JPH08167191A - 記録装置 - Google Patents
記録装置Info
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- JPH08167191A JPH08167191A JP6330385A JP33038594A JPH08167191A JP H08167191 A JPH08167191 A JP H08167191A JP 6330385 A JP6330385 A JP 6330385A JP 33038594 A JP33038594 A JP 33038594A JP H08167191 A JPH08167191 A JP H08167191A
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- magnetic head
- control signal
- terminal
- recording
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10504—Recording
- G11B11/10508—Recording by modulating only the magnetic field at the transducer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10595—Control of operating function
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高速レートの磁界変調記録動作を実現する。
【構成】 磁気ヘッド駆動回路に対する制御パルスの生
成論理が、エンコードデータがｎＴとなるパルス期間で
あるときに、所要のスイッチング素子に対する制御パル
スの総数がｎ未満となるように設定されているようにす
る。また磁界反転動作時に、コイルの端子を所要の電源
と短絡させるスイッチング素子に対する制御パルス（Ｓ
ｉｇ３）は、コイルの端子が所定の電圧（−Ｖ）に達す
ることができるだけの期間が経過した後（ｔZ ）に出力
されるようにする。
成論理が、エンコードデータがｎＴとなるパルス期間で
あるときに、所要のスイッチング素子に対する制御パル
スの総数がｎ未満となるように設定されているようにす
る。また磁界反転動作時に、コイルの端子を所要の電源
と短絡させるスイッチング素子に対する制御パルス（Ｓ
ｉｇ３）は、コイルの端子が所定の電圧（−Ｖ）に達す
ることができるだけの期間が経過した後（ｔZ ）に出力
されるようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録方式を採用し
た記録装置に関するものである。
た記録装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、音楽やデータの記録媒体として光
磁気ディスクが実用化され、特に再生専用だけでなく、
ユーザーが光磁気ディスクに音楽やデータを記録するこ
とができるようにしたシステムが知られている。光磁気
ディスクに対する光磁気記録方式としてはいわゆる磁界
変調方式が広く採用されている。
磁気ディスクが実用化され、特に再生専用だけでなく、
ユーザーが光磁気ディスクに音楽やデータを記録するこ
とができるようにしたシステムが知られている。光磁気
ディスクに対する光磁気記録方式としてはいわゆる磁界
変調方式が広く採用されている。
【０００３】磁界変調方式の場合、図２０に示すよう
に、ディスク９１に対する記録ヘッドとしては、光学ヘ
ッド９２と磁気ヘッド９３がディスク９１を挟んで対向
する状態に形成される。９１ａはディスク９１の垂直磁
化膜である。記録動作時には垂直磁化膜９１ａに対して
光学ヘッド９２からレーザ光を照射し、垂直磁化膜９１
における記録部位をキュリー温度以上に高める。このと
き磁気ヘッド９３からＮ又はＳの磁界を与えることで、
その磁気パターンが垂直磁化膜９１ａに記録されること
になる。従って、磁気ヘッド９３が記録すべきデータに
応じてＮ又はＳの磁界を発生させることで、ディスク９
１に対するデータ記録が実現される。
に、ディスク９１に対する記録ヘッドとしては、光学ヘ
ッド９２と磁気ヘッド９３がディスク９１を挟んで対向
する状態に形成される。９１ａはディスク９１の垂直磁
化膜である。記録動作時には垂直磁化膜９１ａに対して
光学ヘッド９２からレーザ光を照射し、垂直磁化膜９１
における記録部位をキュリー温度以上に高める。このと
き磁気ヘッド９３からＮ又はＳの磁界を与えることで、
その磁気パターンが垂直磁化膜９１ａに記録されること
になる。従って、磁気ヘッド９３が記録すべきデータに
応じてＮ又はＳの磁界を発生させることで、ディスク９
１に対するデータ記録が実現される。
【０００４】このような磁界変調方式で記録を行なう場
合は、例えば図２１（ａ）のような矩形波状の記録信号
に対して、磁気ヘッド９３のコイル９３ａに流れる電流
は図２１（ｂ）のように或る時定数を有する積分波形と
なる。また磁気ヘッド９３による磁界は図２１（ｃ）の
ようにほぼ電流波形と等しい積分波形となる。なお、Ｉ
ｄは駆動電流、Ｈｄはこれに対応する磁場の強さであ
る。
合は、例えば図２１（ａ）のような矩形波状の記録信号
に対して、磁気ヘッド９３のコイル９３ａに流れる電流
は図２１（ｂ）のように或る時定数を有する積分波形と
なる。また磁気ヘッド９３による磁界は図２１（ｃ）の
ようにほぼ電流波形と等しい積分波形となる。なお、Ｉ
ｄは駆動電流、Ｈｄはこれに対応する磁場の強さであ
る。
【０００５】ところで、一般にこのように光学ヘッドと
磁気ヘッドを用いる光磁気記録方式の場合、磁気ヘッド
としては、光学ヘッドのレンズの移動範囲に十分な磁界
を与えられるものとする必要がある。殆どの装置の場合
は、レンズの移動範囲は直径 0.6〜１ｍｍの領域であ
り、また対応する磁気ヘッドは、中央部にコイルが巻か
れた直方体センターポールと、両端に磁界のサイドパス
となるサイドヨークの直方体を持つ、いわゆるＥ字コア
のものが使われている。このセンターポールの断面積
は、レンズの移動範囲である直径 0.6〜１ｍｍに対応す
るようにすることが最も効率が良い。またセンターポー
ルの巻線についての効率を考えて、巻線部の断面をほぼ
正方形とする方法が用いられている。
磁気ヘッドを用いる光磁気記録方式の場合、磁気ヘッド
としては、光学ヘッドのレンズの移動範囲に十分な磁界
を与えられるものとする必要がある。殆どの装置の場合
は、レンズの移動範囲は直径 0.6〜１ｍｍの領域であ
り、また対応する磁気ヘッドは、中央部にコイルが巻か
れた直方体センターポールと、両端に磁界のサイドパス
となるサイドヨークの直方体を持つ、いわゆるＥ字コア
のものが使われている。このセンターポールの断面積
は、レンズの移動範囲である直径 0.6〜１ｍｍに対応す
るようにすることが最も効率が良い。またセンターポー
ルの巻線についての効率を考えて、巻線部の断面をほぼ
正方形とする方法が用いられている。
【０００６】この条件で、巻線抵抗を低くして、かつ十
分な巻数を与えるには、Φ５０〜１００μｍの線材を用
いて、３０〜４０ターンの巻数とすることが好適とされ
ている。この条件下でコア材をフェライトとすると、コ
イルのインダクタンスＬとしては概ね４〜６μＨ、抵抗
値は 0.5〜１Ωの範囲となる。この値は他のパラメータ
を変えてもほぼ一定となり、従って磁気ヘッドの駆動回
路は、Ｌ＝５μＨで最適化すれば、実用上十分な特性を
得ることができる。
分な巻数を与えるには、Φ５０〜１００μｍの線材を用
いて、３０〜４０ターンの巻数とすることが好適とされ
ている。この条件下でコア材をフェライトとすると、コ
イルのインダクタンスＬとしては概ね４〜６μＨ、抵抗
値は 0.5〜１Ωの範囲となる。この値は他のパラメータ
を変えてもほぼ一定となり、従って磁気ヘッドの駆動回
路は、Ｌ＝５μＨで最適化すれば、実用上十分な特性を
得ることができる。
【０００７】近来、この光磁気ディスク記録装置を音楽
データ用途に使用した例が、ミニディスクシステムとし
て実用化されている。この場合、磁気ヘッドを駆動する
ことになる記録データはいわゆるＥＦＭ変調（８−１４
変調）が施されたデータであるが、このＥＦＭデータは
パルス反転間隔が最小３Ｔ〜最大１１Ｔとなるパルス信
号である。ここでＥＦＭ信号の転送レートはＴ＝２３０
ｎｓｅｃとなるレートに設定しており、この転送レート
のＥＦＭ信号に基づく磁気ヘッドの磁界記録動作が最適
化されている。また、この転送レートは音楽データにつ
いては十分なものであるが、他の用途、例えばコンピュ
ータ用のデータや動画映像データ等の記録／再生を考え
ると、より高速化が求められることになる。
データ用途に使用した例が、ミニディスクシステムとし
て実用化されている。この場合、磁気ヘッドを駆動する
ことになる記録データはいわゆるＥＦＭ変調（８−１４
変調）が施されたデータであるが、このＥＦＭデータは
パルス反転間隔が最小３Ｔ〜最大１１Ｔとなるパルス信
号である。ここでＥＦＭ信号の転送レートはＴ＝２３０
ｎｓｅｃとなるレートに設定しており、この転送レート
のＥＦＭ信号に基づく磁気ヘッドの磁界記録動作が最適
化されている。また、この転送レートは音楽データにつ
いては十分なものであるが、他の用途、例えばコンピュ
ータ用のデータや動画映像データ等の記録／再生を考え
ると、より高速化が求められることになる。
【０００８】ここで、通常の転送レート（音楽用途の転
送レート）と、高速の転送レート（コンピュータデータ
等の用途の転送レート）を切り換えて使用することので
きる磁気ヘッド駆動系の回路構成を図１２に示す。
送レート）と、高速の転送レート（コンピュータデータ
等の用途の転送レート）を切り換えて使用することので
きる磁気ヘッド駆動系の回路構成を図１２に示す。
【０００９】音声などのデータは端子２２からエンコー
ダ１４に供給され、ＣＩＲＣエンコード、ＥＦＭ変調等
が施されて記録データ（ＥＦＭ信号）とされる。ＥＦＭ
信号は制御信号生成回路１５Ｐに供給される。制御信号
生成回路１５Ｐには論理回路１５Ｐａが形成されてお
り、ＥＦＭ信号（Ｓｉｇ０）に基づいて磁気ヘッド駆動
回路１６に対する制御信号Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ６を生成
し、出力する。磁気ヘッド駆動回路１６は制御信号Ｓｉ
ｇ１〜Ｓｉｇ６に応じて磁気ヘッド６のコイル６Ｌに電
流を流し、磁気ヘッド６からディスクに対して磁界を印
加させることになる。
ダ１４に供給され、ＣＩＲＣエンコード、ＥＦＭ変調等
が施されて記録データ（ＥＦＭ信号）とされる。ＥＦＭ
信号は制御信号生成回路１５Ｐに供給される。制御信号
生成回路１５Ｐには論理回路１５Ｐａが形成されてお
り、ＥＦＭ信号（Ｓｉｇ０）に基づいて磁気ヘッド駆動
回路１６に対する制御信号Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ６を生成
し、出力する。磁気ヘッド駆動回路１６は制御信号Ｓｉ
ｇ１〜Ｓｉｇ６に応じて磁気ヘッド６のコイル６Ｌに電
流を流し、磁気ヘッド６からディスクに対して磁界を印
加させることになる。
【００１０】また２０はクロック発生部であり、通常転
送レートの動作を実行させるクロックを発生させる。２
１はクロック発生部２０からのクロック周波数をＮ倍
し、（１／Ｎ）レート、即ち高速レートのクロックを発
生させるクロック周波数可変部である。クロック発生部
２０からの通常レート用クロックと、クロック周波数可
変部２１からの高速レート用クロックは、図示しない制
御部（マイコン）などからの切換信号Ｓｅｌに応じたス
イッチ２２の切換動作で選択され、処理クロックＣＫと
してエンコーダ１４及び制御信号生成回路１５Ｐに供給
される。つまり、スイッチ２２がＮ端子が接続されてい
る場合は、通常転送レートで記録動作が実行され、また
Ｆ端子が接続されている場合は例えば通常の二倍レート
などの高速転送レートで記録動作が実行されることにな
る。
送レートの動作を実行させるクロックを発生させる。２
１はクロック発生部２０からのクロック周波数をＮ倍
し、（１／Ｎ）レート、即ち高速レートのクロックを発
生させるクロック周波数可変部である。クロック発生部
２０からの通常レート用クロックと、クロック周波数可
変部２１からの高速レート用クロックは、図示しない制
御部（マイコン）などからの切換信号Ｓｅｌに応じたス
イッチ２２の切換動作で選択され、処理クロックＣＫと
してエンコーダ１４及び制御信号生成回路１５Ｐに供給
される。つまり、スイッチ２２がＮ端子が接続されてい
る場合は、通常転送レートで記録動作が実行され、また
Ｆ端子が接続されている場合は例えば通常の二倍レート
などの高速転送レートで記録動作が実行されることにな
る。
【００１１】磁気ヘッド駆動回路１６は例えば図１３の
ように構成される。まず制御信号生成回路１５Ｐからの
制御信号Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ６のそれぞれがスイッチング
制御信号とされているスイッチング素子ＳＷ1 〜ＳＷ6
が設けられている。
ように構成される。まず制御信号生成回路１５Ｐからの
制御信号Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ６のそれぞれがスイッチング
