JPH08176125A - トリフルオロメチル基を有するオキサジアゾール誘導体 - Google Patents
トリフルオロメチル基を有するオキサジアゾール誘導体Info
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- JPH08176125A JPH08176125A JP6340309A JP34030994A JPH08176125A JP H08176125 A JPH08176125 A JP H08176125A JP 6340309 A JP6340309 A JP 6340309A JP 34030994 A JP34030994 A JP 34030994A JP H08176125 A JPH08176125 A JP H08176125A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】電界発光（ＥＬ）素子等に好適に用いられる新
規なオキサジアゾール誘導体ならびにこのオキサジアゾ
ール誘導体を用いた耐久性が高く、発光効率の高い有機
ＥＬ素子を提供することを目的とする。 【構成】化１で表されるオキサジアゾール誘導体を用い
た電界発光素子。 【化１】 ［式中、Ｘは酸素あるいは硫黄を示し、Ａｒ1およびＡ
ｒ2は置換もしくは無置換の芳香族基を示し、Ａｒ1とＡ
ｒ2のうち少なくとも一方にトリフルオロメチル基を有
する。］
規なオキサジアゾール誘導体ならびにこのオキサジアゾ
ール誘導体を用いた耐久性が高く、発光効率の高い有機
ＥＬ素子を提供することを目的とする。 【構成】化１で表されるオキサジアゾール誘導体を用い
た電界発光素子。 【化１】 ［式中、Ｘは酸素あるいは硫黄を示し、Ａｒ1およびＡ
ｒ2は置換もしくは無置換の芳香族基を示し、Ａｒ1とＡ
ｒ2のうち少なくとも一方にトリフルオロメチル基を有
する。］
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電界発光（ＥＬ）素子
等に好適に用いられる新規なオキサジアゾール誘導体な
らびにこのオキサジアゾール誘導体を用いたＥＬ素子に
関するものである。
等に好適に用いられる新規なオキサジアゾール誘導体な
らびにこのオキサジアゾール誘導体を用いたＥＬ素子に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、これまでにない高輝度な平面ディ
スプレイの候補として有機ＥＬ素子が注目され、その研
究開発が活発化している。有機ＥＬ素子は有機発光層を
２つの電極で挟んだ構造であり、陽極から注入された正
孔と陰極から注入された電子とが発光層中で再結合して
光を発する。有機ＥＬ素子に用いられる有機材料には低
分子材料と高分子材料があり、どちらを用いても高輝度
のＥＬ素子ができることが知られている。
スプレイの候補として有機ＥＬ素子が注目され、その研
究開発が活発化している。有機ＥＬ素子は有機発光層を
２つの電極で挟んだ構造であり、陽極から注入された正
孔と陰極から注入された電子とが発光層中で再結合して
光を発する。有機ＥＬ素子に用いられる有機材料には低
分子材料と高分子材料があり、どちらを用いても高輝度
のＥＬ素子ができることが知られている。
【０００３】このような有機ＥＬ素子には２つのタイプ
がある。１つは、タン（C.W.Tang）らによって発表され
た電荷輸送層中に蛍光色素を添加した有機ＥＬ素子（ジ
ャーナルオブジアプライドフィジックス（J.Appl.Phy
s.）,65,3610(1989)）、もう１つは、蛍光色素を単独で
用いた有機ＥＬ素子である（例えば、ジャパニーズジャ
ーナルオブジアプライドフィジックス（Jpn.J.Appl.Phy
s.）,27,L269(1988)に記載）。後者のＥＬ素子では、蛍
光色素が電荷の１つである正孔のみを輸送する正孔輸送
層および／あるいは電子のみを輸送する電子輸送層と積
層しているような場合に発光効率が向上することが示さ
れている。しかしいずれも実用化するための充分な条件
を備えていない。例えば、前者では正孔輸送材料の薄膜
状態での物理的な耐久性が乏しく、また、蛍光色素を添
加するのに用いた電子輸送性のホスト材料自身が緑色に
発光するため、青色の発光を得るのが困難であり、後者
では用いた電子輸送材料の耐久性および電荷輸送能が低
く、実用上充分な性能が出せないという問題点があっ
た。
がある。１つは、タン（C.W.Tang）らによって発表され
た電荷輸送層中に蛍光色素を添加した有機ＥＬ素子（ジ
ャーナルオブジアプライドフィジックス（J.Appl.Phy
s.）,65,3610(1989)）、もう１つは、蛍光色素を単独で
用いた有機ＥＬ素子である（例えば、ジャパニーズジャ
ーナルオブジアプライドフィジックス（Jpn.J.Appl.Phy
s.）,27,L269(1988)に記載）。後者のＥＬ素子では、蛍
光色素が電荷の１つである正孔のみを輸送する正孔輸送
層および／あるいは電子のみを輸送する電子輸送層と積
層しているような場合に発光効率が向上することが示さ
れている。しかしいずれも実用化するための充分な条件
を備えていない。例えば、前者では正孔輸送材料の薄膜
状態での物理的な耐久性が乏しく、また、蛍光色素を添
加するのに用いた電子輸送性のホスト材料自身が緑色に
発光するため、青色の発光を得るのが困難であり、後者
では用いた電子輸送材料の耐久性および電荷輸送能が低
く、実用上充分な性能が出せないという問題点があっ
た。
【０００４】電子輸送材料の１つとして２−（４−ビフ
ェニルイル）−５−（４−tert−ブチルフェニル）−
１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）が知られてい
る。このＰＢＤを電子輸送層として用いた例として前記
の有機ＥＬ素子（Jpn.J.Appl.Phys.,27,L269(1988)）が
ある。しかし、ＰＢＤは結晶化を起こしやすいなど、薄
膜形成後の安定性に乏しいことが指摘され、オキサジア
ゾール環を複数持つ化合物が開発された（日本化学会
誌,11,1540(1991)、特開平６ー１４５６５８、特開平６
ー９２９４７、特開平５ー１５２０７２、特開平５ー２
０２０１１、特開平６ー１３６３５９）。しかしなが
ら、これらにおいても実用上充分な耐久性を有していな
かった。
ェニルイル）−５−（４−tert−ブチルフェニル）−
１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）が知られてい
る。このＰＢＤを電子輸送層として用いた例として前記
の有機ＥＬ素子（Jpn.J.Appl.Phys.,27,L269(1988)）が
ある。しかし、ＰＢＤは結晶化を起こしやすいなど、薄
膜形成後の安定性に乏しいことが指摘され、オキサジア
ゾール環を複数持つ化合物が開発された（日本化学会
誌,11,1540(1991)、特開平６ー１４５６５８、特開平６
ー９２９４７、特開平５ー１５２０７２、特開平５ー２
０２０１１、特開平６ー１３６３５９）。しかしなが
ら、これらにおいても実用上充分な耐久性を有していな
かった。
【０００５】一方、結晶化が起こり難く薄膜の安定性を
向上させた素子として正孔輸送性ポリマーなどの高分子
媒体に発光材料および電子輸送材料を混合させた素子が
報告されている。（特開平４−２１２２８６）。しかし
ながら、駆動電圧が高く、耐久性の向上も実用上十分で
ない。この原因として、これまで用いられてきた混合さ
せる電子輸送材料は、正孔輸送性ポリマーに対して溶解
度が低く、適量混合させることが困難であり、薄膜形成
後、放置すると晶出するという問題点に加え、電子輸送
能が低く、大量に必要なため膜の安定性が低下するなど
の欠点が考えられる。
向上させた素子として正孔輸送性ポリマーなどの高分子
媒体に発光材料および電子輸送材料を混合させた素子が
報告されている。（特開平４−２１２２８６）。しかし
ながら、駆動電圧が高く、耐久性の向上も実用上十分で
ない。この原因として、これまで用いられてきた混合さ
せる電子輸送材料は、正孔輸送性ポリマーに対して溶解
