JP2000143591A - ２，７−ジアミノ−９−フルオレニリデン化合物および有機電界発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 良好な発光効率、高輝度発光、低駆動電圧で
の発光、化学的および物理的劣化の小さい有機ＥＬ素子
を提供することを課題とする。 【解決手段】 一般式（１）： 【化１】 〔式中、Ａ₁ は置換もしくは非置換のアリール基、低級
アルキル基または複素環基であり；Ａ₂ は水素原子、置
換もしくは非置換のアリール基、低級アルキル基、また
は置換もしくは非置換のアラルキル基であり；ｎは０ま
たは１であり；Ｒ _1aおよびＲ_1bは同一または異なって、
水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは非置換のアリー
ル基、低級アルキル基または低級アルコキシ基である
（Ｒ_1aおよびＲ_1bが隣接する置換位置の低級アルコキシ
基であるとき、互いに結合して酸素原子を含む５員環ま
たは６員環を形成していてもよい）〕で示される２，７
−ジアミノ−９−フルオリデン化合物を提供することに
より、上記課題を解決する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、２，７−ジアミノ
−９−フルオレニリデン化合物および有機電界発光素子
に関する。さらに詳しくは、本発明は、新規な２，７−
ジアミノ−９−フルオレニリデン化合物およびこの新規
化合物を使用した、駆動電圧が小さく、熱安定性に優
れ、発光効率が良好な有機電界発光素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】有機電界発光素子（以下、電界発光素子
を「ＥＬ素子」と略す）は、自己発光性のため視界認識
性が高く、かつ完全固体素子であるため耐衝撃性に優れ
るなどの特徴を有している。このことから、近年、有機
ＥＬ素子は各種表示、バックライト用ランプなどへの応
用が注目されている。

【０００３】このＥＬ素子には、発光層に無機化合物を
用いる無機ＥＬ素子と有機化合物を用いる有機ＥＬ素子
とがある。これらＥＬ素子のなかでも、有機ＥＬ素子
は、印加電圧の低減とフルカラー対応を目的として、そ
の実用化の研究が積極的になされている。

【０００４】有機ＥＬ素子は、陽極／発光層／陰極を基
本構成とし、これに陽極より注入された正孔を、効率よ
く発光層に伝達する機能を有する正孔注入輸送層や、陰
極より注入された電子を、効率よく発光層に伝達する機
能を有する電子注入輸送層を、適宜設けたものがよく知
られている。

【０００５】このような構成の有機ＥＬ素子のなかで、
特に優れた性能を有しているものとして、陽極／正孔注
入輸送層／発光層／陰極の構成を有する素子が種々提案
されている（例えば、米国特許第４，５３９，５０７号
公報、同第４，７６９，２９２号公報、特開昭５９−１
９４３９３号公報および特開昭６３−２９５６９５号公
報参照）。例えば、上記構成の有機ＥＬ素子において
は、正孔注入輸送層に薄膜形成性に優れた材料を用いる
ことにより、正孔注入輸送層と発光層との合計膜厚を１
５０ｎｍ以下にすることを可能にし、その結果、２０Ｖ
以下の駆動電圧で高輝度の発光を得ることに成功してい
る。

【０００６】また、正孔注入輸送層に、電子を輸送せず
電子に対して障壁として作用するトリフェニルアミン系
の正孔注入輸送化合物を用いて、正孔注入輸送層と発光
層との界面に存在する電子の障壁により、この発光層内
の界面に電子を蓄積し、さらに、発光層の材料としてア
ルミニウム（III)錯体を用いることによって、１０Ｖ以
下の低い印加電圧で、１０００ｃｄ／ｍ² の高輝度の緑
色発色を、発光効率１．５ルーメン／Ｖという高い値で
実現している。

【０００７】ところで、上記の有機ＥＬ素子は、電子と
正孔との再結合を発光機構としているため、理論的には
発光ダイオードなみの低電圧駆動（２〜６Ｖ）が可能な
はずである。しかし、現状では駆動電圧はこのレベルに
到っていない（具体的には、８Ｖ以上）。これは陽極と
正孔注入輸送層との界面に存在する正孔注入に対するエ
ネルギー障壁、あるいは発光層と陰極との界面に存在す
る電子注入に対するエネルギー障壁によるものである。
さらに、一般的な発光の量子効率は４０％程度が上限で
あるといわれているが、有機ＥＬ素子においては、まだ
３％程度である。

【０００８】このように、陽極／正孔注入輸送層／発光
層／陰極の構成を有する有機ＥＬ素子においては、他の
構成の有機ＥＬ素子に比べて性能は優れているが、駆動
電圧および発光効率については必ずしも十分に満足しう
るものではない。さらに、有機ＥＬ素子は、無機ＥＬ素
子に比べてその構成材料の劣化特性が良好でなく、この
ため長時間の使用に耐えられないという問題点が解決さ
れていない。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、水や酸素な
どの物質による化学的劣化、および光や熱などによる物
理的劣化が小さく、かつ高性能なフォトニック機能を有
する新規化合物を提供することを課題とする。また、本
発明は、前記の新規化合物を有機ＥＬ素子用化合物とし
て用いることにより、良好な発光効率、高輝度発光、低
駆動電圧での発光、化学的および物理的劣化の小さい有
機ＥＬ素子を提供することを課題とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前述のよ
うな優れた特徴を有する有機ＥＬ素子を開発すべく鋭意
研究を重ねた結果、陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰
極の基本構成に、少なくとも正孔注入輸送層中の正孔注
入輸送化合物として上記の２，７−ジアミノ−９−フル
オレニリデン化合物を用いた場合に、各界面に存在する
電荷注入のエネルギー障壁が緩和され、より低い駆動電
圧が可能となるとともに、高い発光効率と長時間安定な
有機ＥＬ素子が得られることを見い出し、本発明を完成
するに到った。また、所望により、上記の有機ＥＬ素子
に特定の電子障壁層を設けることにより、発光効率がよ
り一層向上することを見い出し、本発明を完成するに到
った。

【００１１】かくして、本発明によれば、一般式
（１）：

【００１２】

【化７】

【００１３】〔式中、Ａ₁ は置換もしくは非置換のアリ
ール基、低級アルキル基または複素環基であり；Ａ₂ は
水素原子、置換もしくは非置換のアリール基、低級アル
キル基、または置換もしくは非置換のアラルキル基であ
り；ｎは０または１であり；Ｒ _1aおよびＲ_1bは同一また
は異なって、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは非
置換のアリール基、低級アルキル基または低級アルコキ
シ基である（Ｒ_1aおよびＲ_1bが隣接する置換位置の低級
アルコキシ基であるとき、互いに結合して酸素原子を含
む５員環または６員環を形成していてもよい）〕で示さ
れる２，７−ジアミノ−９−フルオレニリデン化合物が
提供される。

