JPH0823208A - 誘電体共振器を使用したバンドパスフィルタ装置 - Google Patents
誘電体共振器を使用したバンドパスフィルタ装置Info
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- JPH0823208A JPH0823208A JP17602494A JP17602494A JPH0823208A JP H0823208 A JPH0823208 A JP H0823208A JP 17602494 A JP17602494 A JP 17602494A JP 17602494 A JP17602494 A JP 17602494A JP H0823208 A JPH0823208 A JP H0823208A
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- dielectric
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘電体共振器を含むバンドパスフィルタにお
ける高調波成分の抑制を簡単に達成する。 【構成】 多層基板３上に第１及び第２の誘電体共振器
１、２を並置させる。多層基板３にバンドパスフィルタ
を形成するための結合コンデンサと共に、高調波成分抑
制用のトラップ回路を埋設する。
ける高調波成分の抑制を簡単に達成する。 【構成】 多層基板３上に第１及び第２の誘電体共振器
１、２を並置させる。多層基板３にバンドパスフィルタ
を形成するための結合コンデンサと共に、高調波成分抑
制用のトラップ回路を埋設する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は携帯用電話機等に使用さ
れる誘電体共振器を使用したバンドパスフィルタ装置に
関する。
れる誘電体共振器を使用したバンドパスフィルタ装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】バンドパスフィルタを形成するための従
来のＴＥＭモード同軸型誘電体共振器は貫通孔を有する
筒状誘電体と、貫通孔に設けられた内導体と、誘電体の
外周面に設けられた外導体と、誘電体の一方の端面で内
導体と外導体とを接続する短絡導体とから成る。
来のＴＥＭモード同軸型誘電体共振器は貫通孔を有する
筒状誘電体と、貫通孔に設けられた内導体と、誘電体の
外周面に設けられた外導体と、誘電体の一方の端面で内
導体と外導体とを接続する短絡導体とから成る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な誘電体共振器は、基本波（所望周波数信号）で共振す
るのみでなく、基本波周波数ｆ0 の３倍の周波数３ｆ0
、５倍の周波数５ｆ0 等でもスプリアス共振する。こ
のため、基本波の高調波成分もフィルタを通過する。従
来のフィルタ回路で高調波成分を除去することが必要な
場合又は他の特定の周波数成分を除去したい場合はこれ
を除去するための独立のフィルタが必要になり、回路装
置が複雑且つ大型になった。また、バンドパスフィルタ
における帯域通過幅の立上り及び／又は立下りを急峻に
したいことがある。従来のフィルタ装置では個別のトラ
ップ回路を接続していた。このためフィルタが必然的に
複雑且つ大型になった。
な誘電体共振器は、基本波（所望周波数信号）で共振す
るのみでなく、基本波周波数ｆ0 の３倍の周波数３ｆ0
、５倍の周波数５ｆ0 等でもスプリアス共振する。こ
のため、基本波の高調波成分もフィルタを通過する。従
来のフィルタ回路で高調波成分を除去することが必要な
場合又は他の特定の周波数成分を除去したい場合はこれ
を除去するための独立のフィルタが必要になり、回路装
置が複雑且つ大型になった。また、バンドパスフィルタ
における帯域通過幅の立上り及び／又は立下りを急峻に
したいことがある。従来のフィルタ装置では個別のトラ
ップ回路を接続していた。このためフィルタが必然的に
複雑且つ大型になった。
【０００４】そこで、本発明の目的は、所望周波数にお
ける減衰特性を改善するためのトラップ回路を有してい
るバンドパスフィルタ装置の小型化及び低コスト化を図
ることにある。
ける減衰特性を改善するためのトラップ回路を有してい
るバンドパスフィルタ装置の小型化及び低コスト化を図
