JP2949250B2 - チップ型フィルタ - Google Patents
チップ型フィルタInfo
- Publication number
- JP2949250B2 JP2949250B2 JP5234037A JP23403793A JP2949250B2 JP 2949250 B2 JP2949250 B2 JP 2949250B2 JP 5234037 A JP5234037 A JP 5234037A JP 23403793 A JP23403793 A JP 23403793A JP 2949250 B2 JP2949250 B2 JP 2949250B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- pattern
- dielectric substrate
- type filter
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/203—Strip line filters
- H01P1/20327—Electromagnetic interstage coupling
- H01P1/20354—Non-comb or non-interdigital filters
- H01P1/20381—Special shape resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/203—Strip line filters
- H01P1/20327—Electromagnetic interstage coupling
- H01P1/20354—Non-comb or non-interdigital filters
- H01P1/20372—Hairpin resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/08—Strip line resonators
- H01P7/082—Microstripline resonators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はチップ型フィルタに関
し、特にたとえば、１／４波長の共振器を用いたチップ
型フィルタに関する。
し、特にたとえば、１／４波長の共振器を用いたチップ
型フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】図２０はこの発明の背景となる従来の共
振器の一例を示す斜視図である。この共振器は、誘電体
基板１を含み、その一方面のほぼ全面にアース電極２が
形成される。そして、誘電体基板１の他方面には、アー
ス電極２と対向するようにして、直線状のパターン電極
３が形成される。このパターン電極３の一端は、誘電体
基板１の端面を介してアース電極２に接続される。これ
らの誘電体基板１，アース電極２およびパターン電極３
で、マイクロストリップラインが形成される。
振器の一例を示す斜視図である。この共振器は、誘電体
基板１を含み、その一方面のほぼ全面にアース電極２が
形成される。そして、誘電体基板１の他方面には、アー
ス電極２と対向するようにして、直線状のパターン電極
３が形成される。このパターン電極３の一端は、誘電体
基板１の端面を介してアース電極２に接続される。これ
らの誘電体基板１，アース電極２およびパターン電極３
で、マイクロストリップラインが形成される。
【０００３】また、このような共振器を用いて、図２１
に示すようなチップ型フィルタが形成される。このチッ
プ型フィルタでは、誘電体基板１の一方面のほぼ全面に
アース電極２が形成される。そして、誘電体基板１の他
方面上には、アース電極２と対向するようにして、２つ
のパターン電極３が形成される。これらのパターン電極
３の一端は、誘電体基板１の端面を介してアース電極２
に接続される。これらのパターン電極３は、互いに平行
になるように形成され、電磁気的に結合される。パター
ン電極３から誘電体基板１の端部に向かって、取出し電
極４が形成される。取出し電極４は、アース電極２に接
続されたパターン電極３の一端から間隔を隔てて形成さ
れる。このチップ型フィルタでは、２つのマイクロスト
リップラインが電磁気的に結合することにより、フィル
タが形成されている。
に示すようなチップ型フィルタが形成される。このチッ
プ型フィルタでは、誘電体基板１の一方面のほぼ全面に
アース電極２が形成される。そして、誘電体基板１の他
方面上には、アース電極２と対向するようにして、２つ
のパターン電極３が形成される。これらのパターン電極
３の一端は、誘電体基板１の端面を介してアース電極２
に接続される。これらのパターン電極３は、互いに平行
になるように形成され、電磁気的に結合される。パター
ン電極３から誘電体基板１の端部に向かって、取出し電
極４が形成される。取出し電極４は、アース電極２に接
続されたパターン電極３の一端から間隔を隔てて形成さ
れる。このチップ型フィルタでは、２つのマイクロスト
リップラインが電磁気的に結合することにより、フィル
タが形成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような共振器やチ
ップ型フィルタでは、パターン電極の一端がアース電極
に接続され、パターン電極の他端が開放されている。こ
れらの共振器やチップ型フィルタは、大きい誘電体基板
上に多数の電極を形成し、誘電体基板を切断したのち、
パターン電極とアース電極とを接続することにより形成
される。ところが、パターン電極とアース電極とは誘電
体基板の両面に形成されているため、誘電体基板の切断
位置のずれなどのためにパターン電極の開放端とアース
電極との間隔にばらつきがあり、それらの間に形成され
る静電容量が変わって、共振器やチップ型フィルタの特
性にもばらつきが生じる。
ップ型フィルタでは、パターン電極の一端がアース電極
に接続され、パターン電極の他端が開放されている。こ
れらの共振器やチップ型フィルタは、大きい誘電体基板
上に多数の電極を形成し、誘電体基板を切断したのち、
パターン電極とアース電極とを接続することにより形成
される。ところが、パターン電極とアース電極とは誘電
体基板の両面に形成されているため、誘電体基板の切断
位置のずれなどのためにパターン電極の開放端とアース
電極との間隔にばらつきがあり、それらの間に形成され
る静電容量が変わって、共振器やチップ型フィルタの特
性にもばらつきが生じる。
【０００５】また、共振器を使用するに際して、外部回
路とのインピーダンス整合をとることが望ましい。とこ
ろが、図２０に示すマイクロストリップライン共振器で
