JP5343089B2 - インデノフルオレンジオン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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Description
しかしながら、それらの芳香族ジアミン誘導体を正孔輸送材料に用いた有機EL素子で十分な発光輝度を得るには、印加電圧を高くする必要があるため、素子寿命の低下や消費電力が大きくなる等の問題を生じていた。
また、特許文献3、4等に例示されている電子受容性化合物であるテトラフルオロテトラシアノキノジメタン(TCNQF4)は、分子量が小さく、また、フッ素で置換されていることにより昇華性が高い。従って、有機EL素子を真空蒸着で作製する際に装置内に拡散し、装置や素子を汚染する恐れがあった(例えば、特許文献5参照)。
さらに、末端の環に特定の置換基を導入することで、電子受容性をより高めたり、結晶性をさらに低減させたりすることが可能である。
そして、これらの特徴を有するインデノフルオレンジオン誘導体を有機EL素子用材料として、有機EL素子、特に正孔注入層に適した場合、駆動電圧の低電圧化や長寿命化を実現できることを見出した。
(1)下記式(I)で表されるインデノフルオレンジオン誘導体。
ただし、式(I)において下記式(iii)、(iv)、(v)で表されるものは除く。
(3)陽極及び陰極と、これらの間に形成されてなる有機薄膜層とを有し、前記有機薄膜層が、上記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
本発明のインデノフルオレンジオン誘導体は、下記式(I)で表される。
なお、本発明において、「核炭素」とは、飽和環、不飽和環又は芳香環を構成する炭素原子を意味し、「核原子」とはヘテロ環(飽和環、不飽和環及び芳香環を含む)を構成する炭素原子及びヘテロ原子を意味する。
シクロアルキル基としてはシクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
アルケニル基としてはビニル基、プロペニル基(二重結合の位置異性体を含む)、ブテニル基(二重結合の位置異性体を含む)、ペンテニル基(二重結合の位置異性体を含む)等があげられる。
(置換)アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フルオロフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、(トリフルオロメチル)フルオロフェニル基、トリフルオロフェニル基、ビス(トリフルオロメチル)フェニル基、(トリフルオロメチル)ジフルオロフェニル基、トリフルオロメトキシフェニル基、トリフルオロメトキシフルオロフェニル基等が挙げられる。
複素環基としては、ピリジン、ピラジン、フラン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、チオフェン等の残基が挙げられる。
フルオロアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロシクロヘキシル基、パーフルオロアダマンチル基等が挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基等が挙げられる。
フルオロアルコキシ基としては、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、2,2,2−トリフルオロエトキシ基、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロポキシ基、2,2,3,3−テトラフルオロプロポキシ基、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン‐2−イルオキシ基等が挙げられる。
(置換)アリールオキシ基の例としては、フェニルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基、4−トリフルオロフェニルオキシ基等が挙げられる。
(置換)アラルキルオキシ基の例としては、ベンジルオキシ基、ペンタフルオロベンジルオキシ基、4−トリフルオロメチルベンジルオキシ基等が挙げられる。
(置換)アミノ基の例としては、アミノ基、モノもしくはジメチルアミノ基、モノもしくはジエチルアミノ基、モノもしくはジフェニルアミノ基等が挙げられる。
尚、以下、特筆しない限り“置換もしくは無置換”というときの任意の置換基の例としては、上記で挙げたハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アリール基、フルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基および複素環基が挙げられる。
さらに、R1〜R4の少なくとも一つは、フッ素原子、フルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基、シアノ基、又は、フッ素、フルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基、シアノ基から選ばれる少なくとも1種の基を有するアリール基もしくは複素環基であることが好ましい。これらを置換基にすることで電子受容性を高めたり、適度な昇華温度を得られたり、あるいは結晶化を抑制したりすることができる。
また、Y1〜Y4のうち少なくとも1つは窒素原子であることが好ましい(後述のY21〜Y26及びY31〜Y38についても同様)。少なくとも1つは窒素原子であることで、電子受容性を高めたり、耐熱性を高めたり、あるいは結晶化を抑制したりすることができる。
本発明の有機EL素子用材料は、既述の本発明のインデノフルオレンジオン誘導体を少なくとも1種含んでなり、好ましくはアセトニトリル溶液中での還元電位が−1.0V(vsFc+/Fc)以上であり、より好ましくは、−0.8V以上(vsFc+/Fc)である。
尚、Fcはフェロセンを意味する。
続いて、本発明の有機EL素子について説明する。
本発明の有機EL素子は、陽極及び陰極と、これらの間に形成されてなる有機薄膜層とを有し、当該有機薄膜層には、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料が含有されてなる。
有機EL素子1では、基板(図示せず)上に陽極10、正孔注入層20、正孔輸送層30、発光層40、電子輸送層50、陰極60がこの順に積層されている。この素子において、有機薄膜層(「有機層」ともいう)は正孔注入層20、正孔輸送層30、発光層40及び電子輸送層50からなる積層構造となっている。このような構成の場合、少なくとも正孔注入層20が本発明の有機EL素子用材料を含有することが好ましい。これにより、有機EL素子の駆動電圧をより低くでき、また、長寿命化を達成できる。