【００１４】また、本発明によれば、基板上に陽極、正
孔注入輸送層、発光層および陰極がこの順で積層された
有機電界発光素子であって、前記正孔注入輸送層が、上
記の２，７−ジアミノ−９−フルオレニリデン化合物を
含有することを特徴とする有機電界発光素子が提供され
る。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の２，７−ジアミノ−９−
フルオレニリデン化合物（以下、「フルオリデン化合
物」と略す）は、ＣＡ（Chemical Abstract)およびＪＯ
Ｃ（Journal ofOrganic Chemistry）などにも記載され
ていない化合物であり、下記の一般式（１）の構造を有
する。

【００１６】

【化８】

【００１７】〔式中、Ａ₁ は置換もしくは非置換のアリ
ール基、低級アルキル基または複素環基であり；Ａ₂ は
水素原子、置換もしくは非置換のアリール基、低級アル
キル基、または置換もしくは非置換のアラルキル基であ
り；ｎは０または１であり；Ｒ _1aおよびＲ_1bは同一また
は異なって、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは非
置換のアリール基、低級アルキル基または低級アルコキ
シ基である（Ｒ_1aおよびＲ_1bが隣接する置換位置の低級
アルコキシ基であるとき、互いに結合して酸素原子を含
む５員環または６員環を形成していてもよい）〕

【００１８】一般式（１）におけるＡ₁ の「アリール
基」としては、例えば、フェニル基、（１−または２
−）ナフチル基および（１−，２−または９−）アント
リル基（アントラニル基）などの炭素数６〜１４のもの
が挙げられ、なかでも、フェニル基およびナフチル基が
好ましく、合成の材料的見地からフェニル基が特に好ま
しい。

【００１９】この「アリール基」における置換は、モノ
置換に限らず、ジ置換およびトリ置換であってもよい。
複数の置換基は同一または異なる置換基であってもよ
く、その置換位置は、立体障害があり、かつ合成面で問
題があるオルト位ではなく、メタ位およびパラ位が好ま
しい。置換基としては、例えば、水素原子；フッ素原
子、塩素原子および臭素原子などのハロゲン原子；メチ
ル基、エチル基、n-プロピル基およびイソプロピル基な
どの炭素数１〜３のアルキル基；メトキシ基、エトキシ
基およびプロポキシ基などの炭素数１〜３のアルコキシ
基；フェニル基；モルホリノ基ならびに同一もしくは異
なる置換基を有するジ置換アミノ基などが挙げられる。

【００２０】この「同一もしくは異なる置換基を有する
ジ置換アミノ基」としては、例えば、ジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｎ−メチ
ル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−エチル−Ｎ−フェニル
アミノ基、ジ（ｐ−トリルフェニル）アミノ基、ジベン
ジルアミノ基、ベンジルメチルアミノ基、ベンジルエチ
ルアミノ基、およびベンジルフェニルアミノ基などが挙
げられる。

【００２１】Ａ₁ の「低級アルキル基」としては、ベン
ゼン環のファンデルワールス半径を大きく超えない、比
較的炭素数の小さいものが好ましい。具体的には、メチ
ル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブ
チル基およびイソブチル基などの「炭素数１〜４のアル
キル基」が好ましい。上記のようにアルキル基の置換体
が考えられるが、有機ＥＬ素子材料として利点はあまり
ない。また、Ａ₁ がメチル基のような「アルキル基」の
場合、融点やガラス転移温度が比較的高くなく、それに
付随して熱安定性に欠けるので、Ａ₁としては、「アリ
ール基」が好ましい。

【００２２】Ａ₁ の「複素環基」としては、例えば、
（２−，３−または４−）ピリジル基、（２−または３
−）フリル基、（２−または３−）ベンゾ［ｂ］フラニ
ル基、（２−または３−）チエニル基、（２−または３
−）ピロリル基、９−メチル−（２−または３−）カル
バゾリル基、９−エチル−（２−または３−）カルバゾ
リル基、９−フェニル−（２−または３−）カルバゾリ
ル基、１−エチル−（２−，３−，４−，５−，６−ま
たは７）インドリル基、１−メチル−（２−，３−，４
−，５−，６−または７）インドリル基、および（２
−，３−，４−，５−，６−，７−または８−）キノリ
ル基などが挙げられる。

【００２３】一般式（１）におけるＡ₂ の「置換もしく
は非置換のアリール基」としては、Ａ₁ に例示の「アリ
ール基」および「アリール基の置換基」が挙げられ、な
かでも、フェニル基およびナフチル基などの炭素数６〜
１２のものが好ましい。「アリール基」における置換
は、モノ置換に限らず、ジ置換およびトリ置換であって
もよい。複数の置換基は同一または異なる置換基であっ
てもよく、その置換位置は、立体障害があり、かつ合成
面で問題があるオルト位ではなく、メタ位およびパラ位
が好ましい。例えば、隣接する置換位置の低級アルコキ
シ基が互いに結合して５員環または６員環を形成してい
てもよい。「アリール基の置換基」としては、電子供与
基が好ましい。

【００２４】Ａ₂ の「低級アルキル基」としては、Ａ₁
に例示の「低級アルキル基」が挙げられる。この低級ア
ルキル基以外に、置換基は、n-ペンチル基、イソペンチ
ル基、 tert-ペンチル、neo-ペンチル、ヘキシル基およ
びメチルヘキシル基などの炭素数５〜６のアルキル基で
あってもよい。

【００２５】Ａ₂ の「アラルキル基」としては、ベンジ
ル基およびフェネチル基などが挙げられ、この「アラル
キル基の置換基」としては、Ａ₁ に例示の「アリール基
の置換基」が挙げられる。「同一もしくは異なる置換基
を有するアラルキル基」としては、例えば、（２−，３
−または４−）クロロベンジル基、（２−，３−または
４−）メチルベンジル基および（２−，３−または４
−）エチルベンジル基などが挙げられる。

【００２６】一般式（１）におけるＲ_1aおよびＲ_1bは、
同一または異なる置換基であってもよく、その置換位置
は、立体障害があり、かつ合成面で問題があるオルト位
ではなく、パラ位およびメタ位が好ましい。

【００２７】Ｒ₁ およびＲ_1bの「ハロゲン原子」として
は、フッ素原子、塩素原子および臭素原子などが挙げら
れ、なかでも、塩素原子が特に好ましい。Ｒ₁ およびＲ
_1bの「置換もしくは非置換のアリール基」としては、Ａ
₁ に例示の「アリール基」および「アリール基の置換
基」が挙げられ、なかでも、フェニル基が特に好まし
い。

【００２８】Ｒ₁ およびＲ_1bの「低級アルキル基」とし
ては、Ａ₁ に例示の「低級アルキル基」が挙げられ、メ
チル基およびエチル基が特に好ましい。Ｒ₁ およびＲ_1b
の「低級アルコキシ基」としては、ベンゼン環のファン
デルワールス半径を大きく超えない、比較的炭素数の小
さいものが好ましい。具体的には、メトキシ基、エトキ
シ基、プロポキシ基およびブトキシ基などの炭素数１〜
４のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基およびエトキ
シ基が特に好ましい。Ｒ_1aおよびＲ_1bが隣接する置換位
置の低級アルコキシ基であるとき、互いに結合して酸素
原子を含む５員環または６員環を形成していてもよい。

