JPH08235749A - データ・ゾーンの位置を最適化する方法及びデータ記憶システム - Google Patents
データ・ゾーンの位置を最適化する方法及びデータ記憶システムInfo
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- JPH08235749A JPH08235749A JP7295086A JP29508695A JPH08235749A JP H08235749 A JPH08235749 A JP H08235749A JP 7295086 A JP7295086 A JP 7295086A JP 29508695 A JP29508695 A JP 29508695A JP H08235749 A JPH08235749 A JP H08235749A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B20/00—Signal processing not specific to the method of recording or reproducing; Circuits therefor
- G11B20/10—Digital recording or reproducing
- G11B20/12—Formatting, e.g. arrangement of data block or words on the record carriers
- G11B20/1217—Formatting, e.g. arrangement of data block or words on the record carriers on discs
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- G11B19/00—Driving, starting, stopping record carriers not specifically of filamentary or web form, or of supports therefor; Control thereof; Control of operating function ; Driving both disc and head
- G11B19/02—Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/30—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture with provision for auxiliary signals
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/54—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head into or out of its operative position or across tracks
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- G11B5/59633—Servo formatting
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/012—Recording on, or reproducing or erasing from, magnetic disks
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- Signal Processing For Digital Recording And Reproducing (AREA)
- Moving Of Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】データ記憶ディスクにおけるデータ・ゾーンの
位置を最適化するための方法及びアーキテクチャを提供
する。 【解決手段】データ・ゾーンはディスクの外径に向けて
バイアスされるのが好ましく、ロード／アンロード・ラ
ンプ装置に近接して設定されたデータ・ゾーン開始位置
で参照される。最初は未フォーマットのデータ記憶ディ
スクのデータ・ゾーンに対する最適な開始位置が、変換
器アセンブリとロード／アンロード・ランプに接触させ
ること、変換器アセンブリをそのランプから離脱させる
こと、そしてランプ及び変換器アセンブリの接触ポイン
トに近接したディスク・位置にデータ・ゾーン開始位置
を表すサーボ情報を書き込むことによって決定される。
データ・ゾーンを表すサーボ情報は最適なデータ・ゾー
ン開始位置に関して内径のディスク位置に書き込まれ
る。
位置を最適化するための方法及びアーキテクチャを提供
する。 【解決手段】データ・ゾーンはディスクの外径に向けて
バイアスされるのが好ましく、ロード／アンロード・ラ
ンプ装置に近接して設定されたデータ・ゾーン開始位置
で参照される。最初は未フォーマットのデータ記憶ディ
スクのデータ・ゾーンに対する最適な開始位置が、変換
器アセンブリとロード／アンロード・ランプに接触させ
ること、変換器アセンブリをそのランプから離脱させる
こと、そしてランプ及び変換器アセンブリの接触ポイン
トに近接したディスク・位置にデータ・ゾーン開始位置
を表すサーボ情報を書き込むことによって決定される。
データ・ゾーンを表すサーボ情報は最適なデータ・ゾー
ン開始位置に関して内径のディスク位置に書き込まれ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、概して云えば、デ
ータ記憶システムに関するものであり、更に詳しく云え
ば、ロード／アンロード・データ記憶システムにおいて
使用されるデータ記憶ディスク上のデータ・ゾーンを最
適化するための方法及びアーキテクチャに関するもので
ある。
ータ記憶システムに関するものであり、更に詳しく云え
ば、ロード／アンロード・データ記憶システムにおいて
使用されるデータ記憶ディスク上のデータ・ゾーンを最
適化するための方法及びアーキテクチャに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】一般的なデータ記憶システムは、スピン
ドル・モータのハブ上に同軸的に装着された１つ又は複
数個のデータ記憶ディスクを含んでいる。スピンドル・
モータは、一般的には、おおよそ毎分数千回転という速
度でそれらディスクを回転させる。種々のタイプのデー
タを表すディジタル情報が、一般に、１つ又は複数個の
変換器、即ち、読取り／書込みヘッドによってデータ記
憶ディスクに書き込まれ、及びそれらデータ記憶ディス
クから読み取られる。それら読取り／書込みヘッドはア
クチュエータに装着され、高速で回転するディスクの表
面上に搬送されるものである。
ドル・モータのハブ上に同軸的に装着された１つ又は複
数個のデータ記憶ディスクを含んでいる。スピンドル・
モータは、一般的には、おおよそ毎分数千回転という速
度でそれらディスクを回転させる。種々のタイプのデー
タを表すディジタル情報が、一般に、１つ又は複数個の
変換器、即ち、読取り／書込みヘッドによってデータ記
憶ディスクに書き込まれ、及びそれらデータ記憶ディス
クから読み取られる。それら読取り／書込みヘッドはア
クチュエータに装着され、高速で回転するディスクの表
面上に搬送されるものである。
【０００３】アクチュエータは、一般的には、複数個の
外向きに延びるアームを含み、それらアームの先端に
は、１つ又は複数個の変換器が弾性的に又は固定的に装
着される。それらアクチュエータ・アームは、一般的に
は、アクチュエータに装着されたコイル・アセンブリに
よって回転ディスクのスタック内に又はスタック外にイ
ンターリーブされる。コイル・アセンブリは、一般に、
永久磁石構造体と相互作用する。そのコイルに或る極性
の電流を印加することはそれらアクチュエータ・アーム
及び変換器を１つの方向にシフトさせ、一方、反対極性
の電流はアクチュエータ・アーム及び変換器を反対方向
にシフトする。
外向きに延びるアームを含み、それらアームの先端に
は、１つ又は複数個の変換器が弾性的に又は固定的に装
着される。それらアクチュエータ・アームは、一般的に
は、アクチュエータに装着されたコイル・アセンブリに
よって回転ディスクのスタック内に又はスタック外にイ
ンターリーブされる。コイル・アセンブリは、一般に、
永久磁石構造体と相互作用する。そのコイルに或る極性
の電流を印加することはそれらアクチュエータ・アーム
及び変換器を１つの方向にシフトさせ、一方、反対極性
の電流はアクチュエータ・アーム及び変換器を反対方向
にシフトする。
【０００４】代表的なディジタル・データ記憶システム
では、ディジタル・データは、磁化可能な固いデータ記
憶ディスクの表面より成る一連の同心的な、密接した間
隔のトラックの形式で記憶される。トラックは、一般に
は、複数個のセクタに分けられ、又、各セクタは多数の
情報フィールドより成る。それら情報フィールドの１つ
は、一般的には、データを記憶するために指定され、一
方、他のフィールドは、例えば、セクタ識別情報及び同
期情報を含んでいる。データは、一般的には、コントロ
ーラの制御の下に変換器をトラック間でシフトさせるこ
とによって、指定のトラック及びセクタ位置に転送さ
れ、或いはそこから検索される。変換器アセンブリは、
一般的には、読取りエレメント及び書込みエレメントを
含んでいる。他の変換器アセンブリ構成は、ディスクに
データを書き込むために及びディスクからデータを読み
取るために使用される単一の変換器エレメントを組み込
んでいるものがある。
では、ディジタル・データは、磁化可能な固いデータ記
憶ディスクの表面より成る一連の同心的な、密接した間
隔のトラックの形式で記憶される。トラックは、一般に
は、複数個のセクタに分けられ、又、各セクタは多数の
情報フィールドより成る。それら情報フィールドの１つ
は、一般的には、データを記憶するために指定され、一
方、他のフィールドは、例えば、セクタ識別情報及び同
期情報を含んでいる。データは、一般的には、コントロ
ーラの制御の下に変換器をトラック間でシフトさせるこ
とによって、指定のトラック及びセクタ位置に転送さ
れ、或いはそこから検索される。変換器アセンブリは、
一般的には、読取りエレメント及び書込みエレメントを
含んでいる。他の変換器アセンブリ構成は、ディスクに
データを書き込むために及びディスクからデータを読み
取るために使用される単一の変換器エレメントを組み込
んでいるものがある。
【０００５】データ記憶ディスクへのデータの書込み
は、一般に、ディスク表面の特定の位置を磁化する磁束
線を生じさせるように変換器アセンブリの書込みエレメ
ントを通して電流を送ること意味する。指定されたディ
スク位置からのデータの読取りは、一般に、ディスクの
磁化された位置から発生する磁界又は磁束線を変換器ア
センブリの読取りエレメントが感知することによって達
成される。読取りエレメントが回転ディスクの表面上を
通る時、その読取りエレメントとディスク表面における
磁化された位置との間の相互作用がその読取りエレメン
トにおける電気的パルスの発生を生じさせる。それら電
気的パルスは磁界における遷移に対応する。
は、一般に、ディスク表面の特定の位置を磁化する磁束
線を生じさせるように変換器アセンブリの書込みエレメ
ントを通して電流を送ること意味する。指定されたディ
スク位置からのデータの読取りは、一般に、ディスクの
磁化された位置から発生する磁界又は磁束線を変換器ア
センブリの読取りエレメントが感知することによって達
成される。読取りエレメントが回転ディスクの表面上を
通る時、その読取りエレメントとディスク表面における
磁化された位置との間の相互作用がその読取りエレメン
トにおける電気的パルスの発生を生じさせる。それら電
気的パルスは磁界における遷移に対応する。
【０００６】通常のデータ記憶システムは、一般に、デ
ータ記憶ディスク上の指定されたデータ記憶位置にアク
チュエータ及び読取り／書込み変換器を正確に且つ急速
に位置づけるための閉ループ・サーボ制御システムを使
用する。サーボ書込みプロシージャは、一般には、デー
タ記憶システムの製造時に、そのデータ記憶システムを
構成する１つ又は複数個のデータ記憶ディスク表面上に
サーボ情報を記録するために使用される。組込みサーボ
