JPH08166295A - 温度センサ - Google Patents
温度センサInfo
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- JPH08166295A JPH08166295A JP6309197A JP30919794A JPH08166295A JP H08166295 A JPH08166295 A JP H08166295A JP 6309197 A JP6309197 A JP 6309197A JP 30919794 A JP30919794 A JP 30919794A JP H08166295 A JPH08166295 A JP H08166295A
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- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
- G01K7/18—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer
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- H01C—RESISTORS
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- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
- H01C17/0652—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component containing carbon or carbides
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 常温下で使用される安価な温度センサを提供
する。 【構成】 フェノール樹脂の積層板１を６４０〜７５０
°Ｃで炭化処理した後、この炭化物の両端にフェノール
やエポキシなどの熱硬化性樹脂をバインダとする銀ペー
ストを塗布し、該銀ペーストを硬化させることにより、
抵抗素子２の両端に電極３が一体形成されたチップタイ
プの温度センサを得た。また、前記炭化物の粉末とフェ
ノールやエポキシなどの熱硬化性樹脂からなるバインダ
とを混練してペースト化した後、このペーストをポイミ
ド等の耐熱性の高いベースフィルム４の端子５間に印刷
し、さらに該ペーストを低温で焼成することにより、ベ
ースフィルム４上に抵抗素子２が印刷形成された温度セ
ンサを得た。 【効果】 常温下での環境温度変化に対して大きな抵抗
値変化を示す。
する。 【構成】 フェノール樹脂の積層板１を６４０〜７５０
°Ｃで炭化処理した後、この炭化物の両端にフェノール
やエポキシなどの熱硬化性樹脂をバインダとする銀ペー
ストを塗布し、該銀ペーストを硬化させることにより、
抵抗素子２の両端に電極３が一体形成されたチップタイ
プの温度センサを得た。また、前記炭化物の粉末とフェ
ノールやエポキシなどの熱硬化性樹脂からなるバインダ
とを混練してペースト化した後、このペーストをポイミ
ド等の耐熱性の高いベースフィルム４の端子５間に印刷
し、さらに該ペーストを低温で焼成することにより、ベ
ースフィルム４上に抵抗素子２が印刷形成された温度セ
ンサを得た。 【効果】 常温下での環境温度変化に対して大きな抵抗
値変化を示す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、体温計や温度計等の常
温下で使用される温度センサに関する。
温下で使用される温度センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】温度センサとして一般的には、Ｐｔなど
の貴金属の抵抗変化を利用したものや、Ｍｎ，Ｃｏなど
の酸化物半導体を利用したものが知られているが、これ
らは原材料が高価であったり高温での焼成を必要とする
ため、温度センサの低コスト化を図る上で難点がある。