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、基板上に誘電体共振器を配置した構造のバ
ンドパスフィルタ装置において、バンドパスフィルタ装
置の所望周波数における減衰特性を改善するためのトラ
ップ回路が前記基板に内蔵されていることを特徴とする
バンドパスフィルタ装置に係わるものである。
の本発明は、基板上に誘電体共振器を配置した構造のバ
ンドパスフィルタ装置において、バンドパスフィルタ装
置の所望周波数における減衰特性を改善するためのトラ
ップ回路が前記基板に内蔵されていることを特徴とする
バンドパスフィルタ装置に係わるものである。
【０００６】
【発明の作用及び効果】本発明では、トラップ回路を基
板に内蔵即ち埋設するので、フィルタ装置の低コスト化
及び小型化が可能になる。
板に内蔵即ち埋設するので、フィルタ装置の低コスト化
及び小型化が可能になる。
【０００７】
【第１の実施例】次に、図１〜図９を参照して本発明の
第１の実施例に係わるバンドパスフィルタ装置を説明す
る。このフィルタ装置は図１に示すように、第１及び第
２の誘電体共振器１、２と、多層基板３とから成る。
第１の実施例に係わるバンドパスフィルタ装置を説明す
る。このフィルタ装置は図１に示すように、第１及び第
２の誘電体共振器１、２と、多層基板３とから成る。
【０００８】図１の第１及び第２の誘電体共振器１、２
のそれぞれは、図２及び図３に示すように、誘電体磁器
から成る円筒状誘電体４と、誘電体４の第１の端面５か
らこれに対向する第２の端面６に至るように形成された
円形貫通孔７と、この貫通孔７に形成された内導体８
と、誘電体４の外周面９に形成された外導体１０と、内
導体８と外導体１０とを接続するように第２の端面６に
形成された短絡導体１１と、第１の端面５と外周面９の
一部に形成され且つ内導体８に接続された端子導体１２
とから成る。各導体８、１０、１１、１２は導電ペース
ト（例えば銀ペースト）を塗布して焼付けたものから成
る。
のそれぞれは、図２及び図３に示すように、誘電体磁器
から成る円筒状誘電体４と、誘電体４の第１の端面５か
らこれに対向する第２の端面６に至るように形成された
円形貫通孔７と、この貫通孔７に形成された内導体８
と、誘電体４の外周面９に形成された外導体１０と、内
導体８と外導体１０とを接続するように第２の端面６に
形成された短絡導体１１と、第１の端面５と外周面９の
一部に形成され且つ内導体８に接続された端子導体１２
とから成る。各導体８、１０、１１、１２は導電ペース
ト（例えば銀ペースト）を塗布して焼付けたものから成
る。
【０００９】第１及び第２の誘電体共振器１、２は、図
４のバンドパスフィルタ回路を形成するために使用され
ている。図４において第１及び第２の誘電体共振器１、
２はインダクタンスＬとコンデンサＣの並列回路で等価
的に示されている。入力端子Ｔ1 と出力端子Ｔ2 との間
には結合素子としての第１、第２及び第３のコンデンサ
Ｃ1 、Ｃ2 、Ｃ3 が順次に直列に接続されている。第１
及び第２の誘電体共振器１、２は第１と第２のコンデン
サＣ1 、Ｃ2 の相互間及び第２と第３のコンデンサＣ2
、Ｃ3 の相互間とグランドとの間にそれぞれ接続され
ている。また、基本波の３倍の周波数成分（高調波成
分）の伝送を阻止するためのトラップ回路１３が入力端
子Ｔ1 とグランドとの間に接続されている。なお、トラ
ップ回路１３はコンデンサＣ4 とインダクタンスＬ1 と
の直列共振回路から成る。図４の第１及び第２の誘電体
共振器１、２以外の付加回路１４は、図１及び図２の多
層基板３で構成されている。
４のバンドパスフィルタ回路を形成するために使用され
ている。図４において第１及び第２の誘電体共振器１、
２はインダクタンスＬとコンデンサＣの並列回路で等価
的に示されている。入力端子Ｔ1 と出力端子Ｔ2 との間
には結合素子としての第１、第２及び第３のコンデンサ
Ｃ1 、Ｃ2 、Ｃ3 が順次に直列に接続されている。第１
及び第２の誘電体共振器１、２は第１と第２のコンデン
サＣ1 、Ｃ2 の相互間及び第２と第３のコンデンサＣ2
、Ｃ3 の相互間とグランドとの間にそれぞれ接続され
ている。また、基本波の３倍の周波数成分（高調波成
分）の伝送を阻止するためのトラップ回路１３が入力端
子Ｔ1 とグランドとの間に接続されている。なお、トラ
ップ回路１３はコンデンサＣ4 とインダクタンスＬ1 と