と呼ばれる既知のサーボ情報フォーマットによれば、サ
ーボ情報は各トラックのデータ記憶セクタ相互間に書き
込まれる。従って、サーボ・データは各データ記憶ディ
スク上のデータ記憶トラックに組み込まれ、一般的に
は、データ・セクタ及びサーボ・セクタの交互シーケン
スが生じて各トラックを構成する。
ータ記憶ディスク上の指定されたデータ記憶位置にアク
チュエータ及び読取り／書込み変換器を正確に且つ急速
に位置づけるための閉ループ・サーボ制御システムを使
用する。サーボ書込みプロシージャは、一般には、デー
タ記憶システムの製造時に、そのデータ記憶システムを
構成する１つ又は複数個のデータ記憶ディスク表面上に
サーボ情報を記録するために使用される。組込みサーボ
と呼ばれる既知のサーボ情報フォーマットによれば、サ
ーボ情報は各トラックのデータ記憶セクタ相互間に書き
込まれる。従って、サーボ・データは各データ記憶ディ
スク上のデータ記憶トラックに組み込まれ、一般的に
は、データ・セクタ及びサーボ・セクタの交互シーケン
スが生じて各トラックを構成する。
【０００７】データ記憶システムにおいて使用される、
専用サーボと呼ばれるもう１つの既知のサーボ情報フォ
ーマットによれば、一般的には、ディスク・スタックを
構成するデータ記憶ディスクのうちの１つにだけ、及
び、屡々、専用のサーボ・ディスクの表面のうちの１つ
にだけ、サーボ・ライタがサーボ情報を記録する。専用
のサーボ・ディスク上に記憶されたサーボ情報は、デー
タ記憶ディスクの各々と関連した読取り／書込み変換器
の正確な位置付け及び位置合わせを維持するために使用
される。読取り／書込み変換器に近接して装着されるサ
ーボ変換器は、一般的には、データ記憶システムの正規
のオペレーション時に、ディスク上の指定されたトラッ
ク位置及びデータ・セクタ位置を見つけることを目的と
してサーボ・セクタ・データを読み取るために使用され
る。一般的には、サーボ・セクタは、トラック上の指定
されたデータ・セクタのデータを読み取り又はそのデー
タ・セクタにデータを書き込む時、トラックの中心線上
における読取り／書込み変換器の最適な位置合わせを維
持するために使用され、サーボ・バースト・パターンと
呼ばれることの多いデータ・ビットのパターン含んでい
ることに注意すべきである。
専用サーボと呼ばれるもう１つの既知のサーボ情報フォ
ーマットによれば、一般的には、ディスク・スタックを
構成するデータ記憶ディスクのうちの１つにだけ、及
び、屡々、専用のサーボ・ディスクの表面のうちの１つ
にだけ、サーボ・ライタがサーボ情報を記録する。専用
のサーボ・ディスク上に記憶されたサーボ情報は、デー
タ記憶ディスクの各々と関連した読取り／書込み変換器
の正確な位置付け及び位置合わせを維持するために使用
される。読取り／書込み変換器に近接して装着されるサ
ーボ変換器は、一般的には、データ記憶システムの正規
のオペレーション時に、ディスク上の指定されたトラッ
ク位置及びデータ・セクタ位置を見つけることを目的と
してサーボ・セクタ・データを読み取るために使用され
る。一般的には、サーボ・セクタは、トラック上の指定
されたデータ・セクタのデータを読み取り又はそのデー
タ・セクタにデータを書き込む時、トラックの中心線上
における読取り／書込み変換器の最適な位置合わせを維
持するために使用され、サーボ・バースト・パターンと
呼ばれることの多いデータ・ビットのパターン含んでい
ることに注意すべきである。
【０００８】図３を参照すると、従来技術のデータ記憶
ディスク２４が示される。それは、データ記憶ディスク
２４の内径に向けてバイアスされ且つその内径に関して
登録されたデータ・ゾーン７３を含むように通常の態様
でフォーマットされる。サーボ情報をデータ記憶ディス
ク２４に書き込むための従来のプロシージャは、一般的
には、中心のディスク開口７１近くに位置指定されるデ
ータ・ゾーン開始位置６６を設定することを含む。通常
のデータ記憶ディスク２４の最内側のデータ・トラック
６４は、一般に、中心のディスク開口７１の外周に沿っ
て設けられるクランプ係合面６２の近くに位置する。ク
ランプ係合面６２は、スピンドル・モータ２６のハブに
ディスク２４をクランプ又は装着するための専用の表面
領域部分を表すことに注意すべきである。ディスク２４
の表面に与えられる軸方向及び半径方向のクランプ力は
ディスク２４の内径に沿って高い応力の集中を生じ、屡
々、或程度のディスク表面の歪み又は湾曲を生じること
も注意すべきである。従って、最内側のデータ・トラッ
ク６４は、一般に、最小レベルのデータ記憶及びデータ
転送の信頼性を補償するために、クランプ係合面６２か
ら短い距離だけ離れるよう間隔をあけられる。
ディスク２４が示される。それは、データ記憶ディスク
２４の内径に向けてバイアスされ且つその内径に関して
登録されたデータ・ゾーン７３を含むように通常の態様
でフォーマットされる。サーボ情報をデータ記憶ディス
ク２４に書き込むための従来のプロシージャは、一般的
には、中心のディスク開口７１近くに位置指定されるデ
ータ・ゾーン開始位置６６を設定することを含む。通常
のデータ記憶ディスク２４の最内側のデータ・トラック
６４は、一般に、中心のディスク開口７１の外周に沿っ
て設けられるクランプ係合面６２の近くに位置する。ク
ランプ係合面６２は、スピンドル・モータ２６のハブに
ディスク２４をクランプ又は装着するための専用の表面
領域部分を表すことに注意すべきである。ディスク２４
の表面に与えられる軸方向及び半径方向のクランプ力は
ディスク２４の内径に沿って高い応力の集中を生じ、屡
々、或程度のディスク表面の歪み又は湾曲を生じること
も注意すべきである。従って、最内側のデータ・トラッ
ク６４は、一般に、最小レベルのデータ記憶及びデータ
転送の信頼性を補償するために、クランプ係合面６２か
ら短い距離だけ離れるよう間隔をあけられる。
【０００９】データ・ゾーン開始位置６６及びトラック
０と呼ばれることが多い最も内側のデータ・トラック６
４を設定してしまうと、サーボ情報は、データ・ゾーン
７３を形成する複数個の同心的データ・トラック５０を
形成するために他のディスク位置に転送される。例え
ば、最内側のデータ・トラック６４を定義するためのサ
ーボ情報を書き込んだ後、サーボ書込み変換器は、デー
タ記憶ディスク２４の外周６７に向う方向に最内側のト
ラック６４から離れて短い距離を移動する。そこで、第
２の同心的データ・トラックがディスク２４においてフ
ォーマットされ、それによって、最内側のデータ・トラ
ック６４と新たにフォーマットされたデータ・トラック
との間に狭いギャップを残す。一般に、このようにフォ
ーマットする動作は、最外側のデータ・トラック６８が
定義されるまで進行する。データ・ゾーン終了位置７０
は、一般に、最外側のデータ・トラック６８における最
後のデータ記憶位置又はサーボ・セクタ位置であると定
義される。
０と呼ばれることが多い最も内側のデータ・トラック６
４を設定してしまうと、サーボ情報は、データ・ゾーン
７３を形成する複数個の同心的データ・トラック５０を
形成するために他のディスク位置に転送される。例え
ば、最内側のデータ・トラック６４を定義するためのサ
ーボ情報を書き込んだ後、サーボ書込み変換器は、デー
タ記憶ディスク２４の外周６７に向う方向に最内側のト
ラック６４から離れて短い距離を移動する。そこで、第
２の同心的データ・トラックがディスク２４においてフ
ォーマットされ、それによって、最内側のデータ・トラ
ック６４と新たにフォーマットされたデータ・トラック
との間に狭いギャップを残す。一般に、このようにフォ
ーマットする動作は、最外側のデータ・トラック６８が
定義されるまで進行する。データ・ゾーン終了位置７０
は、一般に、最外側のデータ・トラック６８における最
後のデータ記憶位置又はサーボ・セクタ位置であると定
義される。
【００１０】ロード／アンロード・データ記憶システム
では、一般的には、データ記憶システム２０が使用中で
ない期間の間、データ記憶ディスク２４の外周付近で読
取り／書込み変換器２７のアセンブリと係合するよう
に、ロード／アンロード・ランプ６０が使用される。変
換器２７は、一般的には、ロード・タング６５が取り付
けられたスライダ本体６３に装着される。ロード／アン
ロード・データ記憶システム２０のパワー・ダウン・シ
ーケンス時に、変換器２７及びスライダ本体６３のアセ
ンブリは、ロード・タング６５及びロード／アンロード
・ランプ６０の係合によってデータ記憶ディスク２４の
表面から持ち上げられる。スライダ本体６３とディスク
表面２４との間の長期間の直接接触の結果、スライダ本
体６３とディスク表面２４との間の、スティクション
（ｓｔｉｃｔｉｏｎ）と一般に呼ばれている静摩擦の増
加が生じることは明らかである。スライダ本体６３とデ
ィスク表面２４との間の高レベルのスティクションは、
一般に、ディスク表面２４の過剰な磨耗と関連してお
り、それはその余分な静摩擦を克服するためにスピンド
ル・モータ２６によって消費される起動電流を増加させ
る。変換器２７及びスライダ本体６３をディスク表面２
４からランプ６０上にアンロードすることは、ハウジン
グ２１に与えられる短期間の衝撃力及び他の外力（それ
らはデータ記憶システム２０のセンシティブなコンポー
ネントに伝えられる）と関連して生じ得る損傷を減少さ
せる。
では、一般的には、データ記憶システム２０が使用中で
ない期間の間、データ記憶ディスク２４の外周付近で読
取り／書込み変換器２７のアセンブリと係合するよう
に、ロード／アンロード・ランプ６０が使用される。変
換器２７は、一般的には、ロード・タング６５が取り付
けられたスライダ本体６３に装着される。ロード／アン
ロード・データ記憶システム２０のパワー・ダウン・シ
ーケンス時に、変換器２７及びスライダ本体６３のアセ
ンブリは、ロード・タング６５及びロード／アンロード
・ランプ６０の係合によってデータ記憶ディスク２４の
表面から持ち上げられる。スライダ本体６３とディスク
表面２４との間の長期間の直接接触の結果、スライダ本
体６３とディスク表面２４との間の、スティクション
（ｓｔｉｃｔｉｏｎ）と一般に呼ばれている静摩擦の増
加が生じることは明らかである。スライダ本体６３とデ
ィスク表面２４との間の高レベルのスティクションは、
一般に、ディスク表面２４の過剰な磨耗と関連してお
り、それはその余分な静摩擦を克服するためにスピンド
ル・モータ２６によって消費される起動電流を増加させ
る。変換器２７及びスライダ本体６３をディスク表面２
４からランプ６０上にアンロードすることは、ハウジン
グ２１に与えられる短期間の衝撃力及び他の外力（それ
らはデータ記憶システム２０のセンシティブなコンポー
ネントに伝えられる）と関連して生じ得る損傷を減少さ
せる。
【００１１】データ記憶システム２０のパワー・アップ
・シーケンス中、変換器２７及びスライダ本体６３のア
センブリはランプ６０からディスク表面２４にロードさ
れる。スピンドル・モータ２６の回転速度が増加するに
つれて、ディスク２４の表面上の空気流の結果、空気力
学的にスライダ本体６３を支持する空気ベアリングが生
じ、従って、変換器２７及びスライダ本体６３をディス
ク表面２４上にわずかな距離だけ浮上させる。変換器２
７及びスライダ本体６３のアセンブリのランプ６０への
アンローディング及びランプ６０からのローディングを
容易にするために、一般には、バッファ領域７２がデー
タ記憶ディスク２４の外周６７の近くに設けられる。一
般的には、通常のデータ記憶ディスク２４のバッファ領
域７２はかなりの量のディスク表面領域（そうでない場
合、データを記憶するために割り振られる）を必要とす
ることに注意すべきである。
・シーケンス中、変換器２７及びスライダ本体６３のア
センブリはランプ６０からディスク表面２４にロードさ
れる。スピンドル・モータ２６の回転速度が増加するに
つれて、ディスク２４の表面上の空気流の結果、空気力
学的にスライダ本体６３を支持する空気ベアリングが生
じ、従って、変換器２７及びスライダ本体６３をディス
ク表面２４上にわずかな距離だけ浮上させる。変換器２
７及びスライダ本体６３のアセンブリのランプ６０への
アンローディング及びランプ６０からのローディングを
容易にするために、一般には、バッファ領域７２がデー
タ記憶ディスク２４の外周６７の近くに設けられる。一
般的には、通常のデータ記憶ディスク２４のバッファ領
域７２はかなりの量のディスク表面領域（そうでない場