度が低く、適量混合させることが困難であり、薄膜形成
後、放置すると晶出するという問題点に加え、電子輸送
能が低く、大量に必要なため膜の安定性が低下するなど
の欠点が考えられる。
【０００６】有機ＥＬ素子に用いられる電子輸送材料の
特性としては、同時に用いられる正孔輸送材料あるいは
／および発光材料と励起錯体や電荷移動錯体等とのコン
プレックスを形成しないことが望まれる。加えて、薄膜
状態での物理的、化学的安定性が高い必要がある。有機
ＥＬ素子の電荷輸送層あるいは発光層に用いられる薄膜
はアモルファス状態にあるものが多く、この薄膜のガラ
ス転移点（Ｔｇ）が低いとアモルファス状態から徐々に
結晶化が進み、均一な状態を保つことができなくなる。
結果として、電流が流れにくくなり最後には絶縁破壊を
引き起こし素子が崩壊する。さらに、フルカラーディス
プレイとする場合、可視領域全般の発光を取り出す必要
があるので、電子輸送材料自身の発光が短波長（４５０
ｎｍ以下）にある必要がある。
特性としては、同時に用いられる正孔輸送材料あるいは
／および発光材料と励起錯体や電荷移動錯体等とのコン
プレックスを形成しないことが望まれる。加えて、薄膜
状態での物理的、化学的安定性が高い必要がある。有機
ＥＬ素子の電荷輸送層あるいは発光層に用いられる薄膜
はアモルファス状態にあるものが多く、この薄膜のガラ
ス転移点（Ｔｇ）が低いとアモルファス状態から徐々に
結晶化が進み、均一な状態を保つことができなくなる。
結果として、電流が流れにくくなり最後には絶縁破壊を
引き起こし素子が崩壊する。さらに、フルカラーディス
プレイとする場合、可視領域全般の発光を取り出す必要
があるので、電子輸送材料自身の発光が短波長（４５０
ｎｍ以下）にある必要がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記の問題点を解決す
る電子輸送材料および有機ＥＬ素子を見いだすべく鋭意
検討した結果、本発明のオキサジアゾール誘導体は、ト
リフルオロメチル基を有するため融点およびＴｇが高
く、電子輸送性に優れ、蛍光色が青色から紫色と波長が
短いので、有機ＥＬ素子の電子輸送材料として使用した
場合、発光色を損ねることがなく、フルカラーディスプ
レー等の発光素子に適しており、また、本発明のオキサ
ジアゾール誘導体を用いた有機ＥＬ素子は耐久性が高
く、高発光効率であることを見いだし本発明を完成し
た。すなわち、本発明は融点およびＴｇが高い電子輸送
材料として有用なオキサジアゾール誘導体、および耐久
性が高く、高発光効率の有機ＥＬ素子を提供することを
目的とする。
る電子輸送材料および有機ＥＬ素子を見いだすべく鋭意
検討した結果、本発明のオキサジアゾール誘導体は、ト
リフルオロメチル基を有するため融点およびＴｇが高
く、電子輸送性に優れ、蛍光色が青色から紫色と波長が
短いので、有機ＥＬ素子の電子輸送材料として使用した
場合、発光色を損ねることがなく、フルカラーディスプ
レー等の発光素子に適しており、また、本発明のオキサ
ジアゾール誘導体を用いた有機ＥＬ素子は耐久性が高
く、高発光効率であることを見いだし本発明を完成し
た。すなわち、本発明は融点およびＴｇが高い電子輸送
材料として有用なオキサジアゾール誘導体、および耐久
性が高く、高発光効率の有機ＥＬ素子を提供することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記（１）〜
（５）項の各構成を有する。 （１）一般式化６で表されるオキサジアゾール誘導体。
（５）項の各構成を有する。 （１）一般式化６で表されるオキサジアゾール誘導体。
【化６】 ［式中、Ｘは酸素あるいは硫黄を示し、Ａｒ1およびＡ
ｒ2は置換もしくは無置換の芳香族基を示し、Ａｒ1とＡ
ｒ2のうち少なくとも一方にトリフルオロメチル基を有
する。］ （２）一般式化７で表されるオキサジアゾール誘導体。
ｒ2は置換もしくは無置換の芳香族基を示し、Ａｒ1とＡ
ｒ2のうち少なくとも一方にトリフルオロメチル基を有
する。］ （２）一般式化７で表されるオキサジアゾール誘導体。
【化７】 ［式中、Ｘは酸素あるいは硫黄を示し、Ａｒ1は置換も
しくは無置換の芳香族基を示し、Ｒ1〜Ｒ5のうち少なく
とも一つはトリフルオロメチル基を示し、残りはそれぞ
れ独立に水素、芳香族基あるいは炭素数１から６までの
アルキル基を示す。］ （３）一般式化８で表されるオキサジアゾール誘導体を
用いた電界発光素子。
しくは無置換の芳香族基を示し、Ｒ1〜Ｒ5のうち少なく
とも一つはトリフルオロメチル基を示し、残りはそれぞ
れ独立に水素、芳香族基あるいは炭素数１から６までの
アルキル基を示す。］ （３）一般式化８で表されるオキサジアゾール誘導体を
用いた電界発光素子。
【化８】 ［式中、Ｘは酸素あるいは硫黄を示し、Ａｒ1およびＡ
ｒ2は置換もしくは無置換の芳香族基を示し、Ａｒ1とＡ
ｒ2のうち少なくとも一方にトリフルオロメチル基を有
する。］ （４）一般式化９で表されるオキサジアゾール誘導体を
用いた電界発光素子。
ｒ2は置換もしくは無置換の芳香族基を示し、Ａｒ1とＡ
ｒ2のうち少なくとも一方にトリフルオロメチル基を有
する。］ （４）一般式化９で表されるオキサジアゾール誘導体を
用いた電界発光素子。
【化９】 ［式中、Ｘは酸素あるいは硫黄を示し、Ａｒ1は置換も
しくは無置換の芳香族基を示し、Ｒ1〜Ｒ5のうち少なく
とも一つはトリフルオロメチル基を示し、残りはそれぞ
れ独立に水素、芳香族基あるいは炭素数１から６までの
アルキル基を示す。］ （５）一般式化１０で表されるオキサジアゾール誘導体
を電子輸送材料として用いた電界発光素子。
しくは無置換の芳香族基を示し、Ｒ1〜Ｒ5のうち少なく
とも一つはトリフルオロメチル基を示し、残りはそれぞ
れ独立に水素、芳香族基あるいは炭素数１から６までの
アルキル基を示す。］ （５）一般式化１０で表されるオキサジアゾール誘導体
を電子輸送材料として用いた電界発光素子。
【化１０】 ［式中、Ｘは酸素あるいは硫黄を示し、Ａｒ1およびＡ
ｒ2は置換もしくは無置換の芳香族基を示し、Ａｒ1とＡ
ｒ2のうち少なくとも一方にトリフルオロメチル基を有
する。］
ｒ2は置換もしくは無置換の芳香族基を示し、Ａｒ1とＡ
ｒ2のうち少なくとも一方にトリフルオロメチル基を有
する。］
【０００９】本発明の構成と効果につき以下に詳述す
る。上述した本発明で使用されるオキサジアゾール誘導
体は、以下のようにして製造できる。まず、反応式化１
１に従い、ヒドラジド誘導体を得る。
る。上述した本発明で使用されるオキサジアゾール誘導
体は、以下のようにして製造できる。まず、反応式化１
１に従い、ヒドラジド誘導体を得る。
【化１１】 ［式中、Ａｒ1およびＡｒ2は置換もしくは無置換の芳香
族基を示し、Ａｒ1とＡｒ2のうち少なくとも一方にトリ
フルオロメチル基を有する。］ この際の溶媒としては、ピリジン、ジメチルホルムアル
デヒド（ＤＭＦ）、ジメチルアニリン、トリエチルアミ
ンなどの塩基性の溶媒を単独で用いるか、または塩基性
の試薬の存在下にテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、エー
テルなどのエーテル系、トルエン、キシレンなどの芳香
族系、クロロフォルム、ジクロロメタンなどのハロゲン
系等の溶媒を用いる。
族基を示し、Ａｒ1とＡｒ2のうち少なくとも一方にトリ
フルオロメチル基を有する。］ この際の溶媒としては、ピリジン、ジメチルホルムアル
デヒド（ＤＭＦ）、ジメチルアニリン、トリエチルアミ
ンなどの塩基性の溶媒を単独で用いるか、または塩基性
の試薬の存在下にテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、エー
テルなどのエーテル系、トルエン、キシレンなどの芳香
族系、クロロフォルム、ジクロロメタンなどのハロゲン
系等の溶媒を用いる。
【００１０】次に、反応式化１２に従い、分子内環化脱
水反応を行うことにより、オキサジアゾール誘導体を得
ることができる。
水反応を行うことにより、オキサジアゾール誘導体を得
ることができる。