の直列共振回路から成る。図４の第１及び第２の誘電体
共振器１、２以外の付加回路１４は、図１及び図２の多
層基板３で構成されている。
【００１０】この多層基板３は、絶縁性基板としての磁
器誘電体層１５と図４の付加回路を形成するための導体
層とから成る。誘電体層１５は３枚のグリーンシートを
積層して焼成したものであり、焼成後には一体化されて
いるが、説明の都合上図２では破線で第１、第２及び第
３の誘電体層１５ａ、１５ｂ、１５ｃに分けられてい
る。
器誘電体層１５と図４の付加回路を形成するための導体
層とから成る。誘電体層１５は３枚のグリーンシートを
積層して焼成したものであり、焼成後には一体化されて
いるが、説明の都合上図２では破線で第１、第２及び第
３の誘電体層１５ａ、１５ｂ、１５ｃに分けられてい
る。
【００１１】誘電体層１５の表面即ち第１の誘電体層１
５ａの表面には、図５に示すように第１及び第２の接続
導体層１６、１７と表面グランド導体層１８とが設けら
れている。多層基板３上に第１及び第２の誘電体共振器
１、２が並置され、この第１及び第２の接続導体層１
６、１７には第１及び第２の誘電体共振器１、２の端子
導体１２が半田１９で接続され、表面グランド導体層１
８には第１及び第２の誘電体共振器１、２の外導体１０
が半田２０で接続されている。なお、端子導体１２が誘
電体４の外周面９に延在しているので、各誘電体共振器
１、２は多層基板３に表面実装方法で取付けられる。第
１の誘電体層１５ａの第１及び第２の接続導体層１６、
１７の下にはヴィアホール２１、２２が設けられ、これ
等に導体が充填されている。また、誘電体層１５の側面
には一対の溝２３が設けられ、ここに導体２４が塗布さ
れている。
５ａの表面には、図５に示すように第１及び第２の接続
導体層１６、１７と表面グランド導体層１８とが設けら
れている。多層基板３上に第１及び第２の誘電体共振器
１、２が並置され、この第１及び第２の接続導体層１
６、１７には第１及び第２の誘電体共振器１、２の端子
導体１２が半田１９で接続され、表面グランド導体層１
８には第１及び第２の誘電体共振器１、２の外導体１０
が半田２０で接続されている。なお、端子導体１２が誘
電体４の外周面９に延在しているので、各誘電体共振器
１、２は多層基板３に表面実装方法で取付けられる。第
１の誘電体層１５ａの第１及び第２の接続導体層１６、
１７の下にはヴィアホール２１、２２が設けられ、これ
等に導体が充填されている。また、誘電体層１５の側面
には一対の溝２３が設けられ、ここに導体２４が塗布さ
れている。
【００１２】第２の誘電体層１５ｂの表面には図６に示
すように第１及び第２のコンデンサ用導体層２５、２６
が設けられている。第１及び第２のコンデンサ用導体層
２５、２６は図５に示すヴィアホール２１、２２の導体
によって第１及び第２の接続導体層１６、１７に接続さ
れている。また、第１及び第２のコンデンサ用導体層２
５、２６は図４の第２のコンデンサＣ2 を得るように微
小間隙を有して対向している。
すように第１及び第２のコンデンサ用導体層２５、２６
が設けられている。第１及び第２のコンデンサ用導体層
２５、２６は図５に示すヴィアホール２１、２２の導体
によって第１及び第２の接続導体層１６、１７に接続さ
れている。また、第１及び第２のコンデンサ用導体層２
５、２６は図４の第２のコンデンサＣ2 を得るように微
小間隙を有して対向している。
【００１３】第３の誘電体層１５ｃの表面には図７に示
すように第３及び第４のコンデンサ用導体層２７、２８
とトラップ回路用導体層２９とが設けられている。第３
及び第４のコンデンサ用導体層２７、２８は図４の第１
及び第３のコンデンサＣ1 、Ｃ3 が得られるように図６
の第１及び第２のコンデンサ用導体層２５、２６に対向
している。トラップ回路用導体層２９は図４の第４のコ
ンデンサＣ4 を得るように第３のコンデンサ用導体層２
７に対向する部分２９ａとインダクタンスＬ1を得るた
めの帯状部分２９ｂとを有する。なお、帯状部分２９ｂ
の端はグランド側面導体２４に接続されている。また、
第３の誘電体層１５ｃの第３及び第４のコンデンサ用導
体層２７、２８の下にはヴィアホール３０、３１が設け
られ、これ等に導体が充填されている。
すように第３及び第４のコンデンサ用導体層２７、２８
とトラップ回路用導体層２９とが設けられている。第３
及び第４のコンデンサ用導体層２７、２８は図４の第１
及び第３のコンデンサＣ1 、Ｃ3 が得られるように図６
の第１及び第２のコンデンサ用導体層２５、２６に対向
している。トラップ回路用導体層２９は図４の第４のコ
ンデンサＣ4 を得るように第３のコンデンサ用導体層２
７に対向する部分２９ａとインダクタンスＬ1を得るた
めの帯状部分２９ｂとを有する。なお、帯状部分２９ｂ
の端はグランド側面導体２４に接続されている。また、
第３の誘電体層１５ｃの第３及び第４のコンデンサ用導
体層２７、２８の下にはヴィアホール３０、３１が設け
られ、これ等に導体が充填されている。
【００１４】第３の誘電体層１５ｃの裏面即ち誘電体１
５の裏面には図８に示すように入力及び出力端子導体３
２、３３と裏面グランド導体層３４とが設けられてい
る。図４の入力及び出力端子Ｔ1 、Ｔ2 に対応する入力
及び出力端子導体層３２、３３はヴィアホール３０、３
１の導体によって第３及び第４のコンデンサ用導体層２
７、２８に接続されている。裏面グランド導体層３４は
側面導体２４によって表面グランド導体層１８に接続さ
れている。なお、第２及び第３の誘電体層１５ｂ、１５
ｃの表面の導体層２５、２６、２７、２８、２９は磁器
グリーンシートに導体ペーストを印刷で塗布することに
よって形成され、誘電体１５の表面及び裏面の導体層１
６、１７、１８、３２、３３、３４及び溝２３の側面導
体２４はグリーンシートの焼成後に導体ペーストを塗布
し、焼付けることによって形成されている。
５の裏面には図８に示すように入力及び出力端子導体３
２、３３と裏面グランド導体層３４とが設けられてい
る。図４の入力及び出力端子Ｔ1 、Ｔ2 に対応する入力
及び出力端子導体層３２、３３はヴィアホール３０、３
１の導体によって第３及び第４のコンデンサ用導体層２
７、２８に接続されている。裏面グランド導体層３４は
側面導体２４によって表面グランド導体層１８に接続さ
れている。なお、第２及び第３の誘電体層１５ｂ、１５
ｃの表面の導体層２５、２６、２７、２８、２９は磁器
グリーンシートに導体ペーストを印刷で塗布することに
よって形成され、誘電体１５の表面及び裏面の導体層１
６、１７、１８、３２、３３、３４及び溝２３の側面導
体２４はグリーンシートの焼成後に導体ペーストを塗布
し、焼付けることによって形成されている。
【００１５】図９（Ａ）は図４の２つの誘電体共振器
１、２と３つのコンデンサＣ1 、Ｃ2、Ｃ3 から成る回
路のフィルタ特性（周波数・利得特性）を示し、図９
（Ｂ）はトラップ回路１３の周波数特性を示し、図９
（Ｃ）は図４の回路全体のフィルタ特性を示す。図９
（Ａ）から明らかなように、誘電体共振器１、２のみで
は、基本周波数ｆ0 で共振する他に基本波周波数の３倍
の周波数３ｆ0 及び更に高次の周波数でスプリアス共振
が生じる。高調波成分を抑制するためには、スプリアス
共振の生じる周波数３ｆ0 での減衰量を大きくすること
が必要になる。この減衰を得るために、本実施例ではト
ラップ回路１３を設け、これを誘電体１５に埋設してい
る。なお、トラップ回路１３のＣ4 及びＬ1 は基本波の
３倍の周波数３ｆ0 で共振してインピーダンスが最小に
なるように設定されている。
１、２と３つのコンデンサＣ1 、Ｃ2、Ｃ3 から成る回
路のフィルタ特性（周波数・利得特性）を示し、図９
（Ｂ）はトラップ回路１３の周波数特性を示し、図９
（Ｃ）は図４の回路全体のフィルタ特性を示す。図９
（Ａ）から明らかなように、誘電体共振器１、２のみで
は、基本周波数ｆ0 で共振する他に基本波周波数の３倍
の周波数３ｆ0 及び更に高次の周波数でスプリアス共振
が生じる。高調波成分を抑制するためには、スプリアス
共振の生じる周波数３ｆ0 での減衰量を大きくすること
が必要になる。この減衰を得るために、本実施例ではト
ラップ回路１３を設け、これを誘電体１５に埋設してい
る。なお、トラップ回路１３のＣ4 及びＬ1 は基本波の
３倍の周波数３ｆ0 で共振してインピーダンスが最小に
なるように設定されている。
【００１６】本実施例ではトラップ回路１３を個別部品
で形成しないで、多層基板３で構成し、また結合コンデ
ンサＣ1 、Ｃ2 、Ｃ3 も多層基板３で構成したので、減
衰特性の良いフィルタ装置の小型化及び低コスト化が達
成される。
で形成しないで、多層基板３で構成し、また結合コンデ
ンサＣ1 、Ｃ2 、Ｃ3 も多層基板３で構成したので、減