制御信号とされているスイッチング素子ＳＷ1 〜ＳＷ6
が設けられている。
【００１２】磁気ヘッド６のコイル６Ｌに接続されるヘ
ッド端子ｈ1 は、スイッチング素子ＳＷ1 を介して正の
直流電源１６ａに接続されているとともに、スイッチン
グ素子ＳＷ5 を介して接地されている。さらにこのヘッ
ド端子ｈ1 は、スイッチング素子ＳＷ3 を介して負の直
流電源１６ｂに接続され、またダイオードＤ1 を介して
も負の直流電源１６ｂに接続されている。
ッド端子ｈ1 は、スイッチング素子ＳＷ1 を介して正の
直流電源１６ａに接続されているとともに、スイッチン
グ素子ＳＷ5 を介して接地されている。さらにこのヘッ
ド端子ｈ1 は、スイッチング素子ＳＷ3 を介して負の直
流電源１６ｂに接続され、またダイオードＤ1 を介して
も負の直流電源１６ｂに接続されている。
【００１３】またコイル６Ｌの他端に接続されるヘッド
端子ｈ2 は、スイッチング素子ＳＷ2 を介して正の直流
電源１６ａに接続されているとともに、スイッチング素
子ＳＷ6 を介して接地されている。さらにこのヘッド端
子ｈ2 は、スイッチング素子ＳＷ4 を介して負の直流電
源１６ｂに接続され、またダイオードＤ2 を介しても負
の直流電源１６ｂに接続されている。なお、正の直流電
源１６ａの電位＋Ｖは例えば＋５Ｖ、負の直流電源１６
ｂの電位−Ｖは例えば−４５Ｖ程度に設定されている。
また接地は０Ｖ電位の電源として用いられる。
端子ｈ2 は、スイッチング素子ＳＷ2 を介して正の直流
電源１６ａに接続されているとともに、スイッチング素
子ＳＷ6 を介して接地されている。さらにこのヘッド端
子ｈ2 は、スイッチング素子ＳＷ4 を介して負の直流電
源１６ｂに接続され、またダイオードＤ2 を介しても負
の直流電源１６ｂに接続されている。なお、正の直流電
源１６ａの電位＋Ｖは例えば＋５Ｖ、負の直流電源１６
ｂの電位−Ｖは例えば−４５Ｖ程度に設定されている。
また接地は０Ｖ電位の電源として用いられる。
【００１４】この構成の磁気ヘッド駆動回路１６に対し
て制御信号Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ６を供給する制御信号生成
回路１５Ｐには、図１４のような論理回路１５Ｐａが形
成されており、ＥＦＭ信号（Ｓｉｇ０）及びクロックＣ
Ｋを用いて制御信号Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ６を生成するよう
にしている。
て制御信号Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ６を供給する制御信号生成
回路１５Ｐには、図１４のような論理回路１５Ｐａが形
成されており、ＥＦＭ信号（Ｓｉｇ０）及びクロックＣ
Ｋを用いて制御信号Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ６を生成するよう
にしている。
【００１５】５０はＥＦＭ信号が信号Ｓｉｇ０として供
給される端子を示す。また５７は図１２のスイッチ２２
を介してクロックＣＫが供給される端子である。この論
理回路１５ＰａはインバータＩＶ1 〜ＩＶ7 、フリップ
フロップＦＦ1，ＦＦ2 、アンドゲートＡ1 〜Ａ7 、遅
延回路ＤＬ1 ，ＤＬ2 から構成されている。また５１〜
５６はそれぞれ制御信号Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ６の出力端子
となる。
給される端子を示す。また５７は図１２のスイッチ２２
を介してクロックＣＫが供給される端子である。この論
理回路１５ＰａはインバータＩＶ1 〜ＩＶ7 、フリップ
フロップＦＦ1，ＦＦ2 、アンドゲートＡ1 〜Ａ7 、遅
延回路ＤＬ1 ，ＤＬ2 から構成されている。また５１〜
５６はそれぞれ制御信号Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ６の出力端子
となる。
【００１６】図１５を用いて図１４の論理回路１５Ｐａ
の動作を説明する。今、端子５０から図１５（ａ）のよ
うな信号Ｓｉｇ０（ＥＦＭ信号）が供給され、また端子
５７から図１５（ｂ）のようにクロックＣＫが供給され
るとする。ｔ1 ，ｔ2 ，ｔ3 はＥＦＭ信号の反転タイミ
ングを示しており、図１５（ａ）の信号Ｓｉｇ０はｔ1
〜ｔ2 で反転間隔３Ｔ、ｔ2 〜ｔ3 で反転間隔４Ｔとな
っていたとする。
の動作を説明する。今、端子５０から図１５（ａ）のよ
うな信号Ｓｉｇ０（ＥＦＭ信号）が供給され、また端子
５７から図１５（ｂ）のようにクロックＣＫが供給され
るとする。ｔ1 ，ｔ2 ，ｔ3 はＥＦＭ信号の反転タイミ
ングを示しており、図１５（ａ）の信号Ｓｉｇ０はｔ1
〜ｔ2 で反転間隔３Ｔ、ｔ2 〜ｔ3 で反転間隔４Ｔとな
っていたとする。
【００１７】信号Ｓｉｇ０は、まず直接端子５１に供給
され、これが図１５（ｊ）に示すような制御信号Ｓｉｇ
１とされる。また信号Ｓｉｇ０は、インバータＩＶ1 で
論理反転されて端子５２に供給され、これが図１５
（ｋ）に示すような制御信号Ｓｉｇ２とされる。
され、これが図１５（ｊ）に示すような制御信号Ｓｉｇ
１とされる。また信号Ｓｉｇ０は、インバータＩＶ1 で
論理反転されて端子５２に供給され、これが図１５
（ｋ）に示すような制御信号Ｓｉｇ２とされる。
【００１８】ここで、インバータＩＶ2 、フリップフロ
ップＦＦ1 、アンドゲートＡ1 は立下り検出回路として
機能しており、信号Ｓｉｇ０はインバータＩＶ2 及びフ
リップフロップＦＦ1 のＤ端子に供給される。クロック
ＣＫによってラッチ動作を行なうフリップフロップＦＦ
1 のＱ出力は図１５（ｃ）のようになる。またインバー
タＩＶ2 の出力は図１５（ｋ）の制御信号Ｓｉｇ２と同
様の波形となる。このフリップフロップＦＦ1 のＱ出力
とインバータＩＶ2 の出力の論理積となるアンドゲート
Ａ1 の出力は図１５（ｄ）に示され、即ち信号Ｓｉｇ０
についての立下り検出パルスとなる。この立下り検出パ
ルスはアンドゲートＡ4 に供給され、またインバータＩ
Ｖ6 を介してアンドゲートＡ5 に供給される。さらに、
信号Ｓｉｇ０はインバータＩＶ4 で反転されてアンドゲ
ートＡ5 に供給される。
ップＦＦ1 、アンドゲートＡ1 は立下り検出回路として
機能しており、信号Ｓｉｇ０はインバータＩＶ2 及びフ
リップフロップＦＦ1 のＤ端子に供給される。クロック
ＣＫによってラッチ動作を行なうフリップフロップＦＦ
1 のＱ出力は図１５（ｃ）のようになる。またインバー
タＩＶ2 の出力は図１５（ｋ）の制御信号Ｓｉｇ２と同
様の波形となる。このフリップフロップＦＦ1 のＱ出力
とインバータＩＶ2 の出力の論理積となるアンドゲート
Ａ1 の出力は図１５（ｄ）に示され、即ち信号Ｓｉｇ０
についての立下り検出パルスとなる。この立下り検出パ
ルスはアンドゲートＡ4 に供給され、またインバータＩ
Ｖ6 を介してアンドゲートＡ5 に供給される。さらに、
信号Ｓｉｇ０はインバータＩＶ4 で反転されてアンドゲ
ートＡ5 に供給される。
【００１９】一方、インバータＩＶ3 、フリップフロッ
プＦＦ2 、アンドゲートＡ2 は立上り検出回路として機
能しており、信号Ｓｉｇ０はインバータＩＶ1 で反転さ
れた後、インバータＩＶ3 及びフリップフロップＦＦ2
のＤ端子に供給される。クロックＣＫによってラッチ動
作を行なうフリップフロップＦＦ2 のＱ出力は図１５
（ｅ）のようになる。またインバータＩＶ3 の出力は図
１５（ｊ）の制御信号Ｓｉｇ１と同様の波形となる。こ
のフリップフロップＦＦ2 のＱ出力とインバータＩＶ3
の出力の論理積となるアンドゲートＡ2 の出力は図１５
（ｆ）に示され、即ち信号Ｓｉｇ０についての立上り検
出パルスとなる。この立上り検出パルスはアンドゲート
Ａ6 に供給され、またインバータＩＶ7 を介してアンド
ゲートＡ7に供給される。さらに、信号Ｓｉｇ０はイン
バータＩＶ1 で反転された後、インバータＩＶ5で再度
反転されてアンドゲートＡ7 に供給される。
プＦＦ2 、アンドゲートＡ2 は立上り検出回路として機
能しており、信号Ｓｉｇ０はインバータＩＶ1 で反転さ
れた後、インバータＩＶ3 及びフリップフロップＦＦ2
のＤ端子に供給される。クロックＣＫによってラッチ動
作を行なうフリップフロップＦＦ2 のＱ出力は図１５
（ｅ）のようになる。またインバータＩＶ3 の出力は図
１５（ｊ）の制御信号Ｓｉｇ１と同様の波形となる。こ
のフリップフロップＦＦ2 のＱ出力とインバータＩＶ3
の出力の論理積となるアンドゲートＡ2 の出力は図１５
（ｆ）に示され、即ち信号Ｓｉｇ０についての立上り検
出パルスとなる。この立上り検出パルスはアンドゲート
Ａ6 に供給され、またインバータＩＶ7 を介してアンド
ゲートＡ7に供給される。さらに、信号Ｓｉｇ０はイン
バータＩＶ1 で反転された後、インバータＩＶ5で再度
反転されてアンドゲートＡ7 に供給される。
【００２０】遅延回路ＤＬ1 はクロックＣＫを遅延させ
て図１５（ｇ）の遅延クロックＣＫD1を生成する。また
遅延回路ＤＬ2 は遅延クロックＣＫD1を遅延させて図１
５（ｈ）の遅延クロックＣＫD2を生成する。遅延クロッ
クＣＫD1と遅延クロックＣＫD2がアンドゲートＡ3 に供
給されることで、図１５（ｉ）に示す基準パルスが生成
される。この基準パルスはアンドゲートＡ4 ，Ａ5 ，Ａ
6 ，Ａ7 に供給される。
て図１５（ｇ）の遅延クロックＣＫD1を生成する。また
遅延回路ＤＬ2 は遅延クロックＣＫD1を遅延させて図１
５（ｈ）の遅延クロックＣＫD2を生成する。遅延クロッ
クＣＫD1と遅延クロックＣＫD2がアンドゲートＡ3 に供
給されることで、図１５（ｉ）に示す基準パルスが生成
される。この基準パルスはアンドゲートＡ4 ，Ａ5 ，Ａ
6 ，Ａ7 に供給される。
【００２１】アンドゲートＡ4 では、アンドゲートＡ1
からの立下り検出パルスとアンドゲートＡ3 からの基準
パルスの論理積がとられ、図１５（ｌ）のような制御信
号Ｓｉｇ３が生成されて端子５３から出力される。アン
ドゲートＡ6 では、アンドゲートＡ2 からの立上り検出
パルスとアンドゲートＡ3 からの基準パルスの論理積が
とられる。従って図１５（ｍ）のような制御信号Ｓｉｇ
４が生成されて端子５４から出力される。
からの立下り検出パルスとアンドゲートＡ3 からの基準
パルスの論理積がとられ、図１５（ｌ）のような制御信
号Ｓｉｇ３が生成されて端子５３から出力される。アン
ドゲートＡ6 では、アンドゲートＡ2 からの立上り検出
パルスとアンドゲートＡ3 からの基準パルスの論理積が
とられる。従って図１５（ｍ）のような制御信号Ｓｉｇ
４が生成されて端子５４から出力される。
【００２２】アンドゲートＡ5 では、インバータＩＶ4
の出力、インバータＩＶ6 の出力、及び基準パルスの論
理積がとられ、図１５（ｎ）のような制御信号Ｓｉｇ５
が生成されて端子５５から出力される。アンドゲートＡ
7 では、インバータＩＶ5 の出力、インバータＩＶ7 の
出力、及び基準パルスの論理積がとられ、図１５（ｏ）
のような制御信号Ｓｉｇ６が生成されて端子５６から出
力される。
の出力、インバータＩＶ6 の出力、及び基準パルスの論
理積がとられ、図１５（ｎ）のような制御信号Ｓｉｇ５
が生成されて端子５５から出力される。アンドゲートＡ
7 では、インバータＩＶ5 の出力、インバータＩＶ7 の
出力、及び基準パルスの論理積がとられ、図１５（ｏ）
のような制御信号Ｓｉｇ６が生成されて端子５６から出
力される。
【００２３】このように生成された制御信号Ｓｉｇ１〜
Ｓｉｇ６が図１３の磁気ヘッド駆動回路１６の各スイッ
チング素子ＳＷ1 〜ＳＷ6 に制御パルスとして供給され
ることになる。制御信号Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ６に基づく磁
気ヘッド駆動回路１６の動作を以下説明する。なお動作
説明については、ＥＦＭ信号の反転間隔が最も短い３Ｔ
となっているｔ1 〜ｔ2 時点を例にあげて説明する。Ｅ
ＦＭ信号（＝Ｓｉｇ１）が『Ｌ』レベルとなっている期
間内に制御信号生成回路１５ＰからＨレベルで出力され
ることがあるのは、図１５から分かるように制御信号Ｓ
ｉｇ３，Ｓｉｇ５である。つまりこの期間は磁気ヘッド
駆動回路１６では主にスイッチング素子ＳＷ3 ，ＳＷ5
の動作でコイル６Ｌの電流が制御されることになる。
Ｓｉｇ６が図１３の磁気ヘッド駆動回路１６の各スイッ
チング素子ＳＷ1 〜ＳＷ6 に制御パルスとして供給され
ることになる。制御信号Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ６に基づく磁
気ヘッド駆動回路１６の動作を以下説明する。なお動作
説明については、ＥＦＭ信号の反転間隔が最も短い３Ｔ
となっているｔ1 〜ｔ2 時点を例にあげて説明する。Ｅ
ＦＭ信号（＝Ｓｉｇ１）が『Ｌ』レベルとなっている期
間内に制御信号生成回路１５ＰからＨレベルで出力され
ることがあるのは、図１５から分かるように制御信号Ｓ
ｉｇ３，Ｓｉｇ５である。つまりこの期間は磁気ヘッド
駆動回路１６では主にスイッチング素子ＳＷ3 ，ＳＷ5
の動作でコイル６Ｌの電流が制御されることになる。
【００２４】ＥＦＭ信号の反転時における図１３の磁気
ヘッド駆動回路１６は図１６のような等価回路としてあ
らわすことができる。いま図１２のスイッチ２２がＮ端
子に接続され、つまり通常の転送レートで動作している
とする。この場合Ｔ＝２３０ｎｓｅｃである。図１７