【化１２】 ［式中、Ｘは酸素あるいは硫黄を示し、Ａｒ1およびＡ
ｒ2は置換もしくは無置換の芳香族基を示し、Ａｒ1とＡ
ｒ2のうち少なくとも一方にトリフルオロメチル基を有
する。］ この際の溶媒としては、不活性な溶媒であるなら特に制
限はない。好ましいものとしては、トルエン、キシレン
等の芳香族系があげられる。必要ならば、触媒の存在下
で上記反応を行うことが出来る。用いられる触媒として
は、脱水触媒あるいは酸触媒等が挙げられる。上記オキ
サジアゾール誘導体に用いられる芳香族基としては、フ
ェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ピレニル
基、ペリレニル基などの多環芳香族基、ピリジニル基、
キノリル基、アクリジニル基、インドリル基、カルバゾ
リル基、キノキサリニル基、トリアジニル基、イミダゾ
リル基、チアジアゾリル基などの複素芳香族基があげら
れる。上記オキサジアゾール誘導体の芳香族基に用いら
れる置換基としては例えば、炭素数１から６までのアル
キル基、アルコキシル基、ジアルキルアミノ基、アルカ
ノイル基、アルキルオキシカルボニル基、アルカノイル
オキシ基、ハロゲン原子およびシアノ基等が挙げられ
る。上記オキサジアゾール誘導体の具体例としては、下
記の化合物を挙げる事ができる。
ｒ2は置換もしくは無置換の芳香族基を示し、Ａｒ1とＡ
ｒ2のうち少なくとも一方にトリフルオロメチル基を有
する。］ この際の溶媒としては、不活性な溶媒であるなら特に制
限はない。好ましいものとしては、トルエン、キシレン
等の芳香族系があげられる。必要ならば、触媒の存在下
で上記反応を行うことが出来る。用いられる触媒として
は、脱水触媒あるいは酸触媒等が挙げられる。上記オキ
サジアゾール誘導体に用いられる芳香族基としては、フ
ェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ピレニル
基、ペリレニル基などの多環芳香族基、ピリジニル基、
キノリル基、アクリジニル基、インドリル基、カルバゾ
リル基、キノキサリニル基、トリアジニル基、イミダゾ
リル基、チアジアゾリル基などの複素芳香族基があげら
れる。上記オキサジアゾール誘導体の芳香族基に用いら
れる置換基としては例えば、炭素数１から６までのアル
キル基、アルコキシル基、ジアルキルアミノ基、アルカ
ノイル基、アルキルオキシカルボニル基、アルカノイル
オキシ基、ハロゲン原子およびシアノ基等が挙げられ
る。上記オキサジアゾール誘導体の具体例としては、下
記の化合物を挙げる事ができる。
【００１１】
【化１３】
【００１２】
【化１４】
【００１３】
【化１５】
【００１４】
【化１６】
【００１５】
【化１７】
【００１６】
【化１８】
【００１７】
【化１９】
【００１８】
【化２０】
【００１９】
【化２１】
【００２０】
【化２２】
【００２１】
【化２３】
【００２２】
【化２４】
【００２３】
【化２５】
【００２４】
【化２６】
【００２５】
【化２７】
【００２６】
【化２８】
【００２７】
【化２９】
【００２８】
【化３０】
【００２９】
【化３１】
【００３０】
【化３２】
【００３１】
【化３３】
【００３２】
【化３４】
【００３３】
【化３５】
【００３４】
【化３６】
【００３５】
【化３７】
【００３６】
【化３８】
【００３７】これらのオキサジアゾール誘導体は、トリ
フルオロメチル基の導入により正孔輸送材料とエキサイ
プレックスあるいは電荷移動錯体などを形成し難く、Ｅ
Ｌ素子としたときに発光効率を落とさない利点を有し、
ＥＬ素子の電子輸送材料として有用である。また、薄膜
状態における安定性がＰＢＤに比べ増加しており、単独
でも安定な電子輸送層を形成できる。これは、トリフル
オロメチル基の導入により、オキサジアゾール誘導体の
融点およびＴｇが上昇し、これらがＰＢＤにくらべ高く
なったことによる。さらに、トリフルオロメチル基の導
入により、オキサジアゾール誘導体の分子全体が非対称
な構造となるため、溶解性が高く、ポリビニルカルバゾ
ールのような正孔輸送性高分子に混合して使用する場合
に好都合となる。さらに、これらのオキサジアゾール誘
導体は、それ自身強い蛍光を示すのでＥＬ素子の発光材
料としても有用である。
フルオロメチル基の導入により正孔輸送材料とエキサイ
プレックスあるいは電荷移動錯体などを形成し難く、Ｅ
Ｌ素子としたときに発光効率を落とさない利点を有し、
ＥＬ素子の電子輸送材料として有用である。また、薄膜
状態における安定性がＰＢＤに比べ増加しており、単独
でも安定な電子輸送層を形成できる。これは、トリフル
オロメチル基の導入により、オキサジアゾール誘導体の
融点およびＴｇが上昇し、これらがＰＢＤにくらべ高く
なったことによる。さらに、トリフルオロメチル基の導
入により、オキサジアゾール誘導体の分子全体が非対称
な構造となるため、溶解性が高く、ポリビニルカルバゾ
ールのような正孔輸送性高分子に混合して使用する場合
に好都合となる。さらに、これらのオキサジアゾール誘
導体は、それ自身強い蛍光を示すのでＥＬ素子の発光材
料としても有用である。
【００３８】本発明のＥＬ素子の構成は、各種の態様が
あるが、基本的には一対の電極（陽極と陰極）間に、前
記オキサジアゾール誘導体を挟持した構成とし、これに
必要に応じて、正孔輸送材料、発光材料および電子輸送
材料を加えるか、もしくは別の層として正孔輸送層、発
光層等を積層すればよい。構成の具体例としては、陽極
／オキサジアゾール誘導体層／陰極、陽極／正孔輸送層
／オキサジアゾール誘導体層／陰極、陽極／正孔輸送層
／発光層／オキサジアゾール誘導体層／陰極、陽極／正
孔輸送材料＋発光材料＋オキサジアゾール誘導体層／陰
極などがあげられる。また、本発明の素子は、いずれも
基板に支持されていることが好ましく、この基板に付い
ては特に制限はなく、従来ＥＬ素子に慣用されているも
の、例えばガラス、透明プラスチック、導電性高分子あ
るいは石英などから成るものを用いることができる。
あるが、基本的には一対の電極（陽極と陰極）間に、前
記オキサジアゾール誘導体を挟持した構成とし、これに
必要に応じて、正孔輸送材料、発光材料および電子輸送
材料を加えるか、もしくは別の層として正孔輸送層、発
光層等を積層すればよい。構成の具体例としては、陽極
／オキサジアゾール誘導体層／陰極、陽極／正孔輸送層
／オキサジアゾール誘導体層／陰極、陽極／正孔輸送層
／発光層／オキサジアゾール誘導体層／陰極、陽極／正
孔輸送材料＋発光材料＋オキサジアゾール誘導体層／陰
極などがあげられる。また、本発明の素子は、いずれも
基板に支持されていることが好ましく、この基板に付い
ては特に制限はなく、従来ＥＬ素子に慣用されているも
の、例えばガラス、透明プラスチック、導電性高分子あ
るいは石英などから成るものを用いることができる。
【００３９】本発明で使用される各層は、例えば蒸着
法、塗布法等の公知の方法によって、薄膜化する事によ
り形成することができる。上記オキサジアゾール誘導体
を用いた層は、薄膜状態の安定性が高いために特に樹脂
などの結着剤を必要とせず、蒸着法などにより薄膜化し
形成することができるので工業的に有利である。また、
樹脂などの結着剤とオキサジアゾール誘導体とを混合し
て用いる場合にも、オキサジアゾール誘導体の溶解性が
高いので、適量混合させることが可能である。さらに、
オキサジアゾール誘導体は融点およびＴｇが高いので、
オキサジアゾール誘導体を用いた層は、薄膜状態での物
理的な耐久性に富む。また、化学的にも非常に安定なの
で水蒸気あるいは酸素等の影響を受けない。このように
して形成された各層の薄膜の厚みについては特に制限は
なく、適宜状況に応じて選ぶことができるが、通常２ｎ
ｍないし５０００ｎｍの範囲で選定される。
法、塗布法等の公知の方法によって、薄膜化する事によ
り形成することができる。上記オキサジアゾール誘導体
を用いた層は、薄膜状態の安定性が高いために特に樹脂
などの結着剤を必要とせず、蒸着法などにより薄膜化し
形成することができるので工業的に有利である。また、
