JP3167559B2 - 温度センサ - Google Patents
温度センサInfo
- Publication number
- JP3167559B2 JP3167559B2 JP30919794A JP30919794A JP3167559B2 JP 3167559 B2 JP3167559 B2 JP 3167559B2 JP 30919794 A JP30919794 A JP 30919794A JP 30919794 A JP30919794 A JP 30919794A JP 3167559 B2 JP3167559 B2 JP 3167559B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- paste
- temperature sensor
- resistance element
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
- G01K7/18—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
- H01C17/0652—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component containing carbon or carbides
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
- G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、体温計や温度計等の常
温下で使用される温度センサに関する。
温下で使用される温度センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】温度センサとして一般的には、Ｐｔなど
の貴金属の抵抗変化を利用したものや、Ｍｎ，Ｃｏなど
の酸化物半導体を利用したものが知られているが、これ
らは原材料が高価であったり高温での焼成を必要とする
ため、温度センサの低コスト化を図る上で難点がある。
そこで、従来より、カーボンを感温抵抗素子として用い
た安価な温度センサが提案されており、その一例が特公
昭６２−２９００４号公報に開示されている。
の貴金属の抵抗変化を利用したものや、Ｍｎ，Ｃｏなど
の酸化物半導体を利用したものが知られているが、これ
らは原材料が高価であったり高温での焼成を必要とする
ため、温度センサの低コスト化を図る上で難点がある。
そこで、従来より、カーボンを感温抵抗素子として用い
た安価な温度センサが提案されており、その一例が特公
昭６２−２９００４号公報に開示されている。
【０００３】上記公報に記載された温度センサは、アセ
チレンガスを焼成・炭化させて採集したカーボン粉末を
エポキシ樹脂中に混合分散してペーストを得、このペー
ストをベースフィルム上に設けられた電極間に塗布した
後、該ペーストを焼き付けて電極間に感温抵抗素子を形
成するように構成されており、原理的には、感温抵抗素
子を測定対象物に接触させて熱平衡の状態にした時の抵
抗値を利用する温度センサである。
チレンガスを焼成・炭化させて採集したカーボン粉末を
エポキシ樹脂中に混合分散してペーストを得、このペー
ストをベースフィルム上に設けられた電極間に塗布した
後、該ペーストを焼き付けて電極間に感温抵抗素子を形
成するように構成されており、原理的には、感温抵抗素
子を測定対象物に接触させて熱平衡の状態にした時の抵
抗値を利用する温度センサである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来のカーボ
ン抵抗温度センサは、感温抵抗素子の原材料であるカー
ボン粉末が安価であり、比較的低温でペーストを焼き付
けることができるため、貴金属や酸化物半導体を利用し
た温度センサに比べてコストダウンを図ることができ
る。しかしながら、アセチレンガスを約１８００°Ｃの
高温で炭化処理したカーボン粉末の比抵抗は非常に小さ
く、環境温度変化に対する感温抵抗素子の抵抗値変化が
著しく小さいため、測定温度範囲が４．２〜２０（Ｋ）
程度の極低温に限られてしまい、常温下では測定不可能
であった。
ン抵抗温度センサは、感温抵抗素子の原材料であるカー
ボン粉末が安価であり、比較的低温でペーストを焼き付
けることができるため、貴金属や酸化物半導体を利用し
た温度センサに比べてコストダウンを図ることができ
る。しかしながら、アセチレンガスを約１８００°Ｃの
高温で炭化処理したカーボン粉末の比抵抗は非常に小さ
く、環境温度変化に対する感温抵抗素子の抵抗値変化が
著しく小さいため、測定温度範囲が４．２〜２０（Ｋ）
程度の極低温に限られてしまい、常温下では測定不可能
であった。
【０００５】本発明は、このような従来技術の実情に鑑
みてなされたもので、その目的は、常温下で使用される
安価な温度センサを提供することにある。
みてなされたもので、その目的は、常温下で使用される