合、データを記憶するために割り振られる）を必要とす
ることに注意すべきである。
【００１２】次に図４を参照すると、通常のデータ記憶
ディスク２４の一般的なバッファ領域７２が示される。
バッファ領域７２のサイズに影響を与える種々の要素の
うち、データ記憶システムの種々のコンポーネントの製
造と関連した機械的許容度及びアセンブル時のデータ記
憶システムのハウジングにおけるこれらコンポーネント
の位置付けと関連した機械的許容度は、一般には、特に
関心の高いものである。各コンポーネントは、一般的に
は、データ記憶システムのハウジング２１内のコンポー
ネントの大きさ及びそのコンポーネントの位置及び方向
付けに関する最大の許容可能な許容度と関連付けてい
る。バッファ領域７２は、一般的には、変換器２７及び
スライダ本体６３のアセンブリをランプ６０にアンロー
ドすること及びランプ６０からロードすることに関連し
たコンポーネントの累積的な最大又は最悪のケースの許
容度に適応するためには、かなりの量のディスク表面領
域を含む。
ディスク２４の一般的なバッファ領域７２が示される。
バッファ領域７２のサイズに影響を与える種々の要素の
うち、データ記憶システムの種々のコンポーネントの製
造と関連した機械的許容度及びアセンブル時のデータ記
憶システムのハウジングにおけるこれらコンポーネント
の位置付けと関連した機械的許容度は、一般には、特に
関心の高いものである。各コンポーネントは、一般的に
は、データ記憶システムのハウジング２１内のコンポー
ネントの大きさ及びそのコンポーネントの位置及び方向
付けに関する最大の許容可能な許容度と関連付けてい
る。バッファ領域７２は、一般的には、変換器２７及び
スライダ本体６３のアセンブリをランプ６０にアンロー
ドすること及びランプ６０からロードすることに関連し
たコンポーネントの累積的な最大又は最悪のケースの許
容度に適応するためには、かなりの量のディスク表面領
域を含む。
【００１３】図４を更に参照すると、通常のデータ記憶
ディスク２４のバッファ領域７２のサイズに影響する多
数の許容度バンドが示される。それら許容度バンドは単
に説明の便宜上与えられるけれども、図４は、バッファ
領域７２のサイズに関する個々のコンポーネントの製造
許容度及び据え付け許容度の総合的な影響を示す。低コ
スト、高ボリュームのデータ記憶ディスク２０の設計及
び製造において、データ記憶ディスク２４及びデータ記
憶サブシステム２０のファミリに対して標準的なサイズ
を持ったバッファ領域７２を割り振ることは慣用手段で
あることが知られている。ディスク２４及びシステム２
０のファミリ全体にバッファ領域７２を標準化すること
は、製造プロセスの単純化を可能にするけれども、その
ような標準化は、一般的には、特定なデータ記憶ディス
ク２４及びシステム２０に対して過度に大きいバッファ
領域７２の割り振りを生じ、それによって、データを記
憶するために利用可能なディスク表面領域を減少させ、
データ記憶システム２０の全体的な記憶容量を減少させ
る。
ディスク２４のバッファ領域７２のサイズに影響する多
数の許容度バンドが示される。それら許容度バンドは単
に説明の便宜上与えられるけれども、図４は、バッファ
領域７２のサイズに関する個々のコンポーネントの製造
許容度及び据え付け許容度の総合的な影響を示す。低コ
スト、高ボリュームのデータ記憶ディスク２０の設計及
び製造において、データ記憶ディスク２４及びデータ記
憶サブシステム２０のファミリに対して標準的なサイズ
を持ったバッファ領域７２を割り振ることは慣用手段で
あることが知られている。ディスク２４及びシステム２
０のファミリ全体にバッファ領域７２を標準化すること
は、製造プロセスの単純化を可能にするけれども、その
ような標準化は、一般的には、特定なデータ記憶ディス
ク２４及びシステム２０に対して過度に大きいバッファ
領域７２の割り振りを生じ、それによって、データを記
憶するために利用可能なディスク表面領域を減少させ、
データ記憶システム２０の全体的な記憶容量を減少させ
る。
【００１４】バッファ領域７２を構成する許容度バンド
の各々は、データ記憶システム２０の特定のコンポーネ
ントと関連した最大又は最悪の製造許容度の変化及びア
センブリ許容度の変化に適応するに必要なディスク２４
の表面領域の一部分を表す。例えば、許容度バンド７４
は、データ記憶ディスク２４の実質的に平坦な表面に関
するランプ６０の高さ及び垂直方向の位置付けにおける
最大の許容度変化に適応するに必要なディスク２４の表
面領域を表す。ランプ６０の傾斜又は傾きに関連した製
造の変化は追加の強度バンド７６によって適応される。
更に、ハウジング・ベース２２におけるランプ６０の装
着位置における変化は他の許容度バンド７８によって適
応される。
の各々は、データ記憶システム２０の特定のコンポーネ
ントと関連した最大又は最悪の製造許容度の変化及びア
センブリ許容度の変化に適応するに必要なディスク２４
の表面領域の一部分を表す。例えば、許容度バンド７４
は、データ記憶ディスク２４の実質的に平坦な表面に関
するランプ６０の高さ及び垂直方向の位置付けにおける
最大の許容度変化に適応するに必要なディスク２４の表
面領域を表す。ランプ６０の傾斜又は傾きに関連した製
造の変化は追加の強度バンド７６によって適応される。
更に、ハウジング・ベース２２におけるランプ６０の装
着位置における変化は他の許容度バンド７８によって適
応される。
【００１５】バッファ領域７２に影響を与える他の機械
的許容度及びアセンブリ許容度は、変換器２７及びスラ
イダ本体６３のアセンブリをディスク表面２４にロード
する時及びディスク表面２４からアンロードする時にラ
ンプ６０と係合するそのスライダ６３上に配置されたロ
ード・タング６５の構成及び方位を含む。ディスク２４
の表面によって定義される平面に関するロード・タング
６５の傾斜角の変化は、例えば、許容度バンド８０によ
って適応される。ディスク表面２４上のロード・タング
６５の高さ変化は更なる許容度バンド８２によって適応
される。データ記憶システムのコンポーネントの製造及
びハウジング２１へのこれらコンポーネントのアセンブ
リと関連した他の機械的許容度及びアセンブリ許容度が
通常のデータ記憶ディスク２４のバッファ領域７２のサ
イズにも影響を与えることは明らかである。
的許容度及びアセンブリ許容度は、変換器２７及びスラ
イダ本体６３のアセンブリをディスク表面２４にロード
する時及びディスク表面２４からアンロードする時にラ
ンプ６０と係合するそのスライダ６３上に配置されたロ
ード・タング６５の構成及び方位を含む。ディスク２４
の表面によって定義される平面に関するロード・タング
６５の傾斜角の変化は、例えば、許容度バンド８０によ
って適応される。ディスク表面２４上のロード・タング
６５の高さ変化は更なる許容度バンド８２によって適応
される。データ記憶システムのコンポーネントの製造及
びハウジング２１へのこれらコンポーネントのアセンブ
リと関連した他の機械的許容度及びアセンブリ許容度が
通常のデータ記憶ディスク２４のバッファ領域７２のサ
イズにも影響を与えることは明らかである。
【００１６】過度に大きいバッファ領域７２は、データ
記憶装置の容量及びデータ記憶ディスク２４の全体的な
信頼性の両方に否定的に影響する。バッファ領域７２に
対して大量のディスク表面領域を割り振ることは、デー
タの記憶に専用となり得る利用可能なディスク表面領域
を減少させるという逆効果を有することは容易に明らか
である。更に、一般に、当業者には明らかなように、デ
ィスク２４の外周近くに配されたデータ記憶領域は、か
なり高いレベルのデータ記憶及びデータ転送の信頼性を
与え、ディスク２４の内径近くに配されたデータ記憶領
域に比べて高いデータ記憶容量を与える。通常のサーボ
書込みプロシージャに従ってフォーマットされたデータ
記憶ディスク２４は、図３に示されるように、内径に向
けてバイアスされたデータ・ゾーン７３、従って、デー
タ記憶ディスク２４の比較的低い信頼性の部分を与え
る。最悪ケースのコンポーネント製造許容度及びアセン
ブリ許容度の集積に適応するために通常のデータ記憶デ
ィスク２４上に十分に大きいバッファ領域を割り振る必
要があるということは、一般に、ディスク２４の内径に
向けてデータ・ゾーン７３をバイアスするという通常の
方法と共に、データ記憶のために望ましいそのディスク
２４の外径部分の利用を妨げるものである。
記憶装置の容量及びデータ記憶ディスク２４の全体的な
信頼性の両方に否定的に影響する。バッファ領域７２に
対して大量のディスク表面領域を割り振ることは、デー
タの記憶に専用となり得る利用可能なディスク表面領域
を減少させるという逆効果を有することは容易に明らか
である。更に、一般に、当業者には明らかなように、デ
ィスク２４の外周近くに配されたデータ記憶領域は、か
なり高いレベルのデータ記憶及びデータ転送の信頼性を
与え、ディスク２４の内径近くに配されたデータ記憶領
域に比べて高いデータ記憶容量を与える。通常のサーボ
書込みプロシージャに従ってフォーマットされたデータ
記憶ディスク２４は、図３に示されるように、内径に向
けてバイアスされたデータ・ゾーン７３、従って、デー
タ記憶ディスク２４の比較的低い信頼性の部分を与え
る。最悪ケースのコンポーネント製造許容度及びアセン
ブリ許容度の集積に適応するために通常のデータ記憶デ
ィスク２４上に十分に大きいバッファ領域を割り振る必
要があるということは、一般に、ディスク２４の内径に
向けてデータ・ゾーン７３をバイアスするという通常の
方法と共に、データ記憶のために望ましいそのディスク
２４の外径部分の利用を妨げるものである。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、デー
タ記憶ディスクにおけるデータ・ゾーンの方位を最適化
するためのデータ・ゾーン最適化方法およびアーキテク
チャを提供することにある。
タ記憶ディスクにおけるデータ・ゾーンの方位を最適化
するためのデータ・ゾーン最適化方法およびアーキテク
チャを提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】データ・ゾーンは、好ま
しくは、ディスクの外径に向けてバイアスされ、ロード
／アンロード・ランプに近接して設定されたデータ・ゾ
ーン開始位置に関する参照符である。データ記憶ディス
クのデータ・ゾーンに対する最適な開始位置は、好まし
くは、ロード／アンロード・ランプを変換器アセンブリ
と接触させること、変換器アセンブリをそのランプから
開放させること、そしてランプと変換器アセンブリとの
接触ポイント近くのディスク位置にそのデータ・ゾーン
開始位置を表すサーボ情報を書き込むことによって決定
される。データ・ゾーンを表すサーボ情報は、その後、
そのディスクの最外側のデータ・トラックにおける最適
なデータ・ゾーン開始位置関して内径ディスク位置に書
き込まれる。最適化されたデータ・ゾーン・アーキテク
チャは所定の又は可変的なデータ記憶容量を持つことが
可能である。
しくは、ディスクの外径に向けてバイアスされ、ロード
／アンロード・ランプに近接して設定されたデータ・ゾ
ーン開始位置に関する参照符である。データ記憶ディス
クのデータ・ゾーンに対する最適な開始位置は、好まし
くは、ロード／アンロード・ランプを変換器アセンブリ
と接触させること、変換器アセンブリをそのランプから
開放させること、そしてランプと変換器アセンブリとの
接触ポイント近くのディスク位置にそのデータ・ゾーン
開始位置を表すサーボ情報を書き込むことによって決定
される。データ・ゾーンを表すサーボ情報は、その後、
そのディスクの最外側のデータ・トラックにおける最適
なデータ・ゾーン開始位置関して内径ディスク位置に書
き込まれる。最適化されたデータ・ゾーン・アーキテク
チャは所定の又は可変的なデータ記憶容量を持つことが
可能である。
【００１９】
【発明の実施の形態】図面、特に、図１及び図２を参照
すると、ハウジング２１のベース２２からカバーを取り
外されたデータ記憶システム２０が示される。そのデー
タ記憶システム２０は、一般的には、１つ又は複数個の
データ記憶固定ディスク２４を含む。それらディスク
は、縦並び間隔の関係で同軸的にスタックされ、比較的
高速度の回転でスピンドル・モータ２６の回りを回転す
る。各ディスク２４は、一般的には、複数個の間隔をあ