は、誘電体基板の比誘電率や寸法および各電極の寸法な
どによって特性インピーダンスが決定されるため、外部
回路との整合がとれない場合がある。そのため、インピ
ーダンス調整用のＬＣ部品を取り付けたり、トリミング
工程を入れたりして、外部回路とのインピーダンス整合
をとる必要がある。
路とのインピーダンス整合をとることが望ましい。とこ
ろが、図２０に示すマイクロストリップライン共振器で
は、誘電体基板の比誘電率や寸法および各電極の寸法な
どによって特性インピーダンスが決定されるため、外部
回路との整合がとれない場合がある。そのため、インピ
ーダンス調整用のＬＣ部品を取り付けたり、トリミング
工程を入れたりして、外部回路とのインピーダンス整合
をとる必要がある。
【０００６】それゆえに、この発明の主たる目的は、特
性のばらつきが少なく、製造時に簡単にインピーダンス
の調整をすることができる、チップ型フィルタを提供す
ることである。
性のばらつきが少なく、製造時に簡単にインピーダンス
の調整をすることができる、チップ型フィルタを提供す
ることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明のチップ型フィ
ルタは、誘電体基板と、誘電体基板の一方面上に面状に
形成されるアース電極と、誘電体基板の他方面上にアー
ス電極と対向して形成され、その一端が誘電体基板の１
つの辺においてアース電極に接続され、誘電体基板の１
つの辺から内側に向かってコ字状に形成されることによ
り中央部に電極のない部分が形成される複数のパターン
電極と、それぞれのパターン電極の一端と間隔を隔てて
パターン電極から引き出される取出し電極と、誘電体基
板の１つの辺においてアース電極に接続され、誘電体基
板の同一平面上でそれぞれのパターン電極の他端に共通
に対向するように形成される１つのガード電極とを含
み、複数のパターン電極が電磁気的に結合した、チップ
型フィルタである。このようなチップ型フィルタにおい
て、アース電極の上およびパターン電極と取出し電極と
ガード電極の上に保護層が形成される。また、別の誘電
体基板を介してパターン電極，取出し電極およびガード
電極に対向するように、シールド電極が形成されてもよ
い。このシールド電極は、他の電極と絶縁されることが
望ましい。さらに、複数のパターン電極は、誘電体基板
の１つの辺から内側に向かうにしたがって幅が狭くなる
ように形成されることが好ましい。
ルタは、誘電体基板と、誘電体基板の一方面上に面状に
形成されるアース電極と、誘電体基板の他方面上にアー
ス電極と対向して形成され、その一端が誘電体基板の１
つの辺においてアース電極に接続され、誘電体基板の１
つの辺から内側に向かってコ字状に形成されることによ
り中央部に電極のない部分が形成される複数のパターン
電極と、それぞれのパターン電極の一端と間隔を隔てて
パターン電極から引き出される取出し電極と、誘電体基
板の１つの辺においてアース電極に接続され、誘電体基
板の同一平面上でそれぞれのパターン電極の他端に共通
に対向するように形成される１つのガード電極とを含
み、複数のパターン電極が電磁気的に結合した、チップ
型フィルタである。このようなチップ型フィルタにおい
て、アース電極の上およびパターン電極と取出し電極と
ガード電極の上に保護層が形成される。また、別の誘電
体基板を介してパターン電極，取出し電極およびガード
電極に対向するように、シールド電極が形成されてもよ
い。このシールド電極は、他の電極と絶縁されることが
望ましい。さらに、複数のパターン電極は、誘電体基板
の１つの辺から内側に向かうにしたがって幅が狭くなる
ように形成されることが好ましい。
【０００８】
【作用】誘電体基板の同一面上において、複数のコ字状
のパターン電極の開放端と共通に対向してガード電極が
形成されているため、多数の電極を形成した誘電体基板
を切断しても、パターン電極とガード電極との間隔にば
らつきが少ない。ガード電極は誘電体基板の１つの辺に
おいてアース電極に接続されているため、パターン電極
とガード電極との間に形成される静電容量すなわちパタ
ーン電極とアース電極との間に形成される静電容量のば
らつきが少ない。また、インピーダンスは、アース電極
に接続されたパターン電極の一端と取出し電極との間の
距離によって決定される。
のパターン電極の開放端と共通に対向してガード電極が
形成されているため、多数の電極を形成した誘電体基板
を切断しても、パターン電極とガード電極との間隔にば
らつきが少ない。ガード電極は誘電体基板の１つの辺に
おいてアース電極に接続されているため、パターン電極
とガード電極との間に形成される静電容量すなわちパタ
ーン電極とアース電極との間に形成される静電容量のば
らつきが少ない。また、インピーダンスは、アース電極
に接続されたパターン電極の一端と取出し電極との間の
距離によって決定される。
【０００９】
【発明の効果】この発明によれば、誘電体基板の１つの
辺にガード電極が形成されることによって、複数のパタ
ーン電極の開放端とガード電極との間の静電容量のばら
つきが少なくなり、チップ型フィルタの特性のばらつき
を少なくすることができる。また、アース電極に接続さ
れたパターン電極の一端と取出し電極との間の距離を調
整することによって、チップ型フィルタのインピーダン
スを調整することができる。したがって、所望のインピ
ーダンスを得ることができ、外部回路とのインピーダン
ス整合をとるために、他のＬＣ部品などを使用する必要
がない。さらに、パターン電極をコ字状にすることによ
り、直線状のパターン電極を形成した場合に比べて小型
化が可能である。しかも、エッチングなどの方法を用い
て、各電極の寸法を正確に形成することができるため、
精度の高いチップ型フィルタを得ることができる。さら
に、１枚の誘電体基板に複数の電極パターンを正確に形
成することができるため、チップ型フィルタの量産が可
能であり、コストダウンを図ることができる。
辺にガード電極が形成されることによって、複数のパタ
ーン電極の開放端とガード電極との間の静電容量のばら
つきが少なくなり、チップ型フィルタの特性のばらつき
を少なくすることができる。また、アース電極に接続さ
れたパターン電極の一端と取出し電極との間の距離を調
整することによって、チップ型フィルタのインピーダン
スを調整することができる。したがって、所望のインピ
ーダンスを得ることができ、外部回路とのインピーダン
ス整合をとるために、他のＬＣ部品などを使用する必要
がない。さらに、パターン電極をコ字状にすることによ
り、直線状のパターン電極を形成した場合に比べて小型
化が可能である。しかも、エッチングなどの方法を用い
て、各電極の寸法を正確に形成することができるため、
