JP6628064B2 - 化合物およびこれを含む有機電子素子 - Google Patents

Description

本出願は、化合物およびこれを含む有機電子素子に関する。本出願は、２０１５年１１月１７日付で韓国特許庁に出願された韓国特許出願第１０−２０１５−０１６１０３４号の出願日の利益を主張し、その内容はすべて明細書に組み込まれる。

有機電子素子の代表例には有機発光素子がある。一般的に、有機発光現象とは、有機物質を用いて電気エネルギーを光エネルギーに変換させる現象をいう。有機発光現象を利用する有機発光素子は、通常、陽極および陰極と、それらの間に有機物層とを含む構造を有する。ここで、有機物層は、有機発光素子の効率と安定性を高めるために、それぞれ異なる物質で構成された多層の構造からなる場合が多く、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などからなる。このような有機発光素子の構造において、２つの電極の間に電圧をかけると、陽極からは正孔が、陰極からは電子が有機物層に注入され、注入された正孔と電子が接した時、エキシトン（ｅｘｃｉｔｏｎ）が形成され、このエキシトンが再び基底状態に落ちる時に光を発する。

本発明は、有機電子素子の消費電力を向上させ、駆動電圧を低下させることができる化合物およびこれを含む有機電子素子を提供する。

本明細書の一実施態様は、下記化学式１で表される化合物を提供する：
［化学式１］

前記化学式１において、
Ｘは、下記（ａ）〜（ｄ）のうちのいずれか１つで表され、

Ａ〜Ｃは、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；シアノ基；フルオロアルキル基；フルオロアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
ＡおよびＢのうちの少なくとも１つは、シアノ基；フルオロアルキル基；またはフルオロアルコキシ基であり、
Ｒ１およびＲ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；ハロゲン基；シアノ基；ニトロ基；ヒドロキシ基；カルボニル基；エステル基；イミド基；アミド基；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のシクロアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリールオキシ基；置換もしくは非置換のアルキルチオキシ基；置換もしくは非置換のアリールチオキシ基；置換もしくは非置換のアルキルスルホキシ基；置換もしくは非置換のアリールスルホキシ基；置換もしくは非置換のアルケニル基；置換もしくは非置換のシリル基；置換もしくは非置換のホウ素基；置換もしくは非置換のアミン基；置換もしくは非置換のアリールホスフィン基；置換もしくは非置換のホスフィンオキシド基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基である。

また、本明細書の一実施態様は、第１電極と、前記第１電極に対向して備えられた第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に備えられた１層以上の有機物層とを含む有機電子素子であって、前記有機物層のうちの１層以上は、前記化学式１の化合物を含むものである有機電子素子を提供する。

本発明の有機化合物は、正孔注入層、正孔輸送層、およびＰ型電荷生成層に適用することにより、電子収容能力に優れて電力効率の上昇を誘導して消費電力を改善し、駆動電圧を低下させることができる有機電子素子を提供するという利点がある。

基板１、陽極２、発光層３、陰極４が順次に積層された有機電子素子の例を示すものである。 基板１、陽極２、正孔注入層５、正孔輸送層６、発光層３、電子輸送層７、および陰極４が順次に積層された有機電子素子の例を示すものである。 基板１、陽極２、および陰極４を含み、陽極と陰極との間に正孔注入層５ａ、５ｂ、正孔輸送層６ａ、６ｂ、発光層３ａ、３ｂ、および電子輸送層７ａ、７ｂを含むユニットを２つ含み、前記ユニットの間に電荷生成層８が備えられた有機電子素子の例を示すものである。

以下、本明細書についてより詳細に説明する。

本明細書の一実施態様は、前記化学式１で表される化合物を提供する。前記置換基の例示は以下に説明するが、これに限定されるものではない。

本明細書において、ある部分がある構成要素を「含む」とする時、これは特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに包含できることを意味する。

本明細書において、置換基の例示は以下に説明するが、これに限定されるものではない。

前記「置換」という用語は、化合物の炭素原子に結合された水素原子が他の置換基に変わることを意味し、置換される位置は、水素原子の置換される位置すなわち、置換基が置換可能な位置であれば限定せず、２以上置換される場合、２以上の置換基は、互いに同一でも異なっていてもよい。

本明細書において、「置換もしくは非置換の」という用語は、重水素；ハロゲン基；シアノ基；ニトロ基；イミド基；アミド基；カルボニル基；エステル基；ヒドロキシ基；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のシクロアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリールオキシ基；置換もしくは非置換のアルキルチオキシ基；置換もしくは非置換のアリールチオキシ基；置換もしくは非置換のアルキルスルホキシ基；置換もしくは非置換のアリールスルホキシ基；置換もしくは非置換のアルケニル基；置換もしくは非置換のシリル基；置換もしくは非置換のホウ素基；置換もしくは非置換のアミン基；置換もしくは非置換のアリールホスフィン基；置換もしくは非置換のホスフィンオキシド基；置換もしくは非置換のアリール基；および置換もしくは非置換のヘテロアリール基からなる群より選択された１または２以上の置換基で置換されているか、前記例示された置換基のうちの２以上の置換基が連結された置換基で置換されるか、またはいずれの置換基も有しないことを意味する。例えば、「２以上の置換基が連結された置換基」は、ビフェニル基であってもよい。すなわち、ビフェニル基は、アリール基であってもよく、２個のフェニル基が連結された置換基と解釈されてもよい。

本明細書において、

は、他の置換基または結合部に結合される部位を意味する。

本明細書において、ハロゲン基は、フッ素、塩素、臭素、またはヨウ素になってもよい。

本明細書において、イミド基の炭素数は特に限定されないが、炭素数１〜３０のものが好ましい。具体的には、下記のような構造の化合物になってもよいが、これに限定されるものではない。

本明細書において、アミド基は、アミド基の窒素が水素、炭素数１〜３０の直鎖、分枝鎖もしくは環鎖アルキル基、または炭素数６〜３０のアリール基で置換されていてもよい。具体的には、下記構造式の化合物になってもよいが、これに限定されるものではない。

本明細書において、カルボニル基の炭素数は特に限定されないが、炭素数１〜３０のものが好ましい。具体的には、下記のような構造の化合物になってもよいが、これに限定されるものではない。

本明細書において、エステル基は、エステル基の酸素が炭素数１〜２５の直鎖、分枝鎖もしくは環鎖アルキル基、または炭素数６〜３０のアリール基で置換されていてもよい。具体的には、下記構造式の化合物になってもよいが、これに限定されるものではない。

本明細書において、前記アルキル基は、直鎖もしくは分枝鎖であってもよく、炭素数は特に限定されないが、１〜３０のものが好ましい。具体例としては、メチル、エチル、プロピル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ブチル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、１−メチル−ブチル、１−エチル−ブチル、ペンチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチル、ヘキシル、ｎ−ヘキシル、１−メチルペンチル、２−メチルペンチル、４−メチル−２−ペンチル、３，３−ジメチルブチル、２−エチルブチル、ヘプチル、ｎ−ヘプチル、１−メチルヘキシル、シクロペンチルメチル、シクロヘキシルメチル、オクチル、ｎ−オクチル、ｔｅｒｔ−オクチル、１−メチルヘプチル、２−エチルヘキシル、２−プロピルペンチル、ｎ−ノニル、２，２−ジメチルヘプチル、１−エチル−プロピル、１，１−ジメチル−プロピル、イソヘキシル、２−メチルペンチル、４−メチルヘキシル、５−メチルヘキシルなどがあるが、これらに限定されるものではない。

本明細書において、シクロアルキル基は特に限定されないが、炭素数３〜３０のものが好ましく、具体的には、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、３−メチルシクロペンチル、２，３−ジメチルシクロペンチル、シクロヘキシル、３−メチルシクロヘキシル、４−メチルシクロヘキシル、２，３−ジメチルシクロヘキシル、３，４，５−トリメチルシクロヘキシル、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチルなどがあるが、これらに限定されるものではない。

本明細書において、前記アルコキシ基は、直鎖、分枝鎖もしくは環鎖であってもよい。アルコキシ基の炭素数は特に限定されないが、炭素数１〜３０のものが好ましい。具体的には、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｉ−プロピルオキシ、ｎ−ブトキシ、イソブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｎ−ペンチルオキシ、ネオペンチルオキシ、イソペンチルオキシ、ｎ−ヘキシルオキシ、３，３−ジメチルブチルオキシ、２−エチルブチルオキシ、ｎ−オクチルオキシ、ｎ−ノニルオキシ、ｎ−デシルオキシ、ベンジルオキシ、ｐ−メチルベンジルオキシなどになってもよいが、これらに限定されるものではない。

本明細書において、アミン基は、−ＮＨ_２；モノアルキルアミン基；ジアルキルアミン基；Ｎ−アルキルアリールアミン基；モノアリールアミン基；ジアリールアミン基；Ｎ−アリールヘテロアリールアミン基；Ｎ−アルキルヘテロアリールアミン基、モノヘテロアリールアミン基、およびジヘテロアリールアミン基からなる群より選択されてもよいし、炭素数は特に限定されないが、１〜３０のものが好ましい。アミン基の具体例としては、メチルアミン基、ジメチルアミン基、エチルアミン基、ジエチルアミン基、フェニルアミン基、ナフチルアミン基、ビフェニルアミン基、アントラセニルアミン基、９−メチル−アントラセニルアミン基、ジフェニルアミン基、ジトリルアミン基、Ｎ−フェニルトリルアミン基、トリフェニルアミン基、Ｎ−フェニルビフェニルアミン基；Ｎ−フェニルナフチルアミン基；Ｎ−ビフェニルナフチルアミン基；Ｎ−ナフチルフルオレニルアミン基；Ｎ−フェニルフェナントレニルアミン基；Ｎ−ビフェニルフェナントレニルアミン基；Ｎ−フェニルフルオレニルアミン基；Ｎ−フェニルターフェニルアミン基；Ｎ−フェナントレニルフルオレニルアミン基；Ｎ−ビフェニルフルオレニルアミン基などがあるが、これらに限定されるものではない。

本明細書において、Ｎ−アルキルアリールアミン基は、アミン基のＮにアルキル基およびアリール基が置換されたアミン基を意味する。

本明細書において、Ｎ−アリールヘテロアリールアミン基は、アミン基のＮにアリール基およびヘテロアリール基が置換されたアミン基を意味する。

本明細書において、Ｎ−アルキルヘテロアリールアミン基は、アミン基のＮにアルキル基およびヘテロアリールアミン基が置換されたアミン基を意味する。

本明細書において、アルキルアミン基、Ｎ−アルキルアリールアミン基、アルキルチオキシ基、アルキルスルホキシ基、Ｎ−アルキルヘテロアリールアミン基中のアルキル基は、前述のアルキル基の例示の通りである。具体的には、アルキルチオキシ基としては、メチルチオキシ基、エチルチオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオキシ基、ヘキシルチオキシ基、オクチルチオキシ基などがあり、アルキルスルホキシ基としては、メシル、エチルスルホキシ基、プロピルスルホキシ基、ブチルスルホキシ基などがあるが、これらに限定されるものではない。