けられた同心円のトラック５０を有するようにフォーマ
ットされる。各トラックは、一連のセクタ５２に区分け
され、一方、それらセクタは、更に、個々の情報フィー
ルドに分けられる。別の方法として、１つ又は複数個の
ディスク２４は、螺旋状のトラック構成を持つようにフ
ォーマット可能である。
すると、ハウジング２１のベース２２からカバーを取り
外されたデータ記憶システム２０が示される。そのデー
タ記憶システム２０は、一般的には、１つ又は複数個の
データ記憶固定ディスク２４を含む。それらディスク
は、縦並び間隔の関係で同軸的にスタックされ、比較的
高速度の回転でスピンドル・モータ２６の回りを回転す
る。各ディスク２４は、一般的には、複数個の間隔をあ
けられた同心円のトラック５０を有するようにフォーマ
ットされる。各トラックは、一連のセクタ５２に区分け
され、一方、それらセクタは、更に、個々の情報フィー
ルドに分けられる。別の方法として、１つ又は複数個の
ディスク２４は、螺旋状のトラック構成を持つようにフ
ォーマット可能である。
【００２０】アクチュエータ３０は、一般的には、複数
個のインターリーブしたアクチュエータ・アーム２８を
含む。各アクチュエータ・アームは、データ記憶ディス
ク２４から情報を読み取り及びデータ記憶ディスク２４
に情報を書き込むための１つ又は複数個の変換器２７及
びスライダ本体６３（図３）のアセンブリ３５をロード
・ビーム２５に装着する。アクチュエータ３０は、通
常、静止したアクチュエータ軸３２に装着され、データ
記憶ディスク２４のスタックの内及び外にアクチュエー
タ・アーム２８を移動させるようにその軸上で回転す
る。アクチュエータ３０のコイル・フレーム３４に装着
されたコイル・アセンブリ３６は、一般に、永久磁石構
造体３８の上部磁石アセンブリ４０及び下部磁石アセン
ブリ４２の間に形成されたギャップ４４内で回転し、ア
クチュエータ・アーム２８にデータ記憶ディスク２４の
表面上を掃引させる。スピンドル・モータ２６は、一般
的には、電源４６によって付勢され、データ記憶ディス
ク２４を回転させるように適応した多相交流モータ、或
いは、代替的には、直流モータより成る。
個のインターリーブしたアクチュエータ・アーム２８を
含む。各アクチュエータ・アームは、データ記憶ディス
ク２４から情報を読み取り及びデータ記憶ディスク２４
に情報を書き込むための１つ又は複数個の変換器２７及
びスライダ本体６３（図３）のアセンブリ３５をロード
・ビーム２５に装着する。アクチュエータ３０は、通
常、静止したアクチュエータ軸３２に装着され、データ
記憶ディスク２４のスタックの内及び外にアクチュエー
タ・アーム２８を移動させるようにその軸上で回転す
る。アクチュエータ３０のコイル・フレーム３４に装着
されたコイル・アセンブリ３６は、一般に、永久磁石構
造体３８の上部磁石アセンブリ４０及び下部磁石アセン
ブリ４２の間に形成されたギャップ４４内で回転し、ア
クチュエータ・アーム２８にデータ記憶ディスク２４の
表面上を掃引させる。スピンドル・モータ２６は、一般
的には、電源４６によって付勢され、データ記憶ディス
ク２４を回転させるように適応した多相交流モータ、或
いは、代替的には、直流モータより成る。
【００２１】コイル・アセンブリ３６及び永久磁石構造
体３８の上部磁石アセンブリ４０及び下部磁石アセンブ
リ４２は、コントローラ５８によって発生された制御信
号に応答して、アクチュエータ・ボイス・コイル・モー
タ３９として協同して動作する。アクチュエータ・ボイ
ス・コイル・モータ３９は、永久磁石構造体３８によっ
て発生された磁界の存在の下で方向及び大きさが変化す
る制御電流がコイル・アセンブリ３６を流れる時、アク
チュエータ・コイル・フレーム３４上に回転力を生じさ
せる。一方、アクチュエータ・コイル・フレーム３４上
に与えられた回転力は、コイル・アセンブリ３６に流れ
る制御電流の極性に依存した方向にアクチュエータ・ア
ーム２８の対応する回転運動を生じさせる。コントロー
ラ５８は、好ましくは、データ記憶ディスク２４への及
びデータ記憶ディスク２４からのデータの転送を調整す
る制御回路を含み、ディスク２４からデータを読み出す
時及びディスク２４にデータを書き込む時、規定のトラ
ック５０及びセクタ５２の位置にアクチュエータ・アー
ム２８及び変換器２７を移動させるようにアクチュエー
タ・ボイス・コイル・モータ３９と協同する。
体３８の上部磁石アセンブリ４０及び下部磁石アセンブ
リ４２は、コントローラ５８によって発生された制御信
号に応答して、アクチュエータ・ボイス・コイル・モー
タ３９として協同して動作する。アクチュエータ・ボイ
ス・コイル・モータ３９は、永久磁石構造体３８によっ
て発生された磁界の存在の下で方向及び大きさが変化す
る制御電流がコイル・アセンブリ３６を流れる時、アク
チュエータ・コイル・フレーム３４上に回転力を生じさ
せる。一方、アクチュエータ・コイル・フレーム３４上
に与えられた回転力は、コイル・アセンブリ３６に流れ
る制御電流の極性に依存した方向にアクチュエータ・ア
ーム２８の対応する回転運動を生じさせる。コントロー
ラ５８は、好ましくは、データ記憶ディスク２４への及
びデータ記憶ディスク２４からのデータの転送を調整す
る制御回路を含み、ディスク２４からデータを読み出す
時及びディスク２４にデータを書き込む時、規定のトラ
ック５０及びセクタ５２の位置にアクチュエータ・アー
ム２８及び変換器２７を移動させるようにアクチュエー
タ・ボイス・コイル・モータ３９と協同する。
【００２２】次に、図５を参照すると、新規なデータ・
ゾーン最適化方法に従って最適化されたデータ・ゾーン
８６のアーキテクチャを有するデータ記憶ディスク２４
の略図が示される。最適化されたデータ・ゾーン８６
は、好ましくは、データ記憶ディスク２４の外径に向か
ってバイアスされ、それによって、データを記憶するた
めのディスク２４の高い信頼性の部分を利用する。更
に、その新規なデータ・ゾーン最適化方法及びアーキテ
クチャは、一般に、最適化されたデータ・ゾーン８６と
そのデータ記憶ディスク２４の外周６７との間に設けら
れたバッファ領域８４のサイズを実質的に減少させる。
コンポーネント製造及びアセンブリ許容度の変化に適応
するように一群のディスク２４及びデータ記憶システム
２０に対する標準化されたサイズを有するバッファ領域
７２を設けるのではなく、個々のデータ記憶ディスク２
４及びデータ記憶システム２０に対する最小のバッファ
領域８４を動的に決定することによって、データ・ゾー
ンの最適化が与えられる。
ゾーン最適化方法に従って最適化されたデータ・ゾーン
８６のアーキテクチャを有するデータ記憶ディスク２４
の略図が示される。最適化されたデータ・ゾーン８６
は、好ましくは、データ記憶ディスク２４の外径に向か
ってバイアスされ、それによって、データを記憶するた
めのディスク２４の高い信頼性の部分を利用する。更
に、その新規なデータ・ゾーン最適化方法及びアーキテ
クチャは、一般に、最適化されたデータ・ゾーン８６と
そのデータ記憶ディスク２４の外周６７との間に設けら
れたバッファ領域８４のサイズを実質的に減少させる。
コンポーネント製造及びアセンブリ許容度の変化に適応
するように一群のディスク２４及びデータ記憶システム
２０に対する標準化されたサイズを有するバッファ領域
７２を設けるのではなく、個々のデータ記憶ディスク２
４及びデータ記憶システム２０に対する最小のバッファ
領域８４を動的に決定することによって、データ・ゾー
ンの最適化が与えられる。
【００２３】好適な実施例では、最外側のデータ・トラ
ック８８の位置及びバッファ領域８４のサイズは、サー
ボ情報をデータ記憶ディスク２４に書き込む前に決定さ
れる。その新規なデータ・ゾーン最適化方法は、特定の
データ記憶システム２０の独特なコンポーネント構成と
関連した固有の機械的及び位置的許容度を考慮して、特
定のデータ記憶ディスク２４に対する最適の最外側のデ
ータ・トラック８８を設定する。図５に示されるよう
に、バッファ領域８４は、一般に、標準化された従来の
バッファ領域７２よりもかなりサイズが小さく、データ
・ゾーン８６がディスク２４の外径に向けて更にバイア
スされるのを可能にする。又、バッファ領域８４のサイ
ズが減少した結果、データを記憶するために使用可能な
ディスク２４の表面領域８７の付随した増加が効果的に
生じる。
ック８８の位置及びバッファ領域８４のサイズは、サー
ボ情報をデータ記憶ディスク２４に書き込む前に決定さ
れる。その新規なデータ・ゾーン最適化方法は、特定の
データ記憶システム２０の独特なコンポーネント構成と
関連した固有の機械的及び位置的許容度を考慮して、特
定のデータ記憶ディスク２４に対する最適の最外側のデ
ータ・トラック８８を設定する。図５に示されるよう
に、バッファ領域８４は、一般に、標準化された従来の
バッファ領域７２よりもかなりサイズが小さく、データ
・ゾーン８６がディスク２４の外径に向けて更にバイア
スされるのを可能にする。又、バッファ領域８４のサイ
ズが減少した結果、データを記憶するために使用可能な
ディスク２４の表面領域８７の付随した増加が効果的に
生じる。
【００２４】図５乃至図７を参照すると、データ記憶デ
ィスク２４のデータ・ゾーン８６を最適化するための方
法及びそのデータ・ゾーン８６の好適なアーキテクチャ
が開示される。ロード／アンロード・ランプ６０は、好
ましくは、ハウジング２１のベース２２に結合され、デ
ィスク２４の外周６７に近接して位置付けられる。好適
な実施例では、ランプ６０の一部分がディスク２４の表
面の外径の一部分上に延びている。別の方法として、ラ
ンプ６０は、そのランプの一部分がディスク２４の表面
上に延びることなくディスク２４の外周６７に近接して
位置づけ可能である。更に、スライダ本体６３及びそれ
に固定されたロード・タング６５の相対的大きさ及び方
位は、図６及び図７に示されたものと適合する必要はな
い。従って、その新規のデータ・ゾーン最適化方法及び
アーキテクチャは、種々の内部構成及びフォーム係数を
持ったロード／アンロードデータ記憶システム２０にお
いて使用可能である。
ィスク２４のデータ・ゾーン８６を最適化するための方
法及びそのデータ・ゾーン８６の好適なアーキテクチャ
が開示される。ロード／アンロード・ランプ６０は、好
ましくは、ハウジング２１のベース２２に結合され、デ
ィスク２４の外周６７に近接して位置付けられる。好適
な実施例では、ランプ６０の一部分がディスク２４の表
面の外径の一部分上に延びている。別の方法として、ラ
ンプ６０は、そのランプの一部分がディスク２４の表面
上に延びることなくディスク２４の外周６７に近接して
位置づけ可能である。更に、スライダ本体６３及びそれ
に固定されたロード・タング６５の相対的大きさ及び方
位は、図６及び図７に示されたものと適合する必要はな
い。従って、その新規のデータ・ゾーン最適化方法及び
アーキテクチャは、種々の内部構成及びフォーム係数を
持ったロード／アンロードデータ記憶システム２０にお
いて使用可能である。
【００２５】新規なデータ・ゾーン最適化方法によれ
ば、変換器２７及びスライダ６３のアセンブリがディス
ク２４の表面から持ち上げられそしてランプ６０にアン
ロードされる最適なポイントは、好ましくは、ディスク
２４にサーボ情報を書き込む前に決定される。そのよう
に、データ記憶ディスク２４は、当初は、サーボ情報を
含んでいない。好適な実施例では、変換器２７及びスラ
イダ本体６３のアセンブリは、データ記憶ディスク２４
の外周６７に向けて移動する。アクチュエータ・ボイス
・コイル・モータ３９の制御の下に、或いは、サーボ書
込み装置の外部変位モータの制御の下に、アクチュエー
タ３０は、変換器２７及びスライダ本体６３のアセンブ
リのロード・タング６５がランプ斜面９０上のロード／
アンロード・ポイント９２においてランプ６０と接触す
るまで、ディスク２４の外周６７に向かって回転するの
が望ましい。ロード・タング６５がロード／アンロード
・ポイント９２においてランプ６０と接触した後、変換
器２７及びスライダ本体６３のアセンブリは、ロード・
タング６５をランプ６０の斜面９０から離脱させるに十
分なわずかな距離だけランプ６０から離れるように移動
する。サーボ書込みプロシージャは、好ましくは、デー
タ・ゾーン８６のトラック０及び最外側のデータ・トラ
ック８８が設定された時にこの位置で開始される。デー
タ・ゾーン開始位置及びロード／アンロード・ランプ６