【００２９】一般式（１）で示される化合物のなかで
も、Ａ₁ が

【００３０】

【化９】

【００３１】であり、副式（２）：

【００３２】

【化１０】

【００３３】（式中、Ａ₂ 、Ｒ_1a、Ｒ_1bおよびｎは一般
式（１）と同義であり；Ｒ₂ およびＲ ₃ は同一または異
なって、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、低
級アルコキシ基、または同一もしくは異なる置換基を有
するジ置換アミノ基である）で示される化合物、Ａ₁ が

【００３４】

【化１１】

【００３５】であり、副式（３）：

【００３６】

【化１２】

【００３７】〔式中、Ａ₂ 、Ｒ_1a、Ｒ_1bおよびｎは一般
式（１）と同義であり；Ｒ₄ およびＲ ₅ は同一または異
なって、水素原子、低級アルキル基または低級アルコキ
シ基である（Ｒ₄ およびＲ₅ は互いに結合して環を形成
していてもよい）〕で示される化合物、およびｎが０で
あり、かつＡ₁ が

【００３８】

【化１３】

【００３９】であり、副式（４）：

【００４０】

【化１４】

【００４１】（式中、Ａ₂ 、Ｒ_1aおよびＲ_1bは一般式
（１）と同義であり；Ｒ₆ およびＲ₇ は同一または異な
って、水素原子、低級アルキル基、置換もしくは非置換
のアリール基、または置換もしくは非置換のアラルキル
基である）で示される化合物は、非常に高いガラス転移
温度を有し、基板等との密着性が良好であり、好まし
い。

【００４２】副式（２）におけるＲ₂ およびＲ₃ 、副式
（３）におけるＲ₄ およびＲ₅ 、ならびに副式（４）に
おけるＲ₆ およびＲ₇ としては、一般式（１）に例示の
ものが挙げられる。

【００４３】本発明のフルオリデン化合物の具体例を以
下に示す。

【００４４】

【表１】

【００４５】

【表２】

【００４６】

【表３】

【００４７】表１〜表３に記載の本発明のフルオリデン
化合物はすべて２９３Ｋでの正孔輸送度が１０^-5（ｃｍ
² ｖ^-1ｓ^-1）以上の高い正孔輸送材料である。特に、表
１における例示化合物４、６、７、９、１０、１２、１
４および１５、ならびに表２における例示化合物２０、
２７、２８および２９は、正孔輸送度２．０×１０
^-4（ｃｍ² ｖ^-1ｓ^-1）を示す非常に優れた正孔輸送効率
材料である。

【００４８】本発明のフルオリデン化合物は、新規な化
合物ではあるが、合成法については、公知の方法を適用
することができる。例えば、特開昭６０−２０２４４３
号公報、特開昭６１−２７２７５５号および特開昭６３
−２３１６３号公報に参考になる合成法が記載されてい
る。また、世界的によく知られている有機化学合成テキ
ストであるオーガニックシンセシス（Organic Synthese
s)、第１巻、第５４４頁、ならびに同第３巻、第２３９
頁および第３７７頁に類似の合成法が記載されている。

【００４９】本発明のフルオリデン化合物の合成法の概
要を、表１における例示化合物１を例に反応式を用いて
説明する。なお、反応式中の置換基Ａ₁ 、Ａ₂ 、Ｒ_1a、
Ｒ_1bおよびｎは一般式（１）と同義であり、Ｘ₁ および
Ｘ₂ はフッ素、塩素、臭素およびヨウ素などのハロゲン
原子である。

【００５０】（合成過程１）まず、溶剤中（例えば、酢
酸など）、室温〜８０℃程度（合成する化合物によって
は、より高温でもよい）でフルオレンを発煙硝酸でニト
ロ化して、黄色の２，７−ジニトロフルオレンを得る。
場合によっては東京化成工業（株）より試薬として得る
ことも可能である。

【００５１】

【化１５】

【００５２】（合成過程２）このようにして得られた
２，７−ジニトロフルオレン１当量と下記の一般式
（７）で示されるアルデヒド誘導体１．２当量とを溶剤
中（例えば、ｎ−ブチルアルコールなど）、微量の有機
系塩基性触媒（例えば、ピペリジンおよびピリジンな
ど）の存在下で数時間加熱還流を行い、全体がゲル状態
になった２，７−ジニトロ−９−フルオレニデン化合物
を得る。上記の反応混合物は反応進行に伴って色調が深
色化する。

【００５３】

【化１６】

【００５４】（合成過程３）得られた２，７−ジニトロ
−９−フルオレニデンを公知の還元法（例えば、還元剤
として塩酸＋塩化第１スズ１２水塩を用いた還元）によ
り、下記式で示されるジアミノ体を得る。

【００５５】

【化１７】

【００５６】（合成過程４）得られたジアミノ体と活性
ハロゲン化合物（例えば、ハロゲン化ベンゼンなど）と
を、触媒（例えば、水酸化ナトリウムおよび水酸化カリ
ウムなどの塩基性触媒または銅粉、ハロゲン化銅、クラ
ウンエーテルなど）の存在下、該触媒に適用する溶剤中
で加熱して、一般式で示される本発明のフルオリデン化
合物（表１における例示化合物１）を得る。

【００５７】

【化１８】

【００５８】ただし、ジアミノ体の置換基がすべて同一
置換基である場合には、上記のような一反応でよいが、

【００５９】

【化１９】

【００６０】とＡ₂ とが同一でない異種置換基の場合に
は、活性ハロゲン化合物の活性度の違いを利用して２段
階合成を行った方が好ましい。通常、活性度の弱いハロ
ゲン化合物を１段階合成に用いるのがよい。

【００６１】本発明の有機ＥＬ素子は、主として、基板
上に陽極、正孔注入輸送層、発光層および陰極がこの順
に積層されて構成される。なお、これらの基板−陽極、
陽極−正孔注入輸送層、正孔注入輸送層−発光層および
発光層−陰極の間に、任意に電子注入層、電荷障壁層お
よびバッファ層などの中間層を設けてもよい。なかで
も、発光層−陰極の間に電子注入層が、発光層に面して
電荷障壁層が形成されていることが好ましい。

【００６２】発光層に面した電荷障壁層としては、正孔
障壁層、電子障壁層の２つのタイプが挙げられるが、電
子障壁層の方が効率的であるため好ましい。ここで、発
光層に面して形成されているとは、電子障壁層の場合に
は、発光層と正孔注入輸送層との間、好ましくは発光層
の陽極側表面に接するように設けられることを意味す
る。また、正孔障壁層の場合には、発光層と陰極との
間、好ましくは発光層の陰極側表面に接するように設け
られることを意味する。