衰特性の良いフィルタ装置の小型化及び低コスト化が達
成される。
【００１７】
【第２の実施例】次に、図１０及び図１１を参照して第
２の実施例のフィルタ装置を説明する。但し、図１０及
び図１１において図１〜図８と共通する部分には同一の
符号を付してその説明を省略する。第２の実施例のフィ
ルタ装置は図１１に示すように図４のコンデンサＣ4 と
インダクタンスＬ1 とから成るトラップ回路１３の代り
に、出力端子Ｔ2 とトラップ回路として機能するオープ
ンスタブ４０を設けたものである。従って、図１〜図８
に示す第１の実施例のフィルタ装置の第３の誘電体層１
５ｃの表面の導体パターンの一部を変えることによって
第２の実施例のフィルタ装置が形成されている。図１０
には第２の実施例の第３の誘電体１５ｃの表面が示され
ている。図７と図１０との比較から明らかなように、図
７のトラップ導体層２９の代りに図１０ではオープンス
タブ導体層４０ａが設けられ、これが第４のコンデンサ
導体層２８に接続されている。なお、第２の実施例のフ
ィルタ装置の第３の誘電体層１５ｃの表面以外は第１の
実施例を示す図１〜図８と同一であるので、これ等の説
明を省略する。
２の実施例のフィルタ装置を説明する。但し、図１０及
び図１１において図１〜図８と共通する部分には同一の
符号を付してその説明を省略する。第２の実施例のフィ
ルタ装置は図１１に示すように図４のコンデンサＣ4 と
インダクタンスＬ1 とから成るトラップ回路１３の代り
に、出力端子Ｔ2 とトラップ回路として機能するオープ
ンスタブ４０を設けたものである。従って、図１〜図８
に示す第１の実施例のフィルタ装置の第３の誘電体層１
５ｃの表面の導体パターンの一部を変えることによって
第２の実施例のフィルタ装置が形成されている。図１０
には第２の実施例の第３の誘電体１５ｃの表面が示され
ている。図７と図１０との比較から明らかなように、図
７のトラップ導体層２９の代りに図１０ではオープンス
タブ導体層４０ａが設けられ、これが第４のコンデンサ
導体層２８に接続されている。なお、第２の実施例のフ
ィルタ装置の第３の誘電体層１５ｃの表面以外は第１の
実施例を示す図１〜図８と同一であるので、これ等の説
明を省略する。
【００１８】オープンスタブ４０はＬＣ直列共振回路と
して機能し、第１の実施例と同様に基本波周波数ｆ0 の
３倍の周波数ｆ0 を減衰させる。第２の実施例において
も、トラップ回路としてのオープンスタブ４０が多層基
板３に埋設されているので、第１の実施例と同一の効果
を得ることができる。
して機能し、第１の実施例と同様に基本波周波数ｆ0 の
３倍の周波数ｆ0 を減衰させる。第２の実施例において
も、トラップ回路としてのオープンスタブ４０が多層基
板３に埋設されているので、第１の実施例と同一の効果
を得ることができる。
【００１９】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 図１２に示すように、図４のフィルタ装置に図
１１のオープンスタブ４を付加することができる。この
場合、トラップ回路１３及びオープンスタブ４０の両方
を第３の誘電体層１５ｃの表面に形成し、誘電体１５に
埋設する。また、トラップ回路１３を基本波周波数ｆ0
の３倍の周波数３ｆ0 で共振するように設定し、オープ
ンスタブ４０を５倍の周波数５ｆ0 で共振するように設
定することが望ましい。しかし、トラップ回路１３とオ
ープンスタブ４０の両方が３ｆ0で共振するように設定
することもできる。また、トラップ回路１３を５倍の周
波数５ｆ0 で共振させ、オープンスタブ４０を３倍の周
波数３ｆ0 で共振させてもよい。 （２） 図１２のオープンスタブ４０の代りに図１３に
示すようにコンデンサＣ5 とストリップラインＬs とか
ら成るトラップ回路４１を出力端子Ｔ2 とグランドとの
間に接続することができる。このトラップ回路４１も誘
電体層１５に埋設する。即ち、第３の誘電体層１５ｃの
表面の第４のコンデンサ用導体層２８にストリップライ
ン導体層を容量結合させた構成にする。 （３） 図１３の回路からトラップ回路１３を省くこと
ができる。また、トラップ回路１３とオープンスタブ４
０の接続位置を互いに変えることができる。 （４） 図１４に示すように図４の回路にコンデンサＣ
6 を付加し、このコンデンサＣ6 も誘電体１５に埋設す
ることができる。 （５） 図１４で点線で示すようにコンデンサＣ7 とイ
ンダクタンスＬ2 とから成るトラップ回路１３ａを付加
し、一方のトラップ回路１３を３倍の周波数３ｆ0 で共
振させ、他方のトラップ回路１３ａを５倍の周波数５ｆ
0 で共振させることができる。 （６） ２段以上のバンドパスフィルタにも本発明を適
用することができる。 （７） バンドストップフィルタを追加して通過帯域の
立上り及び立下りの減衰特性を調整することができる。
また、トラップ回路１３又はオープンスタブ４０をバン
ドパスフィルタの通過帯域の立上り及び立下りの減衰特
性を改善するように設定することもできる。 （８） 本発明に従って設けるトラップ回路の位置、個
数等を種々変えることができる。 （９） 表面のグランド導体層１８と裏面のグランド導
体層３４とをヴィアホール導体で接続することができ
る。 （１０） 短絡導体１１を省いて１／２波長型誘電体共
振器とすることができる。
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 図１２に示すように、図４のフィルタ装置に図
１１のオープンスタブ４を付加することができる。この
場合、トラップ回路１３及びオープンスタブ４０の両方
を第３の誘電体層１５ｃの表面に形成し、誘電体１５に
埋設する。また、トラップ回路１３を基本波周波数ｆ0
の３倍の周波数３ｆ0 で共振するように設定し、オープ
ンスタブ４０を５倍の周波数５ｆ0 で共振するように設
定することが望ましい。しかし、トラップ回路１３とオ
ープンスタブ４０の両方が３ｆ0で共振するように設定
することもできる。また、トラップ回路１３を５倍の周
波数５ｆ0 で共振させ、オープンスタブ４０を３倍の周
波数３ｆ0 で共振させてもよい。 （２） 図１２のオープンスタブ４０の代りに図１３に
示すようにコンデンサＣ5 とストリップラインＬs とか
ら成るトラップ回路４１を出力端子Ｔ2 とグランドとの
間に接続することができる。このトラップ回路４１も誘
電体層１５に埋設する。即ち、第３の誘電体層１５ｃの
表面の第４のコンデンサ用導体層２８にストリップライ
ン導体層を容量結合させた構成にする。 （３） 図１３の回路からトラップ回路１３を省くこと
ができる。また、トラップ回路１３とオープンスタブ４
０の接続位置を互いに変えることができる。 （４） 図１４に示すように図４の回路にコンデンサＣ
6 を付加し、このコンデンサＣ6 も誘電体１５に埋設す
ることができる。 （５） 図１４で点線で示すようにコンデンサＣ7 とイ
ンダクタンスＬ2 とから成るトラップ回路１３ａを付加
し、一方のトラップ回路１３を３倍の周波数３ｆ0 で共
振させ、他方のトラップ回路１３ａを５倍の周波数５ｆ
0 で共振させることができる。 （６） ２段以上のバンドパスフィルタにも本発明を適
用することができる。 （７） バンドストップフィルタを追加して通過帯域の
立上り及び立下りの減衰特性を調整することができる。
また、トラップ回路１３又はオープンスタブ４０をバン
ドパスフィルタの通過帯域の立上り及び立下りの減衰特
性を改善するように設定することもできる。 （８） 本発明に従って設けるトラップ回路の位置、個
数等を種々変えることができる。 （９） 表面のグランド導体層１８と裏面のグランド導
体層３４とをヴィアホール導体で接続することができ
る。 （１０） 短絡導体１１を省いて１／２波長型誘電体共
振器とすることができる。
【図１】本発明の第１の実施例のフィルタ装置を示す平
面図である。
面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１の誘電体共振器を示す斜視図である。
【図４】図１のフィルタ装置の等価回路図である。
【図５】図１の多層基板の平面図である。
【図６】図１の第２の誘電体層の表面を示す平面図であ
る。
る。
【図７】図１の第３の誘電体層の表面を示す平面図であ
る。
る。
【図８】図１の多層基板の底面図である。
【図９】図１のフィルタ装置の周波数特性図である。
【図１０】第２の実施例のフィルタ装置の第３の誘電体
層の表面を示す平面図である。
層の表面を示す平面図である。
【図１１】第２の実施例のフィルタ装置の回路図であ
る。
る。
【図１２】変形例のフィルタ装置を示す回路図である。
【図１３】別の変形例のフィルタ装置を示す回路図であ
る。
る。
【図１４】更に別の変形例のフィルタ装置を示す回路図
である。
である。
１、２ 誘電体共振器 ３ 多層基板 １３ トラップ回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉森 健二 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (72)発明者 今泉 達也 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (72)発明者 村田 龍司 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に誘電体共振器を配置した構造の
バンドパスフィルタ装置において、 バンドパスフィルタ装置の所望周波数における減衰特性
を改善するためのトラップ回路が前記基板に内蔵されて
いることを特徴とするバンドパスフィルタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17602494A JPH0823208A (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | 誘電体共振器を使用したバンドパスフィルタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17602494A JPH0823208A (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | 誘電体共振器を使用したバンドパスフィルタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0823208A true JPH0823208A (ja) | 1996-01-23 |
Family
ID=16006396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17602494A Withdrawn JPH0823208A (ja) | 1994-07-05 | 1994-07-05 | 誘電体共振器を使用したバンドパスフィルタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0823208A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6529102B2 (en) | 2000-09-12 | 2003-03-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | LC filter circuit and laminated type LC filter |
| US6861922B2 (en) | 2000-03-02 | 2005-03-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nonreciprocal circuit device including two series resonant circuits having differing resonant frequencies |
-
1994
- 1994-07-05 JP JP17602494A patent/JPH0823208A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6861922B2 (en) | 2000-03-02 | 2005-03-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nonreciprocal circuit device including two series resonant circuits having differing resonant frequencies |
| US6529102B2 (en) | 2000-09-12 | 2003-03-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | LC filter circuit and laminated type LC filter |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011002 |