樹脂などの結着剤とオキサジアゾール誘導体とを混合し
て用いる場合にも、オキサジアゾール誘導体の溶解性が
高いので、適量混合させることが可能である。さらに、
オキサジアゾール誘導体は融点およびＴｇが高いので、
オキサジアゾール誘導体を用いた層は、薄膜状態での物
理的な耐久性に富む。また、化学的にも非常に安定なの
で水蒸気あるいは酸素等の影響を受けない。このように
して形成された各層の薄膜の厚みについては特に制限は
なく、適宜状況に応じて選ぶことができるが、通常２ｎ
ｍないし５０００ｎｍの範囲で選定される。
【００４０】本発明のＥＬ素子における陽極としては、
仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導
性化合物またはこれらの混合物を電極物質とするものが
好ましく用いられる。このような電極物質の具体例とし
てはＡｕなどの金属、ＣｕＩ、ＩＴＯ（インジウム−ス
ズ酸化物）、ＳｎＯ2、ＺｎＯなどの誘電性透明材料が
挙げられる。上記陽極は、これらの電極物質を蒸着やス
パッタリングなどの方法により、薄膜を形成させて作製
することができる。膜厚は、通常１０ｎｍないし１μ
ｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。ま
た、電極としてのシート抵抗は数百Ω／square以下が好
ましい。
仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導
性化合物またはこれらの混合物を電極物質とするものが
好ましく用いられる。このような電極物質の具体例とし
てはＡｕなどの金属、ＣｕＩ、ＩＴＯ（インジウム−ス
ズ酸化物）、ＳｎＯ2、ＺｎＯなどの誘電性透明材料が
挙げられる。上記陽極は、これらの電極物質を蒸着やス
パッタリングなどの方法により、薄膜を形成させて作製
することができる。膜厚は、通常１０ｎｍないし１μ
ｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。ま
た、電極としてのシート抵抗は数百Ω／square以下が好
ましい。
【００４１】一方、陰極としては、仕事関数の小さい
（４．３ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物また
はこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。
このような電極物質の具体例としては、カルシウム、マ
グネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム合
金、リチウム合金、アルミニウム合金、アルミニウム／
リチウム混合物、マグネシウム／銀混合物、インジウム
などが挙げられる。上記陰極は、これらの電極物質を蒸
着やスパッタリングなどの方法により、薄膜を形成させ
て作製することができる。膜厚は通常１０ｎｍないし１
μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
また、電極としてのシート抵抗は数百Ω／square以下が
好ましい。陽極および陰極として用いる材料のうち少な
くとも一方は素子の発光波長領域において十分透明であ
ることが望ましい。具体的には１０％以上の光透過率を
有することが望ましい。
（４．３ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物また
はこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。
このような電極物質の具体例としては、カルシウム、マ
グネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム合
金、リチウム合金、アルミニウム合金、アルミニウム／
リチウム混合物、マグネシウム／銀混合物、インジウム
などが挙げられる。上記陰極は、これらの電極物質を蒸
着やスパッタリングなどの方法により、薄膜を形成させ
て作製することができる。膜厚は通常１０ｎｍないし１
μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
また、電極としてのシート抵抗は数百Ω／square以下が
好ましい。陽極および陰極として用いる材料のうち少な
くとも一方は素子の発光波長領域において十分透明であ
ることが望ましい。具体的には１０％以上の光透過率を
有することが望ましい。
【００４２】本発明のＥＬ素子の構成は、前記のように
各種の態様があるが、正孔輸送層を設けると発光効率が
向上する。正孔輸送層に用いられる正孔輸送材料として
は、電界を与えられた２個の電極間に配置されて陽極か
ら正孔が注入された場合、この正孔を適切に発光層へ伝
達しうる化合物であって、例えば、１０4〜１０6Ｖ／ｃ
ｍの電界印加時に、少なくとも１０-6ｃｍ2／Ｖ・秒以
上の正孔移動度をもつものが好適である。このような正
孔輸送材料については、前記の好ましい性質を有する物
質であれば特に制限はなく、従来、光導電材料におい
て、正孔の電荷輸送材として慣用されている物質やＥＬ
素子の正孔輸送層に使用される公知の物質の中から任意
の物質を選択して用いることができる。
各種の態様があるが、正孔輸送層を設けると発光効率が
向上する。正孔輸送層に用いられる正孔輸送材料として
は、電界を与えられた２個の電極間に配置されて陽極か
ら正孔が注入された場合、この正孔を適切に発光層へ伝
達しうる化合物であって、例えば、１０4〜１０6Ｖ／ｃ
ｍの電界印加時に、少なくとも１０-6ｃｍ2／Ｖ・秒以
上の正孔移動度をもつものが好適である。このような正
孔輸送材料については、前記の好ましい性質を有する物
質であれば特に制限はなく、従来、光導電材料におい
て、正孔の電荷輸送材として慣用されている物質やＥＬ
素子の正孔輸送層に使用される公知の物質の中から任意
の物質を選択して用いることができる。
【００４３】上記正孔輸送材料としては、例えばＮーフ
ェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなどのカ
ルバゾール誘導体、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−
ジ（３−メチルフェニル）−４，４’−ジアミノビフェ
ニル（ＴＰＤ）、芳香族第３級アミンを主鎖あるいは側
鎖に持つポリマー、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリル
アミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−４，４’−ジアミノビフェ
ニルなどのトリアリールアミン誘導体、無金属、銅フタ
ロシアニンなどのフタロシアニン誘導体、ポリシランな
どがあげられる。
ェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなどのカ
ルバゾール誘導体、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−
ジ（３−メチルフェニル）−４，４’−ジアミノビフェ
ニル（ＴＰＤ）、芳香族第３級アミンを主鎖あるいは側
鎖に持つポリマー、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリル
アミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−４，４’−ジアミノビフェ
ニルなどのトリアリールアミン誘導体、無金属、銅フタ
ロシアニンなどのフタロシアニン誘導体、ポリシランな
どがあげられる。
【００４４】本発明のＥＬ素子の電子輸送層に用いられ
る電子輸送材料については特に制限はなく、従来公知の
化合物の中から任意のものを選択して用いる事ができ
る。この電子輸送材料の好ましい例としては、化３９な
どのジフェニルキノン誘導体（電子写真学会誌、30,3(1
991)などに記載のもの）、あるいは化４０、化４１など
の化合物(J.Apply.Phys.,27,269(1988)などに記載のも