本明細書において、前記アルケニル基は、直鎖もしくは分枝鎖であってもよく、炭素数は特に限定されないが、２〜３０のものが好ましい。具体例としては、ビニル、１−プロペニル、イソプロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、３−メチル−１−ブテニル、１，３−ブタジエニル、アリル、１−フェニルビニル−１−イル、２−フェニルビニル−１−イル、２，２−ジフェニルビニル−１−イル、２−フェニル−２−（ナフチル−１−イル）ビニル−１−イル、２，２−ビス（ジフェニル−１−イル）ビニル−１−イル、スチルベニル基、スチレニル基などがあるが、これらに限定されるものではない。

本明細書において、シリル基は、具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、ジフェニルシリル基、フェニルシリル基などがあるが、これらに限定されるものではない。

本明細書において、ホウ素基は、−ＢＲ_１００Ｒ_１０１であってもよいし、前記Ｒ_１００およびＲ_１０１は、同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；ハロゲン；シアノ基；置換もしくは非置換の炭素数３〜３０の単環もしくは多環のシクロアルキル基；置換もしくは非置換の炭素数１〜３０の直鎖もしくは分枝鎖のアルキル基；置換もしくは非置換の炭素数６〜３０の単環もしくは多環のアリール基；および置換もしくは非置換の炭素数２〜３０の単環もしくは多環のヘテロアリール基からなる群より選択されてもよい。

本明細書において、ホスフィンオキシド基は、具体的には、ジフェニルホスフィンオキシド基、ジナフチルホスフィンオキシドなどがあるが、これらに限定されるものではない。

本明細書において、アリール基は特に限定されないが、炭素数６〜３０のものが好ましく、前記アリール基は、単環式もしくは多環式であってもよい。

前記アリール基が単環式アリール基の場合、炭素数は特に限定されないが、炭素数６〜３０のものが好ましい。具体的には、単環式アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基などになってもよいが、これらに限定されるものではない。

前記アリール基が多環式アリール基の場合、炭素数は特に限定されないが、炭素数１０〜３０のものが好ましい。具体的には、多環式アリール基としては、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、トリフェニル基、ピレニル基、ペリレニル基、クリセニル基、フルオレニル基などになってもよいが、これらに限定されるものではない。

本明細書において、前記フルオレニル基は置換されていてもよいし、隣接した基が互いに結合して環を形成してもよい。

前記フルオレニル基が置換される場合、

および

などになってもよい。ただし、これらに限定されるものではない。

本明細書において、「隣接した」基は、当該置換基が置換された原子と直接連結された原子に置換された置換基、当該置換基と立体構造的に最も近く位置した置換基、または当該置換基が置換された原子に置換された他の置換基を意味することができる。例えば、ベンゼン環におけるオルト（ｏｒｔｈｏ）位に置換された２個の置換基、および脂肪族環における同一炭素に置換された２個の置換基は、互いに「隣接した」基と解釈されてもよい。

本明細書において、アリールオキシ基、アリールチオキシ基、アリールスルホキシ基、Ｎ−アリールアルキルアミン基、Ｎ−アリールヘテロアリールアミン基、およびアリールホスフィン基中のアリール基は、前述のアリール基の例示の通りである。具体的には、アリールオキシ基としては、フェノキシ基、ｐ−トリルオキシ基、ｍ−トリルオキシ基、３，５−ジメチル−フェノキシ基、２，４，６−トリメチルフェノキシ基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、３−ビフェニルオキシ基、４−ビフェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチル−１−ナフチルオキシ基、５−メチル−２−ナフチルオキシ基、１−アントリルオキシ基、２−アントリルオキシ基、９−アントリルオキシ基、１−フェナントリルオキシ基、３−フェナントリルオキシ基、９−フェナントリルオキシ基などがあり、アリールチオキシ基としては、フェニルチオキシ基、２−メチルフェニルチオキシ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルチオキシ基などがあり、アリールスルホキシ基としては、ベンゼンスルホキシ基、ｐ−トルエンスルホキシ基などがあるが、これらに限定されるものではない。

本明細書において、アリールアミン基の例としては、置換もしくは非置換のモノアリールアミン基、置換もしくは非置換のジアリールアミン基、または置換もしくは非置換のトリアリールアミン基がある。前記アリールアミン基中のアリール基は、単環式アリール基であってもよく、多環式アリール基であってもよい。前記アリール基が２以上を含むアリールアミン基は、単環式アリール基、多環式アリール基、または単環式アリール基と多環式アリール基を同時に含んでもよい。例えば、前記アリールアミン基中のアリール基は、前述のアリール基の例示の中から選択されてもよい。

本明細書において、ヘテロアリール基は、炭素でない原子、異種原子を１以上含むものであって、具体的には、前記異種原子は、Ｏ、Ｎ、Ｓｅ、およびＳなどからなる群より選択される原子を１以上含むことができる。炭素数は特に限定されないが、炭素数２〜３０のものが好ましく、前記ヘテロアリール基は、単環式もしくは多環式であってもよい。ヘテロアリール基の例としては、チオフェン基、フラニル基、ピロール基、イミダゾリル基、チアゾリル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、ピリジル基、ビピリジル基、ピリミジル基、トリアジニル基、トリアゾリル基、アクリジル基、ピリダジニル基、ピラジニル基、キノリニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、フタラジニル基、ピリドピリミジル基、ピリドピラジニル基、ピラジノピラジニル基、イソキノリニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンズオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾカルバゾリル基、ベンゾチオフェン基、ジベンゾチオフェン基、ベンゾフラニル基、フェナントロリニル基（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、フェノチアジニル基、およびジベンゾフラニル基などがあるが、これらに限定されるものではない。

本明細書において、ヘテロアリールアミン基の例としては、置換もしくは非置換のモノヘテロアリールアミン基、置換もしくは非置換のジヘテロアリールアミン基、または置換もしくは非置換のトリヘテロアリールアミン基がある。前記ヘテロアリール基が２以上を含むヘテロアリールアミン基は、単環式ヘテロアリール基、多環式ヘテロアリール基、または単環式ヘテロアリール基と多環式ヘテロアリール基を同時に含んでもよい。例えば、前記ヘテロアリールアミン基中のヘテロアリール基は、前述のヘテロアリール基の例示の中から選択されてもよい。

本明細書において、Ｎ−アリールヘテロアリールアミン基およびＮ−アルキルヘテロアリールアミン基中のヘテロアリール基の例示は、前述のヘテロアリール基の例示の通りである。

本明細書において、ヘテロアリール基は、単環もしくは多環であってもよく、芳香族、脂肪族、または芳香族と脂肪族との縮合環であってもよいし、前記ヘテロアリール基の例示の中から選択されてもよい。

本明細書において、芳香族環基は、単環もしくは多環であってもよく、前記アリール基の例示の中から選択されてもよい。

本明細書において、２〜４価の芳香族環基は、単環もしくは多環であってもよいし、前記アリール基に結合位置が２〜４個あるもの、すなわち、２〜４価の基を意味する。これらはそれぞれ、２〜４価の基であることを除けば、前述のアリール基の説明が適用可能である。

本明細書において、アルキレン基は、アルキル基に結合位置が２個あるもの、すなわち２価の基を意味する。これらはそれぞれ、２価の基であることを除けば、前述のアルキル基の説明が適用可能である。

本明細書において、シクロアルキレン基は、シクロアルキル基に結合位置が２個あるもの、すなわち２価の基を意味する。これらはそれぞれ、２価の基であることを除けば、前述のシクロアルキル基の説明が適用可能である。

本明細書において、アリーレン基は、アリール基に結合位置が２個あるもの、すなわち２価の基を意味する。これらはそれぞれ、２価の基であることを除けば、前述のアリール基の説明が適用可能である。

本明細書において、ヘテロアリーレン基は、ヘテロアリール基に結合位置が２個あるもの、すなわち２価の基を意味する。これらはそれぞれ、２価の基であることを除けば、前述のヘテロアリール基の説明が適用可能である。

本明細書において、置換基のうち、「隣接した２個は、互いに結合して環を形成する」との意味は、隣接した基と互いに結合して置換もしくは非置換の炭化水素環；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基を形成することを意味する。

本明細書において、環は、置換もしくは非置換の炭化水素環；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基を意味する。

本明細書において、炭化水素環は、芳香族、脂肪族、または芳香族と脂肪族との縮合環であってもよいし、前記１価でないものを除き、前記シクロアルキル基またはアリール基の例示の中から選択されてもよい。

本明細書において、芳香族環は、単環もしくは多環であってもよいし、１価でないものを除き、前記アリール基の例示の中から選択されてもよい。

本明細書において、ヘテロアリール基は、炭素でない原子、異種原子を１以上含むものであって、具体的には、前記異種原子は、Ｏ、Ｎ、Ｓｅ、およびＳなどからなる群より選択される原子を１以上含むことができる。前記ヘテロアリール基は、単環もしくは多環であってもよいし、芳香族、脂肪族、または芳香族と脂肪族との縮合環であってもよいし、１価でないものを除き、前記ヘテロアリール基の例示の中から選択されてもよい。

本明細書において、隣接した基が互いに結合して形成される置換もしくは非置換の環において、「環」は、置換もしくは非置換の炭化水素環；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基を意味する。

本明細書において、２〜４価の芳香族環基は、単環もしくは多環であってもよいし、前記アリール基に結合位置が２〜４個あるもの、すなわち、２〜４価の基を意味する。これらはそれぞれ、２〜４価の基であることを除けば、前述のアリール基の説明が適用可能である。

本明細書の一実施態様によれば、Ａは、互いに同一である。

本明細書の一実施態様によれば、Ｂは、互いに同一である。

本明細書の一実施態様によれば、Ｃは、互いに同一である。

本明細書の一実施態様によれば、ＡおよびＢは、−ＣＮ、−Ｃ_ｎＦ_２ｎ＋１、または−Ｏ−Ｃ_ｎＦ_２ｎ＋１であり、ｎは、１または２である。

本明細書の一実施態様によれば、Ａは、−ＣＮである。

本明細書の一実施態様によれば、Ａは、−ＣＦ_３である。

本明細書の一実施態様によれば、Ａは、−Ｃ_２Ｆ_５である。

本明細書の一実施態様によれば、Ａは、−ＯＣＦ_３である。

本明細書の一実施態様によれば、Ａは、−ＯＣ_２Ｆ_５である。

本明細書の一実施態様によれば、Ａは、置換もしくは非置換のアリール基である。

本明細書の一実施態様によれば、Ａは、置換もしくは非置換のフェニル基；または置換もしくは非置換のビフェニル基；または置換もしくは非置換のナフタレン基である。

本明細書の一実施態様によれば、Ａは、フッ素；−ＣＮ；−ＣＦ_３；−ＯＣＦ_３；−ＯＣＨＦ_２；−ＯＣ_２Ｆ_５；−ＯＣＨ_２Ｃ_２Ｆ_５；−ＯＣＨ（ＣＦ_３）_２；−Ｃ_８Ｆ_１７および−Ｓｉ（ＣＨ_３）_３からなる群より少なくとも１つ以上選択される置換基で置換もしくは非置換のフェニル基である。