【００６３】具体的な層構成としては、 （１）陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰極 （２）陽極／正孔注入輸送層／発光層／電子注入輸送層
／陰極 （３）陽極／正孔注入輸送層／電子障壁層／発光層／陰
極 （４）陽極／正孔注入輸送層／電子障壁層／発光層／電
子注入輸送層／陰極 （５）陽極／正孔注入輸送層／電子障壁層／発光層／正
孔障壁層／電子注入輸送層／陰極 などが挙げられる。

【００６４】上記の有機ＥＬ素子は、いずれの場合も基
板に支持されていることが好ましい。基板としては、通
常、有機ＥＬ素子に用いられているものであれば、特に
限定されるものではなく、例えば、ガラス、透明プラス
チックまたは石英などからなるものが挙げられる。ま
た、これらの基板上に所望の絶縁層や、素子、回路およ
び所望の絶縁膜などが形成されていてもよい。ただし、
層構成が多層になると、有機ＥＬ素子の作製の制御が困
難になるなどの問題点も増大するため、できるだけ簡単
な素子構造になるようにすることが好ましい。

【００６５】本発明における陽極としては、仕事関数の
大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、導電性化合物、透明
導電性化合物およびこれらの混合物を電極物質とするも
のなどが挙げられる。なかでも、陽極側から発光を取り
出すことが一般的であるため、透明導電性化合物（例え
ば、ＩＴＯ）が好ましい。陽極は、上記電極物質を蒸着
やスパッタリングなどの方法により薄膜状に形成するこ
とができる。

【００６６】上記陽極によって発光を取り出す場合に
は、透過率を大きくすることが必要であるため、シート
抵抗は数１０¹²Ω程度以下であることが好ましい。ま
た、陽極の膜厚は、使用する電極材料によって異なる
が、例えば、１０〜３００ｎｍ程度が好ましい。

【００６７】本発明における正孔注入輸送層は、陽極か
ら注入された正孔を後述する発光層まで伝達する機能を
有している。この正孔注入輸送層は、本発明のフルオリ
デン化合物を含有する。これらの化合物は優れた熱安定
性、高い正孔移動効率、低い駆動電圧、非晶性の保持な
どの点からも、正孔注入輸送層の主要材料として最適で
ある。

【００６８】なお、本発明のフルオリデン化合物は、任
意に他の輸送材料と併用させることによって、さらに低
い駆動電圧および高い発光効率で高輝度の発光を有する
有機ＥＬ素子を得ることができる場合がある。このよう
な輸送材料としては、従来から電子写真用の正孔輸送化
合物として知られているものや、他の有機ＥＬ素子の正
孔注入輸送化合物として知られているものなどの中から
選択して使用することができる。

【００６９】例えば、トリアゾール化合物（米国特許第
３，１１２，１９７号公報参照）、ピラリゾン化合物
（米国特許第３，１８０，７２９号公報参照）、アリー
ルアミン化合物（米国特許第３，５６７，４５０号公報
および同第３，１８０，７０３号公報参照）、ポリフィ
リン化合物（特開昭６３−２９５６９５号公報参照）、
スチリルアミン化合物（米国特許第４，１２７，４１２
号公報、特開昭５４−５８４４５号公報および特開昭５
４−１４９６３４号公報参照）などが挙げられる。な
お、任意に他の輸送材料と併用させる場合には、融点降
下による熱分解などが起こることもあり、併用割合は数
％以下が好ましい。

【００７０】本発明においては、本発明の目的を損なわ
ない範囲で、主に析晶化防止のために、本発明のフルオ
リデン化合物に他の公知の正孔輸送性材料を混合（ドー
プ）してもよい。また、エネルギー準位の調整（正孔濃
度の調整）などのために、公知の電子輸送性材料を混合
してもよい。これらの混合割合は１０％以下（重量部）
が好ましい。

【００７１】これらの公知の正孔輸送正材料および電子
輸送性材料としては、後述の各種化合物が具体的にあげ
られる。なかでも正孔輸送性材料および電子輸送性材料
の分子構造が本発明のフルオリデン化合物に比較的近い
構造を有するものは、素子機能の低下が少なく、かつ析
晶化防止にも有効であるので好ましい。

【００７２】本発明における発光層は、固体状態で蛍光
性を有する有機化合物からなり、少なくとも（１）電界
印加時に、陽極または正孔注入輸送層より正孔を注入す
ることができる注入機能、および陰極または電子注入輸
送層より電子を注入することができる注入機能、（２）
注入した電荷（電子または正孔、通常は正孔）を電界の
力で移動させる輸送機能、ならびに（３）電子と正孔の
再結合の場を提供し、これにより発光をもたらす機能の
いずれか１つ、好ましくはすべての機能を有するもので
ある。発光層の膜厚は、１０〜２０００ｎｍ程度の薄膜
層状のものが好ましい。なお、正孔の注入されやすさ
と、電子の注入されやすさとに違いがあっても良いし、
電子と正孔の移動度で表わされる輸送機能に大小があっ
てもよいが、少なくともどちらか一方の電荷を移動させ
ることができることが好ましい。

【００７３】上記（１）の注入機能において、適当な陽
極材料を選べば比較的正孔を注入しやすいことから、発
光層のイオン化エネルギーは６．０ｅＶ程度以下である
ことが好ましい。一方、適当な陰極材料を選べば比較的
電子を注入しやすいことから、電子親和力は２．５ｅＶ
程度以下であることが好ましい。また、上記（３）の発
光機能については、固体状態での蛍光性が強いことが望
ましい。

【００７４】上記の発光層を構成する有機化合物は、特
に限定されるものではなく、公知の化合物の中から、任
意のものを選択して用いることができる。例えば、多環
縮合芳香族化合物；ベンゾチアゾール、ベンゾイミダゾ
ール、ベンゾオキサゾールなどの蛍光増白剤；金属キレ
ート化オキシド化合物；スチリル化合物などが挙げられ
る。

【００７５】多環縮合化合物としては、例えば、アント
ラセン、ナフタレン、フェナスレン、ピレン、ペリレン
骨格を含む縮合環発光化合物、および８個の縮合環を含
む他の縮合環発光化合物などが挙げられる。蛍光増白剤
としては、例えば、特開昭５９−１９４３９３号公報に
記載のものが挙げられる。

【００７６】金属キレート化オキシド化合物としては、
例えば、特開昭６３−２９５６９５号公報に記載のもの
が挙げられる。スチリル化合物としては、例えば、特開
昭６２−３１２３５６号公報および特開昭６３−８０２
５７号公報に記載のものが挙げられる。

【００７７】また、上記の発光層は、任意に２層以上の
積層構造をとってもよい。例えば、米国特許第４，７６
９，２９２号公報に記載されているような、ホスト物質
と蛍光物質との積層構造でもよい。この場合のホスト物
質は薄膜状の層であって、発光層の機能のうち、注入輸
送機能および発光機能の一部を受け持ち、蛍光物質は、
ホスト物質の層の中に微量（数％）存在させ、電子と正
孔の結合に応じて発光するという発光機能の一部を担
う。