の)や、オキサジアゾール誘導体（前記文献、Jpn.J.App
l.Phys.,27,L713(1988), アプライドフィジックスレタ
ー（Appl.Phys.Lett.）,55,1489(1989)などに記載のも
の）、チオフェン誘導体（特開平４−２１２２８６号公
報などに記載のもの）、トリアゾール誘導体（Jpn.J.Ap
pl.Phys.,32,L917(1993)などに記載のもの）、チアジア
ゾール誘導体（第４３回高分子学会予稿集、IIIＰ１ａ
００７などに記載のもの）、オキシン誘導体の金属錯体
（電子情報通信学会技術研究報告、92(311),43(1992)な
どに記載のもの）、キノキサリン誘導体のポリマー（Jp
n.J.Appl.Phys.,33,L250(1994)などに記載のもの）、フ
ェナントロリン誘導体（第４３回高分子討論会予稿集、
１４Ｊ０７などに記載のもの）などを挙げることがで
き、単独もしくは複数を組み合わせて使用することがで
きる。
る電子輸送材料については特に制限はなく、従来公知の
化合物の中から任意のものを選択して用いる事ができ
る。この電子輸送材料の好ましい例としては、化３９な
どのジフェニルキノン誘導体（電子写真学会誌、30,3(1
991)などに記載のもの）、あるいは化４０、化４１など
の化合物(J.Apply.Phys.,27,269(1988)などに記載のも
の)や、オキサジアゾール誘導体（前記文献、Jpn.J.App
l.Phys.,27,L713(1988), アプライドフィジックスレタ
ー（Appl.Phys.Lett.）,55,1489(1989)などに記載のも
の）、チオフェン誘導体（特開平４−２１２２８６号公
報などに記載のもの）、トリアゾール誘導体（Jpn.J.Ap
pl.Phys.,32,L917(1993)などに記載のもの）、チアジア
ゾール誘導体（第４３回高分子学会予稿集、IIIＰ１ａ
００７などに記載のもの）、オキシン誘導体の金属錯体
（電子情報通信学会技術研究報告、92(311),43(1992)な
どに記載のもの）、キノキサリン誘導体のポリマー（Jp
n.J.Appl.Phys.,33,L250(1994)などに記載のもの）、フ
ェナントロリン誘導体（第４３回高分子討論会予稿集、
１４Ｊ０７などに記載のもの）などを挙げることがで
き、単独もしくは複数を組み合わせて使用することがで
きる。
【００４５】
【化３９】
【００４６】
【化４０】
【００４７】
【化４１】
【００４８】本発明に用いる発光材料には、高分子学会
編 高分子機能材料シリーズ”光機能材料”、共立出版
(1991)、P236 に記載されているような昼光蛍光材料、蛍
光増白剤、レーザー色素、有機シンチレータ、各種の蛍
光分析試薬などの公知の発光材料を用いることができる
が、具体的には、アントラセン、フェナントレン、ピレ
ン、クリセン、ペリレン、コロネン、ルブレン、キナク
リドンなどの多環縮合化合物、クオーターフェニルなど
のオリゴフェニレン系化合物、１，４−ビス（２−メチ
ルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチルスチ
リル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチル−５−フェ
ニル−２−オキザゾリル）ベンゼン、１，４−ビス（５
−フェニル−２−オキサゾリル）ベンゼン、２，５−ビ
ス（５−タシャリー−ブチル−２−ベンズオキサゾリ
ル）チオフェン、１，４−ジフェニル−１，３−ブタジ
エン、１，６−ジフェニル−１，３，５−ヘキサトリエ
ン、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３，−ブタ
ジエンなどの液体シンチレーション用シンチレータ、特
開昭63-264692 号公報記載のオキシン誘導体の金属錯
体、クマリン染料、ジシアノメチレンピラン染料、ジシ
アノメチレンチオピラン染料、ポリメチン染料、オキソ
ベンズアントラセン染料、キサンテン染料、カルボスチ
リル染料およびペリレン染料、独国特許2534713 号公報
に記載のオキサジン系化合物、第４０回応用物理学関係
連合講演会講演予稿集、1146(1993)に記載のスチルベン
誘導体および特開平4-363891号公報記載のオキサジアゾ
ール系化合物が好ましい。
編 高分子機能材料シリーズ”光機能材料”、共立出版
(1991)、P236 に記載されているような昼光蛍光材料、蛍
光増白剤、レーザー色素、有機シンチレータ、各種の蛍
光分析試薬などの公知の発光材料を用いることができる
が、具体的には、アントラセン、フェナントレン、ピレ
ン、クリセン、ペリレン、コロネン、ルブレン、キナク
リドンなどの多環縮合化合物、クオーターフェニルなど
のオリゴフェニレン系化合物、１，４−ビス（２−メチ
ルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチルスチ
リル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチル−５−フェ
ニル−２−オキザゾリル）ベンゼン、１，４−ビス（５
−フェニル−２−オキサゾリル）ベンゼン、２，５−ビ
ス（５−タシャリー−ブチル−２−ベンズオキサゾリ
ル）チオフェン、１，４−ジフェニル−１，３−ブタジ
エン、１，６−ジフェニル−１，３，５−ヘキサトリエ
ン、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３，−ブタ
ジエンなどの液体シンチレーション用シンチレータ、特
開昭63-264692 号公報記載のオキシン誘導体の金属錯
体、クマリン染料、ジシアノメチレンピラン染料、ジシ
アノメチレンチオピラン染料、ポリメチン染料、オキソ
ベンズアントラセン染料、キサンテン染料、カルボスチ
リル染料およびペリレン染料、独国特許2534713 号公報
に記載のオキサジン系化合物、第４０回応用物理学関係
連合講演会講演予稿集、1146(1993)に記載のスチルベン
誘導体および特開平4-363891号公報記載のオキサジアゾ
ール系化合物が好ましい。
【００４９】本発明のＥＬ素子の好適な作製方法を、陽
極／該オキサジアゾール誘導体層／陰極からなるＥＬ素
子の例によって説明する。まず適当な基板上に、陽極用
物質からなる薄膜を、１μｍ以下、好ましくは１０〜２
００ｎｍの範囲の膜厚になるように、蒸着やスパッタリ
ングなどの方法により形成させ、陽極を作製したのち、
この上にオキサジアゾール誘導体の薄膜を形成させる。
薄膜化の方法としては、例えば、浸せき塗工法、スピン
コート法、キャスト法、蒸着法などがあるが、均質な膜
が得られやすく、不純物が混ざり難くかつピンホールが
生成しにくいなどの点から蒸着法が好ましい。
極／該オキサジアゾール誘導体層／陰極からなるＥＬ素
子の例によって説明する。まず適当な基板上に、陽極用
物質からなる薄膜を、１μｍ以下、好ましくは１０〜２
００ｎｍの範囲の膜厚になるように、蒸着やスパッタリ
ングなどの方法により形成させ、陽極を作製したのち、
この上にオキサジアゾール誘導体の薄膜を形成させる。
薄膜化の方法としては、例えば、浸せき塗工法、スピン
コート法、キャスト法、蒸着法などがあるが、均質な膜
が得られやすく、不純物が混ざり難くかつピンホールが
生成しにくいなどの点から蒸着法が好ましい。
【００５０】次に、このオキサジアゾール誘導体層の形
成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、１μｍ以
下、例えば蒸着やスパッタリング等の方法により形成さ
せ、陰極を設けることにより、所望のＥＬ素子が得られ
る。なお、このＥＬ素子の作製においては、作製順序を
逆にして、陰極、該オキサジアゾール誘導体層、陽極の
順に作製することも可能である。このようにして得られ
たＥＬ素子に、直流電圧を印加する場合には、３〜４０
Ｖ程度の直流電圧を印加すると、発光が透明または半透
明の電極側より観測できる。また、交流電圧を印加する