安価な温度センサを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の温度センサは、電極間に配置される抵抗素
子として、６４０〜７５０°Ｃで炭化処理されて０．０
６〜０．２７ｅＶの活性化エネルギーを有する炭化物の
粉末をバインダ樹脂に混合分散してペースト化し、この
ペーストを６４０°Ｃよりも低温で焼成して形成される
ものを用いた点に特徴がある。
に、本発明の温度センサは、電極間に配置される抵抗素
子として、６４０〜７５０°Ｃで炭化処理されて０．０
６〜０．２７ｅＶの活性化エネルギーを有する炭化物の
粉末をバインダ樹脂に混合分散してペースト化し、この
ペーストを６４０°Ｃよりも低温で焼成して形成される
ものを用いた点に特徴がある。
【０００７】前記炭化物としては、フェノール樹脂、フ
リフリルアルコール、塩化ビニリデン、セルロース、木
などが用いられ、この炭化物の粉末をバインダ樹脂に混
合分散してペースト化し、このペーストをベースフィル
ムの端子間に印刷したり、一対のリード線の先端にディ
ップした後、炭化処理温度の下限値である６４０°Ｃよ
りも低温で焼成することにより、ベースフィルムやリー
ド線に抵抗素子が直接形成された温度センサを得る。
リフリルアルコール、塩化ビニリデン、セルロース、木
などが用いられ、この炭化物の粉末をバインダ樹脂に混
合分散してペースト化し、このペーストをベースフィル
ムの端子間に印刷したり、一対のリード線の先端にディ
ップした後、炭化処理温度の下限値である６４０°Ｃよ
りも低温で焼成することにより、ベースフィルムやリー
ド線に抵抗素子が直接形成された温度センサを得る。
【０００８】
【作用】本発明の温度センサにおいては、電極間に配置
される抵抗素子として、６４０〜７５０°Ｃで炭化処理
されて０．０６〜０．２７ｅＶの活性化エネルギーを有
する炭化物の粉末をバインダ樹脂に混合分散してペース
ト化し、このペーストを６４０°Ｃよりも低温で焼成し
て形成されるものを用いたことから、材料費や製造費を
含めて温度センサのトータルコストを著しく低減するこ
とができ、常温下での環境温度変化に対して大きな抵抗
値変化を示す。また、炭化物の形態がペーストであって
も、バルクの場合と同様に温度センサとして良好な特性
を有する。
される抵抗素子として、６４０〜７５０°Ｃで炭化処理
されて０．０６〜０．２７ｅＶの活性化エネルギーを有
する炭化物の粉末をバインダ樹脂に混合分散してペース
ト化し、このペーストを６４０°Ｃよりも低温で焼成し
て形成されるものを用いたことから、材料費や製造費を
含めて温度センサのトータルコストを著しく低減するこ
とができ、常温下での環境温度変化に対して大きな抵抗
値変化を示す。また、炭化物の形態がペーストであって
も、バルクの場合と同様に温度センサとして良好な特性
を有する。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図に基づいて説明す
る。図１は本発明の一実施例に係る温度センサの製造工
程を示す説明図であり、まず、図１（ａ）に示すフェノ
ール樹脂の積層板１を６４０〜７５０°Ｃで炭化処理
し、図１（ｂ）に示すように前記積層板１の炭化物であ
る抵抗素子２を得る。この抵抗素子２はバルクまたはペ
ースト化して利用され、抵抗素子２をバルクとして利用
する場合は、図１（ｃ）に示すように、抵抗素子２の両
端にフェノールやエポキシなどの熱硬化性樹脂をバイン
ダとする銀ペーストを塗布し、該銀ペーストを硬化させ
ることにより、抵抗素子２の両端に電極３が一体形成さ
れたチップタイプの温度センサを得る。この温度センサ
は、図示せぬプリント基板上に面実装したり、前記電極
３に図示せぬリード線を接続して使用される。一方、前
記抵抗素子２をペースト化して利用する場合は、抵抗素
子２の粉末とフェノールやエポキシなどの熱硬化性樹脂
からなるバインダとを混練してペースト化した後、例え
ば図１（ｄ）に示すように、このペーストをポリイミド
等の耐熱性の高いベースフィルム４の端子５間に印刷
し、さらに該ペーストを１２０〜２４０°Ｃで焼成する
ことにより、ベースフィルム４上に印刷形成された温度
センサを得る。あるいは、前記ペーストを図示せぬ一対
のリード線の先端にディップした後、該ペーストを１２
０〜２４０°Ｃで焼成しても良い。
る。図１は本発明の一実施例に係る温度センサの製造工
程を示す説明図であり、まず、図１（ａ）に示すフェノ
ール樹脂の積層板１を６４０〜７５０°Ｃで炭化処理
し、図１（ｂ）に示すように前記積層板１の炭化物であ
る抵抗素子２を得る。この抵抗素子２はバルクまたはペ
ースト化して利用され、抵抗素子２をバルクとして利用
する場合は、図１（ｃ）に示すように、抵抗素子２の両
端にフェノールやエポキシなどの熱硬化性樹脂をバイン
ダとする銀ペーストを塗布し、該銀ペーストを硬化させ
ることにより、抵抗素子２の両端に電極３が一体形成さ
れたチップタイプの温度センサを得る。この温度センサ
は、図示せぬプリント基板上に面実装したり、前記電極
３に図示せぬリード線を接続して使用される。一方、前
記抵抗素子２をペースト化して利用する場合は、抵抗素