そこで、従来より、カーボンを感温抵抗素子として用い
た安価な温度センサが提案されており、その一例が特公
昭６２−２９００４号公報に開示されている。
の貴金属の抵抗変化を利用したものや、Ｍｎ，Ｃｏなど
の酸化物半導体を利用したものが知られているが、これ
らは原材料が高価であったり高温での焼成を必要とする
ため、温度センサの低コスト化を図る上で難点がある。
そこで、従来より、カーボンを感温抵抗素子として用い
た安価な温度センサが提案されており、その一例が特公
昭６２−２９００４号公報に開示されている。
【０００３】上記公報に記載された温度センサは、アセ
チレンガスを焼成・炭化させて採集したカーボン粉末を
エポキシ樹脂中に混合分散してペーストを得、このペー
ストをベースフィルム上に設けられた電極間に塗布した
後、該ペーストを焼き付けて電極間に感温抵抗素子を形
成するように構成されており、原理的には、感温抵抗素
子を測定対象物に接触させて熱平衡の状態にした時の抵
抗値を利用する温度センサである。
チレンガスを焼成・炭化させて採集したカーボン粉末を
エポキシ樹脂中に混合分散してペーストを得、このペー
ストをベースフィルム上に設けられた電極間に塗布した
後、該ペーストを焼き付けて電極間に感温抵抗素子を形
成するように構成されており、原理的には、感温抵抗素
子を測定対象物に接触させて熱平衡の状態にした時の抵
抗値を利用する温度センサである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来のカーボ
ン抵抗温度センサは、感温抵抗素子の原材料であるカー
ボン粉末が安価であり、比較的低温でペーストを焼き付
けることができるため、貴金属や酸化物半導体を利用し
た温度センサに比べてコストダウンを図ることができ
る。しかしながら、アセチレンガスを約１８００°Ｃの
高温で炭化処理したカーボン粉末の比抵抗は非常に小さ
く、環境温度変化に対する感温抵抗素子の抵抗値変化が
著しく小さいため、測定温度範囲が４．２〜２０（Ｋ）
程度の極低温に限られてしまい、常温下では測定不可能
であった。
ン抵抗温度センサは、感温抵抗素子の原材料であるカー
ボン粉末が安価であり、比較的低温でペーストを焼き付
けることができるため、貴金属や酸化物半導体を利用し
た温度センサに比べてコストダウンを図ることができ
る。しかしながら、アセチレンガスを約１８００°Ｃの
高温で炭化処理したカーボン粉末の比抵抗は非常に小さ
く、環境温度変化に対する感温抵抗素子の抵抗値変化が
著しく小さいため、測定温度範囲が４．２〜２０（Ｋ）
程度の極低温に限られてしまい、常温下では測定不可能
であった。
【０００５】本発明は、このような従来技術の実情に鑑
みてなされたもので、その目的は、常温下で使用される
安価な温度センサを提供することにある。
みてなされたもので、その目的は、常温下で使用される
安価な温度センサを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の温度センサは、電極間に配置される抵抗素
子として、炭化処理温度が６４０〜７５０°Ｃで０．０
６〜０．２７ｅＶの活性化エネルギーを有する炭化物を
用いた点に特徴がある。
に、本発明の温度センサは、電極間に配置される抵抗素
子として、炭化処理温度が６４０〜７５０°Ｃで０．０
６〜０．２７ｅＶの活性化エネルギーを有する炭化物を
用いた点に特徴がある。
【０００７】前記炭化物としては、フェノール樹脂、フ
リフリルアルコール、塩化ビニリデン、セルロース、木
などの難黒鉛化性材料が好ましく用いられ、この炭化物
はバルクまたは粉末の状態で抵抗素子として利用され
る。前者の場合は、炭化物バルクの両端に銀ペーストな
どの導電性ペーストを塗布し、該ペーストを硬化させる
ことにより、抵抗素子の両端に電極を有するチップ状の
温度センサが形成される。後者の場合は、炭化物の粉末
をバインダ樹脂に混合分散してペースト化し、このペー
ストをベースフィルムの端子間に印刷したり、一対のリ
ード線の先端にディップした後、炭化処理温度の下限値
である６４０°Ｃよりも低温で焼成することにより、ベ