精度の高いチップ型フィルタを得ることができる。さら
に、１枚の誘電体基板に複数の電極パターンを正確に形
成することができるため、チップ型フィルタの量産が可
能であり、コストダウンを図ることができる。
【００１０】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【００１１】
【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す平面図であ
り、図２および図３はそれぞれ線ＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩ
Ｉおよび線ＸＩＸ−ＸＩＸにおける断面図であり、図４
はその分解斜視図である。このチップ型フィルタ５０
は、矩形板状の第１の誘電体基板１２を含む。第１の誘
電体基板１２の一方面上には、図５，図６および図７に
示すように、ほぼ全面にアース電極１４が形成される。
さらに、第１の誘電体基板１２の他方面上には、アース
電極１４に対向して２つのパターン電極１６ａ，１６ｂ
が形成される。
り、図２および図３はそれぞれ線ＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩ
Ｉおよび線ＸＩＸ−ＸＩＸにおける断面図であり、図４
はその分解斜視図である。このチップ型フィルタ５０
は、矩形板状の第１の誘電体基板１２を含む。第１の誘
電体基板１２の一方面上には、図５，図６および図７に
示すように、ほぼ全面にアース電極１４が形成される。
さらに、第１の誘電体基板１２の他方面上には、アース
電極１４に対向して２つのパターン電極１６ａ，１６ｂ
が形成される。
【００１２】 パターン電極１６ａは、第１の誘電体基板
１２の一方側において、１つの辺から内側に向かってコ
字状に形成される。また、別のパターン電極１６ｂは、
第１の誘電体基板１２の他方側において、パターン電極
１６ａと同じ辺から内側に向かってコ字状に形成され
る。これらのパターン電極１６ａ，１６ｂは、第１の誘
電体基板１２の端部側から内側に向かうにしたがって、
その幅が小さくなるように形成される。
１２の一方側において、１つの辺から内側に向かってコ
字状に形成される。また、別のパターン電極１６ｂは、
第１の誘電体基板１２の他方側において、パターン電極
１６ａと同じ辺から内側に向かってコ字状に形成され
る。これらのパターン電極１６ａ，１６ｂは、第１の誘
電体基板１２の端部側から内側に向かうにしたがって、
その幅が小さくなるように形成される。
【００１３】 パターン電極１６ａから第１の誘電体基板
１２の端部に向かって、取出し電極１８ａが引き出され
る。取出し電極１８ａは、第１の誘電体基板１２の辺に
引き出されたパターン電極１６ａの一端から所定の間隔
を隔てて形成される。同様に、パターン電極１６ｂから
第１の誘電体基板１２の端部に向かって、取出し電極１
８ｂが引き出される。取出し電極１８ｂは、第１の誘電
体基板１２の辺に引き出されたパターン電極１６ｂの一
端から所定の間隔を隔てて形成される。
１２の端部に向かって、取出し電極１８ａが引き出され
る。取出し電極１８ａは、第１の誘電体基板１２の辺に
引き出されたパターン電極１６ａの一端から所定の間隔
を隔てて形成される。同様に、パターン電極１６ｂから
第１の誘電体基板１２の端部に向かって、取出し電極１
８ｂが引き出される。取出し電極１８ｂは、第１の誘電
体基板１２の辺に引き出されたパターン電極１６ｂの一
端から所定の間隔を隔てて形成される。
【００１４】 さらに、第１の誘電体基板１２の他方面上
には、パターン電極１６ａ，１６ｂの内側の端部に対向
するように、ガード電極２０が形成される。このガード
電極２０は、第１の誘電体基板１２の端部に引き出され
る。これらのパターン電極１６ａ，１６ｂ，取出し電極
１８ａ，１８ｂおよびガード電極２０の上には、ポリイ
ミド層などの接着剤層２２が形成される。この接着剤層
２２上には、第２の誘電体基板２４が形成される。さら
に、図８，図９および図１０に示すように、第２の誘電
体基板２４上には、ほぼ全面にシールド電極２８が形成
される。そして、アース電極１４およびシールド電極２
８を覆うようにして、保護層３０，３２が形成される。
このとき、保護層３０，３２は、取出し電極１８ａ，１
８ｂの引き出された方向を除いて、アース電極１４およ
びシールド電極２８の端部が露出するように形成され
る。
には、パターン電極１６ａ，１６ｂの内側の端部に対向
するように、ガード電極２０が形成される。このガード
電極２０は、第１の誘電体基板１２の端部に引き出され
る。これらのパターン電極１６ａ，１６ｂ，取出し電極
１８ａ，１８ｂおよびガード電極２０の上には、ポリイ
ミド層などの接着剤層２２が形成される。この接着剤層
２２上には、第２の誘電体基板２４が形成される。さら
に、図８，図９および図１０に示すように、第２の誘電
体基板２４上には、ほぼ全面にシールド電極２８が形成
される。そして、アース電極１４およびシールド電極２
８を覆うようにして、保護層３０，３２が形成される。
このとき、保護層３０，３２は、取出し電極１８ａ，１
８ｂの引き出された方向を除いて、アース電極１４およ
びシールド電極２８の端部が露出するように形成され
る。
【００１５】 このチップ型フィルタ５０の対向する側面
には、６つの端子電極３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４
ｄ，３４ｅおよび３４ｆが形成される。これらの端子電
極３４ａ〜３４ｆは、取出し電極１８ａ，１８ｂが引き
出されていない側面に形成される。そして、１つの端子
電極３４ａによって、パターン電極１６ａ，アース電極
１４およびシールド電極２８が接続される。同様に、端
子電極３４ｃによって、別のパターン電極１６ｂ，アー
ス電極１４およびシールド電極２８が接続される。ま
た、端子電極３４ｂによって、ガード電極２０，アース
電極１４およびシールド電極２８が接続される。他の端
子電極３４ｄ，３４ｅ，３４ｆは、それぞれアース電極
１４およびシールド電極２８に接続される。
には、６つの端子電極３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４
ｄ，３４ｅおよび３４ｆが形成される。これらの端子電
極３４ａ〜３４ｆは、取出し電極１８ａ，１８ｂが引き
出されていない側面に形成される。そして、１つの端子
電極３４ａによって、パターン電極１６ａ，アース電極
１４およびシールド電極２８が接続される。同様に、端
子電極３４ｃによって、別のパターン電極１６ｂ，アー
ス電極１４およびシールド電極２８が接続される。ま
た、端子電極３４ｂによって、ガード電極２０，アース