ことによっても発光する。なお印加する交流の波形は任
意でよい。
成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、１μｍ以
下、例えば蒸着やスパッタリング等の方法により形成さ
せ、陰極を設けることにより、所望のＥＬ素子が得られ
る。なお、このＥＬ素子の作製においては、作製順序を
逆にして、陰極、該オキサジアゾール誘導体層、陽極の
順に作製することも可能である。このようにして得られ
たＥＬ素子に、直流電圧を印加する場合には、３〜４０
Ｖ程度の直流電圧を印加すると、発光が透明または半透
明の電極側より観測できる。また、交流電圧を印加する
ことによっても発光する。なお印加する交流の波形は任
意でよい。
【００５１】
【実施例】次に本発明を実施例に基づいて更に詳しく説
明する。 実施例１ 化２２で表されるオキサジアゾール誘導体の
合成 ベンゾイックヒドラジド１．３６ｇとピリジン１０ｍｌ
のＴＨＦ２０ｍｌ溶液にｍ−トリフルオロメチルベンゾ
イルクロライド２．０９ｇを５℃で滴下した。５時間攪
拌後、１Ｎ塩酸を加え中和した。析出した固体をろ取
し、水洗後乾燥させた。得られた固体と微量のトルエン
スルホン酸のトルエン懸濁液を水抜き管をつけて１０時
間環流した。冷却後、飽和炭酸水素ナトリウム溶液を加
え攪拌した。トルエン層を水洗し、乾燥後濃縮した。得
られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて
精製し、アルコールから再結晶し、最後に減圧下昇華さ
せ目的の化合物を２．３２ｇ得た。構造をＮＭＲにて確
認した。蛍光波長は３４９ｎｍであった。1 Ｈ ＮＭＲデータ（数値はｐｐｍ値を表す） ８．３９（ｓ，１Ｈ），８．３６（ｄ，１Ｈ），８．１
７（ｍ，２Ｈ），７．８３（ｄ，１Ｈ），７．８０
（ｔ，１Ｈ），７．５６（ｍ，３Ｈ）
明する。 実施例１ 化２２で表されるオキサジアゾール誘導体の
合成 ベンゾイックヒドラジド１．３６ｇとピリジン１０ｍｌ
のＴＨＦ２０ｍｌ溶液にｍ−トリフルオロメチルベンゾ
イルクロライド２．０９ｇを５℃で滴下した。５時間攪
拌後、１Ｎ塩酸を加え中和した。析出した固体をろ取
し、水洗後乾燥させた。得られた固体と微量のトルエン
スルホン酸のトルエン懸濁液を水抜き管をつけて１０時
間環流した。冷却後、飽和炭酸水素ナトリウム溶液を加
え攪拌した。トルエン層を水洗し、乾燥後濃縮した。得
られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて
精製し、アルコールから再結晶し、最後に減圧下昇華さ
せ目的の化合物を２．３２ｇ得た。構造をＮＭＲにて確
認した。蛍光波長は３４９ｎｍであった。1 Ｈ ＮＭＲデータ（数値はｐｐｍ値を表す） ８．３９（ｓ，１Ｈ），８．３６（ｄ，１Ｈ），８．１
７（ｍ，２Ｈ），７．８３（ｄ，１Ｈ），７．８０
（ｔ，１Ｈ），７．５６（ｍ，３Ｈ）
【００５２】実施例２ 化２３で表されるオキサジアゾ
ール誘導体の合成 実施例１で用いたベンゾイックヒドラジドをｐ−フェニ
ルベンゾイックヒドラジドに代えた以外は実施例１に準
拠して化２３で表されるオキサジアゾール誘導体を合成
した。構造をＮＭＲにて確認した。蛍光波長は３６５ｎ
ｍであった。1 Ｈ ＮＭＲデータ（数値はｐｐｍ値を表す） ８．４１（ｓ，１Ｈ），８．３７（ｄ，１Ｈ），８．２
４（ｄ，２Ｈ），７．８０（ｍ，３Ｈ），７．６９
（ｍ，３Ｈ），７．５１（ｔ，２Ｈ）７．４３（ｍ，１
Ｈ）
ール誘導体の合成 実施例１で用いたベンゾイックヒドラジドをｐ−フェニ
ルベンゾイックヒドラジドに代えた以外は実施例１に準
拠して化２３で表されるオキサジアゾール誘導体を合成
した。構造をＮＭＲにて確認した。蛍光波長は３６５ｎ
ｍであった。1 Ｈ ＮＭＲデータ（数値はｐｐｍ値を表す） ８．４１（ｓ，１Ｈ），８．３７（ｄ，１Ｈ），８．２
４（ｄ，２Ｈ），７．８０（ｍ，３Ｈ），７．６９
（ｍ，３Ｈ），７．５１（ｔ，２Ｈ）７．４３（ｍ，１
Ｈ）
【００５３】実施例３ 化２５で表されるオキサジアゾ
ール誘導体の合成 実施例１で用いたベンゾイックヒドラジドを２−ナフト
イックヒドラジドに代えた以外は実施例１に準拠して化
２５で表されるオキサジアゾール誘導体を合成した。構
造をＮＭＲにて確認した。蛍光波長は３６８ｎｍであっ
た。1 Ｈ ＮＭＲデータ（数値はｐｐｍ値を表す） ８．６７（ｓ，１Ｈ），８．４５（ｓ，１Ｈ），８．４
１（ｄ，１Ｈ），８．２３（ｑ，１Ｈ），８．０２
（ｍ，２Ｈ），７．９３（ｍ，１Ｈ），７．８５（ｄ，
１Ｈ），７．７２（ｔ，１Ｈ），７．６２（ｍ，２Ｈ）
ール誘導体の合成 実施例１で用いたベンゾイックヒドラジドを２−ナフト
イックヒドラジドに代えた以外は実施例１に準拠して化
２５で表されるオキサジアゾール誘導体を合成した。構
造をＮＭＲにて確認した。蛍光波長は３６８ｎｍであっ
た。1 Ｈ ＮＭＲデータ（数値はｐｐｍ値を表す） ８．６７（ｓ，１Ｈ），８．４５（ｓ，１Ｈ），８．４
１（ｄ，１Ｈ），８．２３（ｑ，１Ｈ），８．０２
（ｍ，２Ｈ），７．９３（ｍ，１Ｈ），７．８５（ｄ，
１Ｈ），７．７２（ｔ，１Ｈ），７．６２（ｍ，２Ｈ）
【００５４】実施例４ 化１８で表されるオキサジアゾ
ール誘導体の合成 実施例１で用いたｍ−トリフルオロメチルベンゾイルク
ロライドをｐ−トリフルオロメチルフェニルベンゾイル
クロライドに、ベンゾイックヒドラジドを１−ナフトイ
ックヒドラジドに代えた以外は実施例１に準拠して化１
８で表されるオキサジアゾール誘導体を合成した。
ール誘導体の合成 実施例１で用いたｍ−トリフルオロメチルベンゾイルク
ロライドをｐ−トリフルオロメチルフェニルベンゾイル
クロライドに、ベンゾイックヒドラジドを１−ナフトイ
ックヒドラジドに代えた以外は実施例１に準拠して化１
８で表されるオキサジアゾール誘導体を合成した。
【００５５】実施例５ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴ
Ｏを蒸着法にて５０ｎｍの厚さで製膜したもの（東京三
容真空（株）製）を透明支持基板とした。この透明支持
基板を市販のスピンナー（協栄セミコンダクター（株）
製）に固定し、ポリビニルカルバゾール５０重量部、化
２２で表されるオキサジアゾール誘導体５０重量部およ
びクマリン６（Kodak）１重量部をトルエンに溶解した
ものを６０００ｒｐｍで塗布した。その後、この基板を
１０-1Ｐａの減圧下５０℃にて乾燥後、市販の蒸着装置
（真空機工（株）製）の基板ホルダーに固定し、上記発
光層の上にアルミニウム製のマスクを設置し、トリス
（８−キノリノラート）アルミニウムを電子輸送層とし
て５０ｎｍ蒸着した。蒸着速度は０．１〜０．２ｎｍ／
秒であった。その後真空槽を２×１０-4Ｐａまで減圧し
てから、グラファイト性のるつぼから、マグネシウムを
１．２〜２．４ｎｍ／秒の蒸着速度で、同時にもう一方
のるつぼから銀を０．１〜０．２ｎｍ／秒の蒸着速度で
蒸着した。上記条件でマグネシウムと銀の混合金属電極
を発光層の上に２００ｎｍ積層蒸着して対向電極とし、
素子を形成した。ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムと銀
の混合電極を陰極として、得られた素子に、直流電圧
７．８Ｖを印加すると１００ｍＡ／ｃｍ2の電流が流
れ、６４０ｃｄ／ｍ2の緑色の発光が得られた。この素
子は、５００時間駆動後も安定に発光した。
Ｏを蒸着法にて５０ｎｍの厚さで製膜したもの（東京三
容真空（株）製）を透明支持基板とした。この透明支持
基板を市販のスピンナー（協栄セミコンダクター（株）
製）に固定し、ポリビニルカルバゾール５０重量部、化
２２で表されるオキサジアゾール誘導体５０重量部およ
びクマリン６（Kodak）１重量部をトルエンに溶解した
ものを６０００ｒｐｍで塗布した。その後、この基板を
１０-1Ｐａの減圧下５０℃にて乾燥後、市販の蒸着装置
（真空機工（株）製）の基板ホルダーに固定し、上記発
光層の上にアルミニウム製のマスクを設置し、トリス
（８−キノリノラート）アルミニウムを電子輸送層とし