尚、正孔注入層以外の他の有機層が本発明の有機EL素子用材料を含有していてもよい。この場合、後述する各層を構成する材料と混合して使用してもよい。
(1)陽極/発光層/陰極
(2)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
(3)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(4)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(5)陽極/正孔輸送層/発光層/付着改善層/陰極
(6)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極(図1)
(7)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(8)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(9)陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(10)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極
(11)陽極/無機半導体層/絶縁層/正孔輸送層/発光層/絶縁層/陰極
(12)陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極
(13)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極
(14)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(15)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/絶縁層/陰極
以下、本発明の有機EL素子を構成する各部材について説明する。
本発明の有機EL素子は透光性の基板上に作製する。ここでいう透光性の基板は有機EL素子を支持する基板であり、400〜700nmの可視領域の光の透過率が50%以上で、平滑な基板が好ましい。
具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。またポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。
尚、光取り出し方向の反対側に支持基板が位置する場合には透光性は不要である。
有機EL素子の陽極は、正孔輸送層又は発光層に正孔を注入する役割を担うものである。陽極側に透明性を必要とする場合は、酸化インジウム錫合金(ITO)、酸化錫(NESA)、酸化インジウム亜鉛合金(IZO)、金、銀、白金、銅等が適用できる。また、透明性を必要としない、反射型電極とする場合には、これらの金属の他に、アルミ、モリブデン、クロム、ニッケル等の金属や合金を使用することもできる。
特に、仕事関数の低い(例えば、5.0eV以下)陽極と、本発明の有機EL素子用材料を用いた正孔注入層を組み合わせて用いても、電子授受が可能であり、良好な注入性を示す。
これら材料は単独で用いることもできるが、これら材料同士の合金や、その他の元素を添加した材料も適宜選択して用いることができる。
有機EL素子の発光層は下記(1)〜(3)の機能を併せ持つものである。
(1) 注入機能;電界印加時に陽極又は正孔注入層等より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層等より電子を注入することができる機能
(2) 輸送機能;注入した電荷(電子と正孔)を電界の力で移動させる機能
(3) 発光機能;電子と正孔とが再結合し、これを発光につなげる機能
正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさに違いがあってもよく、また、正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動することが好ましい。
また、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光層を形成することができる。
具体例としては、以下のような化合物が挙げられる。
発光層の膜厚は、5〜50nmであることが好ましく、7〜50nmであることがより好ましく、10〜50nmであることが最も好ましい。5nm以上とすることで発光層形成が容易となり、色度の調整がしやすくなる。50nm以下とすることで駆動電圧が上昇するのを防ぐことができる。
正孔輸送層は発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常5.5eV以下と小さい。このような正孔輸送層としてはより低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば104〜106V/cmの電界印加時に、少なくとも10-4cm2/V・秒であれば好ましい。
さらに、芳香族ジメチリディン系化合物の他、p型Si、p型SiC等の無機化合物も正孔注入層の材料として使用することができる。
正孔注入、輸送層は正孔輸送帯域に本発明の化合物を含有していれば、上述した材料の一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよいし、又は前記正孔注入、輸送層とは別種の化合物からなる正孔注入、輸送層を積層したものであってもよい。
電子注入層・輸送層は、発光層への電子の注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、電子移動度が大きい。
電子注入層に用いられる材料としては、8−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体やオキサジアゾール誘導体が好適である。上記8−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン(一般に8−キノリノール又は8−ヒドロキシキノリン)のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例えばトリス(8−キノリノール)アルミニウムを電子注入材料として用いることができる。
L311、L312及びL313は、それぞれ、単結合、置換もしくは無置換の核炭素数6〜60のアリーレン基、置換もしくは無置換の核原子数3〜60のヘテロアリーレン基、又は置換もしくは無置換のフルオレニレン基である。