本明細書の一実施態様によれば、Ａは、フッ素；−ＣＮおよび−ＣＦ_３からなる群より少なくとも１つ以上選択される置換基で置換もしくは非置換のビフェニル基である。

本明細書の一実施態様によれば、Ａは、置換もしくは非置換のヘテロアリール基である。

本明細書の一実施態様によれば、Ａは、置換もしくは非置換のピリジン基；置換もしくは非置換のキノリン基；置換もしくは非置換のキナゾリン基；または置換もしくは非置換のキノキサリン基である。

本明細書の一実施態様によれば、Ａは、ピリジン基である。

本明細書の一実施態様によれば、Ａは、フッ素で置換されたピリジンである。

本明細書の一実施態様によれば、Ａは、キノキサリン基である。

本明細書の一実施態様によれば、Ａは、シアノ基で置換されたキノキサリン基である。

本明細書の一実施態様によれば、Ａは、キナゾリン基である。

本明細書の一実施態様によれば、Ａは、シアノ基で置換されたキナゾリン基である。

本明細書の一実施態様によれば、Ａは、キノリン基である。

本明細書の一実施態様によれば、Ａは、キノリン基である。

本明細書の一実施態様によれば、Ｂは、−ＣＮである。

本明細書の一実施態様によれば、Ｂは、−ＣＦ_３である。

本明細書の一実施態様によれば、Ｂは、−Ｃ_２Ｆ_５である。

本明細書の一実施態様によれば、Ｂは、−ＯＣＦ_３である。

本明細書の一実施態様によれば、Ｂは、−ＯＣ_２Ｆ_５である。

本明細書の一実施態様によれば、Ｂは、置換もしくは非置換のアリール基である。

本明細書の一実施態様によれば、Ｂは、置換もしくは非置換のフェニル基；または置換もしくは非置換のビフェニル基；または置換もしくは非置換のナフタレン基である。

本明細書の一実施態様によれば、Ｂは、フッ素；−ＣＮ；−ＣＦ_３；−ＯＣＦ_３；−ＯＣＨＦ_２；−ＯＣ_２Ｆ_５；−ＯＣＨ_２Ｃ_２Ｆ_５；−ＯＣＨ（ＣＦ_３）_２；−Ｃ_８Ｆ_１７および−Ｓｉ（ＣＨ_３）_３からなる群より少なくとも１つ以上選択される置換基で置換もしくは非置換のフェニル基である。

本明細書の一実施態様によれば、Ｂは、フッ素；−ＣＮおよび−ＣＦ_３からなる群より少なくとも１つ以上選択される置換基で置換もしくは非置換のビフェニル基である。

本明細書の一実施態様によれば、Ｂは、置換もしくは非置換のヘテロアリール基である。

本明細書の一実施態様によれば、Ｂは、置換もしくは非置換のピリジン基；置換もしくは非置換のキノリン基；置換もしくは非置換のキナゾリン基；または置換もしくは非置換のキノキサゾリン基である。

本明細書の一実施態様によれば、Ｂは、ピリジン基である。

本明細書の一実施態様によれば、Ｂは、フッ素で置換されたピリジンである。

本明細書の一実施態様によれば、Ｂは、キノキサリン基である。

本明細書の一実施態様によれば、Ｂは、シアノ基で置換されたキノキサリン基である。

本明細書の一実施態様によれば、Ｂは、キナゾリン基である。

本明細書の一実施態様によれば、Ｂは、シアノ基で置換されたキナゾリン基である。

本明細書の一実施態様によれば、Ｂは、キノリン基である。

本明細書の一実施態様によれば、Ｃは、水素である。

本明細書の一実施態様によれば、Ｃは、−ＣＮである。

本明細書の一実施態様によれば、Ｒ１およびＲ２は、水素である。

本発明の一実施態様によれば、前記化学式１の化合物は、下記構造式から選択されてもよい。

また、本明細書は、前記前述の化合物を含む有機電子素子を提供する。

本出願の一実施態様において、第１電極と、前記第１電極に対向して備えられた第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に備えられた１層以上の有機物層とを含む有機電子素子であって、前記有機物層のうちの１層以上は、前記化合物を含むものである有機電子素子を提供する。

本明細書において、ある部材が他の部材の「上に」位置しているとする時、これは、ある部材が他の部材に接している場合だけでなく、２つの部材の間にさらに他の部材が存在する場合も含む。

本明細書において、ある部分がある構成要素を「含む」とする時、これは、特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに包含できることを意味する。

本明細書において、「隣接した」とは、相対的に近く配置されたことを意味する。この時、物理的に接する場合を含むことができ、隣接した有機物層の間に追加の有機物層が備えられた場合も含むことができる。

本出願の有機電子素子の有機物層は、単層構造からなってもよいが、２層以上の有機物層が積層された多層構造からなってもよい。例えば、本発明の有機電子素子の代表例として、有機電子素子は、有機物層として、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などを含む構造を有することができる。しかし、有機電子素子の構造はこれに限定されず、より少数の有機層を含んでもよい。

本出願の一実施態様によれば、前記有機電子素子は、有機発光素子、有機太陽電池、有機感光体（ＯＰＣ）、および有機トランジスタからなる群より選択されてもよい。

本出願の一実施態様において、前記有機物層は、正孔注入層を含み、前記正孔注入層は、前記化学式１の化合物を含む。

本出願の一実施態様において、前記有機物層は、正孔注入層を含み、前記化合物が単独からなるか、または前記化学式１の化合物がドーピングされてなる。

本出願の一実施態様において、前記有機物層は、ドーピングされた正孔輸送層を含み、前記ドーピングされた正孔輸送層は、正孔輸送物質に前記化学式１の化合物がドーピングされてなる。

本出願の一実施態様において、前記有機物層は、ドーピングされた正孔輸送層を含み、前記ドーピングされた正孔輸送層は、正孔輸送物質に前記化学式１の化合物と正孔輸送物質を混合してドーピングする。

本出願の一実施態様において、前記有機物層は、ドーピングされた正孔輸送層を含み、前記ドーピングされた正孔輸送層は、正孔輸送物質に前記化学式１の化合物と正孔輸送物質を混合してドーピングし、前記混合物の重量部を１００とした時、前記化学式１の化合物の重量部は０．１〜５０重量部である。

本出願の一実施態様において、前記第１電極と第２電極との間に、第１色の光を発光する第１スタック、第２色の光を発光する第２スタック、および前記第１スタックと第２スタックとの間で電荷をバランスがとれるように調節する電荷生成層が形成されており、前記電荷生成層は、前記第１スタックに隣接して位置するＮ型電荷生成層と、前記第２スタックに隣接して位置するＰ型電荷生成層とからなり、前記有機物層は、前記Ｐ型電荷生成層を構成し、前記Ｐ型電荷生成層は、前記化学式１の化合物単独からなるか、または前記化学式１の化合物がドーピングされてなる。

本出願の一実施態様において、前記第１電極と第２電極との間に、第１色の光を発光する第１スタック、第２色の光を発光する第２スタック、および前記第１スタックと第２スタックとの間で電荷をバランスがとれるように調節する電荷生成層が形成されており、前記電荷生成層は、前記第１スタックに隣接して位置するＮ型電荷生成層と、前記第２スタックに隣接して位置するＰ型電荷生成層とからなり、前記有機物層は、前記Ｐ型電荷生成層を構成し、前記Ｐ型電荷生成層は、正孔輸送物質に前記化学式１の化合物がドーピングされてなる。

本出願の一実施態様において、前記Ｐ型電荷生成層は、正孔輸送物質に前記化学式１の化合物および正孔輸送物質を混合してドーピングする。

本出願の一実施態様において、前記Ｐ型電荷生成層は、正孔輸送物質に前記化学式１の化合物および正孔輸送物質を混合してドーピングし、前記混合物の重量部を１００とした時、前記化学式１の化合物の重量部は０．１〜５０重量部である。

本出願の一実施態様において、前記第１スタックおよび第２スタックはそれぞれ、発光層を含む有機物層であり、前記有機物層は、発光層のほか、正孔注入層、正孔バッファ層、正孔輸送層、電子抑制層、正孔抑制層、電子輸送層、電子注入層のような１層以上の有機物層がさらに含まれてもよい。

本出願の一実施態様において、前記有機物層は、正孔注入層または正孔輸送層を含み、前記正孔注入層または正孔輸送層は、前記化合物を含む。

もう一つの実施態様において、前記有機物層は、前記第１電極と第２電極との間で電荷を生成する電荷発生層を含み、前記電荷発生層は、前記化合物を含む。

本出願の一実施態様において、前記有機電子素子は、第１電極と第２電極との間に備えられ、発光層を含むスタックを２以上含み、スタックの間に備えられた電荷発生層を含む。

もう一つの実施態様において、前記有機電子素子は、第１電極と第２電極との間に備えられた発光層を含み、第１電極および第２電極のうち陰極の役割を果たす電極と、発光層との間に備えられた電荷発生層を含む。

もう一つの実施態様によれば、前記有機物層は、２層以上の発光層を含み、前記２層の発光層の間に備えられた、前記化学式１の化合物を含む電荷生成層（ｃｈａｒｇｅ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）を含むことができる。この時、前記発光層のうちの１つは青色を発光させ、他の１つは黄色を発光させることにより、白色発光をする有機電子素子を作製することができる。前記発光層と陽極または陰極との間、前記発光層と電荷生成層との間には、前述の正孔注入層、正孔バッファ層、正孔輸送層、電子抑制層、正孔抑制層、電子輸送層、電子注入層のような１層以上の有機物層がさらに含まれてもよい。

本出願の一実施態様において、前記有機物層は、発光層を含み、前記発光層は、前記化合物を含む。

本明細書の一実施態様によれば、前記有機物層は、発光層を含み、前記発光層は、下記化学式Ａ−１で表される化合物を含む。
［化学式Ａ−１］

前記化学式Ａ−１において、
ｎ１は、１以上の整数であり、
Ａｒ１は、置換もしくは非置換の１価以上のベンゾフルオレン基；置換もしくは非置換の１価以上のフルオランテン基；置換もしくは非置換の１価以上のピレン基；または置換もしくは非置換の１価以上のクリセン基であり、
Ｌ１は、直接結合；置換もしくは非置換のアリーレン基；または置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基であり、
Ａｒ２およびＡｒ３は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のアリール基；置換もしくは非置換のシリル基；置換もしくは非置換のゲルマニウム基；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアリールアルキル基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であるか、互いに結合して置換もしくは非置換の環を形成してもよいし、
ｎ１が２以上の場合、２以上の括弧内の構造は、互いに同一または異なる。