子２の粉末とフェノールやエポキシなどの熱硬化性樹脂
からなるバインダとを混練してペースト化した後、例え
ば図１（ｄ）に示すように、このペーストをポリイミド
等の耐熱性の高いベースフィルム４の端子５間に印刷
し、さらに該ペーストを１２０〜２４０°Ｃで焼成する
ことにより、ベースフィルム４上に印刷形成された温度
センサを得る。あるいは、前記ペーストを図示せぬ一対
のリード線の先端にディップした後、該ペーストを１２
０〜２４０°Ｃで焼成しても良い。
【００１０】このように構成された温度センサは、抵抗
素子２の原材料としてフェノール樹脂を用いているた
め、貴金属や酸化物半導体を利用した温度センサに比べ
て著しいコストダウンを図ることができる。また、抵抗
素子２の活性化エネルギーが０．０６〜０．２７ｅＶ
で、環境温度による抵抗値変化が酸化物半導体のレベル
まで大きいため、常温下での温度測定に供することがで
きる。また、抵抗素子２をバルクとして用いた場合とペ
ースト化した場合とでほぼ同様な特性が得られるため、
使用目的に応じて種々の温度センサを提供することがで
きる。
素子２の原材料としてフェノール樹脂を用いているた
め、貴金属や酸化物半導体を利用した温度センサに比べ
て著しいコストダウンを図ることができる。また、抵抗
素子２の活性化エネルギーが０．０６〜０．２７ｅＶ
で、環境温度による抵抗値変化が酸化物半導体のレベル
まで大きいため、常温下での温度測定に供することがで
きる。また、抵抗素子２をバルクとして用いた場合とペ
ースト化した場合とでほぼ同様な特性が得られるため、
使用目的に応じて種々の温度センサを提供することがで
きる。
【００１１】前記抵抗素子２の炭化温度を６４０〜７５
０°Ｃの範囲に特定するのに際し、以下の実験を行っ
た。まず、原材料としてのフェノール樹脂積層板を空気
中で１時間，４００°Ｃで焼成して酸化処理した後、こ
のフェノール樹脂積層板を真空ポンプで脱気しながら３
時間，６００°Ｃ、６２０°Ｃ、６４０°Ｃ、６６０°
Ｃ、７００°Ｃ、７５０°Ｃ、８５０°Ｃの各温度で熱
処理し、炭化処理温度の異なる７種類の炭化物を製造し
た。次いで、各炭化物のバルク（以下、バルク抵抗素子
と称す）と各炭化物の粉末を含むペーストの焼成物（以
下、ペースト抵抗素子と称す）とについて、それぞれ比
抵抗と温度特性を測定した。ここで各ペースト抵抗素子
は、各炭化物の粉末（０．３ｇ）にキシレン変性フェノ
ール樹脂（０．４４ｇ）とカルビトール（０．１２ｇ）
およびアセトン（適量）をかっこ内の配合比で加え、ア
セトンが蒸発揮散するまで混練してペースト化した後、
このペーストを銅張ポリイミドフィルムに滴下して２２
分間，２００°Ｃで焼成して形成した。
０°Ｃの範囲に特定するのに際し、以下の実験を行っ
た。まず、原材料としてのフェノール樹脂積層板を空気
中で１時間，４００°Ｃで焼成して酸化処理した後、こ
のフェノール樹脂積層板を真空ポンプで脱気しながら３
時間，６００°Ｃ、６２０°Ｃ、６４０°Ｃ、６６０°
Ｃ、７００°Ｃ、７５０°Ｃ、８５０°Ｃの各温度で熱
処理し、炭化処理温度の異なる７種類の炭化物を製造し
た。次いで、各炭化物のバルク（以下、バルク抵抗素子
と称す）と各炭化物の粉末を含むペーストの焼成物（以
下、ペースト抵抗素子と称す）とについて、それぞれ比
抵抗と温度特性を測定した。ここで各ペースト抵抗素子
は、各炭化物の粉末（０．３ｇ）にキシレン変性フェノ
ール樹脂（０．４４ｇ）とカルビトール（０．１２ｇ）
およびアセトン（適量）をかっこ内の配合比で加え、ア
セトンが蒸発揮散するまで混練してペースト化した後、
このペーストを銅張ポリイミドフィルムに滴下して２２
分間，２００°Ｃで焼成して形成した。
【００１２】 比抵抗の測定結果 バルク抵抗素子の比抵抗ρは、炭化物の両端に定電圧Ｉ
（０．１ｍＡ）を印加し、その内側の長さＬ（０．８ｍ
ｍ）位置で測定される電圧Ｖから抵抗値Ｒ＝Ｖ／Ｉとし
て求め、この抵抗値Ｒと炭化物の幅Ｗ，厚さＴから、 ρ＝Ｒ・Ｗ・Ｔ／Ｌ として求めた。ペースト抵抗素子の比抵抗ρは、各焼成
物の長さＬ，幅Ｗ，厚さＴと抵抗値Ｒとを測定し、 ρ＝Ｒ・Ｗ・Ｔ／Ｌ として求めた。図２はこれらの測定結果を示す図であ
り、縦軸に比抵抗、横軸に炭化温度をとってある。同図
から明らかなように、バルク抵抗素子とペースト抵抗素
子は、それぞれ炭化処理温度が高くなるのに従ってその
比抵抗が対数的に減少し、その値は黒鉛のＣ軸方向の比
抵抗に対して数桁大きな値となっている。また、６４０
〜８５０°Ｃの各炭化処理温度において、ペースト抵抗
素子の比抵抗はそれぞれバルク抵抗素子の比抵抗に対し
て約２桁大きな値となっている。なお、炭化処理温度が
６００°Ｃと６２０°Ｃのサンプルについては、絶縁抵
抗が高すぎて測定の限界を超えた。
（０．１ｍＡ）を印加し、その内側の長さＬ（０．８ｍ
ｍ）位置で測定される電圧Ｖから抵抗値Ｒ＝Ｖ／Ｉとし
て求め、この抵抗値Ｒと炭化物の幅Ｗ，厚さＴから、 ρ＝Ｒ・Ｗ・Ｔ／Ｌ として求めた。ペースト抵抗素子の比抵抗ρは、各焼成