（ａ）〜（ｅ）に制御信号Ｓｉｇ１，Ｓｉｇ３，Ｓｉｇ
５及びコイル６Ｌに流れるヘッド電流Ｉｈ、ヘッド端子
ｈ1 の電圧Ｖｈ1 のタインミングチャートを示してい
る。ヘッド電流Ｉｈのピーク値は 0.5Ａ、ヘッド端子電
圧Ｖｈ1 の波形図における＋Ｖは＋５Ｖ、−Ｖは−４５
Ｖ程度である。
ヘッド駆動回路１６は図１６のような等価回路としてあ
らわすことができる。いま図１２のスイッチ２２がＮ端
子に接続され、つまり通常の転送レートで動作している
とする。この場合Ｔ＝２３０ｎｓｅｃである。図１７
（ａ）〜（ｅ）に制御信号Ｓｉｇ１，Ｓｉｇ３，Ｓｉｇ
５及びコイル６Ｌに流れるヘッド電流Ｉｈ、ヘッド端子
ｈ1 の電圧Ｖｈ1 のタインミングチャートを示してい
る。ヘッド電流Ｉｈのピーク値は 0.5Ａ、ヘッド端子電
圧Ｖｈ1 の波形図における＋Ｖは＋５Ｖ、−Ｖは−４５
Ｖ程度である。
【００２５】ヘッド電流Ｉｈ、ヘッド端子電圧Ｖｈ1 の
推移を信号反転時（制御信号Ｓｉｇ１の変化時）から説
明する。まず、信号反転直前（ｔ1 時点直前）の状態、
つまり制御信号Ｓｉｇ１が『Ｌ』レベルに変化する直前
の『Ｈ』レベルのタイミングでは、図１５のｔ3 時点の
波形を参考にしてわかるように制御信号Ｓｉｇ２〜Ｓｉ
ｇ５が『Ｌ』、Ｓｉｇ６が『Ｈ』レベルとなっており、
従ってスイッチング素子ＳＷ1 ，ＳＷ6 がオン、他はオ
フとなっている。このため磁気ヘッド駆動回路１６では
電流が＋Ｖ→ＳＷ1 →ヘッド端子ｈ1 →コイル６Ｌ→ヘ
ッド端子ｈ2 →ＳＷ6 →接地のパスで流れている。ヘッ
ド端子ｈ1 →ｈ2 の方向には約 0.5Ａ程度流れていると
仮定する。
推移を信号反転時（制御信号Ｓｉｇ１の変化時）から説
明する。まず、信号反転直前（ｔ1 時点直前）の状態、
つまり制御信号Ｓｉｇ１が『Ｌ』レベルに変化する直前
の『Ｈ』レベルのタイミングでは、図１５のｔ3 時点の
波形を参考にしてわかるように制御信号Ｓｉｇ２〜Ｓｉ
ｇ５が『Ｌ』、Ｓｉｇ６が『Ｈ』レベルとなっており、
従ってスイッチング素子ＳＷ1 ，ＳＷ6 がオン、他はオ
フとなっている。このため磁気ヘッド駆動回路１６では
電流が＋Ｖ→ＳＷ1 →ヘッド端子ｈ1 →コイル６Ｌ→ヘ
ッド端子ｈ2 →ＳＷ6 →接地のパスで流れている。ヘッ
ド端子ｈ1 →ｈ2 の方向には約 0.5Ａ程度流れていると
仮定する。
【００２６】その後ｔ1 時点で制御信号Ｓｉｇ１が反転
して『Ｌ』レベルとなり、また制御信号Ｓｉｇ２が反転
して『Ｈ』レベルとなる。この時点から図１７のように
波形が推移する。これを図１６の等価回路で説明する。
まず反転時点ｔ1 では、スイッチング素子ＳＷ1 ，ＳＷ
3 ，ＳＷ5 はいづれもオフであり、ヘッド端子ｈ1 はど
の電圧源からも切り離される。一方、スイッチング素子
ＳＷ2 がオンであることから、図１６からわかるように
ヘッド端子ｈ2は＋Ｖ電圧に固定される。
して『Ｌ』レベルとなり、また制御信号Ｓｉｇ２が反転
して『Ｈ』レベルとなる。この時点から図１７のように
波形が推移する。これを図１６の等価回路で説明する。
まず反転時点ｔ1 では、スイッチング素子ＳＷ1 ，ＳＷ
3 ，ＳＷ5 はいづれもオフであり、ヘッド端子ｈ1 はど
の電圧源からも切り離される。一方、スイッチング素子
ＳＷ2 がオンであることから、図１６からわかるように
ヘッド端子ｈ2は＋Ｖ電圧に固定される。
【００２７】ここで電荷の移動は、コイル６Ｌの持つイ
ンダクタンスがヘッド端子ｈ1 →ｈ2 の方向に流し続け
ようとする起電力に支配されており、これによってヘッ
ド端子ｈ1 から電荷を吸い込み、ヘッド端子ｈ2 の端子
側へ電荷を放出する方向の動作となる。このときヘッド
端子ｈ2 は＋Ｖ電圧に固定されているので、＋Ｖ電圧源
（正の直流電源１６ａ）側に電荷が還流することにな
る。また、ヘッド端子ｈ1 側は全ての電圧源から切り離
されているため、小さな浮遊容量から電荷を吸い取るこ
とになり、従ってヘッド端子ｈ1 の電圧Ｖｈ1 は急激に
下がっていく。そしてこの電圧降下に伴って、コイル電
流Ｉｈは少しづつ減少していく。これは図１７のｔA 期
間として示す動作となる。
ンダクタンスがヘッド端子ｈ1 →ｈ2 の方向に流し続け
ようとする起電力に支配されており、これによってヘッ
ド端子ｈ1 から電荷を吸い込み、ヘッド端子ｈ2 の端子
側へ電荷を放出する方向の動作となる。このときヘッド
端子ｈ2 は＋Ｖ電圧に固定されているので、＋Ｖ電圧源
（正の直流電源１６ａ）側に電荷が還流することにな
る。また、ヘッド端子ｈ1 側は全ての電圧源から切り離
されているため、小さな浮遊容量から電荷を吸い取るこ
とになり、従ってヘッド端子ｈ1 の電圧Ｖｈ1 は急激に
下がっていく。そしてこの電圧降下に伴って、コイル電
流Ｉｈは少しづつ減少していく。これは図１７のｔA 期
間として示す動作となる。
【００２８】この電圧降下は−Ｖ電位まで達し、そこで
ダイオードＤ1 によって−Ｖの電圧源で固定される。−
Ｖ電位まで達した時点から制御信号Ｓｉｇ３によってス
イッチング素子ＳＷ3 がオンとなるまでの期間、即ち図
１７のｔB 期間では、ダイオードＤ1 を通じて−Ｖ電源
（負の直流電源１６ｂ）からヘッド端子ｈ1 側に電荷が
移動していく。
ダイオードＤ1 によって−Ｖの電圧源で固定される。−
Ｖ電位まで達した時点から制御信号Ｓｉｇ３によってス
イッチング素子ＳＷ3 がオンとなるまでの期間、即ち図
１７のｔB 期間では、ダイオードＤ1 を通じて−Ｖ電源
（負の直流電源１６ｂ）からヘッド端子ｈ1 側に電荷が
移動していく。
【００２９】その後、制御信号Ｓｉｇ３が『Ｈ』レベル
となってスイッチング素子ＳＷ3 がオンとされると、ヘ
ッド端子ｈ1 は−Ｖ電源（負の直流電源１６ｂ）と短絡
されることになり、図１７にｔC 期間として示すように
ヘッド端子ｈ1 の電圧Ｖｈ1は−Ｖで固定される。ここ
までの動作で、ヘッド電流Ｉｈは図１７（ｄ）に示すよ
うに変化することになる。つまり、コイル６Ｌに流れる
ヘッド電流Ｉｈは、ＥＦＭ信号（＝Ｓｉｇ１）の反転に
伴って流れる方向が変化したことが理解される。
となってスイッチング素子ＳＷ3 がオンとされると、ヘ
ッド端子ｈ1 は−Ｖ電源（負の直流電源１６ｂ）と短絡
されることになり、図１７にｔC 期間として示すように
ヘッド端子ｈ1 の電圧Ｖｈ1は−Ｖで固定される。ここ
までの動作で、ヘッド電流Ｉｈは図１７（ｄ）に示すよ
うに変化することになる。つまり、コイル６Ｌに流れる
ヘッド電流Ｉｈは、ＥＦＭ信号（＝Ｓｉｇ１）の反転に
伴って流れる方向が変化したことが理解される。
【００３０】その後は制御信号Ｓｉｇ３が『Ｌ』レベル
となってスイッチング素子ＳＷ3 がオフとなり、ヘッド
端子ｈ1 が電源から切り離されると、コイル６Ｌのイン
ダクタンスＬによるヘッド端子ｈ2 →ｈ1 方向への起電
力によりヘッド端子ｈ1 側に電荷が移動するため、ヘッ
ド端子ｈ1 の電圧Ｖｈ1 は急激に＋Ｖに近づく。この
後、ヘッド電流Ｉｈは緩やかに減少するが、制御信号Ｓ
ｉｇ５によってスイッチング素子ＳＷ5 がオンとされ、
ヘッド端子ｈ1 が接地されることで、ヘッド端子ｈ1 ，
ｈ2 の電位差に応じた傾きで再び増加する。つまり、制
御信号Ｓｉｇ３がオフになった後において、制御信号Ｓ
ｉｇ１が『Ｌ』レベルとなっている期間は、所要のタイ
ミングで制御信号Ｓｉｇ５が供給されることによりヘッ
ド電流Ｉｈが略一定に保たれることになる。
となってスイッチング素子ＳＷ3 がオフとなり、ヘッド
端子ｈ1 が電源から切り離されると、コイル６Ｌのイン
ダクタンスＬによるヘッド端子ｈ2 →ｈ1 方向への起電
力によりヘッド端子ｈ1 側に電荷が移動するため、ヘッ
ド端子ｈ1 の電圧Ｖｈ1 は急激に＋Ｖに近づく。この
後、ヘッド電流Ｉｈは緩やかに減少するが、制御信号Ｓ
ｉｇ５によってスイッチング素子ＳＷ5 がオンとされ、
ヘッド端子ｈ1 が接地されることで、ヘッド端子ｈ1 ，
ｈ2 の電位差に応じた傾きで再び増加する。つまり、制
御信号Ｓｉｇ３がオフになった後において、制御信号Ｓ
ｉｇ１が『Ｌ』レベルとなっている期間は、所要のタイ
ミングで制御信号Ｓｉｇ５が供給されることによりヘッ
ド電流Ｉｈが略一定に保たれることになる。
【００３１】以上の動作によって、図１７に示す３Ｔの
期間には、『Ｌ』レベルのＥＦＭ信号、即ち制御信号Ｓ
ｉｇ１に応じてヘッド端子ｈ2 →ｈ1 方向へ電流が流
れ、ヘッド６からはこの電流方向に応じた磁界が発生さ
れることになる。また、図１５に示すｔ2 〜ｔ3 の期間
は、制御信号Ｓｉｇ１，Ｓｉｇ２，Ｓｉｇ４，Ｓｉｇ６
による同様の動作によりヘッド端子ｈ1 →ｈ2 方向へ電
流が流れ、この４Ｔの期間でヘッド６からはこの電流方
向に応じた磁界が発生されることになる。
期間には、『Ｌ』レベルのＥＦＭ信号、即ち制御信号Ｓ
ｉｇ１に応じてヘッド端子ｈ2 →ｈ1 方向へ電流が流
れ、ヘッド６からはこの電流方向に応じた磁界が発生さ
れることになる。また、図１５に示すｔ2 〜ｔ3 の期間
は、制御信号Ｓｉｇ１，Ｓｉｇ２，Ｓｉｇ４，Ｓｉｇ６
による同様の動作によりヘッド端子ｈ1 →ｈ2 方向へ電
流が流れ、この４Ｔの期間でヘッド６からはこの電流方
向に応じた磁界が発生されることになる。
【００３２】ところで前述したように、実用的な磁気ヘ
ッドのコイルのインダクタンスＬはほぼ一定となるの
で、ライズタイム（図１７のｔA 時間）もほぼ一定とな
る。これは以下の式によって計算可能である。以下、近
似的にコイルが持っている電荷を放出するまでの時間を
求める。 Ｖ＝−（ｄΦ／ｄｔ） ・・・・・・式１ Φ＝Ｌｉ ・・・・・・式２ 式１，式２より、 Ｖ＝−Ｌ（ｄｉ／ｄｔ） ・・・・・・式３ （Ｌは時間によって変化しない）
ッドのコイルのインダクタンスＬはほぼ一定となるの
で、ライズタイム（図１７のｔA 時間）もほぼ一定とな
る。これは以下の式によって計算可能である。以下、近
似的にコイルが持っている電荷を放出するまでの時間を
求める。 Ｖ＝−（ｄΦ／ｄｔ） ・・・・・・式１ Φ＝Ｌｉ ・・・・・・式２ 式１，式２より、 Ｖ＝−Ｌ（ｄｉ／ｄｔ） ・・・・・・式３ （Ｌは時間によって変化しない）
【００３３】ここで式３は、 Ｖ＝−Ｌ（Δｉ／Δｔ） ・・・・・・式４ と表現でき、ここで式４に次の数値を代入する。ＶはＶ
＝（−Ｖ）−（＋Ｖ）であり、上記磁気ヘッド駆動回路
１６についてはＶ＝−４５−５＝−５０Ｖとする。また
Ｌ＝５×１０-6（Ｈ）とし、Δｉは最初に持っている電
流値 0.5Ａとする。すると、 −５０＝−５×１０-6× 0.5／Δｔ となり、 Δｔ＝ 0.5×１０-7（ｓｅｃ）＝５０ｎｓｅｃ となる。よってライズタイムｔA は概略５０ｎｓｅｃと
なる。
＝（−Ｖ）−（＋Ｖ）であり、上記磁気ヘッド駆動回路
１６についてはＶ＝−４５−５＝−５０Ｖとする。また
Ｌ＝５×１０-6（Ｈ）とし、Δｉは最初に持っている電
流値 0.5Ａとする。すると、 −５０＝−５×１０-6× 0.5／Δｔ となり、 Δｔ＝ 0.5×１０-7（ｓｅｃ）＝５０ｎｓｅｃ となる。よってライズタイムｔA は概略５０ｎｓｅｃと
なる。
【００３４】これ以外の誤差要因としては、磁気ヘッド
が起こす電圧Ｖは−５０より低くなっており、これによ
って電荷を放出するのに５０ｎｓｅｃよりも余分に時間
を要するということがある。一方、ｔA は−５０Ｖに達
する時間であるので、その値（電荷の放出時間）よりも
小さくなる。従ってこの２つの要因がキャンセルしあっ
て、実際上は５０ｎｓｅｃに近似可能である。
が起こす電圧Ｖは−５０より低くなっており、これによ
って電荷を放出するのに５０ｎｓｅｃよりも余分に時間
を要するということがある。一方、ｔA は−５０Ｖに達
する時間であるので、その値（電荷の放出時間）よりも
小さくなる。従ってこの２つの要因がキャンセルしあっ
て、実際上は５０ｎｓｅｃに近似可能である。
【００３５】ここで、上述した磁気ヘッド駆動回路１６
により２倍レートで記録動作を行なう場合を考える。こ
の場合、図１２のスイッチ２２がＦ端子側に接続され、
処理クロックＣＫとして通常時の２倍のクロックが供給
されることになる。このとき制御信号生成回路１５Ｐ、
磁気ヘッド駆動回路１６、磁気ヘッド６はそのまま用い
られる。
により２倍レートで記録動作を行なう場合を考える。こ
の場合、図１２のスイッチ２２がＦ端子側に接続され、
処理クロックＣＫとして通常時の２倍のクロックが供給
されることになる。このとき制御信号生成回路１５Ｐ、
磁気ヘッド駆動回路１６、磁気ヘッド６はそのまま用い
られる。
【００３６】このときのタイミングチャートを図１８に
示す。図１７と比較してわかるように、例えば３Ｔ期間
の絶対時間は、図１７のＡＴに対して、図１８ではＡＴ
／２となる。つまり、図示するように制御信号Ｓｉｇ
１，Ｓｉｇ３，Ｓｉｇ５は図１７の場合に比べて時間軸
が１／２とされたパルスとなる（Ｔ≒１１５ｎｓｅ
ｃ）。
示す。図１７と比較してわかるように、例えば３Ｔ期間
の絶対時間は、図１７のＡＴに対して、図１８ではＡＴ
／２となる。つまり、図示するように制御信号Ｓｉｇ
１，Ｓｉｇ３，Ｓｉｇ５は図１７の場合に比べて時間軸
が１／２とされたパルスとなる（Ｔ≒１１５ｎｓｅ
ｃ）。
【００３７】ところが、ライズタイムｔA については、
コイル６Ｌと磁気ヘッド駆動回路１６に依存するため、
図１７の通常レートの場合と変わらない。そしてライズ
タイムｔA が同じであることの影響により、図１８の場
合はｔB 期間（ヘッド端子電圧Ｖｈ1 が−Ｖに達してか
ら制御信号Ｓｉｇ３が『Ｈ』レベルになるまでの期間）