本明細書の一実施態様によれば、前記有機物層は、発光層を含み、前記発光層は、前記化学式Ａ−１で表される化合物を発光層のドーパントとして含む。

本明細書の一実施態様によれば、前記Ｌ１は、直接結合である。

本明細書の一実施態様によれば、前記ｎ１は、２である。

本明細書の一実施態様において、前記Ａｒ１は、重水素、メチル基、エチル基、またはｔｅｒｔ−ブチル基で置換もしくは非置換の２価のピレン基である。

本明細書の一実施態様によれば、前記Ａｒ２およびＡｒ３は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリール基である。

本明細書の一実施態様によれば、前記Ａｒ２およびＡｒ３は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、アルキル基で置換されたゲルマニウム基で置換もしくは非置換のアリール基である。

本明細書の一実施態様によれば、Ａｒ２およびＡＲ３は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、トリメチルゲルマニウム基で置換もしくは非置換のアリール基である。

本明細書の一実施態様によれば、前記Ａｒ２およびＡｒ３は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のフェニル基である。

本明細書の一実施態様によれば、前記Ａｒ２およびＡｒ３は、トリメチルゲルマニウム基で置換もしくは非置換のフェニル基である。

本明細書の一実施態様によれば、前記化学式Ａ−１は、下記化合物で表される。

本明細書の一実施態様によれば、前記有機物層は、発光層を含み、前記発光層は、下記化学式Ａ−２で表される化合物を含む。
［化学式Ａ−２］

前記化学式Ａ−２において、
Ａｒ１１およびＡｒ１２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の単環のアリール基；または置換もしくは非置換の多環のアリール基であり、
Ｇ１〜Ｇ８は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換の単環のアリール基；または置換もしくは非置換の多環のアリール基である。

本明細書の一実施態様によれば、前記有機物層は、発光層を含み、前記発光層は、前記化学式Ａ−２で表される化合物を発光層のホストとして含む。

本明細書の一実施態様によれば、前記Ａｒ１１およびＡｒ１２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の多環のアリール基である。

本明細書の一実施態様によれば、前記Ａｒ１１およびＡｒ１２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数１０〜３０の多環のアリール基である。

本明細書の一実施態様によれば、前記Ａｒ１１およびＡｒ１２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のフェニル基；または置換もしくは非置換のナフチル基である。

本明細書の一実施態様によれば、前記Ａｒ１１およびＡｒ１２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、アリール基で置換されたフェニル基；または置換もしくは非置換のナフチル基である。

本明細書の一実施態様によれば、前記Ａｒ１１およびＡｒ１２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、２−ナフチル基で置換されたフェニル基；１−ナフチル基；または２−ナフチル基である。

本明細書の一実施態様によれば、前記Ｇ１〜Ｇ８は、すべて水素である。

本明細書の一実施態様によれば、前記Ｇ１〜Ｇ８のうちの少なくとも１つは、置換もしくは非置換のアルキル基であり、残りは、水素である。

本明細書の一実施態様によれば、前記Ｇ１〜Ｇ８のうちの少なくとも１つは、アルキル基であり、残りは、水素である。

本明細書の一実施態様によれば、前記Ｇ１、Ｇ２、Ｇ４〜Ｇ８は、水素である。

本明細書の一実施態様によれば、前記Ｇ３は、アルキル基である。

本明細書の一実施態様によれば、前記Ｇ３は、メチル基、エチル基、プロピル基；またはブチル基である。

本明細書の一実施態様によれば、前記Ｇ３は、メチル基、エチル基、プロピル基；またはブチル基である。

本明細書の一実施態様によれば、前記Ｇ３は、メチル基である。

本明細書の一実施態様によれば、前記化学式Ａ−２は、下記化合物で表される。

本明細書の一実施態様によれば、前記有機物層は、発光層を含み、前記発光層は、前記化学式Ａ−１で表される化合物を発光層のドーパントとして含み、前記化学式Ａ−２で表される化合物を発光層のホストとして含む。

本出願の一実施態様において、前記有機物層は、電子輸送層であり、前記有機発光素子は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層、電子阻止層、および正孔阻止層からなる群より選択される１層または２層以上をさらに含む。

本出願の一実施態様において、前記有機電子素子は、第１電極と、前記第１電極に対向して備えられた第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に備えられた発光層と、前記発光層と前記第１電極との間、または前記発光層と前記第２電極との間に備えられた２層以上の有機物層とを含み、前記２層以上の有機物層のうちの少なくとも１つは、前記化合物を含む。本出願の一実施態様において、前記２層以上の有機物層は、電子輸送層、電子注入層、電子輸送および電子注入を同時に行う層、並びに正孔阻止層からなる群より２以上が選択されてもよい。

本出願の一実施態様において、前記有機物層は、２層以上の電子輸送層を含み、前記２層以上の電子輸送層のうちの少なくとも１つは、前記化合物を含む。具体的には、本明細書の一実施態様において、前記化合物は、前記２層以上の電子輸送層のうちの１層に含まれてもよいし、それぞれの２層以上の電子輸送層に含まれてもよい。

また、本出願の一実施態様において、前記化合物が前記それぞれの２層以上の電子輸送層に含まれる場合、前記化合物を除いた他の材料は、互いに同一でも異なっていてもよい。

本出願の一実施態様において、前記有機物層は、前記化合物を含む有機物層のほか、アリールアミノ基、カルバゾリル基、またはベンゾカルバゾリル基を含む化合物を含む正孔注入層または正孔輸送層をさらに含む。

もう一つの実施態様において、有機電子素子は、基板上に、陽極、１層以上の有機物層、および陰極が順次に積層された構造（ｎｏｒｍａｌ ｔｙｐｅ）の有機発光素子であってもよい。

もう一つの実施態様において、有機電子素子は、基板上に、陰極、１層以上の有機物層、および陽極が順次に積層された逆方向構造（ｉｎｖｅｒｔｅｄ ｔｙｐｅ）の有機発光素子であってもよい。

例えば、本出願の一実施態様に係る有機電子素子の構造は、図１〜図３に例示されている。

図１は、基板１、陽極２、発光層３、陰極４が順次に積層された有機発光素子の構造が例示されている。このような構造において、前記化合物は、前記発光層３に含まれてもよい。

図２は、基板１、陽極２、正孔注入層５、正孔輸送層６、発光層３、電子輸送層７、および陰極４が順次に積層された有機電子素子の構造が例示されている。このような構造において、前記化合物は、前記正孔注入層５、正孔輸送層６、発光層３、および電子輸送層７のうちの１層以上に含まれてもよい。

図３は、基板１、陽極２、および陰極４を含み、陽極と陰極との間に正孔注入層５ａ、５ｂ、正孔輸送層６ａ、６ｂ、発光層３ａ、３ｂ、および電子輸送層７ａ、７ｂを含むユニットを２つ含み、前記ユニットの間に電荷生成層８が備えられた有機電子素子の構造が例示されている。このような構造において、前記化合物は、前記正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および電荷生成層のうちの１層以上に含まれてもよい。

本出願の有機電子素子は、有機物層のうちの１層以上が本出願の化合物、すなわち前記化合物を含むことを除けば、当技術分野で知られている材料および方法で製造できる。

前記有機電子素子が複数の有機物層を含む場合、前記有機物層は、同一の物質または異なる物質で形成される。

本出願の有機電子素子は、有機物層のうちの１層以上が前記化合物、すなわち前記化学式１で表される化合物を含むことを除けば、当技術分野で知られている材料および方法で製造できる。

例えば、本出願の有機電子素子は、基板上に第１電極、有機物層、および第２電極を順次に積層させることにより製造することができる。この時、スパッタリング法（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）や電子ビーム蒸発法（ｅ−ｂｅａｍ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）のようなＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法を利用して、基板上に金属または導電性を有する金属酸化物またはこれらの合金を蒸着させて陽極を形成し、その上に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、および電子輸送層を含む有機物層を形成した後、その上に陰極として使用可能な物質を蒸着させることにより製造できる。このような方法以外にも、基板上に、陰極物質から有機物層、陽極物質を順に蒸着させて有機電子素子を作ることができる。

また、前記化学式１の化合物は、有機電子素子の製造時、真空蒸着法だけでなく、溶液塗布法によって有機物層に形成される。ここで、溶液塗布法とは、スピンコーティング、ディップコーティング、ドクターブレーディング、インクジェットプリンティング、スクリーンプリンティング、スプレー法、ロールコーティングなどを意味するが、これらにのみ限定されるものではない。

本出願の一実施態様において、前記第１電極は、陽極であり、前記第２電極は、陰極である。

もう一つの実施態様において、前記第１電極は、陰極であり、前記第２電極は、陽極である。

前記有機発光素子は、例えば、下記のような積層構造を有することができるが、これにのみ限定されるものではない。
（１）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
（２）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
（３）陽極／正孔注入層／正孔バッファ層／正孔輸送層／発光層／陰極
（４）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（５）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（７）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（８）陽極／正孔注入層／正孔バッファ層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（９）陽極／正孔注入層／正孔バッファ層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（１０）陽極／正孔輸送層／電子抑制層／発光層／電子輸送層／陰極
（１１）陽極／正孔輸送層／電子抑制層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（１２）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／電子抑制層／発光層／電子輸送層／陰極
（１３）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／電子抑制層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（１４）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔抑制層／電子輸送層／陰極
（１５）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔抑制層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（１６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔抑制層／電子輸送層／陰極
（１７）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔抑制層／電子輸送層／電子注入層／陰極

前記陽極物質としては、通常、有機物層に正孔注入が円滑となるように仕事関数の大きい物質が好ましい。本発明で使用可能な陽極物質の具体例としては、バナジウム、クロム、銅、亜鉛、金のような金属またはこれらの合金；亜鉛酸化物、インジウム酸化物、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような金属酸化物；ＺｎＯ：ＡｌまたはＳｎＯ_２：Ｓｂのような金属と酸化物との組み合わせ；ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ［３，４−（エチレン−１，２−ジオキシ）チオフェン］（ＰＥＤＯＴ）、ポリピロールおよびポリアニリンのような導電性高分子などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。

前記陰極物質としては、通常、有機物層に電子注入が容易となるように仕事関数の小さい物質であることが好ましい。陰極物質の具体例としては、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタン、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、アルミニウム、銀、スズおよび鉛のような金属またはこれらの合金；ＬｉＦ／ＡｌまたはＬｉＯ_２／Ａｌのような多層構造の物質などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。

前記正孔注入層は、電極から正孔を注入する層で、正孔注入物質としては、正孔を輸送する能力を有し、陽極からの正孔注入効果、発光層または発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光層で生成された励起子の電子注入層または電子注入材料への移動を防止し、また、薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。正孔注入物質のＨＯＭＯ（ｈｉｇｈｅｓｔ ｏｃｃｕｐｉｅｄ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｏｒｂｉｔａｌ）が陽極物質の仕事関数と周辺有機物層のＨＯＭＯとの間であることが好ましい。正孔注入物質の具体例としては、金属ポルフィリン（ｐｏｒｐｈｙｒｉｎ）、オリゴチオフェン、アリールアミン系の有機物、ヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレン系の有機物、キナクリドン（ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）系の有機物、ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）系の有機物、アントラキノンおよびポリアニリンとポリチオフェン系の導電性高分子などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。