【００７８】また、発光層に用いる蛍光物質は、薄膜形
成性を有さない化合物であってもよく、例えば、１，
１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエンなど
も用いることができる。

【００７９】これらの正孔輸送材料および有機発光材料
の薄膜化の方法は、例えば、スピンコート法、キャスト
法、ＬＢ法、蒸着法などが挙げられるが、なかでも、均
質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい
方法である蒸着法が好ましい。蒸着法を用いる場合、そ
の蒸着条件は、使用する有機材料の昇華温度、目的とす
る薄膜の状態、結晶性、結晶の配向などにより異なる
が、一般にボード加熱温度５０〜５００℃、真空度１０
^-7〜１０^-3Ｐａ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基
板温度−５０〜＋３００℃、膜厚５〜５００ｎｍの範囲
で適宜選択することができる。

【００８０】本発明における陰極としては、仕事関数の
小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、導電性化合物、透明
導電性化合物およびこれらの混合物を電極物質とするも
のなどが挙げられる。なお、一般的には、陽極および陰
極のいずれか一方が透明または半透明であることが、発
光を取り出す効率が良いため好ましい。通常、陽極側か
ら発光を取り出す。陰極は、上記電極物質を蒸着やスパ
ッタリングなどの方法により薄膜状に形成することがで
きる。なお、陰極のシート抵抗、膜厚などは陽極と同様
とすることができる。

【００８１】本発明において、任意に設けることができ
る電子注入輸送層は、電子伝達化合物からなるものであ
って、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能
を有している。上記の電子伝達化合物は、特に限定され
るものではなく、公知の化合物の中から適宜選択して用
いることができる。このような化合物としては、例え
ば、ニトロ置換フロレノン化合物、チオピラジンオキシ
ド化合物、ジフェニルキノン化合物、アントラキノジメ
タン化合物（特開昭５７−１４９２５９号公報および特
開昭５８−５５４５０号参照）、アントラン化合物（特
開昭６１−２２５１５１号公報および特開昭６１−２３
３７５０号公報参照）などが挙げられる。電子注入輸送
層は、上記の電子伝達化合物を蒸着法などにより薄膜状
に形成することができる。

【００８２】本発明において、任意に設けることができ
る発光層に面した電荷障壁層のうち、電子障壁層は、発
光層より陽極側に出ていこうとする電子を発光層内に留
める役割を有しており、発光層より低い電子移動度をも
つ層であるか、または発光層より小さい電子親和力をも
つ層であることが好ましい。

【００８３】このような電子障壁層としては、一般式
（５）：

【００８４】

【化２０】

【００８５】（式中、Ａ₂ およびＲ_1aは一般式（１）と
同義であり；Ｒ₂ は水素原子、ハロゲン原子、低級アル
キル基、低級アルコキシ基、または同一もしくは異なる
置換基を有するジ置換アミノ基であり；ｍは１〜３の整
数である）で示されるＮ，Ｎ’型芳香族アミン化合物
（以下、「化合物（５）」と略す）、一般式（６）：

【００８６】

【化２１】

【００８７】〔式中、Ｒ_1a、Ｒ₂ およびｍは一般式
（５）と同義であり；Ｒ₈ およびＲ₉ は同一または異な
って、低級アルキル基または置換もしくは非置換のアリ
ール基である（Ｒ₈ およびＲ₉ は互いに結合して５員環
または６員環を形成していてもよく、該環が芳香環と縮
合されていてもよい）〕で示されるＮ，Ｎ’型芳香族エ
ナミン化合物（以下、「化合物（６）」と略す）、トリ
フェニルアミン系化合物（特開昭５９−１９４３９３号
公報および特開昭６３−２９５６９５号公報参照）およ
び無機アモルファス化合物（特開平３−７７２９９号公
報参照）などを含有するものが挙げられる。

【００８８】ここで、一般式（６）のＲ₈ およびＲ₉ と
しては、一般式（１）のＡ₁ に例示のものが挙げられ
る。Ｒ₈ およびＲ₉ が互いに結合して５員環または６員
環を形成し、該環が芳香環と縮合した例としては、例え
ば、１−インデニリデン、５，６，７−トリヒドロ−８
−ナフチリデンおよび９−フルオレニリデンなどが挙げ
られる（表５の例示化合物４〜７参照）。

【００８９】上記の電子障壁層が含有する化合物のなか
でも、化合物（５）が好ましい。このような好ましい理
由は、化合物（５）と本発明のフルオリデン化合物との
移動度が適当な相関関係にあること、「すなわち、両化
合物の移動度が高く、本発明のフルオリデン化合物の移
動度が、化合物（５）より少し高いこと」によるものと
考えられる。また、化合物（５）のイオン化エネルギー
値が、発光層を構成する化合物と本発明のフルオリデン
化合物とのエネルギー値の間にあるものが多いこともひ
とつの要因として考えられる。さらに、化合物（５）と
本発明のフルオリデン化合物とが類似の構造を分子内に
有していることや、これらに層間の接着性も好ましい要
因として考えられる。

【００９０】ここで、化合物（５）および（６）の具体
例を表４および表５に示す。

【００９１】

【表４】

【００９２】

【表５】

【００９３】上記化合物のうち、特に表４における例示
化合物３、５および１０、ならびに表５における例示化
合物１、４および５は、有機ＥＬ素子の電子障壁層が含
有する化合物として好ましい。

【００９４】電荷障壁層のもうひとつのタイプである正
孔障壁層は、発光層より陰極側に出ていこうとする正孔
を、発光層内に留める役割を有しており、発光層より低
い正孔移動度をもつ層であるか、または発光層より大き
なイオン化エネルギーをもつ層であることが好ましい。

【００９５】このような正孔障壁層としては、無機アモ
ルファス化合物（特開平３−７７２９９号公報参照）が
好ましい。前記公報に記載の化合物のなかでも、Ｎ型の
α−ＳｉＣが特に好ましい。しかし、電子障壁層に比べ
て、正孔障壁層を構成する化合物として非常に有効な化
合物は今のところ、見出されていない。

【００９６】本発明においては、さらに任意にバッファ
層を設けてもよい。バッファ層は、剥離現象の防止、さ
らには正孔または電子の注入効率の向上を目的とする層
である。バッファ層の材料としては、各種フタロシアニ
ン顔料、各種有機金属化合物（例えば、トリアルコキシ
アルミニウム、ステアリン酸亜鉛、トリアセチルアセト
ンアルミニウム、ジアセチルアセトンマグネシウムな
ど）、カーボンブラックなどが挙げられる。

【００９７】バッファ層を設ける位置は、特に限定され
るものではないが、剥離現象が起こりやすい位置、すな
わち前記の層構成（１）の場合には、陽極−正孔注入輸
送層の間、または発光層−陰極の間、層構成（２）〜
（５）の場合には、陽極−正孔注入輸送層の間、または
電子注入輸送層−陰極の間にバッファ層を設けることが
効果的である。バッファ層の膜厚は、バッファ層をどの
位置に設けるかにより異なるが、例えば、１〜３０ｎｍ
程度が好ましい。

【００９８】次に、本発明の有機ＥＬ素子の好適な作製
方法について説明する。前記の層構成（１）陽極／正孔
注入輸送層／発光層／陰極を有する有機ＥＬ素子は、次
のように作製することができる。

【００９９】まず、適当な基板上に、所望の陽極材料か
らなる薄膜を５００ｎｍ以下、好ましくは１０〜２００
ｎｍの範囲になるように、蒸着やスパッタリングなどの
方法により、陽極を形成する。次いで、本発明のフルオ
リデン化合物を、蒸着やスピンコートなどの方法により
陽極上に薄膜状に形成することにより、正孔注入輸送層
を形成する。この際の膜厚は、発光を基板側より取り出
す場合には透明率を高めるために、５〜２００ｎｍ程度
が好ましい。なお、成膜条件については、薄膜化する材
料や不純物のドープ量などにより影響をうけるため、一
概に最適の膜厚を特定することは困難である。

【０１００】次いで、このフルオリデン化合物からなる
正孔注入輸送層の上に、有機発光材料を蒸着法などによ
り、５〜１５００ｎｍの範囲の膜厚で積層して発光層を
形成する。その後、この発光層の上に、陰極材料からな
る薄膜を５００ｎｍ以下、好ましくは１０〜３００ｎｍ
の範囲になるように、蒸着やスパッタリング法などの方
法により、陰極を形成する。なお、上記の方法は、陰極
側から逆の工程で行ってもよい。

【０１０１】前記の層構成（２）陽極／正孔注入輸送層
／発光層／電子注入輸送層／陰極を有する有機ＥＬ素子
は、発光層上に、蒸着やスパッタリング法などの方法よ
り有機系化合物を、またはプラズマＣＶＤなどの方法に
より無機系化合物のＮ型ａ−ＳｉＣなどを薄膜状に成膜
して、膜厚１００ｎｍ程度以下の電子注入輸送層を形成
し、その後に陰極を形成する以外は、上記（１）と同様
に作製することができる。なお、上記の方法も、陰極側
から逆の工程で行ってもよい。

【０１０２】前記の層構成（３）〜（５）を有する有機
ＥＬ素子も、上記（１）および（２）に準じて作製する
ことができる。ただし、層構成（３）を有する有機ＥＬ
素子で、電子障壁層を設ける場合、用いる有機系材料と
無機系材料とで膜厚に差はない。その膜厚は、透過率が
損なわれないように、５〜２００ｎｍ程度、好ましくは
５０ｎｍ程度以下が好ましい。

【０１０３】このようにして得られた本発明の有機ＥＬ
素子に直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を
−の極性として駆動電圧１〜３０Ｖ程度の電圧を印加す
ると、発光が透明または半透明の電極側より観察でき
る。なお、逆の極性で電圧を印加しても発光は生じな
い。また、交流電圧を印加する場合には、陽極が＋、陰
極が−の状態になったときにのみ発光する。なお、印加
する交流電圧の波形は任意でよい。

【０１０４】本発明のフルオリデン化合物は、高い輸送
効率を有するので、有機ＥＬ素子の発光開始の低電圧
化、高輝度化を実現することができる。また、本発明の
フルオリデン化合物は、高いガラス転移温度を有するの
で、熱的安定性、非晶形の保持力、界面状態での経時安
定性などに優れ、高耐久性の有機ＥＬ素子を得ることが
できる。さらに、本発明の有機ＥＬ素子に、多価芳香族
アミン化合物などを電子障壁層として用いることによ
り、高度化、発光開始の低電圧化の向上を図ることがで
きる。これらの効果は、本発明のフルオリデン化合物の
特異な化学構造に基づくものと考えられる。

【０１０５】

【実施例】本発明を合成例および実施例によりさらに詳
細に説明するが、これらの合成例および実施例により本
発明が限定されるものではない。

【０１０６】合成例１（例示化合物７の合成） （合成過程１）フロレン８．３ｇを氷酢酸１００ｍｌに
溶解した溶液に、発煙硝酸８ｇを氷酢酸３０ｍｌに溶解
した溶液を、室温下で徐々に滴下し、温度８０〜１００
℃で、３時間、加熱撹拌した。反応混合物を室温まで放
冷し、析出した黄色の粉末を濾取した。次いで、この粉
末を熱エタノール１００ｍｌで３回洗浄し、２，７−ジ
ニトロフロレン７．６ｇを得た。

【０１０７】（合成過程２）合成過程１で得られた２，
７−ジニトロフロレン７．６ｇとベンズアルデヒド５．
０ｇとをｎ−ブチルアルコール３００ｍｌに溶解した。
フロレンの大部分は不溶せず、分散液となった。次い
で、この分散液にピペリジン５〜６滴を加え、１５０℃
の油浴中で加熱還流を行った。反応進行に伴って、さら
さらしていた分散液の流動性が極度に増加し、分散液は
ゲル状化し、その色は深色化してオレンジ色に変色し
た。直ちに反応混合物から固形分を濾取し、得られた固
形分をエタノール２００ｍｌおよびアセトン３００ｍｌ
で洗浄して、２，７−ジニトロ−９−フェニルフルオリ
デン８．７ｇを得た。なお、２，７−ジニトロ−９−フ
ェニルフルオリデンの純度を、ニトロプルシドナトリウ
ム（ペンタシアノニトロシル鉄酸ナトリウム）による発
色に基づく９位の活性メチレンの有無により判断した。
これによりジメチルホルムアミドの溶液の変化は認めら
れず、９位の活性メチレン基は別の置換体（ベンジリデ
ン体）に変化したことを示唆している。

【０１０８】（合成過程３）合成過程２で得られた２，
７−ジニトロ−９−ベンジリデンフルオレニリデン５．
１ｇをジオキサン１００ｍｌに分散させ、これに１２Ｎ
−塩酸＋ＳｎＣｌ₄・ｘＨ₂Ｏ（ｘ＝８または１０）の分
散液６０ｍｌを加え、強く撹拌して、すべてを溶解させ
た。次いで、得られた溶液を温度１００〜１２０℃で加
熱撹拌し、２，７−ジニトロ−９−ベンジリデンフルオ
レニリデンをアミノ体に還元した。反応溶液を水酸化カ
リウムで中和し、析出した薄茶色粉末を濾取し、得られ
た粉末を水３００ｍｌで水洗した。さらに、得られた粉
末を酢酸エチルにより再結晶を行い、蛍光性を有する赤
紫色の針状結晶の２，７−ジアミノ−９−ベンジリデン
フルオレニリデン３．２ｇを得た。なお、反応の進行度
合いと純度をジアゾテストにより判断した。これらの合
成については、特許公報平４−１５４６７号に記載され
ている方法に準じて行った。