て５０ｎｍ蒸着した。蒸着速度は０．１〜０．２ｎｍ／
秒であった。その後真空槽を２×１０-4Ｐａまで減圧し
てから、グラファイト性のるつぼから、マグネシウムを
１．２〜２．４ｎｍ／秒の蒸着速度で、同時にもう一方
のるつぼから銀を０．１〜０．２ｎｍ／秒の蒸着速度で
蒸着した。上記条件でマグネシウムと銀の混合金属電極
を発光層の上に２００ｎｍ積層蒸着して対向電極とし、
素子を形成した。ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムと銀
の混合電極を陰極として、得られた素子に、直流電圧
７．８Ｖを印加すると１００ｍＡ／ｃｍ2の電流が流
れ、６４０ｃｄ／ｍ2の緑色の発光が得られた。この素
子は、５００時間駆動後も安定に発光した。
【００５６】実施例６ 実施例５で用いたオキサジアゾール誘導体を化２３で表
される化合物に代えた以外は実施例５に準拠して素子を
作成した。得られた素子に、直流電圧７．０Ｖを印加す
ると１００ｍＡ／ｃｍ2の電流が流れ、４２０ｃｄ／ｍ2
の緑色の発光が得られた。この素子は、５００時間駆動
後も安定に発光した。
される化合物に代えた以外は実施例５に準拠して素子を
作成した。得られた素子に、直流電圧７．０Ｖを印加す
ると１００ｍＡ／ｃｍ2の電流が流れ、４２０ｃｄ／ｍ2
の緑色の発光が得られた。この素子は、５００時間駆動
後も安定に発光した。
【００５７】実施例７ 実施例５で用いたオキサジアゾール誘導体を化２５で表
される化合物に代えた以外は実施例５に準拠して素子を
作成した。得られた素子に、直流電圧７．２Ｖを印加す
ると１００ｍＡ／ｃｍ2の電流が流れ、６１０ｃｄ／ｍ2
の緑色の発光が得られた。この素子は、５００時間駆動
後も安定に発光した。
される化合物に代えた以外は実施例５に準拠して素子を
作成した。得られた素子に、直流電圧７．２Ｖを印加す
ると１００ｍＡ／ｃｍ2の電流が流れ、６１０ｃｄ／ｍ2
の緑色の発光が得られた。この素子は、５００時間駆動
後も安定に発光した。
【００５８】比較例１ 実施例１で用いたオキサジアゾール誘導体をＰＢＤに代
えた以外は同様な方法で素子を作成した。得られた素子
に、直流電圧９．０Ｖを印加すると１００ｍＡ／ｃｍ2
の電流が流れ、７３０ｃｄ／ｍ2の緑色の発光を得た。
しかし、この素子は、１０時間駆動後に非発光部位が生
じ、発光輝度が約１／１０に低下した。
えた以外は同様な方法で素子を作成した。得られた素子
に、直流電圧９．０Ｖを印加すると１００ｍＡ／ｃｍ2
の電流が流れ、７３０ｃｄ／ｍ2の緑色の発光を得た。
しかし、この素子は、１０時間駆動後に非発光部位が生
じ、発光輝度が約１／１０に低下した。
【００５９】実施例８ 実施例５で用いたクマリン６を４−ジシアノメチレン−
２−メチル−６−ｐ−ジメチルアミノスチリル−４Ｈ−
ピランに代えた以外は実施例５に準拠して素子を作成し
た。電圧を印加すると電流が流れ赤色の発光が見られ
た。
２−メチル−６−ｐ−ジメチルアミノスチリル−４Ｈ−
ピランに代えた以外は実施例５に準拠して素子を作成し
た。電圧を印加すると電流が流れ赤色の発光が見られ
た。
【００６０】実施例９ 実施例５で用いたクマリン６をペリレンに代えた以外は
実施例５に準拠して素子を作成した。電圧を印加すると
電流が流れ青色の発光が見られた。
実施例５に準拠して素子を作成した。電圧を印加すると
電流が流れ青色の発光が見られた。
【００６１】実施例１０ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴ
Ｏを蒸着法にて５０ｎｍの厚さで製膜したもの（東京三
容真空（株）製）を透明支持基板とした。この透明支持
基板を市販の蒸着装置（真空機工（株）製）の基板ホル
ダーに固定し、石英製のるつぼにＴＰＤをいれ、別のる
つぼに１，３−ジ（９−アンスリル）−２−（９−カル
バゾリルメチル）−プロパン（ＡｎＣｚ）をいれ、もう
１つのるつぼに化２３で表される化合物を入れて真空槽
を１Ｘ１０-4Ｐａまで減圧した。ＴＰＤ入りのるつぼを
加熱し、膜厚５０ｎｍになるように蒸着した。次に、こ
の上にＡｎＣｚ入りのるつぼを加熱して、膜厚５０ｎｍ
になるように蒸着した。最後に、化２３で表される化合
物を入れたるつぼを加熱して膜厚５０ｎｍになるように
蒸着した。蒸着速度は０．１〜０．２ｎｍ／秒であっ
た。その後真空槽を２×１０-4Ｐａまで減圧してから、
グラファイト性のるつぼから、マグネシウムを１．２〜
２．４ｎｍ／秒の蒸着速度で、同時にもう一方のるつぼ
から銀を０．１〜０．２ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し
た。上記条件でマグネシウムと銀の混合金属電極を発光
層の上に２００ｎｍ積層蒸着して対向電極とし、素子を
形成した。ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムと銀の混合
電極を陰極として、得られた素子に、直流電圧１１Ｖを
印加すると１００ｍＡ／ｃｍ2の電流が流れ、３７００
ｃｄ／ｍ2の緑色の発光が得られた。この素子は、２時
間駆動後も安定に発光した。
Ｏを蒸着法にて５０ｎｍの厚さで製膜したもの（東京三
容真空（株）製）を透明支持基板とした。この透明支持
基板を市販の蒸着装置（真空機工（株）製）の基板ホル
ダーに固定し、石英製のるつぼにＴＰＤをいれ、別のる
つぼに１，３−ジ（９−アンスリル）−２−（９−カル
バゾリルメチル）−プロパン（ＡｎＣｚ）をいれ、もう
１つのるつぼに化２３で表される化合物を入れて真空槽
を１Ｘ１０-4Ｐａまで減圧した。ＴＰＤ入りのるつぼを
加熱し、膜厚５０ｎｍになるように蒸着した。次に、こ
の上にＡｎＣｚ入りのるつぼを加熱して、膜厚５０ｎｍ
になるように蒸着した。最後に、化２３で表される化合
物を入れたるつぼを加熱して膜厚５０ｎｍになるように
蒸着した。蒸着速度は０．１〜０．２ｎｍ／秒であっ
た。その後真空槽を２×１０-4Ｐａまで減圧してから、
グラファイト性のるつぼから、マグネシウムを１．２〜
２．４ｎｍ／秒の蒸着速度で、同時にもう一方のるつぼ
から銀を０．１〜０．２ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し
た。上記条件でマグネシウムと銀の混合金属電極を発光
層の上に２００ｎｍ積層蒸着して対向電極とし、素子を
形成した。ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムと銀の混合
電極を陰極として、得られた素子に、直流電圧１１Ｖを
印加すると１００ｍＡ／ｃｍ2の電流が流れ、３７００
ｃｄ／ｍ2の緑色の発光が得られた。この素子は、２時
間駆動後も安定に発光した。
【００６２】比較例２ 実施例１０で用いたオキサジアゾール誘導体をＰＢＤに
代えた以外は実施例１０に準拠して素子を作成した。得
られた素子に、直流電圧１６Ｖを印加すると５０ｍＡ／
ｃｍ2の電流が流れ、９００ｃｄ／ｍ2の緑色の発光を得
た。この素子は、５分駆動後に非発光部位が生じ、発光
輝度が約１／３に低下した。
代えた以外は実施例１０に準拠して素子を作成した。得
られた素子に、直流電圧１６Ｖを印加すると５０ｍＡ／
ｃｍ2の電流が流れ、９００ｃｄ／ｍ2の緑色の発光を得
た。この素子は、５分駆動後に非発光部位が生じ、発光
輝度が約１／３に低下した。
【００６３】
【発明の効果】本発明のオキサジアゾール誘導体は、ト
リフルオロメチル基を有するため融点およびＴｇが高
く、電子輸送性に優れている。そのため、本発明のＥＬ
素子は、発光効率が高く、耐久性に富む。また、本発明
のオキサジアゾール誘導体は、蛍光色が青色から紫色の
範囲にあるので、有機ＥＬ素子の電子輸送材料として使
用した場合、発光色を損ねることがなく、フルカラーデ
ィスプレー等の発光素子に適している。
リフルオロメチル基を有するため融点およびＴｇが高
く、電子輸送性に優れている。そのため、本発明のＥＬ
素子は、発光効率が高く、耐久性に富む。また、本発明
のオキサジアゾール誘導体は、蛍光色が青色から紫色の
範囲にあるので、有機ＥＬ素子の電子輸送材料として使