物の長さＬ，幅Ｗ，厚さＴと抵抗値Ｒとを測定し、 ρ＝Ｒ・Ｗ・Ｔ／Ｌ として求めた。図２はこれらの測定結果を示す図であ
り、縦軸に比抵抗、横軸に炭化温度をとってある。同図
から明らかなように、バルク抵抗素子とペースト抵抗素
子は、それぞれ炭化処理温度が高くなるのに従ってその
比抵抗が対数的に減少し、その値は黒鉛のＣ軸方向の比
抵抗に対して数桁大きな値となっている。また、６４０
〜８５０°Ｃの各炭化処理温度において、ペースト抵抗
素子の比抵抗はそれぞれバルク抵抗素子の比抵抗に対し
て約２桁大きな値となっている。なお、炭化処理温度が
６００°Ｃと６２０°Ｃのサンプルについては、絶縁抵
抗が高すぎて測定の限界を超えた。
【００１３】 温度特性の測定結果 バルク抵抗素子とペースト抵抗素子をそれぞれ２０°
Ｃ、０°Ｃ、−２０°Ｃ、−４０°Ｃ、２０°Ｃ（基
準）、４０°Ｃ、７０°Ｃ、８５°Ｃ、２０°Ｃの環境
下に順次放置し、その時の抵抗値を測定した。図３はそ
の測定結果を示す図であり、縦軸に比抵抗、横軸に環境
温度をとってある。同図から明らかなように、比抵抗の
対数と環境温度の逆数は正比例の関係にあり、その傾き
は同じ炭化処理温度のバルク抵抗素子とペースト抵抗素
子とで一致している。また、炭化処理温度が高くなるに
従ってその傾きは小さくなる。このように比抵抗の対数
と環境温度の逆数は正比例の関係にあることから、バル
ク抵抗素子とペースト抵抗素子は半導体に関する簡単な
式 ρT＝ρ∞・ＥＸＰ（ΔＥ／２ｋＴ）…………（１） Ｔ；絶対温度、ｋ；ボルツマン定数、ρ∞，ΔＥ；定数 に従うものと考えられる。そこで、図３の測定結果を
（１）式に代入してρ∞とΔＥを計算すると、
Ｃ、０°Ｃ、−２０°Ｃ、−４０°Ｃ、２０°Ｃ（基
準）、４０°Ｃ、７０°Ｃ、８５°Ｃ、２０°Ｃの環境
下に順次放置し、その時の抵抗値を測定した。図３はそ
の測定結果を示す図であり、縦軸に比抵抗、横軸に環境
温度をとってある。同図から明らかなように、比抵抗の
対数と環境温度の逆数は正比例の関係にあり、その傾き
は同じ炭化処理温度のバルク抵抗素子とペースト抵抗素
子とで一致している。また、炭化処理温度が高くなるに
従ってその傾きは小さくなる。このように比抵抗の対数
と環境温度の逆数は正比例の関係にあることから、バル
ク抵抗素子とペースト抵抗素子は半導体に関する簡単な
式 ρT＝ρ∞・ＥＸＰ（ΔＥ／２ｋＴ）…………（１） Ｔ；絶対温度、ｋ；ボルツマン定数、ρ∞，ΔＥ；定数 に従うものと考えられる。そこで、図３の測定結果を
（１）式に代入してρ∞とΔＥを計算すると、
【００１４】
【表１】
【００１５】のようになる。
【００１６】この表１から、炭化処理温度が７５０°Ｃ
を超えると、活性化エネルギーΔＥが０．０６（ｅＶ）
よりも小さくなり、環境温度による抵抗値変化が小さす
ぎて常温での使用に不適であることがわかる。したがっ
て、以上の比抵抗と温度特性の測定結果より、抵抗素子
２として炭化処理温度が６４０〜７５０°Ｃで、０．０
６〜０．２７ｅＶの活性化エネルギーを有する炭化物を
使用すれば、その形態がバルクであるかペーストである
かに拘らず、常温下での温度センサとして良好な特性を
有することが明らかとなる。
を超えると、活性化エネルギーΔＥが０．０６（ｅＶ）
よりも小さくなり、環境温度による抵抗値変化が小さす
ぎて常温での使用に不適であることがわかる。したがっ
て、以上の比抵抗と温度特性の測定結果より、抵抗素子
２として炭化処理温度が６４０〜７５０°Ｃで、０．０
６〜０．２７ｅＶの活性化エネルギーを有する炭化物を
使用すれば、その形態がバルクであるかペーストである
かに拘らず、常温下での温度センサとして良好な特性を
有することが明らかとなる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電極間に配置される抵抗素子として、６４０〜７５０°
Ｃで炭化処理されて０．０６〜０．２７ｅＶの活性化エ
ネルギーを有する炭化物の粉末をバインダ樹脂に混合分
散してペースト化し、このペーストを６４０°Ｃよりも
低温で焼成して形成されるものを用いたことから、材料
費や製造費を含めて温度センサのトータルコストを著し
く低減することができると共に、常温下での環境温度変
化に対して大きな抵抗値変化を示すため、常温使用タイ
プの温度センサを安価に提供することができる。また、
前記炭化物の形態がペーストであるのにも拘らず、バル
クの場合と同様に温度センサとして良好な特性を有する
ことから、使用目的に応じた種々のタイプの温度センサ
を提供することができる。
電極間に配置される抵抗素子として、６４０〜７５０°
Ｃで炭化処理されて０．０６〜０．２７ｅＶの活性化エ
ネルギーを有する炭化物の粉末をバインダ樹脂に混合分
散してペースト化し、このペーストを６４０°Ｃよりも
低温で焼成して形成されるものを用いたことから、材料
費や製造費を含めて温度センサのトータルコストを著し
く低減することができると共に、常温下での環境温度変
化に対して大きな抵抗値変化を示すため、常温使用タイ
プの温度センサを安価に提供することができる。また、
前記炭化物の形態がペーストであるのにも拘らず、バル