R及びR311は、それぞれ水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数6〜60のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数3〜60のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数1〜20のアルコキシ基であり、nは0〜5の整数であり、nが2以上の場合、複数のRは同一でも異なっていてもよく、また、隣接するR基同士で結合して、炭素環式脂肪族環又は炭素環式芳香族環を形成していてもよい。)
HAr−L314−Ar321−Ar322 (C)
(上記式中、HArは、置換基を有していてもよい炭素数3〜40の含窒素複素環であり、L314は、単結合、置換基を有していてもよい炭素数6〜60のアリーレン基、置換基を有していてもよい原子数3〜60のヘテロアリーレン基又は置換基を有していてもよいフルオレニレン基であり、Ar321は、置換基を有していてもよい炭素数6〜60の2価の芳香族炭化水素基であり、Ar322は、置換基を有していてもよい炭素数6〜60のアリール基又は置換基を有していてもよい原子数3〜60のヘテロアリール基である。)
これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、K、Rb及びCsからなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属であり、さらに好ましくは、Rb又はCsであり、最も好ましいのは、Csである。
Csを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子注入域への添加により、有機EL素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。
また、電子輸送層を構成する無機化合物が、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。
尚、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。
陰極としては仕事関数の小さい(4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム/酸化アルミニウム、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属等が挙げられる。
この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。
有機ELは超薄膜に電界を印可するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層(絶縁層)を挿入することが好ましい。
絶縁層に用いられる材料としては例えば酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、弗化セシウム、炭酸セシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられる。これらは混合物や積層物として用いてもよい。
以上例示した材料により陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層等を形成し、さらに陰極を形成することにより有機EL素子を作製することができる。また陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機EL素子を作製することもできる。
真空蒸着法により正孔注入層及び正孔輸送層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物、目的とする正孔注入層及び正孔輸送層の結晶構造や再結合構造等により異なるが、一般に蒸着源温度50〜450℃、真空度10-7〜10-3torr、蒸着速度0.01〜50nm/秒、基板温度−50〜300℃、膜厚1nm〜5μmの範囲で適宜選択することが好ましい。
陰極は金属から構成されるもので、蒸着法、スパッタリングを用いることができる。しかし下地の有機物層を製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法が好ましい。
これまで記載してきた有機EL素子の作製は一回の真空引きで一貫して陽極から陰極まで作製することが好ましい。
次にこの白色固体を濃硫酸20mlに加え、70℃で12時間、加熱攪拌を行った。その後、放冷した反応液を氷水に注ぎ、橙色固体をろ過し、イオン交換水で洗浄後、乾燥し、2.3gを得た。得られた固体のマススペクトル測定によりM/Z=440にピークが確認された。
最後に、この得られたジブロモ体2.3gを、4−トリフルオロメチルフェニルボロン酸3.0g、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)0.24g、2M炭酸ナトリウム25ml、及びトルエン110mlと混合し、アルゴン気流下で8時間、還流撹拌を行った。冷却後、反応液をろ過し、水、メタノール、さらにトルエンで洗浄し、橙色固体(中間体A)を2.1g得た。
得られた固体のマススペクトル測定によりM/Z=570にピークが確認された。
この化合物をアセトニトリル中に溶解させ、支持電解質として過塩素酸テトラブチルアンモニウム(TBAP)、参照電極に銀−塩化銀電極を用い、サイクリック・ボルタンメトリーにより還元電位を測定した。掃引速度0.1V/sで(A−1)の還元電位は−0.4Vであった。
標準物質としてフェロセン(以下Fcとする)を同様に測定し、第一酸化電位は0.5Vであり、そのフェロセンの酸化電位を基準とした場合、化合物(A−1)の還元電位は−0.8V(vs Fc+/Fc)であった。
さらに本化合物の昇華精製(昇華温度320℃)を行い、1.2gを得た。この化合物のIRを測定し、カルボニル基の吸収が消失し、新たに2180cm-1にシアノ基の吸収が観測された。マススペクトル測定によりM/Z=618にピークが確認された。
この化合物を実施例1と同様にしてサイクリック・ボルタンメトリーにより還元電位を測定した。標準物質としてフェロセン(以下Fcとする)の第一酸化電位を基準とした場合、化合物(A−2)の還元電位は−0.95V(vs Fc+/Fc)であった。
実施例1の(中間体A)の合成において、4−トリフルオロメチルフェニルボロン酸3.0gの代わりに、3,5−ビストリフルオロメチルフェニルボロン酸4.0gを用いた以外は同様な操作を行い、中間体Bを2.9g得た。得られた固体のマススペクトル測定によりM/Z=706にピークが確認された。
(2)(A−5)の合成
実施例1の(A−1)の合成において、(中間体A)1.5gを(中間体B)1.8gに変更した以外は同様に反応を行い、得られた個体を昇華精製(昇華温度340℃)を行い、暗紫色結晶1.5gを得た。
この化合物を実施例1と同様にしてサイクリック・ボルタンメトリーにより還元電位を測定した。標準物質としてフェロセン(以下Fcとする)の第一酸化電位を基準とした場合、化合物(A−5)の還元電位は−0.88V(vs Fc+/Fc)であった。
得られた固体のマススペクトル測定によりM/Z=756にピークが確認された。
合成した(中間体D)1.4g、マロノニトリル0.5g、ピリジン55mlを加え、110℃で8時間、加熱撹拌を行った。放冷後、固体をろ過し、水、メタノール、トルエンで洗浄後、減圧乾燥した。その後、昇華精製(昇華温度360℃)を行い、暗紫色結晶1.3gを得た。この化合物のIRを測定した結果、1720cm-1にあるカルボニル基の吸収が消失し、新たに2220cm-1にシアノ基の吸収が観測された。また、マススペクトル測定ではM/Z=852にピークが確認された。
この化合物を実施例1と同様にしてサイクリック・ボルタンメトリーにより還元電位を測定した。標準物質としてフェロセン(以下Fcとする)の第一酸化電位を基準とした場合、化合物(A−49)の還元電位は−0.65V(vs Fc+/Fc)であった。
この化合物を実施例1と同様にしてサイクリック・ボルタンメトリーにより還元電位を測定した。標準物質としてフェロセン(以下Fcとする)の第一酸化電位を基準とした場合、(A−55)の還元電位は−0.88V(vs Fc+/Fc)であった。
この化合物を実施例1と同様にしてサイクリック・ボルタンメトリーにより還元電位を測定した。標準物質としてフェロセン(以下Fcとする)の第一酸化電位を基準とした場合、(A−3)の還元電位は−0.85V(vs Fc+/Fc)であった。
この化合物を実施例1と同様にしてサイクリック・ボルタンメトリーにより還元電位を測定した。標準物質としてフェロセン(以下Fcとする)の第一酸化電位を基準とした場合、(A−3)の還元電位は−0.87V(vs Fc+/Fc)であった。
25mm×75mm×1.1mm厚のITO透明電極付きガラス基板(ジオマティック社製)をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を5分間行なった後、UVオゾン洗浄を30分間行なった。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして膜厚60nmで、実施例1で合成した式(A−1)の化合物及び下記式(C−1)で表される化合物を、2:98(モル比)の比になるように成膜した。この混合膜は、正孔注入層として機能する。
実施例8において、正孔注入層に下記表1で示した材料を用い、その膜厚を10nmとし、正孔輸送層である(HTM−1)の膜厚を70nmとした以外は同様に有機EL素子を形成し、評価した。結果を下記表1に示す。
実施例8において、化合物(A−1)を(A−23)に変更した以外は同様に有機EL素子を形成し、評価した結果を下記表1に示す。
実施例8において、正孔注入層を式(C−1)で示される化合物単独で成膜した以外は、同様に有機EL素子を形成し、評価した。
結果を下記表1に示す。
本発明の有機EL素子用材料は、有機EL素子の構成材料、特に、正孔輸送層、正孔注入層の材料として好適である。
本発明の有機EL素子は、平面発光体やディスプレイのバックライト等の光源、携帯電話、PDA、カーナビゲーション、車のインパネ等の表示部、照明等に好適に使用できる。
Claims (8)
- 下記式(I)で表されるインデノフルオレンジオン誘導体であって、
ar1及びar2は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、下記式(i)もしくは(ii)である。
R1〜R4は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のフルオロアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリーロキシ基、置換もしくは無置換のアラルキルオキシ基、置換もしくは無置換のアミノ基、又は、シアノ基である。R1とR2およびR3とR4は互いに結合して環を構成する飽和もしくは不飽和の2価の基を形成してもよい。
Y1〜Y4は互いに同一でも異なっていてもよく、−N=、−CH=、または−C(R5)=であり、R5は前記R1〜R4と同義である。R1〜R5のうち互いに隣接するものは互いに結合して環を構成する飽和もしくは不飽和の2価の基を形成してもよい。
ただし、式(I)において下記式(iii)、(iv)、(v)で表されるものは除く。
前記式(I)が、下記式(II)〜(VII)のいずれかで表されるインデノフルオレンジオン誘導体。
- 前記式(I)〜(VII)において、Y1〜Y4、Y21〜Y26、Y31〜Y38のうち、少なくとも1つが窒素原子である請求項1に記載のインデノフルオレンジオン誘導体。
- 前記式(I)〜(VII)において、R1〜R4の少なくとも一つが、フッ素原子、フルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基、シアノ基、又は、フッ素、フルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基、シアノ基から選ばれる基を少なくとも1種有するアリール基もしくは複素環基である請求項1又は2に記載のインデノフルオレンジオン誘導体。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載の式(I)で表されるインデノフルオレンジオン誘導体を、少なくとも1種含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
- アセトニトリル溶液中での還元電位が−1.0V(vsFc+/Fc;ここで、Fcはフェロセンを示す)以上である請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
- 正孔注入材料である請求項4又は5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
- 陽極及び陰極と、これらの間に形成されてなる有機薄膜層とを有し、
前記有機薄膜層が、請求項4又は5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記有機薄膜層が、前記陽極側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層をこの順に含む積層体であり、
前記正孔注入層が請求項4又は5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
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