０に近接した最外側のデータ・トラック８８を設定して
しまっても、サーボ書込みプロシージャは、データ・ゾ
ーン８６がデータ記憶ディスク２４に対する所望の記憶
容量及びトラック構成の仕様に従って定義されるまで継
続するのが望ましい。
ば、変換器２７及びスライダ６３のアセンブリがディス
ク２４の表面から持ち上げられそしてランプ６０にアン
ロードされる最適なポイントは、好ましくは、ディスク
２４にサーボ情報を書き込む前に決定される。そのよう
に、データ記憶ディスク２４は、当初は、サーボ情報を
含んでいない。好適な実施例では、変換器２７及びスラ
イダ本体６３のアセンブリは、データ記憶ディスク２４
の外周６７に向けて移動する。アクチュエータ・ボイス
・コイル・モータ３９の制御の下に、或いは、サーボ書
込み装置の外部変位モータの制御の下に、アクチュエー
タ３０は、変換器２７及びスライダ本体６３のアセンブ
リのロード・タング６５がランプ斜面９０上のロード／
アンロード・ポイント９２においてランプ６０と接触す
るまで、ディスク２４の外周６７に向かって回転するの
が望ましい。ロード・タング６５がロード／アンロード
・ポイント９２においてランプ６０と接触した後、変換
器２７及びスライダ本体６３のアセンブリは、ロード・
タング６５をランプ６０の斜面９０から離脱させるに十
分なわずかな距離だけランプ６０から離れるように移動
する。サーボ書込みプロシージャは、好ましくは、デー
タ・ゾーン８６のトラック０及び最外側のデータ・トラ
ック８８が設定された時にこの位置で開始される。デー
タ・ゾーン開始位置及びロード／アンロード・ランプ６
０に近接した最外側のデータ・トラック８８を設定して
しまっても、サーボ書込みプロシージャは、データ・ゾ
ーン８６がデータ記憶ディスク２４に対する所望の記憶
容量及びトラック構成の仕様に従って定義されるまで継
続するのが望ましい。
【００２６】ロード・タング６５がロード／アンロード
・ポイント９２においてランプ斜面９０と接触するポイ
ントは、好ましくは、ランプ斜面との係合に向けてアク
チュエータが回転する時にロード・タング６５に及ぼさ
れる力の増加を感知することによって決定される。アク
チュエータ３０における力の増加は多数の既知の方法に
よって感知可能であり、決定可能である。ロード・タン
グ６５及びランプ６０の間の接触と関連する力は、例え
ば、アクチュエータ・ボイス・コイル・モータ３９によ
って消費される電力の量の関数として決定可能である。
別の方法として、サーボ書込みプロシージャ時にアクチ
ュエータ３０を回転させるためにサーボ書込みアセンブ
リが外部変位モータを使用する場合、ロード・タング６
５及びランプ６０の間の接触と関連した力の増加を決定
するために、その変位モータによって消費される電力が
感知可能である。例えば、電流又は電圧のような変位モ
ータ又はアクチュエータ・ボイス・コイル・モータ３９
で消費された電力又はそれに与えられた電力のパラメー
タが、ロード・タング６５及びランプ６０の間の接触に
起因するアクチュエータの抵抗力を感知するために測定
可能である。
・ポイント９２においてランプ斜面９０と接触するポイ
ントは、好ましくは、ランプ斜面との係合に向けてアク
チュエータが回転する時にロード・タング６５に及ぼさ
れる力の増加を感知することによって決定される。アク
チュエータ３０における力の増加は多数の既知の方法に
よって感知可能であり、決定可能である。ロード・タン
グ６５及びランプ６０の間の接触と関連する力は、例え
ば、アクチュエータ・ボイス・コイル・モータ３９によ
って消費される電力の量の関数として決定可能である。
別の方法として、サーボ書込みプロシージャ時にアクチ
ュエータ３０を回転させるためにサーボ書込みアセンブ
リが外部変位モータを使用する場合、ロード・タング６
５及びランプ６０の間の接触と関連した力の増加を決定
するために、その変位モータによって消費される電力が
感知可能である。例えば、電流又は電圧のような変位モ
ータ又はアクチュエータ・ボイス・コイル・モータ３９
で消費された電力又はそれに与えられた電力のパラメー
タが、ロード・タング６５及びランプ６０の間の接触に
起因するアクチュエータの抵抗力を感知するために測定
可能である。
【００２７】１つのデータ・ゾーン８６のアーキテクチ
ャによれば、ランプ６０に近接した最外側のデータ・ト
ラック８８で始まりそして内径ディスク位置において設
定されるまで継続する複数個の同心円の近接した間隔の
データ・トラック５０がフォーマットされる。別の螺旋
状のトラック構成によれば、トラック開始位置はランプ
６０の近くに設定されるのが望ましく、連続したトラッ
クは、データ・ゾーン終了位置が内径ディスク位置にお
いて設定されるまでデータ記憶ディスク２４上にフォー
マットされる。従って、同心状データ・トラック・アー
キテクチャ又は螺旋状データ・トラック・アーキテクチ
ャに関して、データ・ゾーン８６は、図５に示された最
外側のデータ・トラック８８上のデータ・ゾーン開始位
置と最内側のデータ・トラック８９上のデータ・ゾーン
終了位置との間に定義される。
ャによれば、ランプ６０に近接した最外側のデータ・ト
ラック８８で始まりそして内径ディスク位置において設
定されるまで継続する複数個の同心円の近接した間隔の
データ・トラック５０がフォーマットされる。別の螺旋
状のトラック構成によれば、トラック開始位置はランプ
６０の近くに設定されるのが望ましく、連続したトラッ
クは、データ・ゾーン終了位置が内径ディスク位置にお
いて設定されるまでデータ記憶ディスク２４上にフォー
マットされる。従って、同心状データ・トラック・アー
キテクチャ又は螺旋状データ・トラック・アーキテクチ
ャに関して、データ・ゾーン８６は、図５に示された最
外側のデータ・トラック８８上のデータ・ゾーン開始位
置と最内側のデータ・トラック８９上のデータ・ゾーン
終了位置との間に定義される。
【００２８】そのデータ・ゾーン最適化方法は、データ
記憶システム２０の種々のコンポーネントがハウジング
２１内に導入され、適正に位置づけられた後に遂行され
ることに留意することが重要である。詳しく上述したよ
うに、変換器２７及びスライダ本体６３のアセンブリを
ディスク２４にロードするために及びディスク２４から
アンロードするために使用される各コンポーネントは、
ディスク表面上のデータ・ゾーンの位置付け及びそのデ
ータ・ゾーンとディスク２４の外周６７との間のバッフ
ァ領域のサイズに影響を与える寸法的な及び位置的な製
造許容度をそれと関連付けている。これらのコンポーネ
ントと関連した正規の製造許容度の変化に適応するため
に通常のディスク２４の標準化されたバッファ領域７２
は、データを記憶するために利用可能な外周のディスク
表面領域の約５乃至１０パーセントの損失を生じ得るこ
とがわかった。例えば、約＋／−０.０５（ｍｍ）のデ
ィスク２４の表面に関するロード・タング６５の高さと
関連した正規の製造許容度の変化は、８０乃至１００個
のデータ・トラック５０の幅にほぼ等しい約０.１０
（ｍｍ）だけバッファ領域の対応した拡大を生じ得る。
例えば、ロード・タング６５、ランプ６０、及びスライ
ダ本体６３の高さに関する許容度の変化は、半径方向の
許容度変化よりも大きい範囲までバッファ領域のサイズ
に影響を与えることに注意すべきである。
記憶システム２０の種々のコンポーネントがハウジング
２１内に導入され、適正に位置づけられた後に遂行され
ることに留意することが重要である。詳しく上述したよ
うに、変換器２７及びスライダ本体６３のアセンブリを
ディスク２４にロードするために及びディスク２４から
アンロードするために使用される各コンポーネントは、
ディスク表面上のデータ・ゾーンの位置付け及びそのデ
ータ・ゾーンとディスク２４の外周６７との間のバッフ
ァ領域のサイズに影響を与える寸法的な及び位置的な製
造許容度をそれと関連付けている。これらのコンポーネ
ントと関連した正規の製造許容度の変化に適応するため
に通常のディスク２４の標準化されたバッファ領域７２
は、データを記憶するために利用可能な外周のディスク
表面領域の約５乃至１０パーセントの損失を生じ得るこ
とがわかった。例えば、約＋／−０.０５（ｍｍ）のデ
ィスク２４の表面に関するロード・タング６５の高さと
関連した正規の製造許容度の変化は、８０乃至１００個
のデータ・トラック５０の幅にほぼ等しい約０.１０
（ｍｍ）だけバッファ領域の対応した拡大を生じ得る。
例えば、ロード・タング６５、ランプ６０、及びスライ
ダ本体６３の高さに関する許容度の変化は、半径方向の
許容度変化よりも大きい範囲までバッファ領域のサイズ
に影響を与えることに注意すべきである。
【００２９】図５及び図６に示された図は新規なデータ
最適化方法及びアーキテクチャの利点を示している。ス
ライダ本体６３上に配されたロード・タング６５がラン
プ斜面９０と接触するポイントは、ランプ６０上のロー
ド／アンロード・ポイント９２として示される。垂直方
向の線９４は、ランプ斜面９０上のロード／アンロード
・ポイント９２をディスク２４の外周６７に近接したロ
ード／アンロード・ディスク位置と関連付ける。垂直方
向線６８'は、ディスク２４の外周６７と最外側のデー
タ・トラック６８との間に標準化されたバッファ領域７
２を配置された通常のデータ記憶ディスク２４における
そのような最外側のデータ・トラック６８を表す。デー
タ・ゾーン８６の最適化の結果、実質的減少したバッフ
ァ領域８４のために、ディスク２４の外周６７に向けて
バイアスされた最外側のデータ・トラック８８を生じ
る。
最適化方法及びアーキテクチャの利点を示している。ス
ライダ本体６３上に配されたロード・タング６５がラン
プ斜面９０と接触するポイントは、ランプ６０上のロー
ド／アンロード・ポイント９２として示される。垂直方
向の線９４は、ランプ斜面９０上のロード／アンロード
・ポイント９２をディスク２４の外周６７に近接したロ
ード／アンロード・ディスク位置と関連付ける。垂直方
向線６８'は、ディスク２４の外周６７と最外側のデー
タ・トラック６８との間に標準化されたバッファ領域７
２を配置された通常のデータ記憶ディスク２４における
そのような最外側のデータ・トラック６８を表す。デー
タ・ゾーン８６の最適化の結果、実質的減少したバッフ
ァ領域８４のために、ディスク２４の外周６７に向けて
バイアスされた最外側のデータ・トラック８８を生じ
る。
【００３０】垂直方向の線９４及び８８'の間における
ディスク表面領域として示された最小バッファ領域８４
は、ランプ６０とディスク２４の最外側のデータ・トラ
ック８８との間に変換器２７及びスライダ本体６３のロ
ーディング及びアンローディングに適応するように設け
られる。最適化された最外側のデータ・トラック８８と
通常のデータ記憶ディスク２４の最外側のデータ・トラ
ック６８との間のディスク表面領域８７は、本発明の新
規なデータ・ゾーン最適化方法を導入することによって
利用可能になるかなりの量の非常に信頼性の高い外径デ
ィスク表面領域を表す。
ディスク表面領域として示された最小バッファ領域８４
は、ランプ６０とディスク２４の最外側のデータ・トラ
ック８８との間に変換器２７及びスライダ本体６３のロ
ーディング及びアンローディングに適応するように設け
られる。最適化された最外側のデータ・トラック８８と
通常のデータ記憶ディスク２４の最外側のデータ・トラ
ック６８との間のディスク表面領域８７は、本発明の新
規なデータ・ゾーン最適化方法を導入することによって
利用可能になるかなりの量の非常に信頼性の高い外径デ
ィスク表面領域を表す。
【００３１】一定の記憶容量を持つように構成されたデ
ータ・ゾーン・アーキテクチャに対して、ディスク２４
におけるデータ・ゾーン８６全体の位置は、最外側のデ
ータ・トラック８８まで移され、それによって、データ
の記憶のために比較的高い信頼性の部分のディスク表面
８７を利用することに留意すべきである。可変記憶容量
のデータ・ゾーン・アーキテクチャを使用するデータ記
憶システム２０にとっては、追加の外径ディスク表面領
域８７が追加のデータの記憶のために割り振られること
は好ましいことである。この新規なデータ・ゾーン最適
化方法を使用することによって利用可能になる追加の外
径ディスク表面領域８７は、一般的には、データ・ゾー
ンの総記憶容量の約５乃至１０パーセントであると考え
られる。
ータ・ゾーン・アーキテクチャに対して、ディスク２４
におけるデータ・ゾーン８６全体の位置は、最外側のデ
ータ・トラック８８まで移され、それによって、データ
の記憶のために比較的高い信頼性の部分のディスク表面
８７を利用することに留意すべきである。可変記憶容量
のデータ・ゾーン・アーキテクチャを使用するデータ記
憶システム２０にとっては、追加の外径ディスク表面領
域８７が追加のデータの記憶のために割り振られること
は好ましいことである。この新規なデータ・ゾーン最適
化方法を使用することによって利用可能になる追加の外
径ディスク表面領域８７は、一般的には、データ・ゾー
ンの総記憶容量の約５乃至１０パーセントであると考え
られる。
【００３２】図８を参照して、この新規なデータ・ゾー
ン最適化方法及びアーキテクチャによってもたらされる
利点の質的な説明を行うことにする。通常のデータ記憶
ディスク２４のデータ・ゾーン７３は最内側データ・ト
ラック６４と最外側データ・トラック６８との間のデー
タ記憶領域として示される。前述のように、従来のデー
タ・ゾーン７３は、先ず、クランプ係合部６２付近の内
径ディスク位置にデータ・ゾーン開始位置６６を設定す
ること、及びデータ・ゾーン終了位置７０が最外側のデ
ータ・トラック６８上に設定されるまで一連の同心円の
データ・トラック５０を生じさせるようにサーボ情報を
ディスク２４書き込むことによって定義される。
ン最適化方法及びアーキテクチャによってもたらされる
利点の質的な説明を行うことにする。通常のデータ記憶
ディスク２４のデータ・ゾーン７３は最内側データ・ト
ラック６４と最外側データ・トラック６８との間のデー
タ記憶領域として示される。前述のように、従来のデー
タ・ゾーン７３は、先ず、クランプ係合部６２付近の内
径ディスク位置にデータ・ゾーン開始位置６６を設定す
ること、及びデータ・ゾーン終了位置７０が最外側のデ
ータ・トラック６８上に設定されるまで一連の同心円の
データ・トラック５０を生じさせるようにサーボ情報を
ディスク２４書き込むことによって定義される。
【００３３】新規なデータ・ゾーン最適化方法及びアー
キテクチャによれば、開始位置１００、即ち、一定記憶
容量のデータ・ゾーン８６に対するトラック０位置は、
前述のデータ・ゾーン最適化方法に従って設定されるの
が望ましい。一定記憶容量のデータ・ゾーン８６を定義
するためにディスク２４にサーボ情報を書き込むための
プロシージャは、データ・ゾーン開始位置１００におい
て開始され、一定記憶容量のデータ・ゾーンが最外側の
データ・トラック８８及び最内側データ・トラック１０
２の間に形成されるまで継続する。一定記憶容量のデー
タ・ゾーン最適化の結果、ディスク２４の内径からその
ディスクの外周６７へのデータ・ゾーン８６の位置的遷
移が生じる。最外側データ・トラック６８及び８８の間
のディスク表面領域１１４は、新規なデータ・ゾーン最
適化方法を使用することによってデータの記憶のために
利用可能にされた追加の外径ディスク表面領域を表す。
キテクチャによれば、開始位置１００、即ち、一定記憶
容量のデータ・ゾーン８６に対するトラック０位置は、
前述のデータ・ゾーン最適化方法に従って設定されるの
が望ましい。一定記憶容量のデータ・ゾーン８６を定義
するためにディスク２４にサーボ情報を書き込むための
プロシージャは、データ・ゾーン開始位置１００におい
て開始され、一定記憶容量のデータ・ゾーンが最外側の
データ・トラック８８及び最内側データ・トラック１０
２の間に形成されるまで継続する。一定記憶容量のデー
タ・ゾーン最適化の結果、ディスク２４の内径からその
ディスクの外周６７へのデータ・ゾーン８６の位置的遷
移が生じる。最外側データ・トラック６８及び８８の間
のディスク表面領域１１４は、新規なデータ・ゾーン最
適化方法を使用することによってデータの記憶のために
利用可能にされた追加の外径ディスク表面領域を表す。
【００３４】可変記憶容量データ・ゾーンを含むように
データ記憶ディスク２４をフォーマットすることが望ま
しいことがある。可変記憶容量データ・ゾーン・アーキ
テクチャによれば、データ・ゾーン開始位置１１０が上
記のデータ最適化方法を遂行することによって設定され
るのが望ましい。そこで、内径データ・ゾーン終了位置
１０８が設定されるまで、サーボ情報がデータ・ゾーン
開始位置１１０に関して書き込まれる。一般的には、ア
クチュエータ３０が指定の内径位置を越えて変換器２７
及びスライダ本体６３のアセンブリを回転させないよう
にするために、内径アクチュエータ・ストップが使用さ
れることに留意すべきである。アクチュエータ３０がそ
のアクチュエータ・ストップと係合する位置は、一般
に、最内側のデータ・トラック６４又は１０６の位置を
決定する。可変記憶容量データ・ゾーンのサイズを最大
にするために、内径アクチュエータ・ストップに到達す
るまで、サーボ書込みプロシージャは継続可能である。
データ記憶ディスク２４をフォーマットすることが望ま
しいことがある。可変記憶容量データ・ゾーン・アーキ
テクチャによれば、データ・ゾーン開始位置１１０が上
記のデータ最適化方法を遂行することによって設定され
るのが望ましい。そこで、内径データ・ゾーン終了位置
１０８が設定されるまで、サーボ情報がデータ・ゾーン
開始位置１１０に関して書き込まれる。一般的には、ア
クチュエータ３０が指定の内径位置を越えて変換器２７
及びスライダ本体６３のアセンブリを回転させないよう
にするために、内径アクチュエータ・ストップが使用さ
れることに留意すべきである。アクチュエータ３０がそ
のアクチュエータ・ストップと係合する位置は、一般
に、最内側のデータ・トラック６４又は１０６の位置を
決定する。可変記憶容量データ・ゾーンのサイズを最大
にするために、内径アクチュエータ・ストップに到達す
るまで、サーボ書込みプロシージャは継続可能である。
【００３５】勿論、本発明の技術範囲及び精神から離れ
ることなく、上記の実施例に対して種々の変更及び追加
を行うことが可能である。例えば、ロード／アンロード
・ランプ６０及びスライダ本体６３／ロード・タング６
５のアセンブリの構成は図６及び図７に示されたものと
は異なるものでもよい。更に、最適化されたデータ・ゾ
ーンは単一の連続したデータ・ゾーン又は複数個の個々
のデータ・ゾーンより成るものでもよい。
ることなく、上記の実施例に対して種々の変更及び追加
を行うことが可能である。例えば、ロード／アンロード
・ランプ６０及びスライダ本体６３／ロード・タング６
５のアセンブリの構成は図６及び図７に示されたものと
は異なるものでもよい。更に、最適化されたデータ・ゾ
ーンは単一の連続したデータ・ゾーン又は複数個の個々
のデータ・ゾーンより成るものでもよい。
【００３６】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
の事項を開示する。
【００３７】（１）アクチュエータに装着され、情報を
ディスクに及びディスクから転送するための変換器アセ
ンブリと、前記変換器アセンブリを前記ディスクにロー
ドし及び前記ディスクからアンロードするためのランプ
とを有するデータ記憶システムの前記ディスクにおける
データ・ゾーンの位置を最適化する方法にして、前記ラ
ンプに近接した前記ディスクの第１ディスク位置に前記
変換器アセンブリを登録するステップと、前記データ・
ゾーンの開始位置を表すサーボ情報を前記ディスクの前
記第１ディスク位置に書き込むステップと、前記第１デ
ィスク位置から前記ディスクの内側位置に向けて前記変
換器アセンブリを移動させるステップと、前記第１ディ
スク位置に関連して前記第１ディスク位置と前記ディス
クの内径位置との間において前記ディスクに前記データ
・ゾーンを表すサーボ情報を書き込むステップと、を含
み、前記データ・ゾーンの開始位置を表すサーボ情報の
前記第１ディスク位置における書込みは前記データ記憶
ディスクの外周に向けて前記データ・ゾーンをバイアス
することを特徴とする方法。 （２）サーボ情報を全く書き込まれていないデータ記憶
ディスクを設けるステップを含むことを特徴とする上記
（１）に記載の方法。 （３）前記ディスクの外周に近接して前記ランプを配置
するステップを含むことを特徴とする上記（１）に記載
の方法。 （４）前記変換器アセンブリを移動させるステップは、
前記データ記憶システムの外部にある変位モータによっ
て前記変換器アセンブリを移動させるステップを含むこ
とを特徴とする上記（１）に記載の方法。 （５）前記変換器アセンブリを登録するステップは、前
記ディスクの内径位置から前記ディスクの外周に向けて
前記変換器アセンブリを移動させるステップと、前記変
換器アセンブリと前記ランプとを接触させるステップ
と、を含むことを特徴とする上記（１）に記載の方法。 （６）前記変換器アセンブリを登録するステップは、前
記変換器アセンブリと前記ランプとを接触させるステッ
プと、前記変換器アセンブリを前記ランプと接触しない
前記ランプに近接した第１ディスク位置に移動させるス
テップと、を含むことを特徴とする上記（１）に記載の
方法。 （７）前記変換器アセンブリを登録するステップは、前
記ランプと前記第１ディスク位置との間の前記ディスク
上にバッファ領域を設けるステップを含むことを特徴と
する上記（１）に記載の方法。 （８）前記変換器アセンブリを登録するステップは、前
記変換器アセンブリと前記ランプとの接触と関連した力
を感知するステップと、前記接触と関連した力に応答し
て前記変換器アセンブリを前記ランプと接触しない前記
ランプに近接した第１ディスク位置に移動させるステッ
プと、を含むことを特徴とする上記（１）に記載の方
法。 （９）前記接触と関連した力を感知するステップは前記
アクチュエータによって消費される電力のパラメータを
感知するステップを含むことを特徴とする上記（８）に
記載の方法。 （１０）前記接触と関連した力を感知するステップは、
前記データ記憶システムの外部にある前記アクチュエー
タに結合された変位モータによって消費される電力のパ
ラメータを感知するステップを含むことを特徴とする上
記（８）に記載の方法。 （１１）前記サーボ情報を書き込むステップは、所定の
データ記憶容量を有するデータ・ゾーンを表すサーボ情
報を書き込むステップを含むことを特徴とする上記
（１）に記載の方法。 （１２）前記サーボ情報を書き込むステップは、可変の
データ記憶容量を有するデータ・ゾーンを表すサーボ情
報を書き込むステップを含むことを特徴とする上記
（１）に記載の方法。 （１３）アクチュエータに装着され、情報をデータ記憶
ディスクに及びデータ記憶ディスクから転送するための
変換器アセンブリと、前記変換器アセンブリを前記デー
タ記憶ディスクにロードするための及び前記データ記憶
ディスクからアンロードするためのランプとを有するデ
ータ記憶システムの前記ディスクにおけるデータ・ゾー
ンの位置を最適化する方法にして、サーボ情報を全く書
き込まれていない前記データ記憶ディスクを設けるステ
ップと、前記ランプとの係合位置から前記ディスク上の
第１ディスク位置に前記変換器アセンブリを移動させる
ステップと、前記第１ディスク位置において前記データ
・ゾーンの開始位置を表すサーボ情報を書き込むステッ
プと、前記変換器アセンブリを前記第１ディスク位置か
ら前記ディスクの内径位置に向けて移動させるステップ
と、前記データ・ゾーンを表すサーボ情報を、前記第１
ディスク位置に関して前記第１ディスク位置と前記ディ
スクの内径位置との間において前記ディスクに書き込む
ステップと、を含み、前記データ・ゾーンの開始位置を
表すサーボ情報の前記第１ディスク位置における書込み
は前記データ・ゾーンを前記データ記憶ディスクの外周
に向けてバイアスすることを特徴とする方法。 （１４）前記ディスクの外周に近接して前記ランプを配
置するステップを含むことを特徴とする上記（１３）に
記載の方法。 （１５）前記変換器アセンブリを移動させるステップ
は、前記ランプと前記第１ディスク位置との間の前記デ
ィスク上にバッファ領域を設けるステップを含むことを
特徴とする上記（１３）に記載の方法。 （１６）前記変換器アセンブリと前記ランプとの離脱と
関連した力を感知するステップと、前記離脱と関連した
力に応答して前記データ・ゾーンの開始位置を表すサー
ボ情報を前記第１ディスク位置において書き込むステッ
プと、を含むことを特徴とする上記（１３）に記載の方
法。 （１７）前記離脱と関連した力を感知するステップは前
記アクチュエータによって消費される電力のパラメータ
を感知するステップを含むことを特徴とする上記（１
３）に記載の方法。 （１８）前記離脱と関連した力を感知するステップは、
前記データ記憶システムの外部にある前記アクチュエー
タに結合された変位モータによって消費される電力のパ
ラメータを感知するステップを含むことを特徴とする上
記（１６）に記載の方法。 （１９）前記サーボ情報を書き込むステップは、可変の
データ記憶容量を有するデータ・ゾーンを表すサーボ情
報を書き込むステップを含むことを特徴とする上記（１
３）に記載の方法。 （２０）データを記憶するためのシステムにして、ハウ
ジング・ベースと、外径及び内径を有するデータ記憶デ
ィスクと、前記ハウジング・ベースに結合され、前記デ
ータ記憶ディスクを装着するためのスピンドル・モータ
と、前記ハウジングに結合されたアクチュエータと、変
換器を含み、前記アクチュエータに装着された変換器ア
センブリと、前記データ記憶ディスクの外径に近接して
前記ハウジング・ベースに装着され、前記変換器アセン
ブリを前記データ記憶ディスクの表面にロードするため
の及び前記データ記憶ディスクの表面からアンロードす
るためのランプと、を含み、前記データ記憶ディスク
は、前記ランプに近接して位置指定されたデータ・ゾー
ンの開始位置と、前記開始位置に関して参照され、前記
ディスクの内径に向けて位置指定されたデータ・ゾーン
の終了位置と、前記開始位置及び前記終了位置の間に形
成されたデータ・ゾーンと、を含むデータ・ゾーン・ア
ーキテクチャを有し、前記ランプに近接して位置指定さ
れる前記開始位置は前記ディスクの外径に向けて前記デ
ータ・ゾーンをバイアスすることを特徴とするシステ
ム。 （２１）前記データ・ゾーン・アーキテクチャは前記ラ
ンプと前記データ・ゾーンの開始位置との間に配置され
たバッファ領域を含むことを特徴とする上記（２０）に
記載のシステム。 （２２）前記データ・ゾーンのデータ記憶容量は所定の
データ記憶容量であることを特徴とする上記（２０）に
記載のシステム。 （２３）前記データ・ゾーンのデータ記憶容量は可変の
データ記憶容量であることを特徴とする上記（２０）に
記載のシステム。
ディスクに及びディスクから転送するための変換器アセ
ンブリと、前記変換器アセンブリを前記ディスクにロー
ドし及び前記ディスクからアンロードするためのランプ
とを有するデータ記憶システムの前記ディスクにおける
データ・ゾーンの位置を最適化する方法にして、前記ラ
ンプに近接した前記ディスクの第１ディスク位置に前記
変換器アセンブリを登録するステップと、前記データ・
ゾーンの開始位置を表すサーボ情報を前記ディスクの前
記第１ディスク位置に書き込むステップと、前記第１デ
ィスク位置から前記ディスクの内側位置に向けて前記変
換器アセンブリを移動させるステップと、前記第１ディ
スク位置に関連して前記第１ディスク位置と前記ディス
クの内径位置との間において前記ディスクに前記データ
・ゾーンを表すサーボ情報を書き込むステップと、を含
み、前記データ・ゾーンの開始位置を表すサーボ情報の
前記第１ディスク位置における書込みは前記データ記憶
ディスクの外周に向けて前記データ・ゾーンをバイアス
することを特徴とする方法。 （２）サーボ情報を全く書き込まれていないデータ記憶
ディスクを設けるステップを含むことを特徴とする上記
（１）に記載の方法。 （３）前記ディスクの外周に近接して前記ランプを配置
するステップを含むことを特徴とする上記（１）に記載
の方法。 （４）前記変換器アセンブリを移動させるステップは、
前記データ記憶システムの外部にある変位モータによっ
て前記変換器アセンブリを移動させるステップを含むこ
とを特徴とする上記（１）に記載の方法。 （５）前記変換器アセンブリを登録するステップは、前
記ディスクの内径位置から前記ディスクの外周に向けて
前記変換器アセンブリを移動させるステップと、前記変
換器アセンブリと前記ランプとを接触させるステップ
と、を含むことを特徴とする上記（１）に記載の方法。 （６）前記変換器アセンブリを登録するステップは、前
記変換器アセンブリと前記ランプとを接触させるステッ
プと、前記変換器アセンブリを前記ランプと接触しない
前記ランプに近接した第１ディスク位置に移動させるス
テップと、を含むことを特徴とする上記（１）に記載の
方法。 （７）前記変換器アセンブリを登録するステップは、前
記ランプと前記第１ディスク位置との間の前記ディスク
上にバッファ領域を設けるステップを含むことを特徴と
する上記（１）に記載の方法。 （８）前記変換器アセンブリを登録するステップは、前
記変換器アセンブリと前記ランプとの接触と関連した力
を感知するステップと、前記接触と関連した力に応答し
て前記変換器アセンブリを前記ランプと接触しない前記
ランプに近接した第１ディスク位置に移動させるステッ
プと、を含むことを特徴とする上記（１）に記載の方
法。 （９）前記接触と関連した力を感知するステップは前記
アクチュエータによって消費される電力のパラメータを
感知するステップを含むことを特徴とする上記（８）に
記載の方法。 （１０）前記接触と関連した力を感知するステップは、
前記データ記憶システムの外部にある前記アクチュエー
タに結合された変位モータによって消費される電力のパ
ラメータを感知するステップを含むことを特徴とする上
記（８）に記載の方法。 （１１）前記サーボ情報を書き込むステップは、所定の
データ記憶容量を有するデータ・ゾーンを表すサーボ情
報を書き込むステップを含むことを特徴とする上記
（１）に記載の方法。 （１２）前記サーボ情報を書き込むステップは、可変の
データ記憶容量を有するデータ・ゾーンを表すサーボ情
報を書き込むステップを含むことを特徴とする上記
（１）に記載の方法。 （１３）アクチュエータに装着され、情報をデータ記憶
ディスクに及びデータ記憶ディスクから転送するための
変換器アセンブリと、前記変換器アセンブリを前記デー
タ記憶ディスクにロードするための及び前記データ記憶
ディスクからアンロードするためのランプとを有するデ
ータ記憶システムの前記ディスクにおけるデータ・ゾー
ンの位置を最適化する方法にして、サーボ情報を全く書
き込まれていない前記データ記憶ディスクを設けるステ
ップと、前記ランプとの係合位置から前記ディスク上の
第１ディスク位置に前記変換器アセンブリを移動させる
ステップと、前記第１ディスク位置において前記データ
・ゾーンの開始位置を表すサーボ情報を書き込むステッ
プと、前記変換器アセンブリを前記第１ディスク位置か
ら前記ディスクの内径位置に向けて移動させるステップ
と、前記データ・ゾーンを表すサーボ情報を、前記第１
ディスク位置に関して前記第１ディスク位置と前記ディ
スクの内径位置との間において前記ディスクに書き込む
ステップと、を含み、前記データ・ゾーンの開始位置を
表すサーボ情報の前記第１ディスク位置における書込み
は前記データ・ゾーンを前記データ記憶ディスクの外周
に向けてバイアスすることを特徴とする方法。 （１４）前記ディスクの外周に近接して前記ランプを配
置するステップを含むことを特徴とする上記（１３）に
記載の方法。 （１５）前記変換器アセンブリを移動させるステップ
は、前記ランプと前記第１ディスク位置との間の前記デ
ィスク上にバッファ領域を設けるステップを含むことを
特徴とする上記（１３）に記載の方法。 （１６）前記変換器アセンブリと前記ランプとの離脱と
関連した力を感知するステップと、前記離脱と関連した
力に応答して前記データ・ゾーンの開始位置を表すサー
ボ情報を前記第１ディスク位置において書き込むステッ
プと、を含むことを特徴とする上記（１３）に記載の方
法。 （１７）前記離脱と関連した力を感知するステップは前
記アクチュエータによって消費される電力のパラメータ
を感知するステップを含むことを特徴とする上記（１
３）に記載の方法。 （１８）前記離脱と関連した力を感知するステップは、
前記データ記憶システムの外部にある前記アクチュエー
タに結合された変位モータによって消費される電力のパ
ラメータを感知するステップを含むことを特徴とする上
記（１６）に記載の方法。 （１９）前記サーボ情報を書き込むステップは、可変の
データ記憶容量を有するデータ・ゾーンを表すサーボ情
報を書き込むステップを含むことを特徴とする上記（１
３）に記載の方法。 （２０）データを記憶するためのシステムにして、ハウ
ジング・ベースと、外径及び内径を有するデータ記憶デ
ィスクと、前記ハウジング・ベースに結合され、前記デ
ータ記憶ディスクを装着するためのスピンドル・モータ
と、前記ハウジングに結合されたアクチュエータと、変
換器を含み、前記アクチュエータに装着された変換器ア
センブリと、前記データ記憶ディスクの外径に近接して
前記ハウジング・ベースに装着され、前記変換器アセン
ブリを前記データ記憶ディスクの表面にロードするため
の及び前記データ記憶ディスクの表面からアンロードす
るためのランプと、を含み、前記データ記憶ディスク
は、前記ランプに近接して位置指定されたデータ・ゾー
ンの開始位置と、前記開始位置に関して参照され、前記
ディスクの内径に向けて位置指定されたデータ・ゾーン
の終了位置と、前記開始位置及び前記終了位置の間に形
成されたデータ・ゾーンと、を含むデータ・ゾーン・ア
ーキテクチャを有し、前記ランプに近接して位置指定さ
れる前記開始位置は前記ディスクの外径に向けて前記デ
ータ・ゾーンをバイアスすることを特徴とするシステ
ム。 （２１）前記データ・ゾーン・アーキテクチャは前記ラ
ンプと前記データ・ゾーンの開始位置との間に配置され
たバッファ領域を含むことを特徴とする上記（２０）に
記載のシステム。 （２２）前記データ・ゾーンのデータ記憶容量は所定の
データ記憶容量であることを特徴とする上記（２０）に
記載のシステム。 （２３）前記データ・ゾーンのデータ記憶容量は可変の
データ記憶容量であることを特徴とする上記（２０）に
記載のシステム。
【図１】上部ハウジング・カバーを取り除いた状態のデ
ータ記憶システムの投影図である。
ータ記憶システムの投影図である。
【図２】複数個のデータ記憶ディスクより成るデータ記
憶システムの概略的な側面図である。
憶システムの概略的な側面図である。
【図３】ディスクの内径に向けてバイアスされたデータ
・ゾーンを有し、データ・ゾーンとディスクの外周との
間に比較的大きいバッファ領域を配置された従来技術の
データ記憶ディスク示す図である。
・ゾーンを有し、データ・ゾーンとディスクの外周との
間に比較的大きいバッファ領域を配置された従来技術の
データ記憶ディスク示す図である。
【図４】通常のデータ記憶ディスクのバッファ領域より
成り、各許容度バンドが特定のシステム・コンポーネン
ト又はアセンブリ・プロシージャと関連した最大又は最
悪のケースの許容度に適応するために必要なディスク表
面領域を表す複数個の許容度バンドを示す図である。
成り、各許容度バンドが特定のシステム・コンポーネン
ト又はアセンブリ・プロシージャと関連した最大又は最
悪のケースの許容度に適応するために必要なディスク表
面領域を表す複数個の許容度バンドを示す図である。
【図５】データ・ゾーンがディスクの外径に向けてバイ
アスされ、最小のバッファ領域がデータ・ゾーンとディ
スクの外周との間に配置された新規のデータ・ゾーン・
アーキテクチャを示す。
アスされ、最小のバッファ領域がデータ・ゾーンとディ
スクの外周との間に配置された新規のデータ・ゾーン・
アーキテクチャを示す。
【図６】変換器及びスライダ本体アセンブリを係合させ
るために使用されるロード／アンロード・ランプ装置及
び新規のデータ・ゾーン最適化方法及びアーキテクチャ
を導入することによって実現される実質的に縮小したバ
ッファ領域の概略図を示す。
るために使用されるロード／アンロード・ランプ装置及
び新規のデータ・ゾーン最適化方法及びアーキテクチャ
を導入することによって実現される実質的に縮小したバ
ッファ領域の概略図を示す。
【図７】スライダ本体から延びるロード・タングと係合
するために使用されるロード／アンロード・ランプ装置
の平面図である。
するために使用されるロード／アンロード・ランプ装置
の平面図である。
【図８】通常のサーボ書込みプロシージャに従ってフォ
ーマットされたデータ・ゾーン及び新規なデータ・ゾー
ン最適化方法及びアーキテクチャを使用することによっ
てフォーマットされた一定及び可変記憶容量データ・ゾ
ーンを有するデータ記憶ディスクの表面の合成表示を示
す図である。
ーマットされたデータ・ゾーン及び新規なデータ・ゾー
ン最適化方法及びアーキテクチャを使用することによっ
てフォーマットされた一定及び可変記憶容量データ・ゾ
ーンを有するデータ記憶ディスクの表面の合成表示を示
す図である。
２４ データ記憶ディスク ６０ ランプ ６３ スライダ本体 ６５ ロード・タング ６７ 外周 ９０ 斜面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 トッド・フィリップ・フラセック アメリカ合衆国ミネソタ州、ロチェスタ ー、シュミット・コート エス・イー 2017 (72)発明者 ジェフリー・フレッド・ボイゲンザーン アメリカ合衆国ミネソタ州、パイン・アイ ランド、カントリー 27 ブルバード 14355
Claims (23)
- 【請求項１】アクチュエータに装着され、情報をディス
クに及びディスクから転送するための変換器アセンブリ
と、前記変換器アセンブリを前記ディスクにロードし及
び前記ディスクからアンロードするためのランプとを有
するデータ記憶システムの前記ディスクにおけるデータ
・ゾーンの位置を最適化する方法にして、 前記ランプに近接した前記ディスクの第１ディスク位置
に前記変換器アセンブリを登録するステップと、 前記データ・ゾーンの開始位置を表すサーボ情報を前記
ディスクの前記第１ディスク位置に書き込むステップ
と、 前記第１ディスク位置から前記ディスクの内側位置に向
けて前記変換器アセンブリを移動させるステップと、 前記第１ディスク位置に関連して前記第１ディスク位置
と前記ディスクの内径位置との間において前記ディスク
に前記データ・ゾーンを表すサーボ情報を書き込むステ
ップと、 を含み、前記データ・ゾーンの開始位置を表すサーボ情
報の前記第１ディスク位置における書込みは前記データ
記憶ディスクの外周に向けて前記データ・ゾーンをバイ
アスすることを特徴とする方法。 - 【請求項２】サーボ情報を全く書き込まれていないデー
タ記憶ディスクを設けるステップを含むことを特徴とす
る請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】前記ディスクの外周に近接して前記ランプ
を配置するステップを含むことを特徴とする請求項１に
記載の方法。 - 【請求項４】前記変換器アセンブリを移動させるステッ
プは、前記データ記憶システムの外部にある変位モータ
によって前記変換器アセンブリを移動させるステップを
含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項５】前記変換器アセンブリを登録するステップ
は、 前記ディスクの内径位置から前記ディスクの外周に向け
て前記変換器アセンブリを移動させるステップと、 前記変換器アセンブリと前記ランプとを接触させるステ
ップと、 を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項６】前記変換器アセンブリを登録するステップ
は、 前記変換器アセンブリと前記ランプとを接触させるステ
ップと、 前記変換器アセンブリを前記ランプと接触しない前記ラ
ンプに近接した第１ディスク位置に移動させるステップ
と、 を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項７】前記変換器アセンブリを登録するステップ
は、前記ランプと前記第１ディスク位置との間の前記デ
ィスク上にバッファ領域を設けるステップを含むことを
特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項８】前記変換器アセンブリを登録するステップ
は、 前記変換器アセンブリと前記ランプとの接触と関連した
力を感知するステップと、 前記接触と関連した力に応答して前記変換器アセンブリ
を前記ランプと接触しない前記ランプに近接した第１デ
ィスク位置に移動させるステップと、 を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項９】前記接触と関連した力を感知するステップ
は前記アクチュエータによって消費される電力のパラメ
ータを感知するステップを含むことを特徴とする請求項
８に記載の方法。 - 【請求項１０】前記接触と関連した力を感知するステッ
プは、前記データ記憶システムの外部にある前記アクチ
ュエータに結合された変位モータによって消費される電
力のパラメータを感知するステップを含むことを特徴と
する請求項８に記載の方法。 - 【請求項１１】前記サーボ情報を書き込むステップは、
所定のデータ記憶容量を有するデータ・ゾーンを表すサ
ーボ情報を書き込むステップを含むことを特徴とする請
求項１に記載の方法。 - 【請求項１２】前記サーボ情報を書き込むステップは、
可変のデータ記憶容量を有するデータ・ゾーンを表すサ
ーボ情報を書き込むステップを含むことを特徴とする請
求項１に記載の方法。 - 【請求項１３】アクチュエータに装着され、情報をデー
タ記憶ディスクに及びデータ記憶ディスクから転送する
ための変換器アセンブリと、前記変換器アセンブリを前
記データ記憶ディスクにロードするための及び前記デー
タ記憶ディスクからアンロードするためのランプとを有
するデータ記憶システムの前記ディスクにおけるデータ
・ゾーンの位置を最適化する方法にして、 サーボ情報を全く書き込まれていない前記データ記憶デ
ィスクを設けるステップと、 前記ランプとの係合位置から前記ディスク上の第１ディ
スク位置に前記変換器アセンブリを移動させるステップ
と、 前記第１ディスク位置において前記データ・ゾーンの開
始位置を表すサーボ情報を書き込むステップと、 前記変換器アセンブリを前記第１ディスク位置から前記
ディスクの内径位置に向けて移動させるステップと、 前記データ・ゾーンを表すサーボ情報を、前記第１ディ
スク位置に関して前記第１ディスク位置と前記ディスク
の内径位置との間において前記ディスクに書き込むステ
ップと、 を含み、前記データ・ゾーンの開始位置を表すサーボ情
報の前記第１ディスク位置における書込みは前記データ
・ゾーンを前記データ記憶ディスクの外周に向けてバイ
アスすることを特徴とする方法。 - 【請求項１４】前記ディスクの外周に近接して前記ラン
プを配置するステップを含むことを特徴とする請求項１
３に記載の方法。 - 【請求項１５】前記変換器アセンブリを移動させるステ
ップは、前記ランプと前記第１ディスク位置との間の前
記ディスク上にバッファ領域を設けるステップを含むこ
とを特徴とする請求項１３に記載の方法。 - 【請求項１６】前記変換器アセンブリと前記ランプとの
離脱と関連した力を感知するステップと、 前記離脱と関連した力に応答して前記データ・ゾーンの
開始位置を表すサーボ情報を前記第１ディスク位置にお
いて書き込むステップと、 を含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。 - 【請求項１７】前記離脱と関連した力を感知するステッ
プは前記アクチュエータによって消費される電力のパラ
メータを感知するステップを含むことを特徴とする請求
項１３に記載の方法。 - 【請求項１８】前記離脱と関連した力を感知するステッ
プは、前記データ記憶システムの外部にある前記アクチ
ュエータに結合された変位モータによって消費される電
力のパラメータを感知するステップを含むことを特徴と
する請求項１６に記載の方法。 - 【請求項１９】前記サーボ情報を書き込むステップは、
可変のデータ記憶容量を有するデータ・ゾーンを表すサ
ーボ情報を書き込むステップを含むことを特徴とする請
求項１３に記載の方法。 - 【請求項２０】データを記憶するためのシステムにし
て、 ハウジング・ベースと、 外径及び内径を有するデータ記憶ディスクと、 前記ハウジング・ベースに結合され、前記データ記憶デ
ィスクを装着するためのスピンドル・モータと、 前記ハウジングに結合されたアクチュエータと、 変換器を含み、前記アクチュエータに装着された変換器
アセンブリと、 前記データ記憶ディスクの外径に近接して前記ハウジン
グ・ベースに装着され、前記変換器アセンブリを前記デ
ータ記憶ディスクの表面にロードするための及び前記デ
ータ記憶ディスクの表面からアンロードするためのラン
プと、 を含み、前記データ記憶ディスクは、 前記ランプに近接して位置指定されたデータ・ゾーンの
開始位置と、 前記開始位置に関して参照され、前記ディスクの内径に
向けて位置指定されたデータ・ゾーンの終了位置と、 前記開始位置及び前記終了位置の間に形成されたデータ
・ゾーンと、 を含むデータ・ゾーン・アーキテクチャを有し、前記ラ
ンプに近接して位置指定される前記開始位置は前記ディ
スクの外径に向けて前記データ・ゾーンをバイアスする
ことを特徴とするシステム。 - 【請求項２１】前記データ・ゾーン・アーキテクチャは
前記ランプと前記データ・ゾーンの開始位置との間に配
置されたバッファ領域を含むことを特徴とする請求項２
０に記載のシステム。 - 【請求項２２】前記データ・ゾーンのデータ記憶容量は
所定のデータ記憶容量であることを特徴とする請求項２
０に記載のシステム。 - 【請求項２３】前記データ・ゾーンのデータ記憶容量は
可変のデータ記憶容量であることを特徴とする請求項２
０に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US340546 | 1982-01-18 | ||
| US08/340,546 US6437935B1 (en) | 1994-11-16 | 1994-11-16 | Method and apparatus for a real and positional optimization of a storage disk data zone |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08235749A true JPH08235749A (ja) | 1996-09-13 |
Family
ID=23333860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7295086A Pending JPH08235749A (ja) | 1994-11-16 | 1995-11-14 | データ・ゾーンの位置を最適化する方法及びデータ記憶システム |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6437935B1 (ja) |
| EP (1) | EP0713218A3 (ja) |
| JP (1) | JPH08235749A (ja) |
| KR (1) | KR100287039B1 (ja) |
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| US6999261B2 (en) | 2001-06-06 | 2006-02-14 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Magnetic disk device and servo write method |
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- 1994-11-16 US US08/340,546 patent/US6437935B1/en not_active Expired - Fee Related
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- 1995-10-20 EP EP95480156A patent/EP0713218A3/en not_active Withdrawn
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|---|---|
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| EP0713218A2 (en) | 1996-05-22 |
| KR960018853A (ko) | 1996-06-17 |
| KR100287039B1 (ko) | 2001-04-16 |
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