前記正孔輸送層は、正孔注入層から正孔を受け取って発光層まで正孔を輸送する層で、正孔輸送物質としては、陽極や正孔注入層から正孔を受けて発光層に移し得る物質で、正孔に対する移動性の大きい物質が好適である。具体例としては、アリールアミン系の有機物、導電性高分子、および共役部分と非共役部分が共にあるブロック共重合体などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。

前記発光物質としては、正孔輸送層と電子輸送層から正孔と電子をそれぞれ受けて結合させることにより、可視光線領域の光を発し得る物質であって、蛍光や燐光に対する量子効率の良い物質が好ましい。具体例としては、８−ヒドロキシ−キノリンアルミニウム錯体（Ａｌｑ_３）；カルバゾール系化合物；二量体化スチリル（ｄｉｍｅｒｉｚｅｄ ｓｔｙｒｙｌ）化合物；ＢＡｌｑ；１０−ヒドロキシベンゾキノリン−金属化合物；ベンゾキサゾール、ベンズチアゾールおよびベンズイミダゾール系の化合物；ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）系の高分子；スピロ（ｓｐｉｒｏ）化合物；ポリフルオレン、ルブレンなどがあるが、これらにのみ限定されるものではない。

前記発光層は、ホスト材料およびドーパント材料を含むことができる。ホスト材料は、縮合芳香族環誘導体またはヘテロ環含有化合物などがある。具体的には、縮合芳香族環誘導体としては、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、ナフタレン誘導体、ペンタセン誘導体、フェナントレン化合物、フルオランテン化合物などがあり、ヘテロ環含有化合物としては、化合物、ジベンゾフラン誘導体、ラダー型フラン化合物、ピリミジン誘導体などがあるが、これらに限定されない。

前記電子輸送層は、電子注入層から電子を受け取って発光層まで電子を輸送する層で、電子輸送物質としては、陰極から電子がよく注入されて発光層に移し得る物質であって、電子に対する移動性の大きい物質が好適である。具体例としては、８−ヒドロキシキノリンのＡｌ錯体；Ａｌｑ_３を含む錯体；有機ラジカル化合物；ヒドロキシフラボン−金属錯体などがあるが、これらにのみ限定されるものではない。電子輸送層は、従来技術により使用されているような、任意の所望するカソード物質と共に使用することができる。特に、適切なカソード物質の例は、低い仕事関数を有し、アルミニウム層またはシルバー層が後に続く通常の物質である。具体的には、セシウム、バリウム、カルシウム、イッテルビウム、およびサマリウムであり、各場合、アルミニウム層またはシルバー層が後に続く。

前記電子注入層は、電極から電子を注入する層で、電子を輸送する能力を有し、陰極からの電子注入効果、発光層または発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、発光層で生成された励起子の正孔注入層への移動を防止し、また、薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フルオレニリデンメタン、アントロンなどとそれらの誘導体、金属錯体化合物、および含窒素５員環誘導体などがあるが、これらに限定されない。

前記金属錯体化合物としては、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）マンガン、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリナート）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（ｏ−クレゾラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（２−ナフトラート）ガリウムなどがあるが、これらに限定されない。

前記正孔阻止層は、正孔の陰極到達を阻止する層で、一般的に、正孔注入層と同一の条件で形成される。具体的には、オキサジアゾール誘導体やトリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ＢＣＰ、アルミニウム錯体（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｃｏｍｐｌｅｘ）などがあるが、これらに限定されない。

本明細書に係る有機電子素子は、使用される材料によって、前面発光型、後面発光型、または両面発光型であってもよい。

以下、本明細書を具体的に説明するために実施例を挙げて詳細に説明する。しかし、本明細書に係る実施例は種々の異なる形態に変形可能であり、本出願の範囲が以下に詳述する実施例に限定されると解釈されない。本出願の実施例は、当業界における平均的な知識を有する者に本明細書をより完全に説明するために提供されるものである。

＜製造例１＞下記化合物１の合成

ステップ１）下記化合物１−１の化合物の合成

５００ｍｌの丸底フラスコに、２，７−ジヒドロキシ−９Ｈ−フルオレン−９−オン（１５．００ｇ、７０．６９ｍｍｏｌ）、Ｎ−ブロモスクシンイミド（３７．７５ｇ、２１２．０６ｍｍｏｌ）をアセトニトリル２００ｍｌに完全に溶かした後、２時間加熱撹拌した。反応が終わった後、常温に温度を下げて沈殿物を濾過した。得られた残渣をテトラヒドロフランで希釈し、水およびチオ硫酸ナトリウム水溶液で洗浄した。有機溶媒層を集めて、無水の硫酸マグネシウムで水分を除去し濾過した後、減圧下で濃縮した。前記濃縮液を少量のテトラヒドロフランとアセトニトリルで再結晶して、前記化合物１−１（１７．００ｇ、収率：６５．００％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝３６８

ステップ２）下記化合物１−２の化合物の合成

１０００ｍｌの丸底フラスコに、化合物１−１（１８．４０ｇ、４９．７３ｍｍｏｌ）を常温でアセトニトリル２５０ｍｌに完全に溶かした後、炭酸カリウム（２０．６０ｇ）水溶液（３０ｍｌ）を添加した。前記反応液にパーフルオロスルホニルフルオライド（１９．６５ｍｌ、１０９．４１ｍｍｏｌ）を添加した後、常温で３０分間撹拌した。反応が終わった後、減圧下で濃縮して、得られた残渣をテトラヒドロフランで希釈し、水および塩水で洗浄した。有機溶媒層を集めて、無水の硫酸マグネシウムで水分を除去し濾過した後、減圧下で濃縮した。前記濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｈｅｘ：ＥＡ＝５０：１）で精製して、前記化合物１−２（３４．５０ｇ、収率：７４．２６％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝９３２

ステップ３）下記化合物１−３の化合物の合成

５００ｍｌの丸底フラスコに、化合物１−２（１０．００ｇ、１０．７０ｍｍｏｌ）、シアン化亜鉛（５．０３ｇ、４２．８２ｍｍｏｌ）をアセトニトリル１５０ｍｌに完全に溶かした後、加熱撹拌した。前記反応液にビストリタート−ブチルホスフィンパラジウム（２．１９ｇ、４．２８ｍｍｏｌ）を添加した後、２時間加熱撹拌した。反応が終わった後、常温に温度を下げて濾過し、有機溶媒層を集めて、減圧下で濃縮した。前記濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｈｅｘ：ＥＡ＝４：１）で精製して、前記化合物１−３（１．８２ｇ、収率：６０．６９％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝２８１

ステップ４）下記化合物１の化合物の合成

２５０ｍｌの丸底フラスコに、化合物１−３（３．７０ｇ、１３．２０ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５０ｍｌに完全に溶かした後、常温で撹拌した。前記反応液にマロノニトリル（１．０５ｇ、１５．８４ｍｍｏｌ）を添加した後、常温で１時間撹拌した。反応が終わった後、水を添加し、１０分間撹拌して生じた沈殿物を濾過した。得られた残渣をエチルアセテートで希釈し、無水の硫酸マグネシウムで水分を除去し濾過した後、減圧下で濃縮した。前記濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｈｅｘ：ＥＡ＝３：１）で精製して、前記化合物１（１．９５ｇ、収率：４５．００％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝３２９

＜製造例２＞下記化合物２の合成

ステップ１）下記化合物２の化合物の合成

２５０ｍｌの丸底フラスコに、化合物１−３（２．５０ｇ、８．９２ｍｍｏｌ）を塩化メチレン３０ｍｌに完全に溶かした後、常温で撹拌した。前記反応液にビストリメチルシリルカルボジイミド（３．３３ｇ、１７．８４ｍｍｏｌ）、四塩化チタン（５．０８ｇ、２６．７６ｍｍｏｌ）を添加した後、４時間加熱撹拌した。反応が終わった後、反応液を塩化メチレンで希釈し、水および塩水で洗浄した。有機溶媒層を集めて、無水の硫酸マグネシウムで水分を除去し濾過した後、減圧下で濃縮した。前記濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｈｅｘ：ＥＡ＝１：１）で精製して、前記化合物２（１．４１ｇ、収率：５１．９５％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝３０５

＜製造例３＞下記化合物３の合成

ステップ１）下記化合物３の化合物の合成

２５０ｍｌの丸底フラスコに、化合物１−３（２．５０ｇ、８．９２ｍｍｏｌ）、２−（パーフルオロフェニル）アセトニトリル（２．２２ｇ、１０．７０ｍｍｏｌ）、ソジウムエトキシド（１．８２ｇ、２６．７６ｍｍｏｌ）をエタノール３０ｍｌに完全に溶かした後、加熱撹拌した。反応が終わった後、減圧下で濃縮して、得られた残渣をテトラヒドロフランで希釈し、水および塩水で洗浄した。有機溶媒層を集めて、無水の硫酸マグネシウムで水分を除去し濾過した後、減圧下で濃縮した。前記濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｈｅｘ：ＥＡ＝１：１）で精製して、前記化合物３（２．２０ｇ、収率：５２．５５％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝４７０

＜製造例４＞下記化合物４の合成

ステップ１）下記化合物４の化合物の合成

［４−（シアノメチル）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゾニトリル］

２５０ｍｌの丸底フラスコに、化合物１−３（２．５０ｇ、８．９２ｍｍｏｌ）、４−（シアノメチル）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゾニトリル（２．２９ｇ、１０．７０ｍｍｏｌ）、ソジウムエトキシド（１．８２ｇ、２６．７６ｍｍｏｌ）をエタノール３０ｍｌに完全に溶かした後、加熱撹拌した。反応が終わった後、減圧下で濃縮して、得られた残渣をテトラヒドロフランで希釈し、水および塩水で洗浄した。有機溶媒層を集めて、無水の硫酸マグネシウムで水分を除去し濾過した後、減圧下で濃縮した。前記濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｈｅｘ：ＥＡ＝１：１）で精製して、前記化合物４（２．０６ｇ、収率：４８．４８％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝４７７

＜製造例５＞下記化合物５の合成

ステップ１）下記化合物５−１の化合物の合成

５００ｍｌの丸底フラスコに、２，７−ジヒドロキシ−９Ｈ−フルオレン−９−オン（１５．００ｇ、７０．６９ｍｍｏｌ）、Ｎ−ブロモスクシンイミド（７５．４９ｇ、４２４．１３ｍｍｏｌ）をアセトニトリル２００ｍｌに完全に溶かした後、２時間加熱撹拌した。反応が終わった後、常温に温度を下げて沈殿物を濾過した。得られた残渣をテトラヒドロフランで希釈し、水およびチオ硫酸ナトリウム水溶液で洗浄した。有機溶媒層を集めて、無水の硫酸マグネシウムで水分を除去し濾過した後、減圧下で濃縮した。前記濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｈｅｘ：ＥＡ＝１：１）で精製して、前記化合物５−１（１１．２０ｇ、収率：３０．０２％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝５２４