クの場合と同様に温度センサとして良好な特性を有する
ことから、使用目的に応じた種々のタイプの温度センサ
を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例に係る温度センサの製造工程
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図２】比抵抗と炭化温度の関係を示す説明図である。
【図３】比抵抗と環境温度の関係を示す説明図である。
１ 積層板 ２ 抵抗素子 ３ 電極 ４ ベースフィルム ５ 端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−124221（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−106602（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−263605（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−132001（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−38430（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−3905（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−31983（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−64758（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−230470（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−38004（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01K 7/16
Claims (1)
- 【請求項１】 電極間に配置される抵抗素子からなり、
この抵抗素子は、６４０〜７５０°Ｃで炭化処理されて
０．０６〜０．２７ｅＶの活性化エネルギーを有する炭
化物の粉末をバインダ樹脂に混合分散してペースト化
し、このペーストを６４０°Ｃよりも低温で焼成して形
成されることを特徴とする温度センサ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30919794A JP3167559B2 (ja) | 1994-12-13 | 1994-12-13 | 温度センサ |
| KR1019950047023A KR0153204B1 (ko) | 1994-12-13 | 1995-12-06 | 온도센서 |
| DE19546164A DE19546164C2 (de) | 1994-12-13 | 1995-12-11 | Temperaturfühler |
| US08/570,793 US6004485A (en) | 1994-12-13 | 1995-12-12 | Method for making a temperature sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30919794A JP3167559B2 (ja) | 1994-12-13 | 1994-12-13 | 温度センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08166295A JPH08166295A (ja) | 1996-06-25 |
| JP3167559B2 true JP3167559B2 (ja) | 2001-05-21 |
Family
ID=17990102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30919794A Expired - Fee Related JP3167559B2 (ja) | 1994-12-13 | 1994-12-13 | 温度センサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6004485A (ja) |
| JP (1) | JP3167559B2 (ja) |
| KR (1) | KR0153204B1 (ja) |
| DE (1) | DE19546164C2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19708210C2 (de) * | 1997-02-28 | 2003-01-30 | Inter Control Koehler Hermann | Regler, insbesondere Temperaturregler wie Raumtemperaturregler |