は非常に短い期間となる。つまり、この場合、制御信号
Ｓｉｇ１の立下りから制御信号Ｓｉｇ３の立上りまでの
時間は５８ｎｓｅｃ程度になり、約５０ｎｓｅｃのライ
ズタイムｔA よりわずかに長いだけとなっている。
コイル６Ｌと磁気ヘッド駆動回路１６に依存するため、
図１７の通常レートの場合と変わらない。そしてライズ
タイムｔA が同じであることの影響により、図１８の場
合はｔB 期間（ヘッド端子電圧Ｖｈ1 が−Ｖに達してか
ら制御信号Ｓｉｇ３が『Ｈ』レベルになるまでの期間）
は非常に短い期間となる。つまり、この場合、制御信号
Ｓｉｇ１の立下りから制御信号Ｓｉｇ３の立上りまでの
時間は５８ｎｓｅｃ程度になり、約５０ｎｓｅｃのライ
ズタイムｔA よりわずかに長いだけとなっている。
【００３８】しかしながら、この影響はヘッド電流Ｉｈ
についてはその振幅が多少小さくなる程度のもので、実
用上は問題ない。つまり、この構成で２倍レートの記録
動作は実行することは可能である。
についてはその振幅が多少小さくなる程度のもので、実
用上は問題ない。つまり、この構成で２倍レートの記録
動作は実行することは可能である。
【００３９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、コンピュー
タデータ用途などの場合は、さらに記録高速化が求めら
れ、実際には音楽用途の場合を通常レートとすると、そ
の３倍レート以上の高速記録動作が実現できるようにす
ることが求められている。ここで図１２のクロック周波
数可変部２１から、通常レートの３倍のクロックが出力
され、それがスイッチ２２のＦ端子を介してエンコーダ
１４及び制御信号生成回路１５Ｐに供給され、３倍転送
レートの動作が実行されると考える。
タデータ用途などの場合は、さらに記録高速化が求めら
れ、実際には音楽用途の場合を通常レートとすると、そ
の３倍レート以上の高速記録動作が実現できるようにす
ることが求められている。ここで図１２のクロック周波
数可変部２１から、通常レートの３倍のクロックが出力
され、それがスイッチ２２のＦ端子を介してエンコーダ
１４及び制御信号生成回路１５Ｐに供給され、３倍転送
レートの動作が実行されると考える。
【００４０】この３倍レートでの磁気ヘッド駆動回路１
６の動作のタイミングチャートを図１９に示す。この場
合図１７と比較してわかるように、例えば３Ｔ期間の絶
対時間は、ＡＴ／３となり、図示するように制御信号Ｓ
ｉｇ１，Ｓｉｇ３，Ｓｉｇ５は図１７の場合に比べて時
間軸が１／３とされたパルスとなる（Ｔ≒７８ｎｓｅ
ｃ）。そして制御信号Ｓｉｇ１の立下りから制御信号Ｓ
ｉｇ３の立上りまでの時間は約（１／２）Ｔの時間であ
るため、約３９ｎｓｅｃとなる。
６の動作のタイミングチャートを図１９に示す。この場
合図１７と比較してわかるように、例えば３Ｔ期間の絶
対時間は、ＡＴ／３となり、図示するように制御信号Ｓ
ｉｇ１，Ｓｉｇ３，Ｓｉｇ５は図１７の場合に比べて時
間軸が１／３とされたパルスとなる（Ｔ≒７８ｎｓｅ
ｃ）。そして制御信号Ｓｉｇ１の立下りから制御信号Ｓ
ｉｇ３の立上りまでの時間は約（１／２）Ｔの時間であ
るため、約３９ｎｓｅｃとなる。
【００４１】ところがライズタイムｔA については、上
述のように図１７の通常レートの場合と変わらず、約５
０ｎｓｅｃである。つまり、図１９からわかるように制
御信号Ｓｉｇ３が立上る時点では、まだヘッド端子ｈ1
の電圧Ｖｈ1 は−Ｖ電位に達していないことになる。そ
してこの場合、制御信号Ｓｉｇ３が『Ｈ』レベルとなっ
てスイッチング素子ＳＷ3 がオンとなると、そのときの
電圧Ｖｈ1 と−Ｖ電位の差であるΔＶと、ヘッド電流Ｉ
ｈの積のエネルギーがスイッチング素子ＳＷ3 で処理さ
れることになり、これは高速スイッチング素子による構
成を不可能とすることを意味する。（２倍レートまでの
条件では、制御信号Ｓｉｇ３の立上り時点でΔＶ≒０で
あり、処理すべきエネルギ≒０であったので、高速スイ
ッチング素子による構成が可能であったものである。）
述のように図１７の通常レートの場合と変わらず、約５
０ｎｓｅｃである。つまり、図１９からわかるように制
御信号Ｓｉｇ３が立上る時点では、まだヘッド端子ｈ1
の電圧Ｖｈ1 は−Ｖ電位に達していないことになる。そ
してこの場合、制御信号Ｓｉｇ３が『Ｈ』レベルとなっ
てスイッチング素子ＳＷ3 がオンとなると、そのときの
電圧Ｖｈ1 と−Ｖ電位の差であるΔＶと、ヘッド電流Ｉ
ｈの積のエネルギーがスイッチング素子ＳＷ3 で処理さ
れることになり、これは高速スイッチング素子による構
成を不可能とすることを意味する。（２倍レートまでの
条件では、制御信号Ｓｉｇ３の立上り時点でΔＶ≒０で
あり、処理すべきエネルギ≒０であったので、高速スイ
ッチング素子による構成が可能であったものである。）
【００４２】つまり、３倍レート以上の高速化を目指す
に当たって、以上説明してきた従来構成の磁気ヘッド駆
動系では対応できないという問題があった。
に当たって、以上説明してきた従来構成の磁気ヘッド駆
動系では対応できないという問題があった。
【００４３】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような問題
点に鑑みて、上述した３倍レートなどの高速記録に対応
できる磁気ヘッド駆動回路系を搭載した記録装置を提供
することを目的とする。
点に鑑みて、上述した３倍レートなどの高速記録に対応
できる磁気ヘッド駆動回路系を搭載した記録装置を提供
することを目的とする。
【００４４】即ち、光学ヘッド及び磁気ヘッドを有する
とともに、入力されたデータに対して所定のエンコード
処理を行なって磁気ヘッドからエンコードデータに応じ
た磁界を記録媒体に発生させて光磁気記録動作を行なう
記録装置において、次のような磁気ヘッド駆動手段と制
御信号生成手段を設ける。磁気ヘッド駆動手段は、磁気
ヘッドのコイルに電流を供給するための複数の電源と、
コイルの端子に各電源をそれぞれ断接することができる
スイッチング素子を有し、各スイッチング素子の動作に
よってコイルの端子と各電源のそれぞれが所要の状態に
接／断されることにより、コイルから所要の磁界を発生
させる方式の構成とする。そして制御信号生成手段は、
エンコードデータに基づいて磁気ヘッド駆動手段の各ス
イッチング素子に対する制御パルスを発生させるととも
に、この制御パルスの生成論理が、エンコードデータが
単位期間Ｔに対してｎＴとなるパルス期間であるとき
に、そのパルス期間内における所要のスイッチング素子
に対する制御パルスの総数がｎ未満となるように設定さ
れているようにする。
とともに、入力されたデータに対して所定のエンコード
処理を行なって磁気ヘッドからエンコードデータに応じ
た磁界を記録媒体に発生させて光磁気記録動作を行なう
記録装置において、次のような磁気ヘッド駆動手段と制
御信号生成手段を設ける。磁気ヘッド駆動手段は、磁気
ヘッドのコイルに電流を供給するための複数の電源と、
コイルの端子に各電源をそれぞれ断接することができる
スイッチング素子を有し、各スイッチング素子の動作に
よってコイルの端子と各電源のそれぞれが所要の状態に
接／断されることにより、コイルから所要の磁界を発生
させる方式の構成とする。そして制御信号生成手段は、
エンコードデータに基づいて磁気ヘッド駆動手段の各ス
イッチング素子に対する制御パルスを発生させるととも
に、この制御パルスの生成論理が、エンコードデータが
単位期間Ｔに対してｎＴとなるパルス期間であるとき
に、そのパルス期間内における所要のスイッチング素子
に対する制御パルスの総数がｎ未満となるように設定さ
れているようにする。
【００４５】また同じく光磁気記録動作を行なう記録装
置において、次のような磁気ヘッド駆動手段と制御信号
生成手段を設ける。磁気ヘッド駆動手段は、磁気ヘッド
のコイルに電流を供給するための複数の電源と、コイル
の端子に各電源をそれぞれ断接することができるスイッ
チング素子を有し、各スイッチング素子の動作によって
コイルの端子と各電源のそれぞれが所要の状態に接／断
されることにより、コイルから所要の磁界を発生させる
方式の構成とする。そして制御信号生成手段は、エンコ
ードデータに基づいて磁気ヘッド駆動手段の各スイッチ
ング素子に対する制御パルスを発生させるとともに、磁
界反転動作時に、コイルの端子を所要の電源と短絡させ
るスイッチング素子に対する制御パルスは、コイルの端
子が所定の電圧に達することができるだけの期間が経過
した後に出力されるように設定されているようにする。
置において、次のような磁気ヘッド駆動手段と制御信号
生成手段を設ける。磁気ヘッド駆動手段は、磁気ヘッド
のコイルに電流を供給するための複数の電源と、コイル
の端子に各電源をそれぞれ断接することができるスイッ
チング素子を有し、各スイッチング素子の動作によって
コイルの端子と各電源のそれぞれが所要の状態に接／断
されることにより、コイルから所要の磁界を発生させる
方式の構成とする。そして制御信号生成手段は、エンコ
ードデータに基づいて磁気ヘッド駆動手段の各スイッチ
ング素子に対する制御パルスを発生させるとともに、磁
界反転動作時に、コイルの端子を所要の電源と短絡させ
るスイッチング素子に対する制御パルスは、コイルの端
子が所定の電圧に達することができるだけの期間が経過
した後に出力されるように設定されているようにする。
【００４６】また同じく光磁気記録動作を行なう記録装
置において、次のような磁気ヘッド駆動手段と転送レー
ト可変手段と制御信号生成手段を設ける。磁気ヘッド駆
動手段は、磁気ヘッドのコイルに電流を供給するための
複数の電源と、コイルの端子に各電源をそれぞれ断接す
ることができるスイッチング素子を有し、各スイッチン
グ素子の動作によってコイルの端子と各電源のそれぞれ
が所要の状態に接／断されることにより、コイルから所
要の磁界を発生させる方式の構成とする。転送レート可
変手段は、磁気ヘッド駆動手段までのデータ転送レート
を可変させることができるようにする。制御信号生成手
段は、それぞれエンコードデータに基づいて異なる生成
論理で各スイッチング素子に対する制御パルスを発生さ
せる第１及び第２の論理回路と、転送レート可変手段に
よって設定されている転送レート状態に応じて、第１の
論理回路と第２の論理回路の一方を選択して、選択され
た論理回路からの制御パルスを出力させる選択回路とを
有するものとする。
置において、次のような磁気ヘッド駆動手段と転送レー
ト可変手段と制御信号生成手段を設ける。磁気ヘッド駆
動手段は、磁気ヘッドのコイルに電流を供給するための
複数の電源と、コイルの端子に各電源をそれぞれ断接す
ることができるスイッチング素子を有し、各スイッチン
グ素子の動作によってコイルの端子と各電源のそれぞれ
が所要の状態に接／断されることにより、コイルから所
要の磁界を発生させる方式の構成とする。転送レート可
変手段は、磁気ヘッド駆動手段までのデータ転送レート
を可変させることができるようにする。制御信号生成手
段は、それぞれエンコードデータに基づいて異なる生成
論理で各スイッチング素子に対する制御パルスを発生さ
せる第１及び第２の論理回路と、転送レート可変手段に
よって設定されている転送レート状態に応じて、第１の
論理回路と第２の論理回路の一方を選択して、選択され
た論理回路からの制御パルスを出力させる選択回路とを
有するものとする。
【００４７】
【作用】制御パルスの生成論理が、エンコードデータが
ｎＴとなるパルス期間であるときに、所要のスイッチン
グ素子に対する制御パルス（Ｓｉｇ３及びＳｉｇ５、又
はＳｉｇ４及びＳｉｇ６）の総数がｎ未満となるように
設定されていること、及び磁界反転動作時に、コイルの
端子を所要の電源と短絡させるスイッチング素子に対す
る制御パルス（Ｓｉｇ３，Ｓｉｇ４）は、コイルの端子
が所定の電圧に達することができるだけの期間が経過し
た後に出力されるように設定されていることは、いわゆ
るライズタイムｔA がほぼ一定であることによる高速レ
ート記録の困難性を解消するものとなる。
ｎＴとなるパルス期間であるときに、所要のスイッチン
グ素子に対する制御パルス（Ｓｉｇ３及びＳｉｇ５、又
はＳｉｇ４及びＳｉｇ６）の総数がｎ未満となるように
設定されていること、及び磁界反転動作時に、コイルの
端子を所要の電源と短絡させるスイッチング素子に対す
る制御パルス（Ｓｉｇ３，Ｓｉｇ４）は、コイルの端子
が所定の電圧に達することができるだけの期間が経過し
た後に出力されるように設定されていることは、いわゆ
るライズタイムｔA がほぼ一定であることによる高速レ
ート記録の困難性を解消するものとなる。
【００４８】また制御信号生成手段において、このよう
な生成論理を持つ論理回路を第２の論理回路として、例
えば従来例で説明したものと同様の論理構成の第１の論
理回路と併設し、切換使用できるようにすることで、通
常レートから３倍レート以上などの高速レートまで広く
対応できる記録装置を実現できる。
な生成論理を持つ論理回路を第２の論理回路として、例
えば従来例で説明したものと同様の論理構成の第１の論
理回路と併設し、切換使用できるようにすることで、通
常レートから３倍レート以上などの高速レートまで広く
対応できる記録装置を実現できる。
【００４９】
【実施例】以下、本発明の実施例を次の順序で説明して
いく。 Ｉ ．記録再生装置の構成 II ．第１の実施例 III ．第２の実施例 IV ．第３の実施例
いく。 Ｉ ．記録再生装置の構成 II ．第１の実施例 III ．第２の実施例 IV ．第３の実施例