用した場合、発光色を損ねることがなく、フルカラーデ
ィスプレー等の発光素子に適している。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０９Ｋ 11/06 Ｚ 9280−4Ｈ Ｈ０５Ｂ 33/14 //(Ｃ０７Ｄ 413/04 215:12 271:10） (Ｃ０７Ｄ 413/04 271:10 333:10）
Claims (5)
- 【請求項１】 一般式化１で表されるオキサジアゾール
誘導体。 【化１】 ［式中、Ｘは酸素あるいは硫黄を示し、Ａｒ1およびＡ
ｒ2は置換もしくは無置換の芳香族基を示し、Ａｒ1とＡ
ｒ2のうち少なくとも一方にトリフルオロメチル基を有
する。］ - 【請求項２】 一般式化２で表されるオキサジアゾール
誘導体。 【化２】 ［式中、Ｘは酸素あるいは硫黄を示し、Ａｒ1は置換も
しくは無置換の芳香族基を示し、Ｒ1〜Ｒ5のうち少なく
とも一つはトリフルオロメチル基を示し、残りはそれぞ
れ独立に水素、芳香族基あるいは炭素数１から６までの
アルキル基を示す。］ - 【請求項３】 一般式化３で表されるオキサジアゾール
誘導体を用いた電界発光素子。 【化３】 ［式中、Ｘは酸素あるいは硫黄を示し、Ａｒ1およびＡ
ｒ2は置換もしくは無置換の芳香族基を示し、Ａｒ1とＡ
ｒ2のうち少なくとも一方にトリフルオロメチル基を有
する。］ - 【請求項４】 一般式化４で表されるオキサジアゾール
誘導体を用いた電界発光素子。 【化４】 ［式中、Ｘは酸素あるいは硫黄を示し、Ａｒ1は置換も
しくは無置換の芳香族基を示し、Ｒ1〜Ｒ5のうち少なく
とも一つはトリフルオロメチル基を示し、残りはそれぞ
れ独立に水素、芳香族基あるいは炭素数１から６までの
アルキル基を示す。］ - 【請求項５】 一般式化５で表されるオキサジアゾール
誘導体を電子輸送材料として用いた電界発光素子。 【化５】 ［式中、Ｘは酸素あるいは硫黄を示し、Ａｒ1およびＡ
ｒ2は置換もしくは無置換の芳香族基を示し、Ａｒ1とＡ
ｒ2のうち少なくとも一方にトリフルオロメチル基を有
する。］
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34030994A JP3858278B2 (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34030994A JP3858278B2 (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 電界発光素子 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005165579A Division JP3925543B2 (ja) | 2005-06-06 | 2005-06-06 | 電界発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08176125A true JPH08176125A (ja) | 1996-07-09 |
| JP3858278B2 JP3858278B2 (ja) | 2006-12-13 |
Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34030994A Expired - Lifetime JP3858278B2 (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 電界発光素子 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3858278B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012121883A (ja) * | 2010-11-18 | 2012-06-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | オキサジアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体を用いた発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5585506A (en) * | 1978-12-01 | 1980-06-27 | Dow Chemical Co | Suppression of insect propagating with manure |
| US4210762A (en) * | 1978-08-17 | 1980-07-01 | Monsanto Company | 2[5-(3-Trifluoromethylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl] benzoates |
| JPS61152661A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-11 | チバ ― ガイギー アクチエンゲゼルシャフト | １，２，４‐トリアゾール誘導体 |
| JPH024787A (ja) * | 1988-03-07 | 1990-01-09 | Hoechst Ag | オキサジアゾール化合物、感光性組成物および該化合物の製造法 |
| JPH04235174A (ja) * | 1990-04-21 | 1992-08-24 | Bayer Ag | アリールオキシカルボニル化合物 |
| JPH05326146A (ja) * | 1992-01-07 | 1993-12-10 | Toshiba Corp | 有機ｅｌ素子 |
| JPH0692947A (ja) * | 1992-07-27 | 1994-04-05 | Ricoh Co Ltd | オキサジアゾール誘導体ならびにその製造法 |
| JPH06145658A (ja) * | 1992-04-14 | 1994-05-27 | Ricoh Co Ltd | 電界発光素子 |
| JPH07138560A (ja) * | 1993-11-15 | 1995-05-30 | Toshiba Corp | 光機能有機薄膜素子 |
-
1994
- 1994-12-27 JP JP34030994A patent/JP3858278B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| J.HETEROCYCLIC CHEM., vol. 29, JPNX006039667, July 1992 (1992-07-01), pages 991 - 993, ISSN: 0000767695 * |
| J.PHYS.CHEM., vol. 97, no. 23, JPNX006013503, 1993, pages 6240 - 6248, ISSN: 0000726543 * |
| J.PHYS.CHEM., vol. 97, no. 23, JPNX006039666, 1993, pages 6240 - 6248, ISSN: 0000767694 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012121883A (ja) * | 2010-11-18 | 2012-06-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | オキサジアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体を用いた発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 |
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|---|---|
| JP3858278B2 (ja) | 2006-12-13 |
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