ステップ２）下記化合物５−２の化合物の合成

５００ｍｌの丸底フラスコに、化合物５−１（１１．２０ｇ、２１．２２ｍｍｏｌ）を常温でアセトニトリル１５０ｍｌに完全に溶かした後、炭酸カリウム（８．８０ｇ）水溶液（２０ｍｌ）を添加した。前記反応液にパーフルオロスルホニルフルオライド（８．３８ｍｌ、４６．６９ｍｍｏｌ）を添加した後、常温で３０分間撹拌した。反応が終わった後、減圧下で濃縮して、得られた残渣をテトラヒドロフランで希釈し、水および塩水で洗浄した。有機溶媒層を集めて、無水の硫酸マグネシウムで水分を除去し濾過した後、減圧下で濃縮した。前記濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｈｅｘ：ＥＡ＝５０：１）で精製して、前記化合物５−２（１５．９９ｇ、収率：６９．０１％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝１０８８

ステップ３）下記化合物５−３の化合物の合成

５００ｍｌの丸底フラスコに、化合物５−２（１５．９９ｇ、１４．６４ｍｍｏｌ）、シアン化亜鉛（６．８８ｇ、５８．５７ｍｍｏｌ）をアセトニトリル２００ｍｌに完全に溶かした後、加熱撹拌した。前記反応液にビストリタート−ブチルホスフィンパラジウム（２．９９ｇ、５．８６ｍｍｏｌ）を添加した後、２時間加熱撹拌した。反応が終わった後、常温に温度を下げて濾過し、有機溶媒層を集めて、減圧下で濃縮した。前記濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｈｅｘ：ＥＡ＝４：１）で精製して、前記化合物５−３（２．５１ｇ、収率：５１．９１％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝３３１

ステップ４）下記化合物５の化合物の合成

２５０ｍｌの丸底フラスコに、化合物５−３（２．５０ｇ、７．５７ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２０ｍｌに完全に溶かした後、常温で撹拌した。前記反応液にマロノニトリル（０．６０ｇ、９．０８ｍｍｏｌ）を添加した後、常温で１時間撹拌した。反応が終わった後、水を添加し、１０分間撹拌して生じた沈殿物を濾過した。得られた残渣をエチルアセテートで希釈し、無水の硫酸マグネシウムで水分を除去し濾過した後、減圧下で濃縮した。前記濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｈｅｘ：ＥＡ＝３：１）で精製して、前記化合物５（１．１４ｇ、収率：３９．８１％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝３７９

＜製造例６＞下記化合物６の合成

ステップ１）下記化合物６−１の化合物の合成

５００ｍｌの丸底フラスコに、化合物１−１（１０．００ｇ、２７．０３ｍｍｏｌ）、（４−（トリフルオロ）フェニル）ボロン酸（１２．３２ｇ、６４．８７ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン８０ｍｌに完全に溶かした後、水酸化ナトリウム（３．２４ｇ、８１．０９ｍｍｏｌ）水溶液（３０ｍｌ）を添加して加熱撹拌した。前記反応液にテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０．９４ｇ、０．８１ｍｍｏｌ）を添加した後、１８時間加熱撹拌した。反応が終わった後、減圧下で濃縮して、得られた残渣をテトラヒドロフランで希釈し、水および塩水で洗浄した。有機溶媒層を集めて、無水の硫酸マグネシウムで水分を除去し濾過した後、減圧下で濃縮した。前記濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｈｅｘ：ＥＡ＝１：１）で精製して、前記化合物６−１（９．３６ｇ、収率：６９．２０％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝５０１

ステップ２）下記化合物６−２の化合物の合成

５００ｍｌの丸底フラスコに、化合物６−１（１０．００ｇ、１９．９８ｍｍｏｌ）を常温でアセトニトリル１００ｍｌに完全に溶かした後、炭酸カリウム（８．２８ｇ、５９．９４ｍｍｏｌ）水溶液（２０ｍｌ）を添加した。前記反応液にパーフルオロスルホニルフルオライド（７．９０ｍｌ、４３．９７ｍｍｏｌ）を添加した後、常温で３０分間撹拌した。反応が終わった後、減圧下で濃縮して、得られた残渣をテトラヒドロフランで希釈し、水および塩水で洗浄した。有機溶媒層を集めて、無水の硫酸マグネシウムで水分を除去し濾過した後、減圧下で濃縮した。前記濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｈｅｘ：ＥＡ＝４０：１）で精製して、前記化合物６−２（１２．２０ｇ、収率：５７．３６％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝１０６４

ステップ３）下記化合物６−３の化合物の合成

５００ｍｌの丸底フラスコに、化合物６−２（１０．００ｇ、９．３９ｍｍｏｌ）、シアン化亜鉛（４．４１ｇ、３７．５７ｍｍｏｌ）をアセトニトリル１５０ｍｌに完全に溶かした後、加熱撹拌した。前記反応液にビストリタート−ブチルホスフィンパラジウム（１．９２ｇ、３．７６ｍｍｏｌ）を添加した後、２時間加熱撹拌した。反応が終わった後、常温に温度を下げて濾過し、有機溶媒層を集めて、減圧下で濃縮した。前記濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｈｅｘ：ＥＡ＝４：１）で精製して、前記化合物６−３（２．８４ｇ、収率：５８．３４％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝５１９

ステップ４）下記化合物６の化合物の合成

１００ｍｌの丸底フラスコに、化合物６−３（２．５０ｇ、４．８２ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１５ｍｌに完全に溶かした後、常温で撹拌した。前記反応液にマロノニトリル（０．３８ｇ、５．７９ｍｍｏｌ）を添加した後、常温で１時間撹拌した。反応が終わった後、水を添加し、１０分間撹拌して生じた沈殿物を濾過した。得られた残渣をエチルアセテートで希釈し、無水の硫酸マグネシウムで水分を除去し濾過した後、減圧下で濃縮した。前記濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｈｅｘ：ＥＡ＝３：１）で精製して、前記化合物６（１．２２ｇ、収率：４４．６８％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝５６７

＜製造例７＞下記化合物７の合成

ステップ１）下記化合物７−１の化合物の合成

５００ｍｌの丸底フラスコに、化合物１−１（１０．００ｇ、２７．０３ｍｍｏｌ）、（４−（トリフルオロメトキシ）フェニル）ボロン酸（１３．３６ｇ、６４．８７ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン８０ｍｌに完全に溶かした後、水酸化ナトリウム（３．２４ｇ、８１．０９ｍｍｏｌ）水溶液（３０ｍｌ）を添加して加熱撹拌した。前記反応液にテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０．９４ｇ、０．８１ｍｍｏｌ）を添加した後、１８時間加熱撹拌した。反応が終わった後、減圧下で濃縮して、得られた残渣をテトラヒドロフランで希釈し、水および塩水で洗浄した。有機溶媒層を集めて、無水の硫酸マグネシウムで水分を除去し濾過した後、減圧下で濃縮した。前記濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｈｅｘ：ＥＡ＝１：１）で精製して、前記化合物７−１（１０．０５ｇ、収率：６９．８４％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝５３３

ステップ２）下記化合物７−２の化合物の合成

５００ｍｌの丸底フラスコに、化合物７−１（１０．００ｇ、１８．７８ｍｍｏｌ）を常温でアセトニトリル１００ｍｌに完全に溶かした後、炭酸カリウム（７．７９ｇ、５６．３４ｍｍｏｌ）水溶液（２０ｍｌ）を添加した。前記反応液にパーフルオロスルホニルフルオライド（７．４２ｍｌ、４１．３２ｍｍｏｌ）を添加した後、常温で３０分間撹拌した。反応が終わった後、減圧下で濃縮して、得られた残渣をテトラヒドロフランで希釈し、水および塩水で洗浄した。有機溶媒層を集めて、無水の硫酸マグネシウムで水分を除去し濾過した後、減圧下で濃縮した。前記濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｈｅｘ：ＥＡ＝４０：１）で精製して、前記化合物７−２（１３．２０ｇ、収率：６４．１３％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝１０９６

ステップ３）下記化合物７−３の化合物の合成

５００ｍｌの丸底フラスコに、化合物７−２（１０．００ｇ、９．１２ｍｍｏｌ）、シアン化亜鉛（４．２９ｇ、３６．５０ｍｍｏｌ）をアセトニトリル１５０ｍｌに完全に溶かした後、加熱撹拌した。前記反応液にビストリタート−ブチルホスフィンパラジウム（１．８６ｇ、３．６５ｍｍｏｌ）を添加した後、２時間加熱撹拌した。反応が終わった後、常温に温度を下げて濾過し、有機溶媒層を集めて、減圧下で濃縮した。前記濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｈｅｘ：ＥＡ＝４：１）で精製して、前記化合物７−３（２．７６ｇ、収率：５４．９８％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝５５１

ステップ４）下記化合物７の化合物の合成

１００ｍｌの丸底フラスコに、化合物７−３（２．５０ｇ、４．５４ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１５ｍｌに完全に溶かした後、常温で撹拌した。前記反応液にマロノニトリル（０．３６ｇ、５．４５ｍｍｏｌ）を添加した後、常温で１時間撹拌した。反応が終わった後、水を添加し、１０分間撹拌して生じた沈殿物を濾過した。得られた残渣をエチルアセテートで希釈し、無水の硫酸マグネシウムで水分を除去し濾過した後、減圧下で濃縮した。前記濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（Ｈｅｘ：ＥＡ＝３：１）で精製して、前記化合物７（１．３５ｇ、収率：４９．６９％）を製造した。

ＭＳ［Ｍ＋Ｈ］^＋＝５９９

＜素子の適用例＞

＜実験例１−１＞

ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）が１，０００Åの厚さに薄膜コーティングされたガラス基板を、洗剤を溶かした蒸留水に入れて超音波洗浄した。この時、洗剤としてはフィッシャー社（Ｆｉｓｃｈｅｒ Ｃｏ．）製品を使用し、蒸留水としてはミリポア社（Ｍｉｌｌｉｐｏｒｅ Ｃｏ．）製品のフィルタ（Ｆｉｌｔｅｒ）で２次濾過した蒸留水を使用した。ＩＴＯを３０分間洗浄した後、蒸留水で２回繰り返し超音波洗浄を１０分間進行させた。蒸留水洗浄が終わった後、イソプロピルアルコール、アセトン、メタノールの溶剤で超音波洗浄をし乾燥させた後、プラズマ洗浄機に輸送させた。また、酸素プラズマを用いて前記基板を５分間洗浄した後、真空蒸着機に基板を輸送させた。こうして用意されたＩＴＯ透明電極上に、下記化学式のＮＰＢを１００Åの厚さに形成するが、化合物１を２５重量％のドーピング濃度にドーピングし、次に、正孔輸送層としてＮＰＢを６００Åの厚さに形成した。