【００５０】［Ｉ ．記録再生装置の構成］図１に各実
施例に共通となる記録再生装置の構成を示す。図１にお
いて、１は光磁気ディスクを示す。１１は記録再生装置
の各種動作を制御するシステムコントローラを示し、例
えばマイクロコンピュータにより形成される。２はスピ
ンドルモータであり、装填されたディスク１はスピンド
ルモータ２により回転駆動される。３はディスク１に対
して記録／再生時にレーザ光を照射する光学ヘッドであ
り、記録時には記録トラックをキュリー温度まで加熱す
るための高レベルのレーザ出力をなし、また再生時には
磁気カー効果により反射光からデータを検出するための
比較的低レベルのレーザ出力をなす。
施例に共通となる記録再生装置の構成を示す。図１にお
いて、１は光磁気ディスクを示す。１１は記録再生装置
の各種動作を制御するシステムコントローラを示し、例
えばマイクロコンピュータにより形成される。２はスピ
ンドルモータであり、装填されたディスク１はスピンド
ルモータ２により回転駆動される。３はディスク１に対
して記録／再生時にレーザ光を照射する光学ヘッドであ
り、記録時には記録トラックをキュリー温度まで加熱す
るための高レベルのレーザ出力をなし、また再生時には
磁気カー効果により反射光からデータを検出するための
比較的低レベルのレーザ出力をなす。
【００５１】このため、光学ヘッド３はレーザ出力手段
としてのレーザダイオードや、偏光ビームスプリッタや
対物レンズ等からなる光学系、及び反射光を検出するた
めのディテクタが搭載されている。対物レンズ３ａは２
軸機構４によってディスク半径方向及びディスクに接離
する方向に変位可能に保持されており、また、光学ヘッ
ド３全体はスレッド機構５によりディスク半径方向に移
動可能とされている。また、６は供給された情報によっ
て変調された磁界を光磁気ディスクに印加する磁気ヘッ
ドを示し、ディスク１を挟んで光学ヘッド３と対向する
位置に配置されている。
としてのレーザダイオードや、偏光ビームスプリッタや
対物レンズ等からなる光学系、及び反射光を検出するた
めのディテクタが搭載されている。対物レンズ３ａは２
軸機構４によってディスク半径方向及びディスクに接離
する方向に変位可能に保持されており、また、光学ヘッ
ド３全体はスレッド機構５によりディスク半径方向に移
動可能とされている。また、６は供給された情報によっ
て変調された磁界を光磁気ディスクに印加する磁気ヘッ
ドを示し、ディスク１を挟んで光学ヘッド３と対向する
位置に配置されている。
【００５２】再生動作によって、光学ヘッド３によりデ
ィスク１から検出された情報はＲＦアンプ７に供給され
る。ＲＦアンプ７は供給された情報の演算処理により、
再生ＲＦ信号、トラッキングエラー信号、フォーカスエ
ラー信号、グルーブ情報（ディスク１にプリグルーブ
（ウォブリンググルーブ）として記録されている絶対位
置情報）等を抽出する。そして、抽出された再生ＲＦ信
号はデコーダ部８に供給される。また、トラッキングエ
ラー信号、フォーカスエラー信号はサーボ回路９に供給
される。また、アドレスデコーダ９ではグルーブ情報を
デコードして絶対位置情報を得る。さらにデータとして
記録されたアドレス情報はデコーダ部８で抽出される。
これらのアドレス情報はシステムコントローラ１１に供
給され、各種の制御動作に用いられる。
ィスク１から検出された情報はＲＦアンプ７に供給され
る。ＲＦアンプ７は供給された情報の演算処理により、
再生ＲＦ信号、トラッキングエラー信号、フォーカスエ
ラー信号、グルーブ情報（ディスク１にプリグルーブ
（ウォブリンググルーブ）として記録されている絶対位
置情報）等を抽出する。そして、抽出された再生ＲＦ信
号はデコーダ部８に供給される。また、トラッキングエ
ラー信号、フォーカスエラー信号はサーボ回路９に供給
される。また、アドレスデコーダ９ではグルーブ情報を
デコードして絶対位置情報を得る。さらにデータとして
記録されたアドレス情報はデコーダ部８で抽出される。
これらのアドレス情報はシステムコントローラ１１に供
給され、各種の制御動作に用いられる。
【００５３】サーボ回路９は供給されたトラッキングエ
ラー信号、フォーカスエラー信号や、システムコントロ
ーラ１１からのトラックジャンプ指令、アクセス指令、
回転速度検出情報等により各種サーボ駆動信号を発生さ
せ、２軸機構４及びスレッド機構５を制御してフォーカ
ス及びトラッキング制御をなし、またスピンドルモータ
２を一定線速度（ＣＬＶ）に制御する。
ラー信号、フォーカスエラー信号や、システムコントロ
ーラ１１からのトラックジャンプ指令、アクセス指令、
回転速度検出情報等により各種サーボ駆動信号を発生さ
せ、２軸機構４及びスレッド機構５を制御してフォーカ
ス及びトラッキング制御をなし、またスピンドルモータ
２を一定線速度（ＣＬＶ）に制御する。
【００５４】再生ＲＦ信号はデコーダ部８でＥＦＭ復
調、ＣＩＲＣデコード等の処理された後、システムコン
トローラ１１を介して端子１２から図示していない所定
の処理部に再生データ出力として供給される。
調、ＣＩＲＣデコード等の処理された後、システムコン
トローラ１１を介して端子１２から図示していない所定
の処理部に再生データ出力として供給される。
【００５５】また、記録動作の際にディスク１に記録す
べき情報として端子１３からシステムコントローラ１１
に供給された情報はエンコーダ部１４においてＣＩＲＣ
エンコード、ＥＦＭ変調等のエンコード処理されてＥＦ
Ｍ信号とされ、制御信号生成回路１５に供給される。制
御信号生成回路１５はＥＦＭ信号に応じて制御信号（Ｓ
ｉｇ１〜Ｓｉｇ６）を生成し、磁気ヘッド駆動回路１６
に供給する。
べき情報として端子１３からシステムコントローラ１１
に供給された情報はエンコーダ部１４においてＣＩＲＣ
エンコード、ＥＦＭ変調等のエンコード処理されてＥＦ
Ｍ信号とされ、制御信号生成回路１５に供給される。制
御信号生成回路１５はＥＦＭ信号に応じて制御信号（Ｓ
ｉｇ１〜Ｓｉｇ６）を生成し、磁気ヘッド駆動回路１６
に供給する。
【００５６】磁気ヘッド駆動回路１６は制御信号（Ｓｉ
ｇ１〜Ｓｉｇ６）に基づく動作によって磁気ヘッド６の
コイルに電流を流し、ディスク１に対してＮ又はＳの磁
界印加を実行させる。また、このときシステムコントロ
ーラ１１は光学ヘッド３に対して、記録レベルのレーザ
光を出力するように制御信号を供給する。
ｇ１〜Ｓｉｇ６）に基づく動作によって磁気ヘッド６の
コイルに電流を流し、ディスク１に対してＮ又はＳの磁
界印加を実行させる。また、このときシステムコントロ
ーラ１１は光学ヘッド３に対して、記録レベルのレーザ
光を出力するように制御信号を供給する。
【００５７】［II ．第１の実施例］以上のように構成
される記録再生装置として第１の実施例における磁気ヘ
ッド駆動系のブロック図は図２に示される。２３はシス
テムコントローラ１１から記録データが供給される端子
であり、上述のようにエンコーダ１４はその記録データ
に対してＣＩＲＣエンコード、ＥＦＭ変調を行なって、
ＥＦＭ信号として制御信号生成回路１５に供給する。
される記録再生装置として第１の実施例における磁気ヘ
ッド駆動系のブロック図は図２に示される。２３はシス
テムコントローラ１１から記録データが供給される端子
であり、上述のようにエンコーダ１４はその記録データ
に対してＣＩＲＣエンコード、ＥＦＭ変調を行なって、
ＥＦＭ信号として制御信号生成回路１５に供給する。
【００５８】制御信号生成回路１５は、通常レート用論
理回路１５ａ、高速レート用論理回路１５ｂが設けられ
ており、ＥＦＭ信号はこの両方に供給される。通常レー
ト用論理回路１５ａと高速レート用論理回路１５ｂはそ
れぞれ異なった論理構成でＥＦＭ信号に基づいて制御信
号Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ６を生成し、出力する。
理回路１５ａ、高速レート用論理回路１５ｂが設けられ
ており、ＥＦＭ信号はこの両方に供給される。通常レー
ト用論理回路１５ａと高速レート用論理回路１５ｂはそ
れぞれ異なった論理構成でＥＦＭ信号に基づいて制御信
号Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ６を生成し、出力する。
【００５９】通常レート用論理回路１５ａと高速レート
用論理回路１５ｂからの出力は切換回路１５ｃによって
選択されて、磁気ヘッド駆動回路１６に供給されること
になる。磁気ヘッド駆動回路１６は切換回路１５ｃによ
って選択された、通常レート用論理回路１５ａと高速レ
ート用論理回路１５ｂのうちのいづれか一方によって生
成された制御信号Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ６が供給され、それ
に基づいた動作によって磁気ヘッド６のコイル６Ｌに電
流を流す動作を行なうことになる。
用論理回路１５ｂからの出力は切換回路１５ｃによって
選択されて、磁気ヘッド駆動回路１６に供給されること
になる。磁気ヘッド駆動回路１６は切換回路１５ｃによ
って選択された、通常レート用論理回路１５ａと高速レ
ート用論理回路１５ｂのうちのいづれか一方によって生
成された制御信号Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ６が供給され、それ
に基づいた動作によって磁気ヘッド６のコイル６Ｌに電
流を流す動作を行なうことになる。
【００６０】２０はクロック発生部であり、通常転送レ
ート、即ちＥＦＭ信号についてＴ＝２３０ｎｓｅｃの時
間軸となる転送レートでの処理を行なうためのクロック
を発生させる。また２１はクロック発生部２０のクロッ
クから３倍レートのクロック、即ちＥＦＭ信号について
Ｔ＝７７ｎｓｅｃの時間軸となる転送レートでの処理を
行なうためのクロックを発生させるクロック周波数可変
部である。通常レートクロックと３倍レートクロックは
スイッチ２２で選択されて、処理クロックとしてエンコ
ーダ１４及び制御信号生成回路１５に供給される。スイ
ッチ２２の切換は例えばシステムコントローラ１１から
の切換制御信号Ｓｅｌによって行なわれる。また、切換
制御信号Ｓｅｌは切換回路１５ｃにも供給されて、切換
制御が行なわれる。
ート、即ちＥＦＭ信号についてＴ＝２３０ｎｓｅｃの時
間軸となる転送レートでの処理を行なうためのクロック
を発生させる。また２１はクロック発生部２０のクロッ
クから３倍レートのクロック、即ちＥＦＭ信号について
Ｔ＝７７ｎｓｅｃの時間軸となる転送レートでの処理を
行なうためのクロックを発生させるクロック周波数可変
部である。通常レートクロックと３倍レートクロックは
スイッチ２２で選択されて、処理クロックとしてエンコ
ーダ１４及び制御信号生成回路１５に供給される。スイ
ッチ２２の切換は例えばシステムコントローラ１１から
の切換制御信号Ｓｅｌによって行なわれる。また、切換
制御信号Ｓｅｌは切換回路１５ｃにも供給されて、切換
制御が行なわれる。
【００６１】システムコントローラ１１は、通常レート
での記録動作を実行させる場合は、切換制御信号Ｓｅｌ
によってスイッチ２２をＮ端子に、また切換回路１５ｃ
をＡ端子に接続させる。また、例えば３倍レートでの記
録動作を実行させる場合は、切換制御信号Ｓｅｌによっ
てスイッチ２２をＦ端子に、また切換回路１５ｃをＢ端
子に接続させることになる。
での記録動作を実行させる場合は、切換制御信号Ｓｅｌ
によってスイッチ２２をＮ端子に、また切換回路１５ｃ
をＡ端子に接続させる。また、例えば３倍レートでの記
録動作を実行させる場合は、切換制御信号Ｓｅｌによっ
てスイッチ２２をＦ端子に、また切換回路１５ｃをＢ端
子に接続させることになる。
【００６２】このような本実施例の磁気ヘッド駆動系に
おいて、磁気ヘッド駆動回路１６は、例えば従来例とし
て説明した図１３と同様の回路構成とされていればよ
い。つまり制御信号Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ６によってスイッ
チング素子ＳＷ1 〜ＳＷ6 がオン／オフ制御され、その
動作に応じてコイル６Ｌに所要方向の電流を印加するも
のである。
おいて、磁気ヘッド駆動回路１６は、例えば従来例とし
て説明した図１３と同様の回路構成とされていればよ
い。つまり制御信号Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ６によってスイッ
チング素子ＳＷ1 〜ＳＷ6 がオン／オフ制御され、その
動作に応じてコイル６Ｌに所要方向の電流を印加するも
のである。
【００６３】また、制御信号生成回路１５における通常
レート用論理回路１５ａは、従来例として説明した図１
４の論理回路と同様の構成とする。従って、切換回路１
５ｃによってＡ端子が選択され、またスイッチ２２がＮ
端子に接続される、通常レートでの記録動作時において
は、通常レート用論理回路１５ａからの制御信号Ｓｉｇ
１〜Ｓｉｇ６が磁気ヘッド駆動回路１６に供給されるこ
とになり、この場合の磁気ヘッド駆動回路１６による動
作は図１７で詳しく説明したとおりであり、ここでの重
複説明は避ける。
レート用論理回路１５ａは、従来例として説明した図１
４の論理回路と同様の構成とする。従って、切換回路１
５ｃによってＡ端子が選択され、またスイッチ２２がＮ
端子に接続される、通常レートでの記録動作時において
は、通常レート用論理回路１５ａからの制御信号Ｓｉｇ
１〜Ｓｉｇ６が磁気ヘッド駆動回路１６に供給されるこ