ースフィルムやリード線に抵抗素子が直接形成された温
度センサを得る。
リフリルアルコール、塩化ビニリデン、セルロース、木
などの難黒鉛化性材料が好ましく用いられ、この炭化物
はバルクまたは粉末の状態で抵抗素子として利用され
る。前者の場合は、炭化物バルクの両端に銀ペーストな
どの導電性ペーストを塗布し、該ペーストを硬化させる
ことにより、抵抗素子の両端に電極を有するチップ状の
温度センサが形成される。後者の場合は、炭化物の粉末
をバインダ樹脂に混合分散してペースト化し、このペー
ストをベースフィルムの端子間に印刷したり、一対のリ
ード線の先端にディップした後、炭化処理温度の下限値
である６４０°Ｃよりも低温で焼成することにより、ベ
ースフィルムやリード線に抵抗素子が直接形成された温
度センサを得る。
【０００８】
【作用】本発明の温度センサにおいては、電極間に配置
される抵抗素子として、炭化処理温度が６４０〜７５０
°Ｃで０．０６〜０．２７ｅＶの活性化エネルギーを有
する炭化物を用いたことから、材料費や製造費を含めて
温度センサのトータルコストを著しく低減することがで
き、常温下での環境温度変化に対して大きな抵抗値変化
を示す。また、抵抗素子として用いられる炭化物の形態
がバルクであるかペーストであるかに拘らず、温度セン
サとして良好な特性を有する。
される抵抗素子として、炭化処理温度が６４０〜７５０
°Ｃで０．０６〜０．２７ｅＶの活性化エネルギーを有
する炭化物を用いたことから、材料費や製造費を含めて
温度センサのトータルコストを著しく低減することがで
き、常温下での環境温度変化に対して大きな抵抗値変化
を示す。また、抵抗素子として用いられる炭化物の形態
がバルクであるかペーストであるかに拘らず、温度セン
サとして良好な特性を有する。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図に基づいて説明す
る。図１は本発明の一実施例に係る温度センサの製造工
程を示す説明図であり、まず、図１（ａ）に示すフェノ
ール樹脂の積層板１を６４０〜７５０°Ｃで炭化処理
し、図１（ｂ）に示すように前記積層板１の炭化物であ
る抵抗素子２を得る。この抵抗素子２はバルクまたはペ
ースト化して利用され、抵抗素子２をバルクとして利用
する場合は、図１（ｃ）に示すように、抵抗素子２の両
端にフェノールやエポキシなどの熱硬化性樹脂をバイン
ダとする銀ペーストを塗布し、該銀ペーストを硬化させ
ることにより、抵抗素子２の両端に電極３が一体形成さ
れたチップタイプの温度センサを得る。この温度センサ
は、図示せぬプリント基板上に面実装したり、前記電極
３に図示せぬリード線を接続して使用される。一方、前
記抵抗素子２をペースト化して利用する場合は、抵抗素
子２の粉末とフェノールやエポキシなどの熱硬化性樹脂
からなるバインダとを混練してペースト化した後、例え
ば図１（ｄ）に示すように、このペーストをポリイミド
等の耐熱性の高いベースフィルム４の端子５間に印刷
し、さらに該ペーストを１２０〜２４０°Ｃで焼成する
ことにより、ベースフィルム４上に印刷形成された温度
センサを得る。あるいは、前記ペーストを図示せぬ一対
のリード線の先端にディップした後、該ペーストを１２
０〜２４０°Ｃで焼成しても良い。
る。図１は本発明の一実施例に係る温度センサの製造工
程を示す説明図であり、まず、図１（ａ）に示すフェノ
ール樹脂の積層板１を６４０〜７５０°Ｃで炭化処理
し、図１（ｂ）に示すように前記積層板１の炭化物であ
る抵抗素子２を得る。この抵抗素子２はバルクまたはペ
ースト化して利用され、抵抗素子２をバルクとして利用
する場合は、図１（ｃ）に示すように、抵抗素子２の両
端にフェノールやエポキシなどの熱硬化性樹脂をバイン
ダとする銀ペーストを塗布し、該銀ペーストを硬化させ
ることにより、抵抗素子２の両端に電極３が一体形成さ
れたチップタイプの温度センサを得る。この温度センサ
は、図示せぬプリント基板上に面実装したり、前記電極
３に図示せぬリード線を接続して使用される。一方、前
記抵抗素子２をペースト化して利用する場合は、抵抗素
子２の粉末とフェノールやエポキシなどの熱硬化性樹脂
からなるバインダとを混練してペースト化した後、例え
ば図１（ｄ）に示すように、このペーストをポリイミド
等の耐熱性の高いベースフィルム４の端子５間に印刷
し、さらに該ペーストを１２０〜２４０°Ｃで焼成する
ことにより、ベースフィルム４上に印刷形成された温度
センサを得る。あるいは、前記ペーストを図示せぬ一対
のリード線の先端にディップした後、該ペーストを１２
０〜２４０°Ｃで焼成しても良い。
【００１０】このように構成された温度センサは、抵抗
素子２の原材料としてフェノール樹脂を用いているた
め、貴金属や酸化物半導体を利用した温度センサに比べ
て著しいコストダウンを図ることができる。また、抵抗
素子２の活性化エネルギーが０．０６〜０．２７ｅＶ
で、環境温度による抵抗値変化が酸化物半導体のレベル
まで大きいため、常温下での温度測定に供することがで
きる。また、抵抗素子２をバルクとして用いた場合とペ
ースト化した場合とでほぼ同様な特性が得られるため、
使用目的に応じて種々の温度センサを提供することがで
きる。
素子２の原材料としてフェノール樹脂を用いているた
め、貴金属や酸化物半導体を利用した温度センサに比べ
て著しいコストダウンを図ることができる。また、抵抗
素子２の活性化エネルギーが０．０６〜０．２７ｅＶ
で、環境温度による抵抗値変化が酸化物半導体のレベル
まで大きいため、常温下での温度測定に供することがで
きる。また、抵抗素子２をバルクとして用いた場合とペ
ースト化した場合とでほぼ同様な特性が得られるため、
使用目的に応じて種々の温度センサを提供することがで
きる。
【００１１】前記抵抗素子２の炭化温度を６４０〜７５
０°Ｃの範囲に特定するのに際し、以下の実験を行っ
た。まず、原材料としてのフェノール樹脂積層板を空気
中で１時間，４００°Ｃで焼成して酸化処理した後、こ
のフェノール樹脂積層板を真空ポンプで脱気しながら３
時間，６００°Ｃ、６２０°Ｃ、６４０°Ｃ、６６０°
Ｃ、７００°Ｃ、７５０°Ｃ、８５０°Ｃの各温度で熱
処理し、炭化処理温度の異なる７種類の炭化物を製造し
た。次いで、各炭化物のバルク（以下、バルク抵抗素子
と称す）と各炭化物の粉末を含むペーストの焼成物（以
下、ペースト抵抗素子と称す）とについて、それぞれ比
抵抗と温度特性を測定した。ここで各ペースト抵抗素子
は、各炭化物の粉末（０．３ｇ）にキシレン変性フェノ
ール樹脂（０．４４ｇ）とカルビトール（０．１２ｇ）
およびアセトン（適量）をかっこ内の配合比で加え、ア
セトンが蒸発揮散するまで混練してペースト化した後、
このペーストを銅張ポリイミドフィルムに滴下して２２
分間，２００°Ｃで焼成して形成した。
０°Ｃの範囲に特定するのに際し、以下の実験を行っ
た。まず、原材料としてのフェノール樹脂積層板を空気
中で１時間，４００°Ｃで焼成して酸化処理した後、こ
のフェノール樹脂積層板を真空ポンプで脱気しながら３
時間，６００°Ｃ、６２０°Ｃ、６４０°Ｃ、６６０°
Ｃ、７００°Ｃ、７５０°Ｃ、８５０°Ｃの各温度で熱
処理し、炭化処理温度の異なる７種類の炭化物を製造し
た。次いで、各炭化物のバルク（以下、バルク抵抗素子
と称す）と各炭化物の粉末を含むペーストの焼成物（以
下、ペースト抵抗素子と称す）とについて、それぞれ比
抵抗と温度特性を測定した。ここで各ペースト抵抗素子
は、各炭化物の粉末（０．３ｇ）にキシレン変性フェノ
ール樹脂（０．４４ｇ）とカルビトール（０．１２ｇ）
およびアセトン（適量）をかっこ内の配合比で加え、ア
セトンが蒸発揮散するまで混練してペースト化した後、
このペーストを銅張ポリイミドフィルムに滴下して２２
分間，２００°Ｃで焼成して形成した。
【００１２】 比抵抗の測定結果 バルク抵抗素子の比抵抗ρは、炭化物の両端に定電圧Ｉ
（０．１ｍＡ）を印加し、その内側の長さＬ（０．８ｍ
ｍ）位置で測定される電圧Ｖから抵抗値Ｒ＝Ｖ／Ｉとし
て求め、この抵抗値Ｒと炭化物の幅Ｗ，厚さＴから、 ρ＝Ｒ・Ｗ・Ｔ／Ｌ として求めた。ペースト抵抗素子の比抵抗ρは、各焼成
物の長さＬ，幅Ｗ，厚さＴと抵抗値Ｒとを測定し、 ρ＝Ｒ・Ｗ・Ｔ／Ｌ として求めた。図２はこれらの測定結果を示す図であ
り、縦軸に比抵抗、横軸に炭化温度をとってある。同図
から明らかなように、バルク抵抗素子とペースト抵抗素
子は、それぞれ炭化処理温度が高くなるのに従ってその
比抵抗が対数的に減少し、その値は黒鉛のＣ軸方向の比
抵抗に対して数桁大きな値となっている。また、６４０
〜８５０°Ｃの各炭化処理温度において、ペースト抵抗
素子の比抵抗はそれぞれバルク抵抗素子の比抵抗に対し
て約２桁大きな値となっている。なお、炭化処理温度が
６００°Ｃと６２０°Ｃのサンプルについては、絶縁抵
抗が高すぎて測定の限界を超えた。
（０．１ｍＡ）を印加し、その内側の長さＬ（０．８ｍ
ｍ）位置で測定される電圧Ｖから抵抗値Ｒ＝Ｖ／Ｉとし
て求め、この抵抗値Ｒと炭化物の幅Ｗ，厚さＴから、 ρ＝Ｒ・Ｗ・Ｔ／Ｌ として求めた。ペースト抵抗素子の比抵抗ρは、各焼成
物の長さＬ，幅Ｗ，厚さＴと抵抗値Ｒとを測定し、 ρ＝Ｒ・Ｗ・Ｔ／Ｌ として求めた。図２はこれらの測定結果を示す図であ
り、縦軸に比抵抗、横軸に炭化温度をとってある。同図
から明らかなように、バルク抵抗素子とペースト抵抗素
子は、それぞれ炭化処理温度が高くなるのに従ってその
比抵抗が対数的に減少し、その値は黒鉛のＣ軸方向の比
抵抗に対して数桁大きな値となっている。また、６４０
〜８５０°Ｃの各炭化処理温度において、ペースト抵抗
素子の比抵抗はそれぞれバルク抵抗素子の比抵抗に対し
て約２桁大きな値となっている。なお、炭化処理温度が
６００°Ｃと６２０°Ｃのサンプルについては、絶縁抵
抗が高すぎて測定の限界を超えた。
【００１３】 温度特性の測定結果 バルク抵抗素子とペースト抵抗素子をそれぞれ２０°
Ｃ、０°Ｃ、−２０°Ｃ、−４０°Ｃ、２０°Ｃ（基
準）、４０°Ｃ、７０°Ｃ、８５°Ｃ、２０°Ｃの環境
下に順次放置し、その時の抵抗値を測定した。図３はそ
の測定結果を示す図であり、縦軸に比抵抗、横軸に環境
温度をとってある。同図から明らかなように、比抵抗の
対数と環境温度の逆数は正比例の関係にあり、その傾き
は同じ炭化処理温度のバルク抵抗素子とペースト抵抗素
子とで一致している。また、炭化処理温度が高くなるに
従ってその傾きは小さくなる。このように比抵抗の対数
と環境温度の逆数は正比例の関係にあることから、バル
ク抵抗素子とペースト抵抗素子は半導体に関する簡単な
式 ρT＝ρ∞・ＥＸＰ（ΔＥ／２ｋＴ）…………（１） Ｔ；絶対温度、ｋ；ボルツマン定数、ρ∞，ΔＥ；定数 に従うものと考えられる。そこで、図３の測定結果を
（１）式に代入してρ∞とΔＥを計算すると、
Ｃ、０°Ｃ、−２０°Ｃ、−４０°Ｃ、２０°Ｃ（基
準）、４０°Ｃ、７０°Ｃ、８５°Ｃ、２０°Ｃの環境
下に順次放置し、その時の抵抗値を測定した。図３はそ
の測定結果を示す図であり、縦軸に比抵抗、横軸に環境
温度をとってある。同図から明らかなように、比抵抗の
対数と環境温度の逆数は正比例の関係にあり、その傾き
は同じ炭化処理温度のバルク抵抗素子とペースト抵抗素
子とで一致している。また、炭化処理温度が高くなるに
従ってその傾きは小さくなる。このように比抵抗の対数
と環境温度の逆数は正比例の関係にあることから、バル
ク抵抗素子とペースト抵抗素子は半導体に関する簡単な
式 ρT＝ρ∞・ＥＸＰ（ΔＥ／２ｋＴ）…………（１） Ｔ；絶対温度、ｋ；ボルツマン定数、ρ∞，ΔＥ；定数 に従うものと考えられる。そこで、図３の測定結果を
（１）式に代入してρ∞とΔＥを計算すると、
【００１４】
【表１】
【００１５】のようになる。
【００１６】この表１から、炭化処理温度が７５０°Ｃ
を超えると、活性化エネルギーΔＥが０．０６（ｅＶ）
よりも小さくなり、環境温度による抵抗値変化が小さす
ぎて常温での使用に不適であることがわかる。したがっ
て、以上の比抵抗と温度特性の測定結果より、抵抗素子
２として炭化処理温度が６４０〜７５０°Ｃで、０．０
６〜０．２７ｅＶの活性化エネルギーを有する炭化物を
使用すれば、その形態がバルクであるかペーストである
かに拘らず、常温下での温度センサとして良好な特性を
有することが明らかとなる。
を超えると、活性化エネルギーΔＥが０．０６（ｅＶ）
よりも小さくなり、環境温度による抵抗値変化が小さす
ぎて常温での使用に不適であることがわかる。したがっ
て、以上の比抵抗と温度特性の測定結果より、抵抗素子
２として炭化処理温度が６４０〜７５０°Ｃで、０．０
６〜０．２７ｅＶの活性化エネルギーを有する炭化物を
使用すれば、その形態がバルクであるかペーストである
かに拘らず、常温下での温度センサとして良好な特性を
有することが明らかとなる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電極間に配置される抵抗素子として、炭化処理温度が６
４０〜７５０°Ｃで０．０６〜０．２７ｅＶの活性化エ
ネルギーを有する炭化物を用いたことから、材料費や製
造費を含めて温度センサのトータルコストを著しく低減
することができると共に、常温下での環境温度変化に対
して大きな抵抗値変化を示すため、常温使用タイプの温
度センサを安価に提供することができる。また、前記炭
化物をバルクのまま抵抗素子として用いた場合と、炭化
物の粉末をバインダ樹脂に混合分散してペースト化し、
このペーストを焼成して抵抗素子として用いた場合と
で、ほぼ同様の特性を示すことから、使用目的に応じた
種々のタイプの温度センサを提供することができる。
電極間に配置される抵抗素子として、炭化処理温度が６
４０〜７５０°Ｃで０．０６〜０．２７ｅＶの活性化エ
ネルギーを有する炭化物を用いたことから、材料費や製
造費を含めて温度センサのトータルコストを著しく低減
することができると共に、常温下での環境温度変化に対
して大きな抵抗値変化を示すため、常温使用タイプの温
度センサを安価に提供することができる。また、前記炭
化物をバルクのまま抵抗素子として用いた場合と、炭化
物の粉末をバインダ樹脂に混合分散してペースト化し、
このペーストを焼成して抵抗素子として用いた場合と
で、ほぼ同様の特性を示すことから、使用目的に応じた
種々のタイプの温度センサを提供することができる。
【図１】本発明の一実施例に係る温度センサの製造工程
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図２】比抵抗と炭化温度の関係を示す説明図である。
【図３】比抵抗と環境温度の関係を示す説明図である。
１ 積層板 ２ 抵抗素子 ３ 電極 ４ ベースフィルム ５ 端子
Claims (3)
- 【請求項１】 電極間に配置される抵抗素子が６４０〜
７５０°Ｃで炭化処理された炭化物からなり、この炭化
物が０．０６〜０．２７ｅＶの活性化エネルギーを有す
ることを特徴とする温度センサ。 - 【請求項２】 請求項１の記載において、前記炭化物が
難黒鉛化性材料であることを特徴とする温度センサ。 - 【請求項３】 請求項１または２の記載において、前記
炭化物の粉末をバインダ樹脂に混合分散してペースト化
し、このペーストを６４０°Ｃよりも低温で焼成したこ
とを特徴とする温度センサ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30919794A JP3167559B2 (ja) | 1994-12-13 | 1994-12-13 | 温度センサ |
| KR1019950047023A KR0153204B1 (ko) | 1994-12-13 | 1995-12-06 | 온도센서 |
| DE19546164A DE19546164C2 (de) | 1994-12-13 | 1995-12-11 | Temperaturfühler |
| US08/570,793 US6004485A (en) | 1994-12-13 | 1995-12-12 | Method for making a temperature sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Cited By (2)
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