【０１０９】（合成過程４）合成過程３で得られた２，
７−ジアミノ−９−ベンジリデンフルオレニリデン１．
５ｇにヨードベンゼン８ｇを加えた（該アミノ体２．９
ｇに対してヨードベンゼン１５ｇの割合）。次いで、こ
の溶液に、溶媒としてジエチレングリコールジメチルエ
ーテル１００ｍｌを加え、さらに触媒としてヨウ化銅３
ｇおよびクラウンエーテル少量を加え、温度１３０℃で
加熱撹拌した。反応混合物から固形分を濾取し、得られ
た固形分をエタノール１００ｍｌで洗浄し、さらにカラ
ム（展開溶剤：酢酸エチル＋２塩化エタン）により分離
精製を行い、蛍光性のある黄白色粉末の例示化合物７
（２．４ｇ）を得た。なお、化合物の同定はジアゾテス
ト、質量分析、ＩＲ測定により行った。図１に例示化合
物７のＩＲスペクトル図（ＫＢｒ）を示す。

【０１１０】図１によれば、３４５０ｃｍ^-1付近の第２
級アミンに基づく吸収が消滅し、１４５０ｃｍ^-1から１
６００ｃｍ^-1付近に芳香族基に基づく強い３本の吸収が
認められる。

【０１１１】なお、本発明の他のフルオリデン化合物に
ついても、上記と同様の合成方法により合成できる。こ
れらのフルオリデン化合物のなかでも、一般式（１）の
置換基Ａ₁ がアリール置換体、ベンゾフラン、カルバゾ
ールなどの縮合複素環置換体のものは、特に強い青色〜
黄緑色の蛍光を有する。また、表１〜表３に記載の例示
化合物のほとんどすべての化合物が、９５℃以上のガラ
ス転移点を有し、非常に高い熱的安定性（熱分解、状態
変化）の良好な特徴を有する。

【０１１２】また、これらの化合物を有機ＥＬ素子の正
孔輸送層に用いる場合、その純度が発光特性に影響を与
えるため、再々精製、昇華精製などを行い、できる限り
純化することが望ましい。特に融点は純度に影響を受け
やすく、逆にこれが合成した化合物の純度の目安にな
る。ガラス転移温度Ｔｇは、素子の膜状態変化の目安と
なり、結晶化が起こらなければ、Ｔｇは高いほどよい。

【０１１３】実施例１〜４ ガラス基板（２５ｍｍ×７５ｍｍ×厚さ１．１ｍｍ Ｈ
ＯＹＡ社製）上に、透明電極として用いるＩＴＯを膜厚
１００ｎｍで蒸着して透明支持基板とし、これをエチル
アルコール、次いでアセトンで超音波洗浄した。次いで
この透明支持基板を乾燥窒素ガスで乾燥した。得られた
透明支持基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、
モリブデン製抵抗加熱用ボートに表１および表２に記載
の昇華精製したフルオリデン化合物２００ｍｇを入れ、
一方、同様の抵抗加熱用ボートに昇華精製したトリス
（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ₃ ）２００
ｍｇを入れて、真空チャンバー内を１×１０^-4Ｐａまで
減圧した。

【０１１４】まず、フルオリデン化合物の入った抵抗加
熱用ボートを２３０〜２４０℃まで加熱し、内容物を蒸
着速度０．１〜０．３ｎｍ／秒で透明支持基板上に堆積
させ、膜厚５０〜７５ｎｍの正孔注入輸送層を形成し
た。この際の基板温度は室温であった。次いで、透明支
持基板を真空チャンバーから取り出すことなく、Ａｌｑ
₃ 入りの抵抗加熱用ボートを２５０℃に加熱し、Ａｌｑ
₃ を蒸着速度０．１〜０．２５ｎｍ／秒で正孔注入輸送
層上に堆積させ、膜厚５０ｎｍの発光層を形成した。

【０１１５】透明支持基板を真空チャンバーから取り出
し、発光層側にステンレススチール製のマスクを設置
し、再び基板ホルダーに固定した。次いで、タングステ
ンバスケットに銀（Ａｇ）ワイヤー０．５ｇを入れ、モ
リブデン製抵抗加熱用ボートにマグネシウム（Ｍｇ）１
ｇを入れ、真空チャンバー内を１×１０^-4Ｐａまで減圧
した。バスケットおよび抵抗加熱用ボートを加熱し、Ｍ
ｇとＡｇを同時蒸着し、陰極を形成して、本発明の有機
ＥＬ素子を作製した。

【０１１６】このようにして作製した４種類の有機ＥＬ
素子に大気中で直流電圧１５Ｖを印加し、この際に流れ
た電流値、輝度および発光開始電圧を測定した。得られ
た結果を表６に示す。

【０１１７】

【表６】

【０１１８】実施例１〜４の結果から、本発明のフルオ
リデン化合物を正孔輸送材料として用いた有機ＥＬ素子
は、非常に低い駆動電圧で発光が開始し、かつその輝度
も高く、優れた有機ＥＬ特性を有していることがわかっ
た。

【０１１９】実施例５〜１０ 正孔注入輸送材料として表２に記載の例示化合物２８を
用いる以外は、実施例１〜４と同様にして有機ＥＬ素子
を作製した。さらに、この有機ＥＬ素子とは別に、正孔
注入輸送層と発光層の間に表４および表５に記載の例示
化合物６種類からなる膜厚約２０ｎｍの電子障壁層を形
成した有機ＥＬ素子を作製した。電子障壁層の形成条件
は、真空チャンバー内の真空度を１×１０^-4Ｐａ程度、
基板温度を５０℃とした。

【０１２０】このようにして作製した６種類の有機ＥＬ
素子の電流値、輝度および発光開始電圧を実施例１〜４
と同様にして測定した。得られた結果を表７に示す。

【０１２１】

【表７】

【０１２２】実施例５〜１０の結果から、本発明の有機
ＥＬ素子は、電子障壁層を設けることにより、輝度の向
上および低発光開始電圧での発光が可能になることがわ
かった。

【０１２３】実施例１１〜１２ 実施例１〜４および実施例５〜１０で作製した有機ＥＬ
素子を温度０℃、湿度５０％の環境下で１ケ月保存した
後、有機ＥＬ素子の電流値、輝度および発光開始電圧を
実施例１〜４と同様にして測定した。この時の各値は表
６および表７の値とほぼ同じであった。また、これら１
０種類の有機ＥＬ素子を、輝度５００ｃｄ／ｍ² で２４
時間発光させた後でも、本発明のフルオリデン化合物の
結晶化に基づくボイドの発生、各層間の層剥離の発生、
およびこれらに起因すると考えられる発光の劣化は認め
られなかった。これは、本発明のフルオリデン化合物
が、融点の割には高いガラス転移点を有していること、
構造的にも結晶化しにくい非対称構造であること、およ
び高い正孔輸送性を有することと大きく関係していると
考えられる。

【０１２４】実施例１３〜１４および比較例１〜２ 実施例１および３で作製した有機ＥＬ素子を真空中で加
熱しながら１０Ｖの直流電圧を印加し、有機電界発光が
保持される最大温度（最大発光保持温度、表８中の「Ｅ
Ｌ素子の最大温度」）を測定した。また、真空中５０℃
での発光輝度を測定した。得られた結果を表８に示す。

【０１２５】比較例として、J. Appl. Phys.、第６５
巻、第３６１０頁（１９８９年）等に記載されている代
表的な正孔輸送材料である、４，４’−ビス〔Ｎ−（３
−メチルフェニル）・Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル
（以下、「ＴＰＤ」と略す）および４，４’−ビス（Ｎ
−α−ナフチル・Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（以
下、「ＮＰＤ」と略す）の昇華精製を行ったものを用い
て、実施例と同様にして、真空チャンバー内で透明支持
基板上に蒸着させ、膜厚約６０ｎｍの正孔注入輸送層を
形成した有機ＥＬ素子を作製した。この有機ＥＬ素子に
ついても最大発光保持温度および真空中５０℃での発光
輝度を測定した。得られた結果を表８に示す。

【０１２６】

【表８】

【０１２７】表８の結果から、本発明のフルオリデン化
合物を用いた有機ＥＬ素子は、高い熱安定性、高温時で
の高い発光特性を有していることがわかった。

【０１２８】

【発明の効果】本発明によれば、水や酸素などの物質に
よる化学的劣化、および光や熱などの物理的劣化が小さ
く、かつ高性能なフォトニック機能を有する新規化合物
を提供することができる。また、本発明によれば、前記
の新規化合物を有機ＥＬ素子用化合物として用いること
により、良好な発光効率、高輝度発光、低駆動電圧での
発光、化学的および物理的劣化の小さい有機ＥＬ素子を
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の２，７−ジアミノ−９−フルオレニリ
デン化合物（例示化合物７）のＩＲスペクトル図（ＫＢ
ｒ）である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｄ 215/12 Ｃ０７Ｄ 215/12 ４Ｃ０５５ 307/52 307/52 ４Ｃ０６９ 307/81 307/81 ４Ｃ２０４ 333/20 333/20 ４Ｈ００６ Ｃ０９Ｋ 11/06 ６２０ Ｃ０９Ｋ 11/06 ６２０ Ｇ０３Ｇ 5/06 ３１４ Ｇ０３Ｇ 5/06 ３１４Ｂ Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ 33/22 33/22 Ｄ Ｆターム(参考） 2H068 AA20 BA12 BA13 BA14 BA64 GA18 3K007 AB02 AB03 AB06 AB11 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 4C023 CA04 4C031 BA01 4C037 HA23 PA09 4C055 AA01 BA01 CA01 CA02 CA27 CB01 CB04 DA01 DA27 DB01 DB04 4C069 AC07 4C204 BB05 BB09 CB25 EB01 FB03 GB13 4H006 AA01 AB92 BJ50 BM30 BM72 BP30

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（１）： 【化１】 〔式中、Ａ₁ は置換もしくは非置換のアリール基、低級
   アルキル基または複素環基であり；Ａ₂ は水素原子、置
   換もしくは非置換のアリール基、低級アルキル基、また
   は置換もしくは非置換のアラルキル基であり；ｎは０ま
   たは１であり；Ｒ _1aおよびＲ_1bは同一または異なって、
   水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは非置換のアリー
   ル基、低級アルキル基または低級アルコキシ基である
   （Ｒ_1aおよびＲ_1bが隣接する置換位置の低級アルコキシ
   基であるとき、互いに結合して酸素原子を含む５員環ま
   たは６員環を形成していてもよい）〕で示される２，７
   −ジアミノ−９−フルオレニリデン化合物。
2. 【請求項２】 一般式（１）において、Ａ₁ が、 【化２】 （式中、Ｒ₂ およびＲ₃ は同一または異なって、水素原
   子、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
   基、または同一もしくは異なる置換基を有するジ置換ア
   ミノ基である）である請求項１記載の２，７−ジアミノ
   −９−フルオレニリデン化合物。
3. 【請求項３】 一般式（１）において、Ａ₁ が、 【化３】 〔式中、Ｒ₄ およびＲ₅ は同一または異なって、水素原
   子、低級アルキル基または低級アルコキシ基である（Ｒ
   ₄ およびＲ₅ は互いに結合して環を形成していてもよ
   い）〕である請求項１記載の２，７−ジアミノ−９−フ
   ルオレニリデン化合物。
4. 【請求項４】 一般式（１）において、ｎが０であり、
   かつＡ₁ が、 【化４】 （式中、Ｒ₆ およびＲ₇ は同一または異なって、水素原
   子、低級アルキル基、置換もしくは非置換のアリール
   基、または置換もしくは非置換のアラルキル基である）
   である請求項１または２に記載の２，７−ジアミノ−９
   −フルオレニリデン化合物。
5. 【請求項５】 Ａ₂ が、非置換もしくは電子供与基置換
   のフェニル基、または非置換もしくは電子供与基置換の
   ナフチル基である請求項１〜４のいずれか１つに記載の
   ２，７−ジアミノ−９−フルオレニリデン化合物。
6. 【請求項６】 基板上に陽極、正孔注入輸送層、発光層
   および陰極がこの順で積層された有機電界発光素子であ
   って、前記正孔注入輸送層が、請求項１〜５のいずれか
   １つに記載の２，７−ジアミノ−９−フルオレニリデン
   化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
7. 【請求項７】 発光層と陰極との間に電子注入輸送層を
   有する請求項５記載の有機電界発光素子。
8. 【請求項８】 発光層に面して電子障壁層を形成した請
   求項６または７に記載の有機電界発光素子。
9. 【請求項９】 電子障壁層が、一般式（５）： 【化５】 （式中、Ａ₂ およびＲ_1aは一般式（１）と同義であり；
   Ｒ₂ は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級
   アルコキシ基、または同一もしくは異なる置換基を有す
   るジ置換アミノ基であり；ｍは１〜３の整数である）で
   示されるＮ，Ｎ’型芳香族アミン化合物を含有すること
   を特徴とする請求項８記載の有機電界発光素子。
10. 【請求項１０】 電子障壁層が、一般式（６）： 【化６】 〔式中、Ｒ_1a、Ｒ₂ およびｍは一般式（５）と同義であ
    り；Ｒ₈ およびＲ₉ は同一または異なって、低級アルキ
    ル基または置換もしくは非置換のアリール基である（Ｒ
    ₈ およびＲ₉ は互いに結合して５員環または６員環を形
    成していてもよく、該環が芳香環と縮合されていてもよ
    い）〕で示されるＮ，Ｎ’型芳香族エナミン化合物を含
    有していることを特徴とする請求項８記載の有機電界発
    光素子。