とになり、この場合の磁気ヘッド駆動回路１６による動
作は図１７で詳しく説明したとおりであり、ここでの重
複説明は避ける。
【００６４】本実施例において、例えば３倍レートでの
記録動作が実行される場合は、スイッチ２２がＦ端子に
接続され、これによって転送レートが３倍となる。ま
た、このとき切換回路１５ｃでＢ端子が接続され、高速
レート用論理回路１５ｂからの制御信号Ｓｉｇ１〜Ｓｉ
ｇ６が図１３の構成の磁気ヘッド駆動回路１６に供給さ
れることになる。
記録動作が実行される場合は、スイッチ２２がＦ端子に
接続され、これによって転送レートが３倍となる。ま
た、このとき切換回路１５ｃでＢ端子が接続され、高速
レート用論理回路１５ｂからの制御信号Ｓｉｇ１〜Ｓｉ
ｇ６が図１３の構成の磁気ヘッド駆動回路１６に供給さ
れることになる。
【００６５】高速レート用論理回路１５ｂは図３のよう
に構成されて、ＥＦＭ信号（Ｓｉｇ０）及び３倍レート
のクロックＣＫを用いて制御信号Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ６を
生成するようにしている。
に構成されて、ＥＦＭ信号（Ｓｉｇ０）及び３倍レート
のクロックＣＫを用いて制御信号Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ６を
生成するようにしている。
【００６６】６０はＥＦＭ信号が信号Ｓｉｇ０として供
給される端子を示す。また６７は図２のスイッチ２２を
介してクロックＣＫが供給される端子である。この高速
レート用論理回路１５ｂはインバータＩＶ11，ＩＶ12、
フリップフロップＦＦ11，ＦＦ12、アンドゲートＡ11〜
Ａ16、イクスクルーシブオアゲートＥＸ1 、ノアゲート
ＮＲ1 から構成されている。また６１〜６６はそれぞれ
制御信号Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ６の出力端子となる。
給される端子を示す。また６７は図２のスイッチ２２を
介してクロックＣＫが供給される端子である。この高速
レート用論理回路１５ｂはインバータＩＶ11，ＩＶ12、
フリップフロップＦＦ11，ＦＦ12、アンドゲートＡ11〜
Ａ16、イクスクルーシブオアゲートＥＸ1 、ノアゲート
ＮＲ1 から構成されている。また６１〜６６はそれぞれ
制御信号Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ６の出力端子となる。
【００６７】図４を用いて図３の高速レート用論理回路
１５ｂの動作を説明する。今、端子６０から図４（ａ）
のような信号Ｓｉｇ０（ＥＦＭ信号）が供給され、また
端子５７から図４（ｂ）のようにクロックＣＫが供給さ
れるとする。ｔ1，ｔ2 ，ｔ3 はＥＦＭ信号の反転タイ
ミングを示しており、図４（ａ）の信号Ｓｉｇ０はｔ1
〜ｔ2 で反転間隔３Ｔ、ｔ2 〜ｔ3 で反転間隔４Ｔとな
っていたとする。
１５ｂの動作を説明する。今、端子６０から図４（ａ）
のような信号Ｓｉｇ０（ＥＦＭ信号）が供給され、また
端子５７から図４（ｂ）のようにクロックＣＫが供給さ
れるとする。ｔ1，ｔ2 ，ｔ3 はＥＦＭ信号の反転タイ
ミングを示しており、図４（ａ）の信号Ｓｉｇ０はｔ1
〜ｔ2 で反転間隔３Ｔ、ｔ2 〜ｔ3 で反転間隔４Ｔとな
っていたとする。
【００６８】信号Ｓｉｇ０は、まず直接端子６１に供給
され、これが図４（ｊ）に示すような制御信号Ｓｉｇ１
とされる。また信号Ｓｉｇ０は、インバータＩＶ11で論
理反転されて端子６２に供給され、これが図４（ｋ）に
示すような制御信号Ｓｉｇ２とされる。
され、これが図４（ｊ）に示すような制御信号Ｓｉｇ１
とされる。また信号Ｓｉｇ０は、インバータＩＶ11で論
理反転されて端子６２に供給され、これが図４（ｋ）に
示すような制御信号Ｓｉｇ２とされる。
【００６９】また信号Ｓｉｇ０はフリップフロップＦＦ
11のＤ端子、及びイクスクルーシブオアゲートＥＸ1 に
供給される。クロックＣＫによってラッチ動作を行なう
フリップフロップＦＦ11のＱ出力は図４（ｃ）のように
なる。このＱ出力はイクスクルーシブオアゲートＥＸ1
に供給される。
11のＤ端子、及びイクスクルーシブオアゲートＥＸ1 に
供給される。クロックＣＫによってラッチ動作を行なう
フリップフロップＦＦ11のＱ出力は図４（ｃ）のように
なる。このＱ出力はイクスクルーシブオアゲートＥＸ1
に供給される。
【００７０】イクスクルーシブオアゲートＥＸ1 では図
４（ｃ）のフリップフロップＦＦ11のＱ出力と、信号Ｓ
ｉｇ０の排他的論理和が取られるため、その出力は図４
（ｄ）のようになる。この図４（ｄ）に示すイクスクル
ーシブオアゲートＥＸ1 の出力は、フリップフロップＦ
Ｆ12のＤ端子、及びノアゲートＮＲ1 に供給される。ク
ロックＣＫによってラッチ動作を行なうフリップフロッ
プＦＦ12のＱ出力は図４（ｅ）のようになり、このＱ出
力はノアゲートＮＲ1 及びアンドゲートＡ12に供給され
る。ノアゲートＮＲ1 からは、図４（ｄ）に示すイクス
クルーシブオアゲートＥＸ1 の出力と、図４（ｅ）に示
すフリップフロップＦＦ12のＱ出力についての反転論理
和として、図４（ｆ）の出力が得られる。このノアゲー
トＮＲ1 の出力はアンドゲートＡ11に供給される。
４（ｃ）のフリップフロップＦＦ11のＱ出力と、信号Ｓ
ｉｇ０の排他的論理和が取られるため、その出力は図４
（ｄ）のようになる。この図４（ｄ）に示すイクスクル
ーシブオアゲートＥＸ1 の出力は、フリップフロップＦ
Ｆ12のＤ端子、及びノアゲートＮＲ1 に供給される。ク
ロックＣＫによってラッチ動作を行なうフリップフロッ
プＦＦ12のＱ出力は図４（ｅ）のようになり、このＱ出
力はノアゲートＮＲ1 及びアンドゲートＡ12に供給され
る。ノアゲートＮＲ1 からは、図４（ｄ）に示すイクス
クルーシブオアゲートＥＸ1 の出力と、図４（ｅ）に示
すフリップフロップＦＦ12のＱ出力についての反転論理
和として、図４（ｆ）の出力が得られる。このノアゲー
トＮＲ1 の出力はアンドゲートＡ11に供給される。
【００７１】一方、端子６７からのクロックＣＫはイン
バータＩＶ12によって、図４（ｇ）のような反転クロッ
クＣＫ￣とされ、アンドゲートＡ11，アンドゲートＡ12
に供給される。アンドゲートＡ11では、ノアゲートＮＲ
1 の出力と反転クロックＣＫ￣により図４（ｈ）のよう
な論理積出力を得る。またアンドゲートＡ12では、フリ
ップフロップＦＦ12のＱ出力と反転クロックＣＫ￣によ
り図４（ｉ）のような論理積出力を得る。
バータＩＶ12によって、図４（ｇ）のような反転クロッ
クＣＫ￣とされ、アンドゲートＡ11，アンドゲートＡ12
に供給される。アンドゲートＡ11では、ノアゲートＮＲ
1 の出力と反転クロックＣＫ￣により図４（ｈ）のよう
な論理積出力を得る。またアンドゲートＡ12では、フリ
ップフロップＦＦ12のＱ出力と反転クロックＣＫ￣によ
り図４（ｉ）のような論理積出力を得る。
【００７２】アンドゲートＡ15では、図４（ｉ）のアン
ドゲートＡ12の出力と、インバータＩＶ11の出力（即ち
制御信号Ｓｉｇ２と同一波形）についての論理積がとら
れ、図４（ｌ）のような制御信号Ｓｉｇ３が生成され、
これが端子６３から出力される。アンドゲートＡ16で
は、図４（ｉ）のアンドゲートＡ12の出力と、信号Ｓｉ
ｇ０についての論理積がとられ、図４（ｍ）のような制
御信号Ｓｉｇ４が生成されて端子６４から出力される。
ドゲートＡ12の出力と、インバータＩＶ11の出力（即ち
制御信号Ｓｉｇ２と同一波形）についての論理積がとら
れ、図４（ｌ）のような制御信号Ｓｉｇ３が生成され、
これが端子６３から出力される。アンドゲートＡ16で
は、図４（ｉ）のアンドゲートＡ12の出力と、信号Ｓｉ
ｇ０についての論理積がとられ、図４（ｍ）のような制
御信号Ｓｉｇ４が生成されて端子６４から出力される。
【００７３】アンドゲートＡ13では、図４（ｈ）のアン
ドゲートＡ11の出力と、インバータＩＶ11の出力（即ち
制御信号Ｓｉｇ２と同一波形）についての論理積がとら
れ、図４（ｎ）のような制御信号Ｓｉｇ５が生成されて
端子６５から出力される。アンドゲートＡ14では、図４
（ｈ）のアンドゲートＡ11の出力と、信号Ｓｉｇ０につ
いての論理積がとられ、図４（ｏ）のような制御信号Ｓ
ｉｇ６が生成されて端子６６から出力される。
ドゲートＡ11の出力と、インバータＩＶ11の出力（即ち
制御信号Ｓｉｇ２と同一波形）についての論理積がとら
れ、図４（ｎ）のような制御信号Ｓｉｇ５が生成されて
端子６５から出力される。アンドゲートＡ14では、図４
（ｈ）のアンドゲートＡ11の出力と、信号Ｓｉｇ０につ
いての論理積がとられ、図４（ｏ）のような制御信号Ｓ
ｉｇ６が生成されて端子６６から出力される。
【００７４】このような論理構成による高速レート用論
理回路１５ｂから生成された制御信号Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ
６が磁気ヘッド駆動回路１６、即ち図１３の各スイッチ
ング素子ＳＷ1 〜ＳＷ6 に制御パルスとして供給される
ことになるが、このとき、ＥＦＭ信号の『Ｌ』レベル期
間においてヘッド端子ｈ1 を−Ｖ電源に短絡させるスイ
ッチング素子ＳＷ3 に対する制御信号Ｓｉｇ３、及びＥ
ＦＭ信号の『Ｈ』レベル期間においてヘッド端子ｈ2 を
−Ｖ電源に短絡させるスイッチング素子ＳＷ4に対する
制御信号Ｓｉｇ４の立上りタイミングは、少なくともＥ
ＦＭ信号の反転タイミングより１Ｔ以上経過した後の時
間となる。従って、３倍レートで１Ｔ＝７８ｎｓｅｃと
した場合でも、反転時点から制御信号Ｓｉｇ３又はＳｉ
ｇ４の立上り迄は、少なくとも７８ｎｓｅｃ以上に設定
できることになる。つまり、通常レート用論理回路１５
ａによる制御信号Ｓｉｇ３又はＳｉｇ４（即ち図１５で
示される制御信号Ｓｉｇ３又はＳｉｇ４）よりも、立上
りタイミングが遅らせられていることになる。
理回路１５ｂから生成された制御信号Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ
６が磁気ヘッド駆動回路１６、即ち図１３の各スイッチ
ング素子ＳＷ1 〜ＳＷ6 に制御パルスとして供給される
ことになるが、このとき、ＥＦＭ信号の『Ｌ』レベル期
間においてヘッド端子ｈ1 を−Ｖ電源に短絡させるスイ
ッチング素子ＳＷ3 に対する制御信号Ｓｉｇ３、及びＥ
ＦＭ信号の『Ｈ』レベル期間においてヘッド端子ｈ2 を
−Ｖ電源に短絡させるスイッチング素子ＳＷ4に対する
制御信号Ｓｉｇ４の立上りタイミングは、少なくともＥ
ＦＭ信号の反転タイミングより１Ｔ以上経過した後の時
間となる。従って、３倍レートで１Ｔ＝７８ｎｓｅｃと
した場合でも、反転時点から制御信号Ｓｉｇ３又はＳｉ
ｇ４の立上り迄は、少なくとも７８ｎｓｅｃ以上に設定
できることになる。つまり、通常レート用論理回路１５
ａによる制御信号Ｓｉｇ３又はＳｉｇ４（即ち図１５で
示される制御信号Ｓｉｇ３又はＳｉｇ４）よりも、立上
りタイミングが遅らせられていることになる。
【００７５】また、この影響で、１つの反転期間におい
てハイレベルとなるパルス数、即ちＥＦＭ信号の『Ｈ』
レベル期間における制御信号Ｓｉｇ３，Ｓｉｇ５となる
総パルス数、及びＥＦＭ信号の『Ｌ』レベル期間におけ
る制御信号Ｓｉｇ４，Ｓｉｇ６となる総パルス数は、そ
の反転間隔をｎＴとしたときにｎより少ない数となる。
てハイレベルとなるパルス数、即ちＥＦＭ信号の『Ｈ』
レベル期間における制御信号Ｓｉｇ３，Ｓｉｇ５となる
総パルス数、及びＥＦＭ信号の『Ｌ』レベル期間におけ
る制御信号Ｓｉｇ４，Ｓｉｇ６となる総パルス数は、そ
の反転間隔をｎＴとしたときにｎより少ない数となる。
【００７６】図５（ａ）〜（ｄ）に、ＥＦＭ信号の
『Ｈ』レベル期間における制御信号Ｓｉｇ１，Ｓｉｇ
３，Ｓｉｇ５の波形として、その『Ｈ』レベル期間が３
Ｔ，４Ｔ，５Ｔ，１１Ｔである各場合について示した。
図５からわかるように制御信号Ｓｉｇ３は、制御信号Ｓ
ｉｇ１の立下がりより約 1.5Ｔのタイミングを経過した
後に立ち上がるものとなる。また、３Ｔの場合は図５
（ａ）のように制御信号Ｓｉｇ３，Ｓｉｇ５となる総パ
ルス数は２となっており、３Ｔの『３』よりも少ないも
のとなる。同様に１１Ｔの場合は図５（ｄ）のように制
御信号Ｓｉｇ３，Ｓｉｇ５となる総パルス数は１０とな
っており、１１Ｔの『１１』よりも少ないものとなる。
『Ｈ』レベル期間における制御信号Ｓｉｇ１，Ｓｉｇ
３，Ｓｉｇ５の波形として、その『Ｈ』レベル期間が３
Ｔ，４Ｔ，５Ｔ，１１Ｔである各場合について示した。
図５からわかるように制御信号Ｓｉｇ３は、制御信号Ｓ
ｉｇ１の立下がりより約 1.5Ｔのタイミングを経過した
後に立ち上がるものとなる。また、３Ｔの場合は図５
（ａ）のように制御信号Ｓｉｇ３，Ｓｉｇ５となる総パ
ルス数は２となっており、３Ｔの『３』よりも少ないも
のとなる。同様に１１Ｔの場合は図５（ｄ）のように制
御信号Ｓｉｇ３，Ｓｉｇ５となる総パルス数は１０とな
っており、１１Ｔの『１１』よりも少ないものとなる。
【００７７】このような高速レート用論理回路１５ｂか
ら生成された制御信号Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ６による磁気ヘ
ッド駆動回路１６の動作として、ＥＦＭ信号の反転間隔
が最も短い３Ｔとなっている図４のｔ1 〜ｔ2 時点を例
にあげて図６で説明する。ＥＦＭ信号（＝制御信号Ｓｉ