次に、前記正孔輸送層上に、ホストとして下記化学式のＭＡＤＮと、ドーパントとして下記化学式のＢＤを重量比が４０：２となるように真空蒸着して、発光層を形成した。

次に、前記発光層上に、下記化学式のＡｌｑ_３を３００Åの厚さに真空蒸着して、電子輸送層を形成した。

前記電子輸送層上に、順次に、１０Åの厚さにリチウムフルオライド（ＬｉＦ）と、８００Åの厚さにアルミニウムを蒸着して、陰極を形成した。

前記過程で、有機物の蒸着速度は０．４〜０．７Å／ｓｅｃを維持し、陰極のリチウムフルオライドは０．３Å／ｓｅｃ、アルミニウムは２Å／ｓｅｃの蒸着速度を維持し、蒸着時の真空度は２×１０^−７〜５×１０^−６ｔｏｒｒを維持して、有機電子素子を作製した。

＜実験例１−２＞

前記実験例１−１における化合物１の代わりに化合物２を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜実験例１−３＞

前記実験例１−１における化合物１の代わりに化合物３を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜実験例１−４＞

前記実験例１−１における化合物１の代わりに化合物４を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜実験例１−５＞

前記実験例１−１における化合物１の代わりに化合物５を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜実験例１−６＞

前記実験例１−１における化合物１の代わりに化合物６を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜実験例１−７＞

前記実験例１−１における化合物１の代わりに化合物７を用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜比較例１−１＞
前記実験例１−１における化合物１の代わりに下記化合物ＨＡＴ−ＣＮを用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜比較例１−２＞

前記実験例１−１における化合物１の代わりに何らかのドーピングなしに正孔注入層を形成したことだけを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜比較例１−３＞

前記実験例１−１における化合物１の代わりに下記化合物Ａを用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜比較例１−４＞

前記実験例１−１における化合物１の代わりに下記化合物Ｂを用いたことを除けば、実験例１−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

実験例１−１〜１−７および比較例１−１〜１−４で製造された有機電子素子の駆動電圧、電流効率、および色座標を下記表１に示した。

＜実験例２−１＞
ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）が１，０００Åの厚さに薄膜コーティングされたガラス基板を、洗剤を溶かした蒸留水に入れて超音波洗浄した。この時、洗剤としてはフィッシャー社（Ｆｉｓｃｈｅｒ Ｃｏ．）製品を使用し、蒸留水としてはミリポア社（Ｍｉｌｌｉｐｏｒｅ Ｃｏ．）製品のフィルタ（Ｆｉｌｔｅｒ）で２次濾過した蒸留水を使用した。ＩＴＯを３０分間洗浄した後、蒸留水で２回繰り返し超音波洗浄を１０分間進行させた。蒸留水洗浄が終わった後、イソプロピルアルコール、アセトン、メタノールの溶剤で超音波洗浄をし乾燥させた後、プラズマ洗浄機に輸送させた。また、酸素プラズマを用いて前記基板を５分間洗浄した後、真空蒸着機に基板を輸送させた。こうして用意されたＩＴＯ透明電極上に、正孔注入層として化合物１を４０Åの厚さに形成し、次に、正孔輸送層としてＮＰＢを８００Åの厚さに形成した。次に、前記正孔輸送層上に、黄色発光層として、ホストである下記化学式のＣＢＰに、ドーパントとして下記化学式のＩｒ（ｐｐｙ）_３を１０重量％のドーピング濃度にドーピングして、３００Åの厚さに形成した。

次に、前記発光層上に、下記化学式のＢＣＰを５０Åの厚さに真空蒸着して、正孔阻止層を形成した。

次に、前記正孔阻止層上に、下記化学式のＡｌｑ_３を１５０Åの厚さに真空蒸着して、電子輸送層を形成し、順次に、５Åの厚さにリチウムフルオライド（ＬｉＦ）と、１０００Åの厚さにアルミニウムを蒸着して、陰極を形成した。

前記過程で、有機物の蒸着速度は０．４〜０．７Å／ｓｅｃを維持し、陰極のリチウムフルオライドは０．３Å／ｓｅｃ、アルミニウムは２Å／ｓｅｃの蒸着速度を維持し、蒸着時の真空度は２×１０^−７〜５×１０^−６ｔｏｒｒを維持して、有機電子素子を作製した。

＜実験例２−２＞

前記実験例２−１における化合物１の代わりに化合物２を用いたことを除けば、実験例２−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜実験例２−３＞

前記実験例２−１における化合物１の代わりに化合物３を用いたことを除けば、実験例２−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜実験例２−４＞

前記実験例２−１における化合物１の代わりに化合物４を用いたことを除けば、実験例２−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜実験例２−５＞
前記実験例２−１における化合物１の代わりに化合物５を用いたことを除けば、実験例２−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜実験例２−６＞

前記実験例２−１における化合物１の代わりに化合物６を用いたことを除けば、実験例２−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜実験例２−７＞

前記実験例２−１における化合物１の代わりに化合物７を用いたことを除けば、実験例２−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜比較例２−１＞

前記実験例２−１における化合物１の代わりにＨＡＴ−ＣＮを用いたことを除けば、実験例２−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜比較例２−２＞

前記実験例２−１における正孔注入層を省略したことを除けば、実験例２−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜比較例２−３＞

前記実験例２−１における化合物１の代わりに化合物Ｃを用いたことを除けば、実験例２−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜比較例２−４＞

前記実験例２−１における化合物１の代わりに化合物Ｄを用いたことを除けば、実験例２−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

実験例２−１〜２−７および比較例２−１〜２−４で製造された有機電子素子の駆動電圧、電流効率、および色座標を下記表２に示した。

＜実験例３−１＞

ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）が１，０００Åの厚さに薄膜コーティングされたガラス基板を、洗剤を溶かした蒸留水に入れて超音波洗浄した。この時、洗剤としてはフィッシャー社（Ｆｉｓｃｈｅｒ Ｃｏ．）製品を使用し、蒸留水としてはミリポア社（Ｍｉｌｌｉｐｏｒｅ Ｃｏ．）製品のフィルタ（Ｆｉｌｔｅｒ）で２次濾過した蒸留水を使用した。ＩＴＯを３０分間洗浄した後、蒸留水で２回繰り返し超音波洗浄を１０分間進行させた。蒸留水洗浄が終わった後、イソプロピルアルコール、アセトン、メタノールの溶剤で超音波洗浄をし乾燥させた後、プラズマ洗浄機に輸送させた。また、酸素プラズマを用いて前記基板を５分間洗浄した後、真空蒸着機に基板を輸送させた。

こうして用意されたＩＴＯ透明電極上に、ＨＡＴ−ＣＮを５０Åの厚さに熱真空蒸着して、正孔注入層を形成し、次に、ＮＰＢを１７５０Åの厚さに真空蒸着して、正孔輸送層１を形成した。次に、前記正孔輸送層１上に、膜厚さ１５０Åに下記化合物ＨＴＬ２を真空蒸着して、正孔輸送層２を形成した。

次に、正孔輸送層２上に、膜厚さ２５０Åに下記のようなＢＨと前記ＢＤを２５：１の重量比で真空蒸着して、青色発光層を形成した。

次に、前記青色発光層上に、下記化合物ＥＴＬ１を２００Åの厚さに真空蒸着して、電子輸送層１を形成した。

次に、前記電子輸送層１上に、下記化合物のＮ型電荷生成層と、下記化合物ＬｉＱ（Ｌｉｔｈｉｕｍ Ｑｕｉｎｏｌａｔｅ）を５０：１の重量比で真空蒸着して、１１０Åの厚さにＮ型電荷生成層を形成した。

次に、前記Ｎ型電荷生成層上に、化合物１を５０Åの厚さに熱真空蒸着して、Ｐ型電荷生成層を形成し、正孔を輸送する物質である下記化合物ＨＴＬ３を６５０Åの厚さに真空蒸着して、正孔輸送層３を形成した。

次に、前記正孔輸送層３上に、膜厚さ１５０Åに下記化合物ＨＴＬ４を真空蒸着して、電子阻止層を形成した。

次に、電子阻止層上に、膜厚さ２５０Åに以下のようなＹＧＨとＹＧＤを２５：３の重量比で真空蒸着して、緑色発光層を形成した。

次に、前記緑色発光層上に、下記化合物ＥＴＬ２を４５０Åの厚さに真空蒸着して、電子輸送層２を形成した。

前記電子輸送層２上に、順次に、１２Åの厚さにリチウムフルオライド（ＬｉＦ）と、２，０００Åの厚さにアルミニウムを蒸着して、陰極を形成した。

前記過程で、有機物の蒸着速度は０．４〜０．７Å／ｓｅｃを維持し、陰極のリチウムフルオライドは０．３Å／ｓｅｃ、アルミニウムは２Å／ｓｅｃの蒸着速度を維持し、蒸着時の真空度は２×１０^−７〜５×１０^−６ｔｏｒｒを維持して、有機電子素子を作製した。

＜実験例３−２＞

前記実験例３−１におけるＰ型電荷生成層に使用された化合物１の代わりに化合物２を用いたことを除けば、実験例３−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜実験例３−３＞

前記実験例３−１におけるＰ型電荷生成層に使用された化合物１の代わりに化合物３を用いたことを除けば、実験例３−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜実験例３−４＞

前記実験例３−１におけるＰ型電荷生成層に使用された化合物１の代わりに化合物４を用いたことを除けば、実験例３−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜実験例３−５＞

前記実験例３−１におけるＰ型電荷生成層に使用された化合物１の代わりに化合物５を用いたことを除けば、実験例３−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜実験例３−６＞

前記実験例３−１におけるＰ型電荷生成層に使用された化合物１の代わりに化合物６を用いたことを除けば、実験例３−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜実験例３−７＞

前記実験例３−１におけるＰ型電荷生成層に使用された化合物１の代わりに化合物７を用いたことを除けば、実験例３−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜比較例３−１＞

前記実験例３−１におけるＰ型電荷生成層に使用された化合物１の代わりにＨＡＴ−ＣＮを用いたことを除けば、実験例３−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜比較例３−２＞

前記実験例３−１におけるＰ型電荷生成層に使用された化合物１の代わりに化合物Ａを用いたことを除けば、実験例３−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜比較例３−３＞

前記実験例３−１におけるＰ型電荷生成層に使用された化合物１の代わりに化合物Ｂを用いたことを除けば、実験例３−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

実験例３−１〜３−７および比較例３−１〜３−３で製造された有機電子素子の駆動電圧、電流効率、および色座標を下記表３に示した。

＜実験例４−１＞

ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）が１，０００Åの厚さに薄膜コーティングされたガラス基板を、洗剤を溶かした蒸留水に入れて超音波洗浄した。この時、洗剤としてはフィッシャー社（Ｆｉｓｃｈｅｒ Ｃｏ．）製品を使用し、蒸留水としてはミリポア社（Ｍｉｌｌｉｐｏｒｅ Ｃｏ．）製品のフィルタ（Ｆｉｌｔｅｒ）で２次濾過した蒸留水を使用した。ＩＴＯを３０分間洗浄した後、蒸留水で２回繰り返し超音波洗浄を１０分間進行させた。蒸留水洗浄が終わった後、イソプロピルアルコール、アセトン、メタノールの溶剤で超音波洗浄をし乾燥させた後、プラズマ洗浄機に輸送させた。また、酸素プラズマを用いて前記基板を５分間洗浄した後、真空蒸着機に基板を輸送させた。

こうして用意されたＩＴＯ透明電極上に、ＨＡＴ−ＣＮを５０Åの厚さに熱真空蒸着して、正孔注入層を形成し、次に、ＮＰＢを１７５０Åの厚さに真空蒸着して、正孔輸送層１を形成した。次に、前記正孔輸送層１上に、膜厚さ１５０Åに化合物ＨＴＬ２を真空蒸着して、正孔輸送層２を形成し、その上に、膜厚さ２５０ÅにＢＨとＢＤを２５：１の重量比で真空蒸着して、青色発光層を形成した。次に、青色発光層上に、化合物ＥＴＬ１を２００Åの厚さに真空蒸着して、電子輸送層１を形成し、その上に、化合物のＮ型電荷生成層と、化合物ＬｉＱ（Ｌｉｔｈｉｕｍ Ｑｕｉｎｏｌａｔｅ）を５０：１の重量比で真空蒸着して、１１０Åの厚さにＮ型電荷生成層を形成した。次に、ＨＴＬ３を１００Åの厚さに形成するが、化合物１を２５重量％のドーピング濃度にドーピングし、化合物ＨＴＬ３を６００Åの厚さに真空蒸着して、正孔輸送層３を形成した。次に、前記正孔輸送層３上に、膜厚さ１５０Åに化合物ＨＴＬ４を真空蒸着して、電子阻止層を形成し、その上に、膜厚さ２５０ÅにＹＧＨとＹＧＤを２５：３の重量比で真空蒸着して、緑色発光層を形成した。次に、前記緑色発光層上に、下記化合物ＥＴＬ２を４５０Åの厚さに真空蒸着して、電子輸送層２を形成し、順次に、１２Åの厚さにリチウムフルオライド（ＬｉＦ）と、２，０００Åの厚さにアルミニウムを蒸着して、陰極を形成した。

前記過程で、有機物の蒸着速度は０．４〜０．７Å／ｓｅｃを維持し、陰極のリチウムフルオライドは０．３Å／ｓｅｃ、アルミニウムは２Å／ｓｅｃの蒸着速度を維持し、蒸着時の真空度は２×１０^−７〜５×１０^−６ｔｏｒｒを維持して、有機電子素子を作製した。

＜実験例４−２＞

前記実験例４−１におけるＰ型電荷生成層に使用された化合物１の代わりに化合物２を用いたことを除けば、実験例４−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜実験例４−３＞

前記実験例４−１におけるＰ型電荷生成層に使用された化合物１の代わりに化合物３を用いたことを除けば、実験例４−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜実験例４−４＞

前記実験例４−１におけるＰ型電荷生成層に使用された化合物１の代わりに化合物４を用いたことを除けば、実験例４−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜実験例４−５＞

前記実験例４−１におけるＰ型電荷生成層に使用された化合物１の代わりに化合物５を用いたことを除けば、実験例４−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜実験例４−６＞

前記実験例４−１におけるＰ型電荷生成層に使用された化合物１の代わりに化合物６を用いたことを除けば、実験例４−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜実験例４−７＞

前記実験例４−１におけるＰ型電荷生成層に使用された化合物１の代わりに化合物７を用いたことを除けば、実験例４−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜比較例４−１＞

前記実験例４−１におけるＰ型電荷生成層に使用された化合物１の代わりにＨＡＴ−ＣＮを用いたことを除けば、実験例３−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜比較例４−２＞

前記実験例４−１におけるＰ型電荷生成層に使用された化合物１の代わりに化合物Ｃを用いたことを除けば、実験例４−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

＜比較例４−３＞

前記実験例４−１におけるＰ型電荷生成層に使用された化合物１の代わりに化合物Ｄを用いたことを除けば、実験例４−１と同様の方法で有機電子素子を作製した。

実験例４−１〜４−７および比較例４−１〜４−３で製造された有機電子素子の駆動電圧、電流効率、および色座標を下記表４に示した。

以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲と発明の詳細な説明の範囲内で多様に変形して実施することが可能であり、これも発明の範疇に属する。

Claims (15)

1. 下記化学式１で表される化合物：
   ［化学式１］
   

   

   前記化学式１において、
   Ｘは、下記（ａ）〜（ｄ）のうちのいずれか１つで表され、
   

   

   ＡおよびＢは、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、シアノ基；フルオロアルキル基；フルオロアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
   Ｃは、水素；重水素；シアノ基；フルオロアルキル基；フルオロアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であり、
   ＡおよびＢのうちの少なくとも１つは、シアノ基；フルオロアルキル基；またはフルオロアルコキシ基であり、
   Ｒ１およびＲ２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；重水素；ハロゲン基；シアノ基；ニトロ基；ヒドロキシ基；カルボニル基；エステル基；イミド基；アミド基；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のシクロアルキル基；置換もしくは非置換のアルコキシ基；置換もしくは非置換のアリールオキシ基；置換もしくは非置換のアルキルチオキシ基；置換もしくは非置換のアリールチオキシ基；置換もしくは非置換のアルキルスルホキシ基；置換もしくは非置換のアリールスルホキシ基；置換もしくは非置換のアルケニル基；置換もしくは非置換のシリル基；置換もしくは非置換のホウ素基；置換もしくは非置換のアミン基；置換もしくは非置換のアリールホスフィン基；置換もしくは非置換のホスフィンオキシド基；置換もしくは非置換のアリール基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基である。
2. ＡおよびＢは、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、−ＣＮ、−Ｃ_ｎＦ_２ｎ＋１、または−Ｏ−Ｃ_ｎＦ_２ｎ＋１であり、ｎは、１または２である、請求項１に記載の化合物。
3. 前記化学式１で表される化合物は、下記構造式の中から選択されるものである、請求項１に記載の化合物：
   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   
4. 第１電極と、前記第１電極に対向して備えられた第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に備えられた１層以上の有機物層とを含む有機電子素子であって、前記有機物層のうちの１層以上は、請求項１〜３のいずれか１項に記載の化合物を含むものである有機電子素子。
5. 前記有機物層は、正孔注入層を含み、前記正孔注入層は、前記化合物が単独からなるか、または前記化合物がドーピングされてなる、請求項４に記載の有機電子素子。
6. 前記有機物層は、ドーピングされた正孔輸送層を含み、前記ドーピングされた正孔輸送層は、正孔輸送物質に前記化合物がドーピングされてなる、請求項４に記載の有機電子素子。
7. 前記第１電極と第２電極との間に、第１色の光を発光する第１スタック、第２色の光を発光する第２スタック、および前記第１スタックと第２スタックとの間で電荷をバランスがとれるように調節する電荷生成層が形成されており、
   前記電荷生成層は、前記第１スタックに隣接して位置するＮ型電荷生成層と、前記第２スタックに隣接して位置するＰ型電荷生成層とからなり、
   前記有機物層は、前記Ｐ型電荷生成層を構成し、前記Ｐ型電荷生成層は、前記化合物単独からなるか、または前記化合物がドーピングされてなる、請求項４に記載の有機電子素子。
8. 前記第１電極と第２電極との間に、第１色の光を発光する第１スタック、第２色の光を発光する第２スタック、および前記第１スタックと第２スタックとの間で電荷をバランスがとれるように調節する電荷生成層が形成されており、
   前記電荷生成層は、前記第１スタックに隣接して位置するＮ型電荷生成層と、前記第２スタックに隣接して位置するＰ型電荷生成層とからなり、
   前記有機物層は、前記Ｐ型電荷生成層を構成し、前記Ｐ型電荷生成層は、正孔輸送物質に前記化合物がドーピングされてなる、請求項４に記載の有機電子素子。
9. 前記有機電子素子は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、電子阻止層、および正孔阻止層からなる群より選択される１層または２層以上をさらに含むものである、請求項４に記載の有機電子素子。
10. 前記有機電子素子は、有機発光素子、有機太陽電池、有機感光体（ＯＰＣ）、および有機トランジスタからなる群より選択されるものである、請求項４に記載の有機電子素子。
11. 前記有機物層は、発光層を含み、前記発光層は、下記化学式Ａ−１で表される化合物を含むものである、請求項４に記載の有機電子素子：
    ［化学式Ａ−１］
    

    

    前記化学式Ａ−１において、
    ｎ１は、１以上の整数であり、
    Ａｒ１は、置換もしくは非置換の１価以上のベンゾフルオレン基；置換もしくは非置換の１価以上のフルオランテン基；置換もしくは非置換の１価以上のピレン基；または置換もしくは非置換の１価以上のクリセン基であり、
    Ｌ１は、直接結合；置換もしくは非置換のアリーレン基；または置換もしくは非置換のヘテロアリーレン基であり、
    Ａｒ２およびＡｒ３は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のアリール基；置換もしくは非置換のシリル基；置換もしくは非置換のゲルマニウム基；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換のアリールアルキル基；または置換もしくは非置換のヘテロアリール基であるか、互いに結合して置換もしくは非置換の環を形成してもよいし、
    ｎ１が２以上の場合、２以上の括弧内の構造は、互いに同一または異なる。
12. 前記Ｌ１は、直接結合であり、Ａｒ１は、２価のピレン基であり、Ａｒ２およびＡＲ３は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、アルキル基で置換されたゲルマニウム基で置換もしくは非置換のアリール基であり、ｎ１は、２である、請求項１１に記載の有機電子素子。
13. 前記有機物層は、発光層を含み、前記発光層は、下記化学式Ａ−２で表される化合物を含むものである、請求項４に記載の有機電子素子：
    ［化学式Ａ−２］
    

    

    前記化学式Ａ−２において、
    Ａｒ１１およびＡｒ１２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の単環のアリール基；または置換もしくは非置換の多環のアリール基であり、
    Ｇ１〜Ｇ８は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換の単環のアリール基；または置換もしくは非置換の多環のアリール基である。
14. 前記Ａｒ１１およびＡｒ１２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、２−ナフチル基で置換されたフェニル基；１−ナフチル基；または２−ナフチル基であり、Ｇ１〜Ｇ８は、すべて水素であるか、Ｇ１〜Ｇ８のうちの少なくとも１つは、アルキル基であり、残りは、水素である、請求項１３に記載の有機電子素子。
15. 前記発光層は、下記化学式Ａ−２で表される化合物をさらに含むものである、請求項１１に記載の有機電子素子：
    ［化学式Ａ−２］
    

    

    前記化学式Ａ−２において、
    Ａｒ１１およびＡｒ１２は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の単環のアリール基；または置換もしくは非置換の多環のアリール基であり、
    Ｇ１〜Ｇ８は、互いに同一または異なり、それぞれ独立に、水素；置換もしくは非置換のアルキル基；置換もしくは非置換の単環のアリール基；または置換もしくは非置換の多環のアリール基である。

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