| DE19736855A1 (de) * | 1997-08-23 | 1999-02-25 | Philips Patentverwaltung | Schaltungsanordnung mit einem SMD-Bauelement, insbesondere Temperatursensor und Verfahren zur Herstellung eines Temperatursensors |
| DE19750123C2 (de) * | 1997-11-13 | 2000-09-07 | Heraeus Electro Nite Int | Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung für die Temperaturmessung |
| JP4221772B2 (ja) | 1998-05-22 | 2009-02-12 | パナソニック株式会社 | 感温センサおよびそれを用いた電子機器 |
| KR100475590B1 (ko) * | 2002-11-13 | 2005-03-11 | 김영호 | 칼코게나이드 비정질 반도체를 이용한 박막온도센서 및 그제조방법 |
| US11280685B2 (en) | 2018-10-01 | 2022-03-22 | Goodrich Corporation | Additive manufactured resistance temperature detector |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1403803A (en) * | 1919-07-12 | 1922-01-17 | Western Electric Co | Resistance material and method of manufacturing same |
| US2050357A (en) * | 1933-12-28 | 1936-08-11 | Westinghouse Electric & Mfg Co | High resistance material |
| US3966578A (en) * | 1974-01-17 | 1976-06-29 | Ceramic Magnetics, Inc. | Method of making thin film thermistor |
| DE2718308A1 (de) * | 1977-04-25 | 1979-01-11 | Bitzer Diethelm | Verfahren zur herstellung von pulverfoermigem, glasartigen kohlenstoff |
| US4193860A (en) * | 1978-08-30 | 1980-03-18 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Liquid-permeable electrode |
| DE2843676A1 (de) * | 1978-10-06 | 1980-04-24 | Philips Patentverwaltung | Verfahren und vorrichtung zur festkoerperpyrolyse von organischen polymeren stoffen |
| JPS57124221A (en) * | 1981-01-24 | 1982-08-03 | Japan Atom Energy Res Inst | Temperature sensitive resistance element of cryogenic thermometer and its production |
| JPS59181001A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-15 | 株式会社村田製作所 | カ−ボン抵抗ペ−スト |
| US4577979A (en) * | 1983-04-21 | 1986-03-25 | Celanese Corporation | Electrical temperature pyrolyzed polymer material detector and associated circuitry |
| US5175214A (en) * | 1985-11-11 | 1992-12-29 | Nitta Industries Corporation | Pressure-sensitive conductive elastomer compound |
| DE3877314T2 (de) * | 1987-10-21 | 1993-06-24 | Ask Heating Kk | Exothermisches leitfaehiges ueberzugsmittel. |
| JP2897033B2 (ja) * | 1989-09-11 | 1999-05-31 | 日本カーボン株式会社 | 高感度赤外線検出素子 |
