JPH10209706A - 積層フィルタ - Google Patents
積層フィルタInfo
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- JPH10209706A JPH10209706A JP9006000A JP600097A JPH10209706A JP H10209706 A JPH10209706 A JP H10209706A JP 9006000 A JP9006000 A JP 9006000A JP 600097 A JP600097 A JP 600097A JP H10209706 A JPH10209706 A JP H10209706A
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Abstract
挿入損失を劣化させなくても、通過帯域外において十分
な減衰量が得られるようにして、フィルタ性能を向上し
た積層フィルタを提供することを目的とするものであ
る。 【解決手段】 誘電体13上に設けたストリップライン
13Aの接地部13Bと接地電極20を接続する接続パ
ターン13Cのストリップライン長方向に垂直方向の線
路幅を、前記ストリップライン13Aの最小線路幅以下
として、共振器接地部とアース間にインダクタンスL1
を形成し、2つまたはそれ以上の通過帯域間のアドミタ
ンスが0となるポイントを作り、減衰極を形成し、通過
帯域内の挿入損失を劣化することなく減衰量を十分得
て、フィルタを高性能化した。
Description
回路部に使用される積層フィルタに関するものである。
は図6に示されるように、2つの通過帯域、すなわち低
域側通過帯域1と高域側通過帯域2を有しており、低域
側通過帯域1および高域側通過帯域2のインピーダンス
整合をとるために、図7に示すバンドパスフィルタ3
1,32を設計しており、それぞれの通過帯域が互いに
影響を及ぼさないようにインピーダンス整合を図るだけ
で、低域側通過帯域1と高域側通過帯域2の間の帯域3
については、考慮していなかった。
となるのは、低域側通過帯域1および高域側通過帯域2
のインピーダンス整合のみを考慮しているため、前記低
域側通過帯域1と前記高域側通過帯域2の間の帯域3に
ついては減衰量が十分得られないため、携帯電話の高周
波回路部の性能劣化が起こるという問題があった。
域1および高域側通過帯域2の挿入損失を劣化させるこ
となく前記低域側通過帯域1と前記高域側通過帯域2の
間の帯域3の減衰量を十分得ることを目的とするもので
ある。
るために本発明は、前記低域側通過帯域1と前記高域側
通過帯域2の間の帯域3に減衰極4を形成し、より大き
な減衰量が得られるようにしたものである。
は、2つまたはそれ以上の通過帯域の間の帯域に減衰極
を有する積層フィルタであり、通過帯域内の挿入損失を
劣化させることなく通過帯域外の減衰量を十分得られる
という作用を有する。
以上の通過帯域を有する積層フィルタであり、低域側通
過帯域の低域側近傍に減衰極をもち、通過帯域内の挿入
損失を劣化させることなく通過帯域外の減衰量を十分得
られるという作用を有する。
以上の通過帯域を有する積層フィルタであり、高域側通
過帯域の高域側近傍に減衰極をもち、通過帯域内の挿入
損失を劣化させることなく通過帯域外の減衰量を十分得
られるという作用を有する。
パターンを有する誘電体の間に複数のストリップライン
を有する誘電体と上記複数のストリップラインに対向す
る結合部をもつ入出力容量パターンを有する誘電体層と
を配し、入出力容量パターンに接続された端面電極を形
成し、上記ストリップラインの接地部と接地電極を接続
する接続パターンが形成されており、前記接続パターン
のストリップライン長方向に垂直方向の線路幅を、スト
リップラインの最小線路幅以下として、共振器接地部と
アース間にインダクタンス成分を形成し、2つまたはそ
れ以上の通過帯域間のアドミタンスを0として、減衰極
を得て減衰量を十分得られるという作用を有する。
をストリップライン長方向に垂直方向のストリップライ
ンの最小線路幅以下とし、共振器接地部とアース間にイ
ンダクタンス成分を形成し、2つまたはそれ以上の通過
帯域間のアドミタンスを0として、減衰極を得て減衰量
を十分得るという作用を有する。
を図1,図2,図3,図4を用いて説明する。
ルタの通過特性であり、図2は同実施の形態におけるフ
ィルタの斜視図を示し、図3はその分解斜視図、図4は
その等価回路を示している。
10層の誘電体10〜19を積層した構成を有してお
り、誘電体11,16,19の上面にはそれぞれシール
ドパターン11A,16A,19Aが設けられている。
また誘電体12の上面には入出力容量パターン12Aと
ローディング容量パターン12Bが、誘電体14の上面
には入出力容量パターン14Aと段間容量パターン14
Bがそれぞれ設けられ、さらに誘電体13の上面には共
振器A,Bを構成するストリップライン13A,13D
が設けられている。また、図2に示すように積層フィル
タの両側面には入出力容量パターン12A,14Aのそ
れぞれにつながる端面電極20A,20Bが設けられて
いる。
4Aはストリップライン13A,13Dと誘電体12お
よび誘電体13を介して対向して設けられており、図4
の等価回路で示される入出力コンデンサC1を構成して
いる。同様に、ローディング容量パターン12Bはスト
リップライン13A,13Dと誘電体12を介して対向
することにより、ローディングコンデンサC2を構成
し、さらに段間容量パターン14Bはストリップライン
13A,13Dと誘電体13を介して対向することによ
り、段間コンデンサC3を、また、ストリップライン1
3Aと13Dは、線路間結合しており、電磁界結合Mを
構成している。
び14A、ストリップライン13A,13D、ローディ
ング容量パターン12Bと段間容量パターン14Bによ
って低域側通過帯域1を形成するバンドパスフィルタ2
1を構成し、同様に誘電体17上に設けた入出力容量パ
ターン17Aとローディング容量パターン17B、段間
容量パターン17Cおよび誘電体18上に設けたストリ
ップライン18A,18Bにより、高域側通過帯域2を
形成するバンドパスフィルタ22を構成している。
けるフィルタの通過特性を示すが、2つの通過帯域であ
る低域側通過帯域1と高域側通過帯域2の間の帯域3に
おいて減衰極4が形成されている。さらに、低域側通過
帯域1の低域側近傍帯域5においても減衰極6、高域側
通過帯域2の高域側近傍帯域7においても減衰極8がそ
れぞれ形成されており、これにより、低域側通過帯域1
と高域側通過帯域2以外の帯域3,5,7のそれぞれに
おいて減衰量が得られている。
プライン13A,13Dの接地部13Bと接地電極20
を接続する接続パターン13Cのストリップライン長方
向に垂直方向の線路幅を、ストリップライン13A,1
3Dの最小線路幅以下とすることにより、前記接続パタ
ーン13Cの線路インピーダンスを高くすることができ
るため、図4に示すようなインダクタンスL1を形成す
ることができ、図5に示すように、帯域3においてアド
ミタンスが容量性から誘導性になるポイント23、すな
わちアドミタンスが0になるポイントを発生させて減衰
極4を形成することができ、より大きい減衰量が得られ
る。また、ストリップライン13A,13Dの接地電極
20の形状をストリップライン13A,13Dの最小線
路幅以下の寸法を有する形状とすることにより、同様の
効果が得られる。
を有する積層フィルタについて説明したが、複数の通過
帯域を有する積層フィルタでも同様に実現できるもので
ある。
以上の複数の通過帯域を有する積層フィルタであり、前
記複数の通過帯域間の帯域に減衰極を有するフィルタで
ある。
減衰量が大きく得られるので、信号選択性が向上し、通
過帯域内の挿入損失を劣化させずに、フィルタ性能を向
上させることができる。
図
Claims (5)
- 【請求項1】 2つまたはそれ以上の複数の通過帯域を
有するフィルタにおいて、前記複数の通過帯域間の帯域
に減衰極を有する積層フィルタ。 - 【請求項2】 低域側通過帯域の低域側近傍に減衰極を
もつ請求項1に記載の積層フィルタ。 - 【請求項3】 高域側通過帯域の高域側近傍に減衰極を
もつ請求項1に記載の積層フィルタ。 - 【請求項4】 複数のシールドパターンを有する誘電体
の間に複数のストリップラインを有する誘電体と上記複
数のストリップラインに対向する結合部をもつ入出力容
量パターンを有する誘電体層とを配し、入出力容量パタ
ーンに接続された端面電極を形成し、上記ストリップラ
インの接地部と接地電極を接続する接続パターンを形成
し、前記接続パターンのストリップライン長方向に垂直
方向の線路幅をストリップラインの最小線路幅以下とし
た請求項1に記載の積層フィルタ。 - 【請求項5】 複数のシールドパータンを有する誘電体
の間に複数のストリップラインを有する誘電体と上記複
数のストリップラインに対向する結合部をもつ入出力容
量パターンを有する誘電体層とを配し、入出力容量パタ
ーンに接続された端面電極を形成し、上記ストリップラ
インの接地部と接地電極を接続する接続パターンを形成
し、前記接地電極の、厚み方向に垂直方向の幅を、スト
リップライン長方向に垂直方向のストリップラインの最
小線路幅以下とした請求項1に記載の積層フィルタ。
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---|---|---|---|
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- 1997-01-17 JP JP00600097A patent/JP3823409B2/ja not_active Expired - Fee Related
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