ｇ１）が『Ｌ』レベルとなっている期間に制御信号生成
回路１５から『Ｈ』レベル出力されるのは、制御信号Ｓ
ｉｇ３，Ｓｉｇ５であり、これらは図５（ａ）の波形と
なる。これを３倍レートの記録動作時の時間軸において
図６（ａ）〜（ｃ）に示す。この場合Ｔ＝７８ｎｓｅｃ
である。
ら生成された制御信号Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ６による磁気ヘ
ッド駆動回路１６の動作として、ＥＦＭ信号の反転間隔
が最も短い３Ｔとなっている図４のｔ1 〜ｔ2 時点を例
にあげて図６で説明する。ＥＦＭ信号（＝制御信号Ｓｉ
ｇ１）が『Ｌ』レベルとなっている期間に制御信号生成
回路１５から『Ｈ』レベル出力されるのは、制御信号Ｓ
ｉｇ３，Ｓｉｇ５であり、これらは図５（ａ）の波形と
なる。これを３倍レートの記録動作時の時間軸において
図６（ａ）〜（ｃ）に示す。この場合Ｔ＝７８ｎｓｅｃ
である。
【００７８】図６（ｄ）（ｅ）はコイル６Ｌに流れるヘ
ッド電流Ｉｈ、及びヘッド端子ｈ1の電圧Ｖｈ1 のタイ
ンミングチャートを示している。ヘッド電流Ｉｈのピー
ク値は 0.5Ａ、ヘッド端子電圧Ｖｈ1 の波形図における
＋Ｖは＋５Ｖ、−Ｖは−４５Ｖ程度である。
ッド電流Ｉｈ、及びヘッド端子ｈ1の電圧Ｖｈ1 のタイ
ンミングチャートを示している。ヘッド電流Ｉｈのピー
ク値は 0.5Ａ、ヘッド端子電圧Ｖｈ1 の波形図における
＋Ｖは＋５Ｖ、−Ｖは−４５Ｖ程度である。
【００７９】つまり、図１７で説明した場合と同様に、
ｔ1 時点で制御信号Ｓｉｇ１が反転して『Ｌ』レベルと
なると、スイッチング素子ＳＷ1 ，ＳＷ3 ，ＳＷ5 はい
づれもオフであり、ヘッド端子ｈ1 はどの電圧源からも
切り離され、また、スイッチング素子ＳＷ2 がオンであ
ることから、ヘッド端子ｈ2 は＋Ｖ電圧に固定される。
このため、電荷の移動は、コイル６Ｌの持つインダクタ
ンスがヘッド端子ｈ1→ｈ2 の方向に流し続けようとす
る起電力に支配され、これによってヘッド端子ｈ1 から
電荷を吸い込み、ヘッド端子ｈ2 の端子側へ電荷を放出
する方向の動作となる。このときヘッド端子ｈ2 は＋Ｖ
電圧に固定されているので、＋Ｖ電圧源（正の直流電源
１６ａ）側に電荷が還流することになる。
ｔ1 時点で制御信号Ｓｉｇ１が反転して『Ｌ』レベルと
なると、スイッチング素子ＳＷ1 ，ＳＷ3 ，ＳＷ5 はい
づれもオフであり、ヘッド端子ｈ1 はどの電圧源からも
切り離され、また、スイッチング素子ＳＷ2 がオンであ
ることから、ヘッド端子ｈ2 は＋Ｖ電圧に固定される。
このため、電荷の移動は、コイル６Ｌの持つインダクタ
ンスがヘッド端子ｈ1→ｈ2 の方向に流し続けようとす
る起電力に支配され、これによってヘッド端子ｈ1 から
電荷を吸い込み、ヘッド端子ｈ2 の端子側へ電荷を放出
する方向の動作となる。このときヘッド端子ｈ2 は＋Ｖ
電圧に固定されているので、＋Ｖ電圧源（正の直流電源
１６ａ）側に電荷が還流することになる。
【００８０】また、ヘッド端子ｈ1 側は全ての電圧源か
ら切り離されているため、小さな浮遊容量から電荷を吸
い取ることになり、従ってヘッド端子ｈ1 の電圧Ｖｈ1
は急激に下がっていく。そしてこの電圧降下に伴って、
コイル電流Ｉｈは少しづつ減少していく。これは図６の
ｔA 期間として示す動作となる。
ら切り離されているため、小さな浮遊容量から電荷を吸
い取ることになり、従ってヘッド端子ｈ1 の電圧Ｖｈ1
は急激に下がっていく。そしてこの電圧降下に伴って、
コイル電流Ｉｈは少しづつ減少していく。これは図６の
ｔA 期間として示す動作となる。
【００８１】ここで、図１９と比較してみてわかるよう
に、本実施例の場合、電圧降下が−Ｖ電位まで達し、そ
こでダイオードＤ1 によって−Ｖの電圧源で固定される
まで、制御信号Ｓｉｇ３によってスイッチング素子ＳＷ
3 がオンとされることはない。そして、制御信号Ｓｉｇ
１の立下りから図６（ｂ）にｔz と示す期間をおいては
じめて制御信号Ｓｉｇ３によってスイッチング素子ＳＷ
3 がオンとなり、ヘッド端子ｈ1 は−Ｖ電源（負の直流
電源１６ｂ）と短絡されて電圧Ｖｈ1 は−Ｖで固定され
る。
に、本実施例の場合、電圧降下が−Ｖ電位まで達し、そ
こでダイオードＤ1 によって−Ｖの電圧源で固定される
まで、制御信号Ｓｉｇ３によってスイッチング素子ＳＷ
3 がオンとされることはない。そして、制御信号Ｓｉｇ
１の立下りから図６（ｂ）にｔz と示す期間をおいては
じめて制御信号Ｓｉｇ３によってスイッチング素子ＳＷ
3 がオンとなり、ヘッド端子ｈ1 は−Ｖ電源（負の直流
電源１６ｂ）と短絡されて電圧Ｖｈ1 は−Ｖで固定され
る。
【００８２】つまりライズタイムｔA については、上述
のように図１７の通常レートの場合と変わらず、約５０
ｎｓｅｃであり、図１９の場合では制御信号Ｓｉｇ３が
約５０ｎｓｅｃ経過する前に立ち上がったために動作不
能となっていたところ、本実施例では、制御信号Ｓｉｇ
３が立ち上がるのは５０ｎｓｅｃよりも十分長い期間を
おいてから立ち上がるものとなっているため（この実施
例の場合、ｔZ ＝約１１７ｎｓｅｃとなる）、制御信号
Ｓｉｇ３が立上る時点では、ヘッド端子ｈ1 の電圧Ｖｈ
1 はほぼ−Ｖ電位となっており、つまり電圧Ｖｈ1 と−
Ｖ電位の差を無くした時点でスイッチング素子ＳＷ3 を
オンとすることができる。従って高速スイッチング素子
による好適な動作が実現されることになる。その後、制
御信号Ｓｉｇ３が『Ｌ』レベルとなったあとは、制御信
号Ｓｉｇ５によってヘッド電流Ｉｈが略一定に保たれる
ことになる。
のように図１７の通常レートの場合と変わらず、約５０
ｎｓｅｃであり、図１９の場合では制御信号Ｓｉｇ３が
約５０ｎｓｅｃ経過する前に立ち上がったために動作不
能となっていたところ、本実施例では、制御信号Ｓｉｇ
３が立ち上がるのは５０ｎｓｅｃよりも十分長い期間を
おいてから立ち上がるものとなっているため（この実施
例の場合、ｔZ ＝約１１７ｎｓｅｃとなる）、制御信号
Ｓｉｇ３が立上る時点では、ヘッド端子ｈ1 の電圧Ｖｈ
1 はほぼ−Ｖ電位となっており、つまり電圧Ｖｈ1 と−
Ｖ電位の差を無くした時点でスイッチング素子ＳＷ3 を
オンとすることができる。従って高速スイッチング素子
による好適な動作が実現されることになる。その後、制
御信号Ｓｉｇ３が『Ｌ』レベルとなったあとは、制御信
号Ｓｉｇ５によってヘッド電流Ｉｈが略一定に保たれる
ことになる。
【００８３】このように本実施例では、高速レート用論
理回路１５ｂを用いることで、磁気ヘッド駆動回路１６
や磁気ヘッド６などの構成はそのままで、従来不可能で
あった３倍レートの記録動作も可能となる。もちろん３
倍レート以上の記録動作についても対応可能範囲は広が
る。
理回路１５ｂを用いることで、磁気ヘッド駆動回路１６
や磁気ヘッド６などの構成はそのままで、従来不可能で
あった３倍レートの記録動作も可能となる。もちろん３
倍レート以上の記録動作についても対応可能範囲は広が
る。
【００８４】［III ．第２の実施例］次に第２の実施例
を説明する。なお、磁気ヘッド駆動系は第１の実施例と
同様に図２の構成とする。この実施例では、高速レート
用論理回路１５ｂが第１の実施例と異なるものである。
を説明する。なお、磁気ヘッド駆動系は第１の実施例と
同様に図２の構成とする。この実施例では、高速レート
用論理回路１５ｂが第１の実施例と異なるものである。
【００８５】高速レート用論理回路１５ｂは図７のよう
に構成されて、ＥＦＭ信号（Ｓｉｇ０）及び３倍レート
のクロックＣＫを用いて制御信号Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ６を
生成するようにしている。なお、図３の回路と同一機能
部分は同一符号を付し、説明を省略する。図２の構成と
異なるのは、フリップフロップＦＦ13及びインバータＩ
Ｖ13が設けられ、ノアゲートＮＲ1 の出力がフリップフ
ロップＦＦ13のクリア信号とされていること、及びフリ
ップフロップＦＦ13のＱ出力がアンドゲートＡ11に供給
される点である。
に構成されて、ＥＦＭ信号（Ｓｉｇ０）及び３倍レート
のクロックＣＫを用いて制御信号Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ６を
生成するようにしている。なお、図３の回路と同一機能
部分は同一符号を付し、説明を省略する。図２の構成と
異なるのは、フリップフロップＦＦ13及びインバータＩ
Ｖ13が設けられ、ノアゲートＮＲ1 の出力がフリップフ
ロップＦＦ13のクリア信号とされていること、及びフリ
ップフロップＦＦ13のＱ出力がアンドゲートＡ11に供給
される点である。
【００８６】図８を用いて図７の高速レート用論理回路
１５ｂの動作を説明する。なお、図８（ａ）〜（ｆ）の
波形は図４（ａ）〜（ｆ）の波形と同様となるため説明
を省略する。フリップフロップＦＦ13にはクロックＣＫ
が供給され、またＱ出力がインバータＩＶ13で反転され
てＤ端子に供給されている。そして、図８（ｆ）のノア
ゲートＮＲ1 の出力がフリップフロップＦＦ13のクリア
信号とされているため、フリップフロップＦＦ13のＱ出
力は図８（ｇ）に示す波形となる。これがアンドゲート
Ａ11に供給され、アンドゲートＡ11ではフリップフロッ
プＦＦ13のＱ出力と、インバータＩＶ12の出力である図
８（ｈ）の反転クロックの論理積が取られるため、出力
は図８（ｉ）のようになる。
１５ｂの動作を説明する。なお、図８（ａ）〜（ｆ）の
波形は図４（ａ）〜（ｆ）の波形と同様となるため説明
を省略する。フリップフロップＦＦ13にはクロックＣＫ
が供給され、またＱ出力がインバータＩＶ13で反転され
てＤ端子に供給されている。そして、図８（ｆ）のノア
ゲートＮＲ1 の出力がフリップフロップＦＦ13のクリア
信号とされているため、フリップフロップＦＦ13のＱ出
力は図８（ｇ）に示す波形となる。これがアンドゲート
Ａ11に供給され、アンドゲートＡ11ではフリップフロッ
プＦＦ13のＱ出力と、インバータＩＶ12の出力である図
８（ｈ）の反転クロックの論理積が取られるため、出力
は図８（ｉ）のようになる。
【００８７】アンドゲートＡ11の出力はアンドゲートＡ
13，Ａ14に供給され、制御信号Ｓｉｇ５，Ｓｉｇ６の生
成に用いられる。即ちアンドゲートＡ13ではアンドゲー
トＡ11の出力とインバータＩＶ11（即ち制御信号Ｓｉｇ
２と同一波形）の論理積が取られて、図８（ｏ）のよう
な制御信号Ｓｉｇ５を生成することになる。またアンド
ゲートＡ14ではアンドゲートＡ11の出力と信号Ｓｉｇ０
の論理積が取られて、図８（Ｐ）のような制御信号Ｓｉ
ｇ６を生成することになる。それ以外の制御信号Ｓｉｇ
１〜Ｓｉｇ４については図８（ｋ）〜（ｎ）に示すよう
になり、即ち図３（ｊ）〜（ｍ）の制御信号Ｓｉｇ１〜
Ｓｉｇ４と同様となる。
13，Ａ14に供給され、制御信号Ｓｉｇ５，Ｓｉｇ６の生
成に用いられる。即ちアンドゲートＡ13ではアンドゲー
トＡ11の出力とインバータＩＶ11（即ち制御信号Ｓｉｇ
２と同一波形）の論理積が取られて、図８（ｏ）のよう
な制御信号Ｓｉｇ５を生成することになる。またアンド
ゲートＡ14ではアンドゲートＡ11の出力と信号Ｓｉｇ０
の論理積が取られて、図８（Ｐ）のような制御信号Ｓｉ
ｇ６を生成することになる。それ以外の制御信号Ｓｉｇ
１〜Ｓｉｇ４については図８（ｋ）〜（ｎ）に示すよう
になり、即ち図３（ｊ）〜（ｍ）の制御信号Ｓｉｇ１〜
Ｓｉｇ４と同様となる。
【００８８】このような高速レート用論理回路１５ｂで
生成される制御信号について、ＥＦＭ信号の『Ｈ』レベ
ル期間における制御信号Ｓｉｇ１，Ｓｉｇ３，Ｓｉｇ５
の波形として、図９（ａ）〜（ｄ）にその『Ｈ』レベル
期間が３Ｔ，４Ｔ，５Ｔ，１１Ｔである各場合について
示した。図９からわかるように、この実施例でも制御信
号Ｓｉｇ３は、制御信号Ｓｉｇ１の立下がりより約 1.5
Ｔのタイミングを経過した後に立ち上がるものとなる。
また、３Ｔの場合は図９（ａ）のように制御信号Ｓｉｇ
３，Ｓｉｇ５となる総パルス数は１となっており、３Ｔ
の『３』よりも少ないものとなる。同様に１１Ｔの場合
は図９（ｄ）のように制御信号Ｓｉｇ３，Ｓｉｇ５とな
る総パルス数は５となっており、１１Ｔの『１１』より
も少ないものとなる。
生成される制御信号について、ＥＦＭ信号の『Ｈ』レベ
ル期間における制御信号Ｓｉｇ１，Ｓｉｇ３，Ｓｉｇ５
の波形として、図９（ａ）〜（ｄ）にその『Ｈ』レベル
期間が３Ｔ，４Ｔ，５Ｔ，１１Ｔである各場合について
示した。図９からわかるように、この実施例でも制御信
号Ｓｉｇ３は、制御信号Ｓｉｇ１の立下がりより約 1.5
Ｔのタイミングを経過した後に立ち上がるものとなる。
また、３Ｔの場合は図９（ａ）のように制御信号Ｓｉｇ
３，Ｓｉｇ５となる総パルス数は１となっており、３Ｔ
の『３』よりも少ないものとなる。同様に１１Ｔの場合
は図９（ｄ）のように制御信号Ｓｉｇ３，Ｓｉｇ５とな
る総パルス数は５となっており、１１Ｔの『１１』より
も少ないものとなる。
【００８９】このような高速レート用論理回路１５ｂか
ら生成された制御信号Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ６による磁気ヘ
ッド駆動回路１６の動作として、３倍レートの記録動作
時（Ｔ＝７８ｎｓｅｃ）においてＥＦＭ信号の反転間隔
が最も短い３Ｔとなっている図８のｔ1 〜ｔ2 時点を例
にあげて示したものが図１０である。
ら生成された制御信号Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ６による磁気ヘ
ッド駆動回路１６の動作として、３倍レートの記録動作
時（Ｔ＝７８ｎｓｅｃ）においてＥＦＭ信号の反転間隔
が最も短い３Ｔとなっている図８のｔ1 〜ｔ2 時点を例
にあげて示したものが図１０である。
【００９０】つまり、この場合も、ヘッド端子ｈ1 の電
圧降下が−Ｖ電位まで達し、そこでダイオードＤ1 によ
って−Ｖの電圧源で固定されるまで、制御信号Ｓｉｇ３
によってスイッチング素子ＳＷ3 がオンとされることは
ない。そして、制御信号Ｓｉｇ１の立下りから図６
（ｂ）にｔz と示す期間をおいてはじめて制御信号Ｓｉ
ｇ３によってスイッチング素子ＳＷ3 がオンとなり、ヘ
ッド端子ｈ1 は−Ｖ電源（負の直流電源１６ｂ）と短絡
されて電圧Ｖｈ1 は−Ｖで固定される。
圧降下が−Ｖ電位まで達し、そこでダイオードＤ1 によ
って−Ｖの電圧源で固定されるまで、制御信号Ｓｉｇ３
によってスイッチング素子ＳＷ3 がオンとされることは
ない。そして、制御信号Ｓｉｇ１の立下りから図６
（ｂ）にｔz と示す期間をおいてはじめて制御信号Ｓｉ
ｇ３によってスイッチング素子ＳＷ3 がオンとなり、ヘ
ッド端子ｈ1 は−Ｖ電源（負の直流電源１６ｂ）と短絡
されて電圧Ｖｈ1 は−Ｖで固定される。
【００９１】即ち、ライズタイムｔA は約５０ｎｓｅｃ
であることに対して、本実施例でも、制御信号Ｓｉｇ３
が立ち上がるのは５０ｎｓｅｃよりも十分長い期間（ｔ
Z ＝約１１７ｎｓ）をおいてから立ち上がるものとなっ
ているため、制御信号Ｓｉｇ３が立上る時点では、ヘッ
ド端子ｈ1 の電圧Ｖｈ1 はほぼ−Ｖ電位となっており、
つまり電圧Ｖｈ1 と−Ｖ電位の差を無くした時点でスイ
ッチング素子ＳＷ3 をオンとすることができる。従って
高速スイッチング素子による好適な動作が実現されるこ
とになる。
であることに対して、本実施例でも、制御信号Ｓｉｇ３
が立ち上がるのは５０ｎｓｅｃよりも十分長い期間（ｔ
Z ＝約１１７ｎｓ）をおいてから立ち上がるものとなっ
ているため、制御信号Ｓｉｇ３が立上る時点では、ヘッ
ド端子ｈ1 の電圧Ｖｈ1 はほぼ−Ｖ電位となっており、
つまり電圧Ｖｈ1 と−Ｖ電位の差を無くした時点でスイ
ッチング素子ＳＷ3 をオンとすることができる。従って
高速スイッチング素子による好適な動作が実現されるこ
とになる。
【００９２】このように第２の実施例の高速レート用論
理回路１５ｂを用いても、磁気ヘッド駆動回路１６や磁
気ヘッド６などの構成はそのままで、従来不可能であっ
た３倍レートの記録動作も可能となる。もちろん３倍レ
ート以上の記録動作についても対応可能範囲は広がる。
理回路１５ｂを用いても、磁気ヘッド駆動回路１６や磁
気ヘッド６などの構成はそのままで、従来不可能であっ
た３倍レートの記録動作も可能となる。もちろん３倍レ
ート以上の記録動作についても対応可能範囲は広がる。
【００９３】［IV．第３の実施例］第３の実施例として
の磁気ヘッド駆動回路系を図１１に示す。この実施例で
は、制御信号生成回路１５としては、通常レート用論理
回路を設けず、高速レート用論理回路１５ｂのみを備え
るようにしている。高速レート用論理回路１５ｂは図３
又は図７のように構成されればよい。つまりこの実施例
は、高速レート専用の記録装置とした場合の構成とな
る。なお、この場合でも、クロックＣＫの周波数を可変
できるようにすることにより、複数の転送レートに対応
した記録装置とすることができる。
の磁気ヘッド駆動回路系を図１１に示す。この実施例で
は、制御信号生成回路１５としては、通常レート用論理
回路を設けず、高速レート用論理回路１５ｂのみを備え
るようにしている。高速レート用論理回路１５ｂは図３
又は図７のように構成されればよい。つまりこの実施例
は、高速レート専用の記録装置とした場合の構成とな
る。なお、この場合でも、クロックＣＫの周波数を可変
できるようにすることにより、複数の転送レートに対応
した記録装置とすることができる。
【００９４】なお、以上各種実施例を説明してきたが、
本発明としてはさらに多様な変形例が考えられる。本発
明として高速スイッチング素子を使用可能とする条件と
しては、磁気ヘッドのインダクタンスＬを概ね５μＨと
すると、信号反転時から制御信号Ｓｉｇ３（Ｓｉｇ４）
によってスイッチング素子ＳＷ3 （ＳＷ4 ）がオンする
迄の間、即ち端子がハイインピーダンス状態にある間
が、少なくとも５０ｎｓｅｃ以上とすればよい。また、
この期間の上限としては、電流の方向が自己反転を起こ
してしまうまでの期間となり、これを考慮するとほぼ１
５０ｎｓｅｃが上限となる。
本発明としてはさらに多様な変形例が考えられる。本発
明として高速スイッチング素子を使用可能とする条件と
しては、磁気ヘッドのインダクタンスＬを概ね５μＨと
すると、信号反転時から制御信号Ｓｉｇ３（Ｓｉｇ４）
によってスイッチング素子ＳＷ3 （ＳＷ4 ）がオンする
迄の間、即ち端子がハイインピーダンス状態にある間
が、少なくとも５０ｎｓｅｃ以上とすればよい。また、
この期間の上限としては、電流の方向が自己反転を起こ
してしまうまでの期間となり、これを考慮するとほぼ１
５０ｎｓｅｃが上限となる。
【００９５】また以上の実施例はミニディスクシステム
に適用したもので説明してきたが、本発明はこれ以外の
システムに対応する光磁気記録装置としても実現でき
る。
に適用したもので説明してきたが、本発明はこれ以外の
システムに対応する光磁気記録装置としても実現でき
る。
【００９６】
【発明の効果】以上説明したように本発明の記録装置
は、制御パルス生成論理が、エンコードデータがｎＴと
なるパルス期間であるときに、所要のスイッチング素子
に対する制御パルスの総数がｎ未満となるように設定さ
れている論理構成、又は、磁界反転動作時に、コイルの
端子を所要の電源と短絡させるスイッチング素子に対す
る制御パルスは、コイルの端子が所定の電圧に達するこ
とができるだけの期間が経過した後に出力されるように
された論理構成を持つ制御信号生成手段を備えることに
より、いわゆる高速レートでの磁界印加動作が可能とな
り、光磁気記録方式としてコンピュータデータや動画デ
ータの記録など、幅広い実用化を実現できることになる
という効果がある。
は、制御パルス生成論理が、エンコードデータがｎＴと
なるパルス期間であるときに、所要のスイッチング素子
に対する制御パルスの総数がｎ未満となるように設定さ
れている論理構成、又は、磁界反転動作時に、コイルの
端子を所要の電源と短絡させるスイッチング素子に対す
る制御パルスは、コイルの端子が所定の電圧に達するこ
とができるだけの期間が経過した後に出力されるように
された論理構成を持つ制御信号生成手段を備えることに
より、いわゆる高速レートでの磁界印加動作が可能とな
り、光磁気記録方式としてコンピュータデータや動画デ
ータの記録など、幅広い実用化を実現できることになる
という効果がある。
【００９７】また、転送レートを可変することができる
ようにするとともに、制御信号生成手段において、制御
信号の生成論理の異なる複数の論理回路を備えるように
し、これを転送レートに応じて切り換えて使用するよう
にすることで、転送レートを可変して各種データに幅広
く対応できる記録装置を実現することできるという効果
がある。
ようにするとともに、制御信号生成手段において、制御
信号の生成論理の異なる複数の論理回路を備えるように
し、これを転送レートに応じて切り換えて使用するよう
にすることで、転送レートを可変して各種データに幅広
く対応できる記録装置を実現することできるという効果
がある。
【図１】本発明の実施例の記録再生装置のブロック図で
ある。
ある。
【図２】第１及び第２の実施例の磁気ヘッド駆動系のブ
ロック図である。
ロック図である。
【図３】第１の実施例の高速レート用論理回路の回路図
である。
である。
【図４】第１の実施例の高速レート用論理回路の動作の
説明図である。
説明図である。
【図５】第１の実施例の高速レート用論理回路の出力波
形の説明図である。
形の説明図である。
【図６】第１の実施例による３倍レート記録動作時の説
明図である。
明図である。
【図７】第２の実施例の高速レート用論理回路の回路図
である。
である。
【図８】第２の実施例の高速レート用論理回路の動作の
説明図である。
説明図である。
【図９】第２の実施例の高速レート用論理回路の出力波
形の説明図である。
形の説明図である。
【図１０】第２の実施例による３倍レート記録動作時の
説明図である。
説明図である。
【図１１】第３の実施例の磁気ヘッド駆動系のブロック
図である。
図である。
【図１２】従来の磁気ヘッド駆動系のブロック図であ
る。
る。
【図１３】実施例及び従来例の磁気ヘッド駆動回路の回
路図である。
路図である。
【図１４】従来例の論理回路及び実施例の通常レート用
論理回路の回路図である。
論理回路の回路図である。
【図１５】従来例の論理回路及び実施例の通常レート用
論理回路の動作の説明図である。
論理回路の動作の説明図である。
【図１６】実施例及び従来例の磁気ヘッド駆動回路の信
号反転時の等価回路図である。
号反転時の等価回路図である。
【図１７】実施例及び従来例の通常レート記録動作時の
説明図である。
説明図である。
【図１８】従来例の２倍レート記録動作時の説明図であ
る。
る。
【図１９】従来例における３倍レート記録動作不能状態
の説明図である。
の説明図である。
【図２０】磁界変調方式のヘッド構成の説明図である。
【図２１】磁界変調方式の動作の説明図である。
１ ディスク ３ 光学ヘッド ６ 磁気ヘッド ６Ｌ コイル １１ システムコントローラ １４ エンコーダ １５ 制御信号生成回路 １５ａ 通常レート用論理回路 １５ｂ 高速レート用論理回路 １５ｃ 切換回路 １６ 磁気ヘッド駆動回路 ２０ クロック発生部 ２１ クロック周波数可変部 ２２ スイッチ ６０〜６７ 端子 ＦＦ11〜ＦＦ13 フリップフロップ ＩＶ11〜ＩＶ13 インバータ ＥＸ1 イクスクルーシブオアゲート ＮＲ1 ノアゲート Ａ11〜Ａ16 アンドゲート
Claims (3)
- 【請求項１】 光学ヘッド及び磁気ヘッドを有し、入力
されたデータに対して所定のエンコード処理を行ない、
前記磁気ヘッドからエンコードデータに応じた磁界を記
録媒体に発生させて光磁気記録動作を行なう記録装置に
おいて、 前記磁気ヘッドのコイルに電流を供給するための複数の
電源と、前記コイルの端子に前記各電源をそれぞれ断接
することができるスイッチング素子を有し、前記各スイ
ッチング素子の動作によって前記コイルの端子と前記各
電源のそれぞれが所要の状態に接／断されることによ
り、前記コイルから所要の磁界を発生させる磁気ヘッド
駆動手段と、 エンコードデータに基づいて前記各スイッチング素子に
対する制御パルスを発生させるとともに、この制御パル
スの生成論理が、エンコードデータが単位期間Ｔに対し
てｎＴとなるパルス期間であるときに、そのパルス期間
内における所要のスイッチング素子に対する制御パルス
の総数がｎ未満となるように設定されている制御信号生
成手段と、 を備えていることを特徴とする記録装置。 - 【請求項２】 光学ヘッド及び磁気ヘッドを有し、入力
されたデータに対して所定のエンコード処理を行ない、
前記磁気ヘッドからエンコードデータに応じた磁界を記
録媒体に発生させて光磁気記録動作を行なう記録装置に
おいて、 前記磁気ヘッドのコイルに電流を供給するための複数の
電源と、前記コイルの端子に前記各電源をそれぞれ断接
することができるスイッチング素子を有し、前記各スイ
ッチング素子の動作によって前記コイルの端子と前記各
電源のそれぞれが所要の状態に接／断されることによ
り、前記コイルから所要の磁界を発生させる磁気ヘッド
駆動手段と、 エンコードデータに基づいて前記各スイッチング素子に
対する制御パルスを発生させるとともに、磁界反転動作
時に、前記コイルの端子を所要の電源と短絡させるスイ
ッチング素子に対する制御パルスは、前記コイルの端子
が所定の電圧に達することができるだけの期間が経過し
た後に出力されるように設定されている制御信号生成手
段と、 を備えていることを特徴とする記録装置。 - 【請求項３】 光学ヘッド及び磁気ヘッドを有し、入力
されたデータに対して所定のエンコード処理を行ない、
前記磁気ヘッドからエンコードデータに応じた磁界を記
録媒体に発生させて光磁気記録動作を行なう記録装置に
おいて、 前記磁気ヘッドのコイルに電流を供給するための複数の
電源と、前記コイルの端子に前記各電源をそれぞれ断接
することができるスイッチング素子を有し、前記各スイ
ッチング素子の動作によって前記コイルの端子と前記各
電源のそれぞれが所要の状態に接／断されることによ
り、前記コイルから所要の磁界を発生させる磁気ヘッド
駆動手段と、 データ転送レートを可変させることのできる転送レート
可変手段と、 それぞれエンコードデータに基づいて異なる生成論理で
前記各スイッチング素子に対する制御パルスを発生させ
る第１及び第２の論理回路と、前記転送レート可変手段
によって設定されている転送レート状態に応じて、前記
第１の論理回路と第２の論理回路の一方を選択して、選
択された論理回路からの制御パルスを出力させる選択回
路とを有して成る制御信号生成手段と、 を備えていることを特徴とする記録装置。
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