| JP3037021B2 (ja) * | 1993-06-11 | 2000-04-24 | 醇 西脇 | 導電性樹脂材の製造法 |
| US5603867A (en) * | 1994-09-09 | 1997-02-18 | Nippon Sanso Corporation | Method of production for active carbon electrode for use as electrical double layer condenser and active carbon electrode obtained thereby |
-
1994
- 1994-12-13 JP JP30919794A patent/JP3167559B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-12-06 KR KR1019950047023A patent/KR0153204B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-12-11 DE DE19546164A patent/DE19546164C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-12-12 US US08/570,793 patent/US6004485A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19546164A1 (de) | 1996-06-27 |
| KR0153204B1 (ko) | 1998-12-01 |
| KR960025823A (ko) | 1996-07-20 |
| JPH08166295A (ja) | 1996-06-25 |
| DE19546164C2 (de) | 1998-07-02 |
| US6004485A (en) | 1999-12-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB1565554A (en) | Humidity sensors | |
| CA1045249A (en) | Humidity sensitive ceramic resistor | |
| EP0114310B1 (en) | Carbon monoxide sensing element and process for manufacturing it | |
| JP3167559B2 (ja) | 温度センサ | |
| JPH0810645B2 (ja) | 薄膜サーミスタ | |
| US5681111A (en) | High-temperature thermistor device and method | |
| JPS604849A (ja) | 窒素酸化物検出素子 | |
| JP3074968B2 (ja) | 湿度センサ | |
| JPH0436561B2 (ja) | ||
| JPS61145808A (ja) | 感温材料 | |
| JP5309586B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JPS6310883B2 (ja) | ||
| JPS6253064B2 (ja) | ||
| JPS5945964A (ja) | セラミツク抵抗材料 | |
| JPS6059705A (ja) | サ−ミスタ材料 | |
| JPS5853966A (ja) | Ｎｉ粉末を用いた導電塗料 | |
| JP2652785B2 (ja) | サーミスタ素子 | |
| JPH0510910A (ja) | 湿度センサ | |
| JPH0552795A (ja) | 感湿素子 | |
| JPH0828287B2 (ja) | 電圧依存非直線抵抗体 | |
| JPS581521B2 (ja) | サ−ミスタ組成物 | |
| GB2039370A (en) | Moisture-responsive resistor element | |
| JPH0376562B2 (ja) | ||
| JPS61145807A (ja) | 感温材料 | |
| JPS62285314A (ja) | 導電性ペ−スト |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010220 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080309 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090309 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090309 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100309 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |