JPH08191201A - チップ型フィルタ - Google Patents
チップ型フィルタInfo
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- JPH08191201A JPH08191201A JP7018494A JP1849495A JPH08191201A JP H08191201 A JPH08191201 A JP H08191201A JP 7018494 A JP7018494 A JP 7018494A JP 1849495 A JP1849495 A JP 1849495A JP H08191201 A JPH08191201 A JP H08191201A
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- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
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- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
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- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
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- H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
- H03H2001/0021—Constructional details
- H03H2001/0085—Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型化が可能で、入出力インピーダンスの整
合を得ることができ、しかも良好な特性を有するチップ
型フィルタを得る。 【構成】 誘電体基板１４の一方面にアース電極１６を
形成し、他方面に渦巻状のパターン電極２０，２２を形
成する。パターン電極２０，２２の中間部から入出力電
極２４，２８を引き出す。入出力電極２４，２８とパタ
ーン電極２０，２２の一端との間に、屈曲部２６，３０
を形成する。パターン電極２０，２２の一端は、互いに
近接するように配置する。アース電極１６およびパター
ン電極２０，２２の上に、保護層３２，３４を形成す
る。これらを積層一体化し、外部電極３６ａ，３６ｂ，
３６ｃ，３６ｄを形成する。外部電極３６ｂによって、
パターン電極２０，２２の一端とアース電極１６とを接
続する。
合を得ることができ、しかも良好な特性を有するチップ
型フィルタを得る。 【構成】 誘電体基板１４の一方面にアース電極１６を
形成し、他方面に渦巻状のパターン電極２０，２２を形
成する。パターン電極２０，２２の中間部から入出力電
極２４，２８を引き出す。入出力電極２４，２８とパタ
ーン電極２０，２２の一端との間に、屈曲部２６，３０
を形成する。パターン電極２０，２２の一端は、互いに
近接するように配置する。アース電極１６およびパター
ン電極２０，２２の上に、保護層３２，３４を形成す
る。これらを積層一体化し、外部電極３６ａ，３６ｂ，
３６ｃ，３６ｄを形成する。外部電極３６ｂによって、
パターン電極２０，２２の一端とアース電極１６とを接
続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はチップ型フィルタに関
し、特にたとえば、１／４波長の共振器が電磁気的に結
合したチップ型フィルタに関する。
し、特にたとえば、１／４波長の共振器が電磁気的に結
合したチップ型フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】図１５は従来のチップ型フィルタの一例
を示す斜視図である。チップ型フィルタ１は、誘電体基
板２を含む。誘電体基板２の一方面のほぼ全面には、ア
ース電極３が形成される。また、誘電体基板２の他方面
上には、アース電極３に対向するようにして、２つの直
線状のパターン電極４ａ，４ｂが形成される。パターン
電極４ａ，４ｂの一端は、誘電体基板２の端面を介し
て、アース電極３に接続される。また、パターン電極４
ａ，４ｂの中間部から誘電体基板２の対向する辺に向か
って、入出力電極５ａ，５ｂが形成される。これらの入
出力電極５ａ，５ｂは、アース電極３に接続されたパタ
ーン電極４ａ，４ｂの一端と間隔を隔てて形成される。
これらの誘電体基板２，アース電極３およびパターン電
極４ａ，４ｂなどでマイクロストリップラインが形成さ
れる。そして、パターン電極４ａ，４ｂは、それぞれ１
／４波長の共振器を形成し、これらの共振器が電磁気的
に結合してフィルタが形成される。このチップ型フィル
タ１では、入出力電極５ａ，５ｂとアース電極３との間
の間隔を調整することによって、入出力インピーダンス
が調整される。
を示す斜視図である。チップ型フィルタ１は、誘電体基
板２を含む。誘電体基板２の一方面のほぼ全面には、ア
ース電極３が形成される。また、誘電体基板２の他方面
上には、アース電極３に対向するようにして、２つの直
線状のパターン電極４ａ，４ｂが形成される。パターン
電極４ａ，４ｂの一端は、誘電体基板２の端面を介し
て、アース電極３に接続される。また、パターン電極４
ａ，４ｂの中間部から誘電体基板２の対向する辺に向か
って、入出力電極５ａ，５ｂが形成される。これらの入
出力電極５ａ，５ｂは、アース電極３に接続されたパタ
ーン電極４ａ，４ｂの一端と間隔を隔てて形成される。
これらの誘電体基板２，アース電極３およびパターン電
極４ａ，４ｂなどでマイクロストリップラインが形成さ
れる。そして、パターン電極４ａ，４ｂは、それぞれ１
／４波長の共振器を形成し、これらの共振器が電磁気的
に結合してフィルタが形成される。このチップ型フィル
タ１では、入出力電極５ａ，５ｂとアース電極３との間
の間隔を調整することによって、入出力インピーダンス
が調整される。
【０００３】ストリップライン共振器の場合、波長を
λ、誘電体基板の実効誘電率をεreとしたとき、パター
ン電極の長さＬは、概略Ｌ＝λ／（４（εre）1/2 ）で
表される。この式からわかるように、チップ型フィルタ
を小型化するためには、高誘電率の誘電体材料を使用す
ることが考えられる。しかしながら、その温度特性から
誘電体材料の比誘電率を大きくとることには問題があ
り、実用上大きくても比誘電率εr ＝１００程度のもの
が使用される。この比誘電率が、そのまま実効誘電率ε
reに置き換えられるとして、使用周波数が１ＧＨｚの場
合、パターン電極の長さはＬ＝７．５ｍｍと非常に長く
なる。さらに、直線状のパターン電極を用いた場合、そ
れらの対向する部分が長いため、共振器間の電磁界結合
が大きくなりすぎる。そのため、適当な電磁界結合を得
るためには、２つのパターン電極の間隔を大きくする必
要があり、チップ型フィルタが大型化してしまう。
λ、誘電体基板の実効誘電率をεreとしたとき、パター
ン電極の長さＬは、概略Ｌ＝λ／（４（εre）1/2 ）で
表される。この式からわかるように、チップ型フィルタ
を小型化するためには、高誘電率の誘電体材料を使用す
ることが考えられる。しかしながら、その温度特性から
誘電体材料の比誘電率を大きくとることには問題があ
り、実用上大きくても比誘電率εr ＝１００程度のもの
が使用される。この比誘電率が、そのまま実効誘電率ε
reに置き換えられるとして、使用周波数が１ＧＨｚの場
合、パターン電極の長さはＬ＝７．５ｍｍと非常に長く
なる。さらに、直線状のパターン電極を用いた場合、そ
れらの対向する部分が長いため、共振器間の電磁界結合
が大きくなりすぎる。そのため、適当な電磁界結合を得
るためには、２つのパターン電極の間隔を大きくする必
要があり、チップ型フィルタが大型化してしまう。
【０００４】そこで、図１６に示すように、パターン電
極４ａ，４ｂを渦巻状にすることが考えられる。このチ
ップ型フィルタ１では、パターン電極４ａ，４ｂを渦巻
状にすることにより、直線状のパターン電極を有するチ
ップ型フィルタに比べて小型化が可能である。さらに、
パターン電極４ａ，４ｂの対向部分が短く、共振器間の
電磁界結合が小さい。そのため、電磁界結合を大きくし
すぎることなくパターン電極４ａ，４ｂを近づけること
ができ、さらに小型のチップ型フィルタを得ることがで
きる。
極４ａ，４ｂを渦巻状にすることが考えられる。このチ
ップ型フィルタ１では、パターン電極４ａ，４ｂを渦巻
状にすることにより、直線状のパターン電極を有するチ
ップ型フィルタに比べて小型化が可能である。さらに、
パターン電極４ａ，４ｂの対向部分が短く、共振器間の
電磁界結合が小さい。そのため、電磁界結合を大きくし
すぎることなくパターン電極４ａ，４ｂを近づけること
ができ、さらに小型のチップ型フィルタを得ることがで
きる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような渦巻状のパ
ターン電極を有するチップ型フィルタでは、小型化にと
もなって、パターン電極の一端と入出力電極との間の間
隔が小さくなるため、入出力インピーダンスの整合が困
難となり、挿入損失が大きくなるなどの不都合がある。
この入出力インピーダンスの不整合を調整する方法とし
て、パターン電極の幅を小さくする方法があるが、この
方法ではＱの劣化という問題がある。
ターン電極を有するチップ型フィルタでは、小型化にと
もなって、パターン電極の一端と入出力電極との間の間
隔が小さくなるため、入出力インピーダンスの整合が困
難となり、挿入損失が大きくなるなどの不都合がある。
この入出力インピーダンスの不整合を調整する方法とし
て、パターン電極の幅を小さくする方法があるが、この
方法ではＱの劣化という問題がある。
【０００６】それゆえに、この発明の主たる目的は、小
型化が可能で、入出力インピーダンスの整合を得ること
ができ、しかも良好な特性を有するチップ型フィルタを
提供することである。
型化が可能で、入出力インピーダンスの整合を得ること
ができ、しかも良好な特性を有するチップ型フィルタを
提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、誘電体基板
と、誘電体基板の一方面上に形成されるアース電極と、
誘電体基板の他方面上にアース電極と対向して形成され
その一端がアース電極に接続される渦巻状の複数のパタ
ーン電極と、それぞれのパターン電極の一端と間隔を隔
ててパターン電極から引き出される入出力電極とを含
み、パターン電極の一端と入出力電極との間に屈曲部が
形成され、かつパターン電極の一端と入出力電極とが誘
電体基板の異なる辺に引き出された、チップ型フィルタ
である。このチップ型フィルタにおいて、複数のパター
ン電極の一端側は、互いに近接した位置に形成されるこ
とが望ましい。また、複数のパターン電極の一端側の少
なくとも一部が接続されてもよい。さらに、複数のパタ
ーン電極の隣接する渦巻状部分の２か所以上が近接する
ようにすることができる。このチップ型フィルタの複数
の入出力電極の少なくとも１か所に、インダクタンスを
形成することができる。また、パターン電極の屈曲部
は、たとえば円弧状に形成される。その場合、屈曲部の
内側の半径をＲ１、外側の半径をＲ２としたとき、Ｒ２
／Ｒ１＝２／１以上にすることが望ましい。さらに、パ
ターン電極上に別の誘電体基板を介してシールド電極を
形成することが望ましい。
と、誘電体基板の一方面上に形成されるアース電極と、
誘電体基板の他方面上にアース電極と対向して形成され
その一端がアース電極に接続される渦巻状の複数のパタ
ーン電極と、それぞれのパターン電極の一端と間隔を隔
ててパターン電極から引き出される入出力電極とを含
み、パターン電極の一端と入出力電極との間に屈曲部が
形成され、かつパターン電極の一端と入出力電極とが誘
電体基板の異なる辺に引き出された、チップ型フィルタ
である。このチップ型フィルタにおいて、複数のパター
ン電極の一端側は、互いに近接した位置に形成されるこ
とが望ましい。また、複数のパターン電極の一端側の少
なくとも一部が接続されてもよい。さらに、複数のパタ
ーン電極の隣接する渦巻状部分の２か所以上が近接する
ようにすることができる。このチップ型フィルタの複数
の入出力電極の少なくとも１か所に、インダクタンスを
形成することができる。また、パターン電極の屈曲部
は、たとえば円弧状に形成される。その場合、屈曲部の
内側の半径をＲ１、外側の半径をＲ２としたとき、Ｒ２
／Ｒ１＝２／１以上にすることが望ましい。さらに、パ
ターン電極上に別の誘電体基板を介してシールド電極を
形成することが望ましい。
【０００８】
【作用】パターン電極を渦巻状にすることにより、直線
状のパターン電極を有するフィルタに比べて、小型化す
ることができる。アース電極に接続されたパターン電極
の一端と入出力電極との間に屈曲部が形成されることに
より、それらの間の距離を大きくすることができる。し
たがって、チップ型フィルタが小型化しても、パターン
電極の一端と入出力電極との間の距離を十分に確保する
ことができ、入出力インピーダンスの調整を簡単に行う
ことができる。
状のパターン電極を有するフィルタに比べて、小型化す
ることができる。アース電極に接続されたパターン電極
の一端と入出力電極との間に屈曲部が形成されることに
より、それらの間の距離を大きくすることができる。し
たがって、チップ型フィルタが小型化しても、パターン
電極の一端と入出力電極との間の距離を十分に確保する
ことができ、入出力インピーダンスの調整を簡単に行う
ことができる。
【０００９】複数のパターン電極の渦巻状部分を近接さ
せ、同じく複数のパターン電極の一端を近接、またはそ
の一部を接続することにより、パターン電極で形成され
る複数の共振器間の結合を、主として２ケ所以上で行
い、かつその結合を調整できる。さらに、複数のパター
ン電極の隣接する渦巻状部分の２か所以上を近接させる
ことにより、複数の共振器間の容量結合を調整すること
ができる。また、入出力電極にインダクタンスを形成す
ることにより、通過帯域の両側に減衰極が形成され、フ
ィルタのＱが向上する。また、パターン電極の屈曲部を
円弧状に形成し、内側の半径Ｒ１と外側の半径Ｒ２との
比Ｒ２／Ｒ１＝２／１以上にすることにより、定在波比
などが改善され、チップ型フィルタの特性を改善するこ
とができる。さらに、シールド電極を形成することによ
り、シールド効果を得ることができる。
せ、同じく複数のパターン電極の一端を近接、またはそ
の一部を接続することにより、パターン電極で形成され
る複数の共振器間の結合を、主として２ケ所以上で行
い、かつその結合を調整できる。さらに、複数のパター
ン電極の隣接する渦巻状部分の２か所以上を近接させる
ことにより、複数の共振器間の容量結合を調整すること
ができる。また、入出力電極にインダクタンスを形成す
ることにより、通過帯域の両側に減衰極が形成され、フ
ィルタのＱが向上する。また、パターン電極の屈曲部を
円弧状に形成し、内側の半径Ｒ１と外側の半径Ｒ２との
比Ｒ２／Ｒ１＝２／１以上にすることにより、定在波比
などが改善され、チップ型フィルタの特性を改善するこ
とができる。さらに、シールド電極を形成することによ
り、シールド効果を得ることができる。
【００１０】
【発明の効果】この発明によれば、小型で、入出力イン
ピーダンスの調整が容易なチップ型フィルタを得ること
ができる。そのため、チップ型フィルタの入出力インピ
ーダンスの整合をとることができ、優れた特性のチップ
型フィルタを得ることができる。さらに、Ｑが大きく、
シールド効果のあるチップ型フィルタを得ることがで
き、チップ型フィルタの特性を良好なものにすることが
できる。
ピーダンスの調整が容易なチップ型フィルタを得ること
ができる。そのため、チップ型フィルタの入出力インピ
ーダンスの整合をとることができ、優れた特性のチップ
型フィルタを得ることができる。さらに、Ｑが大きく、
シールド効果のあるチップ型フィルタを得ることがで
き、チップ型フィルタの特性を良好なものにすることが
できる。
【００１１】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【００１２】
【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す斜視図であ
り、図２はその分解斜視図である。チップ型フィルタ１
０は、本体１２を含む。本体１２は、誘電体基板１４を
含む。誘電体基板１４の一方面上には、ほぼ全面にアー
ス電極１６が形成される。アース電極１６の対向する端
部には、それぞれ切欠き部１８が形成される。
り、図２はその分解斜視図である。チップ型フィルタ１
０は、本体１２を含む。本体１２は、誘電体基板１４を
含む。誘電体基板１４の一方面上には、ほぼ全面にアー
ス電極１６が形成される。アース電極１６の対向する端
部には、それぞれ切欠き部１８が形成される。
【００１３】誘電体基板１４の他方面上には、図３に示
すように、２つのパターン電極２０，２２が形成され
る。パターン電極２０は渦巻状に形成され、その一端が
誘電体基板１４の１つの辺のほぼ中央部に引き出され
る。さらに、誘電体基板１４のパターン電極２０の一端
が引き出された辺に隣接する辺には、パターン電極２０
から入出力電極２４が引き出される。そして、入出力端
子２４とパターン電極２０の一端との間には、屈曲部２
６が形成される。同様に、パターン電極２２は渦巻状に
形成され、その一端がパターン電極２０の一端に近接す
る位置に引き出される。さらに、入出力電極２４が引き
出された辺に対向する辺には、パターン電極２２から別
の入出力電極２８が引き出される。そして、入出力電極
２８とパターン電極２２の一端との間には、屈曲部３０
が形成される。
すように、２つのパターン電極２０，２２が形成され
る。パターン電極２０は渦巻状に形成され、その一端が
誘電体基板１４の１つの辺のほぼ中央部に引き出され
る。さらに、誘電体基板１４のパターン電極２０の一端
が引き出された辺に隣接する辺には、パターン電極２０
から入出力電極２４が引き出される。そして、入出力端
子２４とパターン電極２０の一端との間には、屈曲部２
６が形成される。同様に、パターン電極２２は渦巻状に
形成され、その一端がパターン電極２０の一端に近接す
る位置に引き出される。さらに、入出力電極２４が引き
出された辺に対向する辺には、パターン電極２２から別
の入出力電極２８が引き出される。そして、入出力電極
２８とパターン電極２２の一端との間には、屈曲部３０
が形成される。
【００１４】アース電極１６上には、保護層３２が形成
される。また、パターン電極２０，２２および入出力電
極２４，２８の上には、別の保護層３４が形成される。
そして、誘電体基板１４および保護層３２，３４を積層
一体化することによって、本体１２が形成される。本体
１２の４つの側面には、外部電極３６ａ，３６ｂ，３６
ｃおよび３６ｄが形成される。外部電極３６ａは、一方
の入出力電極２４に接続される。また、外部電極３６ｂ
は、パターン電極２０，２２の一端およびアース電極１
６に接続される。したがって、パターン電極２０，２２
の一端は、外部電極３６ｂを介してアース電極１６に接
続される。さらに、外部電極３６ｃは、他方の入出力電
極２８に接続される。また、外部電極３６ｄは、アース
電極１６に接続される。
される。また、パターン電極２０，２２および入出力電
極２４，２８の上には、別の保護層３４が形成される。
そして、誘電体基板１４および保護層３２，３４を積層
一体化することによって、本体１２が形成される。本体
１２の４つの側面には、外部電極３６ａ，３６ｂ，３６
ｃおよび３６ｄが形成される。外部電極３６ａは、一方
の入出力電極２４に接続される。また、外部電極３６ｂ
は、パターン電極２０，２２の一端およびアース電極１
６に接続される。したがって、パターン電極２０，２２
の一端は、外部電極３６ｂを介してアース電極１６に接
続される。さらに、外部電極３６ｃは、他方の入出力電
極２８に接続される。また、外部電極３６ｄは、アース
電極１６に接続される。
【００１５】このチップ型フィルタ１０を製造する場
合、誘電体基板１４の両面に、アース電極１６，パター
ン電極２０，２２および入出力電極２４，２８が形成さ
れる。これらの電極は、たとえば薄膜工法で電極を形成
したのち、フォトレジストなどを用いてエッチングする
ことにより、精度よく形成される。さらに、アース電極
１６上には、ガラスまたは樹脂を用いて保護層３２が形
成される。同様に、パターン電極２０，２２および入出
力電極２４，２８の上には、ガラスまたは樹脂を用いて
保護層３４が形成される。このようにして、本体１２が
形成される。さらに、本体１２の側面に、外部電極３６
ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄが形成される。ここで、大
きい誘電体基板上に各電極を多数形成し、保護層を形成
したのち、ダイシング機などで切断してもよい。そし
て、切断されたチップに、外部電極が形成される。
合、誘電体基板１４の両面に、アース電極１６，パター
ン電極２０，２２および入出力電極２４，２８が形成さ
れる。これらの電極は、たとえば薄膜工法で電極を形成
したのち、フォトレジストなどを用いてエッチングする
ことにより、精度よく形成される。さらに、アース電極
１６上には、ガラスまたは樹脂を用いて保護層３２が形
成される。同様に、パターン電極２０，２２および入出
力電極２４，２８の上には、ガラスまたは樹脂を用いて
保護層３４が形成される。このようにして、本体１２が
形成される。さらに、本体１２の側面に、外部電極３６
ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄが形成される。ここで、大
きい誘電体基板上に各電極を多数形成し、保護層を形成
したのち、ダイシング機などで切断してもよい。そし
て、切断されたチップに、外部電極が形成される。
【００１６】このチップ型フィルタ１０では、誘電体基
板１４，アース電極１６および渦巻状のパターン電極２
０，２２で、２つのマイクロストリップライン共振器が
形成される。これらの共振器が電磁気的に結合すること
によって、フィルタが形成される。この場合、隣接した
パターン電極２０，２２の渦巻状の部分では主として容
量結合され、アース電極１６に接続されたパターン電極
２０，２２の一端部分では主として誘導結合される。し
たがって、このチップ型フィルタ１０は、図４に示すよ
うな等価回路を有する。図４において、上部のＣＸおよ
びＭは渦巻状部の電磁界結合を示し、下部のＭはパター
ン電極２０，２２の一端部分の誘導結合を示す。
板１４，アース電極１６および渦巻状のパターン電極２
０，２２で、２つのマイクロストリップライン共振器が
形成される。これらの共振器が電磁気的に結合すること
によって、フィルタが形成される。この場合、隣接した
パターン電極２０，２２の渦巻状の部分では主として容
量結合され、アース電極１６に接続されたパターン電極
２０，２２の一端部分では主として誘導結合される。し
たがって、このチップ型フィルタ１０は、図４に示すよ
うな等価回路を有する。図４において、上部のＣＸおよ
びＭは渦巻状部の電磁界結合を示し、下部のＭはパター
ン電極２０，２２の一端部分の誘導結合を示す。
【００１７】このチップ型フィルタ１０では、パターン
電極２０，２２を渦巻状に形成することにより、直線状
のパターン電極を有する従来のチップ型フィルタに比べ
て小型化が可能である。また、パターン電極２０の一端
と入出力電極２４との距離およびパターン電極２２の一
端と入出力電極２８との距離を調整することにより、チ
ップ型フィルタ１０の入出力インピーダンスを調整する
ことができる。このチップ型フィルタ１０では、入出力
電極２４，２８とパターン電極２０，２２の一端との間
に屈曲部２６，３０が形成されているため、従来の屈曲
部のないチップ型フィルタに比べて、それらの間の距離
を大きくとることができる。したがって、このチップ型
フィルタ１０は、従来のチップ型フィルタに比べて、入
出力インピーダンスの調整が簡単であり、容易に入出力
インピーダンスの整合をとることができる。
電極２０，２２を渦巻状に形成することにより、直線状
のパターン電極を有する従来のチップ型フィルタに比べ
て小型化が可能である。また、パターン電極２０の一端
と入出力電極２４との距離およびパターン電極２２の一
端と入出力電極２８との距離を調整することにより、チ
ップ型フィルタ１０の入出力インピーダンスを調整する
ことができる。このチップ型フィルタ１０では、入出力
電極２４，２８とパターン電極２０，２２の一端との間
に屈曲部２６，３０が形成されているため、従来の屈曲
部のないチップ型フィルタに比べて、それらの間の距離
を大きくとることができる。したがって、このチップ型
フィルタ１０は、従来のチップ型フィルタに比べて、入
出力インピーダンスの調整が簡単であり、容易に入出力
インピーダンスの整合をとることができる。
【００１８】このチップ型フィルタ１０では、主として
パターン電極２０，２２の渦巻状部分で容量結合され、
アース電極１６に接続された一端側で誘導結合されると
いう、２ケ所以上での結合を行っている。つまり、電圧
分布の大きい部分で主として容量結合し、電流密度の高
い部分で主として誘導結合させることができ、密結合化
が可能である。したがって、チップ型フィルタ１０の伝
送損失の低減が図られ、低挿入損失で小型のチップ型フ
ィルタを得ることができる。
パターン電極２０，２２の渦巻状部分で容量結合され、
アース電極１６に接続された一端側で誘導結合されると
いう、２ケ所以上での結合を行っている。つまり、電圧
分布の大きい部分で主として容量結合し、電流密度の高
い部分で主として誘導結合させることができ、密結合化