電極１４およびシールド電極２８が接続される。他の端
子電極３４ｄ，３４ｅ，３４ｆは、それぞれアース電極
１４およびシールド電極２８に接続される。
【００１６】 さらに、チップ型フィルタ５０の取出し電
極１８ａが引き出された側面には取出し端子電極３６ａ
が形成され、取出し電極１８ｂが引き出された側面には
取出し端子電極３６ｂが形成される。そして、取出し端
子電極３６ａは取出し電極１８ａに接続され、取出し端
子電極３６ｂは取出し電極１８ｂに接続される。このチ
ップ型フィルタ５０の入出力インピーダンスは、端子電
極３４ａに接続されたパターン電極１６ａの一端と取出
し電極１８ａとの間隔、および端子電極３４ｃに接続さ
れたパターン電極１６ｂの一端と取出し電極１８ｂとの
間隔によって決定される。
極１８ａが引き出された側面には取出し端子電極３６ａ
が形成され、取出し電極１８ｂが引き出された側面には
取出し端子電極３６ｂが形成される。そして、取出し端
子電極３６ａは取出し電極１８ａに接続され、取出し端
子電極３６ｂは取出し電極１８ｂに接続される。このチ
ップ型フィルタ５０の入出力インピーダンスは、端子電
極３４ａに接続されたパターン電極１６ａの一端と取出
し電極１８ａとの間隔、および端子電極３４ｃに接続さ
れたパターン電極１６ｂの一端と取出し電極１８ｂとの
間隔によって決定される。
【００１７】 このチップ型フィルタ５０では、コンデン
サパターンが形成されていないが、図１１に示す等価回
路を有する。これは、このチップ型フィルタ５０の構造
がストリップライン構造であるために、パターン電極１
６ａ，１６ｂとアース電極１４との間に静電容量が形成
されるためである。なお、図１１に示す等価回路におい
て、ＣＸおよびＭは電磁気的な結合を示す。このよう
に、このチップ型フィルタ５０では、２つの共振器が電
磁気的に結合することにより、フィルタが形成されてい
る。第１の誘電体基板１２の材料として比誘電率が１０
０のものを使用し、第２の誘電体基板２４の材料として
比誘電率が２０のものを使用してチップ型フィルタ５０
を形成し、その周波数特性を図１２に示した。このチッ
プ型フィルタ５０において、パターン電極１６ａ，１６
ｂの面積をＳ１とし、パターン電極１６ａ，１６ｂの中
央部の電極が形成されていない部分の面積をＳ２とした
とき、面積比Ｓ２／Ｓ１を大きくし、パターン電極１６
ａ，１６ｂの幅を変化させることによって、Ｑの大きい
特性を有するフィルタを得ることができる。
サパターンが形成されていないが、図１１に示す等価回
路を有する。これは、このチップ型フィルタ５０の構造
がストリップライン構造であるために、パターン電極１
６ａ，１６ｂとアース電極１４との間に静電容量が形成
されるためである。なお、図１１に示す等価回路におい
て、ＣＸおよびＭは電磁気的な結合を示す。このよう
に、このチップ型フィルタ５０では、２つの共振器が電
磁気的に結合することにより、フィルタが形成されてい
る。第１の誘電体基板１２の材料として比誘電率が１０
０のものを使用し、第２の誘電体基板２４の材料として
比誘電率が２０のものを使用してチップ型フィルタ５０
を形成し、その周波数特性を図１２に示した。このチッ
プ型フィルタ５０において、パターン電極１６ａ，１６
ｂの面積をＳ１とし、パターン電極１６ａ，１６ｂの中
央部の電極が形成されていない部分の面積をＳ２とした
とき、面積比Ｓ２／Ｓ１を大きくし、パターン電極１６
ａ，１６ｂの幅を変化させることによって、Ｑの大きい
特性を有するフィルタを得ることができる。
【００１８】 チップ型フィルタ５０の周波数帯域幅は、
２つのパターン電極１６ａ，１６ｂの間隔を変えること
により調整することができる。このようなチップ型フィ
ルタ５０において、パターン電極１６ａ，１６ｂ間の距
離を変えて、−３ｄＢ帯域幅を測定し、その結果を図１
３に示した。図１３からわかるように、パターン電極間
の距離を小さくすると帯域幅は広くなり、パターン電極
間の距離を大きくすると帯域幅は狭くなる。ただし、パ
ターン電極間の距離を必要以上に狭くすると、双峰特性
となるので好ましくない。
２つのパターン電極１６ａ，１６ｂの間隔を変えること
により調整することができる。このようなチップ型フィ
ルタ５０において、パターン電極１６ａ，１６ｂ間の距
離を変えて、−３ｄＢ帯域幅を測定し、その結果を図１
３に示した。図１３からわかるように、パターン電極間
の距離を小さくすると帯域幅は広くなり、パターン電極
間の距離を大きくすると帯域幅は狭くなる。ただし、パ
ターン電極間の距離を必要以上に狭くすると、双峰特性
となるので好ましくない。
【００１９】 また、このチップ型フィルタ５０では、パ
ターン電極１６ａの一端と取出し電極１８ａとの間隔、
およびパターン電極１６ｂの一端と取出し電極１８ｂと
の間隔を調整することにより、入出力インピーダンスを
調整することができるため、容易に外部回路とのインピ
ーダンス整合をとることができる。
ターン電極１６ａの一端と取出し電極１８ａとの間隔、
およびパターン電極１６ｂの一端と取出し電極１８ｂと
の間隔を調整することにより、入出力インピーダンスを
調整することができるため、容易に外部回路とのインピ
ーダンス整合をとることができる。
【００２０】 また、このチップ型フィルタ５０では、パ
ターン電極１６ａ，１６ｂがコ字状であるため、直線状
のパターン電極を有するフィルタに比べて、小型化が可
能である。さらに、直線状のパターン電極を有するフィ
ルタに比べて、２つのパターン電極の隣接する部分が短
い。そのため、２つの共振器の電磁気的な結合が小さ
く、２つのパターン電極間の距離を小さくすることがで
きる。したがって、さらにチップ型フィルタの小型化を
図ることができる。このようなチップ型フィルタとし
て、３．２×１．６ｍｍの超小型のバンドパスフィルタ
を得ることができた。
ターン電極１６ａ，１６ｂがコ字状であるため、直線状
のパターン電極を有するフィルタに比べて、小型化が可
能である。さらに、直線状のパターン電極を有するフィ
ルタに比べて、２つのパターン電極の隣接する部分が短
い。そのため、２つの共振器の電磁気的な結合が小さ
く、２つのパターン電極間の距離を小さくすることがで
きる。したがって、さらにチップ型フィルタの小型化を
図ることができる。このようなチップ型フィルタとし
て、３．２×１．６ｍｍの超小型のバンドパスフィルタ
を得ることができた。
【００２１】 また、このチップ型フィルタ５０では、第
１の誘電体基板１２の同一面上で、パターン電極１６
ａ，１６ｂの開放端と共通に対向してガード電極２０が
形成されているため、多数の電極を形成した誘電体基板
を切断しても、パターン電極１６ａ，１６ｂの開放端と
ガード電極２０との間の距離が固定化される。そして、
ガード電極２０はアース電極１４に接続されているた
め、パターン電極１６ａ，１６ｂの開放端とガード電極
２０との間に生じる静電容量にばらつきが少ない。した
がって、チップ型フィルタ５０の特性のばらつきも少な
くすることができる。
１の誘電体基板１２の同一面上で、パターン電極１６
ａ，１６ｂの開放端と共通に対向してガード電極２０が
形成されているため、多数の電極を形成した誘電体基板
を切断しても、パターン電極１６ａ，１６ｂの開放端と
ガード電極２０との間の距離が固定化される。そして、
ガード電極２０はアース電極１４に接続されているた
め、パターン電極１６ａ，１６ｂの開放端とガード電極
２０との間に生じる静電容量にばらつきが少ない。した
がって、チップ型フィルタ５０の特性のばらつきも少な
くすることができる。
【００２２】 また、パターン電極から引き出される取出
し電極の形成位置を変えることにより、チップ型フィル
タの入出力インピーダンスを調整することができる。し
かも、エッチングなどの方法を用いて、各電極の寸法を
正確に形成することができるため、精度の高いチップ型
フィルタを得ることができる。実験では、チップ型フィ
ルタの中心周波数のばらつきを±１．０％以下にするこ
とができた。さらに、１枚の誘電体基板に複数の電極パ
ターンを正確に形成することができるため、チップ型フ
ィルタの量産が可能であり、コストダウンを図ることが
できる。
し電極の形成位置を変えることにより、チップ型フィル
タの入出力インピーダンスを調整することができる。し
かも、エッチングなどの方法を用いて、各電極の寸法を
正確に形成することができるため、精度の高いチップ型
フィルタを得ることができる。実験では、チップ型フィ
ルタの中心周波数のばらつきを±１．０％以下にするこ
とができた。さらに、１枚の誘電体基板に複数の電極パ
ターンを正確に形成することができるため、チップ型フ
ィルタの量産が可能であり、コストダウンを図ることが
できる。
【００２３】 さらに、図１４に示すように、シールド電
極２８を保護層３２より小さくし、他の電極から絶縁さ
れた状態にしてもよい。シールド電極２８がアース電極
１４に接続されていると、パターン電極１６ａ，１６ｂ
とシールド電極２８との間に形成される静電容量が接地
され、パターン電極１６ａ，１６ｂ間の電界結合が小さ
くなって、特性が劣化する場合がある。しかしながら、
シールド電極２８が他の電極と絶縁状態にあると、パタ
ーン電極１６ａ，１６ｂとシールド電極２８との間に形
成される静電容量が接地されない。したがって、十分な
電界結合を得ることができ、特性の優れたチップ型フィ
ルタを得ることができる。
極２８を保護層３２より小さくし、他の電極から絶縁さ
れた状態にしてもよい。シールド電極２８がアース電極
１４に接続されていると、パターン電極１６ａ，１６ｂ
とシールド電極２８との間に形成される静電容量が接地
され、パターン電極１６ａ，１６ｂ間の電界結合が小さ
くなって、特性が劣化する場合がある。しかしながら、
シールド電極２８が他の電極と絶縁状態にあると、パタ
ーン電極１６ａ，１６ｂとシールド電極２８との間に形
成される静電容量が接地されない。したがって、十分な
電界結合を得ることができ、特性の優れたチップ型フィ
ルタを得ることができる。
【００２４】 また、図１５に示すように、シールド電極
が形成されていなくてもよい。この場合、パターン電極
１６ａ，１６ｂ，取出し電極１８ａ，１８ｂおよびガー
ド電極２０の上に保護層３２が形成される。シールド電
極が形成されたフィルタでは、２つの共振器間の磁界が
シールド電極によって邪魔され、共振器間の磁界結合が
小さくなる場合がある。このような場合、チップ型フィ
ルタの特性が劣化する恐れがある。しかしながら、この
チップ型フィルタ５０では、シールド電極が形成されて
いないため、共振器間の磁界が邪魔されず、十分な磁界
結合を得ることができる。したがって、特性の優れたチ
ップ型フィルタを得ることができる。−３ｄＢ帯域幅が
２００ＭＨｚ，中心周波数３．２ＧＨｚのフィルタにつ
いて、シールド電極があるものと比較すると、挿入損失
を約０．２〜０．５ｄＢ低減することができた。
が形成されていなくてもよい。この場合、パターン電極
１６ａ，１６ｂ，取出し電極１８ａ，１８ｂおよびガー
ド電極２０の上に保護層３２が形成される。シールド電
極が形成されたフィルタでは、２つの共振器間の磁界が
シールド電極によって邪魔され、共振器間の磁界結合が
小さくなる場合がある。このような場合、チップ型フィ
ルタの特性が劣化する恐れがある。しかしながら、この
チップ型フィルタ５０では、シールド電極が形成されて
いないため、共振器間の磁界が邪魔されず、十分な磁界
結合を得ることができる。したがって、特性の優れたチ
ップ型フィルタを得ることができる。−３ｄＢ帯域幅が
２００ＭＨｚ，中心周波数３．２ＧＨｚのフィルタにつ
いて、シールド電極があるものと比較すると、挿入損失
を約０．２〜０．５ｄＢ低減することができた。
【００２５】 このチップ型フィルタ５０の周波数特性
が、図１６に示される。また、２つのパターン電極１６
ａ，１６ｂ間の距離と−３ｄＢ帯域幅との関係が、図１
７に示される。図１６に示すように、このチップ型フィ
ルタ５０では、Ｑの高い特性を得ることができる。ま
た、図１７に示すように、パターン電極１６ａ，１６ｂ
間の距離を小さくすることによって、帯域幅を大きくす
ることができるが、必要以上に距離が小さくなると双峰
特性となるので好ましくない。
が、図１６に示される。また、２つのパターン電極１６
ａ，１６ｂ間の距離と−３ｄＢ帯域幅との関係が、図１
７に示される。図１６に示すように、このチップ型フィ
ルタ５０では、Ｑの高い特性を得ることができる。ま
た、図１７に示すように、パターン電極１６ａ，１６ｂ
間の距離を小さくすることによって、帯域幅を大きくす
ることができるが、必要以上に距離が小さくなると双峰
特性となるので好ましくない。
【００２６】 また、このチップ型フィルタ５０では、１
枚の誘電体基板上に全ての電極を形成することができ、
構造的にばらつきを少なくすることができる。さらに、
構造が簡単であるため、安価にチップ型フィルタを製造
することができる。
枚の誘電体基板上に全ての電極を形成することができ、
構造的にばらつきを少なくすることができる。さらに、
構造が簡単であるため、安価にチップ型フィルタを製造
することができる。
【００２７】 シールド電極が絶縁されたチップ型フィル
タやシールド電極の形成されていないチップ型フィルタ
においても、ガード電極２０が形成されていることによ
り、パターン電極１６ａ，１６ｂの開放端とガード電極
２０間の静電容量を固定化することができ、特性のばら
つきの少ないフィルタを得ることができる。
タやシールド電極の形成されていないチップ型フィルタ
においても、ガード電極２０が形成されていることによ
り、パターン電極１６ａ，１６ｂの開放端とガード電極
２０間の静電容量を固定化することができ、特性のばら
つきの少ないフィルタを得ることができる。
【００２８】 上述の実施例では、パターン電極の幅が変
わるように形成され、また面積比Ｓ２／Ｓ１が大きくな
るように形成されているが、パターン電極の幅が一定で
面積比Ｓ２／Ｓ１が小さいチップ型フィルタでも、ガー
ド電極を形成することにより、特性のばらつきの少ない
チップ型フィルタを得ることができる。さらに、パター
ン電極の形状としては、直線状など他の形状であっても
よく、開放端に対向してガード電極を形成することによ
り、特性のばらつきの少ないチップ型フィルタを得るこ
とができる。また、高周波域での放射損を低減または反
射損失を改善するために、パターン電極の折り曲げ部を
図１８または図１９に示すように形成してもよい。図１
８では、パターン電極の折れ曲がった部分の外周側を斜
めに形成しており、図１９では、パターン電極の折り曲
げ部を円弧状に形成している。
わるように形成され、また面積比Ｓ２／Ｓ１が大きくな
るように形成されているが、パターン電極の幅が一定で
面積比Ｓ２／Ｓ１が小さいチップ型フィルタでも、ガー
ド電極を形成することにより、特性のばらつきの少ない
チップ型フィルタを得ることができる。さらに、パター
ン電極の形状としては、直線状など他の形状であっても
よく、開放端に対向してガード電極を形成することによ
り、特性のばらつきの少ないチップ型フィルタを得るこ
とができる。また、高周波域での放射損を低減または反
射損失を改善するために、パターン電極の折り曲げ部を
図１８または図１９に示すように形成してもよい。図１
８では、パターン電極の折れ曲がった部分の外周側を斜
めに形成しており、図１９では、パターン電極の折り曲
げ部を円弧状に形成している。
【図１】 この発明のチップ型フィルタの一例を示す平面
図である。
図である。
【図２】 図１ に示すチップ型フィルタの線ＸＶＩＩＩ−
ＸＶＩＩＩにおける断面図である。
ＸＶＩＩＩにおける断面図である。
【図３】 図１ に示すチップ型フィルタの線ＸＩＸ−ＸＩ
Ｘにおける断面図である。
Ｘにおける断面図である。
【図４】 図１ に示すチップ型フィルタの分解斜視図であ
る。
る。
【図５】 図１ に示すチップ型フィルタの第１の誘電体基
板を示す平面図である。
板を示す平面図である。
【図６】 図５ に示す第１の誘電体基板の側面図である。
【図７】 図５ に示す第１の誘電体基板の裏面図である。
【図８】 図１ に示すチップ型フィルタの第２の誘電体基
板を示す平面図である。
板を示す平面図である。
【図９】 図８ に示す第２の誘電体基板の側面図である。
【図１０】 図８ に示す第２の誘電体基板の裏面図であ
る。
る。
【図１１】 図１ に示すチップ型フィルタの等価回路図で
ある。
ある。
【図１２】 図１ に示すチップ型フィルタの周波数特性を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図１３】 図１ に示すチップ型フィルタのパターン電極
間の距離と−３ｄＢ帯域幅との関係を示すグラフであ
る。
間の距離と−３ｄＢ帯域幅との関係を示すグラフであ
る。
【図１４】 この発明のチップ型フィルタの他の実施例を
示す分解斜視図である。
示す分解斜視図である。
【図１５】 この発明のチップ型フィルタのさらに他の実
施例を示す分解斜視図である。
施例を示す分解斜視図である。
【図１６】 図１５ に示すチップ型フィルタの周波数特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図１７】 図１５ に示すチップ型フィルタのパターン電
極間の距離と−３ｄＢ帯域幅との関係を示すグラフであ
る。
極間の距離と−３ｄＢ帯域幅との関係を示すグラフであ
る。
【図１８】 パターン電極の折り曲げ部の変形例を示す図
解図である。
解図である。
【図１９】 パターン電極の折り曲げ部のさらに変形例を
示す図解図である。
示す図解図である。
【図２０】 この発明の背景となる従来の共振器を示す図
解図である。
解図である。
【図２１】 この発明の背景となる従来のフィルタを示す
図解図である。
図解図である。
１２ 第１の誘電体基板 １４ アース電極 １６ａ，１６ｂ パターン電極 １８ａ，１８ｂ 取出し電極 ２０ ガード電極 ２４ 第２の誘電体基板 ２８ シールド電極 ３４ａ〜３４ｆ 端子電極 ３６ａ，３６ｂ 取出し端子電極５０ チップ型フィルタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−95202（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−199010（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−43792（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−243810（ＪＰ，Ａ) 実願 昭54−180010号（実開 昭56− 96703号）の願書に添付した明細書及び 図面の内容を撮影したマイクロフィルム （ＪＰ，Ｕ)
Claims (5)
- 【請求項１】 誘電体基板、 前記誘電体基板の一方面上に面状に形成されるアース電
極、 前記誘電体基板の他方面上に前記アース電極と対向して
形成され、その一端が前記誘電体基板の１つの辺におい
て前記アース電極に接続され、前記誘電体基板の前記１
つの辺から内側に向かってコ字状に形成されることによ
り中央部に電極のない部分が形成される複数のパターン
電極、 それぞれの前記パターン電極の一端と間隔を隔てて前記
パターン電極から引き出される取出し電極、および前記
誘電体基板の前記１つの辺において前記アース電極に接
続され、前記誘電体基板の同一平面上でそれぞれの前記
パターン電極の他端に共通に対向するように形成される
１つのガード電極を含み、 複数の前記パターン電極が電磁気的に結合した、チップ
型フィルタ。 - 【請求項２】 前記アース電極の上および前記パターン
電極と前記取出し電極と前記ガード電極の上に形成され
る保護層を含む、請求項１のチップ型フィルタ。 - 【請求項３】 別の誘電体基板を介して前記パターン電
極，前記取出し電極および前記ガード電極に対向するシ
ールド電極が形成された、請求項１のチップ型フィル
タ。 - 【請求項４】 前記シールド電極は他の電極と絶縁され
た、請求項３のチップ型フィルタ。 - 【請求項５】 複数の前記パターン電極は、前記誘電体
基板の前記１つの辺から内側に向かうにしたがって幅が
狭くなるように形成される、請求項１ないし請求項４の
いずれかのチップ型フィルタ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5234037A JP2949250B2 (ja) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | チップ型フィルタ |
| US08/294,445 US5521564A (en) | 1993-08-25 | 1994-08-23 | Resonator and chip-type filter using it |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5234037A JP2949250B2 (ja) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | チップ型フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766605A JPH0766605A (ja) | 1995-03-10 |
| JP2949250B2 true JP2949250B2 (ja) | 1999-09-13 |
Family
ID=16964580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5234037A Expired - Fee Related JP2949250B2 (ja) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | チップ型フィルタ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5521564A (ja) |
| JP (1) | JP2949250B2 (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3120682B2 (ja) * | 1995-01-09 | 2000-12-25 | 株式会社村田製作所 | チップ型フィルタ |
| US5949304A (en) * | 1997-10-16 | 1999-09-07 | Motorola, Inc. | Multilayer ceramic package with floating element to couple transmission lines |
| US6069541A (en) * | 1998-03-18 | 2000-05-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency filter, with an inductor for forming a pole, complex electronic component using the same, and portable radio apparatus using the same |
| US6429753B1 (en) * | 1998-03-18 | 2002-08-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency filter, complex electronic component using the same, and portable radio apparatus using the same |
| US6323745B1 (en) * | 1999-09-09 | 2001-11-27 | Qualcomm Inc. | Planar bandpass filter |
| US6987307B2 (en) * | 2002-06-26 | 2006-01-17 | Georgia Tech Research Corporation | Stand-alone organic-based passive devices |
| US7260890B2 (en) * | 2002-06-26 | 2007-08-28 | Georgia Tech Research Corporation | Methods for fabricating three-dimensional all organic interconnect structures |
| US6900708B2 (en) * | 2002-06-26 | 2005-05-31 | Georgia Tech Research Corporation | Integrated passive devices fabricated utilizing multi-layer, organic laminates |
| US7489914B2 (en) * | 2003-03-28 | 2009-02-10 | Georgia Tech Research Corporation | Multi-band RF transceiver with passive reuse in organic substrates |
| US7901870B1 (en) | 2004-05-12 | 2011-03-08 | Cirrex Systems Llc | Adjusting optical properties of optical thin films |
| US8345433B2 (en) * | 2004-07-08 | 2013-01-01 | Avx Corporation | Heterogeneous organic laminate stack ups for high frequency applications |
| US7565084B1 (en) | 2004-09-15 | 2009-07-21 | Wach Michael L | Robustly stabilizing laser systems |
| US7321284B2 (en) * | 2006-01-31 | 2008-01-22 | Tdk Corporation | Miniature thin-film bandpass filter |
| JP4539870B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2010-09-08 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜デバイス |
| US7439840B2 (en) | 2006-06-27 | 2008-10-21 | Jacket Micro Devices, Inc. | Methods and apparatuses for high-performing multi-layer inductors |
| US7808434B2 (en) * | 2006-08-09 | 2010-10-05 | Avx Corporation | Systems and methods for integrated antennae structures in multilayer organic-based printed circuit devices |
| US7989895B2 (en) * | 2006-11-15 | 2011-08-02 | Avx Corporation | Integration using package stacking with multi-layer organic substrates |
| JP4807456B2 (ja) * | 2007-07-13 | 2011-11-02 | 株式会社村田製作所 | マイクロストリップラインフィルタおよびその製造方法 |
| WO2009011167A1 (ja) | 2007-07-17 | 2009-01-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | マイクロストリップラインフィルタ |
| CN101889367A (zh) * | 2007-12-19 | 2010-11-17 | 株式会社村田制作所 | 带状线滤波器及其制造方法 |
| KR101714483B1 (ko) * | 2015-05-15 | 2017-03-09 | 주식회사 이너트론 | 공진 소자 및 이를 포함하는 필터 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69320521T2 (de) * | 1992-04-16 | 1999-02-25 | Murata Manufacturing Co | Tiefpass-Hochfrequenzfilter |
| JPH06104A (ja) * | 1992-06-18 | 1994-01-11 | Mizuho Kogei:Kk | 石留め装置 |
| JP3356312B2 (ja) * | 1992-10-08 | 2002-12-16 | 株式会社村田製作所 | ストリップラインフィルタ |
-
1993
- 1993-08-25 JP JP5234037A patent/JP2949250B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-08-23 US US08/294,445 patent/US5521564A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0766605A (ja) | 1995-03-10 |
| US5521564A (en) | 1996-05-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2949250B2 (ja) | チップ型フィルタ | |
| JP3120682B2 (ja) | チップ型フィルタ | |
| EP0444948B1 (en) | Dielectric resonator and a filter using same | |
| US4894629A (en) | Bandpass filter having magnetically coupled resonators | |
| US4754242A (en) | Resonator | |
| JPH07193403A (ja) | 共振器 | |
| JPH0481885B2 (ja) | ||
| JPH03212001A (ja) | 誘電体フィルタ | |
| EP0948830A1 (en) | Dielectric filter and method for adjusting bandpass characteristics of same | |
| US5300903A (en) | Band-pass filter | |
| WO1994002971A1 (en) | Dielectric filter and shield therefor | |
| US5400000A (en) | Band-pass filter having two loop-shaped electrodes | |
| JPH0793523B2 (ja) | 誘電体帯域阻止フィルタ | |
| US6894584B2 (en) | Thin film resonators | |
| US5381117A (en) | Resonator having loop-shaped electrode | |
| JP3008757B2 (ja) | 高周波フィルタ | |
| JP2869915B2 (ja) | チップ型フィルタ | |
| JP2780166B2 (ja) | ストリップラインフィルタの帯域幅調整方法 | |
| EP1174943B1 (en) | Dual mode band-pass filter | |
| JP2820001B2 (ja) | チップ型フィルタ | |
| JP2869914B2 (ja) | 共振器 | |
| JP2737062B2 (ja) | ストリップラインフィルタ | |
| JP2884878B2 (ja) | 共振器 | |
| JP2666094B2 (ja) | 誘電体帯域阻止フィルタ | |
| JP3023945B2 (ja) | 高周波フィルタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080709 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090709 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090709 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100709 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100709 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110709 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |