塗布する前に接合するウェハ表面を清浄にし
て乾燥すれば接着力の面で有利である。
うに、膜を塗布する前に接合するウェハ表面を清浄にし
て乾燥すれば接着力の面で有利である。
発明方法は、ウェハ板材料とは概ね独立したものであ
る。
る。
例えば、請求の範囲第８項によれば、ウェハ板は金属
化した領域を有することができる。
化した領域を有することができる。
更に、一方のウェハをシリコンウェハとし、他方のウ
ェハを石英ガラスウェハ（請求の範囲第９項）、GaAsウ
ェハ（請求の範囲第10項）又はInPウェハ（請求の範囲
第11項）とすることができるが、請求の範囲に記載した
ウェハ材料の列記は完全ではない。
ェハを石英ガラスウェハ（請求の範囲第９項）、GaAsウ
ェハ（請求の範囲第10項）又はInPウェハ（請求の範囲
第11項）とすることができるが、請求の範囲に記載した
ウェハ材料の列記は完全ではない。
異なる材料に対する発明方法の適用性は、特に約200
℃〜300℃の温度で既に達成された結合が通常の場合と
は異なり強力であることの結果であるが、これにより特
に異なる温度挙動を有するような異なる材料の基板を接
合させる可能性を開くものである。
℃〜300℃の温度で既に達成された結合が通常の場合と
は異なり強力であることの結果であるが、これにより特
に異なる温度挙動を有するような異なる材料の基板を接
合させる可能性を開くものである。
したがって発明方法により、シリコンと石英ガラスと
の間の結合を生成することができる。同様に、他の半導
体材料又は光学活性材料、例えばニオブ酸リチウムとの
接合が可能である（請求の範囲第12項）。
の間の結合を生成することができる。同様に、他の半導
体材料又は光学活性材料、例えばニオブ酸リチウムとの
接合が可能である（請求の範囲第12項）。
しかしながら後者の場合、酸化物中間層、特にウェハ
層を設ければ有利であり、これは例えばスピン・オン・
ガラスで構成することができる（請求の範囲第13項、特
に第14項）。
層を設ければ有利であり、これは例えばスピン・オン・
ガラスで構成することができる（請求の範囲第13項、特
に第14項）。
請求の範囲第15項及び第16項は膜材料、特にケイ酸ナ
トリウム及びリン酸アルミニウムを記載するものである
が、全体的な適用性を限定する意図ではない。
トリウム及びリン酸アルミニウムを記載するものである
が、全体的な適用性を限定する意図ではない。
本発明により提供される膜は、流体膜として塗布する
ことができる（請求の範囲第18項）。ただし特に有利な
のは、残余湿分を有する膜材料をスピン・ドライ法によ
り塗布する場合である（請求の範囲第19項）。
ことができる（請求の範囲第18項）。ただし特に有利な
のは、残余湿分を有する膜材料をスピン・ドライ法によ
り塗布する場合である（請求の範囲第19項）。
図面の簡単な説明 例として添付図面を参照する好適な態様を使用する以
下の記載において本発明をより明らかとする。ここで 図１にはウェハのコンディショニング、 図２には膜の塗布、及び 図３には接合状態のウェハ板を示す。
下の記載において本発明をより明らかとする。ここで 図１にはウェハのコンディショニング、 図２には膜の塗布、及び 図３には接合状態のウェハ板を示す。
好適な態様の説明 図１は、接合するウェハの両者１及び２のコンディシ
ョニングを示す。ウェハは最初に高度に研磨し、これに
よりこれらを接合するのに用いる表面11及び21を粒子密
度が殆ど全くない「鏡面」とする。ウェハ板の間に耐久
性がある中実な結合のためには、特に対向するウェハ板
の高度に研磨された表面が特に有利である。
ョニングを示す。ウェハは最初に高度に研磨し、これに
よりこれらを接合するのに用いる表面11及び21を粒子密
度が殆ど全くない「鏡面」とする。ウェハ板の間に耐久
性がある中実な結合のためには、特に対向するウェハ板
の高度に研磨された表面が特に有利である。
その後の清浄化工程では、例えば、硝酸、ピラニア
（pirania）苛性アルカリ、アンモニウム過酸化水素、R
CAクレンジングのような清浄化溶剤により、表面11及び
21が土質の表面粒子を有さないものとする。
（pirania）苛性アルカリ、アンモニウム過酸化水素、R
CAクレンジングのような清浄化溶剤により、表面11及び
21が土質の表面粒子を有さないものとする。
その後ウェハをリンスして乾燥させる。このために
は、主として公知のスピン技術を利用する。
は、主として公知のスピン技術を利用する。
図２は、他の工程で、主として例えばケイ酸ナトリウ
ム又はリン酸アルミニウムのようなケイ酸塩又はリン酸
塩で構成される膜３をクリーンルーム条件下に塗布し、
特に２つのウェハの１つ、すなわちウェハ１の表面11上
にスピンさせることを示す。
ム又はリン酸アルミニウムのようなケイ酸塩又はリン酸
塩で構成される膜３をクリーンルーム条件下に塗布し、
特に２つのウェハの１つ、すなわちウェハ１の表面11上
にスピンさせることを示す。
希釈した（水）溶液として又は所定の溶剤、例えば水
の比較的少量の残余湿分を有する膜として、半導体工業
で使用されるようなラッカー被膜の際のスピンのための
いわゆるスピン・ドライヤによって膜を塗布することが
できる。
の比較的少量の残余湿分を有する膜として、半導体工業
で使用されるようなラッカー被膜の際のスピンのための
いわゆるスピン・ドライヤによって膜を塗布することが
できる。
示した好適な態様では、膜は100nm未満の厚さを有す
る均一なケイ酸ナトリウム層から構成される。均一性及
び薄い厚さのため、２つのウェハ板の間の接着力が増強
される。
る均一なケイ酸ナトリウム層から構成される。均一性及
び薄い厚さのため、２つのウェハ板の間の接着力が増強
される。
当然、膜３を各表面11及び21にそれぞれ塗布すること
もできる。
もできる。
図３は、間に位置した膜３を有する２つのウェハ１及
び２を室温で互いの頂部に載置したことを示す。２つの
親水性表面の強力な接着により、２つのウェハ、特に基
板１及び２の全表面に渡る非常に密接な接触が与えられ
る。２つのウェハの間の接着力はウェハの両者１及び２
の固定手段としては既に完全に十分であり、２つの表面
11及び21の移動を不可能とする。
び２を室温で互いの頂部に載置したことを示す。２つの
親水性表面の強力な接着により、２つのウェハ、特に基
板１及び２の全表面に渡る非常に密接な接触が与えられ
る。２つのウェハの間の接着力はウェハの両者１及び２
の固定手段としては既に完全に十分であり、２つの表面
11及び21の移動を不可能とする。
この際に、その後420℃までの温度で加熱手順を行
う。ただし好ましくは、加熱手順は、 −ケイ酸塩溶液を使用する場合は150℃〜300℃、特に20
0℃、又 −リン酸塩溶液を使用する場合は300℃〜420℃である温
度で行う。
う。ただし好ましくは、加熱手順は、 −ケイ酸塩溶液を使用する場合は150℃〜300℃、特に20
0℃、又 −リン酸塩溶液を使用する場合は300℃〜420℃である温
度で行う。
かくして生成した結合は、高い機械的強度により又大
きな機械的及び化学的耐久性の両者によって区別され
る。測定により、機械的接着力は（少なくとも）250〜3
00kg/cm2の範囲であることが明らかとなった。この非常
に高い接着力により、例えば高度に複合した微細構造又
はセンサ等の作製にこのウェハ板を更に問題なく加工す
ることが可能である。２つのウェハが高い結合力によっ
て接合されているため、２つの接合したウェハの更なる
取扱いは簡単である。
きな機械的及び化学的耐久性の両者によって区別され
る。測定により、機械的接着力は（少なくとも）250〜3
00kg/cm2の範囲であることが明らかとなった。この非常
に高い接着力により、例えば高度に複合した微細構造又
はセンサ等の作製にこのウェハ板を更に問題なく加工す
ることが可能である。２つのウェハが高い結合力によっ
て接合されているため、２つの接合したウェハの更なる
取扱いは簡単である。
Claims (19)
- 【請求項１】少なくとも１つが、例えばシリコンのよう
な半導体材料から構成される２つのウェハ板の間の中実
な表面結合を生成する直接基板結合方法であって、少な
くとも１つの前記ウェハ板（１）の清浄な表面上（11）
に、ケイ酸塩又はリン酸塩を含む溶剤に由来する残余湿
分を有する膜（３）を塗布する膜塗布工程と、その少な
くとも１つの上に前記膜（３）が塗布された前記２つの
ウェハ表面（11,21）を接合させる接合工程と、約420℃
未満の温度で前記２つのウェハ板（1,2）を接合状態で
加熱する加熱工程とを有する直接基板結合方法。 - 【請求項２】前記２つの接合されるウェハ表面が高度に
研磨されていることを特徴とする請求の範囲第１項記載
の方法。 - 【請求項３】前記溶剤が水であることを特徴とする請求
の範囲第１項又は第２項記載の方法。 - 【請求項４】前記膜の層の厚さが最大100nmであること
を特徴とする請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか１
項に記載の方法。 - 【請求項５】前記加熱工程は、ケイ酸塩溶液を使用する
場合は150℃〜300℃である温度で行い、また、リン酸塩
溶液を使用する場合は300℃〜420℃である温度で行うこ
とを特徴とする請求の範囲第１項乃至第４項のいずれか
１項に記載の方法。 - 【請求項６】前記膜を塗布する前に、接合させる前記ウ
ェハ表面を清浄にして乾燥させることを特徴とする請求
の範囲第１項乃至第５項のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項７】互いの頂部に載置する前記ウェハ板を、前
記加熱工程の前に室温で約24時間保存することを特徴と
する請求の範囲第１項乃至第６項のいずれか１項に記載
の方法。 - 【請求項８】前記ウェハ板が金属化した領域を有するこ
とを特徴とする請求の範囲第１項乃至第７項のいずれか
１項に記載の方法。 - 【請求項９】前記一方のウェハ板がシリコンウェハ板で
あり、前記他方のウェハ板が石英ガラスウェハ板である
ことを特徴とする請求の範囲第１項乃至第８項のいずれ
か１項に記載の方法。 - 【請求項１０】前記一方のウェハ板がシリコンウェハ板
であり、前記他方のウェハ板がGaAsウェハ板であること
を特徴とする請求の範囲第１項乃至第８項のいずれか１
項に記載の方法。 - 【請求項１１】前記一方のウェハ板がシリコンウェハ板
であり、前記他方のウェハ板がInPウェハ板であること
を特徴とする請求の範囲第１項乃至第８項のいずれか１
項に記載の方法。 - 【請求項１２】前記一方のウェハ板が半導体材料で作製
されたウェハ板であり、前記他方のウェハ板が例えばニ
オブ酸リチウムのような光学的に活性な材料で作製され
たことを特徴とする請求の範囲第１項乃至第８項のいず
れか１項に記載の方法。 - 【請求項１３】前記ウェハ板の少なくとも１つが、接合
される表面上に酸化物層を有することを特徴とする請求
の範囲第１項乃至第８項のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１４】前記酸化物層がスピン・オン・ガラスで
あることを特徴とする請求の範囲第13項に記載の方法。 - 【請求項１５】前記塗布した膜がケイ酸ナトリウムで構
成されていることを特徴とする請求の範囲第１項乃至第
14項のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１６】前記塗布した膜がリン酸アルミニウムで
構成されていることを特徴とする請求の範囲第１項乃至
第14項のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１７】前記膜によって生起される接着力が前記
ウェハ板を直ちに接合して前記ウェハ板のあらゆる反り
を補償することを特徴とする請求の範囲第１項乃至第16
項のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１８】前記膜を液体膜として塗布することを特
徴とする請求の範囲第１項乃至第17項のいずれか１項に
記載の方法。 - 【請求項１９】前記膜の材料が、スピン・ドライ法によ
って塗布された残余湿分を有することを特徴とする請求
の範囲第１項乃至第17項のいずれか１項に記載の方法。
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