が可能である。したがって、チップ型フィルタ１０の伝
送損失の低減が図られ、低挿入損失で小型のチップ型フ
ィルタを得ることができる。
【００１９】また、パターン電極２０，２２の引出し部
を近接して形成することにより、２つの共振器間の誘導
結合を大きくすることができる。したがって、これらの
共振器間の結合を調整することができ、良好な特性を得
ることができる。さらに、図５に示すように、引き出さ
れたパターン電極２０，２２の一端側部分を接続しても
よい。この場合、トリミングによってその接続部の長さ
を調整することにより、結合度を調整することができ
る。
を近接して形成することにより、２つの共振器間の誘導
結合を大きくすることができる。したがって、これらの
共振器間の結合を調整することができ、良好な特性を得
ることができる。さらに、図５に示すように、引き出さ
れたパターン電極２０，２２の一端側部分を接続しても
よい。この場合、トリミングによってその接続部の長さ
を調整することにより、結合度を調整することができ
る。
【００２０】このように、パターン電極２０，２２の一
端側を近接させたり、接続したりすることにより、１つ
の外部電極３６ｂで２つのパターン電極２０，２２をア
ース電極１６に接続することができる。そのため、外部
電極の微細加工が不要となり、製造コストを削減するこ
とができる。さらに、外部電極の大型化を図ることがで
き、信頼性を向上させることができる。
端側を近接させたり、接続したりすることにより、１つ
の外部電極３６ｂで２つのパターン電極２０，２２をア
ース電極１６に接続することができる。そのため、外部
電極の微細加工が不要となり、製造コストを削減するこ
とができる。さらに、外部電極の大型化を図ることがで
き、信頼性を向上させることができる。
【００２１】また、パターン電極２０，２２の屈曲部２
６，３０および渦巻状部分の屈曲部は、円弧状に形成さ
れる。このとき、図６に示すように、屈曲部の内側の半
径をＲ１とし、外側の半径をＲ２とすれば、Ｒ２／Ｒ１
＝２／１以上の比となるように形成される。このような
条件では、定在波比を改善することができ、良好な特性
を得ることができる。
６，３０および渦巻状部分の屈曲部は、円弧状に形成さ
れる。このとき、図６に示すように、屈曲部の内側の半
径をＲ１とし、外側の半径をＲ２とすれば、Ｒ２／Ｒ１
＝２／１以上の比となるように形成される。このような
条件では、定在波比を改善することができ、良好な特性
を得ることができる。
【００２２】この発明のチップ型フィルタ１０の特性を
図７に示す。また、図１６に示す従来のチップ型フィル
タの特性を図８に示す。これらの特性の比較が、次の表
１に示される。これらの特性図および表１からわかるよ
うに、Ｑを劣化させることなくチップ型フィルタを小型
化でき、しかも挿入損失を約０．５ｄＢ低減することが
できる。また、内部電極を薄膜工法を用いてエッチング
で形成することにより、高いフィルタ精度を得ることが
でき、中心周波数のばらつきを±１．０％以下にするこ
とができる。
図７に示す。また、図１６に示す従来のチップ型フィル
タの特性を図８に示す。これらの特性の比較が、次の表
１に示される。これらの特性図および表１からわかるよ
うに、Ｑを劣化させることなくチップ型フィルタを小型
化でき、しかも挿入損失を約０．５ｄＢ低減することが
できる。また、内部電極を薄膜工法を用いてエッチング
で形成することにより、高いフィルタ精度を得ることが
でき、中心周波数のばらつきを±１．０％以下にするこ
とができる。
【００２３】
【表１】
【００２４】さらに、図９に示すように、パターン電極
２０，２２上にシールド電極３８を形成してもよい。こ
の場合、パターン電極２０，２２の上にポリイミド層な
どの接着剤層４０が形成され、この接着剤層４０によっ
て誘電体基板４２が接着される。そして、この誘電体基
板４２上にシールド電極３８が形成され、シールド電極
３８上に保護層３４が形成される。このチップ型フィル
タ１０では、シールド電極３８によってシールド効果が
得られ、良好な特性を得ることができる。このチップ型
フィルタ１０の特性が図１０に示され、さらに次の表２
に示される。これらの特性図および表２からわかるよう
に、挿入損失の小さいチップ型フィルタを得ることがで
きる。また、ポリイミド接合を行うことにより、高いフ
ィルタ精度をもつ小型のチップ型フィルタを得ることが
できる。さらに、このチップ型フィルタ１０では、その
中心周波数のばらつきが±１．５％以下にすることがで
きる。
２０，２２上にシールド電極３８を形成してもよい。こ
の場合、パターン電極２０，２２の上にポリイミド層な
どの接着剤層４０が形成され、この接着剤層４０によっ
て誘電体基板４２が接着される。そして、この誘電体基
板４２上にシールド電極３８が形成され、シールド電極
３８上に保護層３４が形成される。このチップ型フィル
タ１０では、シールド電極３８によってシールド効果が
得られ、良好な特性を得ることができる。このチップ型
フィルタ１０の特性が図１０に示され、さらに次の表２
に示される。これらの特性図および表２からわかるよう
に、挿入損失の小さいチップ型フィルタを得ることがで
きる。また、ポリイミド接合を行うことにより、高いフ
ィルタ精度をもつ小型のチップ型フィルタを得ることが
できる。さらに、このチップ型フィルタ１０では、その
中心周波数のばらつきが±１．５％以下にすることがで
きる。
【００２５】
【表２】
【００２６】また、図１１に示すように、隣接するパタ
ーン電極２０，２２の渦巻状の部分で、２か所以上近接
するように形成してもよい。この部分では、２つの共振
器が主として容量結合しているため、パターン電極２
０，２２の距離を変えることにより、その容量結合を調
整することができる。したがって、パターン電極２０，
２２の近接する部分の数を変えることにより、容量結合
を調整することができ、良好な特性を得ることができ
る。
ーン電極２０，２２の渦巻状の部分で、２か所以上近接
するように形成してもよい。この部分では、２つの共振
器が主として容量結合しているため、パターン電極２
０，２２の距離を変えることにより、その容量結合を調
整することができる。したがって、パターン電極２０，
２２の近接する部分の数を変えることにより、容量結合
を調整することができ、良好な特性を得ることができ
る。
【００２７】さらに、図１２に示すように、入出力電極
２４，２８にインダクタンスを形成してもよい。このイ
ンダクタンスを形成することにより、通過帯域の両側に
減衰極が形成される。これらの減衰極が形成されること
により、Ｑの高いチップ型フィルタを得ることができ
る。このチップ型フィルタ１０の特性が図１３に示さ
れ、さらに次の表３に示される。また、従来のチップ型
フィルタの特性が図１４に示され、さらに表３に示され
る。これらの特性図および表３からわかるように、この
チップ型フィルタ１０では、大型化することなく、挿入
損失を約０．３ｄＢ低減することができ、減衰量も約１
０〜２５ｄＢ向上させることができる。なお、インダク
タンスは、入出力電極２４，２８のいずれか一方に形成
されてもよい。
２４，２８にインダクタンスを形成してもよい。このイ
ンダクタンスを形成することにより、通過帯域の両側に
減衰極が形成される。これらの減衰極が形成されること
により、Ｑの高いチップ型フィルタを得ることができ
る。このチップ型フィルタ１０の特性が図１３に示さ
れ、さらに次の表３に示される。また、従来のチップ型
フィルタの特性が図１４に示され、さらに表３に示され
る。これらの特性図および表３からわかるように、この
チップ型フィルタ１０では、大型化することなく、挿入
損失を約０．３ｄＢ低減することができ、減衰量も約１
０〜２５ｄＢ向上させることができる。なお、インダク
タンスは、入出力電極２４，２８のいずれか一方に形成
されてもよい。
【００２８】
【表３】
【００２９】このように、このチップ型フィルタ１０で
は、Ｑが高く、減衰量の大きいチップ型フィルタを得る
ことができる。また、挿入損失が小さく、さらに入出力
インピーダンスの整合をとることができるチップ型フィ
ルタを得ることができる。さらに、このような利点をも
ちながら、小型のチップ型フィルタとすることができ
る。実施例では、３．２ｍｍ×１．６ｍｍのチップ型フ
ィルタを得ることができた。また、チップ型フィルタを
小型化できるため、親基板から多数のチップ型フィルタ
を得ることができ、製造コストを下げることができる。
は、Ｑが高く、減衰量の大きいチップ型フィルタを得る
ことができる。また、挿入損失が小さく、さらに入出力
インピーダンスの整合をとることができるチップ型フィ
ルタを得ることができる。さらに、このような利点をも
ちながら、小型のチップ型フィルタとすることができ
る。実施例では、３．２ｍｍ×１．６ｍｍのチップ型フ
ィルタを得ることができた。また、チップ型フィルタを
小型化できるため、親基板から多数のチップ型フィルタ
を得ることができ、製造コストを下げることができる。
【００３０】なお、渦巻状のパターン電極２０，２２
は、薄膜工法により形成することができる。この場合、
高誘電率基板の利用により、著しく小型でありながら、
高精度化が可能になる。薄膜は抵抗成分が大きくなりが
ちであり、損失が比較的大きいという問題が発生しがち
であるが、共振器の長さが短いことによる抵抗成分の減
少と、この発明による結合，インピーダンス整合，Ｑの
向上などにより、他方式のチップ型フィルタに勝る性能
を得ることができる。
は、薄膜工法により形成することができる。この場合、
高誘電率基板の利用により、著しく小型でありながら、
高精度化が可能になる。薄膜は抵抗成分が大きくなりが
ちであり、損失が比較的大きいという問題が発生しがち
であるが、共振器の長さが短いことによる抵抗成分の減
少と、この発明による結合，インピーダンス整合，Ｑの
向上などにより、他方式のチップ型フィルタに勝る性能
を得ることができる。
【図１】この発明の一実施例を示す斜視図である。
【図２】図１に示すチップ型フィルタの分解斜視図であ
る。
る。
【図３】図１に示すチップ型フィルタの誘電体基板とパ
ターン電極とを示す平面図である。
ターン電極とを示す平面図である。
【図４】図１に示すチップ型フィルタの等価回路図であ
る。
る。
【図５】パターン電極の変形例を示す平面図である。
【図６】パターン電極の屈曲部を示す図解図である。
【図７】図１に示すチップ型フィルタの周波数特性を示
すグラフである。
すグラフである。
【図８】従来のチップ型フィルタの周波数特性を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図９】シールド電極を形成したチップ型フィルタの分
解斜視図である。
解斜視図である。
【図１０】図９に示すチップ型フィルタの周波数特性を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図１１】パターン電極の別の変形例を示す平面図であ
る。
る。
【図１２】この発明の他の実施例を示す等価回路図であ
る。
る。
【図１３】図１２に示すチップ型フィルタの周波数特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図１４】従来のチップ型フィルタの周波数特性を示す
グラフである。
グラフである。
【図１５】従来のチップ型フィルタの一例を示す斜視図
である。
である。
【図１６】従来のチップ型フィルタの他の例を示す平面
図である。
図である。
【符号の説明】 １０ チップ型フィルタ １２ 本体 １４ 誘電体基板 １６ アース電極 ２０ パターン電極 ２２ パターン電極 ２４ 入出力電極 ２６ 屈曲部 ２８ 入出力電極 ３０ 屈曲部 ３２，３４ 保護層 ３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄ 外部電極 ３８ シールド電極 ４０ 接着剤層 ４２ 誘電体基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川 口 正 彦 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (7)
- 【請求項１】 誘電体基板、 前記誘電体基板の一方面上に形成されるアース電極、 前記誘電体基板の他方面上に前記アース電極と対向して
形成され、その一端が前記アース電極に接続される渦巻
状の複数のパターン電極、およびそれぞれの前記パター
ン電極の一端と間隔を隔てて前記パターン電極から引き
出される入出力電極を含み、 前記パターン電極の一端と前記入出力電極との間に屈曲
部が形成され、かつ前記パターン電極の一端と前記入出
力電極とが前記誘電体基板の異なる辺に引き出された、
チップ型フィルタ。 - 【請求項２】 前記複数のパターン電極の一端側は、互
いに近接した位置に形成される、請求項１に記載のチッ
プ型フィルタ。 - 【請求項３】 前記複数のパターン電極の一端側の少な
くとも一部が接続された、請求項１または請求項２に記
載のチップ型フィルタ。 - 【請求項４】 前記複数のパターン電極の隣接する渦巻
状部分の２か所以上が近接した、請求項１ないし請求項
３のいずれかに記載のチップ型フィルタ。 - 【請求項５】 前記複数の入出力電極の少なくとも１か
所にインダクタンスを形成した、請求項１ないし請求項
４のいずれかに記載のチップ型フィルタ。 - 【請求項６】 前記パターン電極の屈曲部は円弧状に形
成され、前記屈曲部の内側の半径をＲ１、外側の半径を
Ｒ２としたとき、Ｒ２／Ｒ１＝２／１以上にした、請求
項１ないし請求項５のいずれかに記載のチップ型フィル
タ。 - 【請求項７】 さらに、前記パターン電極上に別の誘電
体基板を介してシールド電極が形成された、請求項１な
いし請求項６のいずれかに記載のチップ型フィルタ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07018494A JP3120682B2 (ja) | 1995-01-09 | 1995-01-09 | チップ型フィルタ |
| US08/584,297 US5955931A (en) | 1995-01-09 | 1996-01-11 | Chip type filter with electromagnetically coupled resonators |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07018494A JP3120682B2 (ja) | 1995-01-09 | 1995-01-09 | チップ型フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08191201A true JPH08191201A (ja) | 1996-07-23 |
| JP3120682B2 JP3120682B2 (ja) | 2000-12-25 |
Family
ID=11973180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07018494A Expired - Lifetime JP3120682B2 (ja) | 1995-01-09 | 1995-01-09 | チップ型フィルタ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5955931A (ja) |
| JP (1) | JP3120682B2 (ja) |
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